JP3145775B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JP3145775B2 JP3145775B2 JP08235992A JP8235992A JP3145775B2 JP 3145775 B2 JP3145775 B2 JP 3145775B2 JP 08235992 A JP08235992 A JP 08235992A JP 8235992 A JP8235992 A JP 8235992A JP 3145775 B2 JP3145775 B2 JP 3145775B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、塩素系ガスを用いたＩ
ｎＰ系材料のドライエッチング方法に関する。
ｎＰ系材料のドライエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】塩素系材料を用いたＩｎＰ系材料のドラ
イエッチングは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ），
反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ），イオンビ
ーム励起エッチング（ＩＢＡＥ）等のエッチング方法で
行われている。その際、エッチャントガスには塩素，Ｃ
Ｃｌ2 Ｆ2 ，ＣＣｌ4 等の塩素を含むガス及びそれらと
Ａｒ，Ｏ2 ，Ｈ2 などのガスを混ぜたものが用いられて
いる。
イエッチングは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ），
反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ），イオンビ
ーム励起エッチング（ＩＢＡＥ）等のエッチング方法で
行われている。その際、エッチャントガスには塩素，Ｃ
Ｃｌ2 Ｆ2 ，ＣＣｌ4 等の塩素を含むガス及びそれらと
Ａｒ，Ｏ2 ，Ｈ2 などのガスを混ぜたものが用いられて
いる。
【０００３】これらのガスを用いてＩｎＰ系材料をエッ
チングすると、反応生成物、及び脱離種としては、Ｉｎ
についてはＩｎＣｌX （Ｘ＝１，２，３），Ｐについて
はＰ，Ｐ4 ，ＰＣｌX （Ｘ＝１，２，３，４，５）等が
考えられる。Ｉｎ系の脱離種であるＩｎＣｌX は、蒸気
圧が低く、１ａｔｍにおいて沸点は６００℃前後であ
る。これに対してＰ系の脱離種は蒸気圧が高く、例とし
てＰＣｌX の１ａｔｍにおける沸点は１００℃前後であ
る。
チングすると、反応生成物、及び脱離種としては、Ｉｎ
についてはＩｎＣｌX （Ｘ＝１，２，３），Ｐについて
はＰ，Ｐ4 ，ＰＣｌX （Ｘ＝１，２，３，４，５）等が
考えられる。Ｉｎ系の脱離種であるＩｎＣｌX は、蒸気
圧が低く、１ａｔｍにおいて沸点は６００℃前後であ
る。これに対してＰ系の脱離種は蒸気圧が高く、例とし
てＰＣｌX の１ａｔｍにおける沸点は１００℃前後であ
る。
【０００４】従来のエッチングにおいて、エッチングプ
ロファイルは、基板温度，塩素系ガス分圧に大きく依存
し、基板温度及び塩素系ガス分圧が高い化学反応性の強
いエッチング条件では、アンダーカット形状となる。ま
た、化学反応性が弱く、物理スパッタリング性の強い条
件では、オーバーカットメサ形状となる。その中間の化
学反応性と物理スパッタリング性とのバランスのとれた
エッチング条件においては、垂直エッチングが実現され
る。
ロファイルは、基板温度，塩素系ガス分圧に大きく依存
し、基板温度及び塩素系ガス分圧が高い化学反応性の強
いエッチング条件では、アンダーカット形状となる。ま
た、化学反応性が弱く、物理スパッタリング性の強い条
件では、オーバーカットメサ形状となる。その中間の化
学反応性と物理スパッタリング性とのバランスのとれた
エッチング条件においては、垂直エッチングが実現され
る。
【０００５】塩素を用いたＲＩＢＥによってＩｎＰ基板
の平滑エッチングを行う場合、従来は、基板温度１５０
℃，イオン加速電圧５００Ｖ，塩素分圧１×１０- 3 Ｔ
ｏｒｒのエッチング条件で行っている。このエッチング
条件では、肉眼では鏡面に見えるが、Ｉｎ塩化物の脱離
