JP3149549B2 - 希土類ボンド磁石の製造方法 - Google Patents
希土類ボンド磁石の製造方法Info
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- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車，事務機器，家
電製品，音響製品などの幅広い製品類に使用される希土
類ボンド磁石を提供するのに好適な希土類ボンド磁石の
製造方法に関し、とくに耐熱性に優れた希土類ボンド磁
石を提供するのに好適な希土類ボンド磁石の製造方法に
関するものである。
電製品，音響製品などの幅広い製品類に使用される希土
類ボンド磁石を提供するのに好適な希土類ボンド磁石の
製造方法に関し、とくに耐熱性に優れた希土類ボンド磁
石を提供するのに好適な希土類ボンド磁石の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、永久磁石としてはアルニコ磁石や
フェライト磁石などが多く使用されてきたが、これらの
磁石よりもさらに磁気特性に優れた希土類磁石が開発さ
れそしてこの用途および使用量は急激に拡大しつつあ
る。
フェライト磁石などが多く使用されてきたが、これらの
磁石よりもさらに磁気特性に優れた希土類磁石が開発さ
れそしてこの用途および使用量は急激に拡大しつつあ
る。
【０００３】このような希土類磁石は活性な金属を含む
ため、酸化しやすく、それにより耐蝕性，耐温度特性が
悪いという欠点を有しており、特に室温以上では著しく
酸化されやすく耐熱性に劣るという欠点を有している。
ため、酸化しやすく、それにより耐蝕性，耐温度特性が
悪いという欠点を有しており、特に室温以上では著しく
酸化されやすく耐熱性に劣るという欠点を有している。
【０００４】また、希土類磁石の中でも、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ
系，Ｒ−Ｆｅ−Ｎ系の磁石は、Ｒ（希土類）のほかにＦ
ｅ（鉄）を主成分としているため、Ｓｍ−Ｃｏ系の磁石
に比べて酸化はより著しい。したがって、Ｒ−Ｆｅ系の
希土類磁石は磁気特性には優れているものの耐酸化性，
耐蝕性，室温以上での温度特性，耐熱性の点であまり好
ましくないことが問題点となっている。
系，Ｒ−Ｆｅ−Ｎ系の磁石は、Ｒ（希土類）のほかにＦ
ｅ（鉄）を主成分としているため、Ｓｍ−Ｃｏ系の磁石
に比べて酸化はより著しい。したがって、Ｒ−Ｆｅ系の
希土類磁石は磁気特性には優れているものの耐酸化性，
耐蝕性，室温以上での温度特性，耐熱性の点であまり好
ましくないことが問題点となっている。
【０００５】その中でも、焼結磁石は焼結反応により高
密度化しており、磁石製造の最終工程で製品表面を例え
ばＮｉめっき処理や樹脂被覆することにより耐蝕性など
はかなり改善できる。また、ボンド磁石の中でもポリア
ミド樹脂などの熱可塑性樹脂を用いて射出成形した磁石
は、その磁性粉末の回りが樹脂で完全に覆われているた
め、焼結磁石と同様に製品の表面を被覆することにより
改善できる。
密度化しており、磁石製造の最終工程で製品表面を例え
ばＮｉめっき処理や樹脂被覆することにより耐蝕性など
はかなり改善できる。また、ボンド磁石の中でもポリア
ミド樹脂などの熱可塑性樹脂を用いて射出成形した磁石
は、その磁性粉末の回りが樹脂で完全に覆われているた
め、焼結磁石と同様に製品の表面を被覆することにより
改善できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一方、ボンド磁石の中
で、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂や金属等のバイン
ダーを用いて圧縮成形した磁石は、磁性材料とバインダ
ーのほかに空孔が多く存在しているため、磁石表面を完
全に被覆しても、磁石内部の空孔のため、酸化を防ぐこ
とができない。また、被覆を通しそしてさらに内部の空
孔を通して、磁性材料が酸化することは避けられない。
その結果、室温での磁気特性の経時変化ならびに室温以
上での磁気特性の経時変化が大きくなり、耐熱性に劣っ
たものになるという欠点を有していることから、これら
の欠点を解消することが課題となっていた。
で、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂や金属等のバイン
ダーを用いて圧縮成形した磁石は、磁性材料とバインダ
ーのほかに空孔が多く存在しているため、磁石表面を完
全に被覆しても、磁石内部の空孔のため、酸化を防ぐこ
とができない。また、被覆を通しそしてさらに内部の空
孔を通して、磁性材料が酸化することは避けられない。
その結果、室温での磁気特性の経時変化ならびに室温以
上での磁気特性の経時変化が大きくなり、耐熱性に劣っ
たものになるという欠点を有していることから、これら
の欠点を解消することが課題となっていた。
【０００７】
【発明の目的】本発明は、上記した従来の課題にかんが
みてなされたものであって、希土類磁性材料の酸化をで
きるだけ防止して、室温での磁気特性の経時変化，室温
以上での磁気特性の経時変化が少ないものとなり、耐熱
性が改善された希土類ボンド磁石を提供することを目的
としている。
みてなされたものであって、希土類磁性材料の酸化をで
きるだけ防止して、室温での磁気特性の経時変化，室温
以上での磁気特性の経時変化が少ないものとなり、耐熱
性が改善された希土類ボンド磁石を提供することを目的
としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる希土類ボ
ンド磁石の製造方法は、粉末状希土類磁性材料にバイン
ダーを添加し、圧縮成形して希土類ボンド磁石を製造す
るに際し、前記バインダーに２，２−ビスシアネ−トフ
ェニルプロパンを添加する構成としたことを特徴として
いる。
ンド磁石の製造方法は、粉末状希土類磁性材料にバイン
ダーを添加し、圧縮成形して希土類ボンド磁石を製造す
るに際し、前記バインダーに２，２−ビスシアネ−トフ
ェニルプロパンを添加する構成としたことを特徴として
いる。
【０００９】また、本発明に係わる希土類ボンド磁石の
製造方法は、粉末状希土類磁性材料にバインダーを添加
し、圧縮成形して希土類ボンド磁石を製造するに際し、
前記圧縮成形による圧縮成形体を２，２−ビスシアネ−
トフェニルプロパンの蒸発雰囲気に接触させて圧縮成形
体の表面を２，２−ビスシアネ−トフェニルプロパンで
被覆する構成としたことを特徴としている。
製造方法は、粉末状希土類磁性材料にバインダーを添加
し、圧縮成形して希土類ボンド磁石を製造するに際し、
前記圧縮成形による圧縮成形体を２，２−ビスシアネ−
トフェニルプロパンの蒸発雰囲気に接触させて圧縮成形
体の表面を２，２−ビスシアネ−トフェニルプロパンで
被覆する構成としたことを特徴としている。
【００１０】さらに、本発明に係わる希土類ボンド磁石
の製造方法は、粉末状希土類磁性材料にバインダーを添
加し、圧縮成形して希土類ボンド磁石を製造するに際
し、前記バインダーに２，２−ビスシアネ−トフェニル
プロパンを添加すると共に、前記圧縮成形による圧縮成
形体を２，２−ビスシアネ−トフェニルプロパンの蒸発
雰囲気に接触させて圧縮成形体の表面を２，２−ビスシ
アネ−トフェニルプロパンで被覆する構成としたことを
特徴としている。
の製造方法は、粉末状希土類磁性材料にバインダーを添
加し、圧縮成形して希土類ボンド磁石を製造するに際
し、前記バインダーに２，２−ビスシアネ−トフェニル
プロパンを添加すると共に、前記圧縮成形による圧縮成
形体を２，２−ビスシアネ−トフェニルプロパンの蒸発
雰囲気に接触させて圧縮成形体の表面を２，２−ビスシ
アネ−トフェニルプロパンで被覆する構成としたことを
特徴としている。
【００１１】本発明において、粉末状希土類磁性材料と
しては、Ｒ−Ｆｅ系，Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系，Ｒ−Ｆｅ−Ｎ系
などの希土類を含む磁性粉末が使用される。
しては、Ｒ−Ｆｅ系，Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系，Ｒ−Ｆｅ−Ｎ系
などの希土類を含む磁性粉末が使用される。
【００１２】また、このような粉末状希土類磁性材料に
添加されるバインダーとしては、エポキシ樹脂などの熱
硬化性樹脂，金属触媒などが使用される。
添加されるバインダーとしては、エポキシ樹脂などの熱
硬化性樹脂，金属触媒などが使用される。
【００１３】さらに、前記バインダーに添加され、ある
いは粉末状希土類磁性材料の圧縮成形体に対して蒸発雰
囲気の形態で接触される２，２−ビスシアネ−トフェニ
ルプロパンは、シアネート基（−Ｒ−Ｏ−Ｃ≡Ｎ）の不
飽和３重結合を有する化合物である。
いは粉末状希土類磁性材料の圧縮成形体に対して蒸発雰
囲気の形態で接触される２，２−ビスシアネ−トフェニ
ルプロパンは、シアネート基（−Ｒ−Ｏ−Ｃ≡Ｎ）の不
飽和３重結合を有する化合物である。
【００１４】
【発明の作用】本発明に係わる希土類ボンド磁石の製造
方法では、粉末状希土類磁性材料にバインダーを添加
し、圧縮成形して希土類ボンド磁石を製造するに際し、
前記バインダーに２，２−ビスシアネ−トフェニルプロ
パンを添加し、および／または前記圧縮成形による圧縮
成形体を２，２−ビスシアネ−トフェニルプロパンの蒸
発雰囲気に接触させて圧縮成形体の表面を２，２−ビス
シアネ−トフェニルプロパンで被覆する構成としている
ので、圧縮成形体を非酸化雰囲気ないしは真空中におい
て例えば１５０℃以上で硬化処理した際に、２，２−ビ
スシアネートフェニルプロパンのシアネート基（−Ｒ−
Ｏ−Ｃ≡Ｎ）の不飽和３重結合が開裂することによって
トリアジン環が形成され、あるいはバインダーと反応し
て三次元構造が形成され、熱エネルギーに対して安定し
たものとなることによって、耐熱性に優れたものとな
る。
方法では、粉末状希土類磁性材料にバインダーを添加
し、圧縮成形して希土類ボンド磁石を製造するに際し、
前記バインダーに２，２−ビスシアネ−トフェニルプロ
パンを添加し、および／または前記圧縮成形による圧縮
成形体を２，２−ビスシアネ−トフェニルプロパンの蒸
発雰囲気に接触させて圧縮成形体の表面を２，２−ビス
シアネ−トフェニルプロパンで被覆する構成としている
ので、圧縮成形体を非酸化雰囲気ないしは真空中におい
て例えば１５０℃以上で硬化処理した際に、２，２−ビ
スシアネートフェニルプロパンのシアネート基（−Ｒ−
Ｏ−Ｃ≡Ｎ）の不飽和３重結合が開裂することによって
トリアジン環が形成され、あるいはバインダーと反応し
て三次元構造が形成され、熱エネルギーに対して安定し
たものとなることによって、耐熱性に優れたものとな
る。
【００１５】
【実施例】（実施例１） ２８重量％Ｎｄ−０．９重量％Ｂ−５．０重量％Ｃｏ−
残部Ｆｅを主成分とする希土類磁石合金溶湯を周速２５
ｍ／ｓｅｃで回転する銅製ロールの表面に噴射し、約３
０μｍ厚さのリボンを製造したのち、２００μｍ以下の
大きさに粉砕して粉末状希土類磁性材料を得た。次い
で、前記粉末状希土類磁性材料を５５０℃で１０分間焼
鈍した。
残部Ｆｅを主成分とする希土類磁石合金溶湯を周速２５
ｍ／ｓｅｃで回転する銅製ロールの表面に噴射し、約３
０μｍ厚さのリボンを製造したのち、２００μｍ以下の
大きさに粉砕して粉末状希土類磁性材料を得た。次い
で、前記粉末状希土類磁性材料を５５０℃で１０分間焼
鈍した。
【００１６】次に、前記焼鈍後の粉末状希土類磁性材料
に、バインダーとして熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂
を用いてこのエポキシ樹脂２重量％に２，２−ビスシア
ネ−トフェニルプロパンを表１の実施例１ Ａ，Ｂ，Ｃ
に示す添加量だけ添加混合したものを添加して、粉末状
希土類磁性材料と樹脂等との混合粉末を得た。
に、バインダーとして熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂
を用いてこのエポキシ樹脂２重量％に２，２−ビスシア
ネ−トフェニルプロパンを表１の実施例１ Ａ，Ｂ，Ｃ
に示す添加量だけ添加混合したものを添加して、粉末状
希土類磁性材料と樹脂等との混合粉末を得た。
【００１７】次いで、前記各混合粉末を直径１０ｍｍ×
高さ７ｍｍの大きさに圧縮成形した後、アルゴン雰囲気
中において１７０℃で１時間の硬化処理を施した。
高さ７ｍｍの大きさに圧縮成形した後、アルゴン雰囲気
中において１７０℃で１時間の硬化処理を施した。
【００１８】さらに、前記各圧縮成形体を５０ｋＯｅの
パルス磁界中で着磁し、オープンフラックス値を測定し
た後、１８０℃×１０００時間加熱保持したあと再び室
温でオープンフラックス値を測定し、オープンフラック
ス値の変化率すなわち不可逆減磁率を求めた。表１の実
施例１に２，２−ビスシアネ−トフェニルプロパンの添
加量および１８０℃×１０００時間後の不可逆減磁率の
測定結果を示す。
パルス磁界中で着磁し、オープンフラックス値を測定し
た後、１８０℃×１０００時間加熱保持したあと再び室
温でオープンフラックス値を測定し、オープンフラック
ス値の変化率すなわち不可逆減磁率を求めた。表１の実
施例１に２，２−ビスシアネ−トフェニルプロパンの添
加量および１８０℃×１０００時間後の不可逆減磁率の
測定結果を示す。
【００１９】（実施例２） ２８重量％Ｎｄ−０．９重量％Ｂ−５．０重量％Ｃｏ−
残部Ｆｅを主成分とする希土類磁石合金溶湯を周速２５
ｍ／ｓｅｃで回転する銅製ロールの表面に噴射し、約３
０μｍ厚さのリボンを製造したのち、２００μｍ以下の
大きさに粉砕して粉末状希土類磁性材料を得た。次い
で、前記粉末状希土類磁性材料を５５０℃で１０分間焼
鈍した。
残部Ｆｅを主成分とする希土類磁石合金溶湯を周速２５
ｍ／ｓｅｃで回転する銅製ロールの表面に噴射し、約３
０μｍ厚さのリボンを製造したのち、２００μｍ以下の
大きさに粉砕して粉末状希土類磁性材料を得た。次い
で、前記粉末状希土類磁性材料を５５０℃で１０分間焼
鈍した。
【００２０】次に、前記焼鈍後の粉末状希土類磁性材料
にバインダーとして熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を
２重量％添加して、粉末状希土類磁性材料と樹脂との混
合粉末を得た。
にバインダーとして熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を
２重量％添加して、粉末状希土類磁性材料と樹脂との混
合粉末を得た。
【００２１】次いで、前記混合粉末を直径１０ｍｍ×高
さ７ｍｍの大きさに圧縮成形した後、２，２−ビスシア
ネ−トフェニルプロパン粉末を収容した容器内で前記
２，２−ビスシアネ−トフェニルプロパン粉末の直上に
前記圧縮成形した圧縮成形体を置き、真空中において１
７０℃で１０時間加熱することによって、２，２−ビス
シアネ−トフェニルプロパンの蒸発雰囲気に前記圧縮成
形体を接触させた。
さ７ｍｍの大きさに圧縮成形した後、２，２−ビスシア
ネ−トフェニルプロパン粉末を収容した容器内で前記
２，２−ビスシアネ−トフェニルプロパン粉末の直上に
前記圧縮成形した圧縮成形体を置き、真空中において１
７０℃で１０時間加熱することによって、２，２−ビス
シアネ−トフェニルプロパンの蒸発雰囲気に前記圧縮成
形体を接触させた。
【００２２】そして、前記圧縮成形体の表面を２，２−
ビスシアネ−トフェニルプロパンで被覆した後、アルゴ
ン雰囲気中において１７０℃で１時間の硬化処理を施し
た。
ビスシアネ−トフェニルプロパンで被覆した後、アルゴ
ン雰囲気中において１７０℃で１時間の硬化処理を施し
た。
【００２３】さらに、前記圧縮成形体を５０ｋＯｅのパ
ルス磁界中で着磁し、オープンフラックス値を測定した
後、１８０℃×１０００時間加熱保持したあと再び室温
でオープンフラックス値を測定し、オープンフラックス
値の変化率すなわち不可逆減磁率を求めた。表１の実施
例２に１８０℃×１０００時間後の不可逆減磁率の測定
結果を示す。
ルス磁界中で着磁し、オープンフラックス値を測定した
後、１８０℃×１０００時間加熱保持したあと再び室温
でオープンフラックス値を測定し、オープンフラックス
値の変化率すなわち不可逆減磁率を求めた。表１の実施
例２に１８０℃×１０００時間後の不可逆減磁率の測定
結果を示す。
【００２４】（実施例３） ２８重量％Ｎｄ−０．９重量％Ｂ−５．０重量％Ｃｏ−
残部Ｆｅを主成分とする希土類磁石合金溶湯を周速２５
ｍ／ｓｅｃで回転する銅製ロールの表面に噴射し、約３
０μｍ厚さのリボンを製造したのち、２００μｍ以下の
大きさに粉砕して粉末状希土類磁性材料を得た。次い
で、前記粉末状希土類磁性材料を５５０℃で１０分間焼
鈍した。
残部Ｆｅを主成分とする希土類磁石合金溶湯を周速２５
ｍ／ｓｅｃで回転する銅製ロールの表面に噴射し、約３
０μｍ厚さのリボンを製造したのち、２００μｍ以下の
大きさに粉砕して粉末状希土類磁性材料を得た。次い
で、前記粉末状希土類磁性材料を５５０℃で１０分間焼
鈍した。
【００２５】次に、前記焼鈍後の粉末状希土類磁性材料
に、バインダーとして熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂
を用いてこのエポキシ樹脂２重量％に２，２−ビスシア
ネ−トフェニルプロパンを表１の実施例３に示すように
１０重量％添加混合したものを添加して、粉末状希土類
磁性材料と樹脂等との混合粉末を得た。
に、バインダーとして熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂
を用いてこのエポキシ樹脂２重量％に２，２−ビスシア
ネ−トフェニルプロパンを表１の実施例３に示すように
１０重量％添加混合したものを添加して、粉末状希土類
磁性材料と樹脂等との混合粉末を得た。
【００２６】次いで、前記混合粉末を直径１０ｍｍ×高
さ７ｍｍの大きさに圧縮成形した後、２，２−ビスシア
ネ−トフェニルプロパン粉末を収容した容器内で前記
２，２−ビスシアネ−トフェニルプロパン粉末の直上に
前記圧縮成形した圧縮成形体を置き、真空中において１
７０℃で１０時間加熱することによって、２，２−ビス
シアネ−トフェニルプロパンの蒸発雰囲気に前記圧縮成
形体を接触させた。
さ７ｍｍの大きさに圧縮成形した後、２，２−ビスシア
ネ−トフェニルプロパン粉末を収容した容器内で前記
２，２−ビスシアネ−トフェニルプロパン粉末の直上に
前記圧縮成形した圧縮成形体を置き、真空中において１
７０℃で１０時間加熱することによって、２，２−ビス
シアネ−トフェニルプロパンの蒸発雰囲気に前記圧縮成
形体を接触させた。
【００２７】そして、前記圧縮成形体の表面を２，２−
ビスシアネ−トフェニルプロパンで被覆した後、アルゴ
ン雰囲気中において１７０℃で１時間の硬化処理を施し
た。
ビスシアネ−トフェニルプロパンで被覆した後、アルゴ
ン雰囲気中において１７０℃で１時間の硬化処理を施し
た。
【００２８】さらに、前記圧縮成形体を５０ｋＯｅのパ
ルス磁界中で着磁し、オープンフラックス値を測定した
後、１８０℃×１０００時間加熱保持したあと再び室温
でオープンフラックス値を測定し、オープンフラックス
値の変化率すなわち不可逆減磁率を求めた。表１の実施
例３に１８０℃×１０００時間後の不可逆減磁率の測定
結果を示す。
ルス磁界中で着磁し、オープンフラックス値を測定した
後、１８０℃×１０００時間加熱保持したあと再び室温
でオープンフラックス値を測定し、オープンフラックス
値の変化率すなわち不可逆減磁率を求めた。表１の実施
例３に１８０℃×１０００時間後の不可逆減磁率の測定
結果を示す。
【００２９】（比較例１） ２８重量％Ｎｄ−０．９重量％Ｂ−５．０重量％Ｃｏ−
残部Ｆｅを主成分とする希土類磁石合金溶湯を周速２５
ｍ／ｓｅｃで回転する銅製ロールの表面に噴射し、約３
０μｍ厚さのリボンを製造したのち、２００μｍ以下の
大きさに粉砕して粉末状希土類磁性材料を得た。次い
で、前記粉末状希土類磁性材料を５５０℃で１０分間焼
鈍した。
残部Ｆｅを主成分とする希土類磁石合金溶湯を周速２５
ｍ／ｓｅｃで回転する銅製ロールの表面に噴射し、約３
０μｍ厚さのリボンを製造したのち、２００μｍ以下の
大きさに粉砕して粉末状希土類磁性材料を得た。次い
で、前記粉末状希土類磁性材料を５５０℃で１０分間焼
鈍した。
【００３０】次に、前記焼鈍後の粉末状希土類磁性材料
に、バインダーとして熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂
を２重量％添加混合して、粉末状希土類磁性材料と樹脂
等との混合粉末を得た。
に、バインダーとして熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂
を２重量％添加混合して、粉末状希土類磁性材料と樹脂
等との混合粉末を得た。
【００３１】次いで、前記混合粉末を直径１０ｍｍ×高
さ７ｍｍの大きさに圧縮成形した後、アルゴン雰囲気中
において１７０℃で１時間の硬化処理を施した。
さ７ｍｍの大きさに圧縮成形した後、アルゴン雰囲気中
において１７０℃で１時間の硬化処理を施した。
【００３２】さらに、前記圧縮成形体を５０ｋＯｅのパ
ルス磁界中で着磁し、オープンフラックス値を測定した
後、１８０℃×１０００時間加熱保持したあと再び室温
でオープンフラックス値を測定し、オープンフラックス
値の変化率すなわち不可逆減磁率を求めた。表１の比較
例１に１８０℃×１０００時間後の不可逆減磁率の測定
結果を示す。
ルス磁界中で着磁し、オープンフラックス値を測定した
後、１８０℃×１０００時間加熱保持したあと再び室温
でオープンフラックス値を測定し、オープンフラックス
値の変化率すなわち不可逆減磁率を求めた。表１の比較
例１に１８０℃×１０００時間後の不可逆減磁率の測定
結果を示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１に示すように、バインダーに２，２−
ビスシアネートフェニルプロパンを添加し、および／ま
たは圧縮成形体の表面を２，２−ビスシアネ−トフェニ
ルプロパンで被覆した実施例１〜３の希土類ボンド磁石
の場合には、バインダーに２，−ビスシアネ−トフェニ
ルプロパンで被覆したりしない比較例１の希土類ボンド
磁石に比べて、１８０℃×１０００時間後の不可逆減磁
率がかなり小さいものとなっており、希土類ボンド磁石
の耐熱性がより一層向上したものとなっていることが認
められた。
ビスシアネートフェニルプロパンを添加し、および／ま
たは圧縮成形体の表面を２，２−ビスシアネ−トフェニ
ルプロパンで被覆した実施例１〜３の希土類ボンド磁石
の場合には、バインダーに２，−ビスシアネ−トフェニ
ルプロパンで被覆したりしない比較例１の希土類ボンド
磁石に比べて、１８０℃×１０００時間後の不可逆減磁
率がかなり小さいものとなっており、希土類ボンド磁石
の耐熱性がより一層向上したものとなっていることが認
められた。
【００３５】
【発明の効果】本発明に係わる希土類ボンド磁石の製造
方法によれば、粉末状希土類磁性材料にバインダーを添
加し、圧縮成形して希土類ボンド磁石を製造するに際
し、前記バインダーに２，２−ビスシアネ−トフェニル
プロパンを添加し、および／または前記圧縮成形による
圧縮成形体を２，２−ビスシアネ−トフェニルプロパン
の蒸発雰囲気に接触させて圧縮成形体の表面を２，２−
ビスシアネ−トフェニルプロパンで被覆する構成とした
から、酸化を著しく生じやすい希土類磁性材料の酸化が
より一層防止されるようになって、室温での磁気特性の
経時変化，室温以上での磁気特性の経時変化が少ないも
のとなり、耐熱性が改善された希土類ボンド磁石を提供
することが可能であるという著しく優れた効果がもたら
される。
方法によれば、粉末状希土類磁性材料にバインダーを添
加し、圧縮成形して希土類ボンド磁石を製造するに際
し、前記バインダーに２，２−ビスシアネ−トフェニル
プロパンを添加し、および／または前記圧縮成形による
圧縮成形体を２，２−ビスシアネ−トフェニルプロパン
の蒸発雰囲気に接触させて圧縮成形体の表面を２，２−
ビスシアネ−トフェニルプロパンで被覆する構成とした
から、酸化を著しく生じやすい希土類磁性材料の酸化が
より一層防止されるようになって、室温での磁気特性の
経時変化，室温以上での磁気特性の経時変化が少ないも
のとなり、耐熱性が改善された希土類ボンド磁石を提供
することが可能であるという著しく優れた効果がもたら
される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01F 1/08 B22F 3/00 H01F 1/053 H01F 41/02
Claims (3)
- 【請求項１】 粉末状希土類磁性材料にバインダーを添
加し、圧縮成形して希土類ボンド磁石を製造するに際
し、前記バインダーに２，２−ビスシアネ−トフェニル
プロパンを添加することを特徴とする希土類ボンド磁石
の製造方法。 - 【請求項２】 粉末状希土類磁性材料にバインダーを添
加し、圧縮成形して希土類ボンド磁石を製造するに際
し、前記圧縮成形による圧縮成形体を２，２−ビスシア
ネ−トフェニルプロパンの蒸発雰囲気に接触させて圧縮
成形体の表面を２，２−ビスシアネ−トフェニルプロパ
ンで被覆することを特徴と希土類ボンド磁石の製造方
法。 - 【請求項３】 粉末状希土類磁性材料にバインダーを添
加し、圧縮成形して希土類ボンド磁石を製造するに際
し、前記バインダーに２，２−ビスシアネ−トフェニル
プロパンを添加すると共に、前記圧縮成形による圧縮成
形体を２，２−ビスシアネ−トフェニルプロパンの蒸発
雰囲気に接触させて圧縮成形体の表面を２，２−ビスシ
アネ−トフェニルプロパンで被覆することを特徴と希土
類ボンド磁石の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18537892A JP3149549B2 (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 希土類ボンド磁石の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18537892A JP3149549B2 (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 希土類ボンド磁石の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636912A JPH0636912A (ja) | 1994-02-10 |
| JP3149549B2 true JP3149549B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=16169759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18537892A Expired - Fee Related JP3149549B2 (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 希土類ボンド磁石の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3149549B2 (ja) |
-
1992
- 1992-07-13 JP JP18537892A patent/JP3149549B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0636912A (ja) | 1994-02-10 |
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Legal Events
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