JPH02170524A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02170524A JPH02170524A JP32669688A JP32669688A JPH02170524A JP H02170524 A JPH02170524 A JP H02170524A JP 32669688 A JP32669688 A JP 32669688A JP 32669688 A JP32669688 A JP 32669688A JP H02170524 A JPH02170524 A JP H02170524A
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- stage
- annealing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置の製造方法に関し、
アニールに際してステージの表面がレーザビーム等によ
り損傷して飛散物を生じても、ウェハの汚染を防止する
ことのできる半導体装置の製造方法を提供することを目
的とし、 少なくとも一次元方向以上に移動可能なステージ上に、
熱ビームに対して透過性を有し、かつ耐熱性の板部材を
介してウェハを設置し、該ウェハに対して所定の熱ビー
ムを照射してアニール処理を行うように構成する。
り損傷して飛散物を生じても、ウェハの汚染を防止する
ことのできる半導体装置の製造方法を提供することを目
的とし、 少なくとも一次元方向以上に移動可能なステージ上に、
熱ビームに対して透過性を有し、かつ耐熱性の板部材を
介してウェハを設置し、該ウェハに対して所定の熱ビー
ムを照射してアニール処理を行うように構成する。
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、詳しくはレー
ザビーム等によりウェハのアニールを行う半導体装置の
製造方法に関する。
ザビーム等によりウェハのアニールを行う半導体装置の
製造方法に関する。
アニールとは本来焼きなましの意味で、熱工程を行うこ
とにより、半導体中の欠陥を除去して結晶性を回復させ
ること、および格子間に存在する不純物原子を格子位置
に置換して活性化することをいう。アニールの例として
はイオン注入後に行うものの他に、蒸着、ドライエツチ
ング、電子線露光などによって生じた欠陥を除去するも
のなどがある。最近は、レーザビームをウェハに照射し
て瞬間的にアニールを行うレーザアニールが注目されて
おり、これは表面層のみを瞬時に加熱するので、不純物
の分布をほとんど変化させずに活性化できるという利点
がある。
とにより、半導体中の欠陥を除去して結晶性を回復させ
ること、および格子間に存在する不純物原子を格子位置
に置換して活性化することをいう。アニールの例として
はイオン注入後に行うものの他に、蒸着、ドライエツチ
ング、電子線露光などによって生じた欠陥を除去するも
のなどがある。最近は、レーザビームをウェハに照射し
て瞬間的にアニールを行うレーザアニールが注目されて
おり、これは表面層のみを瞬時に加熱するので、不純物
の分布をほとんど変化させずに活性化できるという利点
がある。
また、表面のみを溶融することもでき、多結晶または非
晶質シリコン膜の単結晶化に有力である。
晶質シリコン膜の単結晶化に有力である。
この他レーザの代わりに電子線を用いるエレクトロビー
ムアニールなどもある。特に、このようなアニール技術
はＳ ＯＩ （Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａ
ｔｏｒ）基板を製造する際に活用されている。
ムアニールなどもある。特に、このようなアニール技術
はＳ ＯＩ （Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａ
ｔｏｒ）基板を製造する際に活用されている。
すなわち、超ＬＳＩ技術によって高密度化が進むに従っ
て、特性の物性的制約や配線占有面積の急増などの問題
が生じており、この解決法として、レーザあるいは電子
ビームのアニール技術を用いたＳＯＩ技術によって多層
配線ならびに単結晶層の多層化を行って三次元デバイス
を構成しようとする開発が行われている。Ｓｏｌ技術は
５Ｏ３（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ ５ａｐｐｈｉｒｅ）技
術と違って、絶縁物としてサファイヤのような単結晶基
板を必要としないこと、ウェハの微小領域の加熱でよい
ことなどの利点があり、三次元デバイスの重要技術とな
っている。
て、特性の物性的制約や配線占有面積の急増などの問題
が生じており、この解決法として、レーザあるいは電子
ビームのアニール技術を用いたＳＯＩ技術によって多層
配線ならびに単結晶層の多層化を行って三次元デバイス
を構成しようとする開発が行われている。Ｓｏｌ技術は
５Ｏ３（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ ５ａｐｐｈｉｒｅ）技
術と違って、絶縁物としてサファイヤのような単結晶基
板を必要としないこと、ウェハの微小領域の加熱でよい
ことなどの利点があり、三次元デバイスの重要技術とな
っている。
〔従来の技術〕
アニールによってＳＯＩ基板を製造する従来の装置では
、例えば酸化膜を形成したシリコンウェハ上に多結晶シ
リコンを堆積し、レーザビームによって多結晶シリコン
を溶融再結晶化（アニール）している。また、アニール
する際には静止したビームに対して予備加熱用のステー
ジ上に固定したウェハを往復移動させ、これによりウェ
ハ上面の所定領域にビームが照射される。この場合、ス
テージとしてはその材質が金属（ステンレス）又はセラ
ミックスが用いられ、ウェハはステージの表面に直接触
れている。
、例えば酸化膜を形成したシリコンウェハ上に多結晶シ
リコンを堆積し、レーザビームによって多結晶シリコン
を溶融再結晶化（アニール）している。また、アニール
する際には静止したビームに対して予備加熱用のステー
ジ上に固定したウェハを往復移動させ、これによりウェ
ハ上面の所定領域にビームが照射される。この場合、ス
テージとしてはその材質が金属（ステンレス）又はセラ
ミックスが用いられ、ウェハはステージの表面に直接触
れている。
しかしながら、このような従来の半導体装置の製造方法
にあっては、ステージの表面にウェハを直接設置する構
成となっていたため、レーザビームがウェハの外側に逸
脱した場合には、ステージである金属やセラミックスが
ビームによって溶融し、周囲に飛散してしまうことから
、飛散したステージの材料によってウェハが汚染されて
しまうという問題点があった。
にあっては、ステージの表面にウェハを直接設置する構
成となっていたため、レーザビームがウェハの外側に逸
脱した場合には、ステージである金属やセラミックスが
ビームによって溶融し、周囲に飛散してしまうことから
、飛散したステージの材料によってウェハが汚染されて
しまうという問題点があった。
以上はＳＯＩ基板を製造するときの不具合であるが、こ
れに限らず、ステージ上に直接ウェハを置いてレーザビ
ームあるいは電子ビームを照射する場合であれば、他の
製造プロセスでも同様の問題点がある。
れに限らず、ステージ上に直接ウェハを置いてレーザビ
ームあるいは電子ビームを照射する場合であれば、他の
製造プロセスでも同様の問題点がある。
そこで本発明は、アニールに際してステージの表面がレ
ーザビーム等により損傷して飛散物を生じても、ウェハ
の汚染を防止することのできる半導体製造装置を提供す
ることを目的としている。
ーザビーム等により損傷して飛散物を生じても、ウェハ
の汚染を防止することのできる半導体製造装置を提供す
ることを目的としている。
本発明による半導体装置の製造方法は上記目的達成のた
め、少なくとも一次元方向以上に移動可能なステージ上
に、熱ビームに対して透過性を有し、かつ耐熱性の板部
材を介してウェハを設置し、該ウェハに対して所定の熱
ビームを照射してアニール処理を行うように構成する。
め、少なくとも一次元方向以上に移動可能なステージ上
に、熱ビームに対して透過性を有し、かつ耐熱性の板部
材を介してウェハを設置し、該ウェハに対して所定の熱
ビームを照射してアニール処理を行うように構成する。
本発明では、ステージとウェハの間に、熱ビームに対し
て透過性を有しかつ耐熱性の板部材が介挿され、この状
態でウェハの上方から熱ビームが照射され、ステージが
移動する。
て透過性を有しかつ耐熱性の板部材が介挿され、この状
態でウェハの上方から熱ビームが照射され、ステージが
移動する。
したがって、ステージの移動に伴って熱ビームがウェハ
の端部からはみ出してステージの上部に直接入射し、損
傷して溶融物が生じた場合であっても、耐熱性の板部材
により溶融物の飛散が妨げられ、ウェハの汚染が防止さ
れる。
の端部からはみ出してステージの上部に直接入射し、損
傷して溶融物が生じた場合であっても、耐熱性の板部材
により溶融物の飛散が妨げられ、ウェハの汚染が防止さ
れる。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
皿理説凱
最初に、本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）（ｂ）は本発明の詳細な説明する図である
。同図（ａ）（ｂ）において、ｌはレーサヒーム（熱ヒ
ームに相当）、２はシリコンウェハ（以下、単にウェハ
という）、３は加熱用のステージである。レーザビーム
１は上部からウェハ２に入射し、ウェハ２は表面に酸化
膜を形成した後に多結晶シリコンを堆積したものである
。また、ステージ３は金属あるいはセラミックを材料と
しており、ステージ３とウェハ２の間には透明な耐熱性
の板（板部材に相当）４が設置され、ステージ３の上部
を覆っている。
。同図（ａ）（ｂ）において、ｌはレーサヒーム（熱ヒ
ームに相当）、２はシリコンウェハ（以下、単にウェハ
という）、３は加熱用のステージである。レーザビーム
１は上部からウェハ２に入射し、ウェハ２は表面に酸化
膜を形成した後に多結晶シリコンを堆積したものである
。また、ステージ３は金属あるいはセラミックを材料と
しており、ステージ３とウェハ２の間には透明な耐熱性
の板（板部材に相当）４が設置され、ステージ３の上部
を覆っている。
以上の構成において、通常の状態では第１図（ａ）に示
すように静止したレーザビーム１に対してステージ３が
ｘ、ｘ’力方向所定範囲内で移動し、ウェハ２の所定領
域がアニールされてＳＯＩ基板が形成される。
すように静止したレーザビーム１に対してステージ３が
ｘ、ｘ’力方向所定範囲内で移動し、ウェハ２の所定領
域がアニールされてＳＯＩ基板が形成される。
一方、第１図（ｂ）に示すように、何らかの原因でステ
ージ３がＸ′方向に必要以上に移動してレーザビーム１
がウェハ２の端部からはみ出した場合には、レーザビー
ム１が板４を透過してステージ３の上部に直接的に入射
し、その部分が損傷して溶融物５が生じる。ところが、
板４によりステージ３の上部が覆われているため、従来
と異なり溶融物５の飛散を妨げるので、ウェハ２の汚染
を防止することができる。その結果、Ｓｏ１基板の品質
が向上する。
ージ３がＸ′方向に必要以上に移動してレーザビーム１
がウェハ２の端部からはみ出した場合には、レーザビー
ム１が板４を透過してステージ３の上部に直接的に入射
し、その部分が損傷して溶融物５が生じる。ところが、
板４によりステージ３の上部が覆われているため、従来
と異なり溶融物５の飛散を妨げるので、ウェハ２の汚染
を防止することができる。その結果、Ｓｏ１基板の品質
が向上する。
なお、第１図はＳｏｌ基板を例として本発明の詳細な説
明したものであるが、本発明の適用はこれに限るもので
はない。例えば、イオン注入層のアニール、不純物の活
性化などへの適用でもよく、またレーザビームに限らず
電子ビームを用いる場合であってもよい。
明したものであるが、本発明の適用はこれに限るもので
はない。例えば、イオン注入層のアニール、不純物の活
性化などへの適用でもよく、またレーザビームに限らず
電子ビームを用いる場合であってもよい。
１上皇施±
次に、第２〜４図は上記原理に基づく本発明の第１実施
例を示す図であり、本発明をＳｏｌ基板を形成するプロ
セスに適用した例である。第２図はＳ、０１基板作製の
アニール装置を示す構成図であり、この図において、１
０はＡｒイオンのレーザビームを出力するアルゴンレー
ザ発振器である。
例を示す図であり、本発明をＳｏｌ基板を形成するプロ
セスに適用した例である。第２図はＳ、０１基板作製の
アニール装置を示す構成図であり、この図において、１
０はＡｒイオンのレーザビームを出力するアルゴンレー
ザ発振器である。
アルゴンレーザ１０の波長は４８８０人あるいは５１４
５人であり、容量は４〜５Ｗ程度のものが使用される。
５人であり、容量は４〜５Ｗ程度のものが使用される。
アルゴンレーザ１０からのレーザビーム（熱ビームに相
当＞ １１は反射鏡１２で反射した後、レンズ１３によ
り絞られてウェハ１４に照射される。ウェハ１４は仮１
５を介して加熱ステージ１６の上部に載置され、ゴムホ
ース１７を通して真空引きされて真空チャックされてい
る。板（Ｆｉ部材に相当）１５としては厚さが２１１の
透明な石英板が用いられ、耐熱性を有している。板１５
は第３図に示すように、その周辺が下方に向けて折れ曲
がっており、加熱ステージ１６の上から外れないように
なっている。これは、加熱ステージ１６の高速移動から
板１５が脱落するのを防ぐためである。加熱ステージ１
６としては直径２０ｃｍ、厚さ４０ｕのステンレス類の
ものが用いられ、加熱ステージ１６および板１５の中心
部にはアスピレータへの吸引孔１８が形成されている。
当＞ １１は反射鏡１２で反射した後、レンズ１３によ
り絞られてウェハ１４に照射される。ウェハ１４は仮１
５を介して加熱ステージ１６の上部に載置され、ゴムホ
ース１７を通して真空引きされて真空チャックされてい
る。板（Ｆｉ部材に相当）１５としては厚さが２１１の
透明な石英板が用いられ、耐熱性を有している。板１５
は第３図に示すように、その周辺が下方に向けて折れ曲
がっており、加熱ステージ１６の上から外れないように
なっている。これは、加熱ステージ１６の高速移動から
板１５が脱落するのを防ぐためである。加熱ステージ１
６としては直径２０ｃｍ、厚さ４０ｕのステンレス類の
ものが用いられ、加熱ステージ１６および板１５の中心
部にはアスピレータへの吸引孔１８が形成されている。
吸引孔１８はゴムホース１７に連通しており、ウェハ１
４は吸引孔１８を通じて真空チャンクにより固定される
。同時に、板１５も加熱ステージ１６に固定され、アニ
ール中にウェハ１４の位置が外れることはない。
４は吸引孔１８を通じて真空チャンクにより固定される
。同時に、板１５も加熱ステージ１６に固定され、アニ
ール中にウェハ１４の位置が外れることはない。
再び、第２図に戻り、加熱ステージ１６の内部にはシー
ズヒータ（図示時）が埋設されて、予備加熱（例えば、
５００℃）されるようになっており、加熱ステージ１６
はＸ−Ｙ可動ステージ１９の上に載置、固定されている
。Ｘ−Ｙ可動ステージ１９は図中Ｘ方向は高速の往復運
動（１５０ｔｓ／ｓｅｃ ）をし、Ｙ方向は１０μｍピ
ンチで一定方向に進むことにより、ウェハ１４の所定範
囲にレーザビーム１１が照射できるようになっている。
ズヒータ（図示時）が埋設されて、予備加熱（例えば、
５００℃）されるようになっており、加熱ステージ１６
はＸ−Ｙ可動ステージ１９の上に載置、固定されている
。Ｘ−Ｙ可動ステージ１９は図中Ｘ方向は高速の往復運
動（１５０ｔｓ／ｓｅｃ ）をし、Ｙ方向は１０μｍピ
ンチで一定方向に進むことにより、ウェハ１４の所定範
囲にレーザビーム１１が照射できるようになっている。
ここで、ウェハ１４の詳細な構造は第４図のように示さ
れる。第４図において、２０は基板であり、シリコンを
材料としているが、石英であってもよい。２１はＳ ｉ
Ｏ’ｚからなる酸化膜で、厚さは１．０μｍである。２
２はポリシリコン（多結晶シリコン）であり、厚さは５
０００人である。ポリシリコン２２は薄い程良（、例え
ば１０００Å以下でもよい。２３はＳｉＯ□からなる酸
化膜で、厚さは５００人、２４はＳｉ３Ｎ４からなる窒
化膜で、厚さは１０００人である。
れる。第４図において、２０は基板であり、シリコンを
材料としているが、石英であってもよい。２１はＳ ｉ
Ｏ’ｚからなる酸化膜で、厚さは１．０μｍである。２
２はポリシリコン（多結晶シリコン）であり、厚さは５
０００人である。ポリシリコン２２は薄い程良（、例え
ば１０００Å以下でもよい。２３はＳｉＯ□からなる酸
化膜で、厚さは５００人、２４はＳｉ３Ｎ４からなる窒
化膜で、厚さは１０００人である。
これらの酸化膜２３および窒化膜２４は反射防止膜とし
て機能する。なお、反射防止膜は付いていない場合もあ
り得る。
て機能する。なお、反射防止膜は付いていない場合もあ
り得る。
以上の構成において、アニール工程では、まず加熱ステ
ージ１６の上に仮１５が重ねて置かれ、その上にウェハ
１４が置かれて真空チャックして固定される０次いで、
加熱ステージ１６のシーズヒータに通電されてウェハ１
４が予備加熱され、その後Ｘ−Ｙ可動ステージ１９の起
動とともにレーザビーム１１がウェハ１４に照射されて
、ウェハ１４のポリシリコン２２が順次、溶融再結晶化
されてＳｏｌ基板が形成されていく。
ージ１６の上に仮１５が重ねて置かれ、その上にウェハ
１４が置かれて真空チャックして固定される０次いで、
加熱ステージ１６のシーズヒータに通電されてウェハ１
４が予備加熱され、その後Ｘ−Ｙ可動ステージ１９の起
動とともにレーザビーム１１がウェハ１４に照射されて
、ウェハ１４のポリシリコン２２が順次、溶融再結晶化
されてＳｏｌ基板が形成されていく。
この場合、前述の発明の詳細な説明したように、ウェハ
１４をレーザアニールするときにレーザビーム１１がウ
ェハ１４を外れて加熱ステージ１６を照射して該加熱ス
テージ１６の材料が溶融するという事態が生じても、仮
１５によって溶融物の飛散が妨げられ、ウェハ１４の汚
染が防止される。また、透明な耐熱性の板１５を用いて
いるため、レーザビーム１１は板１５には殆ど吸収され
ず、板１５自体の表面からウェハ１４を汚染する物質が
飛散することはない。
１４をレーザアニールするときにレーザビーム１１がウ
ェハ１４を外れて加熱ステージ１６を照射して該加熱ス
テージ１６の材料が溶融するという事態が生じても、仮
１５によって溶融物の飛散が妨げられ、ウェハ１４の汚
染が防止される。また、透明な耐熱性の板１５を用いて
いるため、レーザビーム１１は板１５には殆ど吸収され
ず、板１５自体の表面からウェハ１４を汚染する物質が
飛散することはない。
したがって、レーザ再結晶化ｓｏｒ基板の品質を格段と
向上させることができる。
向上させることができる。
１１実皇斑
第５図は本発明の第２実施例を示す図であり、本実施例
では２重重厚の透明な石英の板（板部材に相当）３１の
周辺が石英製の爪３２で固定され、爪３２はステンレス
製の螺子３３で加熱ステージ３４の側面に固定されてい
る。その他は第１実施例と同様である。
では２重重厚の透明な石英の板（板部材に相当）３１の
周辺が石英製の爪３２で固定され、爪３２はステンレス
製の螺子３３で加熱ステージ３４の側面に固定されてい
る。その他は第１実施例と同様である。
したがって、本実施例においては板３１の固定方法が第
１実施例と相違するものの、板３１の設置により第１実
施例と同様の効果を得ることができる。
１実施例と相違するものの、板３１の設置により第１実
施例と同様の効果を得ることができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、アニールに際してステージの表面が熱
ビームにより損傷して飛散物を生じても、ウェハの汚染
を防止することができ、ウェハのアニール処理における
品質を向上させることができる。
ビームにより損傷して飛散物を生じても、ウェハの汚染
を防止することができ、ウェハのアニール処理における
品質を向上させることができる。
第１図は本発明の原理説明図、
第２〜４図は本発明に係る半導体装置の製造方法の第１
実施例を示す図であり、 第２図はそのアニール装置の構成図、 第３図はそのウェハを含む要部構成図、第４図はそのウ
ェハの構造を示す断面図、第５図は本発明に係る半導体
装置の製造方法の第２実施例のウェハを含む要部構成図
である。 ２３・・・・・・酸化膜、 ２４・・・・・・窒化膜。 １．１１・・・・・・レーザビーム、 ２．１４・・・・・・ウェハ、 ３・・・・・・ステージ、 ４．１５．３１・・・・・−板、 ５・・・・・・溶融物、 １０・・・・・・アルゴンレーザ発振器、１２・・・・
・・反射鏡、 １３・・・・・・レンズ、 １６．３４・・・・・・加熱ステージ、１９・・・・・
・Ｘ−Ｙ可動ステージ、２０・・・・・・基板、 ２１・・・・・・酸化膜、 ２２・・・・・・ポリシリコン、 −一一一一−Ｘ′ Ｘ Ｏ：ネｉ裡勿 第１実施例のウェハを含む要部構成図 第３図 第１実施例のアニール装置の構成図 第 ２ｑ 第１実施例のウェハの構造を示す断面図第４図
実施例を示す図であり、 第２図はそのアニール装置の構成図、 第３図はそのウェハを含む要部構成図、第４図はそのウ
ェハの構造を示す断面図、第５図は本発明に係る半導体
装置の製造方法の第２実施例のウェハを含む要部構成図
である。 ２３・・・・・・酸化膜、 ２４・・・・・・窒化膜。 １．１１・・・・・・レーザビーム、 ２．１４・・・・・・ウェハ、 ３・・・・・・ステージ、 ４．１５．３１・・・・・−板、 ５・・・・・・溶融物、 １０・・・・・・アルゴンレーザ発振器、１２・・・・
・・反射鏡、 １３・・・・・・レンズ、 １６．３４・・・・・・加熱ステージ、１９・・・・・
・Ｘ−Ｙ可動ステージ、２０・・・・・・基板、 ２１・・・・・・酸化膜、 ２２・・・・・・ポリシリコン、 −一一一一−Ｘ′ Ｘ Ｏ：ネｉ裡勿 第１実施例のウェハを含む要部構成図 第３図 第１実施例のアニール装置の構成図 第 ２ｑ 第１実施例のウェハの構造を示す断面図第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも一次元方向以上に移動可能なステージ上に、 熱ビームに対して透過性を有し、かつ耐熱性の板部材を
介してウェハを設置し、 該ウェハに対して所定の熱ビームを照射してアニール処
理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32669688A JPH02170524A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32669688A JPH02170524A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170524A true JPH02170524A (ja) | 1990-07-02 |
Family
ID=18190646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32669688A Pending JPH02170524A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02170524A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005085817A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜半導体装置およびその製造方法 |
| US7459354B2 (en) | 2001-01-29 | 2008-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device including top gate thin film transistor and method for manufacturing an active matrix device including top gate thin film transistor |
| JP2011198881A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | レーザアニール装置およびレーザアニール方法 |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP32669688A patent/JPH02170524A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7459354B2 (en) | 2001-01-29 | 2008-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device including top gate thin film transistor and method for manufacturing an active matrix device including top gate thin film transistor |
| JP2005085817A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜半導体装置およびその製造方法 |
| JP2011198881A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | レーザアニール装置およびレーザアニール方法 |
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