が不十分で、かつその再付着もあり、走査型顕微鏡では
表面に蜂の巣状の荒れが観察される。
の平滑エッチングを行う場合、従来は、基板温度１５０
℃，イオン加速電圧５００Ｖ，塩素分圧１×１０- 3 Ｔ
ｏｒｒのエッチング条件で行っている。このエッチング
条件では、肉眼では鏡面に見えるが、Ｉｎ塩化物の脱離
が不十分で、かつその再付着もあり、走査型顕微鏡では
表面に蜂の巣状の荒れが観察される。
【０００６】同様に塩素を用いたＲＩＢＥによって、Ｉ
ｎＰ基板のエッチングを行う際に、基板温度を２３０℃
に保持し、Ｉｎ塩化物の再付着を低減することができる
ので、イオン加速電圧５００Ｖ，塩素分圧１×１０- 3
Ｔｏｒｒでは表面荒れは低減できるが、側面にサイドエ
ッチングが入り、面方位に依存したエッチングプロファ
イルとなる。
ｎＰ基板のエッチングを行う際に、基板温度を２３０℃
に保持し、Ｉｎ塩化物の再付着を低減することができる
ので、イオン加速電圧５００Ｖ，塩素分圧１×１０- 3
Ｔｏｒｒでは表面荒れは低減できるが、側面にサイドエ
ッチングが入り、面方位に依存したエッチングプロファ
イルとなる。
【０００７】
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のエッ
チング方法では、ＩｎＣｌｘの蒸気圧が低いためＩｎＣ
ｌｘの基板への再付着による表面荒れが起こるという問
題がある。また基板からのＰ系物質の脱離に対してＩｎ
系物質の脱離が非常に遅いため、基板表面がＩｎ過剰に
なり、表面荒れが生じてしまうという問題がある。
チング方法では、ＩｎＣｌｘの蒸気圧が低いためＩｎＣ
ｌｘの基板への再付着による表面荒れが起こるという問
題がある。また基板からのＰ系物質の脱離に対してＩｎ
系物質の脱離が非常に遅いため、基板表面がＩｎ過剰に
なり、表面荒れが生じてしまうという問題がある。
【０００９】また、表面荒れを低減しようとして化学反
応性を増すと、垂直プロファイルが得られなくなるとい
う問題がある。また、高イオンエネルギーにより垂直平
滑エッチングを行っても底面には１００ｎｍ程度の突起
状の凹凸が残る問題がある。
応性を増すと、垂直プロファイルが得られなくなるとい
う問題がある。また、高イオンエネルギーにより垂直平
滑エッチングを行っても底面には１００ｎｍ程度の突起
状の凹凸が残る問題がある。
【００１０】本発明の目的は、塩素系ガスを用いてＩｎ
Ｐ系基板を垂直、かつ平滑にエッチングする方法を提供
することにある。
Ｐ系基板を垂直、かつ平滑にエッチングする方法を提供
することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によるドライエッチング方法においては、Ｉ
ｎＰ系材料を塩素系ガスを用いてドライエッチングする
に際し、基板温度を１６０℃以上に保持しつつ、イオン
エネルギーを８００ｅＶ以上、かつ、塩素系ガス分圧を
１×１０-4Ｔｏｒｒ以下として垂直側壁形成可能な範囲
に維持してエッチングを行うものである。
め、本発明によるドライエッチング方法においては、Ｉ
ｎＰ系材料を塩素系ガスを用いてドライエッチングする
に際し、基板温度を１６０℃以上に保持しつつ、イオン
エネルギーを８００ｅＶ以上、かつ、塩素系ガス分圧を
１×１０-4Ｔｏｒｒ以下として垂直側壁形成可能な範囲
に維持してエッチングを行うものである。
【００１２】
【００１３】
【作用】基板温度を高く保持することで脱離しにくいＩ
ｎ系物質を熱的に脱離しやすい状態にできるので、Ｉｎ
Ｃｌxの再付着による表面荒れを低減することが可能で
ある。図３はイオンビームアシストエッチング（ＩＢＡ
Ｅ）によるＩｎＰのエッチングの基板温度依存性を示す
図である。ＩｎＰ系材料は、図３に示したＩｎＰのよう
に、エッチング速度が基板温度に大きく依存する。これ
は、エッチングをＩｎＣｌxの脱離が律速しているた
め、ＩｎＣｌxの蒸気圧の温度依存性があらわれたもの
である。
ｎ系物質を熱的に脱離しやすい状態にできるので、Ｉｎ
Ｃｌxの再付着による表面荒れを低減することが可能で
ある。図３はイオンビームアシストエッチング（ＩＢＡ
Ｅ）によるＩｎＰのエッチングの基板温度依存性を示す
図である。ＩｎＰ系材料は、図３に示したＩｎＰのよう
に、エッチング速度が基板温度に大きく依存する。これ
は、エッチングをＩｎＣｌxの脱離が律速しているた
め、ＩｎＣｌxの蒸気圧の温度依存性があらわれたもの
である。
【００１４】したがって、Ｉｎが速やかに脱離する温度
とは、図３でいう領域３の温度であり、温度測定方法，
ガス圧，装置の個体差に依存するが、図３のようなエッ
チング速度の温度依存を測れば明らかとなる。
とは、図３でいう領域３の温度であり、温度測定方法，
ガス圧，装置の個体差に依存するが、図３のようなエッ
チング速度の温度依存を測れば明らかとなる。
【００１５】さらにイオンエネルギーを高くし（８００
ｅＶ以上）、基板表面での塩素系ガス分圧を低くするこ
とでＩｎ系物質の脱離とＰ系物質の脱離し易さの差を縮
めることができ、平滑な表面を有するエッチングが可能
となる。このとき、高イオンエネルギー、かつ低塩素系
ガス分圧なので物理スパッタリング性が強く、側壁にア
ンダーカットが入ったり、面方位が現れることがなく、
エッチング形状が制御しやすい。
ｅＶ以上）、基板表面での塩素系ガス分圧を低くするこ
とでＩｎ系物質の脱離とＰ系物質の脱離し易さの差を縮
めることができ、平滑な表面を有するエッチングが可能
となる。このとき、高イオンエネルギー、かつ低塩素系
ガス分圧なので物理スパッタリング性が強く、側壁にア
ンダーカットが入ったり、面方位が現れることがなく、
エッチング形状が制御しやすい。
【００１６】Ｉｎ系物質とＰ系物質との脱離の差は、エ
ッチングの化学反応性と物理スパッタリング性のバラン
スに依存する。したがって、高エネルギー，低塩素系ガ
ス分圧というのは、双方のバランスが重要であり、イオ
ンエネルギーを上げた場合は塩素系ガス分圧も上げるこ
とになる。
ッチングの化学反応性と物理スパッタリング性のバラン
スに依存する。したがって、高エネルギー，低塩素系ガ
ス分圧というのは、双方のバランスが重要であり、イオ
ンエネルギーを上げた場合は塩素系ガス分圧も上げるこ
とになる。
【００１７】平滑エッチングが実現される条件の例とし
ては、実施例にもあげるが、我々の装置でＲＩＢＥを行
ったとき、イオンエネルギー９００ｅＶ，塩素系ガス分
圧７×１０- 5 Ｔｏｒｒであった。これらの数値は、装
置の個体差に依存するが、定性的に述べると、反応性ス
パッタリングあるいは、低い化学反応性を伴うスパッタ
リングのようなエッチング条件のことである。
ては、実施例にもあげるが、我々の装置でＲＩＢＥを行
ったとき、イオンエネルギー９００ｅＶ，塩素系ガス分
圧７×１０- 5 Ｔｏｒｒであった。これらの数値は、装
置の個体差に依存するが、定性的に述べると、反応性ス
パッタリングあるいは、低い化学反応性を伴うスパッタ
リングのようなエッチング条件のことである。
【００１８】
【実施例】以上に本発明の実施例を図によって説明す
る。図１は、ＲＩＢＥ装置を用いてＩｎＰウェハー６を
エッチングする例を示した図である。図に示すエッチン
グ装置は、エッチング室４の上部にプラズマ室２を有
し、下部にクライオポンプ９が設けられたものである。
プラズマ室２には塩素ガス導入管１が接続され、イオン
加速電極３を有している。エッチング室４内には基板ヒ
ータ７が設置されている。
る。図１は、ＲＩＢＥ装置を用いてＩｎＰウェハー６を
エッチングする例を示した図である。図に示すエッチン
グ装置は、エッチング室４の上部にプラズマ室２を有
し、下部にクライオポンプ９が設けられたものである。
プラズマ室２には塩素ガス導入管１が接続され、イオン
加速電極３を有している。エッチング室４内には基板ヒ
ータ７が設置されている。
【００１９】ＩｎＰ基板６は、基板ヒーター７によって
２３０℃に保持されている。プラズマ室２に塩素ガスを
ガス導入管１より導入し、塩素プラズマをたてる。エッ
チング室２のガス圧は、ゲートバルブ８により制御さ
れ、１×１０- 4 Ｔｏｒｒに保たれている。イオン加速
電極３の上下に１４５０Ｖの電圧をかけて塩素イオンビ
ーム５をＩｎＰウェハー６に照射することで、垂直平滑
エッチングが実現される。図２は、電極３にかけるイオ
ン加速電圧と表面荒れとの関係を示した図である。イオ
ン加速電圧を８００ｅＶ以上とすることで表面荒れを低
減できることがわかる。
２３０℃に保持されている。プラズマ室２に塩素ガスを
ガス導入管１より導入し、塩素プラズマをたてる。エッ
チング室２のガス圧は、ゲートバルブ８により制御さ
れ、１×１０- 4 Ｔｏｒｒに保たれている。イオン加速
電極３の上下に１４５０Ｖの電圧をかけて塩素イオンビ
ーム５をＩｎＰウェハー６に照射することで、垂直平滑
エッチングが実現される。図２は、電極３にかけるイオ
ン加速電圧と表面荒れとの関係を示した図である。イオ
ン加速電圧を８００ｅＶ以上とすることで表面荒れを低
減できることがわかる。
【００２０】本発明の第２の実施例について説明する。
第１の実施例と同じ図１の装置を用いた。ＩｎＰウェハ
ー６は、基板ヒーター７によって１６０℃に保持されて
いる。プラズマ室２に、塩素ガスをガス導入管１より導
入し、塩素プラズマをたてる。エッチング室４のガス圧
は、クライオポンプ９に通ずるゲートバルブ８により制
御され、７×１０- 5 Ｔｏｒｒに保たれている。イオン
加速電極３の上下に９００Ｖの電圧をかけて塩素イオン
ビーム５をＩｎＰウェハー６に照射することで高平滑エ
ッチングが実現される。
第１の実施例と同じ図１の装置を用いた。ＩｎＰウェハ
ー６は、基板ヒーター７によって１６０℃に保持されて
いる。プラズマ室２に、塩素ガスをガス導入管１より導
入し、塩素プラズマをたてる。エッチング室４のガス圧
は、クライオポンプ９に通ずるゲートバルブ８により制
御され、７×１０- 5 Ｔｏｒｒに保たれている。イオン
加速電極３の上下に９００Ｖの電圧をかけて塩素イオン
ビーム５をＩｎＰウェハー６に照射することで高平滑エ
ッチングが実現される。
【００２１】底面の平滑度は、走査型電子顕微鏡による
観察から凹凸が１０ｎｍ以下である。側壁は、エッチン
グのマスクから外側へ傾斜するオーバーカットメサ形状
となり、その傾斜角度は８２度である。第１の実施例の
場合と比較すると、第１の実施例では垂直平滑エッチン
グが行えるが、底面には１００ｎｍ程度の突起状の凹凸
が残り平滑度は不十分であったのに対し、第２の実施例
では凹凸が１０ｎｍ以下と高平滑なエッチングができ
た。
観察から凹凸が１０ｎｍ以下である。側壁は、エッチン
グのマスクから外側へ傾斜するオーバーカットメサ形状
となり、その傾斜角度は８２度である。第１の実施例の
場合と比較すると、第１の実施例では垂直平滑エッチン
グが行えるが、底面には１００ｎｍ程度の突起状の凹凸
が残り平滑度は不十分であったのに対し、第２の実施例
では凹凸が１０ｎｍ以下と高平滑なエッチングができ
た。
【００２２】側壁の傾斜が問題となる場合には、基板を
イオンビームに対して傾けて回転することで垂直側壁も
得られる。
イオンビームに対して傾けて回転することで垂直側壁も
得られる。
【００２３】上記基板は、ＩｎＰに限定されず、ＩｎＡ
ｌＡｓ，ＩｎＧａＡｓ，ＡｌＧａＩｎＰ等の他のＩｎＰ
系材料でも、またＧａＡｓ基板でも同様の平滑度、プロ
ファイルとなる。そのためこれらの材料の多層構造を有
する基板を、側壁におけるサイドエッチングの差に起因
する各層間の段差を生じさせずに平坦な側壁を有するエ
ッチングを行える。
ｌＡｓ，ＩｎＧａＡｓ，ＡｌＧａＩｎＰ等の他のＩｎＰ
系材料でも、またＧａＡｓ基板でも同様の平滑度、プロ
ファイルとなる。そのためこれらの材料の多層構造を有
する基板を、側壁におけるサイドエッチングの差に起因
する各層間の段差を生じさせずに平坦な側壁を有するエ
ッチングを行える。
【００２４】エッチング方法もＲＩＢＥに限定されず、
ＲＩＥ，ＩＢＡＥ等他の塩素系ガスとイオンを用いるエ
ッチング方法でも構わない。ガス系も塩素に限らず、Ｃ
Ｃｌ2 Ｆ，ＣＣｌ4 ，Ａｒ／Ｃｌ混合ガスなどでも構わ
ない。
ＲＩＥ，ＩＢＡＥ等他の塩素系ガスとイオンを用いるエ
ッチング方法でも構わない。ガス系も塩素に限らず、Ｃ
Ｃｌ2 Ｆ，ＣＣｌ4 ，Ａｒ／Ｃｌ混合ガスなどでも構わ
ない。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ＩｎＰ
系材料を塩素系ガスを用いてドライエッチングするに際
し、基板温度をＩｎ塩化物が速やかに脱離する温度以上
に保持しつつ、イオンエネルギーを８００ｅＶ以上に設
定し、かつ塩素系ガス分圧を垂直側壁形成可能な範囲に
維持してエッチングすることで垂直、かつ平滑なエッチ
ングを実現できる効果を有する。
系材料を塩素系ガスを用いてドライエッチングするに際
し、基板温度をＩｎ塩化物が速やかに脱離する温度以上
に保持しつつ、イオンエネルギーを８００ｅＶ以上に設
定し、かつ塩素系ガス分圧を垂直側壁形成可能な範囲に
維持してエッチングすることで垂直、かつ平滑なエッチ
ングを実現できる効果を有する。
【００２６】また、本発明によれば、ＩｎＰ系材料を、
イオンと塩素系ガスとを用いてドライエッチングする際
に、基板温度をＩｎ塩化物が速やかに脱離する温度以上
に保持しつつ、基板到達塩素量をエッチング温度が塩素
系ガスの供給で律速されるような塩素量以下に低く抑
え、なおかつイオンエネルギーを基板構成元素であるＩ
ｎ，Ｐ等のスパッタリング収率の差が十分低減されるイ
オンエネルギー以上に高く維持した条件でエッチングを
行うことで、凹凸１０ｎｍ以下の高平滑底面を有するエ
ッチングが、側壁のアンダーカットなしに行うことがで
きる効果を有する。
イオンと塩素系ガスとを用いてドライエッチングする際
に、基板温度をＩｎ塩化物が速やかに脱離する温度以上
に保持しつつ、基板到達塩素量をエッチング温度が塩素
系ガスの供給で律速されるような塩素量以下に低く抑
え、なおかつイオンエネルギーを基板構成元素であるＩ
ｎ，Ｐ等のスパッタリング収率の差が十分低減されるイ
オンエネルギー以上に高く維持した条件でエッチングを
行うことで、凹凸１０ｎｍ以下の高平滑底面を有するエ
ッチングが、側壁のアンダーカットなしに行うことがで
きる効果を有する。
【図１】ＲＩＢＥを用いてＩｎＰ基板をエッチングする
方法に用いる装置を示す図である。
方法に用いる装置を示す図である。
【図２】イオン加速電圧と表面荒さとの関係を示す図で
ある。
ある。
【図３】ＩＢＡＥによるＩｎＰのエッチングの基板温度
依存を示す図である。
依存を示す図である。
１ ガス導入管 ２ プラズマ室 ３ イオン加速電極 ４ エッチング室 ５ 塩素イオンビーム ６ ＩｎＰ基板 ７ 基板ヒーター ８ ゲートバルブ ９ クライオポンプ
Claims (1)
- 【請求項１】 ＩｎＰ系材料を塩素系ガスを用いてドラ
イエッチングするに際し、基板温度を１６０℃以上に保
持しつつ、イオンエネルギーを８００ｅＶ以上、かつ、
塩素系ガス分圧を１×１０-4Ｔｏｒｒ以下として垂直側
壁形成可能な範囲に維持してエッチングを行うことを特
徴とするドライエッチング方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29338491 | 1991-11-08 | ||
| JP36057891 | 1991-12-28 | ||
| JP3-293384 | 1991-12-28 | ||
| JP3-360578 | 1991-12-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05304120A JPH05304120A (ja) | 1993-11-16 |
| JP3145775B2 true JP3145775B2 (ja) | 2001-03-12 |
Family
ID=26559387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08235992A Expired - Fee Related JP3145775B2 (ja) | 1991-11-08 | 1992-04-03 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3145775B2 (ja) |
-
1992
- 1992-04-03 JP JP08235992A patent/JP3145775B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05304120A (ja) | 1993-11-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |