JP3324973B2

JP3324973B2 - レジストパターン形成のための位置決めマーク及び多層プリント配線板の製造方法

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Publication number: JP3324973B2
Application number: JP32031697A
Authority: JP
Inventors: 和正足立; 栄一三宅
Original assignee: Ibiden Co Ltd; Sanei Giken Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd; Sanei Giken Co Ltd
Priority date: 1997-07-28
Filing date: 1997-11-06
Publication date: 2002-09-17
Anticipated expiration: 2017-11-06
Also published as: JPH11103166A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、レジストパター
ン形成のための位置決めマークおよび多層プリント配線
板の製造方法に関し、特には、めっきレジスト形成のた
めに使用されるフォトマスクの位置合わせ精度に優れる
位置決めマークを用いた多層プリント配線板の製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】いわゆるビルドアップ多層プリント配線
板の製造方法は、未硬化の層間樹脂絶縁材（無電解めっ
き用接着剤）をロールコータにより塗布し、これを乾
燥、硬化させ、ついでバイアホールを形成して、めっき
を施して導体回路を形成する。このようなビルドアップ
多層配線板の製造方法としては、めっきレジストを残存
させるフルアディティブ法とめっきレジストを除去する
セミアディティブ法がある。

【０００３】このフルアディティブ法によるビルトアッ
プについて、図８を参照して説明する。内層導体回路１
４２ａと位置決めマーク１４２ｂとの形成された基板１
２０に、絶縁層１３８を塗布する（図８（Ａ））。そし
て、該絶縁層１３８にエッチィグによりバイアホール形
成用開口部１３６を穿設する（図８（Ｂ））。そして、
ドライフィルム１４１を載置した後、所定パターン１６
１ａの形成されたフォトマスクフィルム１６０にて、該
ドライフィルム１４１を露光する（図８（Ｃ）。ドライ
フィルム１４１の露光部分を溶剤により除去し、レジス
ト１４２を形成する（図８（Ｄ））。そして、レジスト
非形成部にめっき１４３を形成することで、バイアホー
ル１４７を完成する。

【０００４】次に、セミアディティブ法について、図９
を参照して説明する。内層導体回路１４２ａと位置決め
マーク１４２ｂとの形成された基板１２０に、絶縁層１
３８を塗布する（図９（Ａ））。そして、該絶縁層１３
８にエッチィグによりバイアホール形成用開口部１３６
を穿設する（図９（Ｂ））。その後、無電解めっきによ
り均一にめっき層１４０を形成する（図９（Ｃ））。そ
して、ドライフィルム１４１を載置した後、所定パター
ン１６１ａの形成されたフォトマスクフィルム１６０に
て、該ドライフィルム１４１を露光する（図９
（Ｄ））。ドライフィルム１４１の露光部分を溶剤によ
り除去し、レジスト１４２を形成する（図９（Ｅ））。
そして、レジスト非形成部にめっき１４４を形成する
（図９（Ｆ））。その後、レジスト１４２、及び、該レ
ジスト１４２の下層のめっき膜１４０を除去すること
で、バイアホール１４７を形成する。

【０００５】ここで、セミアディティブ法は、導体回路
側面を粗化処理して層間樹脂絶縁材との密着性を向上さ
せることができる点で、フルアディティブ法に対して有
利である。

【０００６】めっきレジストの形成は、フルアディティ
ブ法においては、図８（Ｃ）、図８（Ｄ）を参照して上
述したように、また、セミアディティブ法においては、
図９（Ｄ）、図９（Ｅ）を参照して述べたように、感光
性のドライフィルム１４１を基板１２０の表面に貼付
し、導体回路パターン１６１ａが描画されたフォトマス
クフィルム１６０を載置して、露光、現像処理して行
う。

