JP3142034B2 - 感光体の帯電装置及び帯電方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は粒子帯電によりベルト状
若しくはドラム状感光体を帯電させる電子写真装置に於
ける帯電装置とその帯電方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より感光体ドラム外周面上に、露
光、現像、転写、クリーニング（残留トナー除去）、除
電、及び帯電の各プロセス手段を配置し、所定の電子写
真プロセスにより画像形成を行なう、いわゆるカールソ
ンプロセスに基づく画像形成装置は周知である。

【０００３】又近年円筒状の透光性支持体上に透光性導
電層と光導電体層を積層して感光体ドラムを形成すると
共に、該ドラム内に、画像情報に対応した光出力を生成
する露光手段（例えばＬＥＤヘッド）を内挿し、所定の
帯電手段を用いて感光体ドラム上に帯電させた感光体ド
ラム上に前記露光手段の光出力を集束レンズを通して露
光すると同時若しくはその直後に前記感光体ドラムと対
面配置させた現像スリーブを介して前記潜像をトナー像
化（現像）した後、該トナー像を転写ローラその他の転
写手段を介して記録紙に転写可能に構成した画像形成装
置（特開昭５８−１５３９５７号他）も公知である。

【０００４】この種の装置に用いる帯電手段は一般に細
いタングステン線に高電圧を印加してコロナ放電を行な
うコロトロン方式、又導電ローラに数百ボルトの電圧を
かけて感光体ドラムと接触帯電させるもの、又導電性ブ
ラシに電圧を印加して感光体ドラムに接触させながら帯
電を行なうもの等が存在する。しかしながらコロトロン
方式は高電圧を使用し、又オゾンを発生する等安全上、
環境上の問題が多い。又帯電ローラは感光体ドラムとの
接触が線接触であるために帯電が不安定である。更にブ
ラシ帯電方式はドラムとブラシが接触して帯電を行なう
為に、ブラシの帯電劣化が生じやすい。

【０００５】かかる欠点を解消するために、図５に示す
ように、感光体ドラム１０１と磁石集成体１０２を内挿
した非磁性スリーブ１０３を用い、該スリーブ１０３に
帯電バイアス１０８を印加した状態で、該スリーブ１０
３に磁性粒子群１０４を付着させて刷子状の磁気穂を感
光体ドラム１０１に摺擦させてスリーブ１０３を介して
帯電バイアス１０８を磁性粒子群１０４に印加させて帯
電を行なう、いわゆる粒子帯電法が提案されている。
（特開昭５９ー１３３５６９、特開昭６３ー１８７２６
７他）

【０００６】かかる帯電法において導電性微粒子により
感光体ドラム１０１を均一帯電させるには前記帯電領域
における磁性粒子群１０４と感光体ドラム１０１との接
触面積及び接触密度を十分な条件にする必要があるが、
磁気刷子の接触面積は感光体ドラム１と磁石集成体１０
２を内挿した非磁性スリーブ１０３の外径によって決っ
てしまい、この為前記感光体ドラム１０１やスリーブ１
０３を小型にすればするほど接触ニップが狭くなり、而
も感光体ドラム１０１の回転速度も大になるために、接
触ニップが不安定化しやすい。この為前記接触ニップの
安定性を図る為に、感光体ドラム１０１と非磁性スリー
ブ１０３間のギャップ公差を厳しく設定しているが、こ
のように構成すると組立工数等が増大し、コストアップ
につながるのみならず、固定磁石集成体１０２と非磁性
スリーブ１０３間の偏心等の組み立て誤差や熱その他の
環境要因による膨張／収縮等により磁力及び磁束密度等
が変動し、安定した帯電が出来ない。

【０００７】次に磁性粒子の感光体ドラム付着（粒子引
き）の問題がある。又、前記従来技術においては、固定
磁石集成体１０２により磁気穂を形成した場合、該固定
磁石集成体１０２よりの距離の２乗に比例して磁界が減
衰し、従って感光体ドラム１０１表面に位置する磁性粒
子の磁気保持力は最も弱い。一方前記磁性粒子群１０４
は前記帯電領域内で粒子相互に若しくは感光体ドラム１
との間で摺擦し、帯電して電荷を持つ。従ってこの状態
で感光体ドラム１０１を回転させると、該ドラム１０１
表面に遠心力が働き、静電的に感光体ドラム１０１に付
着している磁性粒子１０４は固定磁石集成体１０２より
の磁気保持力（磁界）に抗して前記磁気穂、即ち帯電領
域から離脱する方向に力が働き、該感光体ドラム１０１
に付着した粒子１０４ａが次工程の露光及び現像等に悪
影響を及ぼす。而も前記欠点は磁性粒子の粒径を小さく
すればするほど、又時間当りの印刷枚数を増やすため
に、感光体ドラム１０１の線速を早くすればするほど大
きくなる。この為前記従来技術は前記帯電領域の感光体
移動方向下流側にブレードを配して磁性粒子を回収する
ように構成しているが、かかる構成を取ると、長期使用
を可能にする為に前記ブレードに付着した磁性粒子を回
収する機構が必要になり、構成が煩雑化する。

【０００８】更に前記従来技術は感光体ドラムと対向さ
せて磁石集成体若しくは該集成体を内包した帯電スリー
ブを配置する構成を取るために、感光体ドラム上に帯電
装置部分が大きく突設することになり、この為例え感光
体ドラムの小型化を図っても装置全体の小型化につなが
らない。

【０００９】本発明はかかる従来技術の欠点に鑑み、感
光体ドラムを小径化した場合においても、帯電領域と帯
電密度を有効に確保し得る帯電装置を提供する事を目的
とする。本発明の他の目的は、好ましくは感光体ドラム
と対向させて磁石集成体若しくは該集成体を内包した帯
電スリーブを削除した場合においても安定した帯電能を
維持し得、又これらを感光体ドラム上に対向配置した場
合においても前記帯電ギャップの変動及び組み立て誤差
等に影響される事なく、安定した帯電能を維持し得る帯
電装置を提供する事を目的とする。又本発明の他の目的
は簡単な構成で帯電領域外への磁性粒子の洩出を有効に
阻止し得る帯電装置と提供する事を目的とする。

【００１０】

【課題を解決する為の手段】かかる技術的課題を達成す
る為に、磁気力により感光体の帯電領域上に保持された
磁性粒子群を介して感光体を帯電可能に構成した感光体
の帯電装置において、前記感光体の帯電領域背面側に、
感光体移動方向に沿って極性の異なる２つの磁石体、若
しくは磁石体と磁性体の組合せからなる２つの磁界発生
手段を隣接配置し、該２つの磁界発生手段間に主として
形成される水平磁場により、前記磁性粒子群を感光体上
に密着させながら帯電させることを特徴とするものであ
る。この結果前記水平磁場により、感光体ドラム上に対
向配置した固定磁石体等と無関係に感光体背面側に配し
た２つの磁界発生手段のみで前記磁性粒子群を感光体上
に密着させる事ができる。又感光体ドラムを小径化した
場合においても有効に磁性粒子群が接触する帯電接触面
積と帯電密度を確保できるのみならず、感光体ドラムと
対向させて磁石集成体若しくは帯電スリーブを削除した
場合においても安定した帯電能を維持し得る。これによ
り感光体ドラム上に帯電装置部が大きく突設することに
なく、この為感光体ドラムの小型化と共に、装置全体の
小型化を容易に図れる。

【００１１】しかしながら前記の構成を取った場合感光
体背面側の磁力のみで磁性粒子を保持する構成を取るた
めに、帯電領域よりの磁性粒子の洩出を避けられない。
そこで本発明は帯電領域下流側に位置する感光体背面側
に、一対の同極性の隣接磁極からなる反発磁界を設け、
該反発磁界により感光体上の帯電領域下流端に無磁力帯
を形成し、これにより磁性粒子の洩出を阻止する構成を
取る。勿論かかる構成は感光体ドラムと対向させて磁石
集成体若しくは帯電スリーブを配設した場合にも有効で
あるが、この場合は感光体帯電領域下流側に感光体法線
方向に磁力線が沿う垂直磁場を形成する構成を取るのが
良い。そしてこの様な垂直磁場形成手段としては、具体
的には感光体帯電領域背面側に位置する２つの磁界発生
手段の内、感光体移動方向下流側に位置する第１の磁界
発生手段とほぼ対向させて感光体上方位置に磁性体若し
くは第１の磁界発生手段と逆極性の磁石体からなる垂直
磁場形成手段を配置することにより達成し得る。

【００１２】そして更に好ましい磁性粒子漏洩阻止手段
として感光体帯電領域背面側に位置する２つの磁界発生
手段の内、感光体移動方向下流側に位置する第１の磁界
発生手段を磁石体で形成し、一方該第１の磁界発生手段
とほぼ対向させて感光体上方位置に第１の磁界発生手段
と逆極性の第２の磁石体を配置するとともに、前記第１
の磁界発生手段若しくは第２の磁石体の帯電方向下流側
側面に磁性体を隣接配置し、前記何れかの磁石体と磁性
体間で垂直磁場の閉回路を形成する事により一層磁性粒
子の阻止が有効となる。尚前記磁性粒子群を、導電性磁
性粒子で構成するか若しくは導電性粒子と磁性粒子の混
合粒子群で構成し、該粒子群に帯電バイアスを印加可能
に構成する事により感光体の線速を早くしても又感光体
ドラム小径化により帯電領域が狭くなっても十分なる帯
電を確保し得る。

【００１３】

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を例示
的に詳しく説明する。但しこの実施例に記載されている
構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に
特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみ
に限定する趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。図１
に基づいて本発明の第１実施例に係る帯電装置の構成に
ついて説明する。本装置は感光体ドラム上に帯電スリー
ブや固定磁石集成体を対向配置する事なく、感光体ドラ
ム背面側のみに配置した実施例を示す。１は時計廻りに
回転する感光体ドラムで、その帯電領域と対応するドラ
ム背面側には、該帯電領域をほぼ２分するごとく、その
上流側にＮ極の第１の磁石体５Ｂ及び下流側に逆極性の
Ｓ極の第２の磁石体５Ａとを隣接配置し、両磁石体５
Ａ、５Ｂ間の感光体ドラム１上に水平磁場６Ａを形成す
る。そして前記第２の磁石体５Ａに隣接させて感光体ド
ラム１回転方向における帯電領域下流端を越えた位置
に、第２の磁石体５Ａと同極性のＳ極に設定した反発磁
石体５Ｃを配設し、両者間で形成される反発磁界６Ｃに
よる無磁力帯６Ｄが帯電領域下流端に位置するように配
設する。

【００１４】そして前記夫々の磁石体の磁力は、例えば
後記する磁性粒子を用いた場合、感光体ドラム１側の磁
極の端面で夫々８００ガウスに設定し、前記磁石体５Ａ
直上の感光体ドラム１表面で３００〜４００ガウス前後
の磁力を得るように設定するのが好ましい。そして前記
帯電領域上に介在させる導電性磁性粒子４は導電性であ
れば特に限定されないが、フェライトや鉄粉、マグネタ
イト等の磁性コアの表面に導電性樹脂で被覆した導電性
磁性粒子で構成するか若しくは導電性粒子と磁性粒子の
混合粒子群４で構成してもよい。例えば平均粒径が３０
μｍ前後の磁性粒子母材と、平均粒径が１５μｍ前後の
導電粒子材を適宜割合で配合したものを用いても良い。
尚、本実施例においては平均粒径が２０〜３５μｍ、抵
抗率１０³〜１０⁶Ω・ｃｍのフェライトコア粒子を用
い、磁気特性を６０〜７０emu／ｇ（1k Oe）に設定した
ものを用いる。８は線状電極を介して導電性磁性粒子群
４に帯電バイアスを印加させるバイアス電源である。

【００１５】図２は前記磁極レイアウトにおける垂直磁
場６Ｂと水平磁場６Ａの磁気作用を示し、本図より理解
される通り、各磁極の直上位置に夫々垂直磁場６Ｂが形
成されると共に、帯電領域に位置するＮ極とＳ極の両磁
石体５Ａ、５Ｂ間に強い水平磁場６Ａが、又前記Ｓ極と
帯電領域下端側のＳ極の第２の磁石体５Ａと反発磁石体
５Ｃとの間に、２つの水平磁場６Ａが分断された反発磁
界６Ｃが形成され、結果として２つの磁極５Ａ、５Ｃ間
に無磁力帯域６Ｄが形成される。

【００１６】この結果前記帯電領域に付着される磁性粒
子群４は、Ｎ極とＳ極の両磁石体５Ａ、５Ｂ間の水平磁
場６Ａ上で感光体ドラム１上に密着して付着し、又前記
水平磁場６Ａから外れた帯電領域下流側の垂直磁場６Ｂ
上では、粗の状態で感光体ドラム１法線方向に立つよう
に付着される。この状態で感光体ドラム１が回転する
と、水平磁場６Ａ上で感光体ドラム１への帯電を行ない
ながら水平磁場６Ａから垂直磁場６Ｂ上に移動し、更に
磁性粒子群は反発磁石体５Ｃにより形成される無磁力帯
域６Ｄにより下流側に搬送されることなく、垂直磁場６
Ｂにより垂直方向に逃げるしかない。そして垂直方向に
向った磁性粒子群は、第１及び第２の両磁石体５Ａ、５
Ｂからなる磁界に引戻され、水平磁場６Ａ側に引戻さ
れ、以下繰り返し循環を行なう。従ってかかる実施例に
よれば帯電領域下流側に磁性粒子が漏洩することなく円
滑な帯電が行なわれる。

【００１７】図３は固定磁石を感光体ドラムに対向配置
させた他の実施例で、前記実施例との差異を中心に説明
する。本実施例は、前記実施例の反発磁石体５Ｃを設け
ずに、感光体ドラム１より所定ギャップを介して法線方
向に立設する棒状固定磁石体２により漏洩阻止用の垂直
磁場６Ｂを形成した他の実施例で、前記固定磁石体２は
感光体ドラム１と対峙する側にＮ極を位置させ、そして
前記対向配置される第２の磁石体５Ｂと固定磁石体２を
感光体ドラム回転方向における帯電領域下流側に配し、
両磁石体２、５Ｂ間に垂直磁場６Ｂにより前記磁性粒子
群４を磁気保持させ、又第１の磁石体５Ａは前記第２の
磁石体５Ｂに隣接させて帯電領域上流側に配置させ、前
記第２の磁石体５Ｂと第１の磁石体５Ａ間に主として形
成される水平磁場６Ａにより前記磁性粒子群４を感光体
ドラム１上に密着させる。

【００１８】かかる構成において、前記夫々の磁石体の
磁力を、前記固定磁石体２では感光体ドラム１と対峙す
るＮ極の端面で例えば１２００ガウス前後に、又前記第
２の磁石体５Ａは感光体ドラム１側のＳ極の端面で例え
ば８００ガウスに設定した場合、前記両磁石体２、５Ａ
上の感光体ドラム１表面で３００ガウス前後の磁力を得
る事が出来、該感光体ドラム１表面上で磁性粒子群４の
十分なる磁気保持力が得られる事が確認された。又第１
の磁石体５Ａの磁力を第２の磁石体５Ｂとほぼ同等に設
定する事により有効な水平磁場６Ａが得られる事も確認
出来た。更に前記帯電領域中に磁性粒子群４中に攪拌手
段１１を配置して、機械的な攪拌により粒子群４の入替
えを行なうように構成すると共に、該攪拌手段に帯電バ
イアス電源８を接続させる。

【００１９】かかる実施例によれば、前記感光体ドラム
１上の水平磁場６Ａ上で磁性粒子群４を密着させながら
感光体ドラム１表面を円滑に帯電させた微粒子群は、感
光体ドラム１の回転に従って垂直磁場６Ｂ位置まで移動
し、ここで該垂直磁場６Ｂにより微粒子群４が磁気的に
封止され、帯電領域外への漏洩を阻止すると共に、磁力
差により、感光体ドラム１側より固定磁石体側に磁性粒
子群４が吸着され、そして前記攪拌手段を矢印方向に回
転させる事により帯電領域上流側に移動しながら水平磁
場６Ａ側に戻入され、以下前記動作を繰り返す。

【００２０】従って前記帯電領域上の磁性粒子４は例え
水平磁場６Ａにより密着状態にあっても常に循環され、
長期使用しても帯電粒子の劣化が生じる余地がない。
尚、前記入替え若しくは循環は前記第２の磁石体５Ｂ若
しくは第１の磁石体５Ａを電磁石体で形成し、例えば直
流電源１３の電圧可変器１２等を利用して非印字時、若
しくは所定印字枚数毎に適宜極性変換若しくは印加電圧
の変更を行なう事により、更には前記第１の磁石体５Ａ
若しくは第２の磁石体５Ｂを、適宜所定角度揺動させて
粒子群４の入替え及び循環を行なってもよい。尚、前記
固定磁石体２の代わりに磁性体を用いても同様に垂直磁
場６Ｂが形成され、かかる実施例において前記実施例と
同様な作用が達成し得ると共に、現像バイアス電源８を
磁性体に接続してもよい。

【００２１】図４（Ａ）（Ｂ）は本発明の他の実施例で
図３の実施例との差異を中心に説明するに、図上右方向
に回転する感光体ドラム１に対し帯電ギャップ（０．５
ｍｍ）を介して前記感光体ドラム１の回転方向とアゲイ
ンスト方向（図上左方向）に回転可能により非磁性スリ
ーブ３を配設すると共に、該非磁性スリーブ３の背面側
の帯電領域下流側にＮ極の固定磁石体２を第２の磁石体
５Ａと対向して配置すると共に、該固定磁石体２の帯電
領域下端側に磁性体２ａを隣接配置し、垂直磁場６Ｂの
閉回路を形成する。かかる実施例によれば、前記感光体
ドラム１上の水平磁場６Ａ上で磁性粒子群４を密着させ
ながら感光体ドラム１表面を円滑に帯電させた微粒子群
は、感光体ドラム１の回転に従って垂直磁場６Ｂ位置ま
で移動し、ここで該垂直磁場６Ｂにより微粒子群４が磁
気的に封止され、帯電領域外への漏洩を阻止すると共
に、磁力差により、感光体ドラム１側よりスリーブ３側
へ向け磁性粒子群４が吸着され、そして非磁性スリーブ
３のアゲインスト回転により該スリーブ３に担持された
まま帯電領域上流側に移動し、水平磁場６Ａの磁気力に
より、感光体ドラム１側に落下し、以下前記動作を繰り
返す。

【００２２】この場合、固定磁石体には磁性体が隣接配
置され垂直磁場６Ｂの閉回路が形成されている為に、磁
気シールド効果が一層増大する。この場合、前記磁性体
は前記固定磁石体と対向する第２に磁石体５Ａのドラム
回転方向下流端側面に隣接配置しても同様な作用を営
む。又前記現像スリーブ３よりの粒子の循環を促すため
に、スクレーパ１４を設け、機械的に剥離させて水平磁
場６Ａ上の感光体ドラム１側に落下するように構成して
もよい。

【００２３】

【効果】以上記載のごとく本発明によれば、前記水平磁
場により所定幅域の帯電領域を確保できるために、感光
体ドラムを小径化した場合においても、又感光体ドラム
と対向させて磁石集成体若しくは該集成体を内包した帯
電スリーブを削除した場合においても安定した帯電能を
維持し得る。又前記帯電スリーブ等を感光体ドラム上に
対向配置した場合においても前記帯電ギャップの変動及
び組み立て誤差等に影響される事なく、安定した帯電能
を維持し得る。又前記帯電ギャップの変動及び組み立て
誤差等に影響される事なく、常に均一磁場を得る事が出
来る。又本発明は垂直磁場若しくは無磁力帯等を利用し
て簡単な構成で帯電領域外への磁性粒子の洩出を有効に
阻止し得る。等の種々の著効を有す。

【図面の簡単な説明】

【図１】感光体ドラムの背面側のみに磁石体を配置した
本発明の実施例を示す概略図である。

【図２】図１の磁力線の作用図である。

【図３】本発明の第２実施例に係る慨略図である。

【図４】（Ａ）は本発明の第３実施例に係る慨略図、
（Ｂ）はその拡大図である。

【図５】従来技術にかかる帯電装置の全体概略図であ
る。

【符号の説明】

１ 感光体ドラム ２ 固定磁石体 ５Ａ 第１の磁石体 ５Ｂ 第２の磁石体 ５Ｃ 反発磁石体 ２ａ 磁性体 ４ 導電性磁性粒子群 ６Ｂ 垂直磁場 ６Ａ 水平磁場 ６Ｃ 反発磁界 ６Ｄ 無磁力帯域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西口 泰夫 東京都世田谷区玉川台２丁目14番９号 京セラ株式会社東京用賀事業所内 (56)参考文献 特開 平５−181347（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03G 15/02 G03G 15/09

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気力により感光体の帯電領域上に保持
   された磁性粒子群を介して感光体を帯電可能に構成した
   感光体の帯電装置において、 前記感光体の帯電領域背面側に、感光体移動方向に沿っ
   て極性の異なる２つの磁石体、若しくは磁石体と磁性体
   の組合せからなる２つの磁界発生手段を隣接配置し、該
   ２つの磁界発生手段間に主として形成される水平磁場に
   より、前記磁性粒子群を感光体上に密着させながら帯電
   させることを特徴とする感光体の帯電装置。
2. 【請求項２】 帯電領域下流側に位置する感光体背面側
   に、一対の同極性の隣接磁極からなる反発磁界を形成
   し、該反発磁界により感光体上の帯電領域下流端に無磁
   力帯域を形成した請求項１記載の感光体の帯電装置。
3. 【請求項３】 感光体帯電領域下流側の前記感光体の帯
   電領域背面側に第１の磁界発生手段を設け、該第１の磁
   界発生手段に対向させて感光体帯電領域表面側に第２の
   磁界発生手段を配置し、前記第１の磁界発生手段を磁石
   体とし、前記第２の磁界発生手段を前記磁石体と逆極性
   の磁石体もしくは磁性体で構成し、 感光体帯電領域下流側に感光体法線方向に磁力線が沿う
   垂直磁場を形成した請求項１記載の感光体の帯電装置。
4. 【請求項４】 前記感光体の帯電領域背面側と表面側に
   互いに対向して２つの磁界発生手段を配置し、背面側に
   配置された第１の磁界発生手段を磁性体とし、第２の磁
   界発生手段を前記第１の磁界発生手段に隣接配置された
   磁石体と同極性の磁石体として、感光体帯電領域下流側
   に感光体法線方向に磁力線が沿う垂直磁場を形成した請
   求項１記載の感光体の帯電装置。
5. 【請求項５】 前記感光体の帯電領域背面側に位置する
   ２つの磁界発生手段の内、感光体移動方向下流側に位置
   する第１の磁界発生手段を磁石体で形成し、一方該第１
   の磁界発生手段とほぼ対向させて感光体上方位置に第１
   の磁界発生手段と逆極性の第２の磁石体を配置するとと
   もに、前記第１の磁界発生手段若しくは第２の磁石体の
   帯電方向下流側側面に磁性体を隣接配置し、前記何れか
   の磁石体と磁性体間で垂直磁場の閉回路を形成してなる
   請求項３記載の感光体の帯電装置。
6. 【請求項６】 前記磁性粒子群を、導電性磁性粒子で構
   成するか若しくは導電性粒子と磁性粒子の混合粒子群で
   構成し、該粒子群に帯電バイアスを印加可能に構成した
   請求項１記載の感光体の帯電装置。
7. 【請求項７】 磁気力により感光体の帯電領域上に保持
   された磁性粒子群を介して感光体を帯電させる感光体の
   帯電方法において、 前記感光体の帯電領域背面側に、感光体移動方向に沿っ
   て極性の異なる２つの磁石体もしくは磁石体と磁性体の
   組み合わせからなる２つの磁界発生手段を隣接配置して
   前記感光体表面の帯電領域に主として形成される水平磁
   場を形成し、前記磁性粒子群を感光体上に密着させなが
   ら帯電させるとともに、前記帯電領域下流側の感光体背面側に、一対の同極性の
   隣接磁極からなる反発磁界を形成して、該反発磁界によ
   り前記 帯電領域下流端側の感光体表面上に無磁力帯域を
   形成し、帯電領域上に位置する磁性粒子の漏洩を阻止す
   るように作用させた事を特徴とする感光体の帯電方法。
8. 【請求項８】 磁気力により感光体の帯電領域上に保持
   された磁性粒子群を介して感光体を帯電させる感光体の
   帯電方法において、感光体移動方向に沿って極性の異なる２つの磁石体もし
   くは磁石体と磁性体の組み合わせからなる２つの磁界発
   生手段を隣接配置して、 前記感光体表面の帯電領域に主
   として形成される水平磁場を形成し、前記磁性粒子群を
   感光体上に密着させながら帯電させるとともに、前記帯電領域下流側の感光体背面側に、第１の磁界発生
   手段を配置し、該第１の磁界発生手段にほぼ対向させて
   感光体上方位置に第２の磁界発生手段を配置するととも
   に、 前記第１の磁界発生手段が磁石体の場合は第２磁界発生
   手段は磁性体とし、 前記第１の磁界発生手段が磁性体の場合は第２の磁界発
   生手段は磁石体とし、これら第１及び第２の磁界発生手
   段により、前記 帯電領域下流端側の感光体表面上に主と
   して垂直磁場からなる磁気漏洩阻止域を形成し、該阻止
   域を利用して帯電領域上に位置する磁性粒子の漏洩を阻
   止するように作用させた事を特徴とする感光体の帯電方
   法。