JPH09232509A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH09232509A JPH09232509A JP8031569A JP3156996A JPH09232509A JP H09232509 A JPH09232509 A JP H09232509A JP 8031569 A JP8031569 A JP 8031569A JP 3156996 A JP3156996 A JP 3156996A JP H09232509 A JPH09232509 A JP H09232509A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- composite substrate
- substrate
- external terminal
- sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パワーモジュール化した樹脂封止型半導体装
置において、樹脂成形時に外部端子部分に樹脂バリが発
生する。 【解決手段】 回路構成した複合基板１１の金属板９上
に制御用素子１２等が搭載され、さらに複数の半導体素
子を搭載した回路基板１９が積層されている。そして複
合基板１１が樹脂枠１５の開口部に収納されて、外部端
子１６が突出するよう封止樹脂１７で封止されたもので
ある。また最上面には、樹脂蓋２０が嵌入されており、
封止樹脂１７で樹脂枠１５内を封止する際の封止規定位
置を確保している。複合基板１１を樹脂枠１５に収納
し、かつ樹脂蓋２０を外部端子１６に嵌入させて固定し
てから、樹脂封止した構造であるので、樹脂封止する際
の封止位置が規正され、余分な樹脂が流出せず樹脂外部
端子１６部分に樹脂バリが発生するのを防止することが
できる。
置において、樹脂成形時に外部端子部分に樹脂バリが発
生する。 【解決手段】 回路構成した複合基板１１の金属板９上
に制御用素子１２等が搭載され、さらに複数の半導体素
子を搭載した回路基板１９が積層されている。そして複
合基板１１が樹脂枠１５の開口部に収納されて、外部端
子１６が突出するよう封止樹脂１７で封止されたもので
ある。また最上面には、樹脂蓋２０が嵌入されており、
封止樹脂１７で樹脂枠１５内を封止する際の封止規定位
置を確保している。複合基板１１を樹脂枠１５に収納
し、かつ樹脂蓋２０を外部端子１６に嵌入させて固定し
てから、樹脂封止した構造であるので、樹脂封止する際
の封止位置が規正され、余分な樹脂が流出せず樹脂外部
端子１６部分に樹脂バリが発生するのを防止することが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、制御用素子、駆動
用素子を搭載し、パワーモジュール化した樹脂封止型半
導体装置およびその製造方法に関するものである。
用素子を搭載し、パワーモジュール化した樹脂封止型半
導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、パワー素子は、大容量化、高機能
化、インテリジェント化するためにパワー素子に制御用
素子と駆動用素子とを含んで一体化させたパワーモジュ
ール化の方向にある。そしてそのパワーモジュールにお
いては、小型化の方向にある。
化、インテリジェント化するためにパワー素子に制御用
素子と駆動用素子とを含んで一体化させたパワーモジュ
ール化の方向にある。そしてそのパワーモジュールにお
いては、小型化の方向にある。
【０００３】従来のパワーモジュール化した樹脂封止型
半導体装置について、以下、説明する。
半導体装置について、以下、説明する。
【０００４】図１０に示すように、従来の樹脂封止型半
導体装置は、金属板１と樹脂２とを一体化させ、回路構
成した複合基板３を用いていた。そしてその金属板１上
に制御用素子４や駆動用素子５が接合され、金属細線６
により結線され、複合基板３の上面領域が封止樹脂７で
封止されたものであった。また複合基板３の金属板１を
通じて制御用素子４や駆動用素子５と接続された外部端
子８が、外部との接続用に封止樹脂７から突出して設け
られたものであった。
導体装置は、金属板１と樹脂２とを一体化させ、回路構
成した複合基板３を用いていた。そしてその金属板１上
に制御用素子４や駆動用素子５が接合され、金属細線６
により結線され、複合基板３の上面領域が封止樹脂７で
封止されたものであった。また複合基板３の金属板１を
通じて制御用素子４や駆動用素子５と接続された外部端
子８が、外部との接続用に封止樹脂７から突出して設け
られたものであった。
【０００５】次に従来の樹脂封止型半導体装置は、以下
のような工程により形成される。まずリードフレーム状
の金属板１の空隙にエポキシ系の樹脂２を充填し、複合
基板３を形成する。そしてその複合基板３において、リ
ードフレーム状の金属板１のダムバー等の連結部分を除
去して回路構成した複合基板３を形成する。
のような工程により形成される。まずリードフレーム状
の金属板１の空隙にエポキシ系の樹脂２を充填し、複合
基板３を形成する。そしてその複合基板３において、リ
ードフレーム状の金属板１のダムバー等の連結部分を除
去して回路構成した複合基板３を形成する。
【０００６】次に回路構成した複合基板３の金属板１上
に制御用素子４や駆動用素子５を搭載した後、金属細線
６でワイヤリングする。そして複合基板３の金属板１と
接続した部分を上方に折り曲げ加工して、外部端子８を
形成する。
に制御用素子４や駆動用素子５を搭載した後、金属細線
６でワイヤリングする。そして複合基板３の金属板１と
接続した部分を上方に折り曲げ加工して、外部端子８を
形成する。
【０００７】次に複合基板３の上面領域を封止樹脂７で
封止し、外部端子８が突出した状態を形成し、樹脂封止
型半導体装置を構成するものである。
封止し、外部端子８が突出した状態を形成し、樹脂封止
型半導体装置を構成するものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のような複合基板
３を用い、外囲を封止樹脂７で封止した構造の樹脂封止
型半導体装置では、外部端子８部分の成形封止が容易で
なく、樹脂封止時の樹脂注入量のムラが発生したり、外
部端子に対する封止規定位置の確保が困難であることな
どから、特に樹脂成形時に外部端子８に樹脂バリが発生
し、その樹脂バリの除去時にリードが変形してしまうと
いう問題を有していた。
３を用い、外囲を封止樹脂７で封止した構造の樹脂封止
型半導体装置では、外部端子８部分の成形封止が容易で
なく、樹脂封止時の樹脂注入量のムラが発生したり、外
部端子に対する封止規定位置の確保が困難であることな
どから、特に樹脂成形時に外部端子８に樹脂バリが発生
し、その樹脂バリの除去時にリードが変形してしまうと
いう問題を有していた。
【０００９】本発明は、外囲を樹脂で封止した構成を有
したパワーモジュール化した樹脂封止型半導体装置にお
いて、樹脂成形時に外部端子に樹脂バリが発生するのを
抑制し、放熱特性も保つことができる構造と製造方法を
提供することを目的とする。
したパワーモジュール化した樹脂封止型半導体装置にお
いて、樹脂成形時に外部端子に樹脂バリが発生するのを
抑制し、放熱特性も保つことができる構造と製造方法を
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記従来のような課題を
解決するために、本発明の樹脂封止型半導体装置は、金
属板と樹脂とを一体化させて回路構成した複合基板と、
その金属板上に搭載され、電気的に複合基板の回路と接
続された複数の半導体素子と、複合基板の金属板と接続
し、複数の固定部を有した外部端子と、その固定部によ
り外部端子に固定され、複合基板に対して積層構造をな
した複数の半導体素子が搭載された複数の回路基板と、
外部端子に固定され、複合基板に対して積層構造をなし
た蓋体と、複合基板、回路基板、蓋体を収納した枠体
と、その枠体内であって、外部端子を突出させて複合基
板上面領域を封止した封止樹脂とよりなる樹脂封止型半
導体装置であって、枠体の上面と蓋体の下面とをほぼ同
一面としているものである。
解決するために、本発明の樹脂封止型半導体装置は、金
属板と樹脂とを一体化させて回路構成した複合基板と、
その金属板上に搭載され、電気的に複合基板の回路と接
続された複数の半導体素子と、複合基板の金属板と接続
し、複数の固定部を有した外部端子と、その固定部によ
り外部端子に固定され、複合基板に対して積層構造をな
した複数の半導体素子が搭載された複数の回路基板と、
外部端子に固定され、複合基板に対して積層構造をなし
た蓋体と、複合基板、回路基板、蓋体を収納した枠体
と、その枠体内であって、外部端子を突出させて複合基
板上面領域を封止した封止樹脂とよりなる樹脂封止型半
導体装置であって、枠体の上面と蓋体の下面とをほぼ同
一面としているものである。
【００１１】また樹脂基板上に複数の半導体素子を搭載
した後、その基板と接続した外部端子に蓋体を固定して
基板に対して積層構造を形成するとともに、その半導体
素子を搭載した基板を枠体に収納した後、基板上面領域
を樹脂で封止する封止工程を有する樹脂封止型半導体装
置の製造方法においては、封止工程は、封止樹脂が表面
張力により枠体および蓋体よりも外部にはみ出し難い状
態で樹脂封止し、枠体と蓋体とで封止位置を規正し、外
部端子に樹脂バリが発生するのを防止して封止すること
ができる工程を有するものである。
した後、その基板と接続した外部端子に蓋体を固定して
基板に対して積層構造を形成するとともに、その半導体
素子を搭載した基板を枠体に収納した後、基板上面領域
を樹脂で封止する封止工程を有する樹脂封止型半導体装
置の製造方法においては、封止工程は、封止樹脂が表面
張力により枠体および蓋体よりも外部にはみ出し難い状
態で樹脂封止し、枠体と蓋体とで封止位置を規正し、外
部端子に樹脂バリが発生するのを防止して封止すること
ができる工程を有するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】前記構成により、樹脂封止型半導
体装置は、積層構造をとっており、全体として樹脂厚が
厚いものであるが、動作時に発熱する制御用素子や駆動
用素子を複合基板に搭載し、その樹脂、外囲の樹脂枠お
よび封止樹脂が、放熱性に優れた樹脂より構成されてい
るので、素子より発生した熱を樹脂封止型半導体装置下
部および外部端子に放熱でき、樹脂封止型半導体装置と
しての放熱性を高めている。また制御用素子や駆動用素
子を搭載した複合基板を樹脂枠に収納し、かつ樹脂蓋を
外部端子に嵌入させて固定してから、樹脂封止した構造
であるので、樹脂封止する際の封止位置が規定され、外
部端子部分に樹脂バリが発生するのを防止することがで
きる。
体装置は、積層構造をとっており、全体として樹脂厚が
厚いものであるが、動作時に発熱する制御用素子や駆動
用素子を複合基板に搭載し、その樹脂、外囲の樹脂枠お
よび封止樹脂が、放熱性に優れた樹脂より構成されてい
るので、素子より発生した熱を樹脂封止型半導体装置下
部および外部端子に放熱でき、樹脂封止型半導体装置と
しての放熱性を高めている。また制御用素子や駆動用素
子を搭載した複合基板を樹脂枠に収納し、かつ樹脂蓋を
外部端子に嵌入させて固定してから、樹脂封止した構造
であるので、樹脂封止する際の封止位置が規定され、外
部端子部分に樹脂バリが発生するのを防止することがで
きる。
【００１３】また製造方法の樹脂封止工程では、注入さ
れた封止樹脂は、樹脂枠と樹脂蓋とで封止位置が規定さ
れ、樹脂の表面張力により樹脂枠および樹脂蓋よりも外
部にはみ出し難い状態を構成するので、外部端子部分に
樹脂バリが発生することを防止して樹脂封止することが
できる。
れた封止樹脂は、樹脂枠と樹脂蓋とで封止位置が規定さ
れ、樹脂の表面張力により樹脂枠および樹脂蓋よりも外
部にはみ出し難い状態を構成するので、外部端子部分に
樹脂バリが発生することを防止して樹脂封止することが
できる。
【００１４】以下、本発明の一実施形態について図面を
参照しながら説明する。図１は、本実施形態にかかる樹
脂封止型半導体装置の断面図である。
参照しながら説明する。図１は、本実施形態にかかる樹
脂封止型半導体装置の断面図である。
【００１５】図１に示すように本実施形態の樹脂封止型
半導体装置は、金属板９と樹脂１０とを一体化させ、回
路構成した複合基板１１の金属板９上に制御用素子１２
や駆動用素子１３が搭載され、金属細線１４により結線
されており、その複合基板１１が樹脂枠１５の開口部に
収納されて、複合基板１１の金属板９から延在した外部
端子１６が突出するよう封止樹脂１７で封止されたもの
である。そして複合基板１１の金属板９から延在した外
部端子１６は、固定部を有しており、この固定部に対し
て、他のパワー素子１８が搭載されて結線された回路基
板１９ａ，１９ｂの穴部が嵌入されて、積層構造が形成
されている。また最上面には、樹脂蓋２０が嵌入されて
おり、封止樹脂１７で樹脂枠１５内を封止する際の封止
規定位置を確保している。樹脂蓋２０には、封止樹脂１
７の充填用の開口部２１が設けられている。また樹脂蓋
２０の下面と樹脂枠１５の上面とは、ほぼ同一面に位置
している。
半導体装置は、金属板９と樹脂１０とを一体化させ、回
路構成した複合基板１１の金属板９上に制御用素子１２
や駆動用素子１３が搭載され、金属細線１４により結線
されており、その複合基板１１が樹脂枠１５の開口部に
収納されて、複合基板１１の金属板９から延在した外部
端子１６が突出するよう封止樹脂１７で封止されたもの
である。そして複合基板１１の金属板９から延在した外
部端子１６は、固定部を有しており、この固定部に対し
て、他のパワー素子１８が搭載されて結線された回路基
板１９ａ，１９ｂの穴部が嵌入されて、積層構造が形成
されている。また最上面には、樹脂蓋２０が嵌入されて
おり、封止樹脂１７で樹脂枠１５内を封止する際の封止
規定位置を確保している。樹脂蓋２０には、封止樹脂１
７の充填用の開口部２１が設けられている。また樹脂蓋
２０の下面と樹脂枠１５の上面とは、ほぼ同一面に位置
している。
【００１６】なお、複合基板１１を構成している樹脂１
０、樹脂枠１５および封止樹脂１７は、シリカ、アルミ
ナ等の熱伝導性の高いフィラーを含有した放熱性に優れ
た樹脂より構成されているので、樹脂封止型半導体装置
としての放熱性を高めている。また、回路基板１９ａ，
１９ｂと外部端子１６とは導通されており、積層されて
いる各素子間の信号の入出力は可能な構造となってい
る。
０、樹脂枠１５および封止樹脂１７は、シリカ、アルミ
ナ等の熱伝導性の高いフィラーを含有した放熱性に優れ
た樹脂より構成されているので、樹脂封止型半導体装置
としての放熱性を高めている。また、回路基板１９ａ，
１９ｂと外部端子１６とは導通されており、積層されて
いる各素子間の信号の入出力は可能な構造となってい
る。
【００１７】次に本実施形態で示した樹脂封止型半導体
装置の樹脂蓋２０について説明する。図２は、樹脂蓋２
０の構成を示す斜視図である。
装置の樹脂蓋２０について説明する。図２は、樹脂蓋２
０の構成を示す斜視図である。
【００１８】図示するように、樹脂蓋２０は、外部端子
１６を突出させることができるように、外部端子１６の
配列に対応した穴部２２が設けられており、また封止樹
脂１７の充填用の開口部２１が設けられている。この樹
脂蓋２０の位置規正は穴部２２と、外部端子１６に設け
た固定用突起により行ない、樹脂蓋２０を嵌合固定して
いる。
１６を突出させることができるように、外部端子１６の
配列に対応した穴部２２が設けられており、また封止樹
脂１７の充填用の開口部２１が設けられている。この樹
脂蓋２０の位置規正は穴部２２と、外部端子１６に設け
た固定用突起により行ない、樹脂蓋２０を嵌合固定して
いる。
【００１９】図３は、外部端子の構造を示す部分平面図
であり、外部端子１６に設けた固定部２３を示してい
る。固定部２３は、図３（ａ）に示すような突出部によ
る固定部２３ａの他、図３（ｂ）に示すような凹部によ
る固定部２３ｂでもよく、樹脂蓋２０、回路基板１９
ａ，１９ｂに設けた穴部に嵌入し、それらを位置規正し
て固定できるものであればよい。
であり、外部端子１６に設けた固定部２３を示してい
る。固定部２３は、図３（ａ）に示すような突出部によ
る固定部２３ａの他、図３（ｂ）に示すような凹部によ
る固定部２３ｂでもよく、樹脂蓋２０、回路基板１９
ａ，１９ｂに設けた穴部に嵌入し、それらを位置規正し
て固定できるものであればよい。
【００２０】本実施形態に示した樹脂封止型半導体装置
は、積層構造をとっており、全体として樹脂厚が厚いも
のであるが、動作時に発熱する制御用素子１２や駆動用
素子１３を複合基板１１に搭載し、その樹脂１０、外囲
の樹脂枠１５および封止樹脂１７が、放熱性に優れた樹
脂より構成されているので、素子より発生した熱を樹脂
封止型半導体装置下部および外部端子１６に放熱でき、
樹脂封止型半導体装置としての放熱性を高めている。ま
た制御用素子１２や駆動用素子１３を搭載した複合基板
１１を樹脂枠１５に収納し、かつ樹脂蓋２０を外部端子
１６に嵌入させて固定してから、樹脂封止した構造であ
るので、樹脂封止する際の封止位置が規定され、外部端
子１６部分に樹脂バリが発生するのを防止することがで
きる。
は、積層構造をとっており、全体として樹脂厚が厚いも
のであるが、動作時に発熱する制御用素子１２や駆動用
素子１３を複合基板１１に搭載し、その樹脂１０、外囲
の樹脂枠１５および封止樹脂１７が、放熱性に優れた樹
脂より構成されているので、素子より発生した熱を樹脂
封止型半導体装置下部および外部端子１６に放熱でき、
樹脂封止型半導体装置としての放熱性を高めている。ま
た制御用素子１２や駆動用素子１３を搭載した複合基板
１１を樹脂枠１５に収納し、かつ樹脂蓋２０を外部端子
１６に嵌入させて固定してから、樹脂封止した構造であ
るので、樹脂封止する際の封止位置が規定され、外部端
子１６部分に樹脂バリが発生するのを防止することがで
きる。
【００２１】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。図４〜図９は樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す断面工程図である。
製造方法について説明する。図４〜図９は樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す断面工程図である。
【００２２】まず図４に示すように、リードフレーム状
の金属板９の間隙および下面に樹脂１０を形成し、複合
基板１１を形成する。なお、この段階で複合基板１１の
金属板９と接続した外部端子１６部分には、固定部２３
を形成しておく。なお、ここで用いる樹脂１０は、シリ
カ、アルミナ等のフィラーを含有した放熱性に優れたエ
ポキシ樹脂等の樹脂を用いる。
の金属板９の間隙および下面に樹脂１０を形成し、複合
基板１１を形成する。なお、この段階で複合基板１１の
金属板９と接続した外部端子１６部分には、固定部２３
を形成しておく。なお、ここで用いる樹脂１０は、シリ
カ、アルミナ等のフィラーを含有した放熱性に優れたエ
ポキシ樹脂等の樹脂を用いる。
【００２３】次に図５に示すように、形成した複合基板
１１の金属板９のタイバー等を除去し、回路を構成した
後、金属板９上に制御用素子１２や駆動用素子１３を搭
載する。そして金属細線１４により電気的に接続する。
１１の金属板９のタイバー等を除去し、回路を構成した
後、金属板９上に制御用素子１２や駆動用素子１３を搭
載する。そして金属細線１４により電気的に接続する。
【００２４】そして図６に示すように、複合基板１１の
金属板９と接続した外部端子１６部分を折り曲げ加工す
る。
金属板９と接続した外部端子１６部分を折り曲げ加工す
る。
【００２５】次に図７に示すように、複合基板１１の外
部端子１６に、他のパワー素子１８が搭載されて結線さ
れ、回路基板１９ａ，１９ｂおよび樹脂蓋２０を積層固
定する。回路基板１９、樹脂蓋２０の固定は、外部端子
１６に設けた固定部と回路基板１９、樹脂蓋２０に設け
た穴部との嵌入により行なう。
部端子１６に、他のパワー素子１８が搭載されて結線さ
れ、回路基板１９ａ，１９ｂおよび樹脂蓋２０を積層固
定する。回路基板１９、樹脂蓋２０の固定は、外部端子
１６に設けた固定部と回路基板１９、樹脂蓋２０に設け
た穴部との嵌入により行なう。
【００２６】次に図８に示すように、積層構造の複合基
板１１を樹脂枠１５の開口部２４に対応させて収納す
る。この時、樹脂蓋２０の下面と樹脂枠１５の上面とは
ほぼ同一面に位置している。なお、ここで用いる樹脂枠
１５の樹脂は、シリカ、アルミナ等のフィラーを含有し
た放熱性に優れたエポキシ樹脂等の樹脂を用いる。
板１１を樹脂枠１５の開口部２４に対応させて収納す
る。この時、樹脂蓋２０の下面と樹脂枠１５の上面とは
ほぼ同一面に位置している。なお、ここで用いる樹脂枠
１５の樹脂は、シリカ、アルミナ等のフィラーを含有し
た放熱性に優れたエポキシ樹脂等の樹脂を用いる。
【００２７】最後に図９に示すように、樹脂蓋２０の開
口部２１より封止樹脂１７を注入し、樹脂枠１５内の複
合基板１１上面領域を封止樹脂１７で充填して封止す
る。この時、注入された封止樹脂１７は、樹脂枠１５と
樹脂蓋２０とで封止位置が規定され、樹脂の表面張力に
より樹脂枠１５および樹脂蓋２０よりも外部にはみ出し
難い状態を構成するので、外部端子１６部分に樹脂バリ
が発生することを防止できる。なお、封止樹脂１７は、
シリカ、アルミナ等のフィラーを含有した放熱性に優れ
た封止樹脂を用いる。
口部２１より封止樹脂１７を注入し、樹脂枠１５内の複
合基板１１上面領域を封止樹脂１７で充填して封止す
る。この時、注入された封止樹脂１７は、樹脂枠１５と
樹脂蓋２０とで封止位置が規定され、樹脂の表面張力に
より樹脂枠１５および樹脂蓋２０よりも外部にはみ出し
難い状態を構成するので、外部端子１６部分に樹脂バリ
が発生することを防止できる。なお、封止樹脂１７は、
シリカ、アルミナ等のフィラーを含有した放熱性に優れ
た封止樹脂を用いる。
【００２８】以上のように、本実施形態の樹脂封止型半
導体装置では、パワー素子等を搭載した複合基板１１を
樹脂枠１５に収納し、また積層構造により樹脂蓋２０を
設けているので、封止樹脂１７を充填する際には、外部
端子１６部に樹脂バリが発生することはなくなる。また
樹脂蓋２０の下面と樹脂枠１５の上面とは、ほぼ同一面
に位置している状態で樹脂封止するので、樹脂封止位置
の規定ができ、外部端子１６部分に樹脂が付着し、樹脂
バリが発生するのを防止できる。すなわち、樹脂枠１５
で封止領域を固定し、かつ樹脂蓋２０によって、封止樹
脂１７の上面位置を規定することができるので、外部端
子１６部に樹脂バリが発生することを防止できるもので
ある。
導体装置では、パワー素子等を搭載した複合基板１１を
樹脂枠１５に収納し、また積層構造により樹脂蓋２０を
設けているので、封止樹脂１７を充填する際には、外部
端子１６部に樹脂バリが発生することはなくなる。また
樹脂蓋２０の下面と樹脂枠１５の上面とは、ほぼ同一面
に位置している状態で樹脂封止するので、樹脂封止位置
の規定ができ、外部端子１６部分に樹脂が付着し、樹脂
バリが発生するのを防止できる。すなわち、樹脂枠１５
で封止領域を固定し、かつ樹脂蓋２０によって、封止樹
脂１７の上面位置を規定することができるので、外部端
子１６部に樹脂バリが発生することを防止できるもので
ある。
【００２９】
【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置では、パ
ワー素子等を搭載した複合基板を樹脂枠に収納し、また
積層構造により樹脂蓋を設けているので、封止樹脂を充
填する際には、外部端子部に樹脂バリが発生することは
なくなる。また製造工程では、特に樹脂封止工程で、樹
脂蓋の下面と樹脂枠の上面とは、ほぼ同一面に位置して
いる状態で樹脂封止するので、樹脂封止位置の規定がで
き、外部端子部分に樹脂が付着し、樹脂バリが発生する
のを防止できる。すなわち、樹脂枠で封止領域を固定
し、かつ樹脂蓋によって、封止樹脂の上面位置を規定す
ることができるので、外部端子部に樹脂バリが発生する
ことを防止できるものである。
ワー素子等を搭載した複合基板を樹脂枠に収納し、また
積層構造により樹脂蓋を設けているので、封止樹脂を充
填する際には、外部端子部に樹脂バリが発生することは
なくなる。また製造工程では、特に樹脂封止工程で、樹
脂蓋の下面と樹脂枠の上面とは、ほぼ同一面に位置して
いる状態で樹脂封止するので、樹脂封止位置の規定がで
き、外部端子部分に樹脂が付着し、樹脂バリが発生する
のを防止できる。すなわち、樹脂枠で封止領域を固定
し、かつ樹脂蓋によって、封止樹脂の上面位置を規定す
ることができるので、外部端子部に樹脂バリが発生する
ことを防止できるものである。
【図１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図
示す断面図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
樹脂蓋の構成を示す斜視図
樹脂蓋の構成を示す斜視図
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
外部端子の構造を示す平面図
外部端子の構造を示す平面図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す工程図
製造方法を示す工程図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す工程図
製造方法を示す工程図
【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す工程図
製造方法を示す工程図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す工程図
製造方法を示す工程図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す工程図
製造方法を示す工程図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す工程図
製造方法を示す工程図
【図１０】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図
１ 金属板 ２ 樹脂 ３ 複合基板 ４ 制御用素子 ５ 駆動用素子 ６ 金属細線 ７ 封止樹脂 ８ 外部端子 ９ 金属板 １０ 樹脂 １１ 複合基板 １２ 制御用素子 １３ 駆動用素子 １４ 金属細線 １５ 樹脂枠 １６ 外部端子 １７ 封止樹脂 １８ 他のパワー素子 １９ 回路基板 ２０ 樹脂蓋 ２１ 開口部 ２２ 穴部 ２３ 固定部 ２４ 開口部
Claims (7)
- 【請求項１】回路構成した基板と、前記基板上に搭載さ
れ、電気的に前記基板の回路と接続された複数の半導体
素子と、前記基板と接続した外部端子と、前記基板に対
して積層構造をなした複数の半導体素子が搭載された複
数の回路基板と、前記基板と回路基板とを収納した枠体
と、前記枠体内であって、前記外部端子を突出させて前
記基板上面領域を封止した封止樹脂とよりなることを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】金属板と樹脂とを一体化させ、回路構成し
た複合基板と、前記金属板上に搭載され、電気的に前記
複合基板の回路と接続された複数の半導体素子と、前記
複合基板の金属板と接続した外部端子と、前記外部端子
に固定され、前記複合基板に対して積層構造をなした複
数の半導体素子が搭載された複数の回路基板と、前記外
部端子に固定され、前記複合基板に対して積層構造をな
した蓋体と、前記複合基板、回路基板、蓋体を収納した
枠体と、前記枠体内であって、前記外部端子を突出させ
て前記複合基板上面領域を封止した封止樹脂とよりなる
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】金属板と樹脂とを一体化させ、回路構成し
た複合基板と、前記金属板上に搭載され、電気的に前記
複合基板の回路と接続された複数の半導体素子と、前記
複合基板の金属板と接続し、複数の固定部を有した外部
端子と、前記固定部により外部端子に固定され、前記複
合基板に対して積層構造をなした複数の半導体素子が搭
載された複数の回路基板と、前記外部端子に固定され、
前記複合基板に対して積層構造をなした蓋体と、前記複
合基板、回路基板、蓋体を収納した枠体と、前記枠体内
であって、前記外部端子を突出させて前記複合基板上面
領域を封止した封止樹脂とよりなる樹脂封止型半導体装
置であって、前記枠体の上面と前記蓋体の下面とがほぼ
同一面であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】蓋体、枠体および封止樹脂が熱伝導性の高
いフィラーを含有した樹脂よりなることを特徴とする請
求項２または請求項３記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項５】基板上に複数の半導体素子を搭載した後、
前記基板と接続した外部端子に蓋体を固定して前記基板
に対して積層構造を形成するとともに、前記半導体素子
を搭載した基板を枠体に収納した後、前記基板上面領域
を樹脂で封止する封止工程を有する樹脂封止型半導体装
置の製造方法において、前記封止工程は、封止樹脂が表
面張力により枠体および蓋体よりも外部にはみ出し難い
状態で樹脂封止し、枠体と蓋体とで封止位置を規正し、
外部端子に樹脂バリが発生するのを防止して封止するこ
とができる工程であることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置の製造方法。 - 【請求項６】樹脂と金属板とよりなる複合基板を形成す
る工程と、形成した複合基板の金属板上に複数の半導体
素子を搭載し、電気的に接続する工程と、前記複合基板
の金属板と接続した外部端子部分を折り曲げ加工する工
程と、前記複合基板の外部端子に複数の半導体素子が搭
載された別の回路基板を積層固定する工程と、前記複合
基板の外部端子に開口部を有した蓋体を積層固定する工
程と、前記積層構造の複合基板を枠体に収納する工程
と、前記蓋体の開口部より封止樹脂を注入し、枠体内の
複合基板上面領域を封止樹脂で充填して封止する工程と
よりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造
方法。 - 【請求項７】リードフレーム状の金属板の間隙および下
面に樹脂を形成し、複合基板を形成する工程と、前記複
合基板の金属板と接続した外部端子部分に突出した固定
部を形成する工程と、前記複合基板の金属板上に複数の
半導体素子を搭載し、金属細線により電気的に接続する
工程と、前記複合基板の金属板と接続した外部端子部分
を折り曲げ加工する工程と、前記複合基板の外部端子に
対して、他の半導体素子が搭載されて電気的に接続され
た回路基板および蓋体を積層固定する工程と、前記積層
構造の複合基板を枠体の開口部に対応させて収納する工
程と、蓋体の開口部より封止樹脂を注入し、枠体内の複
合基板上面領域を封止樹脂で充填して封止する工程とよ
りなる樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記
複合基板の外部端子に対して蓋体を積層固定する工程
は、前記蓋体の下面位置と前記枠体の上面位置とがほぼ
同一面になるような位置に固定することを特徴とする樹
脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8031569A JPH09232509A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8031569A JPH09232509A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232509A true JPH09232509A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12334818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8031569A Pending JPH09232509A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232509A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009081325A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
| JP2014007345A (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Denso Corp | 集積回路 |
| JP2020188120A (ja) * | 2019-05-14 | 2020-11-19 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-02-20 JP JP8031569A patent/JPH09232509A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009081325A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
| JP2014007345A (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-16 | Denso Corp | 集積回路 |
| JP2020188120A (ja) * | 2019-05-14 | 2020-11-19 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100806479B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| US6432750B2 (en) | Power module package having insulator type heat sink attached to rear surface of lead frame and manufacturing method thereof | |
| US6983537B2 (en) | Method of making a plastic package with an air cavity | |
| US5703398A (en) | Semiconductor integrated circuit device and method of producing the semiconductor integrated circuit device | |
| US7714455B2 (en) | Semiconductor packages and methods of fabricating the same | |
| US6847104B2 (en) | Window-type ball grid array semiconductor package with lead frame as chip carrier and method for fabricating the same | |
| CN102299083B (zh) | 薄半导体封装及其制造方法 | |
| JPH11260856A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の実装構造 | |
| US20090127681A1 (en) | Semiconductor package and method of fabricating the same | |
| CN108735614B (zh) | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | |
| US7221042B2 (en) | Leadframe designs for integrated circuit plastic packages | |
| CN111668197B (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| JPH03108744A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US7339280B2 (en) | Semiconductor package with lead frame as chip carrier and method for fabricating the same | |
| CN106165089A (zh) | 半导体模块以及搭载有半导体模块的驱动装置 | |
| JPH09232509A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0661372A (ja) | ハイブリッドｉｃ | |
| JP3141634B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び樹脂封止用金型 | |
| JP3702655B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2762954B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH09246433A (ja) | モジュールの放熱構造 | |
| JPH0888292A (ja) | 片面樹脂封止型半導体パッケージ並びに片面樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP7735966B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR20150061441A (ko) | 패키지 기판 및 그 제조방법 및 그를 이용한 전력 모듈 패키지 | |
| JPH11354689A (ja) | フレーム状基板とその製造方法及び半導体装置の製造方法 |