JP3396455B2 - 軟磁性膜及びその製造方法、ならびにこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド - Google Patents
軟磁性膜及びその製造方法、ならびにこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッドInfo
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Landscapes
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば薄膜磁気ヘ
ッドのコア層として使用される軟磁性膜に係り、特に高
比抵抗ρ、低保磁力Ｈｃ及び高飽和磁束密度Ｍｓの軟磁
気特性を有する軟磁性膜及びその製造方法、ならびにこ
の軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッドに関する。
ッドのコア層として使用される軟磁性膜に係り、特に高
比抵抗ρ、低保磁力Ｈｃ及び高飽和磁束密度Ｍｓの軟磁
気特性を有する軟磁性膜及びその製造方法、ならびにこ
の軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばハードディスクなどに搭載される
磁気ヘッドには、ジンバルの先端に薄膜磁気ヘッドが設
けられており、前記薄膜磁気ヘッドは、書込み用のイン
ダクティブヘッドと、読み込み用のＭＲヘッドとから構
成される。
磁気ヘッドには、ジンバルの先端に薄膜磁気ヘッドが設
けられており、前記薄膜磁気ヘッドは、書込み用のイン
ダクティブヘッドと、読み込み用のＭＲヘッドとから構
成される。
【０００３】前記インダクティブヘッドは、一般的に、
磁性材料で形成された下部コア層及び前記下部コア層に
非磁性のギャップ層を介して対向する上部コア層と、両
コア層に記録磁界を誘導するためのコイル層とを有して
構成される。
磁性材料で形成された下部コア層及び前記下部コア層に
非磁性のギャップ層を介して対向する上部コア層と、両
コア層に記録磁界を誘導するためのコイル層とを有して
構成される。
【０００４】従来では、前記上部コア層及び下部コア層
は、Ｎｉ−Ｆｅ合金膜（パーマロイ）などの既存の磁性
材料で形成されていた。前記パーマロイは、透磁率が高
く、また飽和磁束密度Ｍｓも比較的に高い。
は、Ｎｉ−Ｆｅ合金膜（パーマロイ）などの既存の磁性
材料で形成されていた。前記パーマロイは、透磁率が高
く、また飽和磁束密度Ｍｓも比較的に高い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、今後の
高記録密度化に伴い、記録密度を向上させるために、記
録周波数を高くすると、前記下部コア層及び上部コア層
を形成するパーマロイは、比抵抗ρが低いために、前記
下部コア層及び上部コア層に渦電流が発生し、渦電流に
よる熱損失が増大しやすくなっていた。
高記録密度化に伴い、記録密度を向上させるために、記
録周波数を高くすると、前記下部コア層及び上部コア層
を形成するパーマロイは、比抵抗ρが低いために、前記
下部コア層及び上部コア層に渦電流が発生し、渦電流に
よる熱損失が増大しやすくなっていた。
【０００６】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、特にＮｉＦｅ合金に元素Ｘ（ただしＸは、
Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｓから選ばれる１種以上の元素である）を
添加することで、保磁力Ｈｃ及び飽和磁束密度Ｍｓを良
好に維持しつつ、比抵抗ρを向上させることが可能な軟
磁性膜及びその製造方法、ならびに、この軟磁性膜をコ
ア層に使用することによって、高記録密度化・高記録周
波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを提供することを目
的としている。
ものであり、特にＮｉＦｅ合金に元素Ｘ（ただしＸは、
Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｓから選ばれる１種以上の元素である）を
添加することで、保磁力Ｈｃ及び飽和磁束密度Ｍｓを良
好に維持しつつ、比抵抗ρを向上させることが可能な軟
磁性膜及びその製造方法、ならびに、この軟磁性膜をコ
ア層に使用することによって、高記録密度化・高記録周
波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを提供することを目
的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、メッキ形成さ
れた軟磁性膜であって、組成元素として、少なくともＮ
ｉ、Ｆｅ、Ｏ、Ｃ、及びＳを含有し、平均結晶粒径は６
０Å以上で８０Å以下であり、Ｆｅ量が５７質量％以上
で６５質量％以下であり、さらに、Ｏ、Ｃ及びＳの組成
比を足したＯ＋Ｃ＋Ｓ組成比は、１．１６質量％以上
５．００質量％以下であることを特徴とするものであ
る。
れた軟磁性膜であって、組成元素として、少なくともＮ
ｉ、Ｆｅ、Ｏ、Ｃ、及びＳを含有し、平均結晶粒径は６
０Å以上で８０Å以下であり、Ｆｅ量が５７質量％以上
で６５質量％以下であり、さらに、Ｏ、Ｃ及びＳの組成
比を足したＯ＋Ｃ＋Ｓ組成比は、１．１６質量％以上
５．００質量％以下であることを特徴とするものであ
る。
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】また上記数値範囲内において、Ｏの組成比
は、０．８７質量％以上３．７０質量％以下であること
が好ましい。
は、０．８７質量％以上３．７０質量％以下であること
が好ましい。
【００１６】またＣの組成比は、０．２１質量％以上
０．９０質量％以下であることが好ましい。
０．９０質量％以下であることが好ましい。
【００１７】さらに、Ｓの組成比は、０．１０質量％以
上０．４３質量％以下であることが好ましい。
上０．４３質量％以下であることが好ましい。
【００１８】本発明では、上記のように数値限定するこ
とで、前記軟磁性膜の比抵抗ρを、８０μΩ・ｃｍ以上
２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができる。
とで、前記軟磁性膜の比抵抗ρを、８０μΩ・ｃｍ以上
２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができる。
【００１９】さらに本発明では、Ｏ、Ｃ及びＳの組成比
を足したＯ＋Ｃ＋Ｓ組成比は、１．７３質量％以上５．
００質量％以下であることがさらに好ましい。
を足したＯ＋Ｃ＋Ｓ組成比は、１．７３質量％以上５．
００質量％以下であることがさらに好ましい。
【００２０】また上記数値範囲内において、Ｏの組成比
は、１．３０質量％以上３．７０質量％以下であること
が好ましい。
は、１．３０質量％以上３．７０質量％以下であること
が好ましい。
【００２１】またＣの組成比は、０．３２質量％以上
０．９０質量％以下であることが好ましい。
０．９０質量％以下であることが好ましい。
【００２２】またＳの組成比は、０．１５質量％以上
０．４３質量％以下であることが好ましい。
０．４３質量％以下であることが好ましい。
【００２３】本発明では、上記のように数値限定するこ
とで、前記軟磁性膜の比抵抗ρを、１００μΩ・ｃｍ以
上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができる。
とで、前記軟磁性膜の比抵抗ρを、１００μΩ・ｃｍ以
上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができる。
【００２４】また本発明では、前記軟磁性膜の膜面の中
心線平均粗さ（Ｒａ）は１４０Å以下であることが好ま
しい。これにより、前記軟磁性膜の保磁力Ｈｃを、１１
８．５Ａ／ｍ以下にすることができる。
心線平均粗さ（Ｒａ）は１４０Å以下であることが好ま
しい。これにより、前記軟磁性膜の保磁力Ｈｃを、１１
８．５Ａ／ｍ以下にすることができる。
【００２５】また本発明では、前記中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）は１２０Å以下であることがより好ましい。これに
より、前記軟磁性膜の保磁力Ｈｃを、７９Ａ／ｍ以下に
することができる。
ａ）は１２０Å以下であることがより好ましい。これに
より、前記軟磁性膜の保磁力Ｈｃを、７９Ａ／ｍ以下に
することができる。
【００２６】また本発明では、前記中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）は５０Å以下であることがさらに好ましい。これに
より、前記軟磁性膜の保磁力Ｈｃを、３９．５Ａ／ｍ以
下にすることができる。
ａ）は５０Å以下であることがさらに好ましい。これに
より、前記軟磁性膜の保磁力Ｈｃを、３９．５Ａ／ｍ以
下にすることができる。
【００２７】また本発明では、飽和磁束密度Ｍｓを、
１．０Ｔ以上にすることが可能である。
１．０Ｔ以上にすることが可能である。
【００２８】
【００２９】また、本発明の軟磁性膜の製造方法は、Ｆ
ｅイオン、Ｎｉイオンを有するメッキ浴中に、アミノ系
有機材料及びサッカリンを添加して、前記メッキ浴中の
ｐＨを１．８以下に設定し、前記メッキ浴中の温度を２
０℃から２８℃の範囲内に保ちつつメッキ形成する工程
を有することによって、前述した本発明の軟磁性膜を製
造する方法である。
ｅイオン、Ｎｉイオンを有するメッキ浴中に、アミノ系
有機材料及びサッカリンを添加して、前記メッキ浴中の
ｐＨを１．８以下に設定し、前記メッキ浴中の温度を２
０℃から２８℃の範囲内に保ちつつメッキ形成する工程
を有することによって、前述した本発明の軟磁性膜を製
造する方法である。
【００３０】また本発明では、前記メッキ浴中に、サッ
カリンを添加する。サッカリンの添加により、特に前記
サッカリンとアミノ系有機材料との相乗効果が高まり、
Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｓの非金属元素が、軟磁性膜中に含まれ、
比抵抗ρを向上させることができる。また前記サッカリ
ンの添加により、メッキ形成された軟磁性膜の応力を低
減させることも可能である。
カリンを添加する。サッカリンの添加により、特に前記
サッカリンとアミノ系有機材料との相乗効果が高まり、
Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｓの非金属元素が、軟磁性膜中に含まれ、
比抵抗ρを向上させることができる。また前記サッカリ
ンの添加により、メッキ形成された軟磁性膜の応力を低
減させることも可能である。
【００３１】また本発明では、上記のように、メッキ浴
中にサッカリンを添加することで、前記サッカリン中に
含まれるＳＯ2が、軟磁性膜の組成中に入り込むと考え
られ、前記軟磁性膜にＳを含有させることができる。
中にサッカリンを添加することで、前記サッカリン中に
含まれるＳＯ2が、軟磁性膜の組成中に入り込むと考え
られ、前記軟磁性膜にＳを含有させることができる。
【００３２】本発明では、前記メッキ浴中のｐＨを、
１．７以下に保つことが好ましい。より好ましくは、前
記ｐＨを、１．５以下に保つことである。
１．７以下に保つことが好ましい。より好ましくは、前
記ｐＨを、１．５以下に保つことである。
【００３３】
【００３４】なお本発明では、前記アミノ系有機材料と
して、エチレンジアミン（ＥＤＡ）、ジエチレントリア
ミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴ
Ａ）、アラニン（Ａｌａ）、あるいはグルタミン酸（Ｇ
ｌｕ）から１種または２種以上を選択することが好まし
い。
して、エチレンジアミン（ＥＤＡ）、ジエチレントリア
ミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴ
Ａ）、アラニン（Ａｌａ）、あるいはグルタミン酸（Ｇ
ｌｕ）から１種または２種以上を選択することが好まし
い。
【００３５】本発明では、Ｎｉ−Ｆｅ合金から成る軟磁
性膜にＣ、Ｏ、及びＳを含有させることにより、前記Ｎ
ｉ−Ｆｅ合金と同程度の保磁力Ｈｃ及び飽和磁束密度Ｍ
ｓを保ちつつ、比抵抗ρを向上させることが可能になっ
ている。
性膜にＣ、Ｏ、及びＳを含有させることにより、前記Ｎ
ｉ−Ｆｅ合金と同程度の保磁力Ｈｃ及び飽和磁束密度Ｍ
ｓを保ちつつ、比抵抗ρを向上させることが可能になっ
ている。
【００３６】本発明における軟磁性膜に含有されるＮ
ｉ，Ｆｅは磁性を担う元素である。特に高飽和磁束密度
Ｍｓを得るには、Ｆｅの含有量は多いほど好ましい。
ｉ，Ｆｅは磁性を担う元素である。特に高飽和磁束密度
Ｍｓを得るには、Ｆｅの含有量は多いほど好ましい。
【００３７】Ｃ（炭素）、Ｏ（酸素）、及びＳ（硫黄）
は非金属性であるために、軟磁性膜中に含有させること
により、前記軟磁性膜の比抵抗ρを向上させることが可
能である。また、Ｃ、Ｏ、Ｓは軟磁性膜の微結晶化を促
進させることが可能であり、本発明では、前記Ｃ、Ｏ、
Ｓを適量含有させて軟磁性膜の平均結晶粒径を８０Å以
下にすれば、従来、コア層として使用されていたＮｉ−
Ｆｅ合金に比べて、比抵抗ρを向上させることができる
ことが、後述する実験により確認されている。
は非金属性であるために、軟磁性膜中に含有させること
により、前記軟磁性膜の比抵抗ρを向上させることが可
能である。また、Ｃ、Ｏ、Ｓは軟磁性膜の微結晶化を促
進させることが可能であり、本発明では、前記Ｃ、Ｏ、
Ｓを適量含有させて軟磁性膜の平均結晶粒径を８０Å以
下にすれば、従来、コア層として使用されていたＮｉ−
Ｆｅ合金に比べて、比抵抗ρを向上させることができる
ことが、後述する実験により確認されている。
【００３８】さらに本発明では軟磁性膜に含有されるＦ
ｅを、５７質量％以上で６５質量％以下にすることによ
り、比抵抗ρの向上のみならず、保磁力Ｈｃを、Ｎｉ−
Ｆｅ合金と同等に低く抑えることができ、しかも飽和磁
束密度Ｍｓを、前記Ｎｉ−Ｆｅ合金と同程度に高くする
ことができる。
ｅを、５７質量％以上で６５質量％以下にすることによ
り、比抵抗ρの向上のみならず、保磁力Ｈｃを、Ｎｉ−
Ｆｅ合金と同等に低く抑えることができ、しかも飽和磁
束密度Ｍｓを、前記Ｎｉ−Ｆｅ合金と同程度に高くする
ことができる。
【００３９】
【００４０】本発明では、後述の実験で説明するよう
に、前記Ｏ、Ｃ及びＳの含有量（質量％）と比抵抗ρと
の関係を導き出し、前記Ｏ、Ｃ及びＳの適切な含有量を
明らかにしている。
に、前記Ｏ、Ｃ及びＳの含有量（質量％）と比抵抗ρと
の関係を導き出し、前記Ｏ、Ｃ及びＳの適切な含有量を
明らかにしている。
【００４１】また本発明では、上記のようにＦｅの含有
量等を調整するだけでは、必ずしも保磁力Ｈｃを低く抑
えることができないことがわかった。保磁力Ｈｃを適性
に低下させるには、軟磁性膜の形成に使用されるメッキ
浴の諸条件を、適性に調整する必要がある。
量等を調整するだけでは、必ずしも保磁力Ｈｃを低く抑
えることができないことがわかった。保磁力Ｈｃを適性
に低下させるには、軟磁性膜の形成に使用されるメッキ
浴の諸条件を、適性に調整する必要がある。
【００４２】そこで本発明では、メッキ浴中にＦｅイオ
ン、Ｎｉイオン、アミノ系有機材料を添加した際の、前
記メッキ浴のｐＨ（水素指数）を小さくして、具体的に
は１．８以下にしている。前記ｐＨを１．８以下に低く
保ち、さらには、メッキ浴の温度を、２０℃から２８℃
に低く保つと、成膜レートは遅延化し、成膜された軟磁
性膜の中心線平均粗さ（Ｒａ）は、１４０Å以下にな
る。
ン、Ｎｉイオン、アミノ系有機材料を添加した際の、前
記メッキ浴のｐＨ（水素指数）を小さくして、具体的に
は１．８以下にしている。前記ｐＨを１．８以下に低く
保ち、さらには、メッキ浴の温度を、２０℃から２８℃
に低く保つと、成膜レートは遅延化し、成膜された軟磁
性膜の中心線平均粗さ（Ｒａ）は、１４０Å以下にな
る。
【００４３】このように本発明では、メッキ浴のｐＨを
１．８以下にして、成膜された軟磁性膜の中心線平均粗
さ（Ｒａ）を１４０Å以下にしており、これより保磁力
Ｈｃに影響を与える結晶磁気異方性エネルギーを弱める
ことができると考えられ、前記保磁力Ｈｃを確実に小さ
くすることが可能になっている。
１．８以下にして、成膜された軟磁性膜の中心線平均粗
さ（Ｒａ）を１４０Å以下にしており、これより保磁力
Ｈｃに影響を与える結晶磁気異方性エネルギーを弱める
ことができると考えられ、前記保磁力Ｈｃを確実に小さ
くすることが可能になっている。
【００４４】以上のように、比抵抗ρが高く、しかも低
保磁力Ｈｃ及び高飽和磁束密度Ｍｓを保ち、さらに面荒
れの小さい軟磁性膜を本発明では、薄膜磁気ヘッド（イ
ンダクティブヘッド）の下部コア層及び／または上部コ
ア層として使用している。これにより、今後の高記録密
度化・高記録周波数化にも対応することができる薄膜磁
気ヘッドを製造することが可能となっている。また、上
記薄膜磁気ヘッドの下に、記録信号を検出するための磁
気抵抗効果素子が設けられていることを特徴とする複合
型薄膜磁気ヘッドを製造することも可能である。
保磁力Ｈｃ及び高飽和磁束密度Ｍｓを保ち、さらに面荒
れの小さい軟磁性膜を本発明では、薄膜磁気ヘッド（イ
ンダクティブヘッド）の下部コア層及び／または上部コ
ア層として使用している。これにより、今後の高記録密
度化・高記録周波数化にも対応することができる薄膜磁
気ヘッドを製造することが可能となっている。また、上
記薄膜磁気ヘッドの下に、記録信号を検出するための磁
気抵抗効果素子が設けられていることを特徴とする複合
型薄膜磁気ヘッドを製造することも可能である。
【００４５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施形態の薄膜
磁気ヘッドの縦断面図である。なお図１に示す薄膜磁気
ヘッドの図示左側の端面が記録媒体との対向面となって
いる。
磁気ヘッドの縦断面図である。なお図１に示す薄膜磁気
ヘッドの図示左側の端面が記録媒体との対向面となって
いる。
【００４６】本発明における薄膜磁気ヘッドは、浮上式
ヘッドを構成するスライダのトレーリング側端面に形成
されたものであり、ＭＲヘッドｈ1と、書込み用のイン
ダクティブヘッドｈ2とが積層された、ＭＲ／インダク
ティブ複合型薄膜磁気ヘッド（以下、単に薄膜磁気ヘッ
ドという）となっている。
ヘッドを構成するスライダのトレーリング側端面に形成
されたものであり、ＭＲヘッドｈ1と、書込み用のイン
ダクティブヘッドｈ2とが積層された、ＭＲ／インダク
ティブ複合型薄膜磁気ヘッド（以下、単に薄膜磁気ヘッ
ドという）となっている。
【００４７】ＭＲヘッドｈ1は、磁気抵抗効果を利用し
てハードディスクなどの記録媒体からの洩れ磁界を検出
し、記録信号を読み取るものである。前記スライダのト
レーリング側端面には軟磁性材料製の下部シールド層１
が形成されている。
てハードディスクなどの記録媒体からの洩れ磁界を検出
し、記録信号を読み取るものである。前記スライダのト
レーリング側端面には軟磁性材料製の下部シールド層１
が形成されている。
【００４８】図１に示すように、前記下部シールド層１
の上には、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）などの非磁性材料によ
り形成された下部ギャップ層２を介して磁気抵抗効果素
子層３が形成されている。なお前記磁気抵抗効果素子層
３はＡＭＲ構造あるいは巨大磁気抵抗効果を利用したス
ピンバルブ膜に代表されるＧＭＲ構造である。
の上には、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）などの非磁性材料によ
り形成された下部ギャップ層２を介して磁気抵抗効果素
子層３が形成されている。なお前記磁気抵抗効果素子層
３はＡＭＲ構造あるいは巨大磁気抵抗効果を利用したス
ピンバルブ膜に代表されるＧＭＲ構造である。
【００４９】前記磁気抵抗効果素子層３の上には、非磁
性材料製の上部ギャップ層４を介して、ＭＲヘッドｈ１
におけるシールド機能と、インダクティブヘッドｈ２に
おけるコア機能とを兼ね備えた下部コア層５が形成され
ている。
性材料製の上部ギャップ層４を介して、ＭＲヘッドｈ１
におけるシールド機能と、インダクティブヘッドｈ２に
おけるコア機能とを兼ね備えた下部コア層５が形成され
ている。
【００５０】さらに図１に示すように、前記下部コア層
５の上にはアルミナなどによる磁気ギャップ層（非磁性
材料層）６が形成されている。さらに前記磁気ギャップ
層６の上にはポリイミドまたはレジスト材料製の絶縁層
７を介して平面的に螺旋状となるようにパターン形成さ
れたコイル層８が設けられている。なお、前記コイル層
８はＣｕ（銅）などの電気抵抗の小さい非磁性導電性材
料で形成されている。
５の上にはアルミナなどによる磁気ギャップ層（非磁性
材料層）６が形成されている。さらに前記磁気ギャップ
層６の上にはポリイミドまたはレジスト材料製の絶縁層
７を介して平面的に螺旋状となるようにパターン形成さ
れたコイル層８が設けられている。なお、前記コイル層
８はＣｕ（銅）などの電気抵抗の小さい非磁性導電性材
料で形成されている。
【００５１】さらに、前記コイル層８はポリイミドまた
はレジスト材料で形成された絶縁層９に囲まれ、前記絶
縁層９の上に軟磁性材料製の上部コア層１０が形成され
ている。
はレジスト材料で形成された絶縁層９に囲まれ、前記絶
縁層９の上に軟磁性材料製の上部コア層１０が形成され
ている。
【００５２】図１に示すように、前記上部コア層１０の
先端部１０ａは、記録媒体との対向面において、下部コ
ア層５の上に前記磁気ギャップ層６を介して対向し、磁
気ギャップ長Ｇｌ1の磁気ギャップが形成されており、
上部コア層１０の基端部１０ｂは図１に示すように、下
部コア層５と磁気的に接続されている。
先端部１０ａは、記録媒体との対向面において、下部コ
ア層５の上に前記磁気ギャップ層６を介して対向し、磁
気ギャップ長Ｇｌ1の磁気ギャップが形成されており、
上部コア層１０の基端部１０ｂは図１に示すように、下
部コア層５と磁気的に接続されている。
【００５３】今後の高記録密度化・高記録周波数化に対
応でき、インダクティブヘッドｈ２の書込みの性能を向
上させるには、特に上部コア層１０の軟磁気特性を、高
飽和磁束密度Ｍｓ及び低保磁力Ｈｃに保ちながら、比抵
抗ρを向上させることにある。このように比抵抗ρを向
上させる必要性は、記録周波数が上昇することによる渦
電流損を低減させるためである。
応でき、インダクティブヘッドｈ２の書込みの性能を向
上させるには、特に上部コア層１０の軟磁気特性を、高
飽和磁束密度Ｍｓ及び低保磁力Ｈｃに保ちながら、比抵
抗ρを向上させることにある。このように比抵抗ρを向
上させる必要性は、記録周波数が上昇することによる渦
電流損を低減させるためである。
【００５４】また下部コア層５においても、高比抵抗
ρ、及び低保磁力Ｈｃの諸軟磁気特性を有する軟磁性膜
で形成されることが好ましい。下部コア層５の飽和磁束
密度Ｍｓは高いことが好ましいが、上部コア層１０の飽
和磁束密度Ｍｓよりも低くすることにより、下部コア層
５と上部コア層１０との間における洩れ磁界を磁化反転
しやすくすると、より記録媒体への信号の書込み密度を
高くできることが知られている。
ρ、及び低保磁力Ｈｃの諸軟磁気特性を有する軟磁性膜
で形成されることが好ましい。下部コア層５の飽和磁束
密度Ｍｓは高いことが好ましいが、上部コア層１０の飽
和磁束密度Ｍｓよりも低くすることにより、下部コア層
５と上部コア層１０との間における洩れ磁界を磁化反転
しやすくすると、より記録媒体への信号の書込み密度を
高くできることが知られている。
【００５５】本発明では、下部コア層５及び／または上
部コア層１０は、組成元素に、少なくともＮｉ（ニッケ
ル）、Ｆｅ（鉄）及び元素Ｘ（ただしＸは、Ｃ（炭
素）、Ｏ（酸素）、Ｎ（窒素）、Ｓ（硫黄）から選ばれ
る１種以上の元素である）を含有した軟磁性膜によって
形成されている。
部コア層１０は、組成元素に、少なくともＮｉ（ニッケ
ル）、Ｆｅ（鉄）及び元素Ｘ（ただしＸは、Ｃ（炭
素）、Ｏ（酸素）、Ｎ（窒素）、Ｓ（硫黄）から選ばれ
る１種以上の元素である）を含有した軟磁性膜によって
形成されている。
【００５６】しかも本発明における前記軟磁性膜は、そ
の平均結晶粒径が８０Å（オングストローム）以下に形
成されている。
の平均結晶粒径が８０Å（オングストローム）以下に形
成されている。
【００５７】ＮｉとＦｅとを有して構成される軟磁性膜
に、非金属性の元素Ｘを含有させると、軟磁性膜の平均
結晶粒径の微細化が促進され、前記元素Ｘの含有量等を
適性に調整することにより前記平均結晶粒径を８０Å以
下にすることが可能になる。このように平均結晶粒径の
微細化を促進させることにより、比抵抗ρを向上でき、
また保磁力Ｈｃを低減することができる。好ましくは前
記平均結晶粒径を６０Åから８０Åの範囲内に設定する
ことである。
に、非金属性の元素Ｘを含有させると、軟磁性膜の平均
結晶粒径の微細化が促進され、前記元素Ｘの含有量等を
適性に調整することにより前記平均結晶粒径を８０Å以
下にすることが可能になる。このように平均結晶粒径の
微細化を促進させることにより、比抵抗ρを向上でき、
また保磁力Ｈｃを低減することができる。好ましくは前
記平均結晶粒径を６０Åから８０Åの範囲内に設定する
ことである。
【００５８】また本発明では、平均結晶粒径の適正化に
加えて、軟磁性膜に含有されるＦｅ量を適正に調整して
いる。
加えて、軟磁性膜に含有されるＦｅ量を適正に調整して
いる。
【００５９】本発明では、前記Ｆｅ量を３０質量％以上
に設定することが好ましい。前記Ｆｅ量と上記した軟磁
性膜の平均結晶粒径を８０Å以下にすることで、Ｎｉ−
Ｆｅ合金膜よりも、さらに比抵抗ρを高めることがで
き、具体的には６０μΩ・ｃｍ以上にすることができ、
しかも保磁力Ｈｃ及び飽和磁束密度Ｍｓを、Ｎｉ−Ｆｅ
合金膜と同程度に保つことが可能になる。
に設定することが好ましい。前記Ｆｅ量と上記した軟磁
性膜の平均結晶粒径を８０Å以下にすることで、Ｎｉ−
Ｆｅ合金膜よりも、さらに比抵抗ρを高めることがで
き、具体的には６０μΩ・ｃｍ以上にすることができ、
しかも保磁力Ｈｃ及び飽和磁束密度Ｍｓを、Ｎｉ−Ｆｅ
合金膜と同程度に保つことが可能になる。
【００６０】また本発明では前記軟磁性膜中に、Ｓ（硫
黄）が含まれていることが好ましい。これにより比抵抗
ρを適正に向上させることができる。
黄）が含まれていることが好ましい。これにより比抵抗
ρを適正に向上させることができる。
【００６１】また本発明では、特に元素Ｘのうち、Ｏと
Ｃと、さらにＳが軟磁性膜中に含有されていることが好
ましい。
Ｃと、さらにＳが軟磁性膜中に含有されていることが好
ましい。
【００６２】ところで上記したように軟磁性膜の比抵抗
変化の要因としては、前記軟磁性膜中に含有されるＦｅ
量と、平均結晶粒径を挙げることができるが、それだけ
ではなく、前記軟磁性膜中に含まれる非金属元素の含有
量を適正に調整しないと所定の比抵抗を得られないこと
がわかった。
変化の要因としては、前記軟磁性膜中に含有されるＦｅ
量と、平均結晶粒径を挙げることができるが、それだけ
ではなく、前記軟磁性膜中に含まれる非金属元素の含有
量を適正に調整しないと所定の比抵抗を得られないこと
がわかった。
【００６３】本発明では軟磁性膜の比抵抗は、少なくと
も６０μΩ・ｃｍ以上であることが好ましいが、６０μ
Ω・ｃｍ以上であればいくらでもよいわけではない。比
抵抗が非常に高くなった場合には、逆に飽和磁束密度Ｍ
ｓの低下や保磁力Ｈｃの上昇、さらには透磁率の低下が
問題となるために、本発明では、前記比抵抗ρは高いこ
とが好ましいが、同時に飽和磁束密度Ｍｓを、従来と同
程度の値で維持できるようにしている。
も６０μΩ・ｃｍ以上であることが好ましいが、６０μ
Ω・ｃｍ以上であればいくらでもよいわけではない。比
抵抗が非常に高くなった場合には、逆に飽和磁束密度Ｍ
ｓの低下や保磁力Ｈｃの上昇、さらには透磁率の低下が
問題となるために、本発明では、前記比抵抗ρは高いこ
とが好ましいが、同時に飽和磁束密度Ｍｓを、従来と同
程度の値で維持できるようにしている。
【００６４】具体的には、Ｏ、Ｃ及びＳの組成比を足し
たＯ＋Ｃ＋Ｓ組成比は、０．６０質量％以上５．００質
量％以下であることが好ましい。
たＯ＋Ｃ＋Ｓ組成比は、０．６０質量％以上５．００質
量％以下であることが好ましい。
【００６５】この場合、上記数値範囲内において、Ｏの
組成比は、０．４０質量％以上３．７０質量％以下であ
ることが好ましい。
組成比は、０．４０質量％以上３．７０質量％以下であ
ることが好ましい。
【００６６】また、上記数値範囲内において、Ｃの組成
比は、０．１１質量％以上０．９０質量％以下であるこ
とが好ましい。
比は、０．１１質量％以上０．９０質量％以下であるこ
とが好ましい。
【００６７】さらに、上記数値範囲内において、Ｓの組
成比は、０．０５質量％以上０．４３質量％以下である
ことが好ましい。
成比は、０．０５質量％以上０．４３質量％以下である
ことが好ましい。
【００６８】上記のようにＯ、Ｃ及びＳの組成比を適正
化することで、前記軟磁性膜の比抵抗ρを、６０μΩ・
ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができる。前
記軟磁性膜の比抵抗を２１０μΩ・ｃｍ以下にできれ
ば、１．０Ｔ（テスラ）程度の飽和磁束密度Ｍｓを得る
ことができる。
化することで、前記軟磁性膜の比抵抗ρを、６０μΩ・
ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができる。前
記軟磁性膜の比抵抗を２１０μΩ・ｃｍ以下にできれ
ば、１．０Ｔ（テスラ）程度の飽和磁束密度Ｍｓを得る
ことができる。
【００６９】また本発明では、Ｏ、Ｃ及びＳの組成比を
足したＯ＋Ｃ＋Ｓ組成比は、１．１６質量％以上５．０
０質量％以下であることがより好ましい。
足したＯ＋Ｃ＋Ｓ組成比は、１．１６質量％以上５．０
０質量％以下であることがより好ましい。
【００７０】この場合、上記数値範囲内において、Ｏの
組成比は、０．８７質量％以上３．７０質量％以下であ
ることが好ましい。
組成比は、０．８７質量％以上３．７０質量％以下であ
ることが好ましい。
【００７１】また、上記数値範囲内において、Ｃの組成
比は、０．２１質量％以上０．９０質量％以下であるこ
とが好ましい。
比は、０．２１質量％以上０．９０質量％以下であるこ
とが好ましい。
【００７２】さらに、上記数値範囲内において、Ｓの組
成比は、０．１０質量％以上０．４３質量％以下である
ことが好ましい。
成比は、０．１０質量％以上０．４３質量％以下である
ことが好ましい。
【００７３】上記のように、Ｏ、Ｃ及びＳの組成比を適
正化することで、前記軟磁性膜の比抵抗ρを、８０μΩ
・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができる。
正化することで、前記軟磁性膜の比抵抗ρを、８０μΩ
・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができる。
【００７４】また本発明では、Ｏ、Ｃ及びＳの組成比を
足したＯ＋Ｃ＋Ｓ組成比は、１．７３質量％以上５．０
０質量％以下であることがさらに好ましい。
足したＯ＋Ｃ＋Ｓ組成比は、１．７３質量％以上５．０
０質量％以下であることがさらに好ましい。
【００７５】この場合、上記数値範囲内において、Ｏの
組成比は、１．３０質量％以上３．７０質量％以下であ
ることが好ましい。
組成比は、１．３０質量％以上３．７０質量％以下であ
ることが好ましい。
【００７６】また、上記数値範囲内において、Ｃの組成
比は、０．３２質量％以上０．９０質量％以下であるこ
とが好ましい。
比は、０．３２質量％以上０．９０質量％以下であるこ
とが好ましい。
【００７７】さらに、上記数値範囲内において、Ｓの組
成比は、０．１５質量％以上０．４３質量％以下である
ことが好ましい。
成比は、０．１５質量％以上０．４３質量％以下である
ことが好ましい。
【００７８】上記のように、Ｏ、Ｃ及びＳの組成比を適
正化することで、前記軟磁性膜の比抵抗ρを、１００μ
Ω・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができ
る。
正化することで、前記軟磁性膜の比抵抗ρを、１００μ
Ω・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができ
る。
【００７９】次は保持力Ｈｃについてであるが、前記保
持力Ｈｃは、後述する実験結果によりＦｅ量に大きく左
右されることが確認されており、さらに軟磁性膜中に占
める他の元素の添加量にも影響を受けるものと考えられ
る。
持力Ｈｃは、後述する実験結果によりＦｅ量に大きく左
右されることが確認されており、さらに軟磁性膜中に占
める他の元素の添加量にも影響を受けるものと考えられ
る。
【００８０】しかしながら本発明では、メッキ浴の条件
によっては、特に保磁力Ｈｃを、確実に小さくできない
ことがわかった。そこで本発明では、後で詳述するよう
に、メッキ浴のｐＨ（水素指数）や温度を適切に調整し
て、成膜された軟磁性膜の膜面の中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）を小さくし、これによって、より確実に保磁力Ｈｃ
の低下を図っている。
によっては、特に保磁力Ｈｃを、確実に小さくできない
ことがわかった。そこで本発明では、後で詳述するよう
に、メッキ浴のｐＨ（水素指数）や温度を適切に調整し
て、成膜された軟磁性膜の膜面の中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）を小さくし、これによって、より確実に保磁力Ｈｃ
の低下を図っている。
【００８１】本発明では、前記軟磁性膜の膜面の中心線
平均粗さ（Ｒａ）は、１４０Å以下であることが好まし
い。より好ましくは、１２０Å以下であり、さらに好ま
しくは、５０Å以下である。
平均粗さ（Ｒａ）は、１４０Å以下であることが好まし
い。より好ましくは、１２０Å以下であり、さらに好ま
しくは、５０Å以下である。
【００８２】以上のように本発明では、軟磁性膜の平均
結晶粒径、前記軟磁性膜に含有されるＦｅ量、前記軟磁
性膜中に含有される元素Ｘの量、及び膜面の中心線平均
粗さ（Ｒａ）を、上記した数値の範囲内で適性に調整す
ることにより、比抵抗ρが６０μΩ・ｃｍ以上、より好
ましくは８０μΩ・ｃｍ以上、さらに好ましくは、１０
０μΩ・ｃｍ以上、また保磁力Ｈｃが１１８．５Ａ／ｍ
（エルステッド）以下、より好ましくは、７９Ａ／ｍ以
下、さらに好ましくは３９．５Ａ／ｍ以下、及び飽和磁
束密度Ｍｓが１．０Ｔ（テスラ）以上となる軟磁性膜を
形成することが可能である。
結晶粒径、前記軟磁性膜に含有されるＦｅ量、前記軟磁
性膜中に含有される元素Ｘの量、及び膜面の中心線平均
粗さ（Ｒａ）を、上記した数値の範囲内で適性に調整す
ることにより、比抵抗ρが６０μΩ・ｃｍ以上、より好
ましくは８０μΩ・ｃｍ以上、さらに好ましくは、１０
０μΩ・ｃｍ以上、また保磁力Ｈｃが１１８．５Ａ／ｍ
（エルステッド）以下、より好ましくは、７９Ａ／ｍ以
下、さらに好ましくは３９．５Ａ／ｍ以下、及び飽和磁
束密度Ｍｓが１．０Ｔ（テスラ）以上となる軟磁性膜を
形成することが可能である。
【００８３】このように比抵抗ρの高い軟磁性膜を薄膜
磁気ヘッドの下部コア層５及び／または上部コア層１０
に使用することにより、記録周波数が高くなっても渦電
流損失を低減させることが可能であり、しかも本発明に
おける軟磁性膜は、低保磁力Ｈｃ及び高飽和磁束密度Ｍ
ｓの軟磁気特性を保っていることから、今後の高記録密
度化、高記録周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製
造することが可能である。
磁気ヘッドの下部コア層５及び／または上部コア層１０
に使用することにより、記録周波数が高くなっても渦電
流損失を低減させることが可能であり、しかも本発明に
おける軟磁性膜は、低保磁力Ｈｃ及び高飽和磁束密度Ｍ
ｓの軟磁気特性を保っていることから、今後の高記録密
度化、高記録周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製
造することが可能である。
【００８４】また本発明における軟磁性膜は、その膜面
の中心線平均粗さ（Ｒａ）が小さく、前記膜面に面荒れ
の発生が少ないことから、特に前記軟磁性膜で形成され
た上部コア層１０及び／または下部コア層５を、トラッ
ク幅として規定される記録媒体との対向面（図１に示す
図示左側の側面）付近で、所定形状に適正に形成しやす
く、記録特性を良好なまま維持することが可能である。
の中心線平均粗さ（Ｒａ）が小さく、前記膜面に面荒れ
の発生が少ないことから、特に前記軟磁性膜で形成され
た上部コア層１０及び／または下部コア層５を、トラッ
ク幅として規定される記録媒体との対向面（図１に示す
図示左側の側面）付近で、所定形状に適正に形成しやす
く、記録特性を良好なまま維持することが可能である。
【００８５】ところで本発明では、上記のように、組成
元素にＦｅ及びＮｉと、さらに元素Ｘ（ただしＸは、
Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｓから選ばれる１種以上の元素である）を
加えて形成された軟磁性膜を、Ｆｅイオン、及びＮｉイ
オンを含有するメッキ浴中に、アミノ系有機材料を注入
することによって、形成している。
元素にＦｅ及びＮｉと、さらに元素Ｘ（ただしＸは、
Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｓから選ばれる１種以上の元素である）を
加えて形成された軟磁性膜を、Ｆｅイオン、及びＮｉイ
オンを含有するメッキ浴中に、アミノ系有機材料を注入
することによって、形成している。
【００８６】本発明では、添加されるアミノ系有機材料
として、アミノ基（−ＮＨ2）を含有する有機材料、具
体的には、エチレンジアミン（ＥＤＡ；ＮＨ2−（Ｃ
Ｈ2）2−ＮＨ2）、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ；
ＮＨ2−（ＣＨ2）2−ＮＨ−（ＣＨ2）2−ＮＨ2）、アラ
ニン（Ａｌａ；ＮＨ2−Ｃ（ＣＨ3）−ＣＯＯＨ）、グル
タミン酸（Ｇｌｕ；ＣＯＯＨ−（ＣＨ2）2−ＣＨ（ＮＨ
2）−ＣＯＯＨ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴ
Ａ；ＮＨ2−（ＣＨ2）2−ＮＨ−（ＣＨ2）2−ＮＨ−
（ＣＨ2）2−ＮＨ2）のうちから１種または２種以上が
選択されることが好ましい。
として、アミノ基（−ＮＨ2）を含有する有機材料、具
体的には、エチレンジアミン（ＥＤＡ；ＮＨ2−（Ｃ
Ｈ2）2−ＮＨ2）、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ；
ＮＨ2−（ＣＨ2）2−ＮＨ−（ＣＨ2）2−ＮＨ2）、アラ
ニン（Ａｌａ；ＮＨ2−Ｃ（ＣＨ3）−ＣＯＯＨ）、グル
タミン酸（Ｇｌｕ；ＣＯＯＨ−（ＣＨ2）2−ＣＨ（ＮＨ
2）−ＣＯＯＨ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴ
Ａ；ＮＨ2−（ＣＨ2）2−ＮＨ−（ＣＨ2）2−ＮＨ−
（ＣＨ2）2−ＮＨ2）のうちから１種または２種以上が
選択されることが好ましい。
【００８７】ただし本発明では、添加剤として上記した
アミノ系有機材料に限定するものではない。またアミノ
系有機材料ではなく、単に元素Ｘ（ただしＸは、Ｃ、
Ｏ、Ｎ、Ｓから選ばれる１種以上の元素である）を含ん
だ有機材料であってもよい。要は、下部コア層５及び／
または上部コア層１０として使用される軟磁性膜は、組
成元素として少なくともＦｅ、Ｎｉ及び元素Ｘを含有
し、しかも平均結晶粒径は８０Å以下であり、さらにＦ
ｅ量が３０質量％以上であれば、前記軟磁性膜を成膜す
る際、メッキ浴中にＦｅイオンとＮｉイオン以外に、ど
のような有機材料を添加してもよいのである。なお元素
Ｏについては、メッキ浴中に酸素が残存する場合には、
そのようなメッキ浴でメッキ形成することによっても、
前記軟磁性膜中に酸素を含有させることができると考え
られる。
アミノ系有機材料に限定するものではない。またアミノ
系有機材料ではなく、単に元素Ｘ（ただしＸは、Ｃ、
Ｏ、Ｎ、Ｓから選ばれる１種以上の元素である）を含ん
だ有機材料であってもよい。要は、下部コア層５及び／
または上部コア層１０として使用される軟磁性膜は、組
成元素として少なくともＦｅ、Ｎｉ及び元素Ｘを含有
し、しかも平均結晶粒径は８０Å以下であり、さらにＦ
ｅ量が３０質量％以上であれば、前記軟磁性膜を成膜す
る際、メッキ浴中にＦｅイオンとＮｉイオン以外に、ど
のような有機材料を添加してもよいのである。なお元素
Ｏについては、メッキ浴中に酸素が残存する場合には、
そのようなメッキ浴でメッキ形成することによっても、
前記軟磁性膜中に酸素を含有させることができると考え
られる。
【００８８】また本発明では、前記メッキ浴中にサッカ
リン（Ｃ7Ｈ5ＮＯ3Ｓ）を添加することが好ましい。
リン（Ｃ7Ｈ5ＮＯ3Ｓ）を添加することが好ましい。
【００８９】前記サッカリンの添加により、前記サッカ
リンとアミノ系有機材料との相乗効果により、前記軟磁
性膜中に元素Ｘが適切に含有されるようになる。サッカ
リンはその組成にＯ（酸素）を含むことから、前記サッ
カリンの添加により、軟磁性膜中にＯを適量含有させる
ことが可能であると考えられる。
リンとアミノ系有機材料との相乗効果により、前記軟磁
性膜中に元素Ｘが適切に含有されるようになる。サッカ
リンはその組成にＯ（酸素）を含むことから、前記サッ
カリンの添加により、軟磁性膜中にＯを適量含有させる
ことが可能であると考えられる。
【００９０】またメッキ浴中にサッカリンを添加するこ
とで、メッキ形成により得られた軟磁性膜は、その応力
が低減し、このような軟磁性膜を、下部コア層５及び／
または上部コア層１０に使用することで、前記下部コア
層５及び／または上部コア層１０の膜剥れを適性に防止
することが可能である。
とで、メッキ形成により得られた軟磁性膜は、その応力
が低減し、このような軟磁性膜を、下部コア層５及び／
または上部コア層１０に使用することで、前記下部コア
層５及び／または上部コア層１０の膜剥れを適性に防止
することが可能である。
【００９１】また本発明では、上記したように軟磁性膜
の組成中にＳ（硫黄）を含有させる方が、より比抵抗ρ
を向上させることができて好ましいが、このように前記
Ｓを軟磁性膜の組成中に含有させるには、アミノ系有機
材料にＳを含有するものを使用したり、さらには上記の
ようにメッキ浴中にサッカリンを添加することによって
も達成できると考えられる。
の組成中にＳ（硫黄）を含有させる方が、より比抵抗ρ
を向上させることができて好ましいが、このように前記
Ｓを軟磁性膜の組成中に含有させるには、アミノ系有機
材料にＳを含有するものを使用したり、さらには上記の
ようにメッキ浴中にサッカリンを添加することによって
も達成できると考えられる。
【００９２】サッカリンはその組成中にＳを含んでお
り、従って前記サッカリンの添加量を適正化し、あるい
は、前記アミノ系有機材料の添加を適正化して、サッカ
リンとの相乗効果により、前記軟磁性膜中には、Ｓが含
有するものと思われ、後述する実験においても、サッカ
リンとアミノ系有機材料の双方を含んだメッキ浴中から
得られた軟磁性膜中にはＳを有することが確認されてい
る。
り、従って前記サッカリンの添加量を適正化し、あるい
は、前記アミノ系有機材料の添加を適正化して、サッカ
リンとの相乗効果により、前記軟磁性膜中には、Ｓが含
有するものと思われ、後述する実験においても、サッカ
リンとアミノ系有機材料の双方を含んだメッキ浴中から
得られた軟磁性膜中にはＳを有することが確認されてい
る。
【００９３】また本発明では、Ｆｅイオン及びＮｉイオ
ンを含有するメッキ浴中に、アミノ系有機材料を添加し
た際の前記メッキ浴の諸条件を適正化することによっ
て、前記軟磁性膜の膜面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を小
さくし、前記膜面の面荒れ発生を抑制している。
ンを含有するメッキ浴中に、アミノ系有機材料を添加し
た際の前記メッキ浴の諸条件を適正化することによっ
て、前記軟磁性膜の膜面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を小
さくし、前記膜面の面荒れ発生を抑制している。
【００９４】本発明では、メッキ浴のｐＨ（水素指数）
を、１．８以下に設定することが好ましい。前記メッキ
浴のｐＨが大きくなると、成膜された軟磁性膜の膜面の
中心線平均粗さ（Ｒａ）は大きくなる。そして前記中心
線平均粗さ（Ｒａ）が大きくなると、保磁力Ｈｃが大き
くなることが、後述する実験により確認されている。
を、１．８以下に設定することが好ましい。前記メッキ
浴のｐＨが大きくなると、成膜された軟磁性膜の膜面の
中心線平均粗さ（Ｒａ）は大きくなる。そして前記中心
線平均粗さ（Ｒａ）が大きくなると、保磁力Ｈｃが大き
くなることが、後述する実験により確認されている。
【００９５】本発明では、メッキ浴のｐＨを、１．８以
下に設定して、前記軟磁性膜の中心線平均粗さ（Ｒａ）
を、１４０Å以下にすることが好ましい。
下に設定して、前記軟磁性膜の中心線平均粗さ（Ｒａ）
を、１４０Å以下にすることが好ましい。
【００９６】また本発明では、メッキ浴のｐＨを、１．
７以下に設定して、軟磁性膜の中心線平均粗さ（Ｒａ）
を、１２０Å以下にすることがより好ましく、また前記
メッキ浴のｐＨを、１．５以下に設定して、軟磁性膜の
中心線平均粗さ（Ｒａ）を５０Å以下にすることがさら
に好ましい。
７以下に設定して、軟磁性膜の中心線平均粗さ（Ｒａ）
を、１２０Å以下にすることがより好ましく、また前記
メッキ浴のｐＨを、１．５以下に設定して、軟磁性膜の
中心線平均粗さ（Ｒａ）を５０Å以下にすることがさら
に好ましい。
【００９７】また上記した軟磁性膜の中心線平均粗さ
（Ｒａ）は、メッキ浴中のｐＨだけに影響を受けるので
はなく、前記メッキ浴の温度にも影響を受ける。このた
め本発明では、前記メッキ浴の温度を適正な範囲内に、
具体的には２０℃から２８℃の範囲内に設定し、この範
囲内であれば、前記軟磁性膜の中心線平均粗さ（Ｒａ）
を上記した数値内に適切に小さくすることが可能であ
り、保磁力Ｈｃの低下を図ることが可能である。
（Ｒａ）は、メッキ浴中のｐＨだけに影響を受けるので
はなく、前記メッキ浴の温度にも影響を受ける。このた
め本発明では、前記メッキ浴の温度を適正な範囲内に、
具体的には２０℃から２８℃の範囲内に設定し、この範
囲内であれば、前記軟磁性膜の中心線平均粗さ（Ｒａ）
を上記した数値内に適切に小さくすることが可能であ
り、保磁力Ｈｃの低下を図ることが可能である。
【００９８】ここで本発明では、メッキ浴中のｐＨある
いは温度を変化させた場合の軟磁性膜の膜面の状態につ
いて調べた。
いは温度を変化させた場合の軟磁性膜の膜面の状態につ
いて調べた。
【００９９】実験では、Ｆｅ2+イオン（２．５ｇ／ｌ）
とＮｉ2+イオン（４０ｇ／ｌ）を有するメッキ浴中に、
エチレンジアミンを６３０ｐｐｍ添加し、前記メッキ浴
のｐＨを１．５とし、温度を２０℃とした場合と、メッ
キ浴のｐＨを、３．０とし、温度を２８℃とした場合の
それぞれのメッキ浴から、軟磁性膜を電気メッキ法によ
りメッキ形成した。そして、各軟磁性膜の膜面の状態
を、ＳＥＭ写真によって調べた。
とＮｉ2+イオン（４０ｇ／ｌ）を有するメッキ浴中に、
エチレンジアミンを６３０ｐｐｍ添加し、前記メッキ浴
のｐＨを１．５とし、温度を２０℃とした場合と、メッ
キ浴のｐＨを、３．０とし、温度を２８℃とした場合の
それぞれのメッキ浴から、軟磁性膜を電気メッキ法によ
りメッキ形成した。そして、各軟磁性膜の膜面の状態
を、ＳＥＭ写真によって調べた。
【０１００】図１５は、前記メッキ浴のｐＨを１．５と
し、温度を２０℃とした場合の軟磁性膜の膜面の状態を
写している。図１５に示すように、膜面は、ほとんど荒
れておらず、金属光沢のある軟磁性膜を得ることができ
た。
し、温度を２０℃とした場合の軟磁性膜の膜面の状態を
写している。図１５に示すように、膜面は、ほとんど荒
れておらず、金属光沢のある軟磁性膜を得ることができ
た。
【０１０１】次に、図１６は、ｐＨを３．０とし、温度
を２８℃とした場合の軟磁性膜の膜面の状態を写してい
る。
を２８℃とした場合の軟磁性膜の膜面の状態を写してい
る。
【０１０２】図１６に示すように、軟磁性膜の膜面は、
図１５の場合と比べてひどく荒れた状態になっているこ
とがわかる。
図１５の場合と比べてひどく荒れた状態になっているこ
とがわかる。
【０１０３】なお図１５に示す軟磁性膜の膜面の中心線
平均粗さ（Ｒａ）は、ほぼ４０ｎｍであり、図１６に示
す軟磁性膜の膜面の中心線平均粗さ（Ｒａ）は、ほぼ２
００ｎｍであった。また図１５の軟磁性膜に占めるＦｅ
量は５７質量％（Ｎｉ量＝４３質量％）、図１６の軟磁
性膜に占めるＦｅ量は５２質量％（Ｎｉ量＝４８質量
％）であった。
平均粗さ（Ｒａ）は、ほぼ４０ｎｍであり、図１６に示
す軟磁性膜の膜面の中心線平均粗さ（Ｒａ）は、ほぼ２
００ｎｍであった。また図１５の軟磁性膜に占めるＦｅ
量は５７質量％（Ｎｉ量＝４３質量％）、図１６の軟磁
性膜に占めるＦｅ量は５２質量％（Ｎｉ量＝４８質量
％）であった。
【０１０４】上記のように、図１５及び図１６の場合で
は、共にメッキ浴中に占めるＦｅイオン及びＮｉイオン
の添加量と、エチレンジアミンの添加量は同じであるに
も係らず、メッキ形成された軟磁性膜の膜面の中心線平
均粗さ（Ｒａ）が大きく異なる原因は、メッキ浴中のｐ
Ｈ及び温度が違うからであり、図１５及び図１６に示す
写真からも明らかなように、メッキ浴のｐＨを小さく
し、さらに温度を低くすることにより、軟磁性膜の中心
線平均粗さ（Ｒａ）を、より小さくでき、面荒れの発生
を抑制することができる。
は、共にメッキ浴中に占めるＦｅイオン及びＮｉイオン
の添加量と、エチレンジアミンの添加量は同じであるに
も係らず、メッキ形成された軟磁性膜の膜面の中心線平
均粗さ（Ｒａ）が大きく異なる原因は、メッキ浴中のｐ
Ｈ及び温度が違うからであり、図１５及び図１６に示す
写真からも明らかなように、メッキ浴のｐＨを小さく
し、さらに温度を低くすることにより、軟磁性膜の中心
線平均粗さ（Ｒａ）を、より小さくでき、面荒れの発生
を抑制することができる。
【０１０５】以上のように本発明では、ＦｅイオンとＮ
ｉイオンを有するメッキ浴中に、アミノ系有機材料を添
加することにより、組成元素に、少なくともＦｅ、Ｎｉ
及び元素Ｘ（ただしＸは、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｓから選ばれる
１種以上の元素である）を有する軟磁性膜を形成するこ
とを可能にしている。
ｉイオンを有するメッキ浴中に、アミノ系有機材料を添
加することにより、組成元素に、少なくともＦｅ、Ｎｉ
及び元素Ｘ（ただしＸは、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｓから選ばれる
１種以上の元素である）を有する軟磁性膜を形成するこ
とを可能にしている。
【０１０６】また本発明では、メッキ浴中にアミノ系有
機材料以外に、サッカリンを添加することが好ましく、
これにより得られた軟磁性膜の比抵抗ρをより向上させ
ることができ、しかも応力を適正に低減させて、膜剥れ
等の不具合を適正に防止することができる。
機材料以外に、サッカリンを添加することが好ましく、
これにより得られた軟磁性膜の比抵抗ρをより向上させ
ることができ、しかも応力を適正に低減させて、膜剥れ
等の不具合を適正に防止することができる。
【０１０７】また本発明では、得られた軟磁性膜中にＳ
を含有させることが好ましく、これにより前記軟磁性膜
の比抵抗ρをさらに向上させることが可能である。
を含有させることが好ましく、これにより前記軟磁性膜
の比抵抗ρをさらに向上させることが可能である。
【０１０８】また本発明では、メッキ浴のｐＨを小さく
し、またメッキ浴の温度を適正化することで、成膜レー
トを遅延化させ、メッキ形成される軟磁性膜の膜面の中
心線平均粗さ（Ｒａ）を小さくすることができる。
し、またメッキ浴の温度を適正化することで、成膜レー
トを遅延化させ、メッキ形成される軟磁性膜の膜面の中
心線平均粗さ（Ｒａ）を小さくすることができる。
【０１０９】さらにＦｅイオンとＮｉイオンを有するメ
ッキ浴中に、アミノ系有機材料を添加することにより、
Ｆｅの析出が速まり、酸化によるＦｅイオンの沈殿を減
らすことができる。このため低いＦｅ濃度のメッキ浴
で、高いＦｅ量を有する軟磁性膜をメッキ形成できる。
メッキ浴内にはフィルターが設けられており、このフィ
ルターで、沈殿するＦｅを取り除いているが、上記のよ
うに本発明では、Ｆｅイオンの沈殿を減少させることが
できるので、フィルターの寿命を延ばすことができ、メ
ッキ浴の劣化を抑制することが可能である。
ッキ浴中に、アミノ系有機材料を添加することにより、
Ｆｅの析出が速まり、酸化によるＦｅイオンの沈殿を減
らすことができる。このため低いＦｅ濃度のメッキ浴
で、高いＦｅ量を有する軟磁性膜をメッキ形成できる。
メッキ浴内にはフィルターが設けられており、このフィ
ルターで、沈殿するＦｅを取り除いているが、上記のよ
うに本発明では、Ｆｅイオンの沈殿を減少させることが
できるので、フィルターの寿命を延ばすことができ、メ
ッキ浴の劣化を抑制することが可能である。
【０１１０】以上のように本発明では、組成元素に少な
くともＦｅとＮｉ及び元素Ｘ（ただしＸは、Ｏ、Ｃ、
Ｎ、Ｓから選ばれる１種以上の元素である）を含有する
軟磁性膜について説明したが、前記添加元素に代えて他
の非金属元素を添加した軟磁性膜の場合も、組成元素に
元素Ｘを有する軟磁性膜とほぼ同等の軟磁気特性を得る
ことが可能であると考えられる。
くともＦｅとＮｉ及び元素Ｘ（ただしＸは、Ｏ、Ｃ、
Ｎ、Ｓから選ばれる１種以上の元素である）を含有する
軟磁性膜について説明したが、前記添加元素に代えて他
の非金属元素を添加した軟磁性膜の場合も、組成元素に
元素Ｘを有する軟磁性膜とほぼ同等の軟磁気特性を得る
ことが可能であると考えられる。
【０１１１】例えばＦｅイオンとＮｉイオンを有するメ
ッキ浴中に、亜燐酸（Ｈ3ＰＯ3）や次亜燐酸（Ｈ3Ｐ
Ｏ2）を選択して、組成元素にＦｅとＮｉ、及び元素Ｐ
（燐）を有する軟磁性膜、あるいは、元素Ｂ（ほう素）
などの非金属元素を添加した軟磁性膜が挙げられる。
ッキ浴中に、亜燐酸（Ｈ3ＰＯ3）や次亜燐酸（Ｈ3Ｐ
Ｏ2）を選択して、組成元素にＦｅとＮｉ、及び元素Ｐ
（燐）を有する軟磁性膜、あるいは、元素Ｂ（ほう素）
などの非金属元素を添加した軟磁性膜が挙げられる。
【０１１２】
【実施例】本発明では、ＦｅイオンとＮｉイオンを有す
るメッキ浴中に、様々なアミノ系有機材料を添加し、前
記アミノ系有機材料の添加量と、メッキ形成された軟磁
性膜の比抵抗ρとの関係について測定した。
るメッキ浴中に、様々なアミノ系有機材料を添加し、前
記アミノ系有機材料の添加量と、メッキ形成された軟磁
性膜の比抵抗ρとの関係について測定した。
【０１１３】実験では、アミノ系有機材料として、エチ
レンジアミン（ＥＤＡ）、ジエチレントリアミン（ＤＥ
ＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、及びβ
−アラニン（β−Ａｌａ）を用い、各アミノ系有機材料
を添加して形成された軟磁性膜の比抵抗ρを調べた。な
おメッキ浴中のｐＨは１．５、温度は２０℃に設定さ
れ、またメッキ浴に占めるＦｅ2+イオンを、２．５ｇ／
ｌ、Ｎｉ2+イオンを４０ｇ／ｌとした。その実験結果を
図２に示す。
レンジアミン（ＥＤＡ）、ジエチレントリアミン（ＤＥ
ＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、及びβ
−アラニン（β−Ａｌａ）を用い、各アミノ系有機材料
を添加して形成された軟磁性膜の比抵抗ρを調べた。な
おメッキ浴中のｐＨは１．５、温度は２０℃に設定さ
れ、またメッキ浴に占めるＦｅ2+イオンを、２．５ｇ／
ｌ、Ｎｉ2+イオンを４０ｇ／ｌとした。その実験結果を
図２に示す。
【０１１４】図２に示すように、各アミノ系有機材料の
添加量を増やすことで、比抵抗ρは上昇することがわか
る。図２に示すように、添加するアミノ系有機材料が異
なることによって、比抵抗ρが異なるのは、各アミノ系
有機材料の分子量が異なるためと考えられ、図２に示す
ように、分子量の高いアミノ系有機材料（ＴＥＴＡやＤ
ＥＴＡ）ほど、わずかな添加量で、比抵抗ρを急激に上
昇させることができることがわかる。
添加量を増やすことで、比抵抗ρは上昇することがわか
る。図２に示すように、添加するアミノ系有機材料が異
なることによって、比抵抗ρが異なるのは、各アミノ系
有機材料の分子量が異なるためと考えられ、図２に示す
ように、分子量の高いアミノ系有機材料（ＴＥＴＡやＤ
ＥＴＡ）ほど、わずかな添加量で、比抵抗ρを急激に上
昇させることができることがわかる。
【０１１５】なお以下に示す表１には、Ｆｅイオン及び
Ｎｉイオンを有するメッキ浴中に、アミノ系有機材料と
して、エチレンジアミン（ＥＤＡ）、ジエチレントリア
ミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴ
Ａ）、アラニン（Ａｌａ）を添加して軟磁性膜を形成
し、各軟磁性膜について測定した軟磁気特性が表されて
いる。また表１には、Ｆｅイオン及びＮｉイオンを有す
るメッキ浴中に、次亜燐酸（Ｈ3ＰＯ2）を添加して元素
Ｐを含有させた軟磁性膜における軟磁気特性についても
表されている。
Ｎｉイオンを有するメッキ浴中に、アミノ系有機材料と
して、エチレンジアミン（ＥＤＡ）、ジエチレントリア
ミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴ
Ａ）、アラニン（Ａｌａ）を添加して軟磁性膜を形成
し、各軟磁性膜について測定した軟磁気特性が表されて
いる。また表１には、Ｆｅイオン及びＮｉイオンを有す
るメッキ浴中に、次亜燐酸（Ｈ3ＰＯ2）を添加して元素
Ｐを含有させた軟磁性膜における軟磁気特性についても
表されている。
【０１１６】
【表１】
【０１１７】アミノ系有機材料を添加して形成された各
軟磁性膜の比抵抗ρは、いずれも６０μΩ・ｃｍ以上を
示し、また保磁力Ｈｃは７９Ａ／ｍ以下であり、さらに
飽和磁束密度Ｍｓも１．０Ｔ以上になっている。また応
力σも、低く抑えられている。
軟磁性膜の比抵抗ρは、いずれも６０μΩ・ｃｍ以上を
示し、また保磁力Ｈｃは７９Ａ／ｍ以下であり、さらに
飽和磁束密度Ｍｓも１．０Ｔ以上になっている。また応
力σも、低く抑えられている。
【０１１８】また次亜燐酸（Ｈ3ＰＯ2）を添加して形成
された軟磁性膜の場合も同様に、良好な軟磁気特性を有
していることがわかる。
された軟磁性膜の場合も同様に、良好な軟磁気特性を有
していることがわかる。
【０１１９】図３は、メッキ浴中にアミノ系有機材料と
して、エチレンジアミン（ＥＤＡ）、及びジエチレント
リアミン（ＤＥＴＡ）を添加して形成された軟磁性膜の
平均結晶粒径と、比抵抗ρとの関係について調べた。前
記平均結晶粒径は、Ｘ線回折の回折プロファイルの半値
幅から測定した値である。また比較例として、アミノ系
有機材料を添加していないＮｉＦｅ合金膜の平均結晶粒
径と比抵抗ρとの関係についても調べた。なおエチレン
ジアミン（ＥＤＡ）の添加量は約６００ｐｐｍ、ジエチ
レントリアミン（ＤＥＴＡ）の添加量は約２０ｐｐｍで
あった。なお、メッキ浴の諸条件は、図２の場合と同じ
である。
して、エチレンジアミン（ＥＤＡ）、及びジエチレント
リアミン（ＤＥＴＡ）を添加して形成された軟磁性膜の
平均結晶粒径と、比抵抗ρとの関係について調べた。前
記平均結晶粒径は、Ｘ線回折の回折プロファイルの半値
幅から測定した値である。また比較例として、アミノ系
有機材料を添加していないＮｉＦｅ合金膜の平均結晶粒
径と比抵抗ρとの関係についても調べた。なおエチレン
ジアミン（ＥＤＡ）の添加量は約６００ｐｐｍ、ジエチ
レントリアミン（ＤＥＴＡ）の添加量は約２０ｐｐｍで
あった。なお、メッキ浴の諸条件は、図２の場合と同じ
である。
【０１２０】図３に示すように、エチレンジアミン（Ｅ
ＤＡ）、及びジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）を添加
した軟磁性膜の場合には、アミノ系有機材料を添加しな
いＮｉＦｅ合金膜の平均結晶粒径に比べて小さい平均結
晶粒径を有していることがわかる。そして、平均結晶粒
径が小さいほど比抵抗ρを上昇させることが可能になっ
ている。
ＤＡ）、及びジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）を添加
した軟磁性膜の場合には、アミノ系有機材料を添加しな
いＮｉＦｅ合金膜の平均結晶粒径に比べて小さい平均結
晶粒径を有していることがわかる。そして、平均結晶粒
径が小さいほど比抵抗ρを上昇させることが可能になっ
ている。
【０１２１】このように、エチレンジアミン（ＥＤＡ）
や、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）などのアミノ系
有機材料を添加することによって、平均結晶粒径を微細
化することができ、本発明では図３に示す実験結果によ
り、好ましい平均結晶粒径を８０Å以下、より好ましい
平均結晶粒径を６０Åから８０Åの範囲内とした。
や、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）などのアミノ系
有機材料を添加することによって、平均結晶粒径を微細
化することができ、本発明では図３に示す実験結果によ
り、好ましい平均結晶粒径を８０Å以下、より好ましい
平均結晶粒径を６０Åから８０Åの範囲内とした。
【０１２２】図２及び図３に示す実験結果により、本発
明では、アミノ系有機材料の添加し、平均結晶粒径を適
正化することにより、比抵抗ρを６０μΩ・ｃｍ以上に
できることがわかる。なお比抵抗ρを８０μΩ・ｃｍ以
上にするとより好ましく、１００μΩ・ｃｍ以上にする
と、さらに好ましい。
明では、アミノ系有機材料の添加し、平均結晶粒径を適
正化することにより、比抵抗ρを６０μΩ・ｃｍ以上に
できることがわかる。なお比抵抗ρを８０μΩ・ｃｍ以
上にするとより好ましく、１００μΩ・ｃｍ以上にする
と、さらに好ましい。
【０１２３】図４から図６は、軟磁性膜に占めるＦｅ量
と各軟磁気特性との関係を示すグラフである。なお実験
では、濃度の異なるＦｅイオンとＮｉイオンを有する各
メッキ浴中に、約６００ｐｐｍのエチレンジアミン（Ｅ
ＤＡ）を添加して、Ｆｅ量の異なる軟磁性膜をメッキ形
成した。またメッキ浴のｐＨは１．５、温度は２０℃で
統一されている。
と各軟磁気特性との関係を示すグラフである。なお実験
では、濃度の異なるＦｅイオンとＮｉイオンを有する各
メッキ浴中に、約６００ｐｐｍのエチレンジアミン（Ｅ
ＤＡ）を添加して、Ｆｅ量の異なる軟磁性膜をメッキ形
成した。またメッキ浴のｐＨは１．５、温度は２０℃で
統一されている。
【０１２４】図４ないし図６に示す点線は、アミノ系有
機材料を添加しない比較例としてのＮｉＦｅ合金の実験
結果である。
機材料を添加しない比較例としてのＮｉＦｅ合金の実験
結果である。
【０１２５】図４は、Ｆｅ量と比抵抗ρとの関係を示す
グラフである。図４に示すように、エチレンジアミン
（ＥＤＡ）を添加した軟磁性膜（実施例）の場合及びＮ
ｉＦｅ合金膜（比較例）場合共に、Ｆｅ量を増やせば、
比抵抗ρを上昇させることが可能であるが、実施例の方
が、比較例の場合に比べて、比抵抗ρを向上させること
が可能になっていることがわかる。これは前述したよう
に、アミノ系有機材料を添加したことによる平均結晶粒
径の微細化が原因である。
グラフである。図４に示すように、エチレンジアミン
（ＥＤＡ）を添加した軟磁性膜（実施例）の場合及びＮ
ｉＦｅ合金膜（比較例）場合共に、Ｆｅ量を増やせば、
比抵抗ρを上昇させることが可能であるが、実施例の方
が、比較例の場合に比べて、比抵抗ρを向上させること
が可能になっていることがわかる。これは前述したよう
に、アミノ系有機材料を添加したことによる平均結晶粒
径の微細化が原因である。
【０１２６】なお図４に示すように、Ｆｅ量を３０質量
％以上にすれば、比抵抗ρを１２０μΩ・ｃｍ以上にで
きることがわかる。
％以上にすれば、比抵抗ρを１２０μΩ・ｃｍ以上にで
きることがわかる。
【０１２７】図５は、Ｆｅ量と保磁力Ｈｃとの関係を示
すグラフである。図５に示すように、エチレンジアミン
（ＥＤＡ）を添加した軟磁性膜（実施例）の場合及びＮ
ｉＦｅ合金膜（比較例）の場合共に、Ｆｅ量を増やせ
ば、保磁力Ｈｃを低下できることがわかる。
すグラフである。図５に示すように、エチレンジアミン
（ＥＤＡ）を添加した軟磁性膜（実施例）の場合及びＮ
ｉＦｅ合金膜（比較例）の場合共に、Ｆｅ量を増やせ
ば、保磁力Ｈｃを低下できることがわかる。
【０１２８】図５に示すように、実施例の場合は、比較
例の場合に比べて、保磁力Ｈｃはやや高くなってしまう
が、Ｆｅ量を３０質量％以上にすれば、実施例と比較例
とでは、ほとんど保磁力Ｈｃは変わらなくなることがわ
かる。
例の場合に比べて、保磁力Ｈｃはやや高くなってしまう
が、Ｆｅ量を３０質量％以上にすれば、実施例と比較例
とでは、ほとんど保磁力Ｈｃは変わらなくなることがわ
かる。
【０１２９】図６は、Ｆｅ量と飽和磁束密度Ｍｓの関係
を示すグラフである。図６に示すように、エチレンジア
ミン（ＥＤＡ）を添加した軟磁性膜（実施例）の場合及
び比較例としてのＮｉＦｅ合金膜（比較例）の場合共
に、Ｆｅ量を増やせば、飽和磁束密度Ｍｓを上昇させる
ことができる。
を示すグラフである。図６に示すように、エチレンジア
ミン（ＥＤＡ）を添加した軟磁性膜（実施例）の場合及
び比較例としてのＮｉＦｅ合金膜（比較例）の場合共
に、Ｆｅ量を増やせば、飽和磁束密度Ｍｓを上昇させる
ことができる。
【０１３０】図６に示すように、実施例の場合は、比較
例の場合に比べて、飽和磁束密度Ｍｓはやや低くなって
しまうが、Ｆｅ量を３０質量％以上にすれば、１．０Ｔ
（テスラ）以上の飽和磁束密度Ｍｓを得ることができる
とわかる。
例の場合に比べて、飽和磁束密度Ｍｓはやや低くなって
しまうが、Ｆｅ量を３０質量％以上にすれば、１．０Ｔ
（テスラ）以上の飽和磁束密度Ｍｓを得ることができる
とわかる。
【０１３１】以上のように、組成元素に少なくともＦ
ｅ、Ｎｉ及び元素Ｘ（ただしＸは、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｓから
選ばれる１種以上の元素である）を有する軟磁性膜の平
均結晶粒径及びＦｅ量を適正化すれば、ＮｉＦｅ合金よ
りも高い比抵抗ρを得ることができ、しかも前記ＮｉＦ
ｅ合金と同程度の保磁力Ｈｃ及び飽和磁束密度Ｍｓを保
つことが可能であると考えられる。具体的には前記比抵
抗ρを６０μΩ・ｃｍ以上にすることができる。
ｅ、Ｎｉ及び元素Ｘ（ただしＸは、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｓから
選ばれる１種以上の元素である）を有する軟磁性膜の平
均結晶粒径及びＦｅ量を適正化すれば、ＮｉＦｅ合金よ
りも高い比抵抗ρを得ることができ、しかも前記ＮｉＦ
ｅ合金と同程度の保磁力Ｈｃ及び飽和磁束密度Ｍｓを保
つことが可能であると考えられる。具体的には前記比抵
抗ρを６０μΩ・ｃｍ以上にすることができる。
【０１３２】しかしながら前記比抵抗ρは、メッキ浴か
らメッキ形成された軟磁性膜中に含まれるＦｅ量や、あ
るいは平均結晶粒径のみに依存するのではなく、前記軟
磁性膜中に含まれる元素Ｘ等の量に大きく依存すること
が実験により確認されている。
らメッキ形成された軟磁性膜中に含まれるＦｅ量や、あ
るいは平均結晶粒径のみに依存するのではなく、前記軟
磁性膜中に含まれる元素Ｘ等の量に大きく依存すること
が実験により確認されている。
【０１３３】また前記軟磁性膜の比抵抗ρは高いほど、
今後の高記録密度化において、渦電流損の低減を図るこ
とができて好ましいが、比抵抗ρの値は、高すぎても良
くない。前記比抵抗ρが高すぎると、今度は飽和磁束密
度Ｍｓの低下や保磁力Ｈｃの上昇、さらには透磁率が低
下するといった問題が発生する。上記した図６の実験結
果に示すように、非磁性無機材料を含有した本発明にお
ける軟磁性膜では、前記非磁性無機材料を添加しない従
来の軟磁性膜（Ｎｉ−Ｆｅ合金）よりも飽和磁束密度Ｍ
ｓは小さくなってしまうが、前記飽和磁束密度Ｍｓの低
下は最小限に抑え、記録特性を有効に保つためには、前
記飽和磁束密度Ｍｓを１．０Ｔ（テスラ）以上で維持す
ることが必要である。
今後の高記録密度化において、渦電流損の低減を図るこ
とができて好ましいが、比抵抗ρの値は、高すぎても良
くない。前記比抵抗ρが高すぎると、今度は飽和磁束密
度Ｍｓの低下や保磁力Ｈｃの上昇、さらには透磁率が低
下するといった問題が発生する。上記した図６の実験結
果に示すように、非磁性無機材料を含有した本発明にお
ける軟磁性膜では、前記非磁性無機材料を添加しない従
来の軟磁性膜（Ｎｉ−Ｆｅ合金）よりも飽和磁束密度Ｍ
ｓは小さくなってしまうが、前記飽和磁束密度Ｍｓの低
下は最小限に抑え、記録特性を有効に保つためには、前
記飽和磁束密度Ｍｓを１．０Ｔ（テスラ）以上で維持す
ることが必要である。
【０１３４】そこで本発明では、今後の高記録密度化に
おいて、飽和磁束密度Ｍｓの極端な低減を防止しつつ比
抵抗ρを向上させるために、軟磁性膜中に含まれるＯ、
Ｃ及びＳの組成比と比抵抗ρとの関係について実験を行
った。
おいて、飽和磁束密度Ｍｓの極端な低減を防止しつつ比
抵抗ρを向上させるために、軟磁性膜中に含まれるＯ、
Ｃ及びＳの組成比と比抵抗ρとの関係について実験を行
った。
【０１３５】
【表２】
【０１３６】表２の「添加量」欄には、実験に使用した
各試料のメッキ浴中に占めるエチルジアミン（ＥＤＡ）
の添加量とサッカリンの添加量とが記されている。
各試料のメッキ浴中に占めるエチルジアミン（ＥＤＡ）
の添加量とサッカリンの添加量とが記されている。
【０１３７】また表２の「組成分析値」には、各試料に
おいてメッキ形成された軟磁性膜中に占める元素をＥＰ
ＭＡで組成分析した結果が記されている。
おいてメッキ形成された軟磁性膜中に占める元素をＥＰ
ＭＡで組成分析した結果が記されている。
【０１３８】また表２の「物性値」には、各試料におい
てメッキ形成された軟磁性膜の膜厚や応力、比抵抗ρが
記されている。
てメッキ形成された軟磁性膜の膜厚や応力、比抵抗ρが
記されている。
【０１３９】さらに表２の「磁気特性」には、各試料に
おいてメッキ形成された軟磁性膜の保持力Ｈｃや、飽和
磁束密度Ｍｓが記されている。なお「保持力Ｈｃｅ」は
容易軸方向の保持力を、「保持力Ｈｃｈ」は困難軸方向
の保持力を、「飽和磁束密度Ｍｓｅ」は容易軸方向の飽
和磁束密度を、「飽和磁束密度Ｍｓｈ」は困難軸方向の
飽和磁束密度をそれぞれ示している。
おいてメッキ形成された軟磁性膜の保持力Ｈｃや、飽和
磁束密度Ｍｓが記されている。なお「保持力Ｈｃｅ」は
容易軸方向の保持力を、「保持力Ｈｃｈ」は困難軸方向
の保持力を、「飽和磁束密度Ｍｓｅ」は容易軸方向の飽
和磁束密度を、「飽和磁束密度Ｍｓｈ」は困難軸方向の
飽和磁束密度をそれぞれ示している。
【０１４０】またメッキ浴中に添加されるＦｅ化合物等
の添加量、ｐＨ等は各試料において共通しており、その
条件は以下の通りである。 （メッキ浴における共通する諸条件） ＮｉＳＯ4の添加量：５０（ｇ／ｌ） ＮｉＣｌ2の添加量：１１７（ｇ／ｌ） ＦｅＳＯ4の添加量：１３（ｇ／ｌ） ＮａＣｌの添加量：２５（ｇ／ｌ） Ｈ3ＢＯ3の添加量：２５（ｇ／ｌ） ラウリル硫酸の添加量：０．０２（ｇ／ｌ） メッキ浴中のｐＨ：２．５ メッキ浴中の温度：２５℃ 軟磁性膜を電気メッキする際に流される電流密度：２
９．３ｍＡ／ｃｍ2 メッキ形成時間：１０分 図７は、メッキ形成された軟磁性膜中に含まれるＯ、Ｃ
及びＳの総合組成値（質量％）と、比抵抗ρとの関係を
示すグラフである。
の添加量、ｐＨ等は各試料において共通しており、その
条件は以下の通りである。 （メッキ浴における共通する諸条件） ＮｉＳＯ4の添加量：５０（ｇ／ｌ） ＮｉＣｌ2の添加量：１１７（ｇ／ｌ） ＦｅＳＯ4の添加量：１３（ｇ／ｌ） ＮａＣｌの添加量：２５（ｇ／ｌ） Ｈ3ＢＯ3の添加量：２５（ｇ／ｌ） ラウリル硫酸の添加量：０．０２（ｇ／ｌ） メッキ浴中のｐＨ：２．５ メッキ浴中の温度：２５℃ 軟磁性膜を電気メッキする際に流される電流密度：２
９．３ｍＡ／ｃｍ2 メッキ形成時間：１０分 図７は、メッキ形成された軟磁性膜中に含まれるＯ、Ｃ
及びＳの総合組成値（質量％）と、比抵抗ρとの関係を
示すグラフである。
【０１４１】図７に示すようにＯ＋Ｃ＋Ｓ組成比（質量
％）が上昇すればするほど、比抵抗ρは一次関数的に向
上することがわかる。
％）が上昇すればするほど、比抵抗ρは一次関数的に向
上することがわかる。
【０１４２】本発明では前記比抵抗ρは６０μΩ・ｃｍ
以上が好ましいとしている。よって本発明では前記Ｏ＋
Ｃ＋Ｓ組成比は、０．６（質量％）以上であることが好
ましい。
以上が好ましいとしている。よって本発明では前記Ｏ＋
Ｃ＋Ｓ組成比は、０．６（質量％）以上であることが好
ましい。
【０１４３】ただし前記比抵抗ρが、どれだけ高くても
良いわけではない。前記比抵抗ρの上昇は、逆に飽和磁
束密度Ｍｓを低下させるといった問題を発生させる。そ
こで本発明では、飽和磁束密度Ｍｓが１．０Ｔ（テス
ラ）以上となるように前記比抵抗ρの上限値を決めてお
り、具体的には前記比抵抗ρは２１０μΩ・ｃｍ以下で
あることが好ましいとしている。
良いわけではない。前記比抵抗ρの上昇は、逆に飽和磁
束密度Ｍｓを低下させるといった問題を発生させる。そ
こで本発明では、飽和磁束密度Ｍｓが１．０Ｔ（テス
ラ）以上となるように前記比抵抗ρの上限値を決めてお
り、具体的には前記比抵抗ρは２１０μΩ・ｃｍ以下で
あることが好ましいとしている。
【０１４４】表２に示すように、いずれの試料において
も、飽和磁束密度Ｍｓｈ（困難軸方向の飽和磁束密度）
は１．０Ｔ（テスラ）以上になっていることがわかる。
も、飽和磁束密度Ｍｓｈ（困難軸方向の飽和磁束密度）
は１．０Ｔ（テスラ）以上になっていることがわかる。
【０１４５】そして図７に示すように、比抵抗ρが２１
０μΩ・ｃｍとなるときのＯ＋Ｃ＋Ｓ組成値は５．００
（質量％）であり、よって本発明では前記Ｏ＋Ｃ＋Ｓ組
成値の好ましい範囲を０．６０（質量％）以上５．００
（質量％）以下とした。
０μΩ・ｃｍとなるときのＯ＋Ｃ＋Ｓ組成値は５．００
（質量％）であり、よって本発明では前記Ｏ＋Ｃ＋Ｓ組
成値の好ましい範囲を０．６０（質量％）以上５．００
（質量％）以下とした。
【０１４６】ただし図８ないし図１０に示すグラフで示
すように、上記数値範囲内において、Ｏ、Ｃ及びＳがい
かなる組成比を有していてもよいわけではなく、前記
Ｏ、Ｃ及びＳの個々の元素においても、比抵抗ρを６０
μΩ・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下とする場合の適性
な組成範囲が存在する。
すように、上記数値範囲内において、Ｏ、Ｃ及びＳがい
かなる組成比を有していてもよいわけではなく、前記
Ｏ、Ｃ及びＳの個々の元素においても、比抵抗ρを６０
μΩ・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下とする場合の適性
な組成範囲が存在する。
【０１４７】図８は、軟磁性膜中に占めるＯの組成値
（質量％）と軟磁性膜の比抵抗ρとの関係を示すグラフ
である。このグラフにおいても図７と同様に、Ｏの組成
比が上昇すれば比抵抗ρは一次関数的に向上することが
わかる。
（質量％）と軟磁性膜の比抵抗ρとの関係を示すグラフ
である。このグラフにおいても図７と同様に、Ｏの組成
比が上昇すれば比抵抗ρは一次関数的に向上することが
わかる。
【０１４８】このグラフから軟磁性膜の比抵抗ρを６０
μΩ・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にするには、前記
軟磁性膜中に占めるＯの組成比を０．４０質量％以上
３．７０質量％以下にすればよいことがわかる。
μΩ・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にするには、前記
軟磁性膜中に占めるＯの組成比を０．４０質量％以上
３．７０質量％以下にすればよいことがわかる。
【０１４９】図９は、軟磁性膜中に占めるＣの組成値
（質量％）と軟磁性膜の比抵抗ρとの関係を示すグラフ
である。このグラフにおいても図７及び図８と同様に、
Ｃの組成比が上昇すれば比抵抗ρは一次関数的に向上す
ることがわかる。
（質量％）と軟磁性膜の比抵抗ρとの関係を示すグラフ
である。このグラフにおいても図７及び図８と同様に、
Ｃの組成比が上昇すれば比抵抗ρは一次関数的に向上す
ることがわかる。
【０１５０】このグラフから軟磁性膜の比抵抗ρを６０
μΩ・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にするには、前記
軟磁性膜中に占めるＣの組成比を０．１１質量％以上
０．９０質量％以下にすればよいことがわかる。
μΩ・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にするには、前記
軟磁性膜中に占めるＣの組成比を０．１１質量％以上
０．９０質量％以下にすればよいことがわかる。
【０１５１】図１０は、軟磁性膜中に占めるＳの組成値
（質量％）と軟磁性膜の比抵抗ρとの関係を示すグラフ
である。このグラフにおいても図７ないし図９と同様
に、Ｓの組成比が上昇すれば比抵抗ρは一次関数的に向
上することがわかる。
（質量％）と軟磁性膜の比抵抗ρとの関係を示すグラフ
である。このグラフにおいても図７ないし図９と同様
に、Ｓの組成比が上昇すれば比抵抗ρは一次関数的に向
上することがわかる。
【０１５２】このグラフから軟磁性膜の比抵抗ρを６０
μΩ・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にするには、前記
軟磁性膜中に占めるＳの組成比を０．０５質量％以上
０．４３質量％以下にすればよいことがわかる。
μΩ・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にするには、前記
軟磁性膜中に占めるＳの組成比を０．０５質量％以上
０．４３質量％以下にすればよいことがわかる。
【０１５３】また本発明では、比抵抗ρを８０μΩ・ｃ
ｍ以上にすることが好ましい。従来においては前記比抵
抗ρは４０μΩ・ｃｍ程度であったため、従来の比抵抗
ρの倍の比抵抗ρを有すれば、今後の高記録密度化にお
いて、より適用可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが
できると考えられる。
ｍ以上にすることが好ましい。従来においては前記比抵
抗ρは４０μΩ・ｃｍ程度であったため、従来の比抵抗
ρの倍の比抵抗ρを有すれば、今後の高記録密度化にお
いて、より適用可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが
できると考えられる。
【０１５４】図７に示すように、軟磁性膜の比抵抗ρを
８０μΩ・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下とするには、
軟磁性膜中に占めるＯ＋Ｃ＋Ｓ組成値を１．１６質量％
以上５．００質量％以下にすればよいことがわかる。
８０μΩ・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下とするには、
軟磁性膜中に占めるＯ＋Ｃ＋Ｓ組成値を１．１６質量％
以上５．００質量％以下にすればよいことがわかる。
【０１５５】この場合、図８に示すように、軟磁性膜中
に占めるＯの組成比を、０．８７質量％以上３．７０質
量％以下にすれば、前記軟磁性膜の比抵抗ρを８０μΩ
・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができる。
に占めるＯの組成比を、０．８７質量％以上３．７０質
量％以下にすれば、前記軟磁性膜の比抵抗ρを８０μΩ
・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができる。
【０１５６】また図９に示すように、軟磁性膜中に占め
るＣの組成比を、０．２１質量％以上０．９０質量％以
下にすれば、前記軟磁性膜の比抵抗ρを８０μΩ・ｃｍ
以上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができる。
るＣの組成比を、０．２１質量％以上０．９０質量％以
下にすれば、前記軟磁性膜の比抵抗ρを８０μΩ・ｃｍ
以上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができる。
【０１５７】さらに図１０に示すように、軟磁性膜中に
占めるＳの組成比を、０．１０質量％以上０．４３質量
％以下にすれば、前記軟磁性膜の比抵抗ρを８０μΩ・
ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができる。
占めるＳの組成比を、０．１０質量％以上０．４３質量
％以下にすれば、前記軟磁性膜の比抵抗ρを８０μΩ・
ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができる。
【０１５８】また本発明では軟磁性膜の比抵抗ρを１０
０μΩ・ｃｍ以上にすることがさらに好ましい。
０μΩ・ｃｍ以上にすることがさらに好ましい。
【０１５９】図７に示すように、軟磁性膜の比抵抗ρを
１００μΩ・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下とするに
は、軟磁性膜中に占めるＯ＋Ｃ＋Ｓ組成値を１．７３質
量％以上５．００質量％以下にすればよいことがわか
る。
１００μΩ・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下とするに
は、軟磁性膜中に占めるＯ＋Ｃ＋Ｓ組成値を１．７３質
量％以上５．００質量％以下にすればよいことがわか
る。
【０１６０】この場合、図８に示すように、軟磁性膜中
に占めるＯの組成比を、１．３０質量％以上３．７０質
量％以下にすれば、前記軟磁性膜の比抵抗ρを１００μ
Ω・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができ
る。
に占めるＯの組成比を、１．３０質量％以上３．７０質
量％以下にすれば、前記軟磁性膜の比抵抗ρを１００μ
Ω・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができ
る。
【０１６１】また図９に示すように、軟磁性膜中に占め
るＣの組成比を、０．３２質量％以上０．９０質量％以
下にすれば、前記軟磁性膜の比抵抗ρを１００μΩ・ｃ
ｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができる。
るＣの組成比を、０．３２質量％以上０．９０質量％以
下にすれば、前記軟磁性膜の比抵抗ρを１００μΩ・ｃ
ｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができる。
【０１６２】さらに図１０に示すように、軟磁性膜中に
占めるＳの組成比を、０．１５質量％以上０．４３質量
％以下にすれば、前記軟磁性膜の比抵抗ρを１００μΩ
・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができる。
占めるＳの組成比を、０．１５質量％以上０．４３質量
％以下にすれば、前記軟磁性膜の比抵抗ρを１００μΩ
・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下にすることができる。
【０１６３】表２に示す試料Ｎｏ．２から１４の軟磁性
膜は、いずれもＯ＋Ｃ＋Ｓ組成値、Ｏ組成値、Ｃ組成
値、およびＳ組成値が上記した数値範囲内に含まれてい
る。
膜は、いずれもＯ＋Ｃ＋Ｓ組成値、Ｏ組成値、Ｃ組成
値、およびＳ組成値が上記した数値範囲内に含まれてい
る。
【０１６４】表２に示すように、試料Ｎｏ．２から１４
からメッキ形成された軟磁性膜は、組成中に占めるＦｅ
量がいずれも３０質量％以上であることがわかる。また
Ｏ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）比（％）を見ると、いずれの試料に
おいても、値はほとんど変わらないことがわかる。これ
は、仮に軟磁性膜中にＯのみが含有され、Ｃ及びＳが添
加されていない場合には、適切に比抵抗ρを向上させる
ことができないことを意味し、軟磁性膜中に、Ｏと、さ
らにＣ及びＳを適性量含有させることで、比抵抗ρを、
今後の高記録密度化に対応できる程度に向上させること
が可能になるものと考えられる。
からメッキ形成された軟磁性膜は、組成中に占めるＦｅ
量がいずれも３０質量％以上であることがわかる。また
Ｏ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）比（％）を見ると、いずれの試料に
おいても、値はほとんど変わらないことがわかる。これ
は、仮に軟磁性膜中にＯのみが含有され、Ｃ及びＳが添
加されていない場合には、適切に比抵抗ρを向上させる
ことができないことを意味し、軟磁性膜中に、Ｏと、さ
らにＣ及びＳを適性量含有させることで、比抵抗ρを、
今後の高記録密度化に対応できる程度に向上させること
が可能になるものと考えられる。
【０１６５】図１１及び図１２には、軟磁性膜内に含有
されたＣ（炭素）の化学結合状態の分析をＥＳＣＡで調
べた実験結果が示されている。
されたＣ（炭素）の化学結合状態の分析をＥＳＣＡで調
べた実験結果が示されている。
【０１６６】図１１は、サッカリンを３．０ｇ／ｌと、
エチレンジアミンを８００ｐｐｍ添加したメッキ浴から
軟磁性膜をメッキ形成した場合の、前記軟磁性膜中に占
めるＣの化学結合分析結果である。なお生成された軟磁
性膜には熱処理を施してない。
エチレンジアミンを８００ｐｐｍ添加したメッキ浴から
軟磁性膜をメッキ形成した場合の、前記軟磁性膜中に占
めるＣの化学結合分析結果である。なお生成された軟磁
性膜には熱処理を施してない。
【０１６７】前記軟磁性膜の組成分析結果は、Ｆｅが５
７質量％、Ｎｉが３９質量％、Ｏが３質量％であった。
なおＣの組成比に関しては測定が不可能であった。
７質量％、Ｎｉが３９質量％、Ｏが３質量％であった。
なおＣの組成比に関しては測定が不可能であった。
【０１６８】また図１２は、サッカリンを３．０ｇ／ｌ
と、エチレンジアミンを８００ｐｐｍ添加したメッキ浴
から軟磁性膜をメッキ形成した場合の、前記軟磁性膜中
に占めるＣの化学結合分析結果である。なお生成された
軟磁性膜には熱処理を施している。
と、エチレンジアミンを８００ｐｐｍ添加したメッキ浴
から軟磁性膜をメッキ形成した場合の、前記軟磁性膜中
に占めるＣの化学結合分析結果である。なお生成された
軟磁性膜には熱処理を施している。
【０１６９】なお前記軟磁性膜の組成分析結果は、Ｃが
１質量％、Ｆｅが５４質量％、Ｎｉが４１質量％、Ｏが
３質量％であった。
１質量％、Ｆｅが５４質量％、Ｎｉが４１質量％、Ｏが
３質量％であった。
【０１７０】図１１、図１２共に、結合エネルギー２８
４ｅＶ近傍に、Ｃ１ｓ（炭素の１ｓ電子）のピークがみ
られる。
４ｅＶ近傍に、Ｃ１ｓ（炭素の１ｓ電子）のピークがみ
られる。
【０１７１】ここで、結合エネルギーが約２８４（ｅ
Ｖ）程度のときに示すピークは、Ｃが有機化合物状態に
なっており、また結合エネルギーが約２８３（ｅＶ）程
度のときに示すピークは、Ｃが金属化合物（例えばＦｅ
3ＣやＮｉ3Ｃであると思われる）状態になっていること
を意味している。
Ｖ）程度のときに示すピークは、Ｃが有機化合物状態に
なっており、また結合エネルギーが約２８３（ｅＶ）程
度のときに示すピークは、Ｃが金属化合物（例えばＦｅ
3ＣやＮｉ3Ｃであると思われる）状態になっていること
を意味している。
【０１７２】すなわちＣは、有機化合物として、及び／
あるいは金属化合物として、軟磁性膜中に含まれるもの
と考えられることが上記実験結果により明らかにされ
た。
あるいは金属化合物として、軟磁性膜中に含まれるもの
と考えられることが上記実験結果により明らかにされ
た。
【０１７３】次にメッキ浴中のｐＨと、メッキ形成され
た軟磁性膜の中心線平均粗さ（Ｒａ）との関係、および
前記中心線平均粗さ（Ｒａ）と保持力（Ｈｃ）との関係
について調べた。
た軟磁性膜の中心線平均粗さ（Ｒａ）との関係、および
前記中心線平均粗さ（Ｒａ）と保持力（Ｈｃ）との関係
について調べた。
【０１７４】保持力については図５で説明したように、
Ｆｅ量によって左右されるが、実際には、Ｆｅ量が適性
化されていても、メッキ浴のｐＨが高くなると、保磁力
Ｈｃが大きくなることが、次に示す実験結果によりわか
った。
Ｆｅ量によって左右されるが、実際には、Ｆｅ量が適性
化されていても、メッキ浴のｐＨが高くなると、保磁力
Ｈｃが大きくなることが、次に示す実験結果によりわか
った。
【０１７５】図１３は、ＦｅイオンとＮｉイオンを有す
るメッキ浴中に、エチレンジアミン（ＥＤＡ）を添加し
た場合の前記メッキ浴のｐＨと、前記メッキ浴からメッ
キ形成された軟磁性膜の膜面の中心線平均粗さ（Ｒａ）
との関係を示すグラフである。なお実験では、メッキ浴
の温度を２０℃に設定している。
るメッキ浴中に、エチレンジアミン（ＥＤＡ）を添加し
た場合の前記メッキ浴のｐＨと、前記メッキ浴からメッ
キ形成された軟磁性膜の膜面の中心線平均粗さ（Ｒａ）
との関係を示すグラフである。なお実験では、メッキ浴
の温度を２０℃に設定している。
【０１７６】図１３に示すように、メッキ浴のｐＨが高
くなると、メッキ形成された軟磁性膜の膜面の中心線平
均粗さ（Ｒａ）は大きくなることがわかる。これは、メ
ッキ浴のｐＨが大きくなることにより、成膜レートが速
まることが原因の一つとして考えられる。
くなると、メッキ形成された軟磁性膜の膜面の中心線平
均粗さ（Ｒａ）は大きくなることがわかる。これは、メ
ッキ浴のｐＨが大きくなることにより、成膜レートが速
まることが原因の一つとして考えられる。
【０１７７】図１４は、前記軟磁性膜の膜面の中心線平
均粗さ（Ｒａ）と、保磁力Ｈｃとの関係を示すグラフで
ある。
均粗さ（Ｒａ）と、保磁力Ｈｃとの関係を示すグラフで
ある。
【０１７８】図１４に示すように、前記中心線平均粗さ
（Ｒａ）が大きくなると、保磁力Ｈｃが上昇することが
わかる。
（Ｒａ）が大きくなると、保磁力Ｈｃが上昇することが
わかる。
【０１７９】すなわち図１３及び図１４に示す実験結果
から、メッキ浴のｐＨを小さくすることで、メッキ形成
された軟磁性膜の膜面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を小さ
くすることができ、保磁力Ｈｃを低く抑えることができ
ることがわかる。なお中心線平均粗さ（Ｒａ）を小さく
することにより保磁力Ｈｃを低くできる原因の一つとし
て、保磁力Ｈｃに影響を与える磁気異方性エネルギーの
低下が考えられる。
から、メッキ浴のｐＨを小さくすることで、メッキ形成
された軟磁性膜の膜面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を小さ
くすることができ、保磁力Ｈｃを低く抑えることができ
ることがわかる。なお中心線平均粗さ（Ｒａ）を小さく
することにより保磁力Ｈｃを低くできる原因の一つとし
て、保磁力Ｈｃに影響を与える磁気異方性エネルギーの
低下が考えられる。
【０１８０】本発明では、保磁力Ｈｃが１１８．５Ａ／
ｍ（エルステッド）以下を好ましい範囲とし、７９Ａ／
ｍ以下を、より好ましい範囲とし、３９．５Ａ／ｍ以下
をさらに好ましい範囲とした。
ｍ（エルステッド）以下を好ましい範囲とし、７９Ａ／
ｍ以下を、より好ましい範囲とし、３９．５Ａ／ｍ以下
をさらに好ましい範囲とした。
【０１８１】図１４から保磁力Ｈｃを１１８．５Ａ／ｍ
以下にできる中心線平均粗さ（Ｒａ）は、約１４０Å以
下であることがわかる。また図１３に示すように、メッ
キ浴のｐＨを、１．８以下にすれば、前記中心線平均粗
さ（Ｒａ）を１４０Å以下にできることがわかる。
以下にできる中心線平均粗さ（Ｒａ）は、約１４０Å以
下であることがわかる。また図１３に示すように、メッ
キ浴のｐＨを、１．８以下にすれば、前記中心線平均粗
さ（Ｒａ）を１４０Å以下にできることがわかる。
【０１８２】また図１４から保磁力Ｈｃを７９Ａ／ｍ以
下にできる中心線平均粗さ（Ｒａ）は、約１２０Å以下
であることがわかる。また図１３に示すように、メッキ
浴のｐＨを、１．７以下にすれば、前記中心線平均粗さ
（Ｒａ）を１２０Å以下にできることがわかる。
下にできる中心線平均粗さ（Ｒａ）は、約１２０Å以下
であることがわかる。また図１３に示すように、メッキ
浴のｐＨを、１．７以下にすれば、前記中心線平均粗さ
（Ｒａ）を１２０Å以下にできることがわかる。
【０１８３】さらに図１４から保磁力Ｈｃを３９．５Ａ
／ｍ以下にできる中心線平均粗さ（Ｒａ）は、約５０Å
以下であることがわかる。また図１３に示すように、メ
ッキ浴のｐＨを、１．５以下にすれば、前記中心線平均
粗さ（Ｒａ）を５０Å以下にできることがわかる。
／ｍ以下にできる中心線平均粗さ（Ｒａ）は、約５０Å
以下であることがわかる。また図１３に示すように、メ
ッキ浴のｐＨを、１．５以下にすれば、前記中心線平均
粗さ（Ｒａ）を５０Å以下にできることがわかる。
【０１８４】以上図２から図１４に示す実験結果によ
り、本発明では、組成元素に少なくともＦｅとＮｉ及び
元素Ｘ（ただしＸは、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｓから選ばれる１種
以上の元素である）を有する軟磁性膜の平均結晶粒径を
８０Å以下、好ましくは６０Åから８０Åの範囲内と
し、さらに軟磁性膜中に占めるＦｅ量を３０質量％以上
にした。これにより比抵抗を少なくとも６０μΩ・ｃｍ
以上にできる軟磁性膜をメッキ形成することができる。
り、本発明では、組成元素に少なくともＦｅとＮｉ及び
元素Ｘ（ただしＸは、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｓから選ばれる１種
以上の元素である）を有する軟磁性膜の平均結晶粒径を
８０Å以下、好ましくは６０Åから８０Åの範囲内と
し、さらに軟磁性膜中に占めるＦｅ量を３０質量％以上
にした。これにより比抵抗を少なくとも６０μΩ・ｃｍ
以上にできる軟磁性膜をメッキ形成することができる。
【０１８５】さらに本発明では軟磁性膜中に含まれる
Ｏ、Ｃ及びＳの量を適正化して、前記軟磁性膜の比抵抗
を、確実に６０μΩ・ｃｍ以上得ることができるように
している。なお比抵抗は高すぎても飽和磁束密度Ｍｓの
低下があり好ましくなく、本発明では前記比抵抗の上限
を２１０μΩ・ｃｍとしている。
Ｏ、Ｃ及びＳの量を適正化して、前記軟磁性膜の比抵抗
を、確実に６０μΩ・ｃｍ以上得ることができるように
している。なお比抵抗は高すぎても飽和磁束密度Ｍｓの
低下があり好ましくなく、本発明では前記比抵抗の上限
を２１０μΩ・ｃｍとしている。
【０１８６】上記したように本発明では、Ｏ、Ｃ及びＳ
の組成比を足したＯ＋Ｃ＋Ｓ組成比が、０．６０質量％
以上５．００質量％以下であることが好ましいとしてお
り、この際、Ｏの組成比は、０．４０質量％以上３．７
０質量％以下、Ｃの組成比は、０．１１質量％以上０．
９０質量％以下、Ｓの組成比は、０．０５質量％以上
０．４３質量％以下であることが好ましい。これにより
前記軟磁性膜の比抵抗ρを、６０μΩ・ｃｍ以上２１０
μΩ・ｃｍ以下にすることができる。
の組成比を足したＯ＋Ｃ＋Ｓ組成比が、０．６０質量％
以上５．００質量％以下であることが好ましいとしてお
り、この際、Ｏの組成比は、０．４０質量％以上３．７
０質量％以下、Ｃの組成比は、０．１１質量％以上０．
９０質量％以下、Ｓの組成比は、０．０５質量％以上
０．４３質量％以下であることが好ましい。これにより
前記軟磁性膜の比抵抗ρを、６０μΩ・ｃｍ以上２１０
μΩ・ｃｍ以下にすることができる。
【０１８７】また本発明では、Ｏ、Ｃ及びＳの組成比を
足したＯ＋Ｃ＋Ｓ組成比は、１．１６質量％以上５．０
０質量％以下であることがより好ましいとしており、こ
の際、Ｏの組成比は、０．８７質量％以上３．７０質量
％以下、Ｃの組成比は、０．２１質量％以上０．９０質
量％以下、Ｓの組成比は、０．１０質量％以上０．４３
質量％以下であることが好ましい。これにより前記軟磁
性膜の比抵抗ρを、８０μΩ・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃ
ｍ以下にすることができる。
足したＯ＋Ｃ＋Ｓ組成比は、１．１６質量％以上５．０
０質量％以下であることがより好ましいとしており、こ
の際、Ｏの組成比は、０．８７質量％以上３．７０質量
％以下、Ｃの組成比は、０．２１質量％以上０．９０質
量％以下、Ｓの組成比は、０．１０質量％以上０．４３
質量％以下であることが好ましい。これにより前記軟磁
性膜の比抵抗ρを、８０μΩ・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃ
ｍ以下にすることができる。
【０１８８】また本発明では、Ｏ、Ｃ及びＳの組成比を
足したＯ＋Ｃ＋Ｓ組成比は、１．７３質量％以上５．０
０質量％以下であることがさらに好ましいとしており、
この際、Ｏの組成比は、１．３０質量％以上３．７０質
量％以下、Ｃの組成比は、０．３２質量％以上０．９０
質量％以下、Ｓの組成比は、０．１５質量％以上０．４
３質量％以下であることが好ましい。これにより、前記
軟磁性膜の比抵抗ρを、１００μΩ・ｃｍ以上２１０μ
Ω・ｃｍ以下にすることができる。
足したＯ＋Ｃ＋Ｓ組成比は、１．７３質量％以上５．０
０質量％以下であることがさらに好ましいとしており、
この際、Ｏの組成比は、１．３０質量％以上３．７０質
量％以下、Ｃの組成比は、０．３２質量％以上０．９０
質量％以下、Ｓの組成比は、０．１５質量％以上０．４
３質量％以下であることが好ましい。これにより、前記
軟磁性膜の比抵抗ρを、１００μΩ・ｃｍ以上２１０μ
Ω・ｃｍ以下にすることができる。
【０１８９】またＦｅイオンとＮｉイオンとさらにアミ
ノ系有機材料が添加されたメッキ浴のｐＨを、１．８以
下、好ましくは１．７以下、より好ましくは１．５以下
にした。なお各ｐＨに対応してメッキ形成された軟磁性
膜の中心線平均粗さ（Ｒａ）は、１４０Å以下、１２０
Å以下、５０Å以下となる。これにより、保磁力Ｈｃを
１１８．５Ａ／ｍ以下、好ましくは７９Ａ／ｍ以下、よ
り好ましくは３９．５Ａ／ｍ以下にできる。
ノ系有機材料が添加されたメッキ浴のｐＨを、１．８以
下、好ましくは１．７以下、より好ましくは１．５以下
にした。なお各ｐＨに対応してメッキ形成された軟磁性
膜の中心線平均粗さ（Ｒａ）は、１４０Å以下、１２０
Å以下、５０Å以下となる。これにより、保磁力Ｈｃを
１１８．５Ａ／ｍ以下、好ましくは７９Ａ／ｍ以下、よ
り好ましくは３９．５Ａ／ｍ以下にできる。
【０１９０】さらに本発明における軟磁性膜では、飽和
磁束密度Ｍｓを１．０Ｔ以上にすることができる。
磁束密度Ｍｓを１．０Ｔ以上にすることができる。
【０１９１】
【発明の効果】以上詳述した本発明では、少なくとも軟
磁性膜を構成する組成元素にＦｅとＮｉと、さらに元素
Ｘ（ただしＸは、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｓから選ばれる１種以上
の元素である）を有し、しかも平均結晶粒径を８０Å以
下とし、さらにＦｅ量を３０質量％以上とすれば、Ｎｉ
Ｆｅ合金に比べ高い比抵抗ρを有し、さらに前記ＮｉＦ
ｅ合金と同程度の保磁力Ｈｃ及び飽和磁束密度Ｍｓを有
する軟磁性膜を形成することが可能である。
磁性膜を構成する組成元素にＦｅとＮｉと、さらに元素
Ｘ（ただしＸは、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｓから選ばれる１種以上
の元素である）を有し、しかも平均結晶粒径を８０Å以
下とし、さらにＦｅ量を３０質量％以上とすれば、Ｎｉ
Ｆｅ合金に比べ高い比抵抗ρを有し、さらに前記ＮｉＦ
ｅ合金と同程度の保磁力Ｈｃ及び飽和磁束密度Ｍｓを有
する軟磁性膜を形成することが可能である。
【０１９２】また本発明では軟磁性膜中に、Ｏ、Ｃ、Ｓ
を含有させることが好ましく、Ｏ、Ｃ及びＳの総合組成
比、および個々の組成比を適正に調整することで、飽和
磁束密度を既存の磁性材料であるパーマロイ等と同程度
に保ちつつ、比抵抗をより確実に向上させることができ
る。
を含有させることが好ましく、Ｏ、Ｃ及びＳの総合組成
比、および個々の組成比を適正に調整することで、飽和
磁束密度を既存の磁性材料であるパーマロイ等と同程度
に保ちつつ、比抵抗をより確実に向上させることができ
る。
【０１９３】また本発明では、Ｆｅイオン及びＮｉイオ
ンを有するメッキ浴中に、エチレンジアミン（ＥＤＡ）
等を添加した場合の前記メッキ浴のｐＨを適正化して、
メッキ形成された軟磁性膜の膜面の中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）を小さくしており、これにより、より適性に保磁力
Ｈｃを低く抑えることができる。
ンを有するメッキ浴中に、エチレンジアミン（ＥＤＡ）
等を添加した場合の前記メッキ浴のｐＨを適正化して、
メッキ形成された軟磁性膜の膜面の中心線平均粗さ（Ｒ
ａ）を小さくしており、これにより、より適性に保磁力
Ｈｃを低く抑えることができる。
【０１９４】以上、高比抵抗ρ及び低保磁力Ｈｃならび
に高飽和磁束密度Ｍｓの諸軟磁気特性を有する、少なく
ともＦｅとＮｉと元素Ｘ（ただしＸは、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｓ
から選ばれる１種以上の元素である）を含有した軟磁性
膜を、薄膜磁気ヘッドの上部コア層及び／または下部コ
ア層に使用すれば、記録周波数が高くなっても、渦電流
損失を低減させることができ、今後の高記録密度化、高
記録周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造でき
る。
に高飽和磁束密度Ｍｓの諸軟磁気特性を有する、少なく
ともＦｅとＮｉと元素Ｘ（ただしＸは、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｓ
から選ばれる１種以上の元素である）を含有した軟磁性
膜を、薄膜磁気ヘッドの上部コア層及び／または下部コ
ア層に使用すれば、記録周波数が高くなっても、渦電流
損失を低減させることができ、今後の高記録密度化、高
記録周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造でき
る。
【図１】本発明の実施形態の薄膜磁気ヘッドの縦断面
図、
図、
【図２】ＦｅイオンとＮｉイオンを有するメッキ浴中
に、様々なアミノ系有機材料を添加した場合の前記添加
量と、前記メッキ浴から得られた各軟磁性膜の比抵抗ρ
との関係を示すグラフ、
に、様々なアミノ系有機材料を添加した場合の前記添加
量と、前記メッキ浴から得られた各軟磁性膜の比抵抗ρ
との関係を示すグラフ、
【図３】アミノ系有機材料として、エチレンジアミン
（ＥＤＡ）及びジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）を選
択して得られた軟磁性膜の平均結晶粒径と比抵抗ρとの
関係を示すグラフ、
（ＥＤＡ）及びジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）を選
択して得られた軟磁性膜の平均結晶粒径と比抵抗ρとの
関係を示すグラフ、
【図４】アミノ系有機材料として、エチレンジアミン
（ＥＤＡ）を選択して得られた軟磁性膜のＦｅ量と比抵
抗ρとの関係、及びＮｉＦｅ合金膜のＦｅ量と比抵抗ρ
との関係を示すグラフ、
（ＥＤＡ）を選択して得られた軟磁性膜のＦｅ量と比抵
抗ρとの関係、及びＮｉＦｅ合金膜のＦｅ量と比抵抗ρ
との関係を示すグラフ、
【図５】アミノ系有機材料として、エチレンジアミン
（ＥＤＡ）を選択して得られた軟磁性膜のＦｅ量と保磁
力Ｈｃとの関係、及びＮｉＦｅ合金膜のＦｅ量と保磁力
Ｈｃとの関係を示すグラフ、
（ＥＤＡ）を選択して得られた軟磁性膜のＦｅ量と保磁
力Ｈｃとの関係、及びＮｉＦｅ合金膜のＦｅ量と保磁力
Ｈｃとの関係を示すグラフ、
【図６】アミノ系有機材料として、エチレンジアミン
（ＥＤＡ）を選択して得られた軟磁性膜のＦｅ量と飽和
磁束密度Ｍｓとの関係、及びＮｉＦｅ合金膜のＦｅ量と
飽和磁束密度Ｍｓとの関係を示すグラフ、
（ＥＤＡ）を選択して得られた軟磁性膜のＦｅ量と飽和
磁束密度Ｍｓとの関係、及びＮｉＦｅ合金膜のＦｅ量と
飽和磁束密度Ｍｓとの関係を示すグラフ、
【図７】軟磁性膜中に占めるＯ＋Ｃ＋Ｓ組成値と比抵抗
ρとの関係を示すグラフ、
ρとの関係を示すグラフ、
【図８】軟磁性膜中に占めるＯ組成値と比抵抗ρとの関
係を示すグラフ、
係を示すグラフ、
【図９】軟磁性膜中に占めるＣ組成値と比抵抗ρとの関
係を示すグラフ、
係を示すグラフ、
【図１０】軟磁性膜中に占めるＳ組成値と比抵抗ρとの
関係を示すグラフ、
関係を示すグラフ、
【図１１】ある所定条件でメッキ形成された軟磁性膜中
に占めるＣの化学結合状態をＥＳＣＡで分析した結果を
示すグラフ、
に占めるＣの化学結合状態をＥＳＣＡで分析した結果を
示すグラフ、
【図１２】ある所定条件でメッキ形成された軟磁性膜中
に占めるＣの化学結合状態をＥＳＣＡで分析した結果を
示すグラフ、
に占めるＣの化学結合状態をＥＳＣＡで分析した結果を
示すグラフ、
【図１３】アミノ系有機材料として、エチレンジアミン
（ＥＤＡ）を選択したメッキ浴中のｐＨと、得られた軟
磁性膜の膜面の中心線平均粗さ（Ｒａ）との関係を示す
グラフ、
（ＥＤＡ）を選択したメッキ浴中のｐＨと、得られた軟
磁性膜の膜面の中心線平均粗さ（Ｒａ）との関係を示す
グラフ、
【図１４】図７に示す中心線平均粗さ（Ｒａ）と、保磁
力Ｈｃとの関係を示すグラフ、
力Ｈｃとの関係を示すグラフ、
【図１５】メッキ浴のｐＨを１．５とし、温度を２０℃
とした場合の軟磁性膜の膜面の状態を写すＳＥＭ写真、
とした場合の軟磁性膜の膜面の状態を写すＳＥＭ写真、
【図１６】メッキ浴のｐＨを３．０とし、温度を２８℃
とした場合の軟磁性膜の膜面の状態を写すＳＥＭ写真、
とした場合の軟磁性膜の膜面の状態を写すＳＥＭ写真、
１ 下部シールド層
２ 下部ギャップ層
３ 磁気抵抗効果素子層
４ 上部ギャップ層
５ 下部コア層
６ 磁気ギャップ層
７、９ 絶縁層
８ コイル層
１０ 上部コア層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 川崎 光雄
東京都大田区雪谷大塚１番７号 アルプ
ス電気株式会社社内
(56)参考文献 特開 平９−63016（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−171925（ＪＰ，Ａ)
特開 昭53−84830（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01F 10/00 - 10/32
H01F 41/14 - 41/34
G11B 5/31 - 5/325
Claims (23)
- 【請求項１】 メッキ形成された軟磁性膜であって、組
成元素として、少なくともＮｉ、Ｆｅ、Ｏ、Ｃ、及びＳ
を含有し、平均結晶粒径は６０Å以上で８０Å以下であ
り、Ｆｅ量が５７質量％以上で６５質量％以下であり、
さらに、Ｏ、Ｃ及びＳの組成比を足したＯ＋Ｃ＋Ｓ組成
比は、１．１６質量％以上５．００質量％以下であるこ
とを特徴とする軟磁性膜。 - 【請求項２】 Ｏの組成比は、０．８７質量％以上３．
７０質量％以下である請求項１記載の軟磁性膜。 - 【請求項３】 Ｃの組成比は、０．２１質量％以上０．
９０質量％以下である請求項１または２に記載の軟磁性
膜。 - 【請求項４】 Ｓの組成比は、０．１０質量％以上０．
４３質量％以下である請求項１ないし３のいずれかに記
載の軟磁性膜。 - 【請求項５】 前記軟磁性膜の比抵抗ρは、８０μΩ・
ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下である請求項１ないし４
のいずれかに記載の軟磁性膜。 - 【請求項６】 Ｏ、Ｃ及びＳの組成比を足したＯ＋Ｃ＋
Ｓ組成比は、１．７３質量％以上５．００質量％以下で
ある請求項１記載の軟磁性膜。 - 【請求項７】 Ｏの組成比は、１．３０質量％以上３．
７０質量％以下である請求項６記載の軟磁性膜。 - 【請求項８】 Ｃの組成比は、０．３２質量％以上０．
９０質量％以下である請求項６または７に記載の軟磁性
膜。 - 【請求項９】 Ｓの組成比は、０．１５質量％以上０．
４３質量％以下である請求項６ないし８のいずれかに記
載の軟磁性膜。 - 【請求項１０】 前記軟磁性膜の比抵抗ρは、１００μ
Ω・ｃｍ以上２１０μΩ・ｃｍ以下である請求項６ない
し９のいずれかに記載の軟磁性膜。 - 【請求項１１】 前記軟磁性膜の膜面の中心線平均粗さ
（Ｒａ）は１４０Å以下である請求項１ないし１０のい
ずれかに記載の軟磁性膜。 - 【請求項１２】 前記軟磁性膜の保磁力Ｈｃは、１１
８．５Ａ／ｍ以下である請求項１１記載の軟磁性膜 - 【請求項１３】 前記中心線平均粗さ（Ｒａ）は１２０
Å以下である請求項１１記載の軟磁性膜。 - 【請求項１４】 前記軟磁性膜の保磁力Ｈｃは、７９Ａ
／ｍ以下である請求項１３記載の軟磁性膜。 - 【請求項１５】 前記中心線平均粗さ（Ｒａ）は５０Å
以下である請求項１１記載の軟磁性膜。 - 【請求項１６】 前記軟磁性膜の保磁力Ｈｃは、３９．
５Ａ／ｍ以下である請求項１５記載の軟磁性膜。 - 【請求項１７】 前記軟磁性膜の飽和磁束密度Ｍｓは、
１．０Ｔ以上である請求項１ないし１６のいずれかに記
載の軟磁性膜。 - 【請求項１８】 Ｆｅイオン、Ｎｉイオンを有するメッ
キ浴中に、アミノ系有機材料及びサッカリンを添加し
て、前記メッキ浴中のｐＨを１．８以下に設定し、前記
メッキ浴中の温度を２０℃から２８℃の範囲内に保ちつ
つメッキ形成する工程を有することを特徴とする請求項
1記載の軟磁性膜の製造方法。 - 【請求項１９】 前記ｐＨを、１．７以下に保つ請求項
１８記載の軟磁性膜の製造方法。 - 【請求項２０】 前記ｐＨを、１．５以下に保つ請求項
１９記載の軟磁性膜の製造方法。 - 【請求項２１】 前記アミノ系有機材料として、エチレ
ンジアミン（ＥＤＡ）、ジエチレントリアミン（ＤＥＴ
Ａ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、アラニン
（Ａｌａ）、あるいはグルタミン酸（Ｇｌｕ）から１種
または２種以上を選択する請求項１８ないし２０のいず
れかに記載の軟磁性膜の製造方法。 - 【請求項２２】 磁性材料製の下部コア層と、記録媒体
との対向面で前記下部コア層と磁気ギャップを介して対
向する上部コア層と、両コア層に記録磁界を誘導するコ
イル層とを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上部コ
ア層及び／または下部コア層は、請求項１ないし１７の
いずれかに記載された軟磁性膜により形成されることを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２３】 請求項２２に記載の薄膜磁気ヘッドの
下に、記録信号を検出するための磁気抵抗効果素子が設
けられていることを特徴とする複合型薄 膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2000005569A JP3396455B2 (ja) | 1999-06-22 | 2000-01-14 | 軟磁性膜及びその製造方法、ならびにこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド |
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