JP3339231B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP3339231B2 JP3339231B2 JP610095A JP610095A JP3339231B2 JP 3339231 B2 JP3339231 B2 JP 3339231B2 JP 610095 A JP610095 A JP 610095A JP 610095 A JP610095 A JP 610095A JP 3339231 B2 JP3339231 B2 JP 3339231B2
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- Japan
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- laminate
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- cutting
- columnar body
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ｐｎ接合を有する積
層された半導体ウェハを切断して整流体とした半導体装
置の製造方法に関する。
層された半導体ウェハを切断して整流体とした半導体装
置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】テレビジョンの画面を表示するための走
査線を制御する電源部は高電圧が必要で、この高電圧を
発生させるために数ｋＶから数十ｋＶの耐圧を有する高
圧ダイオードが必要になる。この高圧ダイオードはｐｎ
接合を形成した半導体ウェハをはんだ層を介して積層
し、その積層したウェハを切断して柱状体となし、その
後切断面が化学処理され、柱状体の両端にリード線が付
けられ、保護膜を被覆して製造される。従来の製造工程
について説明する。図４に支持治具に固定された半導体
ウェハを切断した状態の図を示し、同図（ａ）は平面
図、同図（ｂ）は断面図を示す。ｐｎ接合を有する半導
体ウェハ１０は、はんだ層３やアルミニウムとシリコン
の合金層を介して一体に積層され積層体１となり、支持
治具４に積層体１の片方の全面が接着され、ブレードソ
ー（円盤状の鋸）またはワイヤーソー（鋼鉄線の鋸）で
１ｍｍ□程度の四角の柱状体２に切断される。その後、
外周部の柱状体２は四角状ではなく一部円形となり形状
不良の不良柱状体２２となる。積層体１の内周部の四角
の良品柱状体２１とこの不良柱状体２２とを支持治具４
から剥がしながら選り分ける選別作業が必要である。
査線を制御する電源部は高電圧が必要で、この高電圧を
発生させるために数ｋＶから数十ｋＶの耐圧を有する高
圧ダイオードが必要になる。この高圧ダイオードはｐｎ
接合を形成した半導体ウェハをはんだ層を介して積層
し、その積層したウェハを切断して柱状体となし、その
後切断面が化学処理され、柱状体の両端にリード線が付
けられ、保護膜を被覆して製造される。従来の製造工程
について説明する。図４に支持治具に固定された半導体
ウェハを切断した状態の図を示し、同図（ａ）は平面
図、同図（ｂ）は断面図を示す。ｐｎ接合を有する半導
体ウェハ１０は、はんだ層３やアルミニウムとシリコン
の合金層を介して一体に積層され積層体１となり、支持
治具４に積層体１の片方の全面が接着され、ブレードソ
ー（円盤状の鋸）またはワイヤーソー（鋼鉄線の鋸）で
１ｍｍ□程度の四角の柱状体２に切断される。その後、
外周部の柱状体２は四角状ではなく一部円形となり形状
不良の不良柱状体２２となる。積層体１の内周部の四角
の良品柱状体２１とこの不良柱状体２２とを支持治具４
から剥がしながら選り分ける選別作業が必要である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この選別作業は顕微鏡
による目視作業であるため、不良柱状体２２が良品柱状
体２１に混入して次工程に回り、不良柱状体２２にまで
各製造工程での処理を施してしまうばかりでなく、最終
検査での再度の不良判定の工程が必要であるという無駄
を生じる。また目視選別作業のため人的労力も多く必要
とし、製造コストを増大させるという不都合を生じる。
による目視作業であるため、不良柱状体２２が良品柱状
体２１に混入して次工程に回り、不良柱状体２２にまで
各製造工程での処理を施してしまうばかりでなく、最終
検査での再度の不良判定の工程が必要であるという無駄
を生じる。また目視選別作業のため人的労力も多く必要
とし、製造コストを増大させるという不都合を生じる。
【０００４】この発明は、前記の課題を解決し、目視選
別作業を不用にする半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的にする。
別作業を不用にする半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的にする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、ｐｎ接合を有する複数個の半導体ウェハがはんだ
層もしくはアルミニウムとシリコンの合金層を介して積
層された積層体に形成された後、方形に切断して得られ
る柱状体とリード線と接合被覆膜とを有する半導体装置
において、積層体の切断後に柱状体形状が良となる内周
部に支持治具を接着し、積層体の切断後に柱状体形状が
不良となる外周部に対応する支持治具の外周部に段差を
設けて積層体を接着しないようにし、支持治具の最外端
と半導体ウェハの最外端とを一致させて積層体を位置合
わせし、積層体を切断すると効果的である。また積層体
の切断後に柱状体形状が良となる内周部と同一の大きさ
の支持治具に積層体を接着させ、積層体を切断するとよ
い。さらに支持治具と接着する積層体の内周部の大きさ
を積層体の直径より１ｍｍ〜３ｍｍ小さくすると確実に
不良柱状体が選別される。そして、支持治具はガラス製
とするとよい。
めに、ｐｎ接合を有する複数個の半導体ウェハがはんだ
層もしくはアルミニウムとシリコンの合金層を介して積
層された積層体に形成された後、方形に切断して得られ
る柱状体とリード線と接合被覆膜とを有する半導体装置
において、積層体の切断後に柱状体形状が良となる内周
部に支持治具を接着し、積層体の切断後に柱状体形状が
不良となる外周部に対応する支持治具の外周部に段差を
設けて積層体を接着しないようにし、支持治具の最外端
と半導体ウェハの最外端とを一致させて積層体を位置合
わせし、積層体を切断すると効果的である。また積層体
の切断後に柱状体形状が良となる内周部と同一の大きさ
の支持治具に積層体を接着させ、積層体を切断するとよ
い。さらに支持治具と接着する積層体の内周部の大きさ
を積層体の直径より１ｍｍ〜３ｍｍ小さくすると確実に
不良柱状体が選別される。そして、支持治具はガラス製
とするとよい。
【０００６】
【作用】積層された半導体ウェハの積層体をその内周部
だけ支持治具と接着させ、碁盤の目の様に切断し、四角
の柱状体にする場合、積層体の外周部は部分的に円弧状
の柱状体となり、形状不良の柱状体となる。この不良柱
状体は支持治具と接着しないため、切断時に支持治具か
ら切り離され、四角の良品柱状体のみ支持治具に接着し
て残ることになり、これを支持治具から切り離すことで
目視に頼らず容易に選別できる。この支持治具に良品柱
状体となる積層体の内周部のみ接着させ、外周部に相当
する支持治具の部分を段差を付けることで、積層体を張
りつけるときの接着材の染みだしを吸収でき、さらに切
断したとき、不良柱状体の支持治具からの切り離しが容
易になる。また柱状体の断面は０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度
であるため、支持治具の積層体と接着する部分の大きさ
は積層体の外周端より１〜３ｍｍ小さいと確実に不良柱
状体を良品柱状体から切り離すことができ、選別が容易
にかつ確実にできる。
だけ支持治具と接着させ、碁盤の目の様に切断し、四角
の柱状体にする場合、積層体の外周部は部分的に円弧状
の柱状体となり、形状不良の柱状体となる。この不良柱
状体は支持治具と接着しないため、切断時に支持治具か
ら切り離され、四角の良品柱状体のみ支持治具に接着し
て残ることになり、これを支持治具から切り離すことで
目視に頼らず容易に選別できる。この支持治具に良品柱
状体となる積層体の内周部のみ接着させ、外周部に相当
する支持治具の部分を段差を付けることで、積層体を張
りつけるときの接着材の染みだしを吸収でき、さらに切
断したとき、不良柱状体の支持治具からの切り離しが容
易になる。また柱状体の断面は０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度
であるため、支持治具の積層体と接着する部分の大きさ
は積層体の外周端より１〜３ｍｍ小さいと確実に不良柱
状体を良品柱状体から切り離すことができ、選別が容易
にかつ確実にできる。
【０００７】
【実施例】図１はこの発明の第１実施例の断面図を示
し、同図（ａ）は切断前の断面図、同図（ｂ）は切断後
の断面図を示す。切断後の平面図については図４と同じ
なのでここでは省略する。ｐｎ接合を有する半導体ウェ
ハ１０をはんだ層３を介して積層された積層体１をガラ
ス製の支持治具４に載せ接着材５で接着する。この支持
治具４は積層体１の内周部７で接着し、外周部８は０．
５ｍｍから１ｍｍ程度の段差６を支持治具４に形成する
ことで接触しない。またこの段差６は接着材５の逃げ代
ろにもなる。支持治具４の直径を積層体１と合わせるこ
とで積層体１の位置決めができる。つぎにワイヤーソー
で積層体１を碁盤の目のように１ｍｍ□程度に切断し柱
状体２にする。切断後付着した切断粉や切断時の加熱防
止用のオイルなどの汚染物質をＤＭＦ（ジメチルホルム
アミド）の有機溶剤で除去し、積層体１を洗浄する。ま
た積層体１の外周端は円形をしているため、積層体１の
外周部で切断された柱状体２の断面形状は完全な四角で
なく一部円形となり、形状不良の不良柱状体２２とな
る。この外周部８は支持治具４に接着していないため切
断時および洗浄時に良品柱状体２１から切り離され、自
動的に選別される。また支持治具４の接着部となる内周
部７の大きさを積層体１の外周端から１ｍｍ〜３ｍｍ小
さくすることで不良柱状体２２を確実に選別できる。
し、同図（ａ）は切断前の断面図、同図（ｂ）は切断後
の断面図を示す。切断後の平面図については図４と同じ
なのでここでは省略する。ｐｎ接合を有する半導体ウェ
ハ１０をはんだ層３を介して積層された積層体１をガラ
ス製の支持治具４に載せ接着材５で接着する。この支持
治具４は積層体１の内周部７で接着し、外周部８は０．
５ｍｍから１ｍｍ程度の段差６を支持治具４に形成する
ことで接触しない。またこの段差６は接着材５の逃げ代
ろにもなる。支持治具４の直径を積層体１と合わせるこ
とで積層体１の位置決めができる。つぎにワイヤーソー
で積層体１を碁盤の目のように１ｍｍ□程度に切断し柱
状体２にする。切断後付着した切断粉や切断時の加熱防
止用のオイルなどの汚染物質をＤＭＦ（ジメチルホルム
アミド）の有機溶剤で除去し、積層体１を洗浄する。ま
た積層体１の外周端は円形をしているため、積層体１の
外周部で切断された柱状体２の断面形状は完全な四角で
なく一部円形となり、形状不良の不良柱状体２２とな
る。この外周部８は支持治具４に接着していないため切
断時および洗浄時に良品柱状体２１から切り離され、自
動的に選別される。また支持治具４の接着部となる内周
部７の大きさを積層体１の外周端から１ｍｍ〜３ｍｍ小
さくすることで不良柱状体２２を確実に選別できる。
【０００８】図２はこの発明の第２実施例の断面図を示
す。積層体１の直径より１ｍｍ〜３ｍｍ小さいガラス製
の円柱の支持治具４に積層体１を接着材５で接着し、切
断する。支持治具４に円柱を用いることで第１実施例と
同様の効果が得られる。 図３はこの発明の第３実施例
の断面図を示す。積層体１と同一直径の支持治具４に積
層体１の外周端より１ｍｍ〜３ｍｍ小さく、幅０．５ｍ
ｍ程度の幅で１ｍｍ程度の溝９を堀る。この溝９は接着
材５の逃げ代ろとなる。この支持治具４の溝９の内側に
接着材５を塗布し積層体１の良品柱状体２１のみを含む
部分を接着させる。その後ワイヤーソーで積層体１を切
断し、接着されない不良柱状体２２を切り離し、選別す
る。
す。積層体１の直径より１ｍｍ〜３ｍｍ小さいガラス製
の円柱の支持治具４に積層体１を接着材５で接着し、切
断する。支持治具４に円柱を用いることで第１実施例と
同様の効果が得られる。 図３はこの発明の第３実施例
の断面図を示す。積層体１と同一直径の支持治具４に積
層体１の外周端より１ｍｍ〜３ｍｍ小さく、幅０．５ｍ
ｍ程度の幅で１ｍｍ程度の溝９を堀る。この溝９は接着
材５の逃げ代ろとなる。この支持治具４の溝９の内側に
接着材５を塗布し積層体１の良品柱状体２１のみを含む
部分を接着させる。その後ワイヤーソーで積層体１を切
断し、接着されない不良柱状体２２を切り離し、選別す
る。
【０００９】
【発明の効果】ｐｎ接合を有する半導体ウェハを積層し
た積層体の切断後に柱状体形状が良となる内周部を支持
治具に接着した後、方形に切断し、支持治具と接着して
いない外周部にある形状不良の柱状体を、切断時に良品
柱状体から切り離し、目視選別することなしに選別でき
る。このため、従来の目視選別であった良品柱状体に不
良柱状体が混在するという不具合を解消でき、混在する
ことによる工程上の種々の無駄を省くことができる。
た積層体の切断後に柱状体形状が良となる内周部を支持
治具に接着した後、方形に切断し、支持治具と接着して
いない外周部にある形状不良の柱状体を、切断時に良品
柱状体から切り離し、目視選別することなしに選別でき
る。このため、従来の目視選別であった良品柱状体に不
良柱状体が混在するという不具合を解消でき、混在する
ことによる工程上の種々の無駄を省くことができる。
【図１】この発明の第１実施例の断面図を示し、（ａ）
は切断前、（ｂ）は切断後の断面図
は切断前、（ｂ）は切断後の断面図
【図２】この発明の第２実施例の断面図
【図３】この発明の第３実施例の断面図
【図４】従来の構成図を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）
は断面図
は断面図
１ 積層体 ２ 柱状体 ２１ 良品柱状体 ２２ 不良柱状体 ３ はんだ層 ４ 支持治具 ５ 接着材 ６ 段差 ７ 内周部 ８ 外周部 ９ 溝 １０ 半導体ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 29/91 Ａ
Claims (4)
- 【請求項１】ｐｎ接合を有する複数個の半導体ウェハが
はんだ層もしくはアルミニウムとシリコンの合金層を介
して積層された積層体に形成された後、方形に切断して
得られる柱状体とリード線と接合被覆膜とを有する半導
体装置において、積層体の切断後に柱状体形状が良とな
る内周部に支持治具を接着し、積層体の切断後に柱状体
形状が不良となる外周部に対応する支持治具の外周部に
段差を設けて積層体を接着しないようにし、支持治具の
最外端と積層体の最外端とを一致させて積層体を位置合
わせし、積層体を切断することを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項２】ｐｎ接合を有する複数個の半導体ウェハが
はんだ層もしくはアルミニウムとシリコンの合金層を介
して積層された積層体に形成された後、方形に切断して
得られる柱状体とリード線と接合被覆膜とを有する半導
体装置において、積層体の切断後に柱状体形状が良とな
る内周部と同一の大きさの支持治具に積層体を接着さ
せ、積層体を切断することを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項３】支持治具と接着する積層体の内周部の大き
さが積層体の直径より１ｍｍ〜３ｍｍ小さいことを特徴
とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】ガラス製の支持治具を用いることを特徴と
する請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP610095A JP3339231B2 (ja) | 1995-01-19 | 1995-01-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP610095A JP3339231B2 (ja) | 1995-01-19 | 1995-01-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08195361A JPH08195361A (ja) | 1996-07-30 |
| JP3339231B2 true JP3339231B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=11629092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP610095A Expired - Fee Related JP3339231B2 (ja) | 1995-01-19 | 1995-01-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3339231B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4905934B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2012-03-28 | サムコ株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ装置 |
| JP4743801B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2011-08-10 | コマツＮｔｃ株式会社 | ワーク切断方法およびワーク切断用ワイヤ巻き幅変更装置 |
| JP6012945B2 (ja) * | 2011-09-26 | 2016-10-25 | キヤノンマシナリー株式会社 | 基板切断装置 |
| JP7704569B2 (ja) * | 2021-05-20 | 2025-07-08 | 株式会社ディスコ | 研削方法及び支持基台 |
-
1995
- 1995-01-19 JP JP610095A patent/JP3339231B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08195361A (ja) | 1996-07-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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