JP2996162B2 - プラズマ装置、薄膜形成方法及びエッチング方法 - Google Patents
プラズマ装置、薄膜形成方法及びエッチング方法Info
- Publication number
- JP2996162B2 JP2996162B2 JP7336474A JP33647495A JP2996162B2 JP 2996162 B2 JP2996162 B2 JP 2996162B2 JP 7336474 A JP7336474 A JP 7336474A JP 33647495 A JP33647495 A JP 33647495A JP 2996162 B2 JP2996162 B2 JP 2996162B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- vacuum chamber
- dielectric plate
- dielectric
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波に基づくプ
ラズマを用いた装置と、そのプラズマ装置を用いた薄膜
形成方法及びエッチング方法に関するものである。
ラズマを用いた装置と、そのプラズマ装置を用いた薄膜
形成方法及びエッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤやプラズマドライエッチ
ングは、半導体プロセスなどの薄膜プロセスにおける重
要な基幹技術の一つであり、現在基板の大口径化やパタ
ーンの高アスペクト化の要求のために、高密度プラズマ
の研究が盛んに行われ、また一方では、プラズマの制御
が高められている。従来の技術としては、例えば、ジャ
パン ジャーナル オブ アプライド フィジックス
第１６巻第１９７９頁（Ｊａｐａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ， １６，
ｐ．１９７９（１９７７））に記載された、電子サイク
ロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマによるドライエッチン
グ装置が挙げられる。
ングは、半導体プロセスなどの薄膜プロセスにおける重
要な基幹技術の一つであり、現在基板の大口径化やパタ
ーンの高アスペクト化の要求のために、高密度プラズマ
の研究が盛んに行われ、また一方では、プラズマの制御
が高められている。従来の技術としては、例えば、ジャ
パン ジャーナル オブ アプライド フィジックス
第１６巻第１９７９頁（Ｊａｐａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ， １６，
ｐ．１９７９（１９７７））に記載された、電子サイク
ロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマによるドライエッチン
グ装置が挙げられる。
【０００３】そこで、以下では従来のＥＣＲプラズマド
ライエッチング装置について図面を参照しながら説明す
る。図９は、従来のＥＣＲプラズマドライエッチング装
置の概略を示す断面図である。基本構成としては、マグ
ネトロン（表示せず）によって発生させたマイクロ波を
伝送するマイクロ波導波管２１とＥＣＲプラズマを発生
させて試料３をエッチングする放電室２０からなる。そ
して、２．４５ＧＨｚのマイクロ波はマイクロ波導波管
２１から石英ガラス２２を通して放電室２０に導入され
る。また電磁石２３および永久磁石１８によって電子サ
イクロトロン共鳴条件を満たす０．０８７５Ｔ以上の磁
場強度を印加することによって、放電室２０内にＥＣＲ
プラズマを発生させる。発生した高密度、高励起のＥＣ
Ｒプラズマを試料３まで輸送し、ＥＣＲプラズマに含ま
れるイオン等によって良好なエッチングが行われるとい
うものである。
ライエッチング装置について図面を参照しながら説明す
る。図９は、従来のＥＣＲプラズマドライエッチング装
置の概略を示す断面図である。基本構成としては、マグ
ネトロン（表示せず）によって発生させたマイクロ波を
伝送するマイクロ波導波管２１とＥＣＲプラズマを発生
させて試料３をエッチングする放電室２０からなる。そ
して、２．４５ＧＨｚのマイクロ波はマイクロ波導波管
２１から石英ガラス２２を通して放電室２０に導入され
る。また電磁石２３および永久磁石１８によって電子サ
イクロトロン共鳴条件を満たす０．０８７５Ｔ以上の磁
場強度を印加することによって、放電室２０内にＥＣＲ
プラズマを発生させる。発生した高密度、高励起のＥＣ
Ｒプラズマを試料３まで輸送し、ＥＣＲプラズマに含ま
れるイオン等によって良好なエッチングが行われるとい
うものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】薄膜形成やエッチング
では、基板や試料全面において成膜速度やエッチング速
度が均一でかつ高速に処理することが重要である。この
要求のために、高密度、高励起なプラズマが必要とされ
ている。
では、基板や試料全面において成膜速度やエッチング速
度が均一でかつ高速に処理することが重要である。この
要求のために、高密度、高励起なプラズマが必要とされ
ている。
【０００５】しかしながら、従来のプラズマ装置及び薄
膜形成方法、エッチング方法においては、次のような課
題があった。
膜形成方法、エッチング方法においては、次のような課
題があった。
【０００６】まず、高密度、高励起のプラズマとしてＥ
ＣＲプラズマを用いているために、高周波のマイクロ波
を必要とする。とくに、数ＧＨｚのマイクロ波の場合そ
の波長が１０ｃｍ程度であり、薄膜形成やエッチングに
使用される真空槽の大きさは１桁程度大きいので、真空
槽内にマイクロ波のモードが起ってしまう。このため
に、放電が起きると、マイクロ波のモードにそってプラ
ズマ密度の分布ができ、膜厚分布やエッチング斑ができ
てしまう。また、ＥＣＲプラズマを発生させるために
は、電磁石や永久磁石等による磁場を印加する必要があ
るため、磁場分布の不均一性による膜厚の不均一性及び
エッチング斑ができてしまう。とくにイオン等は磁場分
布によって進行方向が変えられるので、磁場分布は、膜
厚分布やエッチング状態に大きな影響を与える。さら
に、基板の大口径化に伴って、真空槽や磁場の発生装置
は大型化してしまう。
ＣＲプラズマを用いているために、高周波のマイクロ波
を必要とする。とくに、数ＧＨｚのマイクロ波の場合そ
の波長が１０ｃｍ程度であり、薄膜形成やエッチングに
使用される真空槽の大きさは１桁程度大きいので、真空
槽内にマイクロ波のモードが起ってしまう。このため
に、放電が起きると、マイクロ波のモードにそってプラ
ズマ密度の分布ができ、膜厚分布やエッチング斑ができ
てしまう。また、ＥＣＲプラズマを発生させるために
は、電磁石や永久磁石等による磁場を印加する必要があ
るため、磁場分布の不均一性による膜厚の不均一性及び
エッチング斑ができてしまう。とくにイオン等は磁場分
布によって進行方向が変えられるので、磁場分布は、膜
厚分布やエッチング状態に大きな影響を与える。さら
に、基板の大口径化に伴って、真空槽や磁場の発生装置
は大型化してしまう。
【０００７】本発明は、係る課題に鑑みてなされたもの
であり、均一でかつ高密度、高励起プラズマを発生し、
かつ大口径化できるプラズマ装置を提供することを目的
とするものである。また本発明は、上記のプラズマ装置
を用いた薄膜形成方法とエッチング方法を提供すること
を目的とする。
であり、均一でかつ高密度、高励起プラズマを発生し、
かつ大口径化できるプラズマ装置を提供することを目的
とするものである。また本発明は、上記のプラズマ装置
を用いた薄膜形成方法とエッチング方法を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明のプラズマ装置、薄膜形成方法及びエッチン
グ方法は、真空槽内に基板と誘電体板を対向するように
配置し、誘電体板上に形成された３つ以上の同心環状の
電極からなる高周波電力導入部を設けた真空槽に、成膜
用ガスまたはエッチングガスを導入し、高周波電力導入
部から放射されて発生したプラズマによって成膜用ガス
またはエッチングガスを励起またはイオン化し、この励
起またはイオン化された粒子を基板上に堆積させ、また
は試料をエッチングする構成となっている。
め、本発明のプラズマ装置、薄膜形成方法及びエッチン
グ方法は、真空槽内に基板と誘電体板を対向するように
配置し、誘電体板上に形成された３つ以上の同心環状の
電極からなる高周波電力導入部を設けた真空槽に、成膜
用ガスまたはエッチングガスを導入し、高周波電力導入
部から放射されて発生したプラズマによって成膜用ガス
またはエッチングガスを励起またはイオン化し、この励
起またはイオン化された粒子を基板上に堆積させ、また
は試料をエッチングする構成となっている。
【０００９】前記本発明のプラズマ装置、薄膜形成方法
及びエッチング方法においては、同心環状電極の電極間
隔を高周波の波長の半分以下にすることが好ましい。
及びエッチング方法においては、同心環状電極の電極間
隔を高周波の波長の半分以下にすることが好ましい。
【００１０】また、本発明のプラズマ装置、薄膜形成方
法及びエッチング方法は、真空槽内に基板と誘電体板を
対向するように配置し、誘電体板上に形成された複数個
の円板状電極と、円板状電極を囲みかつ間隔を有する外
周電極からなる高周波電力導入部を設けた真空槽に、成
膜用ガスまたはエッチングガスを導入し、高周波電力導
入部から放射されて発生したプラズマによって成膜用ガ
スまたはエッチングガスを励起またはイオン化し、この
励起またはイオン化された粒子を基板上に堆積させ、ま
たは試料をエッチングする構成となっている。
法及びエッチング方法は、真空槽内に基板と誘電体板を
対向するように配置し、誘電体板上に形成された複数個
の円板状電極と、円板状電極を囲みかつ間隔を有する外
周電極からなる高周波電力導入部を設けた真空槽に、成
膜用ガスまたはエッチングガスを導入し、高周波電力導
入部から放射されて発生したプラズマによって成膜用ガ
スまたはエッチングガスを励起またはイオン化し、この
励起またはイオン化された粒子を基板上に堆積させ、ま
たは試料をエッチングする構成となっている。
【００１１】前記本発明のプラズマ装置、薄膜形成方法
及びエッチング方法においては、円板状電極と円板状電
極を囲む外周電極との電極間隔を高周波の波長の半分以
下にすることが好ましい。
及びエッチング方法においては、円板状電極と円板状電
極を囲む外周電極との電極間隔を高周波の波長の半分以
下にすることが好ましい。
【００１２】さらに、本発明のプラズマ装置、薄膜形成
方法及びエッチング方法は、真空槽内に基板と第１誘電
体板を対向するように配置し、第１誘電体板上に形成し
た複数個の電極、電極を含む第１誘電体板上の第１誘電
体板の誘電率より大きな第２誘電体、さらに第１誘電体
の背面の導体によって構成される高周波電力導入部を設
けた真空槽において、高周波電力導入部の基板側から放
射されて発生したプラズマによって成膜用ガスまたはエ
ッチングガスを励起またはイオン化し、この励起または
イオン化された粒子を基板上に堆積させ、または試料を
エッチングする構成となっている。
方法及びエッチング方法は、真空槽内に基板と第１誘電
体板を対向するように配置し、第１誘電体板上に形成し
た複数個の電極、電極を含む第１誘電体板上の第１誘電
体板の誘電率より大きな第２誘電体、さらに第１誘電体
の背面の導体によって構成される高周波電力導入部を設
けた真空槽において、高周波電力導入部の基板側から放
射されて発生したプラズマによって成膜用ガスまたはエ
ッチングガスを励起またはイオン化し、この励起または
イオン化された粒子を基板上に堆積させ、または試料を
エッチングする構成となっている。
【００１３】前記本発明のプラズマ装置、薄膜形成方法
及びエッチング方法においては、複数個の電極として、
同心環状電極または、円板状電極と円板状電極を囲む外
周電極にすることが好ましい。
及びエッチング方法においては、複数個の電極として、
同心環状電極または、円板状電極と円板状電極を囲む外
周電極にすることが好ましい。
【００１４】前記本発明のプラズマ装置、薄膜形成方法
及びエッチング方法においては、第１誘電体板の背面と
導体の間でかつ電極間の位置に複数個の永久磁石を配置
し、さらに磁石の極性を第１誘電体板の中心から交互に
変え、電極間の位置の磁界強度を印加高周波の周波数で
決まる電子サイクロトロン共鳴条件以上の強度にするこ
とが好ましい。
及びエッチング方法においては、第１誘電体板の背面と
導体の間でかつ電極間の位置に複数個の永久磁石を配置
し、さらに磁石の極性を第１誘電体板の中心から交互に
変え、電極間の位置の磁界強度を印加高周波の周波数で
決まる電子サイクロトロン共鳴条件以上の強度にするこ
とが好ましい。
【００１５】上記した構成により、本発明のプラズマ装
置、薄膜形成方法及びエッチング方法は、誘電体板を対
向するように配置し、誘電体板上に形成された３つ以上
の同心環状の電極からなる高周波電力導入部から高周波
電力を放射してプラズマ領域を形成したので、円周方向
のプラズマ密度が均一であり、薄膜形成及びエッチング
の均一性がよい。また、３つ以上の同心環状の電極を設
けて高周波電力を真空槽に導入したので、電極付近にお
いてプラズマ領域が形成され、真空槽内の寸法で決まる
高周波のモードが形成されないので、モードによる膜厚
分布やエッチング斑が起こらない。
置、薄膜形成方法及びエッチング方法は、誘電体板を対
向するように配置し、誘電体板上に形成された３つ以上
の同心環状の電極からなる高周波電力導入部から高周波
電力を放射してプラズマ領域を形成したので、円周方向
のプラズマ密度が均一であり、薄膜形成及びエッチング
の均一性がよい。また、３つ以上の同心環状の電極を設
けて高周波電力を真空槽に導入したので、電極付近にお
いてプラズマ領域が形成され、真空槽内の寸法で決まる
高周波のモードが形成されないので、モードによる膜厚
分布やエッチング斑が起こらない。
【００１６】また、本発明のプラズマ装置、薄膜形成方
法及びエッチング方法は、真空槽内に基板と誘電体板を
対向するように配置し、誘電体板上に形成された複数個
の円板状電極と、円板状電極を囲みかつ間隔を有する外
周電極からなる高周波電力導入部から高周波電力を放射
してプラズマ領域を形成したので、大口径のプラズマを
形成でき、膜形成及びエッチングの領域の大口径化がで
きる。また複数個のプラズマを形成するので、真空槽全
体としてプラズマ密度の均一化が図れることができる。
法及びエッチング方法は、真空槽内に基板と誘電体板を
対向するように配置し、誘電体板上に形成された複数個
の円板状電極と、円板状電極を囲みかつ間隔を有する外
周電極からなる高周波電力導入部から高周波電力を放射
してプラズマ領域を形成したので、大口径のプラズマを
形成でき、膜形成及びエッチングの領域の大口径化がで
きる。また複数個のプラズマを形成するので、真空槽全
体としてプラズマ密度の均一化が図れることができる。
【００１７】前記本発明のプラズマ装置、薄膜形成方法
及びエッチング方法においては、同心環状電極の電極間
隔、または円板状電極と円板状電極を囲む外周電極との
電極間隔を高周波の波長の半分以下にする好ましい態様
にすることにより、定在波が形成されないので、真空槽
内に高周波のモードの形成がなく、プラズマが均一にで
き膜厚分布やエッチング斑の少なくなる。
及びエッチング方法においては、同心環状電極の電極間
隔、または円板状電極と円板状電極を囲む外周電極との
電極間隔を高周波の波長の半分以下にする好ましい態様
にすることにより、定在波が形成されないので、真空槽
内に高周波のモードの形成がなく、プラズマが均一にで
き膜厚分布やエッチング斑の少なくなる。
【００１８】さらに、本発明のプラズマ装置、薄膜形成
方法及びエッチング方法は、真空槽内に基板と第１誘電
体板を対向するように配置し、第１誘電体板上の複数個
の電極、電極を含む第１誘電体板上の第１誘電体板の誘
電率より大きな第２誘電体を配置したので、高周波の電
界は第２誘電体側に集中し、基板や試料側に高密度のプ
ラズマを形成できる。また、第１誘電体の背面の導体を
設けたので、第１誘電体側に放射される高周波電力を第
２誘電体側に反射でき効率よく高周波電力を真空槽内に
導入できる。
方法及びエッチング方法は、真空槽内に基板と第１誘電
体板を対向するように配置し、第１誘電体板上の複数個
の電極、電極を含む第１誘電体板上の第１誘電体板の誘
電率より大きな第２誘電体を配置したので、高周波の電
界は第２誘電体側に集中し、基板や試料側に高密度のプ
ラズマを形成できる。また、第１誘電体の背面の導体を
設けたので、第１誘電体側に放射される高周波電力を第
２誘電体側に反射でき効率よく高周波電力を真空槽内に
導入できる。
【００１９】前記本発明のプラズマ装置、薄膜形成方法
及びエッチング方法においては、複数個の電極として、
同心環状電極または、円板状電極と円板状電極を囲む外
周電極にする好ましい様態により、均一なプラズマが形
成できる。
及びエッチング方法においては、複数個の電極として、
同心環状電極または、円板状電極と円板状電極を囲む外
周電極にする好ましい様態により、均一なプラズマが形
成できる。
【００２０】前記本発明のプラズマ装置、薄膜形成方法
及びエッチング方法においては、第１誘電体板の背面と
導体の間でかつ電極間の位置に複数個の永久磁石を配置
し、さらに磁石の極性を第１誘電体板の中心から交互に
変える好ましい様態したので、電極間にできる電界方向
と、磁力線とが直交するので効率よく放電することがで
きる。さらに電極間の位置の磁界強度として印加高周波
の周波数で決まる電子サイクロトロン共鳴条件以上の強
度にする好ましい様態したので、高励起、高密度のＥＣ
Ｒプラズマを形成できる。
及びエッチング方法においては、第１誘電体板の背面と
導体の間でかつ電極間の位置に複数個の永久磁石を配置
し、さらに磁石の極性を第１誘電体板の中心から交互に
変える好ましい様態したので、電極間にできる電界方向
と、磁力線とが直交するので効率よく放電することがで
きる。さらに電極間の位置の磁界強度として印加高周波
の周波数で決まる電子サイクロトロン共鳴条件以上の強
度にする好ましい様態したので、高励起、高密度のＥＣ
Ｒプラズマを形成できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の高周波の周波数として
は、薄膜形成およびエッチングする材料によって好適な
周波数は異なるが、基板及び試料の大きさが数１０ｃｍ
角または直径であるため、高周波の周波数は１０ＭＨｚ
から１０ＧＨｚが好ましい。
は、薄膜形成およびエッチングする材料によって好適な
周波数は異なるが、基板及び試料の大きさが数１０ｃｍ
角または直径であるため、高周波の周波数は１０ＭＨｚ
から１０ＧＨｚが好ましい。
【００２２】本発明の同心環状電極および円板状電極の
電極間隔としては、印加高周波の周波数の半分以下の範
囲であればよく、また、複数個どうしの電極間隔も同じ
である必要もなく、プラズマ分布の均一性を微調整する
必要であれば、変化させてもよい。また電極の数も基板
等の大きさに合わせてプラズマの均一性を削ごわなけれ
ばいくつでもよい。
電極間隔としては、印加高周波の周波数の半分以下の範
囲であればよく、また、複数個どうしの電極間隔も同じ
である必要もなく、プラズマ分布の均一性を微調整する
必要であれば、変化させてもよい。また電極の数も基板
等の大きさに合わせてプラズマの均一性を削ごわなけれ
ばいくつでもよい。
【００２３】本発明の薄膜形成およびエッチング時の圧
力範囲としては、薄膜の構成材料によって異なるので一
概に言いがたいが、通常１０ー2Ｐａ〜２０Ｐａ程度の圧
力範囲で適当な圧力を採用すればよい。高周波電力は、
用いる成膜ガスやエッチングガスの種類などによって異
なるので、一概に規定しがたいが、例えば、２０〜１０
００Ｗ程度である。
力範囲としては、薄膜の構成材料によって異なるので一
概に言いがたいが、通常１０ー2Ｐａ〜２０Ｐａ程度の圧
力範囲で適当な圧力を採用すればよい。高周波電力は、
用いる成膜ガスやエッチングガスの種類などによって異
なるので、一概に規定しがたいが、例えば、２０〜１０
００Ｗ程度である。
【００２４】以下本発明の具体的発明の実施の形態につ
いて説明する。 （第１の発明の実施の形態）図１は本発明のプラズマ装
置の一つの発明の実施の形態の概略断面図を示したもの
である。基本構成としては、真空槽１の中に、設置台３
上に配置された基板２と基板２に対向させた高周波電力
導入部４を配置している。真空槽１の内径は４００ｍｍ
であり、基板２と高周波電力導入部４との間の距離を５
００ｍｍとしている。次に図２は高周波電力導入部４付
近の拡大図を示したものである。この高周波電力導入部
４は、誘電体板５上に形成された複数個の同心環状電極
６によって構成されており、誘電体板５として石英板を
用い、同心環状電極６は、誘電体板５上に、幅９ｍｍ、
厚さ５０μｍの銅製の環状電極６を同心円上に４個並べ
たものとなっている。高周波としては２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を用いた。２．４５ＧＨｚのマイクロ波の波
長は１２．２４ｃｍであり、電極間隔はその半分以下の
５ｃｍとした。
いて説明する。 （第１の発明の実施の形態）図１は本発明のプラズマ装
置の一つの発明の実施の形態の概略断面図を示したもの
である。基本構成としては、真空槽１の中に、設置台３
上に配置された基板２と基板２に対向させた高周波電力
導入部４を配置している。真空槽１の内径は４００ｍｍ
であり、基板２と高周波電力導入部４との間の距離を５
００ｍｍとしている。次に図２は高周波電力導入部４付
近の拡大図を示したものである。この高周波電力導入部
４は、誘電体板５上に形成された複数個の同心環状電極
６によって構成されており、誘電体板５として石英板を
用い、同心環状電極６は、誘電体板５上に、幅９ｍｍ、
厚さ５０μｍの銅製の環状電極６を同心円上に４個並べ
たものとなっている。高周波としては２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を用いた。２．４５ＧＨｚのマイクロ波の波
長は１２．２４ｃｍであり、電極間隔はその半分以下の
５ｃｍとした。
【００２５】このようなプラズマ装置の性能を評価する
ために電子温度、電子密度の測定を以下のように行っ
た。
ために電子温度、電子密度の測定を以下のように行っ
た。
【００２６】真空槽１内にアルゴンガスを導入し、ガス
圧を１Ｐａにし、続いて同心環状電極６にマイクロ波源
７より２．４５ＧＨｚのマイクロ波を印加した。この時
のマイクロ波電力は２００Ｗにした。このような放電条
件において、電子密度が約１０10ｃｍ-3、電子温度が約
３ｅＶの高密度高励起のプラズマが真空槽内に一様に形
成できた。
圧を１Ｐａにし、続いて同心環状電極６にマイクロ波源
７より２．４５ＧＨｚのマイクロ波を印加した。この時
のマイクロ波電力は２００Ｗにした。このような放電条
件において、電子密度が約１０10ｃｍ-3、電子温度が約
３ｅＶの高密度高励起のプラズマが真空槽内に一様に形
成できた。
【００２７】このようなプラズマ装置の真空槽１内の圧
力を１０-4Ｐａ以下にした後、成膜ガスとして水素ガス
とトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ：Ａｌ（ＣＨ3）3）
とをそれぞれの供給口８、９より供給した。水素ガスと
ＴＭＡの流量はそれぞれ２０ｓｃｃｍ、１０ｓｃｃｍと
し、全圧を１Ｐａとした。マイクロ波電力は２００Ｗ印
加し、基板温度は２００℃とした。
力を１０-4Ｐａ以下にした後、成膜ガスとして水素ガス
とトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ：Ａｌ（ＣＨ3）3）
とをそれぞれの供給口８、９より供給した。水素ガスと
ＴＭＡの流量はそれぞれ２０ｓｃｃｍ、１０ｓｃｃｍと
し、全圧を１Ｐａとした。マイクロ波電力は２００Ｗ印
加し、基板温度は２００℃とした。
【００２８】このような条件でプラズマを形成し、基板
上にアルミニウム膜を０.７μｍ／ｍｉｎの成膜速度で
形成した。３μΩ・ｃｍの低い電気抵抗を示すアルミニ
ウム膜を形成することができた。
上にアルミニウム膜を０.７μｍ／ｍｉｎの成膜速度で
形成した。３μΩ・ｃｍの低い電気抵抗を示すアルミニ
ウム膜を形成することができた。
【００２９】なお、本発明の実施の形態ではアルミニウ
ムの原料としてトリメチルアルミニウムを用いたが、そ
の他のアルミニウムを含む気体を用いることは本発明の
薄膜形成方法に含まれる。また、銅、タングステン、タ
ンタル、チタニウム、モリブデン等の金属元素を含むガ
スを用いて本発明のプラズマ装置によって金属膜を形成
することも本発明の薄膜形成方法に含まれる。
ムの原料としてトリメチルアルミニウムを用いたが、そ
の他のアルミニウムを含む気体を用いることは本発明の
薄膜形成方法に含まれる。また、銅、タングステン、タ
ンタル、チタニウム、モリブデン等の金属元素を含むガ
スを用いて本発明のプラズマ装置によって金属膜を形成
することも本発明の薄膜形成方法に含まれる。
【００３０】（第２の発明の実施の形態）以下本発明第
２の発明の実施の形態におけるエッチング方法について
説明する。
２の発明の実施の形態におけるエッチング方法について
説明する。
【００３１】同心環状の電極によって構成される高周波
電力導入部を用いたエッチング装置は、上記の第１の発
明の実施の形態で示した薄膜形成装置とほぼ同じ構成で
あるため、相違した部分について詳述する。
電力導入部を用いたエッチング装置は、上記の第１の発
明の実施の形態で示した薄膜形成装置とほぼ同じ構成で
あるため、相違した部分について詳述する。
【００３２】真空槽１内に、試料１０、高周波電力導入
部４を配置し、高周波電力導入部４及び真空槽１の寸法
は、上記の第１の発明の実施の形態と同じである。試料
１０をエッチングするためにエッチング用高周波電源１
１を設置台３に接続し、エッチング用高周波電源１１の
周波数は１３．５６ＭＨｚを用いた。なお、試料１０と
しては３−５族化合物半導体材料のＧａＡｓ基板を用い
た。
部４を配置し、高周波電力導入部４及び真空槽１の寸法
は、上記の第１の発明の実施の形態と同じである。試料
１０をエッチングするためにエッチング用高周波電源１
１を設置台３に接続し、エッチング用高周波電源１１の
周波数は１３．５６ＭＨｚを用いた。なお、試料１０と
しては３−５族化合物半導体材料のＧａＡｓ基板を用い
た。
【００３３】このようなプラズマ装置の真空槽１内の圧
力を１０-4Ｐａ以下にした後、エッチングガスとして水
素ガスとメタンガスの混合ガスを用いてエッチングガス
供給口１４より真空槽１に導入し、それぞれの分圧を６
Ｐａ、０．５Ｐａとした。マイクロ波とエッチング用高
周波の電力をそれぞれ２００Ｗ印加した。
力を１０-4Ｐａ以下にした後、エッチングガスとして水
素ガスとメタンガスの混合ガスを用いてエッチングガス
供給口１４より真空槽１に導入し、それぞれの分圧を６
Ｐａ、０．５Ｐａとした。マイクロ波とエッチング用高
周波の電力をそれぞれ２００Ｗ印加した。
【００３４】このような条件でプラズマを形成し、試料
のエッチングを行なった。エッチング速度は０．２μｍ
／ｍｉｎと非常に高速であった。その後、低温フォトル
ミネッセンス測定の結果、エッチング前後においてのエ
ッチングによる損傷のないことを確認した。
のエッチングを行なった。エッチング速度は０．２μｍ
／ｍｉｎと非常に高速であった。その後、低温フォトル
ミネッセンス測定の結果、エッチング前後においてのエ
ッチングによる損傷のないことを確認した。
【００３５】なお、本発明の実施の形態ではＧａＡｓ基
板のエッチングガスとしてメタンガスと水素ガスを用い
たが、その他の炭化水素ガス（ＣｍＨｎ；ｎ＝２ｍ＋
２、２ｍ：ｍは自然数、または２ｍ−２：ｍは２以上の
整数）でもよく、またメチルアルコールやエチルアルコ
ールなどのアルコール類でもよい。さらに、本発明の実
施の形態では、メタンガスと水素ガスを用いてエッチン
グを行ったが、水素ガスとメタンガスの混合ガスに希ガ
ス（ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン）を混ぜ
てもよい。
板のエッチングガスとしてメタンガスと水素ガスを用い
たが、その他の炭化水素ガス（ＣｍＨｎ；ｎ＝２ｍ＋
２、２ｍ：ｍは自然数、または２ｍ−２：ｍは２以上の
整数）でもよく、またメチルアルコールやエチルアルコ
ールなどのアルコール類でもよい。さらに、本発明の実
施の形態では、メタンガスと水素ガスを用いてエッチン
グを行ったが、水素ガスとメタンガスの混合ガスに希ガ
ス（ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン）を混ぜ
てもよい。
【００３６】本発明の実施の形態においてはエッチング
用高周波電源の周波数として１３．５６ＭＨｚを用いた
が、数１００ｋＨｚから１ＧＨｚまでの周波数領域の高
周波であればよい。
用高周波電源の周波数として１３．５６ＭＨｚを用いた
が、数１００ｋＨｚから１ＧＨｚまでの周波数領域の高
周波であればよい。
【００３７】また、本発明の実施の形態では３−５族化
合物半導体材料のＧａＡｓのエッチングを行なったが、
エッチングを行う材料としては、他の３−５族化合物半
導体材料でもよく、たとえば、ＩｎＰ、ＡｌＮ、Ｇａ
Ｐ、ＧａＮ、ＧａxＡｌ1-xＡｓ（０＜ｘ＜１）、Ｉｎx
Ｇａ1-xＮ（０＜ｘ＜１）、ＩｎxＧａ1-xＡｓyＰ
1-y（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）などでもよい。また、
これらの３−５族化合物半導体による量子井戸構造の薄
膜であってもよい。さらに、他のエッチング材料として
は、２−６化合物半導体材料でもよく、たとえばＺｎ
Ｓ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴ
ｅ、ＺｎxＭｎ1-xＴｅ（０＜ｘ＜１）、ＣｄxＭｎ1-xＴ
ｅ（０＜ｘ＜１）、ＺｎxＣｄ1-xＴｅ（０＜ｘ＜１）、
ＺｎxＣｄ1-xＳｅ（０＜ｘ＜１）、ＺｎＳyＳｅ1-y（０
＜ｙ＜１）、ＺｎxＭｇ1-xＳyＳｅ1-y（０＜ｘ＜１，０
＜ｙ＜１）などでもよい。また、これらの２−６族化合
物半導体材料の量井戸構造の薄膜であってもよい。たと
えば、ＺｎＳｅ薄膜を本発明のプラズマ装置によって、
メタンガスと水素ガスの混合ガスを用いてエッチングを
行なった結果、４０ｎｍ／ｍｉｎの高速のエッチングが
できた。また、低温フォトルミネッセンス測定の結果、
エッチングによる損傷がないことを確認した。
合物半導体材料のＧａＡｓのエッチングを行なったが、
エッチングを行う材料としては、他の３−５族化合物半
導体材料でもよく、たとえば、ＩｎＰ、ＡｌＮ、Ｇａ
Ｐ、ＧａＮ、ＧａxＡｌ1-xＡｓ（０＜ｘ＜１）、Ｉｎx
Ｇａ1-xＮ（０＜ｘ＜１）、ＩｎxＧａ1-xＡｓyＰ
1-y（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）などでもよい。また、
これらの３−５族化合物半導体による量子井戸構造の薄
膜であってもよい。さらに、他のエッチング材料として
は、２−６化合物半導体材料でもよく、たとえばＺｎ
Ｓ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴ
ｅ、ＺｎxＭｎ1-xＴｅ（０＜ｘ＜１）、ＣｄxＭｎ1-xＴ
ｅ（０＜ｘ＜１）、ＺｎxＣｄ1-xＴｅ（０＜ｘ＜１）、
ＺｎxＣｄ1-xＳｅ（０＜ｘ＜１）、ＺｎＳyＳｅ1-y（０
＜ｙ＜１）、ＺｎxＭｇ1-xＳyＳｅ1-y（０＜ｘ＜１，０
＜ｙ＜１）などでもよい。また、これらの２−６族化合
物半導体材料の量井戸構造の薄膜であってもよい。たと
えば、ＺｎＳｅ薄膜を本発明のプラズマ装置によって、
メタンガスと水素ガスの混合ガスを用いてエッチングを
行なった結果、４０ｎｍ／ｍｉｎの高速のエッチングが
できた。また、低温フォトルミネッセンス測定の結果、
エッチングによる損傷がないことを確認した。
【００３８】（第３の発明の実施の形態）以下、本発明
第３の発明の実施の形態におけるエッチング方法につい
て説明する。
第３の発明の実施の形態におけるエッチング方法につい
て説明する。
【００３９】図３は本発明のプラズマ装置の一つの発明
の実施の形態の概略断面図を示したものである。基本構
成としては、真空槽１の中に、設置台３上に配置された
試料１０と試料１０に対向させた高周波電力導入部４を
配置している。真空槽１の内径は４００ｍｍであり、試
料１０と高周波電力導入部４の間の距離を３００ｍｍと
した。また図４は高周波電力導入部４付近の拡大概略図
を示したものである。
の実施の形態の概略断面図を示したものである。基本構
成としては、真空槽１の中に、設置台３上に配置された
試料１０と試料１０に対向させた高周波電力導入部４を
配置している。真空槽１の内径は４００ｍｍであり、試
料１０と高周波電力導入部４の間の距離を３００ｍｍと
した。また図４は高周波電力導入部４付近の拡大概略図
を示したものである。
【００４０】図３及び図４において、高周波電力導入部
４は、誘電体板５上に形成した複数個の円板状電極１２
と、円板状電極１２と間隔を有しかつ円板状電極１２を
囲んだ外周電極１３によって構成されている。誘電体板
５として石英板を用い、直径１０ｍｍ、厚さ５０μｍの
銅製の円板状電極１２を誘電体板５上に１３個形成し
た。また、図４に示すように、厚さ５０μｍの銅製の外
周電極１３は、円板状電極１２との電極間隔を１５ｍｍ
に保って各の円板状電極１２を囲みながら、すべての円
板状電極１２を含む大円を形成している。この大円の直
径は２５０ｍｍとし、さらに、円板状電極どうしの距離
は約５０ｍｍにした。高周波としては２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を用いた。なお、２．４５ＧＨｚのマイクロ
波の波長は１２．２４ｃｍであり、電極間隔はその半分
以下の１５ｍｍとした。
４は、誘電体板５上に形成した複数個の円板状電極１２
と、円板状電極１２と間隔を有しかつ円板状電極１２を
囲んだ外周電極１３によって構成されている。誘電体板
５として石英板を用い、直径１０ｍｍ、厚さ５０μｍの
銅製の円板状電極１２を誘電体板５上に１３個形成し
た。また、図４に示すように、厚さ５０μｍの銅製の外
周電極１３は、円板状電極１２との電極間隔を１５ｍｍ
に保って各の円板状電極１２を囲みながら、すべての円
板状電極１２を含む大円を形成している。この大円の直
径は２５０ｍｍとし、さらに、円板状電極どうしの距離
は約５０ｍｍにした。高周波としては２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を用いた。なお、２．４５ＧＨｚのマイクロ
波の波長は１２．２４ｃｍであり、電極間隔はその半分
以下の１５ｍｍとした。
【００４１】このようなプラズマ装置の性能を評価する
ために電子温度、電子密度の測定を行った。真空槽１内
にアルゴンガスを導入し、ガス圧を１Ｐａにした。マイ
クロ波を２００Ｗ印加して、プラズマを発生させた。そ
の結果、電子密度が約２Ｘ１０10ｃｍ-3、電子温度が約
３ｅＶの高密度高励起のプラズマが、ほぼ高周波電力導
入部４全面に亘って形成できた。
ために電子温度、電子密度の測定を行った。真空槽１内
にアルゴンガスを導入し、ガス圧を１Ｐａにした。マイ
クロ波を２００Ｗ印加して、プラズマを発生させた。そ
の結果、電子密度が約２Ｘ１０10ｃｍ-3、電子温度が約
３ｅＶの高密度高励起のプラズマが、ほぼ高周波電力導
入部４全面に亘って形成できた。
【００４２】また、試料１０を支持する設置台３にエッ
チング用高周波電源１１を接続した。このエッチング用
高周波電源１１の周波数は２ＭＨｚとした。試料１０は
Ｓｉ基板上に形成したＳｉＯ2膜である。このようなプ
ラズマ装置の真空槽１内の圧力を１０-4Ｐａ以下にした
後、ＳｉＯ2のエッチングガスとしてＣＦ3、水素ガスを
用いてエッチングガス供給口１４より真空槽１より供給
し、それぞれの分圧を２Ｐａ、０．５Ｐａとした。その
後に、マイクロ波とエッチング用高周波の電力をそれぞ
れ２００Ｗ、１００Ｗ印加した。
チング用高周波電源１１を接続した。このエッチング用
高周波電源１１の周波数は２ＭＨｚとした。試料１０は
Ｓｉ基板上に形成したＳｉＯ2膜である。このようなプ
ラズマ装置の真空槽１内の圧力を１０-4Ｐａ以下にした
後、ＳｉＯ2のエッチングガスとしてＣＦ3、水素ガスを
用いてエッチングガス供給口１４より真空槽１より供給
し、それぞれの分圧を２Ｐａ、０．５Ｐａとした。その
後に、マイクロ波とエッチング用高周波の電力をそれぞ
れ２００Ｗ、１００Ｗ印加した。
【００４３】このような条件でプラズマを形成し、試料
上のＳｉＯ2を０．５μｍ／ｍｉｎの高速のエッチング
速度でエッチングすることができた。
上のＳｉＯ2を０．５μｍ／ｍｉｎの高速のエッチング
速度でエッチングすることができた。
【００４４】なお、本発明の実施の形態ではＳｉＯ2の
エッチングガスとしてＣＦ3ガスと水素ガスの混合ガス
を用いたが、その他のエッチングガスとして、ＣＨ
Ｆ3、Ｃ2Ｆ 6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8等を用いてエッチングす
ることは本発明のエッチング方法に含まれる。さらに、
本発明の実施の形態では、ＣＦ3ガスと水素ガスの混合
ガスを用いてエッチングを行ったが、水素ガスとＣＦ3
ガスの混合ガスにさらに希ガス（ヘリウム、アルゴン、
ネオン、クリプトン）を混ぜてもよい。
エッチングガスとしてＣＦ3ガスと水素ガスの混合ガス
