JP3608868B2

JP3608868B2 - 磁気共鳴イメージング装置用電源装置

Info

Publication number: JP3608868B2
Application number: JP08600296A
Authority: JP
Inventors: 拓也堂本; 博司高野
Original assignee: Hitachi Medical Corp
Current assignee: Hitachi Healthcare Manufacturing Ltd
Priority date: 1996-03-15
Filing date: 1996-03-15
Publication date: 2005-01-12
Anticipated expiration: 2016-03-15
Also published as: JPH09248287A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気共鳴イメージング装置（以下、ＭＲＩ装置という）用の電源装置に係り、特に大電力を要求される静磁場、傾斜磁場、高周波磁場の発生に必要な各種電源に好適な電源装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＭＲＩ装置は、静磁場中に置かれた検査対象に高周波磁場をパルス状に印加し、検査対象から発生する核磁気共鳴信号を検出し、この検出信号をもとにスペクトルや画像を再構成するものであり、ＭＲＩ装置には磁場発生用コイルとして静磁場を発生する超電導或いは常電導コイル、静磁場に重畳される傾斜磁場を発生するための傾斜磁場コイル、さらに高周波磁場を発生するための高周波コイルが備えられている。これら磁場発生用コイルは所定の磁場強度の磁場を発生するために印加電流の大きさとタイミングを制御するためのスイッチング電源を備えている。
【０００３】
このようなＭＲＩ装置の磁場発生用のスイッチング電源として、特に傾斜磁場発生用のスイッチング電源の構成を図７に示す。このスイッチング電源は、３相交流商用電源１０に接続された接点１１〜１６と、接点１１〜１３にそれぞれ直列に接続された突入電流防止用の電流制限手段ここでは抵抗１７〜１９と、整流回路１２０と、平滑用のコンデンサ７１と、電流アンプ４０とからなり、電流アンプ４０の出力は傾斜磁場コイル７０に印加される。電流アンプ４０は制御回路制御回路５０により制御され、任意波形の電流が傾斜磁場コイル７０に印加されるようにする。整流回路１２０としては、図示するようなダイオード１２４〜１２８から成るダイオードブリッジによる全波整流回路や、その他サイリスタによる電圧制御型整流回路やスイッチングレギュレータによる電圧制御などが用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで近年ＭＲＩ装置では、ＥＰＩ（エコープレナーイメージング）法等の高速撮像手法が開発され、それに伴い傾斜磁場コイルにおける出力電流の増大とその立ち上がり時間の短縮が要求され、大電流化、大電圧化する傾向にある。
【０００５】
出力電流アンプの電流変化速度を向上させるためには、その入力電圧の高電圧化が必要である。ところが図５に示したような従来のサイリスタ等による整流回路ではピーク充電時においても電源電圧の１．４倍程度までしか昇圧できず、このような大電圧化に対応するためには倍電圧整流回路方式、チョッパ回路やトランスなどの付加回路をつける必要があった。
【０００６】
また出力電力の増大から電源設備の大容量化が問題となっている。そこで本発明は高電圧、大容量のＭＲＩ装置用電源装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のＭＲＩ装置用電源装置は、商用交流電源と接点によって接続し、交流を直流に変換する交流直流変換器と、交流直流変換器の出力を入力し、ＭＲＩ装置の磁場発生コイルに任意波形の電流を供給する電流増幅器と、電流増幅器を切り換え制御する制御回路とを備えた磁気共鳴イメージング装置用電源装置であって、前記接点に並列接続された突入電流防止用の電流制限手段及びこの電流制御手段と直列接続された第２の接点を備え、交流直流変換器は、複数対のダイオードが並列接続されたブリッジ回路と前記ダイオードの対の少なくとも一方のダイオードに並列接続された半導体スイッチング素子と、前記ブリッジ回路の交流入力側と前記接点との間に接続するリアクトルとから成り、前記半導体スイッチング素子を駆動制御する制御手段と、前記制御手段、電流増幅器の制御回路及び接点に接続するシーケンサとを備えるものである。
【０００８】
ダイオードブリッジとダイオードに並列接続された半導体スイッチング素子と、交流入力側の接続されたリアクトルとを組み合わせることにより、所定の半導体スイッチング素子を短絡したときにリアクトルにエネルギーを蓄えることができ、当該スイッチング素子の開放により、この蓄えられたエネルギーを交流直流変換器の本来の出力に加えることができる。これにより交流直流変換器の出力電圧を上げることができる。このリアクトルに蓄えられるエネルギーは半導体スイッチング素子の短絡時間に依存するので、この短絡及び開放を制御手段によって制御することにより、所望の出力電圧を得ることができる。従って、小容量の電源設備でも、チョッパ回路等を付加することなく少ない構成要素で、より安全に高電圧を供給することができ、磁場発生コイルに供給される出力電流を高速に変化させることができる。
【０００９】
これにより所望の波形の出力電流を応答性よく傾斜磁場コイルに供給することができるので、安価で信頼性が高く、しかもＥＰＩなどの高速撮像シーケンスを実行できるＭＲＩ装置を提供することが可能となる。
【００１０】
さらに、本発明の電源装置において、シーケンサは、１）パワーオンもしくはパワーオンを要求する信号によって前記突入電流防止用の電流制限手段と直列接続された接点を短絡し、２）一定時間の後か電圧検出器によって一定の出力電圧に達するか、またはその両方の条件が満たされることによって前記商用電源とリアクトルとを直接接続する接点を短絡し、３）さらに一定時間の後に前記交流直流変換器を駆動制御する制御手段に動作信号を送り、前記電圧検出器によって所望する出力電圧に達した場合、前記電流増幅器を制御する制御回路に動作可能であることを知らせる信号を送る。また４）パワーオフ信号によって、前記電流増幅器を制御する制御回路に動作不可能であることを知らせる信号と、前記交流直流変換器を駆動制御する制御手段に動作終了信号を送り、５）一定時間の後か電圧検出器によって一定の出力電圧に達するか、またはその両方の条件が満たされることによって前記商用電源とリアクトルとを直接接続する接点を開放し、６）一定時間の後か電圧検出器によって一定の出力電圧に達するか、またはその両方の条件が満たされることによって前記突入電流防止用の電流制限手段と接続された接点を開放するものである。
【００１１】
このようなシーケンサを備えることによって電源との接続、スイッチング素子の制御及び電流増幅器の切り替え制御をシーケンシャルに制御することが可能となり、安全に電源の投入遮断が可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
【００１３】
図１は本発明の電源装置の一実施例を示す図で、３相電源設備を用いた傾斜磁場発生用の電源装置１を示す。この電源装置１は、３相交流商用電源１０に接続される接点１１〜１６と、接点１１〜１３に直列に接続される突入電流防止用の電流制限手段ここでは抵抗１７〜１９と、電圧型交流直流変換器２０と、平滑用のコンデンサ７１と、電流アンプ４０と、電流アンプ４０の制御回路５０とを備えており、アンプである電流アンプ４０の出力は、傾斜磁場コイル７０の接続されている。尚、図５に示す従来の電源装置と同様の構成の要素については同じ番号で示した。
【００１４】
商用電源１０と電圧型交流直流交換器２０の入力側とを直接接続する接点１４〜１６は、本電源装置の主電源接点である。また商用電源１０と電圧型交流直流交換器２０の入力側とを抵抗１７〜１９を介して接続する接点１１〜１３は、電圧型交流直流交換器２０Ｉのダイオードを介して平滑コンデンサ７１に突入電流が流れ込むのを防止するための電流制限手段として接続されるもので、電源投入時に接続される。
【００１５】
電圧型交流直流交換器２０は、交流入力側に接続するリアクトル２１〜２３と、そのリアクトルに接続され直流電圧を発生させるフルブリッジのフライホイールダイオード（以下、単にダイオードという）と並列接続された半導体スイッチング素子２４〜２９、ここではＩＧＢＴ（ＩｎｓｕｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａＴｒａｎｓｉｓｔｅｒ）とから成る。このようなダイオードとスイッチング素子との組み合わせでにおいて、スイッチング素子を短絡した場合には、スイッチング素子を介して１方向に電流が流れるのを許容し、スイッチング素子を開放した場合には、ダイオードを介して他方向に電流が流れるのを許容する。
【００１６】
電圧型交流直流変換器２０は、更に各スイッチング素子を駆動制御する制御手段として制御回路３０及びシーケンサ６０を備えており、電圧型交流直流交換器２０の出力電圧を電圧検出器７２が検出する。
【００１７】
シーケンサ６０は、３相交流商用電源１０と電圧型交流直流変換器２０とを接続する接点１１〜１６及び電流アンプ４０の制御回路５０にも接続され、接点の駆動、制御回路５０の切り替えタイミングを制御するとともに、電圧検出器７２からの検出値を入力し、これに基づき電圧型交流直流交換器２０の制御回路３０を制御する。
【００１８】
図２に示すように、シーケンサ６０は、３相交流商用電源１０と電圧型交流直流変換器２０とを抵抗を介して接続する接点１１〜１３をオン／オフ制御するＳｗＲ信号１２０と、３相交流商用電源１０と電圧型交流直流変換器２０とを直接接続する接点１４〜１６をオン／オフ制御するＳｗＴ信号１２１と、電圧型直流交流変換器２０の制御回路３０をオン／オフ制御するＣｏｎｖ信号１２２と、電流アンプ４０の制御回路５０をオン／オフ制御するＡｍｐ信号１２３と、外部に核磁気共鳴イメージング装置用電源装置１の準備完了を示す準備完信号１２４を出力し、それぞれの制御回路からの異常終了処理を要求する異常信号１２５，１２６と、電圧検出器７２からの検出値１２８、外部から核磁気共鳴イメージング装置用電源装置１を動作させるためのパワー信号１２７を入力する。
【００１９】
シーケンサ６０は、これらの入力信号と、内部のタイマによって、図３に示す状態遷移図のように動作し、核磁気共鳴イメージング装置用電源装置１全体が安全に起動し、終了するようにシーケンシャルコントロールする。右下の凡例に示す通り、四角い箱が状態を表し、矢印は遷移を表す。矢印についている記号は上側に状態遷移条件、下側には状態を遷移させるための動作を示す。
【００２０】
電源投入時等、初期状態は開始位置１００で示す位置から開始され、検査状態１０１に遷移する。この状態でそれぞれの制御回路からの異常信号１２５，１２６を検査し、正常であれば（検査正常終了条件）待機状態１０２に遷移する。その後外部からのパワーオン信号１２７によって、電流制限手段１７〜１８と直列接続された接点１１〜１３を短絡（ＳｗＲ信号１２０をオン）し、電流制限手段１７〜１８、接点１１〜１３、リアクトル２１〜２３、スイッチング素子２４〜２９に逆並列接続されたダイオードを介してコンデンサ７１に充電する（制限充電状態１０３）。充電電圧が一定の電圧に達するか、一定時間が経過するか、あるいは両方の条件が満たされた場合、商用電源１０とリアクトル２１〜２３と直接接続されている接点１４〜１６を短絡（ＳｗＴ信号１２１をオン）し、コンデンサ７１にスイッチング素子２４〜２９に逆並列接続されたダイオードによってピーク充電する（完全充電状態１０４）。接点１４〜１６を短絡後一定時間経過した後、電圧型直流交流変換器２０の制御回路３０をオン／オフ制御するＣｏｎｖ信号１２２をオンし、電圧型直流交流変換器２０による昇圧を行う（昇圧状態１０５）。出力電圧が所望する電圧に達すると、電流アンプ４０の制御回路５０に対してＡｍｐ信号１２３を送り、電流アンプの入力電圧が所望する電圧となり、電流アンプが動作可能な状態になったことを知らせる（電圧安定状態１０６）。
【００２１】
電源遮断時は、パワーオフ信号１２７によってＡｍｐ信号１２３とＣｏｎｖ信号１２２をオフし、電流アンプが動作不可能な状態になったことを知らせ、電圧型直流交流変換器２０による昇圧を止める（昇圧停止状態１０７）。一定時間が経過したのち、商用電源１０とリアクトル２１〜２３と直接接続されている接点１４〜１６を開放（ＳｗＴ信号１２１をオフ）し、放電状態１０８となる。その後一定時間が経過すると、電流制限手段１７〜１８と直列接続された接点１１〜１３を開放（ＳｗＲ信号１２０をオフ）し、待機状態１０２に戻る。
【００２２】
エラーが検出された場合や状態遷移の途中でパワーオフ信号１２７を受け取った場合は、図に示す通りである。
【００２３】
なお、図２、３においては、外部からのパワーオン信号１２７により起動したが、シーケンサの主電源投入と同時に自らパワーオン信号１２７を発してもよい。外部に出力するレディ信号も便宜上設けただけで、なくてもかまわない。また、内部タイマによって、状態を遷移させているが、外部のタイマやタイマを使わずに電圧検出器７２からの検出値のみによって状態を遷移させてもかまわない。エラー処理においてはそれぞれの制御回路からエラー信号を入力して処理しているが、必ずしもその必要はなく、異常昇圧停止状態１０９、異常放電状態１１０、検査状態１０１はなくてもかまわない。
【００２４】
次にこのような構成における電源装置の動作について説明する。
図４は３相交流商用電源１０の各相の電源中点からみた電圧の時間軸波形を示すものであり、電圧型交流直流交換器２０の入力側端子２０ａ、２０ｂ、２０ｃにそれぞれ入力されるＵ相、Ｖ相、Ｗ相の電圧を表している。この電圧が時間ｔにおいてＵ＞Ｖ＞Ｗであるとする。この場合、図５（ａ）に示すように、Ｗ相に接続された上側のＩＧＢＴ２８を短絡すると、端子２０ａ、２０ｃ間の電圧差ＥＷＵにより、Ｕ相に接続したリアクトル２１、ＩＧＢＴ２４に接続されたダイオード、ＩＧＢＴ２８、Ｗ相に接続したリアクトル２３を介して電源電圧ＥＷＵが短絡される。このためこれらの間に短絡電流が流れ、リアクトル２１、２３にエネルギーが蓄えられる。同様に端子２０ｂ、２０ｃ間の電圧差ＥＷＶによって、Ｖ相に接続したリアクトル２２、ＩＧＢＴ２６に接続されたダイオード、ＩＧＢＴ２８、Ｗ相に接続したリアクトル２３を介して短絡電流が流れ、リアクトル２２、２３にエネルギーが蓄えられる。
【００２５】
この後、ＩＧＢＴ２８を開放することにより、各リアクトル２１〜２３に蓄えられていたエネルギーはＩＧＢＴ２４、２６に並列接続されたダイオード、平滑コンデンサ７１、ＩＧＢＴ２９に接続されたダイオードを介して放出し、コンデンサ７１に電圧エネルギーとして充電する。
【００２６】
また図５（ｂ）に示すように、Ｗ相に接続された下側のＩＧＢＴ２５を短絡すると、端子端子２０ａ、２０ｃ間の電圧差ＥＷＵにより、Ｕ相に接続したリアクトル２１、ＩＧＢＴ２５、ＩＧＢＴ２９に接続されたダイオード、Ｗ相に接続したリアクトル２３を介して短絡電流が流れ、リアクトル２１、２３にエネルギーが蓄えられる。また端子２０ａ、２０ｂ間の電圧差ＥＶＵによって、Ｕ相に接続したリアクトル２１、ＩＧＢＴ２５、ＩＧＢＴ２７に接続されたダイオード、Ｖ相に接続したリアクトル２２を介して短絡電流が流れ、リアクトル２１、２２にエネルギーが蓄えられる。
【００２７】
この後、ＩＧＢＴ２５を開放することにより、各リアクトル２１〜２３に蓄えられていたエネルギーは図５（ａ）の場合と全く同様にコンデンサ７１に電圧エネルギーとして充電する。
【００２８】
次に図５（ｃ）に示すように、Ｖ相に接続された上側のＩＧＢＴ２６を短絡した場合には、端子端子２０ａ、２０ｂ間の電圧差ＥＶＵにより、Ｕ相に接続したリアクトル２１、ＩＧＢＴ２４に並列接続されたダイオード、ＩＧＢＴ２６、Ｖ相に接続したリアクトル２２を介して短絡電流が流れ、リアクトル２１、２２にエネルギーが蓄えられる。この後、ＩＧＢＴ２６を開放することにより、各リアクトル２１、２２に蓄えられていたエネルギーは、ＩＧＢＴ２４に並列接続されたダイオード、平滑コンデンサ７１、ＩＧＢＴ２７に接続されたダイオードを介して放出し、コンデンサ７１に電圧エネルギーとして充電する。
【００２９】
更に図５（ｄ）に示すように、Ｗ相に接続された下側のＩＧＢＴ２７を短絡した場合には、端子端子２０ｂ、２０ｃ間の電圧差ＥＷＶにより、Ｖ相に接続したリアクトル２２、ＩＧＢＴ２７、ＩＧＢＴ２９に並列接続されたダイオード、Ｗ相に接続したリアクトル２３を介して短絡電流が流れ、リアクトル２２、２３にエネルギーが蓄えられる。この後、ＩＧＢＴ２６を開放することにより、各リアクトル２２、２３に蓄えられていたエネルギーは、ＩＧＢＴ２６に並列接続されたダイオード、平滑コンデンサ７１、ＩＧＢＴ２９に接続されたダイオードを介して放出し、コンデンサ７１に電圧エネルギーとして充電する。
【００３０】
このようにＵ相、Ｖ相、Ｗ相の電圧がＵ＞Ｖ＞Ｗである時間内に、これらＩＧＢＴ２５〜２８をそれぞれ短絡、開放することによって、コンデンサ７１には各相間の電位差によって蓄えられるエネルギーに加えて、リアクトルに蓄えられたエネルギーが充電される。制御回路３０はコンデンサ７１に所望の電気エネルギーが充電されるように各ＩＧＢＴ等のスイッチング素子の短絡、開放を制御する。ここでスイッチのオン時間（短絡時間）が長いほどリアクトルに蓄えられるエネルギーは大きい。
【００３１】
またこれらＩＧＢＴ２４〜２９のスイッチングのデューティを制御することにより、出力電圧と同時に入力の電流波形も制御可能であるため、入力電圧波形と入力電流波形との位相をそろえるように制御することにより、装置の力率を向上させることができる。これにより電源設備容量の小さな施設においても大出力電力を得ることができる。
【００３２】
このように図１の電源装置では、スイッチング素子とダイオードとを組合せたブリッジを用いるともに、ブリッジを構成する各ダイオード対の接続点と入力端子との間にそれぞれリアクトルを接続することにより、スイッチング素子のオン時に、リアクトルにエネルギーを蓄積し、スイッチング素子のオフ時にこのエネルギーをコンデンサ７１に充電することが可能となる。従って、電源電圧の１．４倍以上の電圧が蓄えられ、高電圧電源をすることができる。このコンデンサ７１に蓄えられた電圧は、制御回路５０によって出力アンプ４０が切り換えられることによって傾斜磁場コイル７０に印加され、この際出力電流を高速に変化させることができる。
【００３３】
尚、図１に示す実施例では商用電源が３相である場合について説明したが、本発明は３相に限定されず単相であってもよい。またスイッチング素子はＩＧＢＴの他、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子を用いることもできる。更に図１の実施例ではブリッジの各アームの上側と下側の両方にこのようなスイッチング素子とフライホイールダイオードとの組み合わせを用いた場合を説明したが、出力電圧を降圧制御する必要がない場合には上側又は下側の一方をダイオードで代替することも可能である。これにより制御の簡略化とのコストの低減を図ることができる。
【００３４】
図６は、商用電源として単相のものを用い、ブリッジのアームの上側のみをＩＧＢＴ２４、２６とし、下側にはダイオード１２５、１２７を用いた場合を示した。尚、図６では、交流直流変換器２０’と平滑コンデンサ７１のみが示されているが、この交流直流変換器２０’の入力側端子２０ｅ、２０ｆには接点を介して商用交流電源が接続され、コンデンサ７１の出力側は出力アンプを介して傾斜磁場コイルに接続されること、また交流直流変換器２０’のブリッジを構成するＩＧＢＴの駆動を制御する制御回路（３０）が接続されること、更にこれら出力アンプの制御回路及び交流直流変換器２０’の制御回路はシーケンサの指令により制御されることは図１の実施例と同様である。またこの実施例では入力側端子の一方のみにリアクトル２１が接続されているが、図１の実施例と同様に両側にリアクトルを接続してもよい。
【００３５】
このような図６の電源装置では一方の端子２０ｅの入力電圧値が他方の端子２０ｆの入力電圧値よりも高い時間において、ＩＧＢＴ２６を短絡させることにより、リアクトル２１、ＩＧＢＴ２４に接続されたダイオード、ＩＧＢＴ２６を介して短絡電流が流れ、リアクトル２１にエネルギーが蓄積され、ＩＧＢＴ２６を開放することにより、そのエネルギーはコンデンサ７１を充電する。また端子２０ｆの入力電圧値が端子２０ｅの入力電圧値よりも高い時間において、ＩＧＢＴ２４を短絡させることにより、ＩＧＢＴ２６に接続されたダイオード、ＩＧＢＴ２４、リアクトル２１を介して短絡電流が流れ、リアクトル２１にエネルギーが蓄積され、ＩＧＢＴ２４を開放することにより、そのエネルギーはコンデンサ７１を充電する。このように電圧値が低い方の端子側のＩＧＢＴを短絡、開放制御することにより、コンデンサ７１には電源電圧より高い電圧が蓄積されるので、図１の実施例と同様に大出力電力を得ることができる。
【００３６】
【発明の効果】
以上で説明したように本発明によれば、交流直流変換器として、フライホイールダイオードと並列接続したスイッチング素子アームのブリッジ回路と、このブリッジ回路の交流入力側に接続されたリアクトルとを組み合わせた電圧型交流直流変換器を用いるとともに、この交流直流変換器の出力電圧が所望の値となるようにスイッチング素子を制御手段によって制御することにより、小容量の電源設備でも、安全に、磁場発生コイルに接続された電流増幅器に高電圧を供給することができ、これにより磁場発生コイルへの出力電流を高速に変化させることができる。
【００３７】
また傾斜磁場電流を高速に変化できることにより、信頼性が高くＥＰＩ等の高速撮像シーケンスに対応できるＭＲＩ装置を安価に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＭＲＩ装置用電源装置の一実施例を示すブロック図
【図２】図１の電源装置におけるシーケンサの入出力信号を示す図
【図３】図２のシーケンサにおける状態遷移図
【図４】図１の電源装置における入力電圧波形を示す図
【図５】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ図１の電源装置におけるスイッチング素子の駆動制御を説明する図
【図６】本発明によるＭＲＩ装置用電源装置の一実施例を示すブロック図
【図７】従来の電源装置を示すブロック図
【符号の説明】
１０商用電源
１１〜１３接点（第２の接点）
１４〜１６接点
１７抵抗（電流制限手段）
２０、２０’ 電圧型交流直流変換器
２１〜２３リアクトル
２４〜２９スイッチング素子
３０制御回路（制御手段）
４０出力電流増幅器（電流アンプ）
５０制御回路
６０シーケンサ（制御手段）
７０傾斜磁場コイル（磁場発生コイル）
７１コンデンサ
７２電圧検出器

Claims

商用交流電源と接点によって接続し、交流を直流に変換する交流直流変換器と、前記交流直流変換器の出力を入力し、磁気共鳴イメージング装置の磁場発生コイルに任意波形の電流を供給する電流増幅器と、前記電流増幅器を切り換え制御する制御回路とを備えた磁気共鳴イメージング装置用電源装置において、
前記接点に並列接続された突入電流防止用の電流制限手段及びこの電流制御手段と直列接続された第２の接点を備え、前記交流直流変換器は、複数対のダイオードが並列接続されたブリッジ回路と前記ダイオードの対の少なくとも一方のダイオードに並列接続された半導体スイッチング素子と、前記ブリッジ回路の交流入力側と前記接点との間に接続するリアクトルとから成り、前記半導体スイッチング素子を駆動制御する制御手段と、前記制御手段、前記接点及び前記電流増幅器の制御回路に接続するシーケンサとを備え、前記シーケンサは、
１）パワーオンもしくはパワーオンを要求する信号によって前記突入電流防止用の電流制限手段と直列接続された接点を短絡し、
２）一定時間の後か電圧検出器によって一定の出力電圧に達するか、またはその両方の条件が満たされることによって前記商用電源とリアクトルとを直接接続する接点を短絡し、
３）さらに一定時間の後に前記交流直流変換器を駆動制御する制御手段に動作信号を送り、前記電圧検出器によって所望する出力電圧に達した場合、前記電流増幅器を制御する制御回路に動作可能であることを知らせる信号を送り、
４）一方、パワーオフ信号によって、前記電流増幅器を制御する制御回路に動作不可能であることを知らせる信号と、前記交流直流変換器を駆動制御する制御手段に動作終了信号を送り、
５）一定時間の後か電圧検出器によって一定の出力電圧に達するか、またはその両方の条件が満たされることによって前記商用電源とリアクトルとを直接接続する接点を開放し、
６）一定時間の後か電圧検出器によって一定の出力電圧に達するか、またはその両方の条件が満たされることによって前記突入電流防止用の電流制限手段と接続された接点を開放することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用電源装置。