【０００７】ここで、フォトマスクフィルム１６０は、
層間樹脂絶縁層（ドライフィルム）１４１下の導体回路
１２４ａと正確に整合する位置に載置しなければならな
い。このために基板１２０側に位置決めマーク１２４ｂ
を形成すると共に、フォトマスク１６０側に位置決めマ
ーク１６１ｂを形成しておき、画像処理技術により、位
置決めマークを認識し、両者を合わせることにより、フ
ォトマスクフィルムの位置合わせを行う。即ち、図８
（Ｃ）及び図９（Ｄ）に示すように、下方から光を照射
し、該基板１２０側の位置決めマーク１２４ｂとフォト
マスク１６０側の位置決めマーク１６１ｂとの透過光を
上方のカメラ２００にて監視し、両者を重ねるようにす
ることで、フォトマスクフィルム１６０の位置合わせを
行っている。

【０００８】ここで、図８（Ｃ）に示すように、フルア
ディティブ法においては、基板１２０側の位置決めマー
ク１２４ｂとフォトマスク１６０側の位置決めマーク１
６１ｂとの透過光を上方のカメラ２００にて確実に捉え
ることができる。しかしながら、セミアディティブ法で
は、層間樹脂絶縁層１３８の表面全体に無電解めっき膜
１４０を形成し、その無電解めっき膜１４０上に感光性
ドライフィルム１４１を圧着するため、無電解めっき膜
１４０が邪魔になり、上述した透過光を用いる位置決め
マークの認識が困難である。

【０００９】そこで、本願発明者らは、上方から光を照
射し無電解めっき膜による反射光により位置合わせを行
うとの着想を得た。即ち、図１０（Ａ）に示すよう層間
樹脂絶縁層１３８に凹部（開口部）１３６ｂを設けて、
凹部内部１３６ｂのドライフィルム１４１が接触してい
ない無電解めっき膜１４０とドライフィルム１４１が接
触している無電解めっき膜１４０（即ち、凹部１３６ｂ
の外部）との反射量の相違を利用して、凹部１３６ｂ内
部の無電解めっき膜１４０の反射光のみを位置決めマー
クとして認識する方法を想起した。凹部内部の壁面１３
６ｂの無電解めっき膜１４０で光が反射して凹部１３６
ｂから出射するため、ドライフィルム１４１が接触して
いる無電解めっき膜１４０（凹部１３６ｂの外部）から
カメラに入射する反射量に比べて、凹部部分からカメラ
に入射する反射量が多くなり、ターゲットマークとして
認識できると考えたのである。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法を実際に行ってみると、反射光を充分に認識すること
ができないことが判った。この原因について解析したと
ころ、図１０（Ｂ）に示すように、感光性ドライフィル
ム１４１が加熱圧着の際に溶融して凹部１３６ｂ内部に
入り込み、無電解めっき膜１４０で反射しなくなり、ド
ライフィルム１４１が接触している無電解めっき膜（凹
部１３６ｂの外部）の反射量と差が無くなってしまい、
位置決めマークとして認識できなくなることが判った。

【００１１】また、このようなドライフィルム樹脂の入
り込みを防止するために、凹部の直径を小さくする方法
も試みたが、位置決めマーク自体が小さくなり、位置合
わせ精度が悪くなるという問題が新たに発生した。

【００１２】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、セミア
ディティブ法において使用でき、位置合わせ精度を低下
させることなく、感光性ドライフィルムを圧着しても読
み取ることができる位置決めマークとそれを使用した多
層プリント配線板の製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１のレジストパタ
ーン形成のための位置決めマークは、上記目的を達成す
るため、層間樹脂絶縁層にリング状に凹部が形成され、
該層間樹脂絶縁層表面および凹部内にめっき膜を設けた
ことを技術的特徴とする。

【００１４】また、請求項２の多層プリント配線板の製
造方法は、以下の（ａ）〜（ｆ）の工程を含むことを技
術的特徴とする。（ａ）基準マークが設けられた基板に層間樹脂絶縁層を
形成する工程。（ｂ）前記基準マークを利用して層間樹脂絶縁層にバイ
アホール形成用の孔およびリング状の凹部を設ける工
程。（ｃ）層間樹脂絶縁層の表面、バイアホール形成用の孔
およびリング状の凹部にめっき膜を形成する工程。（ｄ）感光性ドライフィルムを圧着する工程。（ｅ）導体パターンおよび黒円が描画されたフォトマス
クフィルムを感光性ドライフィルム上に載置するにあた
り、リング状の凹部内に形成されためっき膜の反射光の
みを位置決めマークとして認識し、このリング状の位置
決めマークにフォトマスクフィルムの黒円を合わせて、
前記フォトマスクフィルムを感光性ドライフィルム上に
載置し、ドライフィルムを露光、現像処理して、導体パ
ターンを形成するためのめっきレジストパターンを形成
する工程。（ｆ）電解めっきにより、導体パターンを形成し、つい
でめっきレジストを除去して、めっきレジスト下に存在
するめっき膜を溶解除去する工程。

【００１５】本願発明においては、層間樹脂絶縁層にリ
ング状に凹部を形成し、層間樹脂絶縁層の表面および凹
部内に無電解めっき膜を設けて、これを位置決めマーク
とする。無電解めっき膜上に感光性ドライフィルムを圧
着しても、凹部の内部にはドライフィルムは接触しない
ため、感光性ドライフィルムが接触する無電解めっき膜
と感光性ドライフィルムが接触しない無電解めっき膜の
反射率の相違により、リング状の位置決めマークを認識
できる。また、リング状の凹部の幅を小さくできるた
め、感光性ドライフィルムの入り込みがなく、ドライフ
ィルムの圧着により、位置決めマークが認識できなくな
ることがない。しかも、リングの直径が位置決めマーク
の大きさとして認識されることになるため、画像処理技
術に伴う量子化誤差による位置決め精度を低下させるこ
ともない。

【００１６】凹部の幅は、１００〜３００μｍが望まし
い。この理由は、１００μｍ未満では、幅が小さすぎて
読み取りにくく、３００μｍを超えるとめっきレジスト
の付着を招くからである。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に、本願発明の多層プリント
配線板の製造方法について詳細に説明する。（ａ）本願発明で使用される基板は、銅張積層板をエッ
チングして銅パターンとする。ここでは、図１（Ａ）に
示すように厚さ１mmのガラスエポキシ又はＢＴ（ビスマ
レイミドトリアジン）から成る基板２０の両面に１８μ
ｍの銅箔２２がラミネートされて成る銅張積層板２０ａ
を出発材料とし、その銅箔２２を常法に従いパターン状
にエッチングすることにより、基板２０の両面に内層銅
パターン２４ａ及び一部が円形にくり抜かれた形態から
なる基準マーク（図示せず）を設ける。更に、スルーホ
ール用貫通孔２７を穿設し、銅めっき２５を施すことに
よりスルーホール２８を形成し、表面と裏面の配線層を
電気的に接続する。ここで、銅張積層板２０ａの代わり
に、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、セラミック
基板、金属基板などに無電解めっき用接着剤層を形成
し、これを粗化して粗化面を形成し、ここに無電解めっ
きを施して銅パターンとすることもできる。

【００１８】このコア基板の表面は、黒化（酸化）−還
元処理により、粗化処理する（図１（Ｂ）参照）。

【００１９】ここで、基板２０に、図１（Ｃ）に示すよ
うにロールコータにて樹脂を塗布して、導体回路（内層
銅パターン２４ａ）間、スルーホール２８内を充填す
る。その後、１５０°Ｃで、３０分加熱して硬化させ
る。