を用いたが、その他のエッチングガスとして、ＣＨ
Ｆ3、Ｃ2Ｆ 6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8等を用いてエッチングす
ることは本発明のエッチング方法に含まれる。さらに、
本発明の実施の形態では、ＣＦ3ガスと水素ガスの混合
ガスを用いてエッチングを行ったが、水素ガスとＣＦ3
ガスの混合ガスにさらに希ガス（ヘリウム、アルゴン、
ネオン、クリプトン）を混ぜてもよい。
【００４５】本発明の実施の形態においてはエッチング
用高周波電源１１として２ＭＨｚの高周波を用いたが、
数１００ｋＨｚから１ＧＨｚまでの周波数領域の高周波
であればよい。
用高周波電源１１として２ＭＨｚの高周波を用いたが、
数１００ｋＨｚから１ＧＨｚまでの周波数領域の高周波
であればよい。
【００４６】（第４の発明の実施の形態）図５は本発明
のプラズマ装置の一つの発明の実施の形態の概略断面図
を示したものである。基本構成としては、真空槽１の中
に、設置台３上に配置された基板２と基板２に対向させ
た高周波電力導入部４を配置している。真空槽１の内径
は４００ｍｍであり、基板２と高周波電力導入部４の間
の距離は５００ｍｍとした。また図６は高周波電力導入
部４付近の拡大図を示したものである。
のプラズマ装置の一つの発明の実施の形態の概略断面図
を示したものである。基本構成としては、真空槽１の中
に、設置台３上に配置された基板２と基板２に対向させ
た高周波電力導入部４を配置している。真空槽１の内径
は４００ｍｍであり、基板２と高周波電力導入部４の間
の距離は５００ｍｍとした。また図６は高周波電力導入
部４付近の拡大図を示したものである。
【００４７】図５及び図６において、高周波電力導入部
４は、第１誘電体板１５上に形成された複数個の同心環
状電極６と、同心環状電極６上に形成した第１誘電体板
１５の誘電率より大きな誘電率を有する第２誘電体膜１
６、および第１誘電体板１５の背面全面に亘って形成し
た導体１７によって構成されている。第１誘電体板５と
して石英板を用い、同心環状電極６は第１誘電体板５上
に、幅９ｍｍ、厚さ５０μｍの銅製の環状電極６を同心
円上に４個並べたものである。第２誘電体膜１６として
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を用い、同心環状電極６を形成し
たのちに、第１誘電体板５上にアルミナを形成した。な
お、厚さは１００μｍにした。さらに、第１誘電体板５
の背面全面に銅製の導体１７を真空蒸着で形成し、厚さ
を１０μｍにした。高周波としては２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波を用いたが、この２．４５ＧＨｚのマイクロ波
の波長は１２．２４ｃｍであり、電極間隔はその半分以
下の５ｃｍとした。
４は、第１誘電体板１５上に形成された複数個の同心環
状電極６と、同心環状電極６上に形成した第１誘電体板
１５の誘電率より大きな誘電率を有する第２誘電体膜１
６、および第１誘電体板１５の背面全面に亘って形成し
た導体１７によって構成されている。第１誘電体板５と
して石英板を用い、同心環状電極６は第１誘電体板５上
に、幅９ｍｍ、厚さ５０μｍの銅製の環状電極６を同心
円上に４個並べたものである。第２誘電体膜１６として
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を用い、同心環状電極６を形成し
たのちに、第１誘電体板５上にアルミナを形成した。な
お、厚さは１００μｍにした。さらに、第１誘電体板５
の背面全面に銅製の導体１７を真空蒸着で形成し、厚さ
を１０μｍにした。高周波としては２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波を用いたが、この２．４５ＧＨｚのマイクロ波
の波長は１２．２４ｃｍであり、電極間隔はその半分以
下の５ｃｍとした。
【００４８】このようなプラズマ装置の性能を評価する
ために電子温度、電子密度の測定を行った。真空槽１内
にアルゴンガスを導入し、ガス圧を１Ｐａにした。マイ
クロ波を同心環状電極６に２００Ｗ印加した。その結
果、電子密度が約５Ｘ１０10ｃｍ-3、電子温度が約４ｅ
Ｖの高密度高励起のプラズマが一様に形成できた。
ために電子温度、電子密度の測定を行った。真空槽１内
にアルゴンガスを導入し、ガス圧を１Ｐａにした。マイ
クロ波を同心環状電極６に２００Ｗ印加した。その結
果、電子密度が約５Ｘ１０10ｃｍ-3、電子温度が約４ｅ
Ｖの高密度高励起のプラズマが一様に形成できた。
【００４９】このようなプラズマ装置の真空槽１内の圧
力を１０-6Ｐａ以下にした後、成膜ガスとして窒素ガス
とトリメチルガリウム（ＴＭＧ：Ｇａ（ＣＨ3）3）とを
それぞれの供給口８、９より供給した。窒素ガスとＴＭ
Ｇの流量はそれぞれ１０ｓｃｃｍ、０．５ｓｃｃｍであ
り、全圧は１Ｐａにした。その後に、マイクロ波電力を
３００Ｗ印加した。基板温度は６００℃とし、基板２と
してサファイアｃ面基板を用いた。
力を１０-6Ｐａ以下にした後、成膜ガスとして窒素ガス
とトリメチルガリウム（ＴＭＧ：Ｇａ（ＣＨ3）3）とを
それぞれの供給口８、９より供給した。窒素ガスとＴＭ
Ｇの流量はそれぞれ１０ｓｃｃｍ、０．５ｓｃｃｍであ
り、全圧は１Ｐａにした。その後に、マイクロ波電力を
３００Ｗ印加した。基板温度は６００℃とし、基板２と
してサファイアｃ面基板を用いた。
【００５０】このような条件でプラズマを形成し、基板
２上に窒化ガリウム膜を成長させた。Ｘ線回折法によっ
て結晶評価を行なうと、２θ＝３４．５９°近傍に（０
０２）面からの回折ピークが現れており、成長させたＧ
ａＮ膜がｃ軸配向していることを示した。また反射高エ
ネルギー電子線回折（ＲＨＥＥＤ）法による評価では、
ストリーク状の回折パターンが得ることができ、成長さ
せたＧａＮ膜が単結晶膜であり、また平滑性の良好な膜
であることを示した。電気的特性では高抵抗膜であり、
窒素空孔がない膜であると考えられる。さらに、低温フ
ォトルミネッセンス測定の結果より、不純物の混入の少
ない良質な膜であることを示した。
２上に窒化ガリウム膜を成長させた。Ｘ線回折法によっ
て結晶評価を行なうと、２θ＝３４．５９°近傍に（０
０２）面からの回折ピークが現れており、成長させたＧ
ａＮ膜がｃ軸配向していることを示した。また反射高エ
ネルギー電子線回折（ＲＨＥＥＤ）法による評価では、
ストリーク状の回折パターンが得ることができ、成長さ
せたＧａＮ膜が単結晶膜であり、また平滑性の良好な膜
であることを示した。電気的特性では高抵抗膜であり、
窒素空孔がない膜であると考えられる。さらに、低温フ
ォトルミネッセンス測定の結果より、不純物の混入の少
ない良質な膜であることを示した。
【００５１】なお、本発明の実施の形態ではガリウムの
原料としてトリメチルガリウムを用いたが、その他のガ
リウムを含む気体用いることは本発明の薄膜形成方法に
含まれる。また、本発明の実施の形態では窒素ガスを用
いたが窒素を含むガスであればよく、たとえば、アンモ
ニアでもよい。さらに、インジウム、アルミニウム等の
３族元素を含むガスと窒素を含むガスを用い、本発明の
プラズマ装置によってＩｎＮ，ＡｌＮ，ＩｎxＧａ1-xＮ
（０＜ｘ＜１），ＩｎxＡｌ1ーxＮ（０＜ｘ＜１）等の窒
化物の単結晶薄膜を形成することも本発明の薄膜形成方
法に含まれる。たとえば、アルミニウムを含むガスであ
るトリメチルアルミニウムを１ｓｃｃｍ、窒素ガス１０
ｓｃｃｍをプラズマ装置に供給し、基板温度を７００
℃、マイクロ波電力を２５０Ｗ印加した作製条件におい
て、サファイアｃ面基板上にＡｌＮ膜を成長させた。Ｘ
線回折法により結晶評価を行なうと、２θ＝３６°近傍
に（００２）面からの回折ピークが現れており、得られ
たＡｌＮ膜がｃ軸配向していることを示した。また低温
フォトルミネッセンス測定の結果より、不純物の少ない
良質な膜であることがわかった。
原料としてトリメチルガリウムを用いたが、その他のガ
リウムを含む気体用いることは本発明の薄膜形成方法に
含まれる。また、本発明の実施の形態では窒素ガスを用
いたが窒素を含むガスであればよく、たとえば、アンモ
ニアでもよい。さらに、インジウム、アルミニウム等の
３族元素を含むガスと窒素を含むガスを用い、本発明の
プラズマ装置によってＩｎＮ，ＡｌＮ，ＩｎxＧａ1-xＮ
（０＜ｘ＜１），ＩｎxＡｌ1ーxＮ（０＜ｘ＜１）等の窒
化物の単結晶薄膜を形成することも本発明の薄膜形成方
法に含まれる。たとえば、アルミニウムを含むガスであ
るトリメチルアルミニウムを１ｓｃｃｍ、窒素ガス１０
ｓｃｃｍをプラズマ装置に供給し、基板温度を７００
℃、マイクロ波電力を２５０Ｗ印加した作製条件におい
て、サファイアｃ面基板上にＡｌＮ膜を成長させた。Ｘ
線回折法により結晶評価を行なうと、２θ＝３６°近傍
に（００２）面からの回折ピークが現れており、得られ
たＡｌＮ膜がｃ軸配向していることを示した。また低温
フォトルミネッセンス測定の結果より、不純物の少ない
良質な膜であることがわかった。
【００５２】（第５の発明の実施の形態）図７は本発明
のプラズマ装置の一つの発明の実施の形態の概略断面図
を示したものである。基本構成としては、上記の第４の
発明の実施の形態における図５で示したプラズマ装置に
永久磁石１８とエッチング用高周波電源１１を付加した
ものである。
のプラズマ装置の一つの発明の実施の形態の概略断面図
を示したものである。基本構成としては、上記の第４の
発明の実施の形態における図５で示したプラズマ装置に
永久磁石１８とエッチング用高周波電源１１を付加した
ものである。
【００５３】従って以下では、第４の発明の実施の形態
と相違した部分については詳述し、同一の部分について
は要約して説明する。
と相違した部分については詳述し、同一の部分について
は要約して説明する。
【００５４】真空槽１の中には、設置台３、試料１０、
高周波電力導入部４およびエッチング用高周波電源１１
を配置している。真空槽１の内径は３５０ｍｍであり、
試料１０と高周波電力導入部４の間の距離は５００ｍｍ
とした。図８は高周波電力導入部４付近の拡大図を示し
たものである。高周波電力導入部４は、第１誘電体板１
５、数個の同心環状電極６、第２誘電体膜１６、第１誘
電体板１５に形成した導体１７および永久磁石１８によ
って構成されている。第１誘電体板５、同心環状電極
６、第２誘電体膜１６は第４の発明の実施の形態で示し
たものと同一である。永久磁石１８は直径１５ｍｍ、高
さ１０ｍｍのサマリウム・コバルトであり、この永久磁
石１８を環状電極間に多数配置した。また、同心円の中
心から順次極性を反転させている。さらに第８図に示す
ように、各の永久磁石１８は第１誘電体板５の背面側で
軟鉄の導体１７によって結合されている。その結果、環
状電極間の第２誘電体膜上における磁場強度は、印加高
周波の電子サイクロトロン共鳴条件を満たすようになっ
た。高周波として２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いた
場合、電子サイクロトロン共鳴条件の磁場強度は０．０
８７５Ｔである。また、永久磁石１８は冷却水出入口１
９によって水冷できるようになっている。設置台３はエ
ッチング用高周波電源１１に接続されている。高周波と
しては２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用い、エッチング
用の高周波源の周波数は１３．５６ＭＨｚを用いた。
高周波電力導入部４およびエッチング用高周波電源１１
を配置している。真空槽１の内径は３５０ｍｍであり、
試料１０と高周波電力導入部４の間の距離は５００ｍｍ
とした。図８は高周波電力導入部４付近の拡大図を示し
たものである。高周波電力導入部４は、第１誘電体板１
５、数個の同心環状電極６、第２誘電体膜１６、第１誘
電体板１５に形成した導体１７および永久磁石１８によ
って構成されている。第１誘電体板５、同心環状電極
６、第２誘電体膜１６は第４の発明の実施の形態で示し
たものと同一である。永久磁石１８は直径１５ｍｍ、高
さ１０ｍｍのサマリウム・コバルトであり、この永久磁
石１８を環状電極間に多数配置した。また、同心円の中
心から順次極性を反転させている。さらに第８図に示す
ように、各の永久磁石１８は第１誘電体板５の背面側で
軟鉄の導体１７によって結合されている。その結果、環
状電極間の第２誘電体膜上における磁場強度は、印加高
周波の電子サイクロトロン共鳴条件を満たすようになっ
た。高周波として２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いた
場合、電子サイクロトロン共鳴条件の磁場強度は０．０
８７５Ｔである。また、永久磁石１８は冷却水出入口１
９によって水冷できるようになっている。設置台３はエ
ッチング用高周波電源１１に接続されている。高周波と
しては２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用い、エッチング
用の高周波源の周波数は１３．５６ＭＨｚを用いた。
【００５５】このようなプラズマ装置の性能を評価する
ために電子温度、電子密度の測定を行った。真空槽１内
にアルゴンガスを導入し、ガス圧を０．１Ｐａにした。
マイクロ波電力を２００Ｗ印加した場合、電子密度が２
Ｘ１０11ｃｍ-3、電子温度が約５ｅＶの高密度高励起の
プラズマが一様に形成できた。
ために電子温度、電子密度の測定を行った。真空槽１内
にアルゴンガスを導入し、ガス圧を０．１Ｐａにした。
マイクロ波電力を２００Ｗ印加した場合、電子密度が２
Ｘ１０11ｃｍ-3、電子温度が約５ｅＶの高密度高励起の
プラズマが一様に形成できた。
【００５６】このようなプラズマ装置の真空槽１内の圧
力を１０-5Ｐａ以下にした後、Ｓｉのエッチングガスと
してＣｌ2を用いてエッチングガス供給口１４より導入
し、流量を３０ｓｃｃｍ、圧力を０．１３Ｐａとした。
その後に、マイクロ波とエッチング用高周波の電力をそ
れぞれ３００Ｗ、１００Ｗと印加した。試料１０として
は、ポリシリコンを堆積したＳｉ基板を用い、ポリシリ
コン上にはレジストを塗布した。レジストのパターンと
しては、ラインアンドスペースは０．５μｍ、ライン幅
０．５μｍのものを多数形成した。
力を１０-5Ｐａ以下にした後、Ｓｉのエッチングガスと
してＣｌ2を用いてエッチングガス供給口１４より導入
し、流量を３０ｓｃｃｍ、圧力を０．１３Ｐａとした。
その後に、マイクロ波とエッチング用高周波の電力をそ
れぞれ３００Ｗ、１００Ｗと印加した。試料１０として
は、ポリシリコンを堆積したＳｉ基板を用い、ポリシリ
コン上にはレジストを塗布した。レジストのパターンと
しては、ラインアンドスペースは０．５μｍ、ライン幅
０．５μｍのものを多数形成した。
【００５７】このような条件でプラズマを形成し、試料
上のＳｉを１０ｎｍ／ｍｉｎの高速のエッチング速度で
エッチングすることができた。また、レジストパターン
を忠実に転写することができ、さらに、ノッチは観測さ
れなかった。
上のＳｉを１０ｎｍ／ｍｉｎの高速のエッチング速度で
エッチングすることができた。また、レジストパターン
を忠実に転写することができ、さらに、ノッチは観測さ
れなかった。
【００５８】なお、本発明の実施の形態ではＳｉのエッ
チングガスとしてＣｌ2ガスを用いたが、その他のエッ
チングガスとして、ＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3、ＣＦ3Ｂｒ、
ＨＢｒ等を用いてエッチングすることは本発明のエッチ
ング方法に含まれる。さらに、本発明の実施の形態で
は、ＣＦ3ガスのみを用いてエッチングを行ったが、Ｃ
Ｆ3ガスに酸素ガス、窒素ガスおよび希ガス（ヘリウ
ム、アルゴン、ネオン、クリプトン）を混合してよい。
チングガスとしてＣｌ2ガスを用いたが、その他のエッ
チングガスとして、ＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3、ＣＦ3Ｂｒ、
ＨＢｒ等を用いてエッチングすることは本発明のエッチ
ング方法に含まれる。さらに、本発明の実施の形態で
は、ＣＦ3ガスのみを用いてエッチングを行ったが、Ｃ
Ｆ3ガスに酸素ガス、窒素ガスおよび希ガス（ヘリウ
ム、アルゴン、ネオン、クリプトン）を混合してよい。
【００５９】本発明の実施の形態においてはエッチング
用高周波電源として１３．５６ＭＨｚの高周波を用いた
が、数ＭＨｚから１ＧＨｚまでの周波数領域の高周波で
あればよい。
用高周波電源として１３．５６ＭＨｚの高周波を用いた
が、数ＭＨｚから１ＧＨｚまでの周波数領域の高周波で
あればよい。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように本発明のプラズマ装
置、薄膜形成方法及びエッチング方法は、高周波電力導
入部の電極形状を上記した発明の実施の形態に示される
ような形状とすることにより、高密度、高励起のプラズ
マを均一に発生することができ、かつ大口径化が図れ
る。
置、薄膜形成方法及びエッチング方法は、高周波電力導
入部の電極形状を上記した発明の実施の形態に示される
ような形状とすることにより、高密度、高励起のプラズ
マを均一に発生することができ、かつ大口径化が図れ
る。
【００６１】まず、誘電体板上に３つ以上の同心環状の
電極からなる高周波電力導入部を設けたので、半径方向
に均一なプラズマが形成でき、膜形成及びエッチングを
良好に行うことができる。
電極からなる高周波電力導入部を設けたので、半径方向
に均一なプラズマが形成でき、膜形成及びエッチングを
良好に行うことができる。
【００６２】また、誘電体板上に複数個の円板状電極と
円板状電極と間隔を有し、かつ外周電極からなる高周波
電力導入部を設けたので、誘電体板上のどの点において
も同じ電界強度を発生することができる。すなわち、均
一なプラズマを発生することができ、膜形成及びエッチ
ングを良好に行うことができる。
円板状電極と間隔を有し、かつ外周電極からなる高周波
電力導入部を設けたので、誘電体板上のどの点において
も同じ電界強度を発生することができる。すなわち、均
一なプラズマを発生することができ、膜形成及びエッチ
ングを良好に行うことができる。
【００６３】また、同心環状電極の電極間隔および円板
状電極と外周電極との電極間隔を高周波の波長の半分以
下にすることにより、電極間の電界強度を増大されるこ
とができるので、効率よくプラズマを発生できる。
状電極と外周電極との電極間隔を高周波の波長の半分以
下にすることにより、電極間の電界強度を増大されるこ
とができるので、効率よくプラズマを発生できる。
【００６４】さらに、高周波電力導入部として、第１誘
電体板上に形成した複数個の電極、電極を含む第１誘電
体板上に第１誘電体板の誘電率より大きな第２誘電体、
及び第１誘電体の背面の導体によって構成されることに
よって、効率よく高周波電力を基板側に放射でき、高密
度、高励起のプラズマを発生できる。また、電極上に第
２誘電体があるので、不純物の混入を防ぐことができ
る。
電体板上に形成した複数個の電極、電極を含む第１誘電
体板上に第１誘電体板の誘電率より大きな第２誘電体、
及び第１誘電体の背面の導体によって構成されることに
よって、効率よく高周波電力を基板側に放射でき、高密
度、高励起のプラズマを発生できる。また、電極上に第
２誘電体があるので、不純物の混入を防ぐことができ
る。
【００６５】また、複数個の電極として、同心環状電極
または、円板状電極と円板状電極を囲む外周電極にする
ことによって、均一なプラズマが発生でき、膜形成及び
エッチングを良好に行うことができる。
または、円板状電極と円板状電極を囲む外周電極にする
ことによって、均一なプラズマが発生でき、膜形成及び
エッチングを良好に行うことができる。
【００６６】また、第１誘電体板の背面と導体の間でか
つ電極間の位置に複数個の永久磁石を配置し、さらに磁
石の極性を第１誘電体板の中心から交互に変え、電極間
の位置の磁界強度として印加高周波の周波数で決まる電
子サイクロトロン共鳴条件の強度以上にすることによっ
て、高密度、高励起のプラズマが発生でき、かつ大口径
化を図ることができる。
つ電極間の位置に複数個の永久磁石を配置し、さらに磁
石の極性を第１誘電体板の中心から交互に変え、電極間
の位置の磁界強度として印加高周波の周波数で決まる電
子サイクロトロン共鳴条件の強度以上にすることによっ
て、高密度、高励起のプラズマが発生でき、かつ大口径
化を図ることができる。
【図１】本発明の一発明の実施の形態の薄膜形成装置の
断面図
断面図
【図２】本発明の一発明の実施の形態の薄膜形成装置の
電極付近の拡大平面図
電極付近の拡大平面図
【図３】本発明の一発明の実施の形態のエッチング装置
の断面図
の断面図
【図４】本発明の一発明の実施の形態のエッチング装置
の電極付近の拡大平面図
の電極付近の拡大平面図
【図５】本発明の一発明の実施の形態の薄膜形成装置の
断面図
断面図
【図６】本発明の一発明の実施の形態の薄膜形成装置の
電極付近の拡大平面図
電極付近の拡大平面図
【図７】本発明の一発明の実施の形態のエッチング装置
の断面図
の断面図
【図８】本発明の一発明の実施の形態のエッチング装置
の電極付近の拡大平面図
の電極付近の拡大平面図
【図９】従来例のプラズマ装置の断面図
１ 真空槽 ２ 基板 ３ 設置台 ４ 高周波電力導入部 ５ 誘電体板 ６ 同心環状電極 ７ マイクロ波源 ８ 成膜ガス供給口 ９ 成膜ガス供給口 １０ 試料 １１ エッチング用高周波電源 １２ 円板状電極 １３ 外周電極 １４ エッチングガス供給口 １５ 第１誘電体板 １６ 第２誘電体膜 １７ 導体 １８ 永久磁石 １９ 冷却水出入口 ２０ 放電室 ２１ マイクロ波導波管 ２２ 石英ガラス ２３ 電磁石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｃ (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/302 C23C 16/50 C23F 4/00 H01L 21/205 H01L 21/285 H05H 1/46
Claims (19)
- 【請求項１】真空槽と、前記真空槽内に対向して設置さ
れた基板設置台及び誘電体板と、前記誘電体板上の前記
基板設置台と対向する面に形成された複数個の同心環状
の電極と、前記電極に接続された高周波源とを有するプ
ラズマ装置。 - 【請求項２】真空槽と、前記真空槽内に対向して設置さ
れた基板設置台及び誘電体板と、前記誘電体板上の前記
基板設置台と対向する面に形成された複数個の円板状電
極と、前記誘電体上に形成されるとともに複数個の前記
円板状電極と一定距離離間して前記円板状電極を囲むよ
うに形成された外周電極と、前記円板状電極及び前記外
周電極に接続された高周波源とを有するプラズマ装置。 - 【請求項３】真空槽と、前記真空槽内に対向して設置さ
れた基板設置台及び台１の誘電体板と、前記第１の誘電
体板上の前記基板設置台と対向する面に形成された複数
個の電極と、前記電極の形成された前記第１の誘電体板
上に形成された前記第１誘電体板より大きな誘電率を有
する第２の誘電体板と、前記第１の誘電体の前記電極の
形成されていない面上に形成された導体と、前記電極に
接続された高周波源とを有するプラズマ装置。 - 【請求項４】電極が、同心環状電極または円板状電極な
らびに前記円板状電極と一定距離離間して前記円板状電
極を囲むように形成された外周電極であることを特徴と
する請求項３に記載のプラズマ装置。 - 【請求項５】第１の誘電体板と導体の間でかつ複数個の
電極間の位置に複数個の永久磁石を配置したことを特徴
とする請求項３または４に記載のプラズマ装置。 - 【請求項６】真空槽と、前記真空槽内に対向して設置さ
れた基板設置台及び誘電体板と、前記誘電体板上の前記
基板設置台と対向する面に形成された複数個の同心環状
の電極と、前記電極に接続された高周波源とを有するプ
ラズマ装置を用いた薄膜形成方法であって、前記電極か
らなる高周波電力導入部から高周波電力を放射して前記
真空槽内にプラズマ領域を形成する工程と、前記真空槽
内に成膜用ガスを導入するとともに前記プラズマ領域内
で前記成膜用ガスを励起またはイオン化し、前記励起ま
たはイオン化された粒子を前記基板設置台上に設置され
た基板上に堆積させる工程とを有することを特徴とする
薄膜形成方法。 - 【請求項７】同心環状電極の電極間隔を印加される高周
波の波長の半分以下にしたことを特徴とする請求項６に
記載の薄膜形成方法。 - 【請求項８】真空槽と、前記真空槽内に対向して設置さ
れた基板設置台及び誘電体板と、前記誘電体板上の前記
基板設置台と対向する面に形成された複数個の円板状電
極と、前記誘電体上に形成されるとともに複数個の前記
円板状電極と一定距離離間して前記円板状電極を囲むよ
うに形成された外周電極と、前記円板状電極及び前記外
周電極に接続された高周波源とを有するプラズマ装置を
用いた薄膜形成方法であって、前記円板状電極及び前記
外周電極からなる高周波電力導入部から高周波電力を放
射して前記真空槽内にプラズマ領域を形成する工程と、
前記真空槽内に成膜用ガスを導入するとともに前記プラ
ズマ領域内で前記成膜用ガスを励起またはイオン化し、
前記励起またはイオン化された粒子を前記基板設置台上
に設置された基板上に堆積させる工程とを有することを
特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項９】円板状電極と外周電極との電極間隔を印加
される高周波の波長の半分以下にしたことを特徴とする
請求項８に記載の薄膜形成方法。 - 【請求項１０】真空槽と、前記真空槽内に対向して設置
された基板設置台及び台１の誘電体板と、前記第１の誘
電体板上の前記基板設置台と対向する面に形成された複
数個の電極と、前記電極の形成された前記第１の誘電体
板上に形成された前記第１誘電体板より大きな誘電率を
有する第２の誘電体板と、前記第１の誘電体の前記電極
の形成されていない面上に形成された導体と、前記電極
に接続された高周波源とを有するプラズマ装置を用いた
薄膜形成方法であって、前記電極からなる高周波電力導
入部から高周波電力を放射して前記真空槽内にプラズマ
領域を形成する工程と、前記真空槽内に成膜用ガスを導
入するとともに前記プラズマ領域内で前記成膜用ガスを
励起またはイオン化し、前記励起またはイオン化された
粒子を前記基板設置台上に設置された基板上に堆積させ
る工程とを有することを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項１１】電極が、同心環状電極または円板状電極
ならびに前記円板状電極と一定距離離間して前記円板状
電極を囲むように形成された外周電極であることを特徴
とする請求項１０に記載の薄膜形成方法。 - 【請求項１２】電極が同心環状電極であり、第１の誘電
体板と導体の間でかつ複数個の電極間の位置に複数個の
永久磁石を配置し、さらに前記磁石の極性を前記第１誘
電体板の中心から交互に変え、前記電極間の位置の磁界
強度として印加される高周波の周波数で決まる電子サイ
クロトロン共鳴条件以上の強度にしたことを特徴とする
請求項１０に記載の薄膜形成方法。 - 【請求項１３】真空槽と、前記真空槽内に対向して設置
された基板設置台及び誘電体板と、前記誘電体板上の前
記基板設置台と対向する面に形成された複数個の同心環
状の電極と、前記電極に接続された高周波源とを有する
プラズマ装置を用いたエッチング方法であって、前記電
極からなる高周波電力導入部から高周波電力を放射して
前記真空槽内にプラズマ領域を形成する工程と、前記真
空槽内にエッチング用ガスを導入するとともに前記プラ
ズマ領域内で前記エッチング用ガスを励起またはイオン
化し、前記励起またはイオン化された粒子を前記基板設
置台上に設置された基板上に照射させる工程とを有する
ことを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項１４】同心環状電極の電極間隔を印加される高
周波の波長の半分以下にしたことを特徴とする請求項１
３に記載のエッチング方法。 - 【請求項１５】真空槽と、前記真空槽内に対向して設置
された基板設置台及び誘電体板と、前記誘電体板上の前
記基板設置台と対向する面に形成された複数個の円板状
電極と、前記誘電体上に形成されるとともに複数個の前
記円板状電極と一定距離離間して前記円板状電極を囲む
ように形成された外周電極と、前記円板状電極及び前記
外周電極に接続された高周波源とを有するプラズマ装置
を用いたエッチング方法であって、前記円板状電極及び
前記外周電極からなる高周波電力導入部から高周波電力
を放射して前記真空槽内にプラズマ領域を形成する工程
と、前記真空槽内にエッチング用ガスを導入するととも
に前記プラズマ領域内で前記エッチング用ガスを励起ま
たはイオン化し、前記励起またはイオン化された粒子を
前記基板設置台上に設置された基板上に照射させる工程
とを有することを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項１６】円板状電極と外周電極との電極間隔を印
加される高周波の波長の半分以下にしたことを特徴とす
る請求項１５に記載のエッチング方法。 - 【請求項１７】真空槽と、前記真空槽内に対向して設置
された基板設置台及び台１の誘電体板と、前記第１の誘
電体板上の前記基板設置台と対向する面に形成された複
数個の電極と、前記電極の形成された前記第１の誘電体
板上に形成された前記第１誘電体板より大きな誘電率を
有する第２の誘電体板と、前記第１の誘電体の前記電極
の形成されていない面上に形成された導体と、前記電極
に接続された高周波源とを有するプラズマ装置を用いた
エッチング方法であって、前記電極からなる高周波電力
導入部から高周波電力を放射して前記真空槽内にプラズ
マ領域を形成する工程と、前記真空槽内にエッチング用
ガスを導入するとともに前記プラズマ領域内で前記エッ
チング用ガスを励起またはイオン化し、前記励起または
イオン化された粒子を前記基板設置台上に設置された基
板上に照射させる工程とを有することを特徴とするエッ
チング方法。 - 【請求項１８】電極が、同心環状電極または円板状電極
ならびに前記円板状電極と一定距離離間して前記円板状
電極を囲むように形成された外周電極であることを特徴
とする請求項１７に記載のエッチング方法。 - 【請求項１９】電極が同心環状電極であり、第１の誘電
体板と導体の間でかつ複数個の電極間の位置に複数個の
永久磁石を配置し、さらに前記磁石の極性を前記第１誘
電体板の中心から交互に変え、前記電極間の位置の磁界
強度として印加される高周波の周波数で決まる電子サイ
クロトロン共鳴条件以上の強度にしたことを特徴とする
請求項１７に記載のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7336474A JP2996162B2 (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | プラズマ装置、薄膜形成方法及びエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7336474A JP2996162B2 (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | プラズマ装置、薄膜形成方法及びエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181048A JPH09181048A (ja) | 1997-07-11 |
| JP2996162B2 true JP2996162B2 (ja) | 1999-12-27 |
Family
ID=18299516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7336474A Expired - Fee Related JP2996162B2 (ja) | 1995-12-25 | 1995-12-25 | プラズマ装置、薄膜形成方法及びエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2996162B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3668079B2 (ja) | 1999-05-31 | 2005-07-06 | 忠弘 大見 | プラズマプロセス装置 |
| JP2003282434A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-03 | Ngk Insulators Ltd | ＺｎＯ系エピタキシャル成長基板、ＺｎＯ系エピタキシャル下地基板、及びＺｎＯ系膜の製造方法 |
| CN100577866C (zh) * | 2007-02-27 | 2010-01-06 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 应用于等离子体反应室中的气体喷头组件、其制造方法及其翻新再利用的方法 |
| KR101587054B1 (ko) * | 2009-11-23 | 2016-01-21 | 주성엔지니어링(주) | 기판처리장치 |
-
1995
- 1995-12-25 JP JP7336474A patent/JP2996162B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09181048A (ja) | 1997-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6497783B1 (en) | Plasma processing apparatus provided with microwave applicator having annular waveguide and processing method | |
| US6870123B2 (en) | Microwave applicator, plasma processing apparatus having same, and plasma processing method | |
| JP2925535B2 (ja) | 環状導波路を有するマイクロ波供給器及びそれを備えたプラズマ処理装置及び処理方法 | |
| US7125588B2 (en) | Pulsed plasma CVD method for forming a film | |
| US20010048981A1 (en) | Method of processing substrate | |
| US20060156984A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JPH0544041A (ja) | 被膜形成装置及び被膜形成方法 | |
| JP2996162B2 (ja) | プラズマ装置、薄膜形成方法及びエッチング方法 | |
| US5366586A (en) | Plasma formation using electron cyclotron resonance and method for processing substrate by using the same | |
| US20010017190A1 (en) | Apparatus of processing a sample surface and method thereof | |
| JP3075581B2 (ja) | 窒化物系化合物半導体膜の成長装置 | |
| JP4478352B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びに構造体の製造方法 | |
| JPH09312271A (ja) | プラズマ装置、薄膜形成方法及びエッチング方法 | |
| JP2662219B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3530788B2 (ja) | マイクロ波供給器及びプラズマ処理装置並びに処理方法 | |
| JP3093718B2 (ja) | マイクロ波導入装置及び表面処理方法 | |
| EP0997927A2 (en) | Microwave applicator with annular waveguide, plasma processing apparatus having the same, and plasma processing method | |
| JPH0790591A (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ装置及び堆積膜形成方法 | |
| JPH09263948A (ja) | プラズマを用いた薄膜形成方法、薄膜製造装置、エッチング方法、及びエッチング装置 | |
| JPH11329792A (ja) | マイクロ波供給器 | |
| JP3887605B2 (ja) | スパッタリング方法及びスパッタリング装置 | |
| JPH11193466A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JPH0331480A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH01104777A (ja) | 堆積膜の形成方法 | |
| JP2000138171A (ja) | 円弧状スロット付無終端環状導波管、及びそれを用いたプラズマ処理装置及び処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |