JPH01223429A - アクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01223429A JPH01223429A JP63050455A JP5045588A JPH01223429A JP H01223429 A JPH01223429 A JP H01223429A JP 63050455 A JP63050455 A JP 63050455A JP 5045588 A JP5045588 A JP 5045588A JP H01223429 A JPH01223429 A JP H01223429A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- crystal display
- display device
- resist pattern
- resist
- Prior art date
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- Pending
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
〈従来技術〉
従来より液晶を用いた表示装置として種々の方式が提案
、開発されている。その中で、能動素子を用いる方式は
、マドｖクス配置された複数の画素を駆動させる液晶表
示装置においてよく使用されており、多くの走査ライン
数での高コントラスト表示を実現するとで不可欠なもの
となっている。
、開発されている。その中で、能動素子を用いる方式は
、マドｖクス配置された複数の画素を駆動させる液晶表
示装置においてよく使用されており、多くの走査ライン
数での高コントラスト表示を実現するとで不可欠なもの
となっている。
ｖＪ２図は上記アクティブ々トリクス方式を用いた液晶
表示装置の要部断面図である。同図の如く、能動素子基
板２の一生面上には画素電極３．バスライン５．及び能
動素子４が配置され、配向膜６゜液晶層７．及び配向膜
６を介して前記能動素子基板２主面と向い合う対向基板
ｌｌ主面上にはカラーフィルタ８．ブラックマトリクス
９．及び対向電極１０が配置されてなる。また能動素子
基板２の裏面及び対向基板１１の裏面には夫々偏光板１
゜１２が設けられ、透過光の変調を行なう。
表示装置の要部断面図である。同図の如く、能動素子基
板２の一生面上には画素電極３．バスライン５．及び能
動素子４が配置され、配向膜６゜液晶層７．及び配向膜
６を介して前記能動素子基板２主面と向い合う対向基板
ｌｌ主面上にはカラーフィルタ８．ブラックマトリクス
９．及び対向電極１０が配置されてなる。また能動素子
基板２の裏面及び対向基板１１の裏面には夫々偏光板１
゜１２が設けられ、透過光の変調を行なう。
尚、上述の配置や対向関係には任意性があり、これまで
にも種々の組合せで実現した液晶表示装置が多数報告さ
れている。
にも種々の組合せで実現した液晶表示装置が多数報告さ
れている。
このような液晶表示装置では、その製造工程のうち、能
動素子基板２主面上に能動素子４．バスライン５．及び
画素電極３を作製する工程において、ホトリングラフィ
技術によって所望レジストパターンを構成する方法が採
られている。具体的には為例えば第３図（ａ）Ｋ、示す
ように、先ず基板２０上全面にパターニングしたい薄膜
２１．及びホトレジスト２２を順次形成した後、第３図
（ｂ）の如く、前記ホトレジスト２２上部に所望パター
ンを有するホトマスク２３を配置し、該ホトマスク２３
上からホトレジスト２２に光を照射してホトレジスト２
２を選択的に露光する。続いて露光されたホトレジスト
２２を現像すると、第３図（Ｃ）の如く、レジストパタ
ーン２２ａが完成される。
動素子基板２主面上に能動素子４．バスライン５．及び
画素電極３を作製する工程において、ホトリングラフィ
技術によって所望レジストパターンを構成する方法が採
られている。具体的には為例えば第３図（ａ）Ｋ、示す
ように、先ず基板２０上全面にパターニングしたい薄膜
２１．及びホトレジスト２２を順次形成した後、第３図
（ｂ）の如く、前記ホトレジスト２２上部に所望パター
ンを有するホトマスク２３を配置し、該ホトマスク２３
上からホトレジスト２２に光を照射してホトレジスト２
２を選択的に露光する。続いて露光されたホトレジスト
２２を現像すると、第３図（Ｃ）の如く、レジストパタ
ーン２２ａが完成される。
〈発明が解決しようとする課題〉
上記従来技術ではレジストパターンの形成のみに関して
、ホトレジスト塗布、露光、現像と三工程が費されてお
り、アクティブマトリクス型液晶表示装置の製造コスト
の減少を妨げるという問題がある。
、ホトレジスト塗布、露光、現像と三工程が費されてお
り、アクティブマトリクス型液晶表示装置の製造コスト
の減少を妨げるという問題がある。
〈課題を解決するための手段〉
本発明は上述する課題を解決するためになされたもので
、電圧の印加、非印加に応答して偏光面の回転、非回転
を制御する液晶表示装置であって、バスラインを通して
伝達された外部信号が能動素子を介して複数個の画素を
マトリクス駆動させるアクティブマトリクス型液晶表示
装置において、上記能動素子とバスライン形成用レジス
トパターンはその全て又は一部分がスクリーン印刷にて
形成されてなるアクティブマトリクス型液晶表示装置の
製造方法を提供するものである。
、電圧の印加、非印加に応答して偏光面の回転、非回転
を制御する液晶表示装置であって、バスラインを通して
伝達された外部信号が能動素子を介して複数個の画素を
マトリクス駆動させるアクティブマトリクス型液晶表示
装置において、上記能動素子とバスライン形成用レジス
トパターンはその全て又は一部分がスクリーン印刷にて
形成されてなるアクティブマトリクス型液晶表示装置の
製造方法を提供するものである。
く作 用〉
上述の如く、能動素子及びバスライン形成用レジストパ
ターンをスクリーン印刷にて形成することにより、従来
のホトリソグラフィ技術を用いてレジストパターンを形
成する際に比べて工程数が大幅に減少する。
ターンをスクリーン印刷にて形成することにより、従来
のホトリソグラフィ技術を用いてレジストパターンを形
成する際に比べて工程数が大幅に減少する。
〈実施例〉
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳述するが、本発
明はこれに限定されるものではない。
明はこれに限定されるものではない。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例を説明するた
めの要部断面図である。先ず、第１図（ａ）の如く基板
１３上全面に薄膜１４を形成した後、第１図（ｂ）の如
く前記薄膜１４上にスクリーンメツシュ１５を配置し、
該スクリーンメツシュ１５上の耐強酸性エツチングレジ
ストインク等のレジスト１７をスキージ１６により薄膜
１４土に押し出すと、第１図（Ｃ）の如くスクリーンメ
ツシュ１５により選択的にレジスト１７が押し出されて
薄膜１４上にレジストパターン１８が形成される。
めの要部断面図である。先ず、第１図（ａ）の如く基板
１３上全面に薄膜１４を形成した後、第１図（ｂ）の如
く前記薄膜１４上にスクリーンメツシュ１５を配置し、
該スクリーンメツシュ１５上の耐強酸性エツチングレジ
ストインク等のレジスト１７をスキージ１６により薄膜
１４土に押し出すと、第１図（Ｃ）の如くスクリーンメ
ツシュ１５により選択的にレジスト１７が押し出されて
薄膜１４上にレジストパターン１８が形成される。
上述の如く、レジストパターンをスクリーン印刷で形成
することにより、従来のホトリソグラフィ技術で形成す
る際要した塗布、露光、現像の三工程を一工程に減少さ
せることが可能となる。また、このレジストパターン形
成工程以外の工程はホトリソグラフィ技術使用時と全く
同じであり、新しく別の工程を導入したり、工程の変更
を伴うものではない。
することにより、従来のホトリソグラフィ技術で形成す
る際要した塗布、露光、現像の三工程を一工程に減少さ
せることが可能となる。また、このレジストパターン形
成工程以外の工程はホトリソグラフィ技術使用時と全く
同じであり、新しく別の工程を導入したり、工程の変更
を伴うものではない。
尚、本発明のスクリーン印刷法において、ステンレス５
００メツシユ、或いは一体成型平型メッシュ等のスクリ
ーンメツシュを用いることにより、解像度が５０μｍ９
重ね合せ精度が±１０μｍ程度となり、約３００１１ｍ
以上の画素ピッチをもつアクティブマトリクス型液晶表
示装置には充分適用可能である。
００メツシユ、或いは一体成型平型メッシュ等のスクリ
ーンメツシュを用いることにより、解像度が５０μｍ９
重ね合せ精度が±１０μｍ程度となり、約３００１１ｍ
以上の画素ピッチをもつアクティブマトリクス型液晶表
示装置には充分適用可能である。
〈発明の効果〉
本発明によりアクティブマトリクス型液晶表示装置の製
造工程を短縮できるため、前記液晶表示装置のコストを
大巾に削減することが可能となる。
造工程を短縮できるため、前記液晶表示装置のコストを
大巾に削減することが可能となる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例を説明するた
めの断面図、第２図はアクティブマトリクス型液晶表示
装置の要部断面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は従来例を説
明するための断面図である。 １．１２偏光板 ２能動素子基板 ８画素電極４能動素
子 ５バスライン ６配向膜 ７液晶層８カラーフィル
タ ９ブラツクマトリクス １０対向電極 １１対向基
板 １８基板 １４薄膜１５スクリーンメ゛ツシユ １
６ス’ｔ−シ１７Ｌ／シスト １８レジストパターン
めの断面図、第２図はアクティブマトリクス型液晶表示
装置の要部断面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は従来例を説
明するための断面図である。 １．１２偏光板 ２能動素子基板 ８画素電極４能動素
子 ５バスライン ６配向膜 ７液晶層８カラーフィル
タ ９ブラツクマトリクス １０対向電極 １１対向基
板 １８基板 １４薄膜１５スクリーンメ゛ツシユ １
６ス’ｔ−シ１７Ｌ／シスト １８レジストパターン
Claims (1)
- １、電圧の印加、非印加に応答して偏光面の回転、非回
転を制御する液晶表示装置であって、バスラインを通し
て伝達された外部信号が能動素子を介して複数個の画素
をマトリクス駆動させるアクティブマトリクス型液晶表
示装置において、上記能動素子とバスライン形成用レジ
ストパターンはその全て又は一部分がスクリーン印刷に
て形成されてなることを特徴とするアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63050455A JPH01223429A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | アクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63050455A JPH01223429A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | アクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01223429A true JPH01223429A (ja) | 1989-09-06 |
Family
ID=12859340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63050455A Pending JPH01223429A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | アクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01223429A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03167335A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-19 | Kanebo Ltd | 空気仮撚法によるレーヨン結束紡績糸及びレーヨン／羊毛結束紡績糸 |
| DE19649761C2 (de) * | 1996-11-30 | 2003-04-03 | Univ Stuttgart | Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristall-Displays auf Kunststoff-Folien unter Verwendung von bistabilen Flüssigkristallen |
| US6686229B2 (en) | 2001-03-02 | 2004-02-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thin film transistors and method of manufacture |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54103694A (en) * | 1978-02-01 | 1979-08-15 | Seiko Epson Corp | Production of transparent conductive film patterns of liquid crystal panel |
-
1988
- 1988-03-02 JP JP63050455A patent/JPH01223429A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54103694A (en) * | 1978-02-01 | 1979-08-15 | Seiko Epson Corp | Production of transparent conductive film patterns of liquid crystal panel |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03167335A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-19 | Kanebo Ltd | 空気仮撚法によるレーヨン結束紡績糸及びレーヨン／羊毛結束紡績糸 |
| DE19649761C2 (de) * | 1996-11-30 | 2003-04-03 | Univ Stuttgart | Verfahren zur Herstellung von Flüssigkristall-Displays auf Kunststoff-Folien unter Verwendung von bistabilen Flüssigkristallen |
| US6686229B2 (en) | 2001-03-02 | 2004-02-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thin film transistors and method of manufacture |
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