JP3144508B2 - 固体レーザー - Google Patents

固体レーザー

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JP3144508B2 JP29700892A JP29700892A JP3144508B2 JP 3144508 B2 JP3144508 B2 JP 3144508B2 JP 29700892 A JP29700892 A JP 29700892A JP 29700892 A JP29700892 A JP 29700892A JP 3144508 B2 JP3144508 B2 JP 3144508B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は固体レーザーに関し、特
に詳細には、新規のレーザー媒質を使用した固体レーザ
ーに関するものである。
【0002】
【従来の技術】例えば特開昭62-189783 号公報に示され
るように、ネオジウム(Nd)等の希土類がドーピング
された固体レーザー媒質を、半導体レーザーによってポ
ンピングするレーザーダイオード励起固体レーザーが公
知となっている。なお上記の固体レーザー媒質として
は、例えばYVO4 、YAG(Y3 Al5 12)等の結
晶にNdをドーピングしたものが広く用いられている。
【0003】一方この種のレーザーダイオード励起固体
レーザーにおいては、例えば特開平2-77181 号公報や
「レーザー研究」第18巻、第8号(1990)p.94〜
p.99に示されるように、より短波長のレーザー光を得
るために、その共振器内に、固体レーザー発振ビームを
波長変換する非線形光学材料のバルク単結晶を配設し
て、固体レーザー発振ビームを第2高調波等に波長変換
することも行なわれている。
【0004】例えば「レーザー研究」第18巻、第8号
(1990)p.646 には、Nd:YVO4 (Ndイオン濃
度1.1at%)の発振ビームを共振器内に配設された
KTP結晶により第2高調波に波長変換し、半導体レー
ザー入力パワー760mWに対し12.8mWのほぼ単
一縦モードの第2高調波出力を得た例が報告されてい
る。さらに別の従来技術として「レーザー・原子発振器
と極限光量子工学」シンポジウム予稿集(主催:応用物
理学会・量子エレクトロニクス研究会)E−2(1990)
p.56には、Nd:YVO4 (Ndイオン濃度2.02
at%)と厚さ7.0mmのKTP結晶とを使用し、半
導体レーザー入力パワーが740mWのとき9.1mW
の単一縦モードの第2高調波出力を得た例が報告されて
いる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述のような従来の固
体レーザーにおいては、Ndイオン濃度はせいぜい2a
t%程度までしか上げられず、そのため励起レーザービ
ームの吸収が低いという不具合が認められている。励起
レーザービームの吸収が低いと、空間ホールバーニング
効果により複数の縦モードが立つようになり、固体レー
ザーの出力が不安定になる。
【0006】また従来の固体レーザーにおいては、励起
レーザービームに対する吸収スペクトル幅が小さいた
め、レーザーダイオード等の励起光源の波長変動によ
り、出力が容易に変動してしまうという問題も認められ
ている。
【0007】本発明は上記のような事情に鑑みてなされ
たものであり、励起レーザービームの吸収が高く、また
その吸収スペクトル幅も大きくて、出力安定性の高い固
体レーザーを提供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明による固体レーザ
ーは、固体レーザー媒質として全く新規のものを使用し
たものであり、すなわち本発明による1つの固体レーザ
ーは、この固体レーザー媒質として、Ndが添加された
x Gd1-x VO4 (0≦x≦0.5)が用いられてい
ることを特徴とするものである。
【0009】また本発明による別の固体レーザーは、固
体レーザー媒質として、Ndが添加されたLax Gd
1-x VO4 (0≦x≦0.1)が用いられていることを
特徴とするものである。
【0010】
【作用および発明の効果】従来の固体レーザーにおい
て、Ndイオン濃度を高くすることができない理由は、
Ndに置き換えられる原子(例えばNd:YAGレーザ
ーではY)のイオン半径とNdのイオン半径との差が大
きいことにある。具体的には、Ndのイオン半径が1.
15Åであるのに対し、Yのイオン半径は1.06Åで
ある。一方本発明に用いられるGdのイオン半径は1.
11Åであり、上記Ndのイオン半径にかなり近いもの
となっている。そこでこのGdを含むレーザー媒質N
d:YxGd1-x VO4 あるいはNd:Lax Gd1-x
VO4 においては、Ndイオン濃度を十分に高くするこ
とができる。
【0011】Nd:Yx Gd1-x VO4 において特にx
=0としたもの、すなわちNd:GdVO4 の結晶を作
成し、結晶の状態を調べた。この際、Ndイオン濃度を
0.2〜10at%の範囲で変えた種々の結晶を作成し、各
結晶の状態を調べたが、いずれも良質な単結晶となって
いることが確認された。
【0012】このように固体レーザー媒質のNdイオン
濃度を十分に上げることができれば、励起レーザービー
ムの吸収が良好になるから、固体レーザーの単一縦モー
ド化が実現され、その出力が安定するようになる。
【0013】Ndイオン濃度を1at%とした上記N
d:GdVO4 の結晶について、実際に吸収特性を調べ
たところ、波長808 nmの励起レーザービームに対する
吸収係数α=9.2 cm-1であり、同じくNdイオン濃度
を1at%としたNd:YAGの吸収係数α=6.0 cm
-1と比較して十分高いことが確認された。また、Ndイ
オン濃度を5at%としたNd:GdVO4 の結晶にあ
っては、吸収係数α=46cm-1と著しく高いことが確認
された。
【0014】他方、励起レーザービームの吸収スペクト
ル幅をみると、従来のレーザー媒質に用いられる例えば
Nd:YAGのそれは、波長800 nm付近の吸収ピーク
の半値幅が約2nmであるのに対し、Ndイオン濃度を
5at%としたNd:GdVO4 では約5nmと、上記
に対して十分に広くなっている。なおこの吸収スペクト
ルの測定結果を図3に示す。このように励起レーザービ
ームに対する吸収スペクトル幅が大きければ、励起レー
ザービームの波長が多少変動しても、安定した出力が得
られるようになる。
【0015】なお、Ndイオン濃度を3at%としたN
d:GdVO4 の蛍光特性を測定した結果を図4に示
す。同図中、aで示すのが 43/2 49/2 の遷移に
よるもの、bで示すのが 43/2 411/2の遷移によ
るもの、cで示すのが 43/2 413/2の遷移による
ものである。
【0016】また、レーザー発振しきい値に反比例する
στ積を調べるため、Nd:GdVO4 の誘導放出断面
積σを測定したところ、約2×10-18 cm2 であった。
そしてNdイオン濃度毎の蛍光寿命τは、図5に示す通
りであった。これらの測定結果より、Ndイオン濃度が
3at%以下の場合はNd:YAG(Ndイオン濃度は
約1at%)よりも大きなστ積が得られ、したがって
レーザー発振しきい値はNd:YAGよりも低くなるこ
とが確認された。
【0017】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図1は、本発明の第1実施例によるレ
ーザーダイオード励起固体レーザーを示すものである。
このレーザーダイオード励起固体レーザーは、励起光
(ポンピング光)としてのレーザービーム10を発するレ
ーザーダイオード11と、発散光状態で発せられた上記レ
ーザービーム10を平行光化するコリメーターレンズ12
と、平行光状態のレーザービーム10を集束させる集光レ
ンズ13と、Ndイオン濃度が3at%であるNd:Gd
VO4 の結晶14と、このNd:GdVO4 結晶14の前方
(図中右方側)に配された共振器ミラー15とから構成さ
れている。
【0018】Nd:GdVO4 結晶14は波長808 nmの
レーザービーム10によってNd原子が励起されることに
より、 43/2 411/2の遷移による波長1063nmの
蛍光を発し、そのレーザー発振も確認された。このよう
にして発振した波長1063nmのレーザービーム16は、共
振器ミラー15から出射する。
【0019】本実施例では、Nd:GdVO4 結晶14の
光入射側端面14aと共振器ミラー15とによって固体レー
ザーの共振器が構成されており、この端面14a、もう1
つの結晶端面14bおよび共振器ミラー15のミラー面15a
の、波長808 nmおよび1063nmに対する反射特性は適
宜のコーティングにより下表の通りに調整されている。
なおこの表中で、ARは無反射、HRは高反射を示す。
【0020】 上記の構成においては、共振器ミラー15から出射する固
体レーザービーム16の出力が極めて安定していることが
確認された。その理由は、先に述べた通りである。
【0021】次に、図2を参照して本発明の第2実施例
について説明する。なおこの図2において、図1中の要
素と同等の要素には同番号を付し、それらについての重
複した説明は省略する。
【0022】この第2実施例装置もレーザーダイオード
励起固体レーザーであり、本装置は第1実施例装置と比
べると、共振器内に光波長変換素子20が配置されている
点が異なるものである。本実施例においてはこの光波長
変換素子20として、非線形光学効果を有するKNbO3
の結晶が用いられている。
【0023】上記の構成において、波長1063nmのレー
ザービーム16は光波長変換素子20に入射し、波長が1/
2すなわち532 nmの第2高調波21に変換される。本装
置において、Nd:GdVO4 結晶14の端面14a、14
b、光波長変換素子20の端面20a、20bおよびミラー面
15aの、波長808 nm、1063nmおよび532 nmに対す
る反射特性は下表の通りに調整されており、共振器ミラ
ー15から第2高調波21が出射する。
【0024】 808 nm 1063nm 532 nm 端 面14a AR HR − 端 面14b − AR HR 端 面20a − AR AR 端 面20b − AR AR ミラー面15a − HR AR この構成においても、共振器ミラー15から出射する第2
高調波21の出力が極めて安定していることが確認され
た。
【0025】なお本発明の固体レーザーの共振器内に光
波長変換素子を配置する場合、その光波長変換素子は上
記KNbO3 からなるものに限らず、例えばKT:OP
4やβ−BaB2 4 等、その他の公知のものが用い
られてもよい。
【0026】また以上説明した各実施例は、レーザー媒
質としてNd:GdVO4 結晶を用いるものであるが、
それに限らず、x≠0としたNd:Yx Gd1-x VO4
(0≦x≦0.5)や、Nd:Lax Gd1-x VO
4 (0≦x≦0.1)を用いることも勿論可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例装置を示す概略側面図
【図2】本発明の第2実施例装置を示す概略側面図
【図3】Nd:GdVO4 の励起光吸収スペクトル特性
を示すグラフ
【図4】Nd:GdVO4 の蛍光特性を示すグラフ
【図5】Nd:GdVO4 のNdイオン濃度毎の蛍光寿
命を示すグラフ
【符号の説明】
10 レーザービーム(ポンピング光) 11 レーザーダイオード 12 コリメーターレンズ 13 集光レンズ 14 Nd:GdVO4 結晶 15 共振器ミラー 16 固体レーザービーム 20 光波長変換素子 21 第2高調波
フロントページの続き (72)発明者 中村 隆 神奈川県足柄上郡開成町宮台798番地 富士写真フイルム株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−283977(JP,A) 特公 昭48−29039(JP,B2) 米国特許3667901(US,A)

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 固体レーザー媒質として、Ndが添加さ
    れたYxGd1-xVO4(0≦x≦0.5)が用いられて
    いることを特徴とする固体レーザー。
  2. 【請求項2】 固体レーザー媒質として、Ndが添加さ
    れたLaxGd1-xVO4(0≦x≦0.1)が用いられ
    ていることを特徴とする固体レーザー。
  3. 【請求項3】 Ndイオン濃度が0.2 〜10at%である
    ことを特徴とする請求項1または2に記載の固体レーザ
    ー。
  4. 【請求項4】 Ndイオン濃度が1〜5at%であるこ
    とを特徴とする請求項3に記載の固体レーザー。
  5. 【請求項5】 固体レーザー媒質を発振波長730 〜850
    nmのレーザーダイオードによって励起することを特徴
    とする請求項1から4いずれか1項に記載のレーザーダ
    イオード励起固体レーザー。
  6. 【請求項6】 共振器内に固体レーザービームを波長変
    換する光波長変換素子が配設されていることを特徴とす
    る請求項5に記載のレーザーダイオード励起固体レーザ
    ー。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001223423A (ja) * 2000-02-10 2001-08-17 Inst Of Physical & Chemical Res レーザー装置
EP1333548A3 (en) * 2002-02-01 2005-03-16 Nec Tokin Corporation Laser oscillation method and laser device
JP4544606B2 (ja) * 2002-05-17 2010-09-15 株式会社日本政策投資銀行 レーザーシステム
JP2006100415A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 National Institutes Of Natural Sciences レーザ装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3667901A (en) 1970-08-21 1972-06-06 Vsevolod Semenovich Krylov Method of producing orthovanadates of rare-earth metals
JP4829039B2 (ja) 2006-08-22 2011-11-30 アルファナテクノロジー株式会社 流体動圧軸受装置及びそれを備えたモータ

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4656635A (en) * 1985-05-01 1987-04-07 Spectra-Physics, Inc. Laser diode pumped solid state laser
JP2614753B2 (ja) * 1988-09-13 1997-05-28 富士写真フイルム株式会社 レーザーダイオードポンピング固体レーザー

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3667901A (en) 1970-08-21 1972-06-06 Vsevolod Semenovich Krylov Method of producing orthovanadates of rare-earth metals
JP4829039B2 (ja) 2006-08-22 2011-11-30 アルファナテクノロジー株式会社 流体動圧軸受装置及びそれを備えたモータ

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