JPH06152045A - レーザーダイオード励起固体レーザー - Google Patents
レーザーダイオード励起固体レーザーInfo
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- JPH06152045A JPH06152045A JP29865492A JP29865492A JPH06152045A JP H06152045 A JPH06152045 A JP H06152045A JP 29865492 A JP29865492 A JP 29865492A JP 29865492 A JP29865492 A JP 29865492A JP H06152045 A JPH06152045 A JP H06152045A
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 900 〜950 ｎｍ帯で発振可能で、出力安定性
の高いレーザーダイオード励起固体レーザーを安価に得
る。 【構成】 固体レーザー媒質としてＮｄ：ＹＶＯ4 結晶
14を用い、この結晶14の厚さｔを、Ｎｄイオン濃度をＮ
（ａｔ％）として、 0.005 ｍｍ／Ｎ≦ｔ≦0.3 ｍｍ／Ｎ の範囲内、さらに好ましくは 0.02ｍｍ／Ｎ≦ｔ≦0.1 ｍｍ／Ｎ の範囲内に設定して、 4Ｆ3/2 → 4Ｉ9/2 の遷移によっ
て発光させる。
の高いレーザーダイオード励起固体レーザーを安価に得
る。 【構成】 固体レーザー媒質としてＮｄ：ＹＶＯ4 結晶
14を用い、この結晶14の厚さｔを、Ｎｄイオン濃度をＮ
（ａｔ％）として、 0.005 ｍｍ／Ｎ≦ｔ≦0.3 ｍｍ／Ｎ の範囲内、さらに好ましくは 0.02ｍｍ／Ｎ≦ｔ≦0.1 ｍｍ／Ｎ の範囲内に設定して、 4Ｆ3/2 → 4Ｉ9/2 の遷移によっ
て発光させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザーダイオード励起
固体レーザーに関し、特に詳細には、固体レーザー媒質
としてＮｄが添加されたＹＶＯ4 の結晶を使用したレー
ザーダイオード励起固体レーザーに関するものである。
固体レーザーに関し、特に詳細には、固体レーザー媒質
としてＮｄが添加されたＹＶＯ4 の結晶を使用したレー
ザーダイオード励起固体レーザーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば特開昭62-189783 号公報に示され
るように、ネオジウム（Ｎｄ）等の希土類がドーピング
された固体レーザー媒質を、レーザーダイオード（半導
体レーザー）によってポンピングするレーザーダイオー
ド励起固体レーザーが公知となっている。なお、上記の
固体レーザー媒質としては、例えばＹＶＯ4 、ＹＡＧ
（Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12）等の結晶にＮｄをドーピングしたも
のが広く用いられている。
るように、ネオジウム（Ｎｄ）等の希土類がドーピング
された固体レーザー媒質を、レーザーダイオード（半導
体レーザー）によってポンピングするレーザーダイオー
ド励起固体レーザーが公知となっている。なお、上記の
固体レーザー媒質としては、例えばＹＶＯ4 、ＹＡＧ
（Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12）等の結晶にＮｄをドーピングしたも
のが広く用いられている。
【０００３】一方この種のレーザーダイオード励起固体
レーザーにおいては、例えば特開平2-77181 号公報や
「レーザー研究」第１８巻、第８号（1990）ｐ．94〜
ｐ．99に示されるように、より短波長のレーザー光を得
るために、その共振器内に、固体レーザー発振ビームを
波長変換する非線形光学材料のバルク単結晶を配設し
て、固体レーザー発振ビームを第２高調波等に波長変換
することも行なわれている。
レーザーにおいては、例えば特開平2-77181 号公報や
「レーザー研究」第１８巻、第８号（1990）ｐ．94〜
ｐ．99に示されるように、より短波長のレーザー光を得
るために、その共振器内に、固体レーザー発振ビームを
波長変換する非線形光学材料のバルク単結晶を配設し
て、固体レーザー発振ビームを第２高調波等に波長変換
することも行なわれている。
【０００４】上記のようなレーザーダイオード励起固体
レーザーにあっては、それを光波長変換素子と組み合わ
せて例えば青色領域の第２高調波を得る等のために、90
0 〜950 ｎｍの発振波長帯のものが所望されている。従
来、この発振波長帯のレーザーダイオード励起固体レー
ザーとしては、固体レーザー媒質としてＮｄが添加され
たＹＡＧすなわちＮｄ：ＹＡＧを使用し、その 4Ｆ3/2
→ 4Ｉ9/2 の遷移によって発光するもの（発振波長：94
6 ｎｍ）が提供されているだけである。
レーザーにあっては、それを光波長変換素子と組み合わ
せて例えば青色領域の第２高調波を得る等のために、90
0 〜950 ｎｍの発振波長帯のものが所望されている。従
来、この発振波長帯のレーザーダイオード励起固体レー
ザーとしては、固体レーザー媒質としてＮｄが添加され
たＹＡＧすなわちＮｄ：ＹＡＧを使用し、その 4Ｆ3/2
→ 4Ｉ9/2 の遷移によって発光するもの（発振波長：94
6 ｎｍ）が提供されているだけである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このＮｄ：Ｙ
ＡＧを用いた従来のレーザーダイオード励起固体レーザ
ーにおいては、Ｎｄイオン濃度はせいぜい１ａｔ％程度
までしか上げられず、そのため励起レーザービームの吸
収が低いという不具合が認められている。励起レーザー
ビームの吸収が低いと、空間ホールバーニング効果によ
り複数の縦モードが立つようになり、固体レーザーの出
力が不安定になる。
ＡＧを用いた従来のレーザーダイオード励起固体レーザ
ーにおいては、Ｎｄイオン濃度はせいぜい１ａｔ％程度
までしか上げられず、そのため励起レーザービームの吸
収が低いという不具合が認められている。励起レーザー
ビームの吸収が低いと、空間ホールバーニング効果によ
り複数の縦モードが立つようになり、固体レーザーの出
力が不安定になる。
【０００６】また従来のレーザーダイオード励起固体レ
ーザーにおいては、励起レーザービームに対する吸収ス
ペクトル幅が小さいため、温度変化や注入電流変化にと
もなうレーザーダイオードの発振波長変動により、出力
が容易に変動してしまうという問題も認められている。
ーザーにおいては、励起レーザービームに対する吸収ス
ペクトル幅が小さいため、温度変化や注入電流変化にと
もなうレーザーダイオードの発振波長変動により、出力
が容易に変動してしまうという問題も認められている。
【０００７】出力を安定させるために、発振モードを単
一縦モード化するエタロンを設けたり、あるいはレーザ
ーダイオードを厳密に温度調節することも考えられる
が、そのようにすれば、レーザーダイオード励起固体レ
ーザーのコストアップは避けられない。
一縦モード化するエタロンを設けたり、あるいはレーザ
ーダイオードを厳密に温度調節することも考えられる
が、そのようにすれば、レーザーダイオード励起固体レ
ーザーのコストアップは避けられない。
【０００８】先に述べたＮｄ：ＹＶＯ4 においては、Ｎ
ｄイオン濃度を上記より高めることも可能であるが、従
来このＮｄ：ＹＶＯ4 を用いる場合は、 4Ｆ3/2 → 4Ｉ
11/2の遷移による発光を利用する波長1064ｎｍの発振が
確認されているのみであり、900 〜950 ｎｍ帯の発振は
不可能と考えられてきた。
ｄイオン濃度を上記より高めることも可能であるが、従
来このＮｄ：ＹＶＯ4 を用いる場合は、 4Ｆ3/2 → 4Ｉ
11/2の遷移による発光を利用する波長1064ｎｍの発振が
確認されているのみであり、900 〜950 ｎｍ帯の発振は
不可能と考えられてきた。
【０００９】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、900 〜950 ｎｍ帯で発振可能で、出力安定性が
高く、そして安価に形成可能なレーザーダイオード励起
固体レーザーを提供することを目的とするものである。
であり、900 〜950 ｎｍ帯で発振可能で、出力安定性が
高く、そして安価に形成可能なレーザーダイオード励起
固体レーザーを提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によるレーザーダ
イオード励起固体レーザーは、固体レーザー媒質として
Ｎｄ：ＹＶＯ4 の結晶が用いられ、この結晶の厚さｔ
が、Ｎｄイオン濃度をＮ（ａｔ％）として、 0.005 ｍｍ／Ｎ≦ｔ≦0.3 ｍｍ／Ｎ ……(1) の範囲内に設定され、 4Ｆ3/2 → 4Ｉ9/2 の遷移によっ
て発光することを特徴とするものである。
イオード励起固体レーザーは、固体レーザー媒質として
Ｎｄ：ＹＶＯ4 の結晶が用いられ、この結晶の厚さｔ
が、Ｎｄイオン濃度をＮ（ａｔ％）として、 0.005 ｍｍ／Ｎ≦ｔ≦0.3 ｍｍ／Ｎ ……(1) の範囲内に設定され、 4Ｆ3/2 → 4Ｉ9/2 の遷移によっ
て発光することを特徴とするものである。
【００１１】なお本発明において上記結晶の厚さｔは、
さらに好ましくは、 0.02ｍｍ／Ｎ≦ｔ≦0.1 ｍｍ／Ｎ ……(2) の範囲内に設定される。
さらに好ましくは、 0.02ｍｍ／Ｎ≦ｔ≦0.1 ｍｍ／Ｎ ……(2) の範囲内に設定される。
【００１２】
【作用および発明の効果】従来、Ｎｄ：ＹＶＯ4 をレー
ザー媒質として用いる際に、 4Ｆ3/2 → 4Ｉ９／２の遷
移による発光を利用する９００ 〜950 ｎｍ帯の発振が
不可能であることの理由は、波長914 ｎｍの発光に対す
るＮｄ：ＹＶＯ4 の再吸収が非常に大きいことにある。
そこで、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶の厚さ、すなわち励起レー
ザービームとの作用長を上記範囲内にある比較的小さい
値にすると、再吸収によるロスが低減して、 4Ｆ3/2 →
4Ｉ9/2 の遷移に基づく900 〜950 ｎｍ帯のレーザー発
振（波長914 ｎｍ）が可能となる。
ザー媒質として用いる際に、 4Ｆ3/2 → 4Ｉ９／２の遷
移による発光を利用する９００ 〜950 ｎｍ帯の発振が
不可能であることの理由は、波長914 ｎｍの発光に対す
るＮｄ：ＹＶＯ4 の再吸収が非常に大きいことにある。
そこで、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶の厚さ、すなわち励起レー
ザービームとの作用長を上記範囲内にある比較的小さい
値にすると、再吸収によるロスが低減して、 4Ｆ3/2 →
4Ｉ9/2 の遷移に基づく900 〜950 ｎｍ帯のレーザー発
振（波長914 ｎｍ）が可能となる。
【００１３】図３は、Ｎｄイオン濃度を１ａｔ％とした
ときのＮｄ：ＹＶＯ4 結晶の厚さｔと、発振しきい値と
の関係を示すものである。この場合、最適な結晶厚さｔ
の範囲は、 0.005 ｍｍ≦ｔ≦0.3 ｍｍ と考えられる。すなわち、結晶厚さｔがこの範囲にあれ
ば、発振しきい値はほぼ17ｍＷ以下で、容易に発振可能
となる。なお図３の測定結果は、励起レーザービームの
径および固体レーザービームの径が、ともに40μｍの場
合のものである。またこの場合、結晶厚さｔが図３中ｔ
ｗで示す範囲にあれば、発振しきい値は極小値13ｍＷ、
あるいはそれとほとんど変わらない値を取るので、特に
好ましいと言える。このｔｗで示す範囲は、0.02ｍｍ≦
ｔ≦0.1 ｍｍである。
ときのＮｄ：ＹＶＯ4 結晶の厚さｔと、発振しきい値と
の関係を示すものである。この場合、最適な結晶厚さｔ
の範囲は、 0.005 ｍｍ≦ｔ≦0.3 ｍｍ と考えられる。すなわち、結晶厚さｔがこの範囲にあれ
ば、発振しきい値はほぼ17ｍＷ以下で、容易に発振可能
となる。なお図３の測定結果は、励起レーザービームの
径および固体レーザービームの径が、ともに40μｍの場
合のものである。またこの場合、結晶厚さｔが図３中ｔ
ｗで示す範囲にあれば、発振しきい値は極小値13ｍＷ、
あるいはそれとほとんど変わらない値を取るので、特に
好ましいと言える。このｔｗで示す範囲は、0.02ｍｍ≦
ｔ≦0.1 ｍｍである。
【００１４】一方、Ｎｄイオン濃度をそれぞれ0.5 ａｔ
％、２ａｔ％としたときのＮｄ：ＹＶＯ4 結晶の厚さｔ
と、発振しきい値との関係を図４、図５に示す。これら
の場合とＮｄイオン濃度を１ａｔ％とした場合すべてに
ついて、Ｎｄイオン濃度をＮ（ａｔ％）として、発振し
きい値が上記のようにほぼ17ｍＷ程度以下となる結晶厚
さｔの範囲を求めると(1) 式のようになり、また発振し
きい値が極小値、あるいはそれとほとんど変わらない値
を取る結晶厚さｔの範囲（図４および図５においてもｔ
ｗで示す）を求めると、(2) 式のようになる。
％、２ａｔ％としたときのＮｄ：ＹＶＯ4 結晶の厚さｔ
と、発振しきい値との関係を図４、図５に示す。これら
の場合とＮｄイオン濃度を１ａｔ％とした場合すべてに
ついて、Ｎｄイオン濃度をＮ（ａｔ％）として、発振し
きい値が上記のようにほぼ17ｍＷ程度以下となる結晶厚
さｔの範囲を求めると(1) 式のようになり、また発振し
きい値が極小値、あるいはそれとほとんど変わらない値
を取る結晶厚さｔの範囲（図４および図５においてもｔ
ｗで示す）を求めると、(2) 式のようになる。
【００１５】そしてＮｄ：ＹＶＯ4 は、Ｎｄイオン濃度
を５ａｔ％程度まで上げることができる。このようにＮ
ｄイオン濃度を十分に上げることができれば、励起レー
ザービームの吸収が良好になるから、レーザーダイオー
ド励起固体レーザーの単一縦モード化が実現され、その
出力が安定化される。Ｎｄイオン濃度を１ａｔ％に設定
したＮｄ：ＹＶＯ4 の結晶について、実際に吸収特性を
調べたところ、波長810 ｎｍの励起レーザービームに対
する吸収係数α＝30ｃｍ-1であり、同じくＮｄイオン濃
度を１ａｔ％とした場合のＮｄ：ＹＡＧの吸収係数α＝
6.0 ｃｍ-1と比較して十分高いことが確認された。
を５ａｔ％程度まで上げることができる。このようにＮ
ｄイオン濃度を十分に上げることができれば、励起レー
ザービームの吸収が良好になるから、レーザーダイオー
ド励起固体レーザーの単一縦モード化が実現され、その
出力が安定化される。Ｎｄイオン濃度を１ａｔ％に設定
したＮｄ：ＹＶＯ4 の結晶について、実際に吸収特性を
調べたところ、波長810 ｎｍの励起レーザービームに対
する吸収係数α＝30ｃｍ-1であり、同じくＮｄイオン濃
度を１ａｔ％とした場合のＮｄ：ＹＡＧの吸収係数α＝
6.0 ｃｍ-1と比較して十分高いことが確認された。
【００１６】他方、励起レーザービームの吸収スペクト
ル幅をみると、例えばＮｄ：ＹＡＧのそれは、波長800
ｎｍ付近の吸収ピークの半値幅が約２ｎｍであるのに対
し、Ｎｄイオン濃度を１ａｔ％としたＮｄ：ＹＶＯ4 で
は約４ｎｍと、上記に対して十分に広くなっている。こ
のように励起レーザービームに対する吸収スペクトル幅
が大きければ、励起レーザービームの波長が多少変動し
ても、安定した出力が得られるようになる。
ル幅をみると、例えばＮｄ：ＹＡＧのそれは、波長800
ｎｍ付近の吸収ピークの半値幅が約２ｎｍであるのに対
し、Ｎｄイオン濃度を１ａｔ％としたＮｄ：ＹＶＯ4 で
は約４ｎｍと、上記に対して十分に広くなっている。こ
のように励起レーザービームに対する吸収スペクトル幅
が大きければ、励起レーザービームの波長が多少変動し
ても、安定した出力が得られるようになる。
【００１７】そして上記構成の本発明のレーザーダイオ
ード励起固体レーザーは、発振モードを単一縦モード化
するエタロンや、あるいはレーザーダイオードを厳密に
温度調節する手段を設けなくても、上述のようにして出
力安定化が実現されるものであるから、比較的安価に形
成可能となる。
ード励起固体レーザーは、発振モードを単一縦モード化
するエタロンや、あるいはレーザーダイオードを厳密に
温度調節する手段を設けなくても、上述のようにして出
力安定化が実現されるものであるから、比較的安価に形
成可能となる。
【００１８】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施例によるレ
ーザーダイオード励起固体レーザーを示すものである。
このレーザーダイオード励起固体レーザーは、励起光
（ポンピング光）としてのレーザービーム10を発するレ
ーザーダイオード11と、発散光状態で発せられた上記レ
ーザービーム10を平行光化するコリメーターレンズ12
と、平行光状態のレーザービーム10を集束させる集光レ
ンズ13と、Ｎｄイオン濃度が１ａｔ％に設定されたＮ
ｄ：ＹＶＯ4 の結晶14と、このＮｄ：ＹＶＯ4 結晶14の
前方（図中右方側）に配された共振器ミラー15とから構
成されている。
詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施例によるレ
ーザーダイオード励起固体レーザーを示すものである。
このレーザーダイオード励起固体レーザーは、励起光
（ポンピング光）としてのレーザービーム10を発するレ
ーザーダイオード11と、発散光状態で発せられた上記レ
ーザービーム10を平行光化するコリメーターレンズ12
と、平行光状態のレーザービーム10を集束させる集光レ
ンズ13と、Ｎｄイオン濃度が１ａｔ％に設定されたＮ
ｄ：ＹＶＯ4 の結晶14と、このＮｄ：ＹＶＯ4 結晶14の
前方（図中右方側）に配された共振器ミラー15とから構
成されている。
【００１９】厚さ0.1 ｍｍに形成されたＮｄ：ＹＶＯ4
結晶14は、波長810 ｎｍのレーザービーム10によってＮ
ｄ原子が励起されることにより、 4Ｆ3/2 → 4Ｉ9/2 の
遷移による波長914 ｎｍの蛍光を発し、そのレーザー発
振も確認された。また発振モードが単一縦モードである
ことも確認された。このレーザー発振が可能な理由は、
先に述べた通りである。このようにして発振した波長91
4 ｎｍのレーザービーム16は、共振器ミラー15から出射
する。
結晶14は、波長810 ｎｍのレーザービーム10によってＮ
ｄ原子が励起されることにより、 4Ｆ3/2 → 4Ｉ9/2 の
遷移による波長914 ｎｍの蛍光を発し、そのレーザー発
振も確認された。また発振モードが単一縦モードである
ことも確認された。このレーザー発振が可能な理由は、
先に述べた通りである。このようにして発振した波長91
4 ｎｍのレーザービーム16は、共振器ミラー15から出射
する。
【００２０】なお本実施例においては、Ｎｄ：ＹＶＯ4
結晶14のＮｄイオン濃度Ｎ＝１ａｔ％であるから、前述
した(1) 式を満足する結晶厚さｔの範囲は0.005 ｍｍ≦
ｔ≦0.3 ｍｍであり、結晶厚さｔ＝0.1 ｍｍは勿論この
範囲内にある。また先に(2)式で示した特に好ましい結
晶厚さｔの範囲は、この場合0.02ｍｍ≦ｔ≦0.1 ｍｍと
なるが、本実施例の結晶厚さｔ＝0.1 ｍｍはこの範囲内
にもある。
結晶14のＮｄイオン濃度Ｎ＝１ａｔ％であるから、前述
した(1) 式を満足する結晶厚さｔの範囲は0.005 ｍｍ≦
ｔ≦0.3 ｍｍであり、結晶厚さｔ＝0.1 ｍｍは勿論この
範囲内にある。また先に(2)式で示した特に好ましい結
晶厚さｔの範囲は、この場合0.02ｍｍ≦ｔ≦0.1 ｍｍと
なるが、本実施例の結晶厚さｔ＝0.1 ｍｍはこの範囲内
にもある。
【００２１】本実施例では、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14の光
入射側端面14ａと共振器ミラー15とによって固体レーザ
ーの共振器が構成されており、この端面14ａ、もう１つ
の結晶端面14ｂおよび共振器ミラー15のミラー面15ａ
の、波長810 ｎｍおよび914 ｎｍに対する反射特性は適
宜のコーティングにより下表の通りに調整されている。
なおこの表中で、ＡＲは無反射、ＨＲは高反射を示す。
入射側端面14ａと共振器ミラー15とによって固体レーザ
ーの共振器が構成されており、この端面14ａ、もう１つ
の結晶端面14ｂおよび共振器ミラー15のミラー面15ａ
の、波長810 ｎｍおよび914 ｎｍに対する反射特性は適
宜のコーティングにより下表の通りに調整されている。
なおこの表中で、ＡＲは無反射、ＨＲは高反射を示す。
【００２２】 上記の構成においては、共振器ミラー15から出射する固
体レーザービーム16の出力が極めて安定していることが
確認された。その理由は、先に述べた通りである。
体レーザービーム16の出力が極めて安定していることが
確認された。その理由は、先に述べた通りである。
【００２３】比較のために、上記Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14
に代えて、Ｎｄイオン濃度が１ａｔ％で厚さ１ｍｍに形
成されたＮｄ：ＹＡＧ結晶を用い、その他は上記第１実
施例と同様の構成を有するレーザーダイオード励起固体
レーザーを作成した。この比較例のレーザーダイオード
励起固体レーザーにおいては、波長946 ｎｍの発振が確
認されたが、その発振モードは多重縦モードであった。
に代えて、Ｎｄイオン濃度が１ａｔ％で厚さ１ｍｍに形
成されたＮｄ：ＹＡＧ結晶を用い、その他は上記第１実
施例と同様の構成を有するレーザーダイオード励起固体
レーザーを作成した。この比較例のレーザーダイオード
励起固体レーザーにおいては、波長946 ｎｍの発振が確
認されたが、その発振モードは多重縦モードであった。
【００２４】次に、図２を参照して本発明の第２実施例
について説明する。なおこの図２において、図１中の要
素と同等の要素には同番号を付し、それらについての重
複した説明は省略する。
について説明する。なおこの図２において、図１中の要
素と同等の要素には同番号を付し、それらについての重
複した説明は省略する。
【００２５】この第２実施例のレーザーダイオード励起
固体レーザーは、第１実施例装置と比べると、共振器内
に光波長変換素子20が配置されている点のみが異なるも
のである。本実施例においてはこの光波長変換素子20と
して、非線形光学効果を有するＫＮｂＯ3 の結晶が用い
られている。
固体レーザーは、第１実施例装置と比べると、共振器内
に光波長変換素子20が配置されている点のみが異なるも
のである。本実施例においてはこの光波長変換素子20と
して、非線形光学効果を有するＫＮｂＯ3 の結晶が用い
られている。
【００２６】上記の構成において、波長914 ｎｍのレー
ザービーム16は光波長変換素子20に入射し、波長が１／
２すなわち457 ｎｍの第２高調波21に変換される。本装
置において、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14の端面14ａ、14ｂ、
光波長変換素子20の端面20ａ、20ｂおよびミラー面15ａ
の、波長810 ｎｍ、914 ｎｍおよび457 ｎｍに対する反
射特性は下表の通りに調整されており、共振器ミラー15
から第２高調波21が出射する。
ザービーム16は光波長変換素子20に入射し、波長が１／
２すなわち457 ｎｍの第２高調波21に変換される。本装
置において、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶14の端面14ａ、14ｂ、
光波長変換素子20の端面20ａ、20ｂおよびミラー面15ａ
の、波長810 ｎｍ、914 ｎｍおよび457 ｎｍに対する反
射特性は下表の通りに調整されており、共振器ミラー15
から第２高調波21が出射する。
【００２７】 810 ｎｍ 914 ｎｍ 457 ｎｍ 端 面14ａ ＡＲ ＨＲ − 端 面14ｂ − ＡＲ ＨＲ 端 面20ａ − ＡＲ ＡＲ 端 面20ｂ − ＡＲ ＡＲ ミラー面15ａ − ＨＲ ＡＲ この構成においても、共振器ミラー15から出射する第２
高調波21の出力が極めて安定していることが確認され
た。
高調波21の出力が極めて安定していることが確認され
た。
【００２８】なお本発明のレーザーダイオード励起固体
レーザーの共振器内に光波長変換素子を配置する場合、
その光波長変換素子は上記ＫＮｂＯ3 からなるものに限
らず、例えばＫＴ：ＯＰＯ4 やβ−ＢａＢ2 Ｏ4 等、そ
の他の公知のものが用いられてもよい。
レーザーの共振器内に光波長変換素子を配置する場合、
その光波長変換素子は上記ＫＮｂＯ3 からなるものに限
らず、例えばＫＴ：ＯＰＯ4 やβ−ＢａＢ2 Ｏ4 等、そ
の他の公知のものが用いられてもよい。
【図１】本発明の第１実施例装置を示す概略側面図
【図２】本発明の第２実施例装置を示す概略側面図
【図３】Ｎｄイオン濃度が１ａｔ％のときのＮｄ：ＹＶ
Ｏ4 の結晶厚さと発振しきい値との関係を示すグラフ
Ｏ4 の結晶厚さと発振しきい値との関係を示すグラフ
【図４】Ｎｄイオン濃度が0.5 ａｔ％のときのＮｄ：Ｙ
ＶＯ4 の結晶厚さと発振しきい値との関係を示すグラフ
ＶＯ4 の結晶厚さと発振しきい値との関係を示すグラフ
【図５】Ｎｄイオン濃度が２ａｔ％のときのＮｄ：ＹＶ
Ｏ4 の結晶厚さと発振しきい値との関係を示すグラフ
Ｏ4 の結晶厚さと発振しきい値との関係を示すグラフ
10 レーザービーム（ポンピング光） 11 レーザーダイオード 12 コリメーターレンズ 13 集光レンズ 14 Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶 15 共振器ミラー 16 固体レーザービーム 20 光波長変換素子 21 第２高調波
Claims (3)
- 【請求項１】 固体レーザー媒質をレーザーダイオード
によって励起するレーザーダイオード励起固体レーザー
において、 固体レーザー媒質として、Ｎｄが添加されたＹＶＯ4 の
結晶が用いられ、 この結晶の厚さｔが、Ｎｄイオン濃度をＮ（ａｔ％）と
して、 0.005 ｍｍ／Ｎ≦ｔ≦0.3 ｍｍ／Ｎ の範囲内に設定され、4 Ｆ3/2 → 4Ｉ9/2 の遷移によって発光することを特徴
とするレーザーダイオード励起固体レーザー。 - 【請求項２】 前記結晶の厚さｔが、 0.02ｍｍ／Ｎ≦ｔ≦0.1 ｍｍ／Ｎ の範囲内に設定されていることを特徴とする請求項１に
記載のレーザーダイオード励起固体レーザー。 - 【請求項３】 共振器内に固体レーザービームを波長変
換する光波長変換素子が配設されていることを特徴とす
る請求項１または２に記載のレーザーダイオード励起固
体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29865492A JPH06152045A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | レーザーダイオード励起固体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29865492A JPH06152045A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | レーザーダイオード励起固体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06152045A true JPH06152045A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17862537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29865492A Withdrawn JPH06152045A (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | レーザーダイオード励起固体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06152045A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111900A (en) * | 1997-03-13 | 2000-08-29 | Ricoh Company, Ltd. | Solid-state laser apparatus and method with second harmonic wave features |
-
1992
- 1992-11-09 JP JP29865492A patent/JPH06152045A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111900A (en) * | 1997-03-13 | 2000-08-29 | Ricoh Company, Ltd. | Solid-state laser apparatus and method with second harmonic wave features |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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