【００２０】引き続き、基板２０を、ベルトサンダーに
て＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いて片
面を研磨する。このとき、内層銅パターン２４ａやスル
ーホール２８のランド２８ａ上に充填樹脂３０が残らな
いように研磨を行う。その後、ベルトサンダーによる傷
を取り除くためバフ研磨を行う。そして、他方の面も同
様に研磨して、図１（Ｄ）に示すように両面のフラット
な基板２０を形成する。その後、露出面にＣｕ−Ｎｉ−
Ｐからなる針状合金（荏原ユージライト製インタープレ
ート）めっき３９を施して表面を粗化する（図２（Ｅ）
参照）。

【００２１】ついで、この基板２０の上に、層間樹脂絶
縁材層３８を形成する（図２（Ｆ）参照）。層間絶縁材
層３８は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイ
ミドトリアジン樹脂、フェノール樹脂など熱硬化性樹脂
やこれらを感光化した感光性樹脂、あるいはポリエーテ
ルスルフォンなどの熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂と熱硬
化性樹脂の複合体、感光性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体
を使用できる。

【００２２】また、層間絶縁剤は、無電解めっき用接着
剤が望ましい。無電解めっき用接着剤としては、酸ある
いは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に酸あるい
は酸化剤に可溶性の硬化処理された耐熱性樹脂粒子が分
散されてなるものが最適である。これは、酸あるいは酸
化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子を粗化して除去すること
により、表面に蛸壷状のアンカーを形成でき、導体回路
との密着性を改善できるからである。

【００２３】酸あるいは酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂と
しては、感光化した熱硬化性樹脂や感光化した熱硬化性
樹脂と熱可塑性樹脂の複合体が望ましい。感光化するこ
とにより、露光、現像により、バイアホールを容易に形
成できるからである。また、熱可塑性樹脂と複合化する
ことにより靭性を向上させることができ、導体回路のピ
ール強度の向上、ヒートサイクルによるバイアホール部
分のクラック発生を防止できる。

【００２４】具体的には、エポキシ樹脂をアクリル酸や
メタクリル酸などと反応させたエポキシアクリレートや
エポキシアクリレートとポリエーテルスルホンとの複合
体がよい。エポキシアクリレートは、全エポキシ基の２
０〜８０％がアクリル酸やメタクリル酸などと反応した
ものが望ましい。

【００２５】また耐熱性樹脂粒子としては、エポキシ樹
脂、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン
樹脂）などがよい。

【００２６】本願発明で使用される酸は、リン酸、塩
酸、硫酸、又は蟻酸、酢酸などの有機酸があるが、特に
有機酸が望ましい。これは、粗化処理した場合に、バイ
アホールから露出する金属導体層を腐食させにくいから
である。

【００２７】また、酸化剤は、クロム酸、過マンガン酸
塩（過マンガン酸カリウムなど）、が望ましい。特に、
アミノ樹脂を溶解除去する場合は、酸と酸化剤で交互に
粗化処理することが望ましい。なお、層間絶縁材層は、
１回の塗布で形成される必要はなく、複数回塗布するこ
とにより形成してもよい。

【００２８】（ｂ）層間樹脂絶縁材層３８を乾燥する。
その後、図２（Ｆ）及び位置合わせを表す図５（Ａ）に
示すように、フォトマスクフィルム６０を基板１２０に
形成された基準マーク１００に位置合わせする。該フォ
トマスクフィルム６０には、バイアホール形成用の円パ
ターン６１ａ、位置決めマーク６１ｂ、およびめっきレ
ジストとの位置決めマークを形成するためのリング状パ
ターン６１ｃが描画されている。ここでは、図５（Ａ）
に示すように下方から光を照射し、この透過光を用いて
ＣＣＤカメラ２００で基準マーク１００のシルエットを
認識し、このシルエットの円内に位置決めマーク６１ｂ
の黒円が入るようにフォトマスク６０又は基板２０の位
置を移動させながら調整するのである。ここで、フォト
マスクフィルム６０は樹脂製でもよく、ガラス製でもよ
い。

【００２９】次に露光、現像処理してバイアホール形成
用の開口３６、リング状の凹部６４を設ける（図２
（Ｇ）参照）。基板２０に形成されたバイアホール形成
用の開口３６、リング状の凹部６４を図５（Ｂ）に示
す。この行程では、該フォトマスクフィルム６０を密着
させた状態で、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ²
で露光する。これをＤＭＤＧ溶液でスプレー現像し、さ
らに、当該基板を超高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃ
ｍ²で露光し、１００℃で１時間、その後１５０℃で５
時間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより、フ
ォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた開口３
６、リング状の凹部６４を有する厚さ３５μｍの層間樹
脂絶縁層３８を形成する。

【００３０】ついで層間樹脂絶縁層３８の表面を粗化し
た後（図２（Ｈ）参照）、触媒核を付与する。触媒核
は、貴金属イオンやコロイドなどが望ましく、一般的に
は、塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用する。
触媒核を固定するために加熱処理を行うことが望まし
い。触媒核はパラジウムがよい。

【００３１】（ｃ）触媒核を付与した後、無電解銅めっ
きを行い、層間樹脂絶縁層の表面全体に無電解銅めっき
膜４０を形成する（図３（Ｉ）参照）。このめっきによ
りリング伏の凹部６４の内部にもめっき膜が形成され
て、位置決めマーク６６となる。

【００３２】（ｄ）めっきレジストを形成するための感
光性樹脂製のドライフィルム４１を熱圧着する（図３
（Ｊ）参照）、位置決めマーク６６部分を拡大して図７
（Ａ）に示す。ドライフィルムは、市販品を使用しても
よく、あるいは、エポキシ樹脂をアクリル酸やメタクリ
ル酸などと反応させたエポキシアクリレートとイミダゾ
ール硬化剤からなる組成物を使用できる。

【００３３】エポキシ樹脂としては、ノボラック型エポ
キシ樹脂がよく、クレゾールノボラック型、フェノール
ノボラック型のエポキシ樹脂の使用が可能である。図７
（Ａ）に示すように、本実施態様では、ドライフィルム
４１を熱圧着しても、位置決めマーク６６の凹部６４の
幅Ｗを小さくしてあるため、ドライフィルム４１が溶融
して凹部６４に入り込まない。

【００３４】（ｅ）フォトマスクフィルム７０をドライ
フィルム４１上に位置決めして載置する（図３（Ｋ）参
照）。該フォトマスクフィルム７０には、導体パターン
７１ａおよびドライフィルム４１側への位置決めマーク
である黒円７１ｂが描画されている。フォトマスクフィ
ルム７０と基板２０との位置合わせは具体的には次のよ
うに行われる。

【００３５】図７（Ｂ）は、該フォトマスクフィルム７
０の基板２０への位置合わせを示す説明図であり、図６
は、ＣＣＤカメラ２００にて撮像した画像を示してい
る。ここでは、ドライフィルム４１が接触する無電解銅
めっき膜４０の反射量とドライフィルム４１が接触して
いない位置決めマーク６６の無電解銅めっき膜４０の反
射量の相違をＣＣＤカメラ２００により読み取り、位置
決めマーク６６をリング状のマ−クとして認識する。該
位置決めマーク６６をＣＣＤカメラで撮影した画像を図
６（Ａ）に示す。図中からも分かるように位置決めマー
ク６６のリング部が光を強く反射するため、該リングの
輪郭を明瞭に識別できる。なお、図１０（Ｂ）を参照し
て上述した単純な凹部の場合は、先に述べたようにドラ
イフィルムの樹脂が入り込み、位置決めマークとしては
っきり認識できない。

【００３６】該位置決めマーク６６とフォトマスクフィ
ルム７０側の黒円７１ｂとを重ねてＣＣＤカメラ２００
で撮影した画像を図６（Ｅ）に示す。画像処理技術によ
り、フォトマスクフィルム７０側の黒円７１ｂの中心と
リングとして認識される位置決めマーク６６の中心の位
置座標を求め、両中心が合うようにドライフィルム７０
あるいは基板２０を移動させて調整し、ドライフィルム
４１上にフォトマスクフィルム７０を載置する。位置決
めマーク６６は、リングとして認識されるのであり、リ
ングの幅Ｗ（図７（Ａ）参照）を小さくしてもマークの
大きさ自体を小さくすることにはならないため、通常の
画像処理技術に伴う量子化の誤差影響を少なくし、位置
決め精度を低下させることがない。

【００３７】以下ＣＣＤカメラ２００による読み取り、
画像処理技術について更に詳細に説明する。基板２０に
光源２０２から光を照射すると、ドライフィルム４１が
接触する無電解銅めっき膜４０の表面で光が反射する。
また、ドライフィルム４１が接触していない位置決めマ
ーク６６の無電解銅めっき膜４０でも光は反射するが、
位置決めマーク６６は、凹部となっており、図７（Ｂ）
に示すように凹部の真上から入射してきた光だけでな
く、斜めから入射した光も凹部６４の壁面で反射し、こ
の反射光が再び底面で反射して、真上から入射してきた
光とともに加算されて出射する。このため、ドライフィ
ルム４１が接触する無電解銅めっき膜４０（凹部６４の
外部）での反射に比べてカメラに入射する反射量が多い
のである。この反射量の差を利用して図６に示すように
位置決めマーク６６を認識するのである。

【００３８】位置決めマーク６６を認識すると、その中
心点の位置座標を演算する。次に黒円７１ｂの中心点の
位置座標を演算し、両者のずれ量を演算する、ずれ量か
ら基板またはフォトマスクフィルム７０の駆動データを
発生させ、この駆動データに従い、基板２０またはフォ
トマスクフィルム７０を移動させて位置合わせし、両者
を密着させる。

【００３９】なお、本願発明で使用されるフォトマスク
フィルム７０としては、ポリエチレンテレフタレートの
ような樹脂性でもよく、ガラス製でもよい。ついで、紫
外線露光する。さらにアルカリ性水溶液で現像処理し、
めっきレジスト４２を形成する（図４（Ｌ）参照）。

【００４０】（ｆ）めっきレジスト４２が形成されてい
ない部分に電解銅めっきを施し、厚付けとして電解銅め
っき膜４４を設ける（図４（Ｍ）参照）。その後、めっ
きレジスト４２を除去した後、めっきレジスト４２の下
に存在する無電解めっき銅膜４０をエッチング液で溶解
除去することで、導体回路４６及びバイアホール４７を
完成する（図４（Ｎ）参照）。なお、エッチング液とし
ては、硫酸−過酸化水素水、過硫酸塩水溶液、塩化第二
鉄、塩化第二銅の水溶液がよい。さらに、上述した行程
を繰り返し配線層をビルトアップすることにより多層プ
リント配線板を完成する。

【００４１】ここで、更に、該位置決めマーク６６の大
きさについて、図６を参照して説明する。図６（Ａ）
は、位置決めマーク６６の外径を２φ（２mm）、リング
幅を１５０μに形成した際のＣＣＤカメラ画像を示して
いる。また、図６（Ｂ）は、外径を２φ、リング幅を３
００μに形成した際の、図６（Ｃ）は、外径を２φ、リ
ング幅を５００μに形成した際の、図６（Ｄ）は、外径
を２φ、リング幅を７００μに形成した際の画像を示し
ている。

【００４２】図６（Ｂ）、図６（Ｃ）及び図６（Ｄ）に
示すように、リング幅が３００μよりも大きくなるとリ
ングが二重になる。これは、３００μｍを超えると、図
１０（Ｂ）に示した単純な凹部にて位置決めマークを形
成した時と同様にめっきレジストが溶けて、該位置決め
マーク６６内へ付着するようになるからである。他方、
リング幅が１００μよりも狭いと、幅が小さすぎて読み
取り難くなる。このため、リング幅は、１００〜３００
μｍが望ましい。

【００４３】また、リング状凹部の直径は、１〜３ｍｍ
がよい。この理由は、小さすぎると位置決め精度が低下
し、３ｍｍを越えると、ＣＣＤカメラ倍率、占有面積等
の関係により実用的でなくなる。

【００４４】

【発明の効果】以上のように、本願発明の位置決めマー
クによれば、位置合わせ精度を低下させることなく、感
光性ドライフィルムを熱圧着しても読み取ることがで
き、信頼性の高いセミアディティブ配線板を製造でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施態様に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。

【図２】本発明の１実施態様に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。

【図３】本発明の１実施態様に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。

【図４】本発明の１実施態様に係る多層プリント配線板
の製造工程図である。

【図５】図５（Ａ）、図５（Ｂ）は、フォトマスクフイ
ルムの位置合わせを示す斜視図である。

【図６】図６（Ａ）〜図６（Ｅ）は、ＣＣＤカメラで撮
像した位置決めマークの説明図である。

【図７】図７（Ａ）は、図３（Ｊ）中の位置決めマーク
を拡大して示す説明図であり、図７（Ｂ）は、ＣＣＤカ
メラによる位置決めマークの撮影を示す説明図である。

【図８】フルアディティブ法によるバイアホールの形成
を示す製造行程図である。

【図９】セミアディティブ法によるバイアホールの形成
を示す製造行程図である。

【図１０】図１０（Ａ）は、凹部により形成した位置決
めマークをＣＣＤカメラで撮像する際の説明図であり、
図１０（Ｂ）は、凹部により形成した位置決めマークの
説明図である。

【符号の説明】

２０基板２２銅箔２４ａ導体回路３０樹脂充填剤３８層間樹脂絶縁剤４０無電解めっき膜４１ドライフィルム４２めっきレジスト４４電解めっき膜４７バイアホール６０バイアホール開口を形成するためのフォトマスク
フィルム６１ａバイアホール形成のための黒円６１ｂ位置決めマーク形成のためのリング図形６４位置決めマーク形成のためのリング状凹部６６位置決めマーク７０フォトマスクフィルム７１ｂフォトマスクフィルムに描画された位置決めの
ための黒円２００ＣＣＤカメラ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平４−354396（ＪＰ，Ａ) 特開平７−142862（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05K 3/00 - 3/46 G03F 9/00 H05K 1/02

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】層間樹脂絶縁層にリング状に凹部が形成
され、該層間樹脂絶縁層表面および凹部内にめっき膜を
設けて形成されてなることを特徴とするレジストパター
ン形成のための位置決めマーク。
【請求項２】以下の（ａ）〜（ｆ）の工程を含むこと
を特徴とする多層プリント配線板の製造方法。（ａ）基準マークが設けられた基板に層間樹脂絶縁層を
形成する工程。（ｂ）前記基準マークを利用して層間樹脂絶縁層にバイ
アホール形成用の孔およびリング状の凹部を設ける工
程。（ｃ）層間樹脂絶縁層の表面、バイアホール形成用の孔
およびリング状の凹部にめっき膜を形成する工程。（ｄ）感光性ドライフィルムを圧着する工程。（ｅ）導体パターンおよび黒円が描画されたフォトマス
クフィルムを感光性ドライフィルム上に載置するにあた
り、リング状の凹部内に形成されためっき膜の反射光の
みを位置決めマークとして認識し、このリング状の位置
決めマークにフォトマスクフィルムの黒円を合わせて、
前記フォトマスクフィルムを感光性ドライフィルム上に
載置し、感光性ドライフィルムを露光、現像処理して、
導体パターンを形成するためのめっきレジストパターン
を形成する工程。（ｆ）電解めっきにより、導体パターンを形成し、つい
でめっきレジストを除去して、めっきレジスト下に存在
するめっき膜を溶解除去する工程。