JP3601005B2 - パラジウムめっき液 - Google Patents
パラジウムめっき液 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3601005B2 JP3601005B2 JP2000211927A JP2000211927A JP3601005B2 JP 3601005 B2 JP3601005 B2 JP 3601005B2 JP 2000211927 A JP2000211927 A JP 2000211927A JP 2000211927 A JP2000211927 A JP 2000211927A JP 3601005 B2 JP3601005 B2 JP 3601005B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- palladium
- plating solution
- salt
- palladium plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 184
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims description 116
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 title claims description 89
- DFPAKSUCGFBDDF-UHFFFAOYSA-N Nicotinamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CN=C1 DFPAKSUCGFBDDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N Niacin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1 PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 13
- -1 amine derivative of pyridine carboxylic acid Chemical class 0.000 claims description 12
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 11
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 claims description 10
- 235000005152 nicotinamide Nutrition 0.000 claims description 9
- 239000011570 nicotinamide Substances 0.000 claims description 9
- 229960003966 nicotinamide Drugs 0.000 claims description 9
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 claims description 8
- IOHPVZBSOKLVMN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylethyl)benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1CCC1=CC=CC=C1 IOHPVZBSOKLVMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 claims description 7
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 7
- 235000010338 boric acid Nutrition 0.000 claims description 7
- 235000001968 nicotinic acid Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 claims description 7
- 229960003512 nicotinic acid Drugs 0.000 claims description 7
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 claims description 6
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N glycine betaine Chemical compound C[N+](C)(C)CC([O-])=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TWBYWOBDOCUKOW-UHFFFAOYSA-N isonicotinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=NC=C1 TWBYWOBDOCUKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229940054441 o-phthalaldehyde Drugs 0.000 claims description 6
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 claims description 6
- ZWLUXSQADUDCSB-UHFFFAOYSA-N phthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1C=O ZWLUXSQADUDCSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IBBMAWULFFBRKK-UHFFFAOYSA-N picolinamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CC=N1 IBBMAWULFFBRKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N terephthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=C(C=O)C=C1 KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FPFSGDXIBUDDKZ-UHFFFAOYSA-N 3-decyl-2-hydroxycyclopent-2-en-1-one Chemical compound CCCCCCCCCCC1=C(O)C(=O)CC1 FPFSGDXIBUDDKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- IZALUMVGBVKPJD-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3-dicarbaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC(C=O)=C1 IZALUMVGBVKPJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WJJMNDUMQPNECX-UHFFFAOYSA-N dipicolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=N1 WJJMNDUMQPNECX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000003342 selenium Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000003497 tellurium Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000003475 thallium Chemical class 0.000 claims description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 4
- BVTBRVFYZUCAKH-UHFFFAOYSA-L disodium selenite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Se]([O-])=O BVTBRVFYZUCAKH-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 150000002505 iron Chemical class 0.000 claims description 4
- VFQXVTODMYMSMJ-UHFFFAOYSA-N isonicotinamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=NC=C1 VFQXVTODMYMSMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229960001471 sodium selenite Drugs 0.000 claims description 4
- 239000011781 sodium selenite Substances 0.000 claims description 4
- 235000015921 sodium selenite Nutrition 0.000 claims description 4
- YTQVHRVITVLIRD-UHFFFAOYSA-L thallium sulfate Chemical compound [Tl+].[Tl+].[O-]S([O-])(=O)=O YTQVHRVITVLIRD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229940119523 thallium sulfate Drugs 0.000 claims description 4
- 229910000374 thallium(I) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 claims description 4
- QAQSNXHKHKONNS-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-2-hydroxy-4-methyl-6-oxopyridine-3-carboxamide Chemical compound CCN1C(O)=C(C(N)=O)C(C)=CC1=O QAQSNXHKHKONNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N Sorbitan monopalmitate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N 0.000 claims description 3
- HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N Sorbitan monostearate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N 0.000 claims description 3
- DFPAKSUCGFBDDF-ZQBYOMGUSA-N [14c]-nicotinamide Chemical compound N[14C](=O)C1=CC=CN=C1 DFPAKSUCGFBDDF-ZQBYOMGUSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229960003237 betaine Drugs 0.000 claims description 3
- HBRNMIYLJIXXEE-UHFFFAOYSA-N dodecylazanium;acetate Chemical compound CC(O)=O.CCCCCCCCCCCCN HBRNMIYLJIXXEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000358 iron sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate (anhydrous) Chemical compound [Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229940081066 picolinic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 239000000249 polyoxyethylene sorbitan monopalmitate Substances 0.000 claims description 3
- 235000010483 polyoxyethylene sorbitan monopalmitate Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims description 3
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 claims description 3
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 claims description 3
- OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L potassium sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910052939 potassium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011151 potassium sulphates Nutrition 0.000 claims description 3
- BTAAXEFROUUDIL-UHFFFAOYSA-M potassium;sulfamate Chemical compound [K+].NS([O-])(=O)=O BTAAXEFROUUDIL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- QYHFIVBSNOWOCQ-UHFFFAOYSA-N selenic acid Chemical compound O[Se](O)(=O)=O QYHFIVBSNOWOCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001570 sorbitan monopalmitate Substances 0.000 claims description 3
- 235000011071 sorbitan monopalmitate Nutrition 0.000 claims description 3
- 229940031953 sorbitan monopalmitate Drugs 0.000 claims description 3
- 239000001587 sorbitan monostearate Substances 0.000 claims description 3
- 235000011076 sorbitan monostearate Nutrition 0.000 claims description 3
- 229940035048 sorbitan monostearate Drugs 0.000 claims description 3
- HQOJMTATBXYHNR-UHFFFAOYSA-M thallium(I) acetate Chemical compound [Tl+].CC([O-])=O HQOJMTATBXYHNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q triazanium;borate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]B([O-])[O-] WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q 0.000 claims description 3
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 claims description 3
- GEHMBYLTCISYNY-UHFFFAOYSA-N Ammonium sulfamate Chemical compound [NH4+].NS([O-])(=O)=O GEHMBYLTCISYNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RNGFNLJMTFPHBS-UHFFFAOYSA-L dipotassium;selenite Chemical compound [K+].[K+].[O-][Se]([O-])=O RNGFNLJMTFPHBS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- MCAHWIHFGHIESP-UHFFFAOYSA-N selenous acid Chemical compound O[Se](O)=O MCAHWIHFGHIESP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims 1
- 229940091258 selenium supplement Drugs 0.000 claims 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 8
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 4
- DDXLVDQZPFLQMZ-UHFFFAOYSA-M dodecyl(trimethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C DDXLVDQZPFLQMZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 206010020751 Hypersensitivity Diseases 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 208000026935 allergic disease Diseases 0.000 description 3
- 230000007815 allergy Effects 0.000 description 3
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 210000004243 sweat Anatomy 0.000 description 3
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- YAZJAPBTUDGMKO-UHFFFAOYSA-L potassium selenate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Se]([O-])(=O)=O YAZJAPBTUDGMKO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N Nitrous acid Chemical compound ON=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001361 White metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- ZPWVASYFFYYZEW-UHFFFAOYSA-L dipotassium hydrogen phosphate Chemical compound [K+].[K+].OP([O-])([O-])=O ZPWVASYFFYYZEW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910000402 monopotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019796 monopotassium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- FXADMRZICBQPQY-UHFFFAOYSA-N orthotelluric acid Chemical compound O[Te](O)(O)(O)(O)O FXADMRZICBQPQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNSKLFRGEWLPPA-UHFFFAOYSA-M potassium dihydrogen phosphate Chemical compound [K+].OP(O)([O-])=O GNSKLFRGEWLPPA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K potassium phosphate Substances [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229940082569 selenite Drugs 0.000 description 1
- MCAHWIHFGHIESP-UHFFFAOYSA-L selenite(2-) Chemical compound [O-][Se]([O-])=O MCAHWIHFGHIESP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- FDDDEECHVMSUSB-UHFFFAOYSA-N sulfanilamide Chemical compound NC1=CC=C(S(N)(=O)=O)C=C1 FDDDEECHVMSUSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 description 1
- SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-N tellurous acid Chemical compound O[Te](O)=O SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021654 trace metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010969 white metal Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/567—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of platinum group metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/50—Electroplating: Baths therefor from solutions of platinum group metals
- C25D3/52—Electroplating: Baths therefor from solutions of platinum group metals characterised by the organic bath constituents used
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
【産業上の利用分野】
本発明は、パラジウムめっき液に関し、特に装飾材料のニッケルアレルギー発生問題を回避したパラジウムめっき装飾材料を提供するためのパラジウムめっき液に関する。
【0002】
【従来の技術】
パラジウムめっき液は古くから広範囲に研究されており、そのめっき析出物の物性は、耐光性、耐食性、耐変色性、耐摩耗性等に優れているため、装飾用材料、電子部品の電気接点、コネクター、回路基板等の広範囲の用途に使用されている。また、従来の表面処理技術をもって例えば、時計ケース、時計バンド、メガネフレーム、ネックレス及び指輪等の装身具に白色様めっきを施すためには、パラジウムめっき、パラジウム−ニッケル合金めっき、パラジウム−コバルト合金めっき、ロジウムめっき、白金めっき及び銀めっき等が一般に行われている。
【0003】
【発明が解決すべき課題】
上記のロジウムめっきは、単価が非常に高いため実用的でなく、銀めっきは、硫化物によって変色が生じ易く、パラジウム−ニッケル合金めっきは、ニッケルアレルギーが発生する場合があり、ヨーロッパなどでは使用が禁止されている。また、パラジウムめっき、白金めっきは、めっき皮膜の応力が高いため、厚付けするとクラックが発生しやすい等の欠陥があった。
【0004】
これらの欠陥を考慮してパラジウム析出物の内部応力を低下するため、或いは、皮膜の光沢性を改善する方法として、本発明者らは、ピリジンカルボン酸、ピリジンカルボン酸アミド系誘導体及びアニオン系界面活性剤をパラジウムめっき液に配合することによって、5μm以上の厚さを有していても光沢のあるパラジウム析出物が得られるパラジウムめっき液を既に提案している(例えば、特開平7−11467号公報。)また、上記めっき液に可溶性タリウム塩や可溶性セレン塩を添加することも知られている(例えば、特開平11−189891号公報、特開平11−043796号公報、特開昭63−111194号公報。更に亜硫酸、亜硝酸及びそれらのナトリウム塩、カリウム塩を添加したもの(特公平1−47557号公報)やセリウムを添加したもの(特開平2−43393号公報)が提案されている。しかしながら、このような従来の表面処理技術にあっても、より高度の光沢を有する厚付けパラジウム析出物を得ることは困難であった。
【0005】
最近では、各種パラジウムめっき装飾材料もその形状が相当複雑化しているため、加工に供せられるパラジウム析出物は、展延性に優れ、適度な曲げ加工において亀裂の生じないことが要求されている。
また、ヨーロッパ向けの時計ケース、時計バンド、メガネフレーム、ネックレス、イヤリング及び指輪等の装身具においてはニッケルアレルギー発生を防止することのできる白色金属めっきとして高度の光沢を有し高純度の安定した厚付けめっきのできるパラジウムめっき液が要望されている。
【0006】
したがって、本発明の目的は、高純度の安定した物性及び高度の光沢を示すパラジウム析出物が得られるパラジウムめっき液を提供することにある。
【0007】
【発明を解決するための手段】
本発明者らは、上記した現状に鑑みて、工業的規模においても実用可能であって、しかも純度の高いパラジウム析出物を形成し得るパラジウムめっき液を得るべく鋭意研究を重ねた結果、可溶性パラジウム塩、ピリジンカルボン酸及び/または可溶性の微量金属塩、ピリジンカルボン酸のアミド系誘導体、アルデヒド安息香酸系誘導体、アニオン系界面活性剤又は両性系界面活性剤を配合して構成したパラジウムめっき液は、適度な析出速度を有し、安定性に優れ、得られためっき皮膜は5μm以上の膜厚を有し、特に鏡面光沢に優れ、クラックの殆どない高純度のパラジウム析出物が得られることを知見して本発明に到達した。
【0008】
すなわち、本発明は、
(1)可溶性パラジウム塩をパラジウム量として0.1〜40.0g/l、ピリジンカルボン酸0.01〜10g/l及び/または可溶性鉄塩、亜鉛塩、タリウム塩、セレン塩及びテルル塩等から選ばれた少なくとも1種を金属換算量で0.002〜1.0g/l、ピリジンカルボン酸のアミン系誘導体0.005〜10g/l、アルデヒド安息香酸系誘導体0.002〜20.0g/l、アニオン系界面活性剤又は両性系界面活性剤0.001〜1.2g/lを含有することを特徴とするパラジウムめっき液。
(2)可溶性パラジウム塩が塩化パラジウム、ジクロロジアミンパラジウム及びジクロロテトラアミンパラジウムから選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のパラジウムめっき液、
(3)ピリジンカルボン酸がニコチン酸、ピコリン酸、イソニコチン酸、2,3−キノリン酸、2,4−ルチジン酸及び2,6−ジピコリン酸から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のパラジウムめっき液、
(4)可溶性鉄塩、亜鉛塩、タリウム塩、セレン塩及びテルル塩が硫酸鉄、硫酸第二鉄アンモニウム、硫酸亜鉛、硫酸タリウム、酢酸タリウム、セレン酸、亜セレン酸、亜セレン酸ナトリウム及び亜セレン酸カリウムから選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のパラジウムめっき液、
(5)ピリジンカルボン酸のアミン系誘導体がニコチンアミド、ピコリンアミド、イソニコチン酸アミド及びニコチン酸アミドから選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のパラジウムめっき液、
(6)アルデヒド安息香酸系誘導体がp−フタルアルデヒド、o−フタルアルデヒド、o−フタルアルデヒド酸、p−フタルアルデヒド酸、m−フタルアルデヒド、iso−フタルアルデヒド酸及びアルデヒドアンモニウムから選ばれた少なくと
も1種であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のパラジウムめっき液、
(7)アニオン系界面活性剤又は両性界面活性剤がドデシルアミンアセテート、セチルピリジニウムブロマイド、スルホコハク酸ジ−2−エチルヘキシルナトリウム、ソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンステアレート、ソルビタンモノステアレート、ジメチルアルキルベタイン、ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド及びポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテートから選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のパラジウムめっき液、
(8)パラジウムめっき液の電導塩として硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、スルファミン酸アンモニウム、ホウ酸、ホウ酸アンモニウム、硝酸カリウム、硫酸カリウム、塩化カリウム及びスルファミン酸カリウムから選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第7項記載のパラジウムめっき液を提供するものである。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明で使用する可溶性パラジウム塩とは、例えば、塩化パラジウム、ジクロロジアミンパラジウム及びジクロロテトラアミンパラジウム等が挙げられる。これらの塩は1種又は2種以上併用して用いることができる。上記パラジウムめっき液中の可溶性パラジウム塩の使用濃度は、パラジウム量として1.0〜40.0g/lの範囲が好ましい。1.0g/l以下の濃度では、めっき皮膜析出速度が遅くなるので好ましくなく、また、40.0g/l以上では、析出速度がより向上することはないので、実用的ではない。
【0010】
次に本発明で用いるピリジンカルボン酸としては、例えば、ニコチン酸、ピコリン酸、イソニコチン酸、2,3−キノリン酸、2,4−ルチジン酸及び2,6−ジピコリン酸が挙げられる。上記のピリジンカルボン酸は、1種又は2種以上併用して用いることができる。
上記パラジウムめっき液中のピリジンカルボン酸の使用濃度は、0.01〜20.0g/l好ましくは、1.0g/l〜10.0g/lである。0.01g/l以下では光沢を向上させる効果がなく、また、20.0g/l以上では、光沢がより向上することはないので、実用的ではない。
【0011】
本発明ではパラジウム析出物の内部応力を低下するために、可溶性金属塩を上記のピリジンカルボン酸と併用するか、またはピリジンカルボン酸に替えて可溶性金属塩を添加するものであるが、上記の可溶性金属塩としては、例えば、可溶性鉄塩、亜鉛塩、タリウム塩、セレン塩及びテルル塩等が挙げられる。具体的には、硫酸鉄、硫酸第二鉄アンモニウム、硫酸亜鉛、硫酸タリウム、酢酸タリウム、セレン酸、亜セレン酸、亜セレン酸ナトリウム及び亜セレン酸カリウム等が挙げられる。上記の可溶性金属塩は1種又は2種以上併用して用いることができる。
そして上記の可溶性金属塩の使用濃度は金属換算量で0.002〜1.0g/l好ましくは0.005〜0.7g/lである。0.002g/l以下ではパラジウム析出物の内部応力を低下させる効果がなく、また、1.0g/l以上では、パラジウム析出物の内部応力がより向上することはないので実用的ではない。
【0012】
次に本発明に用いるピリジンカルボン酸のアミド系誘導体としては、例えば、ニコチンアミド、ピコリンアミド、イソニコチン酸アミド、ニコチン酸アミド等が挙げられる。これらのピリジンカルボン酸のアミド系誘導体は、1種又は2種以上併用して用いることができる。
上記パラジウムめっき液中におけるピリジンカルボン酸のアミド系誘導体の使用濃度は0.002〜20.0g/l、好ましくは0.005〜10.0g/lである。
0.002g/l以下では光沢を向上させる効果がなく、20.0g/l以上を越えても光沢はより向上することはないので、実用的でない。
更に、本発明に用いるアルデヒド安息香酸系誘導体としては、例えば、p−フタルアルデヒド、o−フタルアルデヒド、o−フタルアルデヒド酸、p−フタルアルデヒド酸、m−フタルアルデヒド、iso−アルデヒド及びアルデヒドアンモニウムなどが挙げられる。上記のアルデヒド安息香酸系誘導体は1種又は2種以上併用して用いることができる。
上記パラジウムめっき液中のアルデヒド安息香酸系誘導体の使用濃度は、0.002〜20.0g/l、好ましくは0.005〜10.0g/lである。
0.002g/l以下では光沢を向上させる効果がなく、20.0g/l以上を越えても光沢はより向上することはないので、実用的でない。
【0013】
更に、本発明に用いるアニオン系界面活性剤又は両性系界面活性剤はピット発生を防止するためのものであり、特に形状が複雑なものについては最も効果的である。具体的には、ドデシルアミンアセテート、セチルピリジニウムブロマイド、スルホコハク酸ジ−2−エチルヘキシルナトリウム、ソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンステアレート、ソルビタンモノステアレート、ジメチルアルキルベタイン、ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド及びポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート等が挙げられる。
上記のアニオン系界面活性剤又は両性系界面活性剤は1種又は2種以上併用して用いることができる。
上記パラジウムめっき液中アニオン系界面活性剤又は両性系界面活性剤の使用濃度は、0.001〜1.2g/lである。
0.001g/l以下ではピット発生を防止するのに十分でなく、1.2g/l以上使用してもピット発生の防止はより向上することはないので、実用的でない。
【0014】
また、本発明では、めっき液に導電性と緩衝性を付与するためにリン酸一カリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸水素アンモニウム、塩化アンモニウム、硫酸アンモニウム、ホウ酸、ホウ酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、スルファミン酸アンモニウム、硝酸カリウム、硫酸カリウム、塩化カリウム及びスルファミン酸カリウム等が添加される。これらの添加剤は、1種又は2種以上併用して用いることができる。
本発明のめっき液における上記電導塩の使用濃度は15.0〜300.0g/lである。15.0g/l以下では、めっきの電導性が悪くなり、300.0g/l以上ではめっき液の比重が重くなり、パラジウム析出物にくもり、カブリ、ヤケ等が発生するので好ましくない。
【0015】
本発明のめっき液は、pH7〜12、好ましくは7.5〜9.5の範囲で用いられる。このpH範囲において良好なめっき皮膜を形成することができる。
めっき液のpH調整は、塩酸、硫酸等の酸や水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及びアンモニア水等のアルカリ性物質でなされる。
本発明のめっき液は、30〜55℃の温度においてめっきが可能であり、特に40〜55℃の液温度のときに平滑で光沢のある良好なめっき皮膜が得られる。また、液温度が高いほどめっき皮膜の析出速度が早くなる傾向にあり、上記した温度範囲内で適宜温度を設定することにより任意の析出速度とすることができる。さらにまた、本発明のめっき液では、めっき皮膜の析出速度は、めっき液の温度のほかに、パラジウム濃度にも依存することから、パラジウム濃度を適宜設定することに依ってもめっき皮膜の析出速度を調整できるので、めっき皮膜の膜厚のコントロールが容易である。
めっきを行う際の電流密度は、0.3〜1.2A/dm2である。
【0016】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
【0017】
実施例1
めっき液の組成
ジクロロジアミンパラジウム・・・・・・・・・・・・10g/l
(Pdメタル量として)
亜テルル酸(Teメタル量として)・・・・・・・0.05g/l
塩化アンモニウム・・・・・・・・・・・・・・・・・80g/l
リン酸水素アンモニウム・・・・・・・・・・・・・・20g/l
ニコチン酸アミド・・・・・・・・・・・・・・・・0.8g/l
スルホコハク酸ジ−2−エチル
ヘキシルナトリウム・・・・・・・・・・・・・・0.01g/l
上記のめっき液をアンモニア水によりpH8.3に調整し、浴温度45℃、電流密度1.0A/dm2において、予めニッケルめっきを施した25×35mmの黄銅板銅板を30分間浸漬した結果、平均膜厚7μmの光沢の有るパラジウムめっき物が得られた。得られたパラジウムめっき物についてアンモニア暴気試験(室温で12時間)を行った結果、クラックの発生は認められなかった。
【0018】
実施例2
めっき液の組成
ジクロロジアミンパラジウム・・・・・・・・・・・10g/l
(Pdメタル量として)
塩化アンモニウム・・・・・・・・・・・・・・・・90g/l
ホウ酸・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・10g/l
ニコチンアミド・・・・・・・・・・・・・・・・1.0g/l
2,6−ジピコリン酸・・・・・・・・・・・・・0.5g/l
ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド・・・0.1g/l
上記のめっき液をアンモニア水によりpH8.3に調整し、浴温度42℃、電流密度1.0A/dm2において、予めニッケルめっきを施した25×35mmの黄銅板銅板を30分間浸漬した結果、平均膜厚7μmの光沢の有るパラジウムめっき物が得られた。得られたパラジウムめっき物についてアンモニア暴気試験(室温で12時間)を行った結果、クラックの発生は認められなかった。
【0019】
実施例3
めっき液の組成
ジクロロジアミンパラジウム・・・・・・・・・・・・10g/l
(Pdメタル量として)
硫酸第二鉄アンモニウム(Feメタル量として) 0.1g/l
塩化アンモニウム・・・・・・・・・・・・・・・・・90g/l
ホウ酸・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・10g/l
ニコチンアミド・・・・・・・・・・・・・・・・・1.0g/l
2,6−ジピコリン酸・・・・・・・・・・・・・・0.5g/l
ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド・・・・0.1g/l
上記のめっき液をアンモニア水によりpH8.3に調整し、浴温度42℃、電流密度1.0A/dm2において、予めニッケルめっきを施した25×35mmの黄銅板銅板を30分間浸漬した結果、平均膜厚7μmの光沢の有るパラジウムめっき物が得られた。得られたパラジウムめっき物についてアンモニア暴気試験(室温で12時間)を行った結果、クラックの発生は認められなかった。
【0020】
実施例4
めっき液の組成
ジクロロジアミンパラジウム・・・・・・・・・・10g/l
(Pdメタル量として)
硫酸アンモニウム・・・・・・・・・・・・・・・60g/l
ホウ酸・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・20g/l
リン酸水素アンモニウム・・・・・・・・・・・・30g/l
ニコチン酸・・・・・・・・・・・・・・・・・1.0g/l
ピコリンアミド・・・・・・・・・・・・・・・0.5g/l
スルホコハク酸ジ−2−エチルヘキシル
ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・・・0.1g/l
上記のめっき液をアンモニア水によりpH8.2に調整し、浴温度50℃、電流密度1.0A/dm2において、予めニッケルめっきを施した25×35mmの黄銅板銅板を30分間浸漬した結果、平均膜厚7μmの光沢の有るパラジウムめっき物が得られた。得られたパラジウムめっき物についてアンモニア暴気試験(室温で12時間)を行った結果、クラックの発生は認められなかった。
また、パラジウムめっき物について人工汗浸漬試験(室温で48時間)を行った結果、変色は認められなかった。
【0021】
実施例5
めっき液の組成
ジクロロジアミンパラジウム・・・・・・・・・・・・・10g/l
(Pdメタル量として)
硫酸タリウム(Tlメタル量として)・・・・・・0.035g/l
硫酸アンモニウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・60g/l
ホウ酸・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・20g/l
リン酸水素アンモニウム・・・・・・・・・・・・・・・30g/l
ニコチン酸・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・1.0g/l
ピコリンアミド・・・・・・・・・・・・・・・・・・0.5g/l
スルホコハク酸ジ−2−エチルヘキシル
ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・0.1g/l
上記のめっき液をアンモニア水によりpH8.2に調整し、浴温度50℃、電流密度1.0A/dm2において、予めニッケルめっきを施した25×35mmの黄銅板銅板を30分間浸漬した結果、平均膜厚7μmの光沢の有るパラジウムめっき物が得られた。得られたパラジウムめっき物についてアンモニア暴気試験(室温で12時間)を行った結果、クラックの発生は認められなかった。
また、パラジウムめっき物について人工汗浸漬試験(室温で48時間)を行った結果、変色は認められなかった。
【0022】
実施例6
めっき液の組成
ジクロロジアミンパラジウム・・・・・・・・・・・・・10g/l
(Pdメタル量として)
塩化アンモニウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・40g/l
硫酸アンモニウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・20g/l
ニコチン酸・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・0.5g/l
イソニコチン酸アミド・・・・・・・・・・・・・・・0.2g/l
スルホコハク酸ジ−2−エチルヘキシル
ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・0.1g/l
上記のめっき液をアンモニア水によりpH8.5に調整し、浴温度50℃、電流密度1.0A/dm2において、予めニッケルめっきを施した25×35mmの黄銅板を30分間浸漬した結果、7.5μmの光沢のあるパラジウムめっき物が得られた。
【0023】
比較例1
実施例1のパラジウムめっき液から亜テルル酸及びニコチン酸アミドを除き、それに替えEDTAを1.0g/l添加した組成のパラジウムめっき液を用いて、実施例1と同様のめっき条件によりめっきを行った。得られたパラジウムめっき物は半光沢で、アンモニア暴気試験を行った結果、室温6時間でクラックが発生した。
【0024】
比較例2
実施例2のパラジウムめっき液からニコチンアミドを除いた組成のパラジウムめっき液を用いて、実施例2と同様のめっき条件によりめっきを行った。得られたパラジウムめっき物は、むらがあり、光沢を有しなかった。
【0025】
比較例3
実施例3のパラジウムめっき液から硫酸第二鉄アンモニウム、及びニコチンアミドを除き、それに替えEDTAを1.0g/l添加した組成のパラジウムめっき液を用いて、実施例3と同様のめっき条件によりめっきを行った。得られたパラジウムめっき物についてアンモニア暴気試験を行った結果、室温6時間でクラックが発生した。
【0026】
比較例4
実施例6のパラジウムめっき液からニコチン酸を除いた組成のパラジウムめっき液を用いて、実施例6と同様のめっき条件によりめっきを行った。得られたパラジウムめっき物は、むらがあり、光沢を有しなかった。
【0027】
【発明の効果】
本発明のパラジウムめっき液は、液の保存安定性が極めて良好であり、作業性が良く作業環境も良好である。また、析出速度は、パラジウム濃度と液温度に依存するため、めっき膜厚のコントロールが容易である。本発明のめっき液によって得られためっき皮膜は、5μm以上の厚さを有していても光沢性があると共に低応力であり、クラックの発生がなく展延性にも優れ美しい白色鏡面光沢を呈する。また、めっき皮膜は、室温12時間のアンモニア暴気試験においてもクラックの発生が生じない。更に室温48時間、人工汗中に全浸漬、半浸漬を行った試験においても変色は生じなく、優れたパラジウム皮膜が得られる。
Claims (8)
- 可溶性パラジウム塩をパラジウム量として0.1〜40.0g/l、ピリジンカルボン酸0.01〜10g/l及び/または可溶性鉄塩、亜鉛塩、タリウム塩、セレン塩及びテルル塩等から選ばれた少なくとも1種を金属換算量で0.002〜1.0g/l、ピリジンカルボン酸のアミン系誘導体0.005〜10g/l、アルデヒド安息香酸系誘導体0.002〜20.0g/l、アニオン系界面活性剤又は両性系界面活性剤0.001〜1.2g/lを含有することを特徴とするパラジウムめっき液。
- 可溶性パラジウム塩が塩化パラジウム、ジクロロジアミンパラジウム及びジクロロテトラアミンパラジウムから選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のパラジウムめっき液。
- ピリジンカルボン酸がニコチン酸、ピコリン酸、イソニコチン酸、2,3−キノリン酸、2,4−ルチジン酸及び2,6−ジピコリン酸から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のパラジウムめっき液。
- 可溶性鉄塩、亜鉛塩、タリウム塩、セレン塩及びテルル塩が硫酸鉄、硫酸第二鉄アンモニウム、硫酸亜鉛、硫酸タリウム、酢酸タリウム、セレン酸、亜セレン酸、亜セレン酸ナトリウム及び亜セレン酸カリウムから選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のパラジウムめっき液。
- ピリジンカルボン酸のアミン系誘導体がニコチンアミド、ピコリンアミド、イソニコチン酸アミド及びニコチン酸アミドから選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のパラジウムめっき液。
- アルデヒド安息香酸系誘導体がp−フタルアルデヒド、o−フタルアルデヒド、o−フタルアルデヒド酸、p−フタルアルデヒド酸、m−フタルアルデヒド、iso−フタルアルデヒド酸及びアルデヒドアンモニウムから選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のパラジウムめっき液。
- アニオン系界面活性剤又は両性界面活性剤がドデシルアミンアセテート、セチルピリジニウムブロマイド、スルホコハク酸ジ−2−エチルヘキシルナトリウム、ソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンステアレート、ソルビタンモノステアレート、ジメチルアルキルベタイン、ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド及びポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテートから選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のパラジウムめっき液。
- パラジウムめっき液の電導塩として硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、スルファミン酸アンモニウム、ホウ酸、ホウ酸アンモニウム、硝酸カリウム、硫酸カリウム、塩化カリウム及びスルファミン酸カリウムから選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第7項記載のパラジウムめっき液。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000211927A JP3601005B2 (ja) | 1999-10-27 | 2000-06-09 | パラジウムめっき液 |
| PCT/JP2001/005107 WO2002103084A1 (en) | 1999-10-27 | 2001-06-15 | Palladium plating solution |
| GB0128788A GB2382353B (en) | 1999-10-27 | 2001-06-15 | Palladium Plating Solution |
| EP01941060A EP1396559A4 (en) | 1999-10-27 | 2001-06-15 | PALLADIUM GALVANOPLASTY SOLUTION |
| CNB01801111XA CN1249270C (zh) | 1999-10-27 | 2001-06-15 | 钯镀液 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34239299 | 1999-10-27 | ||
| JP11-342392 | 1999-10-27 | ||
| JP2000211927A JP3601005B2 (ja) | 1999-10-27 | 2000-06-09 | パラジウムめっき液 |
| PCT/JP2001/005107 WO2002103084A1 (en) | 1999-10-27 | 2001-06-15 | Palladium plating solution |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001192885A JP2001192885A (ja) | 2001-07-17 |
| JP3601005B2 true JP3601005B2 (ja) | 2004-12-15 |
Family
ID=28043581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000211927A Expired - Fee Related JP3601005B2 (ja) | 1999-10-27 | 2000-06-09 | パラジウムめっき液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3601005B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1396559A4 (en) * | 1999-10-27 | 2006-10-11 | Kojima Chemicals Co Ltd | PALLADIUM GALVANOPLASTY SOLUTION |
| US6736954B2 (en) * | 2001-10-02 | 2004-05-18 | Shipley Company, L.L.C. | Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate |
| AT516876B1 (de) | 2015-03-09 | 2016-11-15 | Ing W Garhöfer Ges M B H | Abscheidung von dekorativen Palladium-Eisen-Legierungsbeschichtungen auf metallischen Substanzen |
-
2000
- 2000-06-09 JP JP2000211927A patent/JP3601005B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001192885A (ja) | 2001-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2002103084A9 (fr) | Solution de galvanoplastie de palladium | |
| TW379259B (en) | Palladium alloy plating compositions | |
| JP3674887B2 (ja) | 銅−スズ合金メッキ用ピロリン酸浴 | |
| CN102758230A (zh) | 一种电镀金溶液及电镀金方法 | |
| JP3601005B2 (ja) | パラジウムめっき液 | |
| US5085744A (en) | Electroplated gold-copper-zinc alloys | |
| WO2000008233A1 (en) | Accessory having colored coating and manufacturing method thereof | |
| JPH0711476A (ja) | パラジウムめっき液 | |
| ES2685317T3 (es) | Solución alcalina, sin cianuro, para electrochapado de aleaciones de oro, un método para electrochapado y un sustrato que comprende un depósito brillante, sin corrosión, de una aleación de oro | |
| JPH0270084A (ja) | 金めっき浴及び金めっき方法 | |
| JPH10317183A (ja) | 非シアンの電気金めっき浴 | |
| KR100485762B1 (ko) | 팔라듐 도금액 | |
| JP2577832B2 (ja) | 白金電鋳浴 | |
| AU2001274534B2 (en) | Palladium plating solution | |
| CA2105814A1 (en) | Platinum alloy electrodeposition bath and process for manufacturing platinum alloy electrodeposited product using the same | |
| JPH0243393A (ja) | パラジウムめっき液 | |
| JP3101061B2 (ja) | 白金無電解めっき浴及びそれを用いた白金めっき品の製造方法 | |
| EP3445582A1 (en) | Phosphorous-cobalt-nickel alloy and use thereof in plating processes of non-precious metal objects with precious metals | |
| JP6338397B2 (ja) | 黒色の金・パラジウム合金メッキ用メッキ液およびメッキ方法 | |
| JP2001181887A (ja) | パラジウム/鉄合金メッキ液及びパラジウム合金メッキ基材 | |
| JPH07278870A (ja) | パラジウムめっき液 | |
| JPH1046384A (ja) | パラジウム合金メッキ浴 | |
| JP2977503B2 (ja) | 銅−パラジウム系合金メッキ液及びメッキ基材 | |
| JPS5823478B2 (ja) | 硬質金合金被膜の製造方法 | |
| JPH06146059A (ja) | パラジウム・コバルト・インジウム合金めっき浴 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040122 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040203 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040304 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040511 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040611 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040817 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040909 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081001 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091001 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091001 Year of fee payment: 5 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091001 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091001 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101001 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101001 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111001 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111001 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121001 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121001 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121001 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121001 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |