JP3297776B2 - 配線の接続構造及びその製造方法 - Google Patents
配線の接続構造及びその製造方法Info
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- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
- H10D64/0111—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor to Group IV semiconductors
- H10D64/0112—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor to Group IV semiconductors using conductive layers comprising silicides
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、配線の接続構造及びそ
の製造方法に関する。本発明は、特に、微細化・集積化
した半導体装置における配線の接続構造及びその製造方
法として好ましく用いることができる。
の製造方法に関する。本発明は、特に、微細化・集積化
した半導体装置における配線の接続構造及びその製造方
法として好ましく用いることができる。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】素子の微細化に伴い、配線
信頼性は厳しさを増している。特にトランジスタのシャ
ロージャンクション化に対して、電気的オーミックコン
タクトを得るために成膜する金属と下地半導体例えばＳ
ｉを界面反応させることでなじませ、良好な電気的接続
を得ることが行われている。しかし、この場合、反応を
進行させ過ぎると金属がシャロージャンクションを突き
抜け、接合リークを悪化させる。反面、反応が不十分で
あるとオーミック接合が得られず、不安定な電気特性と
なる問題を有する。
信頼性は厳しさを増している。特にトランジスタのシャ
ロージャンクション化に対して、電気的オーミックコン
タクトを得るために成膜する金属と下地半導体例えばＳ
ｉを界面反応させることでなじませ、良好な電気的接続
を得ることが行われている。しかし、この場合、反応を
進行させ過ぎると金属がシャロージャンクションを突き
抜け、接合リークを悪化させる。反面、反応が不十分で
あるとオーミック接合が得られず、不安定な電気特性と
なる問題を有する。
【０００３】ここで、従来のＭＯＳＬＳＩプロセス例を
以下に示す。図７ないし図９を参照する。
以下に示す。図７ないし図９を参照する。
【０００４】（ａ）基板１に素子分離構造２（ＬＯＣＯ
Ｓ）及びゲート配線（ゲート材４、ゲート絶縁膜４１を
備え、側壁にＬＤＤ構造６ａ，６ｂ形成用のサイドウォ
ール５ａ，５ｂを有する）、ソース／ドレイン領域３
ａ，３ｂを形成させることで、ＭＯＳトランジスタ（Ｍ
ＯＳＦＥＴ）を形成する（図７）。 （ｂ）層間絶縁膜７の形成及び接続孔８の形成を行う
（図８）。 （ｃ）接続孔８内にＢｌｋ−Ｗ（ブランケットタングス
テン）等で埋め込みを行って、埋め込みメタル配線９と
する。さらにその上にＡｌ−Ｓｉ等のＡｌ系合金を成膜
しパターニングすることで、配線領域１０を形成する
（図９）。（なお、９′，１１は、それぞれ配線９，１
０の下地材料である）。
Ｓ）及びゲート配線（ゲート材４、ゲート絶縁膜４１を
備え、側壁にＬＤＤ構造６ａ，６ｂ形成用のサイドウォ
ール５ａ，５ｂを有する）、ソース／ドレイン領域３
ａ，３ｂを形成させることで、ＭＯＳトランジスタ（Ｍ
ＯＳＦＥＴ）を形成する（図７）。 （ｂ）層間絶縁膜７の形成及び接続孔８の形成を行う
（図８）。 （ｃ）接続孔８内にＢｌｋ−Ｗ（ブランケットタングス
テン）等で埋め込みを行って、埋め込みメタル配線９と
する。さらにその上にＡｌ−Ｓｉ等のＡｌ系合金を成膜
しパターニングすることで、配線領域１０を形成する
（図９）。（なお、９′，１１は、それぞれ配線９，１
０の下地材料である）。
【０００５】上記プロセス例により素子を形成させる
が、従来は配線１０と基板１をなすＳｉとの接続は下地
層９′としてＴｉを用いてこの接続を行っており、Ｔｉ
の反応が不十分だとオーミック接合が得られず、Ｔｉと
Ｓｉの反応が進み過ぎると接合リークが問題になる。
が、従来は配線１０と基板１をなすＳｉとの接続は下地
層９′としてＴｉを用いてこの接続を行っており、Ｔｉ
の反応が不十分だとオーミック接合が得られず、Ｔｉと
Ｓｉの反応が進み過ぎると接合リークが問題になる。
【０００６】ＴｉとＳｉの反応を制御する手法として、
従来はＴｉ成膜後の熱処理が重要なパラメータとなる
が、成膜後の熱履歴は、実質その後のＣＶＤ酸化膜成膜
等を繰り返すことでプロセスが変更するとそのたびに熱
履歴も変わることになるもので、これにより結局、従来
プロセスでは、熱処理によるＴｉとＳｉとの反応の制御
は管理が行われていないのが現状である。これもＴｉと
Ｓｉの反応性の制御要因が熱処理条件のみであることが
問題であり、反応パラメータが曖昧であるところに一番
の問題を有すると考えられる。
従来はＴｉ成膜後の熱処理が重要なパラメータとなる
が、成膜後の熱履歴は、実質その後のＣＶＤ酸化膜成膜
等を繰り返すことでプロセスが変更するとそのたびに熱
履歴も変わることになるもので、これにより結局、従来
プロセスでは、熱処理によるＴｉとＳｉとの反応の制御
は管理が行われていないのが現状である。これもＴｉと
Ｓｉの反応性の制御要因が熱処理条件のみであることが
問題であり、反応パラメータが曖昧であるところに一番
の問題を有すると考えられる。
【０００７】
【発明の目的】本発明は上記従来技術の問題点を解決し
て、最終的に形成するシリサイド層の膜厚制御性を良好
にし、また、バリア性が高く、かつ上層配線の結晶配線
の良い構造の配線の接続構造及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
て、最終的に形成するシリサイド層の膜厚制御性を良好
にし、また、バリア性が高く、かつ上層配線の結晶配線
の良い構造の配線の接続構造及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【目的を達成するための手段】本出願の請求項１の発明
は、配線層と半導体とを電気的に接続する配線の接続構
造において、配線層の側から、少なくともチタンナイト
ライド／チタン／チタンシリサイドの配線構造を備える
とともに、該チタンナイトライド及びチタンの結晶方位
が、同じく配線層の側からチタンナイトライド（２０
０）／チタン（１１０）であることを特徴とする配線の
接続構造であって、これにより上記目的を達成するもの
である。
は、配線層と半導体とを電気的に接続する配線の接続構
造において、配線層の側から、少なくともチタンナイト
ライド／チタン／チタンシリサイドの配線構造を備える
とともに、該チタンナイトライド及びチタンの結晶方位
が、同じく配線層の側からチタンナイトライド（２０
０）／チタン（１１０）であることを特徴とする配線の
接続構造であって、これにより上記目的を達成するもの
である。
【０００９】本出願の請求項２の発明は、配線層と半導
体とを電気的に接続する配線の接続構造において、配線
層の側から、チタン／チタンナイトライド／チタン／チ
タン／チタンシリサイドの配線構造を備えるとともに、
該チタン及びチタンナイトライドの結晶方位が、同じく
配線層の側からチタン（００２）／チタンナイトライド
（１１１）／チタン（００２）／チタン（１１０）であ
ることを特徴とする配線の接続構造であって、これによ
り上記目的を達成するものである。
体とを電気的に接続する配線の接続構造において、配線
層の側から、チタン／チタンナイトライド／チタン／チ
タン／チタンシリサイドの配線構造を備えるとともに、
該チタン及びチタンナイトライドの結晶方位が、同じく
配線層の側からチタン（００２）／チタンナイトライド
（１１１）／チタン（００２）／チタン（１１０）であ
ることを特徴とする配線の接続構造であって、これによ
り上記目的を達成するものである。
【００１０】本出願の請求項３の発明は、配線層と半導
体とを電気的に接続する配線の接続構造において、配線
層の側から、チタン／チタンナイトライド／チタンナイ
トライド／チタン／チタンシリサイドの配線構造を備え
るとともに、該チタン及びチタンナイトライドの結晶方
位が、同じく配線層の側から、チタン（００２）／チタ
ンナイトライド（１１１）／チタンナイトライド（２０
０）／チタン（１１０）であることを特徴とする配線の
接続構造であって、これにより上記目的を達成するもの
である。
体とを電気的に接続する配線の接続構造において、配線
層の側から、チタン／チタンナイトライド／チタンナイ
トライド／チタン／チタンシリサイドの配線構造を備え
るとともに、該チタン及びチタンナイトライドの結晶方
位が、同じく配線層の側から、チタン（００２）／チタ
ンナイトライド（１１１）／チタンナイトライド（２０
０）／チタン（１１０）であることを特徴とする配線の
接続構造であって、これにより上記目的を達成するもの
である。
【００１１】本出願の請求項４の発明は、配線層と半導
体とを電気的に接続する配線の接続構造であって、配線
層の側からそれぞれ、チタンナイトライド（２００）／
チタン（１１０）／チタンシリサイドの配線構造、また
はチタン（００２）／チタンナイトライド（１１１）／
チタン（００２）／チタン（１１０）／チタンシリサイ
ドの配線構造、またはチタン（００２）／チタンナイト
ライド（１１１）／チタンナイトライド（２００）／チ
タン（１１０）／チタンシリサイドの配線構造をとる配
線の接続構造をスパッタ法を用いて形成する製造方法で
あって、各層の成膜中にターゲット側のスパッタパワー
もしくは基板表面側のバイアスを急峻に変化させること
により結晶成長を制御することを特徴とする配線の接続
構造の製造方法であって、これにより上記目的を達成す
るものである。
体とを電気的に接続する配線の接続構造であって、配線
層の側からそれぞれ、チタンナイトライド（２００）／
チタン（１１０）／チタンシリサイドの配線構造、また
はチタン（００２）／チタンナイトライド（１１１）／
チタン（００２）／チタン（１１０）／チタンシリサイ
ドの配線構造、またはチタン（００２）／チタンナイト
ライド（１１１）／チタンナイトライド（２００）／チ
タン（１１０）／チタンシリサイドの配線構造をとる配
線の接続構造をスパッタ法を用いて形成する製造方法で
あって、各層の成膜中にターゲット側のスパッタパワー
もしくは基板表面側のバイアスを急峻に変化させること
により結晶成長を制御することを特徴とする配線の接続
構造の製造方法であって、これにより上記目的を達成す
るものである。
【００１２】本出願の請求項５の発明は、配線層と半導
体とを電気的に接続する配線の接続構造であって、配線
層の側からそれぞれ、チタンナイトライド（２００）／
チタン（１１０）／チタンシリサイドの配線構造、また
はチタン（００２）／チタンナイトライド（１１１）／
チタン（００２）／チタン（１１０）／チタンシリサイ
ドの配線構造、またはチタン（００２）／チタンナイト
ライド（１１１）／チタンナイトライド（２００）／チ
タン（１１０）／チタンシリサイドの配線構造をとる配
線の接続構造をスパッタ法を用いて形成する製造方法で
あって、各層の成膜中にＡｒ流量を急峻に変化させて成
膜することにより結晶成長を制御することを特徴とする
配線の接続構造の製造方法であって、これにより上記目
的を達成するものである。
体とを電気的に接続する配線の接続構造であって、配線
層の側からそれぞれ、チタンナイトライド（２００）／
チタン（１１０）／チタンシリサイドの配線構造、また
はチタン（００２）／チタンナイトライド（１１１）／
チタン（００２）／チタン（１１０）／チタンシリサイ
ドの配線構造、またはチタン（００２）／チタンナイト
ライド（１１１）／チタンナイトライド（２００）／チ
タン（１１０）／チタンシリサイドの配線構造をとる配
線の接続構造をスパッタ法を用いて形成する製造方法で
あって、各層の成膜中にＡｒ流量を急峻に変化させて成
膜することにより結晶成長を制御することを特徴とする
配線の接続構造の製造方法であって、これにより上記目
的を達成するものである。
【００１３】本出願の請求項６の発明は、配線層はアル
ミニウムもしくはアルミニウム合金膜、もしくはＷ膜と
し、半導体はＳｉとしたことを特徴とする請求項４また
は５に記載の配線の接続構造の製造方法であって、これ
により上記目的を達成するものである。
ミニウムもしくはアルミニウム合金膜、もしくはＷ膜と
し、半導体はＳｉとしたことを特徴とする請求項４また
は５に記載の配線の接続構造の製造方法であって、これ
により上記目的を達成するものである。
【００１４】本出願の請求項７の発明は、各金属膜を成
膜後、同一装置内で熱処理を加えることを特徴とする請
求項４ないし６のいずれかに記載の配線の接続構造の製
造方法であって、これにより上記目的を達成するもので
ある。
膜後、同一装置内で熱処理を加えることを特徴とする請
求項４ないし６のいずれかに記載の配線の接続構造の製
造方法であって、これにより上記目的を達成するもので
ある。
【００１５】本発明は、問題点であった下地ＳｉとＴｉ
との反応を、その後の熱履歴が変化しても一定になるよ
うに制御できる接続構造を与えるものである。本発明
は、本発明者による以下の知見により完成されたもので
ある。
との反応を、その後の熱履歴が変化しても一定になるよ
うに制御できる接続構造を与えるものである。本発明
は、本発明者による以下の知見により完成されたもので
ある。
【００１６】ＴｉＳｉ2 化反応には、形成するＴｉの結
晶配向に強く依存することがわかっている。形成するＴ
ｉが（００２）配向の場合は、下地Ｓｉとの反応性が強
くなることが実験により確かめられている。
晶配向に強く依存することがわかっている。形成するＴ
ｉが（００２）配向の場合は、下地Ｓｉとの反応性が強
くなることが実験により確かめられている。
【００１７】そこで、本発明は、接続構造を反応性の強
いＴｉ（００２）と接続することで、形成するシリサイ
ドの膜厚も制御できるようにした。（Ｔｉの配向性に対
するＳｉとの反応性については、‘９３年春季、第４０
回応用物理学会予稿集３０ａ−ＺＹ−１参照）。
いＴｉ（００２）と接続することで、形成するシリサイ
ドの膜厚も制御できるようにした。（Ｔｉの配向性に対
するＳｉとの反応性については、‘９３年春季、第４０
回応用物理学会予稿集３０ａ−ＺＹ−１参照）。
【００１８】また、Ｔｉ（００２）配向制御法として、
スパッタパワーの変化、バイアススパッタ等の適用があ
る。これらのパワーをスパッタ中に連続的に変化させる
ことで各種コンタクト構造を得る製造方法である。図６
には、Ａｌ系材料であるＡｌ（１１１）と配向しやすい
Ｔｉ，ＴｉＮの一覧を示す（１９９２ Ｓｙｍｐｏｓｉ
ｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）。
スパッタパワーの変化、バイアススパッタ等の適用があ
る。これらのパワーをスパッタ中に連続的に変化させる
ことで各種コンタクト構造を得る製造方法である。図６
には、Ａｌ系材料であるＡｌ（１１１）と配向しやすい
Ｔｉ，ＴｉＮの一覧を示す（１９９２ Ｓｙｍｐｏｓｉ
ｕｍ ｏｎ ＶＬＳＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）。
【００１９】
【作用】本発明によれば、ＴｉとＳｉが接触している部
分で、シリサイド化反応が進行するが、その際、反応し
やすいＴｉ結晶、反応しにくいＴｉ結晶をその膜厚を制
御して形成しているので、最終的に形成するシリサイド
層の膜厚制御性が良くなる。
分で、シリサイド化反応が進行するが、その際、反応し
やすいＴｉ結晶、反応しにくいＴｉ結晶をその膜厚を制
御して形成しているので、最終的に形成するシリサイド
層の膜厚制御性が良くなる。
【００２０】また、バリア性の高いＴｉＮ（２００）と
Ａｌ（１１１）配向しやすいＴｉＮ（１１１）をそれぞ
れ目的別に形成するので、バリア性が高くかつ上層配線
の結晶配向のよい構造の配線を形成できる。
Ａｌ（１１１）配向しやすいＴｉＮ（１１１）をそれぞ
れ目的別に形成するので、バリア性が高くかつ上層配線
の結晶配向のよい構造の配線を形成できる。
【００２１】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。但し当然のことではあるが、本発明は以下
の実施例により限定受けるものではない。
て説明する。但し当然のことではあるが、本発明は以下
の実施例により限定受けるものではない。
【００２２】実施例１ 本実施例に係る配線の接続構造は、図１に示すように、
配線層１０と半導体１（ここではＳｉ半導体基板）とを
電気的に接続する配線の接続構造であって、配線層１０
の側から、少なくともチタンナイトライド（結晶方位
（２００））１５／チタン１４（結晶方位（１１０））
／チタンシリサイド１２の配線構造を備えるものであ
る。但し本実施例では特に、チタン（結晶方位（００
２））１３をチタン１４とチタンシリサイド１２との間
に介在させて、ＴｉＮ（２００）１５／Ｔｉ（１１０）
１４／Ｔｉ（００２）１３／ＴｉＳｉ2 の構造とした。
シリサイド化を容易に進行させるためである。
配線層１０と半導体１（ここではＳｉ半導体基板）とを
電気的に接続する配線の接続構造であって、配線層１０
の側から、少なくともチタンナイトライド（結晶方位
（２００））１５／チタン１４（結晶方位（１１０））
／チタンシリサイド１２の配線構造を備えるものであ
る。但し本実施例では特に、チタン（結晶方位（００
２））１３をチタン１４とチタンシリサイド１２との間
に介在させて、ＴｉＮ（２００）１５／Ｔｉ（１１０）
１４／Ｔｉ（００２）１３／ＴｉＳｉ2 の構造とした。
シリサイド化を容易に進行させるためである。
【００２３】即ち、本実施例においては、Ｔｉの結晶性
を制御する方法として、デジタル的にスパッタパワーを
制御することで、シリサイド化を、例えば次のように行
うようにした。まず、２０ｎｍ程度だけシリサイドを形
成させる程度のＴｉ（００２）結晶を１０ｎｍ形成させ
る。さらに醸造にＴｉ（１１０）結晶配向のＴｉを形成
させ、その上に配向しやすいＴｉ（２００）配向結晶を
形成させる。この上にＢｌｋ−Ｗ（ブランケットタング
ステン）を形成させたコンタクト構造を得ることで、安
定したコンタクト及び高バリア性を有する構造とする。
を制御する方法として、デジタル的にスパッタパワーを
制御することで、シリサイド化を、例えば次のように行
うようにした。まず、２０ｎｍ程度だけシリサイドを形
成させる程度のＴｉ（００２）結晶を１０ｎｍ形成させ
る。さらに醸造にＴｉ（１１０）結晶配向のＴｉを形成
させ、その上に配向しやすいＴｉ（２００）配向結晶を
形成させる。この上にＢｌｋ−Ｗ（ブランケットタング
ステン）を形成させたコンタクト構造を得ることで、安
定したコンタクト及び高バリア性を有する構造とする。
【００２４】以下に本実施例のプロセスを詳述する。図
２を参照する。 （ａ）素子分離領域２及びゲート材４及びゲート絶縁膜
４１から成るゲート領域、さらにＬＤＤ構造６ａ，６
ｂ、及びサイドウォール５ａ，５ｂ形成後、ソース／ド
レインイオン注入を行い、ソース／ドレイン領域３ａ，
３ｂを備えたＭＯＳトランジスタを形成する（図２
（ａ））。 （ｂ）ＳｉＯ2 層間膜７の成膜を下記条件により行う。 条件 ガス ＴＥＯＳ＝５０ｓｃｃｍ 温度 ７２０℃ 圧力 ４０Ｐａ 膜厚 ６００ｎｍ
２を参照する。 （ａ）素子分離領域２及びゲート材４及びゲート絶縁膜
４１から成るゲート領域、さらにＬＤＤ構造６ａ，６
ｂ、及びサイドウォール５ａ，５ｂ形成後、ソース／ド
レインイオン注入を行い、ソース／ドレイン領域３ａ，
３ｂを備えたＭＯＳトランジスタを形成する（図２
（ａ））。 （ｂ）ＳｉＯ2 層間膜７の成膜を下記条件により行う。 条件 ガス ＴＥＯＳ＝５０ｓｃｃｍ 温度 ７２０℃ 圧力 ４０Ｐａ 膜厚 ６００ｎｍ
【００２５】次いでレジストパターニングを行い、下記
条件のエッチングにより、接続孔８を形成する（図２
（ｂ））。 ドライエッチング条件 ガスＣ4 Ｆ8 ＝５０ｓｃｃｍ ＲＦパワー １２００Ｗ 圧力 ２Ｐａ （ｃ）配線材料を形成させる。ここでは、接続孔８内の
埋め込みは、埋め込み材９としてブランケットＷを用い
て形成するが、まず、Ｗ密着層であるＴｉＮ／Ｔｉを形
成させる。本実施例では、次のように、結晶方位が（０
０２）であるＴｉを成膜し、次に結晶方位が（０１１）
であるＴｉを成膜し、更に結晶方位が（２００）である
ＴｉＮを成膜する。
条件のエッチングにより、接続孔８を形成する（図２
（ｂ））。 ドライエッチング条件 ガスＣ4 Ｆ8 ＝５０ｓｃｃｍ ＲＦパワー １２００Ｗ 圧力 ２Ｐａ （ｃ）配線材料を形成させる。ここでは、接続孔８内の
埋め込みは、埋め込み材９としてブランケットＷを用い
て形成するが、まず、Ｗ密着層であるＴｉＮ／Ｔｉを形
成させる。本実施例では、次のように、結晶方位が（０
０２）であるＴｉを成膜し、次に結晶方位が（０１１）
であるＴｉを成膜し、更に結晶方位が（２００）である
ＴｉＮを成膜する。
【００２６】まず、下記条件でＴｉ（００２）１３を形
成する。 条件 Ｔｉ形成条件 パワー ８ｋＷ 成膜温度 １５０℃ Ａｒ １００ｓｃｃｍ 膜厚 １０ｎｍ 圧力 ０．４７Ｐａ 上記により、Ｔｉ（００２）配向結晶１３を形成する。
成する。 条件 Ｔｉ形成条件 パワー ８ｋＷ 成膜温度 １５０℃ Ａｒ １００ｓｃｃｍ 膜厚 １０ｎｍ 圧力 ０．４７Ｐａ 上記により、Ｔｉ（００２）配向結晶１３を形成する。
【００２７】更に連続してＴｉ成膜パワーのみを２ｋＷ
に変化させて、Ｔｉ（０１１）１４を膜厚２０ｎｍ形成
させる。
に変化させて、Ｔｉ（０１１）１４を膜厚２０ｎｍ形成
させる。
【００２８】更に、下記条件でＴｉＮ（２００）１５を
形成させる。 ＴｉＮ形成条件 パワー ５ｋＷ ガス Ａｒ／Ｎ2 ＝４０／７０ｓｃｃｍ 圧力 ０．４７Ｐａ 膜厚 ７０ｎｍ
形成させる。 ＴｉＮ形成条件 パワー ５ｋＷ ガス Ａｒ／Ｎ2 ＝４０／７０ｓｃｃｍ 圧力 ０．４７Ｐａ 膜厚 ７０ｎｍ
【００２９】熱処理を４５０℃、６０秒間、Ｎ2 雰囲気
中で実施する。
中で実施する。
【００３０】次に、下記条件で埋め込み材９であるＷを
形成する。 Ｗ形成条件 ガス Ａｒ／Ｎ2 ／Ｈ2 ／ＷＦ6 ＝２２００／３００／５００／７５ｓｃｃｍ 温度 ４５０℃ 圧力 １０６４０Ｐａ 膜厚 ４００ｎｍ 上記によって、図２（ｃ）の構造を得る。
形成する。 Ｗ形成条件 ガス Ａｒ／Ｎ2 ／Ｈ2 ／ＷＦ6 ＝２２００／３００／５００／７５ｓｃｃｍ 温度 ４５０℃ 圧力 １０６４０Ｐａ 膜厚 ４００ｎｍ 上記によって、図２（ｃ）の構造を得る。
【００３１】（ｄ）次に、Ａｌ／Ｔｉの配線を形成させ
る。まず、バリア層１１としてＴｉを下記条件で成膜す
る。 Ｔｉ成膜条件例 パワー ４ｋＷ 成膜温度 １５０℃ ガス Ａｒ＝１００ｓｃｃｍ 膜厚 ３０ｎｍ 圧力 ０．４７Ｐａ
る。まず、バリア層１１としてＴｉを下記条件で成膜す
る。 Ｔｉ成膜条件例 パワー ４ｋＷ 成膜温度 １５０℃ ガス Ａｒ＝１００ｓｃｃｍ 膜厚 ３０ｎｍ 圧力 ０．４７Ｐａ
【００３２】さらに上層配線層１０として、下記条件で
Ａｌを成膜する。 Ａｌ成膜条件例 パワー ２２．５ｋＷ 成膜温度 １５０℃ ガス Ａｒ＝５０ｓｃｃｍ 膜厚 ０．５μｍ 圧力 ０．４７Ｐａ
Ａｌを成膜する。 Ａｌ成膜条件例 パワー ２２．５ｋＷ 成膜温度 １５０℃ ガス Ａｒ＝５０ｓｃｃｍ 膜厚 ０．５μｍ 圧力 ０．４７Ｐａ
【００３３】その後、レジストパターニング及び下記条
件のドライエッチングで、Ａｌ／Ｔｉ配線層を形成させ
る。 条件 ガス ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ＝６０／９０ｓ
ｃｃｍ マイクロ波パワー １０００Ｗ ＲＦパワー ５０Ｗ 圧力 ０．０１６Ｐａ これによって、図１の配線の接続構造を得た。
件のドライエッチングで、Ａｌ／Ｔｉ配線層を形成させ
る。 条件 ガス ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ＝６０／９０ｓ
ｃｃｍ マイクロ波パワー １０００Ｗ ＲＦパワー ５０Ｗ 圧力 ０．０１６Ｐａ これによって、図１の配線の接続構造を得た。
【００３４】本実施例によれば、次の効果が得られる。 ＴｉとＳｉが接触している部分で、シリサイド化反応
が進行するが、その際、反応しやすいＴｉ結晶、反応し
にくＴｉ結晶をその膜厚を制御して形成しているので、
最終的に形成するシリサイド層の膜厚制御性がよくな
る。 バリア性の高いＴｉＮ（２００）とＡｌ（１１１）配
向しやすいＴｉＮ（１１１）をそれぞれ目的別に形成す
るので、バリア性が高くかつ上層配線の結晶配向のよい
構造の配線を形成できる。
が進行するが、その際、反応しやすいＴｉ結晶、反応し
にくＴｉ結晶をその膜厚を制御して形成しているので、
最終的に形成するシリサイド層の膜厚制御性がよくな
る。 バリア性の高いＴｉＮ（２００）とＡｌ（１１１）配
向しやすいＴｉＮ（１１１）をそれぞれ目的別に形成す
るので、バリア性が高くかつ上層配線の結晶配向のよい
構造の配線を形成できる。
【００３５】実施例２ 本実施例には実施例１の変形例であり、本例の配線の接
続構造は、図３に示すように、配線層１０と半導体１
（ここではＳｉ半導体基板）とを電気的に接続する配線
の接続構造であって、配線層１０の側から、チタンナイ
トライド（結晶方位（２００））１５／チタン１４（結
晶方位（１１０））／チタンシリサイド１２の配線構造
を備える。即ちこの実施例では、実施例１と異なり、特
にチタン（結晶方位（００２））１３をチタン１４とチ
タンシリサイド１２との間に介在させることなく、Ｔｉ
Ｎ（２００）１５／Ｔｉ（１１０）１４／ＴｉＳｉ2 の
構造としたものである。
続構造は、図３に示すように、配線層１０と半導体１
（ここではＳｉ半導体基板）とを電気的に接続する配線
の接続構造であって、配線層１０の側から、チタンナイ
トライド（結晶方位（２００））１５／チタン１４（結
晶方位（１１０））／チタンシリサイド１２の配線構造
を備える。即ちこの実施例では、実施例１と異なり、特
にチタン（結晶方位（００２））１３をチタン１４とチ
タンシリサイド１２との間に介在させることなく、Ｔｉ
Ｎ（２００）１５／Ｔｉ（１１０）１４／ＴｉＳｉ2 の
構造としたものである。
【００３６】本実施例は、実施例１と同様の効果を有す
る。また本実施例の配線の接続構造の形成は、実施例１
に準じて行うことができる。
る。また本実施例の配線の接続構造の形成は、実施例１
に準じて行うことができる。
【００３７】実施例３ この実施例は、Ａｌ配線を半導体の拡散領域と直接接続
するためのコンタクト構造に本発明を適用した例であ
る。図４を参照する。
するためのコンタクト構造に本発明を適用した例であ
る。図４を参照する。
【００３８】本実施例では、反応が進行しにくいＴｉ
（１１０）配向を形成させる。その後連続的にＴｉ（０
０２）配向の結晶を形成させ、Ｔｉ（００２）配向上に
配向しやすいＴｉＮ（１１１）配向結晶のバリアメタル
を形成させる。その後Ｔｉ（００２）配向結晶を形成さ
せることで、その上に形成させるＡｌは（１１１）配向
結晶となり、Ａｌの表面荒れも発生せず、かつエレクト
ロマイグレーション耐性に優れたＡｌ配線膜を形成する
ことができる。
（１１０）配向を形成させる。その後連続的にＴｉ（０
０２）配向の結晶を形成させ、Ｔｉ（００２）配向上に
配向しやすいＴｉＮ（１１１）配向結晶のバリアメタル
を形成させる。その後Ｔｉ（００２）配向結晶を形成さ
せることで、その上に形成させるＡｌは（１１１）配向
結晶となり、Ａｌの表面荒れも発生せず、かつエレクト
ロマイグレーション耐性に優れたＡｌ配線膜を形成する
ことができる。
【００３９】この場合の熱処理は、Ｔｉ（１１０）が反
応しきれない程度の熱処理を加えるものとした。
応しきれない程度の熱処理を加えるものとした。
【００４０】以下本実施例について詳述する。本実施例
の配線の接続構造は、図４（ｂ）に示すように、配線層
と半導体とを電気的に接続する配線の接続構造におい
て、配線層１０の側から、チタン／チタンナイトライド
／チタン／チタン／チタンシリサイドの配線構造を備え
るとともに、該チタン及びチタンナイトライドの結晶方
位が、同じく配線層の側からチタン（００２）１３ａ／
チタンナイトライド（１１１）１５ａ／チタン（００
２）１３ｂ／チタン（１１０）１４である構造をとるも
のである。符号１２でチタンシリサイドを示す。
の配線の接続構造は、図４（ｂ）に示すように、配線層
と半導体とを電気的に接続する配線の接続構造におい
て、配線層１０の側から、チタン／チタンナイトライド
／チタン／チタン／チタンシリサイドの配線構造を備え
るとともに、該チタン及びチタンナイトライドの結晶方
位が、同じく配線層の側からチタン（００２）１３ａ／
チタンナイトライド（１１１）１５ａ／チタン（００
２）１３ｂ／チタン（１１０）１４である構造をとるも
のである。符号１２でチタンシリサイドを示す。
【００４１】本実施例の工程においては、前記説明した
実施例１の（ａ）（ｂ）の工程を実施例１におけると同
様に行った後、工程（ｃ）以降を次にように変更した。
実施例１の（ａ）（ｂ）の工程を実施例１におけると同
様に行った後、工程（ｃ）以降を次にように変更した。
【００４２】配線材料を、以下のように形成させた。即
ち本実施例では、次のようにしＴｉ（１１０）１４及び
Ｔｉ（００２）１３ｂを順次形成した。 条件 Ｔｉ（１１０）形成条件 パワー ２ｋＷ 成膜温度 ４００℃ ガス Ａｒ＝１００ｓｃｃｍ 膜厚 ２０ｎｍ 圧力 ０．４７Ｐａ
ち本実施例では、次のようにしＴｉ（１１０）１４及び
Ｔｉ（００２）１３ｂを順次形成した。 条件 Ｔｉ（１１０）形成条件 パワー ２ｋＷ 成膜温度 ４００℃ ガス Ａｒ＝１００ｓｃｃｍ 膜厚 ２０ｎｍ 圧力 ０．４７Ｐａ
【００４３】これでＴｉ（１１０）配向結晶１４を形成
する。この場合ＴｉとＳｉ界面を反応させ、ＴｉＳｉ2
１２を界面部のみに形成させる。
する。この場合ＴｉとＳｉ界面を反応させ、ＴｉＳｉ2
１２を界面部のみに形成させる。
【００４４】更に連続して、Ｔｉ成膜パワーのみを８ｋ
Ｗに変化させて、Ｔｉ（００２）配向結晶１３ｂを膜厚
１０ｎｍ形成させる。成膜温度は界面反応が進行しない
ように１５０℃で行う。
Ｗに変化させて、Ｔｉ（００２）配向結晶１３ｂを膜厚
１０ｎｍ形成させる。成膜温度は界面反応が進行しない
ように１５０℃で行う。
【００４５】更に、（１１１）１５ａを形成させる。 ＴｉＮ形成条件 パワー ５ｋＷ ガス Ａｒ／Ｎ2 ＝４０／７０ｓｃｃｍ 圧力 ０．４７Ｐａ 膜厚 １００ｎｍ 以上により（１１１）配向のＴｉＮ１５ａを形成する。
【００４６】更にＴｉ（００２）１３ａを、以下の条件
で形成する。これにより図４（ａ）の構造とする。 条件 Ｔｉ形成条件 パワー ４ｋＷ 成膜温度 １５０℃ ガス Ａｒ＝１００ｓｃｃｍ 膜厚 ３０ｎｍ 圧力 ０．４７Ｐａ
で形成する。これにより図４（ａ）の構造とする。 条件 Ｔｉ形成条件 パワー ４ｋＷ 成膜温度 １５０℃ ガス Ａｒ＝１００ｓｃｃｍ 膜厚 ３０ｎｍ 圧力 ０．４７Ｐａ
【００４７】（ｄ）次にＡｌ配線を形成する。まず下記
条件でＡｌを成膜する。 条件 Ａｌ成膜条件例 パワー ２２．５ｋＷ 成膜温度 ４００℃ ガス Ａｒ＝５０ｓｃｃｍ 膜厚 ０．２４μｍ 圧力 ０．４７Ｐａ
条件でＡｌを成膜する。 条件 Ａｌ成膜条件例 パワー ２２．５ｋＷ 成膜温度 ４００℃ ガス Ａｒ＝５０ｓｃｃｍ 膜厚 ０．２４μｍ 圧力 ０．４７Ｐａ
【００４８】その後、レジストパターニング及び下記条
件のドライエッチングで、Ａｌ膜及びＴｉ系積層膜をパ
ターニングしてＡｌ／Ｔｉ配線層を形成させる。 条件 ガス ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ＝６０／９０ｓｃ
ｃｍ マイクロ波パワー １０００Ｗ ＲＦパワー ５０Ｗ 圧力 ０．０１６Ｐａ
件のドライエッチングで、Ａｌ膜及びＴｉ系積層膜をパ
ターニングしてＡｌ／Ｔｉ配線層を形成させる。 条件 ガス ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ＝６０／９０ｓｃ
ｃｍ マイクロ波パワー １０００Ｗ ＲＦパワー ５０Ｗ 圧力 ０．０１６Ｐａ
【００４９】以上で、図４（ｂ）に示す配線の接続構造
を得た。本実施例も、上記各実施例と同様の作用効果を
奏することができる。
を得た。本実施例も、上記各実施例と同様の作用効果を
奏することができる。
【００５０】実施例４ この実施例では、実施例３のバリア性を更に高めた構造
を提供する。Ｔｉ（１１０）上にバリア性の高いＴｉＮ
（２００）配向結晶を形成させ、連続してＴｉＮ（１１
１）配向結晶を形成させ、Ｔｉ（００２）配向を形成さ
せた構造とすることで、その上のＡｌとして（１１１）
配向の信頼性の高いＡｌ膜を形成することができる。
を提供する。Ｔｉ（１１０）上にバリア性の高いＴｉＮ
（２００）配向結晶を形成させ、連続してＴｉＮ（１１
１）配向結晶を形成させ、Ｔｉ（００２）配向を形成さ
せた構造とすることで、その上のＡｌとして（１１１）
配向の信頼性の高いＡｌ膜を形成することができる。
【００５１】本実施例の配線の接続構造は、図５（ｂ）
に示すように、配線層と半導体とを電気的に接続する配
線の接続構造において、配線層の側から、チタン／チタ
ンナイトライド／チタンナイトライド／チタン／チタン
シリサイドの配線構造を備えるとともに、該チタン及び
チタンナイトライドの結晶方位が、同じく配線層の側か
ら、チタン（００２）１３ａ／チタンナイトライド（１
１１）１５ａ／チタンナイトライド（２００）１５／チ
タン（１１０）１４である構造をとるものである。符号
１２でチタンシリサイドを示す。
に示すように、配線層と半導体とを電気的に接続する配
線の接続構造において、配線層の側から、チタン／チタ
ンナイトライド／チタンナイトライド／チタン／チタン
シリサイドの配線構造を備えるとともに、該チタン及び
チタンナイトライドの結晶方位が、同じく配線層の側か
ら、チタン（００２）１３ａ／チタンナイトライド（１
１１）１５ａ／チタンナイトライド（２００）１５／チ
タン（１１０）１４である構造をとるものである。符号
１２でチタンシリサイドを示す。
【００５２】本実施例の工程は、実施例３の工程（ｃ）
の部分の条件変更となる。即ち、本実施例では次の工程
（ｃ）を行う。 （ｃ）配線材料を形成させる。 条件 Ｔｉ形成条件 パワー ２ｋＷ 成膜温度 １５０℃ ガス Ａｒ＝１００ｓｃｃｍ 膜厚 ２０ｎｍ 圧力 ０．４７Ｐａ これでＴｉ（１１０）の配向結晶１４を形成する。
の部分の条件変更となる。即ち、本実施例では次の工程
（ｃ）を行う。 （ｃ）配線材料を形成させる。 条件 Ｔｉ形成条件 パワー ２ｋＷ 成膜温度 １５０℃ ガス Ａｒ＝１００ｓｃｃｍ 膜厚 ２０ｎｍ 圧力 ０．４７Ｐａ これでＴｉ（１１０）の配向結晶１４を形成する。
【００５３】更に、ＴｉＮ（２００）１５を形成させ
る。 ＴｉＮ形成条件 パワー ５ｋＷ ガス Ａｒ／Ｎ2 ＝４０／７０ｓｃｃｍ 圧力 ０．４７Ｐａ 膜厚 ５０ｎｍ
る。 ＴｉＮ形成条件 パワー ５ｋＷ ガス Ａｒ／Ｎ2 ＝４０／７０ｓｃｃｍ 圧力 ０．４７Ｐａ 膜厚 ５０ｎｍ
【００５４】以上により、Ｔｉ（１１０）１４に配向し
やすい、バリア性の高いＴｉＮ（２００）配向結晶１５
を形成させる。
やすい、バリア性の高いＴｉＮ（２００）配向結晶１５
を形成させる。
【００５５】更に連続的に、例えば下記条件でＴｉＮ
（１１１）配向結晶１５ａを上記ＴｉＮ（２００）１５
上に形成させる。 条件例 パワー ５ｋＷ ガス Ａｒ／Ｎ2 ＝４０／７０ｓｃｃｍ 圧力 ０．４７Ｐａ 膜厚 ５０ｎｍ 基板バイアス １００Ｗ
（１１１）配向結晶１５ａを上記ＴｉＮ（２００）１５
上に形成させる。 条件例 パワー ５ｋＷ ガス Ａｒ／Ｎ2 ＝４０／７０ｓｃｃｍ 圧力 ０．４７Ｐａ 膜厚 ５０ｎｍ 基板バイアス １００Ｗ
【００５６】更にＴｉ（００２）１３ａを形成する。以
上により図５（ａ）の構造とする。 条件 Ｔｉ形成条件 パワー ４ｋＷ 成膜温度 １５０℃ ガス Ａｒ＝１００ｓｃｃｍ 膜厚 ３０ｎｍ 圧力 ０．４７Ｐａ
上により図５（ａ）の構造とする。 条件 Ｔｉ形成条件 パワー ４ｋＷ 成膜温度 １５０℃ ガス Ａｒ＝１００ｓｃｃｍ 膜厚 ３０ｎｍ 圧力 ０．４７Ｐａ
【００５７】（ｄ）更に続けてＡｌ配線を形成する。ま
ず下記条件でＡｌを成膜する。 Ａｌ成膜条件例 パワー ２２．５ｋＷ 成膜温度 ５００℃ ガス Ａｒ＝５０ｓｃｃｍ 膜厚 ０．２４μｍ 圧力 ０．４７Ｐａ
ず下記条件でＡｌを成膜する。 Ａｌ成膜条件例 パワー ２２．５ｋＷ 成膜温度 ５００℃ ガス Ａｒ＝５０ｓｃｃｍ 膜厚 ０．２４μｍ 圧力 ０．４７Ｐａ
【００５８】その後、レジストパターニング及び下記条
件のドライエッチングでＡｌ膜及びＴｉ系積層膜をパタ
ーニングしてＡｌ／Ｔｉ配線層を形成させる。 条件 ガス ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ＝６０／９０ｓｃ
ｃｍ マイクロ波パワー １０００Ｗ ＲＦパワー ５０Ｗ 圧力 ０．０１６Ｐａ
件のドライエッチングでＡｌ膜及びＴｉ系積層膜をパタ
ーニングしてＡｌ／Ｔｉ配線層を形成させる。 条件 ガス ＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ＝６０／９０ｓｃ
ｃｍ マイクロ波パワー １０００Ｗ ＲＦパワー ５０Ｗ 圧力 ０．０１６Ｐａ
【００５９】以上により、図５（ｂ）に示す配線の接続
構造を得た。この実施例も、上記各実施例と同様の効果
を発揮できた。
構造を得た。この実施例も、上記各実施例と同様の効果
を発揮できた。
【００６０】なお本発明は、上記具体的に説明した実施
例に限定されるものでなく、その目的が達成できるなら
他の手段を用いても構わない。例えば、成膜法は、スパ
ッタ以外のＣＶＤを用いた場合でも適用できる。また、
プロセス例もＭＯＳデバイス以外の他のデバイス（バイ
ポーラトランジスタ、ＣＣＤ等）にも適用できる。ま
た、Ｃｕ、Ａｇ等のＡｌ以外の配線材料にも適用でき
る。
例に限定されるものでなく、その目的が達成できるなら
他の手段を用いても構わない。例えば、成膜法は、スパ
ッタ以外のＣＶＤを用いた場合でも適用できる。また、
プロセス例もＭＯＳデバイス以外の他のデバイス（バイ
ポーラトランジスタ、ＣＣＤ等）にも適用できる。ま
た、Ｃｕ、Ａｇ等のＡｌ以外の配線材料にも適用でき
る。
【００６１】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、チタ
ン系積層膜を有する配線構造について、最終的に形成す
るシリサイド層の膜厚制御性を良好にし、また、バリア
性が高く、かつ上層配線の結晶配線の良い構造の配線の
接続構造を提供することができ、またその製造方法を提
供することができた。
ン系積層膜を有する配線構造について、最終的に形成す
るシリサイド層の膜厚制御性を良好にし、また、バリア
性が高く、かつ上層配線の結晶配線の良い構造の配線の
接続構造を提供することができ、またその製造方法を提
供することができた。
【図１】実施例１の配線の接続構造を示す断面図であ
る。
る。
【図２】実施例１の工程を示す図である。
【図３】実施例２の配線の接続構造を示す断面図であ
る。
る。
【図４】実施例３の工程を示す図である。
【図５】実施例４の工程を示す図である。
【図６】配線材料であるＡｌ（１１１）と配向しやすい
Ｔｉ，ＴｉＮの一覧である。
Ｔｉ，ＴｉＮの一覧である。
【図７】従来技術を示す図である（１）。
【図８】従来技術を示す図である（２）。
【図９】従来技術を示す図である（３）。
【符号の説明】 １ 半導体（Ｓｉ基板） ２ 層間絶縁膜 ３ 接続孔 １０ 配線層（Ａｌ系配線） １２ チタンシリサイド １３ チタン（００２） １４ チタン（１１０） １５ チタンナイトライド（２００）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−29255（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−119129（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−45553（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−176615（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−268083（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−256313（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−260445（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−190493（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−201779（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−196482（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−204170（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−283606（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−283532（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−276387（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−41949（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−190542（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−229626（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 29/43 H01L 21/3205 H01L 21/768
Claims (7)
- 【請求項１】配線層と半導体とを電気的に接続する配線
の接続構造において、 配線層の側から、少なくともチタンナイトライド／チタ
ン／チタンシリサイドの配線構造を備えるとともに、 該チタンナイトライド及びチタンの結晶方位が、同じく
配線層の側からチタンナイトライド（２００）／チタン
（１１０）であることを特徴とする配線の接続構造。 - 【請求項２】配線層と半導体とを電気的に接続する配線
の接続構造において、 配線層の側から、チタン／チタンナイトライド／チタン
／チタン／チタンシリサイドの配線構造を備えるととも
に、 該チタン及びチタンナイトライドの結晶方位が、同じく
配線層の側からチタン（００２）／チタンナイトライド
（１１１）／チタン（００２）／チタン（１１０）であ
ることを特徴とする配線の接続構造。 - 【請求項３】配線層と半導体とを電気的に接続する配線
の接続構造において、 配線層の側から、チタン／チタンナイトライド／チタン
ナイトライド／チタン／チタンシリサイドの配線構造を
備えるとともに、 該チタン及びチタンナイトライドの結晶方位が、同じく
配線層の側から、チタン（００２）／チタンナイトライ
ド（１１１）／チタンナイトライド（２００）／チタン
（１１０）であることを特徴とする配線の接続構造。 - 【請求項４】配線層と半導体とを電気的に接続する配線
の接続構造であって、配線層の側からそれぞれ、チタン
ナイトライド（２００）／チタン（１１０）／チタンシ
リサイドの配線構造、またはチタン（００２）／チタン
ナイトライド（１１１）／チタン（００２）／チタン
（１１０）／チタンシリサイドの配線構造、またはチタ
ン（００２）／チタンナイトライド（１１１）／チタン
ナイトライド（２００）／チタン（１１０）／チタンシ
リサイドの配線構造をとる配線の接続構造をスパッタ法
を用いて形成する製造方法であって、 各層の成膜中にターゲット側のスパッタパワーもしくは
基板表面側のバイアスを急峻に変化させることにより結
晶成長を制御することを特徴とする配線の接続構造の製
造方法。 - 【請求項５】配線層と半導体とを電気的に接続する配線
の接続構造であって、配線層の側からそれぞれ、チタン
ナイトライド（２００）／チタン（１１０）／チタンシ
リサイドの配線構造、またはチタン（００２）／チタン
ナイトライド（１１１）／チタン（００２）／チタン
（１１０）／チタンシリサイドの配線構造、またはチタ
ン（００２）／チタンナイトライド（１１１）／チタン
ナイトライド（２００）／チタン（１１０）／チタンシ
リサイドの配線構造をとる配線の接続構造をスパッタ法
を用いて形成する製造方法であって、 各層の成膜中にＡｒ流量を急峻に変化させて成膜するこ
とにより結晶成長を制御することを特徴とする配線の接
続構造の製造方法。 - 【請求項６】配線層はアルミニウムもしくはアルミニウ
ム合金膜、もしくはＷ膜とし、半導体はＳｉとしたこと
を特徴とする請求項４または５に記載の配線の接続構造
の製造方法。 - 【請求項７】各金属膜を成膜後、同一装置内で熱処理を
加えることを特徴とする請求項４ないし６のいずれかに
記載の配線の接続構造の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08657794A JP3297776B2 (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 配線の接続構造及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08657794A JP3297776B2 (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 配線の接続構造及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297380A JPH07297380A (ja) | 1995-11-10 |
| JP3297776B2 true JP3297776B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=13890869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08657794A Expired - Fee Related JP3297776B2 (ja) | 1994-04-25 | 1994-04-25 | 配線の接続構造及びその製造方法 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP3297776B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JPH11186190A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011176372A (ja) * | 2011-06-09 | 2011-09-08 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-04-25 JP JP08657794A patent/JP3297776B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH07297380A (ja) | 1995-11-10 |
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