JP3141634B2 - 半導体装置の製造方法及び樹脂封止用金型 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び樹脂封止用金型Info
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- JP3141634B2 JP3141634B2 JP05192542A JP19254293A JP3141634B2 JP 3141634 B2 JP3141634 B2 JP 3141634B2 JP 05192542 A JP05192542 A JP 05192542A JP 19254293 A JP19254293 A JP 19254293A JP 3141634 B2 JP3141634 B2 JP 3141634B2
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の収納容器
の構造に関し、更に詳しくは、ＴＡＢ方式の形態を取る
半導体素子の封止構造に関する。
の構造に関し、更に詳しくは、ＴＡＢ方式の形態を取る
半導体素子の封止構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の、ＴＡＢ方式の実装形態（以下、
「ＴＣＰ」と呼ぶ。）を取った半導体素子の封止構造
（以下、「パッケージ」と呼ぶ。）の断面図を図３に示
す。
「ＴＣＰ」と呼ぶ。）を取った半導体素子の封止構造
（以下、「パッケージ」と呼ぶ。）の断面図を図３に示
す。
【０００３】図３において、ポリイミド等から成るキャ
リアテープ５の表面に銅等の導電性のある材料により回
路パターンを形成し、「ＴＡＢテープ」と呼ばれる回路
基板を構成する。このＴＡＢテープの回路パターンと外
部回路とを接続する部分６をアウターリードと呼称し、
ＴＡＢテープの回路パターンと半導体素子とを接続する
部分４をインナーリードと呼称する。半導体素子１は、
外部回路との電気的及び機械的接合性を向上させるため
の金等からなるバンプ３を介してＴＡＢテープのインナ
ーリード４に、ギャングボンディングと呼ばれる熱圧着
で他のインナーリードとともに一括して電気的及び機械
的に接合することでＴＣＰとなる。この後、接続部及び
半導体素子の保護のために、アウターリードを残して樹
脂等からなるモールド封止材２でトランスファーモール
ドにより封止することでパッケージとなる。この場合、
保護する必要のある半導体素子の回路構成面（以下、
「能動面」と呼ぶ。）及びＴＡＢテープのインナーリー
ドとの電気的接合部以外の部分については必要以上の封
止樹脂が存在することになる。
リアテープ５の表面に銅等の導電性のある材料により回
路パターンを形成し、「ＴＡＢテープ」と呼ばれる回路
基板を構成する。このＴＡＢテープの回路パターンと外
部回路とを接続する部分６をアウターリードと呼称し、
ＴＡＢテープの回路パターンと半導体素子とを接続する
部分４をインナーリードと呼称する。半導体素子１は、
外部回路との電気的及び機械的接合性を向上させるため
の金等からなるバンプ３を介してＴＡＢテープのインナ
ーリード４に、ギャングボンディングと呼ばれる熱圧着
で他のインナーリードとともに一括して電気的及び機械
的に接合することでＴＣＰとなる。この後、接続部及び
半導体素子の保護のために、アウターリードを残して樹
脂等からなるモールド封止材２でトランスファーモール
ドにより封止することでパッケージとなる。この場合、
保護する必要のある半導体素子の回路構成面（以下、
「能動面」と呼ぶ。）及びＴＡＢテープのインナーリー
ドとの電気的接合部以外の部分については必要以上の封
止樹脂が存在することになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、使用する機器
に対する軽薄短小への要求から半導体素子は高集積化が
進み半導体素子の外形は大きくなり、パッケージの外形
も従来に比べ大きくなる一方である。従って、外形の大
きい半導体素子を従来のようにパッケージにすると、半
導体素子の厚みだけは従来と同じであるため、封止に使
用するモールド樹脂の量が多くなることから、部品とし
てのパッケージの重量が半導体素子の大きさに比例して
重くなるという問題点を有することとなった。また、紫
外線消去書換え可能読みだし専用メモリー（以下、「Ｕ
ＶＥＰＲＯＭ」と呼ぶ）や電荷結合素子（以下、「ＣＣ
Ｄ」と呼ぶ。）等の半導体素子の回路構成面、あるいは
光半導体素子の光学的接合部をモールド封止することが
できない半導体素子についてはＴＣＰにした場合、トラ
ンスファーモールドによるパッケージ化が困難であると
いう問題点も有することとなった。
に対する軽薄短小への要求から半導体素子は高集積化が
進み半導体素子の外形は大きくなり、パッケージの外形
も従来に比べ大きくなる一方である。従って、外形の大
きい半導体素子を従来のようにパッケージにすると、半
導体素子の厚みだけは従来と同じであるため、封止に使
用するモールド樹脂の量が多くなることから、部品とし
てのパッケージの重量が半導体素子の大きさに比例して
重くなるという問題点を有することとなった。また、紫
外線消去書換え可能読みだし専用メモリー（以下、「Ｕ
ＶＥＰＲＯＭ」と呼ぶ）や電荷結合素子（以下、「ＣＣ
Ｄ」と呼ぶ。）等の半導体素子の回路構成面、あるいは
光半導体素子の光学的接合部をモールド封止することが
できない半導体素子についてはＴＣＰにした場合、トラ
ンスファーモールドによるパッケージ化が困難であると
いう問題点も有することとなった。
【０００５】本発明の目的は、ＴＣＰを樹脂から成るモ
ールド封止材を使用したトランスファーモールドより封
止した場合のパッケージの重量を、従来に比べ低減する
こと、また、ＵＶＥＰＲＯＭ、ＣＣＤ等の半導体素子の
能動面がモールド封止できない半導体素子をＴＣＰにし
た場合にトランスファーモールドによりパッケージ化を
可能にすることにある。
ールド封止材を使用したトランスファーモールドより封
止した場合のパッケージの重量を、従来に比べ低減する
こと、また、ＵＶＥＰＲＯＭ、ＣＣＤ等の半導体素子の
能動面がモールド封止できない半導体素子をＴＣＰにし
た場合にトランスファーモールドによりパッケージ化を
可能にすることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため下記の手段をとる。
するため下記の手段をとる。
【０００７】
【０００８】本発明に関わる他の半導体装置の製造方法
は、半導体素子の電極とインナーリードとを前記電極上
のバンプを介して接続する工程と、前記半導体素子の前
記電極が形成された面において、非樹脂形成領域とすべ
き個所に樹脂封止後に除去可能な部材を配置する工程
と、前記除去可能な部材が配置された状態で前記半導体
素子の能動面のみをトランスファーモールドにより樹脂
封止する工程と、前記樹脂封止する工程の後に前記除去
可能な部材を取り除く工程と、を有することを特徴とす
る。また上記方法に加えて、前記除去可能な部材には光
透過樹脂を用いて、前記除去可能な部材を配置する工程
では、前記光透過樹脂を紫外線硬化型の接着部材で前記
非樹脂形成領域とすべき個所に貼り付けを行い、前記取
り除く工程では、前記接着部材に対して紫外線を照射
し、その後に前記光透過樹脂を取り除くことを特徴とす
る。また更に前記除去可能な部材には、耐熱性のある樹
脂が用いられることを特徴とする。また更に前記除去可
能な部材には、シリコーン樹脂が用いられることを特徴
とする。また、本発明の樹脂封止金型は、半導体素子を
封止するための樹脂封止金型であって、前記金型のキャ
ビティが封止するべく半導体素子の側面から10μm以下
の間隙になるように前記キャビティ側面が形成されたも
のからなることを特徴とする。
は、半導体素子の電極とインナーリードとを前記電極上
のバンプを介して接続する工程と、前記半導体素子の前
記電極が形成された面において、非樹脂形成領域とすべ
き個所に樹脂封止後に除去可能な部材を配置する工程
と、前記除去可能な部材が配置された状態で前記半導体
素子の能動面のみをトランスファーモールドにより樹脂
封止する工程と、前記樹脂封止する工程の後に前記除去
可能な部材を取り除く工程と、を有することを特徴とす
る。また上記方法に加えて、前記除去可能な部材には光
透過樹脂を用いて、前記除去可能な部材を配置する工程
では、前記光透過樹脂を紫外線硬化型の接着部材で前記
非樹脂形成領域とすべき個所に貼り付けを行い、前記取
り除く工程では、前記接着部材に対して紫外線を照射
し、その後に前記光透過樹脂を取り除くことを特徴とす
る。また更に前記除去可能な部材には、耐熱性のある樹
脂が用いられることを特徴とする。また更に前記除去可
能な部材には、シリコーン樹脂が用いられることを特徴
とする。また、本発明の樹脂封止金型は、半導体素子を
封止するための樹脂封止金型であって、前記金型のキャ
ビティが封止するべく半導体素子の側面から10μm以下
の間隙になるように前記キャビティ側面が形成されたも
のからなることを特徴とする。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１、図２、図４、
図５及び図６により説明する。（手段１）に基づきＴＣ
Ｐに本発明を実施した例の断面図を図１に示す。図１に
示すように、ＴＡＢテープのインナーリード４と半導体
素子２を例えばギャングボンディングによりバンプ３を
介して接合し、ＴＣＰにする。次に、半導体素子とＴＡ
Ｂのインナーリードの接合部、並びに半導体素子の能動
面のみをトランスファーモールドにより樹脂封止する。
トランスファーモールドでは、図６に示す様に上下或い
は左右に分割可能なモールド金型９の分割面に、樹脂を
注入することで形成するキャビティー１０と呼ばれる空
洞が設けられており、このキャビティーに封止しようと
するＴＡＢに接続された半導体素子２を挟み込み、金型
を閉じキャビティーに樹脂を注入し硬化させパッケージ
を形成している。本発明のよれば、半導体素子の樹脂に
より封止する部分を、図１に示すように半導体素子の回
路構成面を平面とした場合の外周部分より外側へはみ出
すことがないようにするため、モールド金型９上のキャ
ビティー１０の構造において、キャビティー１０と半導
体素子２の両者の側面の境界を、封止樹脂が入り込まな
い１０μｍ以下程度の間隔になるようキャビティーの側
面部分を製作し、このキャビティーに半導体素子をはめ
込み樹脂成形することで、図１に示すようにＴＡＢテー
プと半導体素子の接続部並びに半導体素子の能動面だけ
を樹脂封止する事ができる。
図５及び図６により説明する。（手段１）に基づきＴＣ
Ｐに本発明を実施した例の断面図を図１に示す。図１に
示すように、ＴＡＢテープのインナーリード４と半導体
素子２を例えばギャングボンディングによりバンプ３を
介して接合し、ＴＣＰにする。次に、半導体素子とＴＡ
Ｂのインナーリードの接合部、並びに半導体素子の能動
面のみをトランスファーモールドにより樹脂封止する。
トランスファーモールドでは、図６に示す様に上下或い
は左右に分割可能なモールド金型９の分割面に、樹脂を
注入することで形成するキャビティー１０と呼ばれる空
洞が設けられており、このキャビティーに封止しようと
するＴＡＢに接続された半導体素子２を挟み込み、金型
を閉じキャビティーに樹脂を注入し硬化させパッケージ
を形成している。本発明のよれば、半導体素子の樹脂に
より封止する部分を、図１に示すように半導体素子の回
路構成面を平面とした場合の外周部分より外側へはみ出
すことがないようにするため、モールド金型９上のキャ
ビティー１０の構造において、キャビティー１０と半導
体素子２の両者の側面の境界を、封止樹脂が入り込まな
い１０μｍ以下程度の間隔になるようキャビティーの側
面部分を製作し、このキャビティーに半導体素子をはめ
込み樹脂成形することで、図１に示すようにＴＡＢテー
プと半導体素子の接続部並びに半導体素子の能動面だけ
を樹脂封止する事ができる。
【００１０】また、（手段２）による本発明の一実施例
を図２、図４及び図５を用いて説明する。図２は本発明
の実施例の断面図で、図４及び図５は図２に示す本発明
の実施例の製造方法の一例を示す図である。
を図２、図４及び図５を用いて説明する。図２は本発明
の実施例の断面図で、図４及び図５は図２に示す本発明
の実施例の製造方法の一例を示す図である。
【００１１】図４に示すように、半導体素子１とＴＡＢ
テープのインナーリード４とのバンプ３を介して接合を
行いＴＣＰにした後、半導体素子の回路構成面で露光等
のために開口部としたい部分に、例えば耐熱性のある透
明なシリコーン等の樹脂７を、半導体素子の回路構成面
を平面とした場合の、樹脂により封止しようとする断面
に於ける厚さと等しくなるように板状にして、例えば紫
外線硬化型の接着剤８で接着する。この後、手段１と同
じくトランスファーモールドにより樹脂封止する。図５
に示すような成形後のパッケージの接着材８に紫外線を
照射する事で接着材の粘着力を低下させ、板状の樹脂７
は剥離する。以上の方法で図２に示すようなパッケージ
が完成する。
テープのインナーリード４とのバンプ３を介して接合を
行いＴＣＰにした後、半導体素子の回路構成面で露光等
のために開口部としたい部分に、例えば耐熱性のある透
明なシリコーン等の樹脂７を、半導体素子の回路構成面
を平面とした場合の、樹脂により封止しようとする断面
に於ける厚さと等しくなるように板状にして、例えば紫
外線硬化型の接着剤８で接着する。この後、手段１と同
じくトランスファーモールドにより樹脂封止する。図５
に示すような成形後のパッケージの接着材８に紫外線を
照射する事で接着材の粘着力を低下させ、板状の樹脂７
は剥離する。以上の方法で図２に示すようなパッケージ
が完成する。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、従来のＴＣＰと比較し
て、封止樹脂２の占有する体積が、従来の例を示す図３
の封止樹脂２の体積に比べ２０％程度まで抑えることが
でき、ＴＣＰの軽量化及び小型化を実現することが可能
となる。また、従来トランスファーモールドＴＣＰ化が
困難であったＵＶＥＰＲＯＭやＣＣＤ、光半導体素子等
の受光、発光を機能に持つ素子をＴＣＰ化する事がで
き、かつ、半導体素子と封止樹脂の線膨張率の違いによ
るパッケージの反りが発生しないという効果がある。ま
た、従来の製造工程と比較して、トランスファーモール
ド工程に於いて使用するモールド金型の形状が異なるだ
けで、本発明を実施する上での生産工程への影響が非常
に少ないという効果がある。
て、封止樹脂２の占有する体積が、従来の例を示す図３
の封止樹脂２の体積に比べ２０％程度まで抑えることが
でき、ＴＣＰの軽量化及び小型化を実現することが可能
となる。また、従来トランスファーモールドＴＣＰ化が
困難であったＵＶＥＰＲＯＭやＣＣＤ、光半導体素子等
の受光、発光を機能に持つ素子をＴＣＰ化する事がで
き、かつ、半導体素子と封止樹脂の線膨張率の違いによ
るパッケージの反りが発生しないという効果がある。ま
た、従来の製造工程と比較して、トランスファーモール
ド工程に於いて使用するモールド金型の形状が異なるだ
けで、本発明を実施する上での生産工程への影響が非常
に少ないという効果がある。
【図１】本発明の手段１に基づく一実施例の断面図。
【図２】本発明の手段２に基づく一実施例の断面図。
【図３】従来のＴＣＰの断面図。
【図４】本発明の手段２に基づく一実施例の形成過程を
示す断面図。
示す断面図。
【図５】本発明の手段２に基づく一実施例の形成過程を
示す断面図。
示す断面図。
【図６】本発明の手段１に基づく一実施例の形成過程を
示す断面図。
示す断面図。
１ 半導体素子 ２ 封止樹脂 ３ バンプ ４ インナーリード ５ キャリアテープ ６ アウターリード ７ 耐熱性のある樹脂 ８ 紫外線硬化型の接着剤 ９ モールド金型 １０ キャビティー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/56,23/28,21/60
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子の電極とインナリードとを前
記電極上のバンプを介して接続する工程と、 前記半導体素子の前記電極が形成された面において、非
樹脂形成領域とすべき個所に樹脂封止後に除去可能な部
材を配置する工程と、 前記除去可能な部材が配置された状態で前記半導体素子
の能動面のみをトランスファーモールドにより樹脂封止
する工程と、 前記樹脂封止する工程の後に前記除去可能な部材を取り
除く工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記除去可能な部材には光透過樹脂を用
いて、 前記除去可能な部材を配置する工程では、前記光透過樹
脂を紫外線硬化型の接着部材で前記非樹脂形成領域とす
べき個所に貼り付けを行い、 前記取り除く工程では、前記接着部材に対して紫外線を
照射し、その後に前記光透過樹脂を取り除くことを特徴
とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記除去可能な部材には、耐熱性のある
樹脂が用いられることを特徴とする請求項２記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記除去可能な部材には、シリコーン樹
脂が用いられることを特徴とする請求項３記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項５】 半導体素子を封止するための樹脂封止金
型であって、 前記金型のキャビティが封止するべく半導体素子の側面
から10μm以下の間隙になるように前記キャビティ側面
が形成されたものからなることを特徴とする樹脂封止用
金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05192542A JP3141634B2 (ja) | 1993-08-03 | 1993-08-03 | 半導体装置の製造方法及び樹脂封止用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05192542A JP3141634B2 (ja) | 1993-08-03 | 1993-08-03 | 半導体装置の製造方法及び樹脂封止用金型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745655A JPH0745655A (ja) | 1995-02-14 |
| JP3141634B2 true JP3141634B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=16293015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05192542A Expired - Fee Related JP3141634B2 (ja) | 1993-08-03 | 1993-08-03 | 半導体装置の製造方法及び樹脂封止用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3141634B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0148733B1 (ko) * | 1995-04-27 | 1998-08-01 | 문정환 | 고체 촬상 소자용 패키지 및 그 제조방법 |
| US5973337A (en) * | 1997-08-25 | 1999-10-26 | Motorola, Inc. | Ball grid device with optically transmissive coating |
| JP3194917B2 (ja) | 1999-08-10 | 2001-08-06 | トーワ株式会社 | 樹脂封止方法 |
| KR100494666B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2005-06-13 | 동부아남반도체 주식회사 | 씨시디이미지센서장착 씨에스피 반도체 |
| US9617469B2 (en) | 2011-01-06 | 2017-04-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phosphor particles, making method, and light-emitting diode |
| US8865022B2 (en) | 2011-01-06 | 2014-10-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phosphor particles and making method |
-
1993
- 1993-08-03 JP JP05192542A patent/JP3141634B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0745655A (ja) | 1995-02-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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