JP3610262B2 - 多層回路基板及び半導体装置 - Google Patents

多層回路基板及び半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3610262B2
JP3610262B2 JP20742999A JP20742999A JP3610262B2 JP 3610262 B2 JP3610262 B2 JP 3610262B2 JP 20742999 A JP20742999 A JP 20742999A JP 20742999 A JP20742999 A JP 20742999A JP 3610262 B2 JP3610262 B2 JP 3610262B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pad
arrangement
pads
circuit board
multilayer circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP20742999A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001035950A (ja
Inventor
道夫 堀内
茂 水野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP20742999A priority Critical patent/JP3610262B2/ja
Priority to US09/616,139 priority patent/US6407460B1/en
Priority to DE60020193T priority patent/DE60020193T2/de
Priority to EP00306001A priority patent/EP1071316B1/en
Publication of JP2001035950A publication Critical patent/JP2001035950A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3610262B2 publication Critical patent/JP3610262B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/62Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
    • H10W70/65Shapes or dispositions of interconnections
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/11Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H05K1/112Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09209Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09218Conductive traces
    • H05K2201/09227Layout details of a plurality of traces, e.g. escape layout for Ball Grid Array [BGA] mounting
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10734Ball grid array [BGA]; Bump grid array
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/62Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
    • H10W70/65Shapes or dispositions of interconnections
    • H10W70/654Top-view layouts
    • H10W70/655Fan-out layouts
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/072Connecting or disconnecting of bump connectors
    • H10W72/07251Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/724Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は格子状配列等の所定の配列で接続端子が配置された半導体素子あるいは電子部品を搭載する多層回路基板及びこの多層回路基板に半導体素子を搭載した半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図8はフリップチップ接続により半導体素子4を回路基板5に搭載した半導体装置の例を示す。半導体素子4は電極端子形成面の周縁部に電極端子6が配置され、電極端子6は回路基板5に設けた配線パターン7の一端で電気的に接続する。図9は回路基板5に設けた配線パターン7とパッド8の平面配置を示す。パッド8は電極端子6と同一の平面配置に形成され、パッド8に接続する配線パターン7のうち最外周のパッド8に接続するものはそのまま外側に引き出され、内側のパッド8に接続するものは隣接するパッド8の間を通って外側に引き出されている。
【0003】
図10は電極端子形成面に多数列に電極端子が配置されている場合で、複数の配線層を積層した例である。電極端子6が多数列に配置されている場合には配線パターン7を引き出す際に配線パターン7が相互に干渉するから1層ですべての配線パターン7を引き出すことができない。図示した例は、引き出し用の配線パターン7を形成した回路基板5a、5b、5c、5dを積層してすべての電極端子6と外部接続端子9とを電気的に接続したものである。7aが内層の配線パターン、7bが層間で電気的に接続するためのビアである。
【0004】
半導体素子4の電極端子形成面での電極端子6の配列方法としては格子状配列、スタッガー配列等がある。半導体素子を搭載する回路基板では、半導体素子4の電極端子形成面における電極端子6の配列に一致させてパッド8を配置するが、通常は、パッド8から配線パターン7を引き出すことを考慮してパッド8の配置間隔を設定している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
最近は半導体素子の高機能化にともない、半導体素子の入出力数がますます増大している。このため、きわめて高密度にパッド8を配置する必要が生じてきた。図11は、回路基板に形成するパッドの配置例を示す。図11(a)はパッド8を格子状配列とした例、(b)はスタッガー配列とした例である。図でsは隣接するパッド8の間隔を示す。従来の回路基板ではパッド8から配線パターンを引き出すため間隔sは配線パターンを少なくとも1本通すことができる程度に設定されている。しかしながら、半導体素子の入出力数の増大に対応するため、より多くのパッド8を配置することを優先する場合には、間隔sをできるだけ小さくすることが好ましい。ただし、パッド8の配置間隔を狭くするとしても、パッド8を形成する製造工程上あるいは製造公差として可能な最小間隔があるから、実際には製造上で可能な最小間隔sとしてパッド8を形成することになる。
【0006】
このようにパッド8の配置間隔を製造工程上で可能な最小間隔とした場合は、隣接するパッド8の間に配線パターンを通すことはできなくなる。この場合、従来の配線パターンの引き出し方法によれば、パッドが配置されている領域の外周列のパッドから1列ずつ配線パターンを引き出すことになる。しかしながら、パッド配置領域の外周列から1列ずつ配線パターンを引き出す方法は、すべてのパッドから配線パターンを引き出すのに要する配線層の層数がパッドの配置列数に等しくなるということであり、配線層数をできるだけ少なくするという点から見ると効率的とはいえない。
【0007】
多層回路基板の製造工程においては、配線層を多層に形成することは製品の歩留まり、信頼性、製造コストの点で問題である。配線層を多層に形成する方法としては、ビルドアップ法等があるが、多層になればなるほど技術的な困難さが増大するからである。各配線層を形成する場合でも高密度配線が必要である上に、層間の電気的接続の信頼性の問題が加わり、さらにすべての配線層で不良がないことが要求されるからである。
【0008】
本発明はこれらの問題点を解消すべくなされたものであり、その目的とするところは、電極端子形成面に格子状配列あるいはスタッガー配列等で電極端子を形成した半導体素子あるいは格子状配列あるいはスタッガー配列等で接続端子を配列した電子部品を搭載する多層回路基板について、電極端子を適当に配列することによって回路基板の積層数を減らすことができ、これによって多層回路基板の製造を容易にし、信頼性の高い製品として提供可能とすること、また、これら多層回路基板を使用した半導体装置を提供するにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は次の構成を備える。
すなわち、半導体素子あるいは電子部品の実装面に格子状配列、スタッガー配列または最密充填配列で配置されている接続端子と同一の平面配置に配列されたパッドと、該パッドに一端が接続され、他端がパッド配置領域から外側に引き出された配線パターンとが形成された多層回路基板であって、前記半導体素子あるいは電子部品を搭載する搭載面のパッド配置領域の外周縁部にパッド非配置部を周期的に設け、前記配線パターンが、隣接するパッドの間を通ることなく、パッド非配置部の縁に沿って配置されたパッドから引き出されていることを特徴とする。
また、パッド非配置部は、パッド配置領域の最外列の非配置パッド列を底部とする三角形状に設けられていることを特徴とする。
また、パッド非配置部は、パッド配置領域の最外列に配置されるパッドで非配置となるパッドの数をb、パッドの径寸法をd、配線パターンの幅をw、隣接するパッド及び配線パターンの間隔をsとし、r=b(d+s)/(w+s)としたとき、パッド非配置部の内縁に沿ってr個のパッドが配置され、該パッドからそれぞれ配線パターンが引き出されていることを特徴とする。
また、半導体装置として、前記多層回路基板に、半導体素子あるいは電子部品の接続端子を、多層回路基板のパッドに電気的に接続して搭載して成ることを特徴とする。
【0010】
【発明の概要】
本発明に係る多層回路基板は、回路基板に形成するパッドをできるだけ高密度配置とするために製造工程上許される最小の間隔にパッドを配置している。この配置の場合には、パッド間には1本も配線パターンを通すことができないから、本発明ではパッド配置領域の外周縁部に周期的配置でにパッド非配置部を形成し、パッドからの配線パターンの引き出しを可能にしている。
【0011】
図1は、本発明に係る多層回路基板でのパッド8の配置と配線パターン7の配置についての考え方を示す説明図である。本願発明では、パッド配置領域の外周縁にパッド非配置部を形成しているが、このパッド非配置部はその非配置部の縁部に沿って配置されたすべてのパッド8から配線パターン7を引き出し可能とするためのものである。このように、パッド非配置部の内縁に沿って配置されたすべてのパッド8から配線パターン7を引き出すことができるようにするには、配線パターン7の線幅及び配線パターン7の配置間隔等による一定の条件が必要である。
【0012】
図1でパッド配置領域のうち、最外列に配置されるパッドで非配置(空位)となっているパッド10の数をb、パッドの径寸法をd、配線幅をw、パッドの間隔及び配線パターンの間隔をsとすると、パッドを非配置としたb個の非配置部分(三角形の底辺部分)から引き出すことができる配線数rは次式によって与えられる。
r=b(d+s)/(w+s)
この式は、配線パターンの線幅と線間隔を考慮して得られる。なお、パッド間及び配線パターン間の間隔sは、製造工程上で可能な最小間隔であり、これ以上接近させてパッド及び配線パターンを形成できない間隔である。
【0013】
上記の条件は、b個配置されているパッド非配置部から引き出すことができる配線パターンの本数がr本であるということであり、このことは、パッド非配置部を設定する場合には、パッド非配置部に面して引き出し可能にr個のパッドが配置されるようにすればよいことを意味している。
もちろん、パッドの非配置部の個数bよりもrの本数の方が大きい場合でなければパッドの非配置部を形成する意味がない。
そして、このような条件でパッド非配置部を配置すればパッド間隔を最小間隔に設定した場合で、きわめて効率的な配線パターンの引き出しが可能になる。図示例はパッド非配置部が三角形状の空白部に形成したものであるが、パッド非配置部の形状は三角形状に限るものではなく、種々の形状が選択できる。また、電極端子の配列も格子状配列、スタッガー配列、最密充填配列等の種々の配列の場合に適用することができる。
【0014】
また、本発明に係る多層回路基板は半導体素子を搭載する場合に限らず、種々の電子部品を搭載する場合も同様に適用することができる。すなわち、表面実装型の半導体装置等においても格子状配列あるいはスタッガー配列で多数個の接続端子を配列した製品がある。本発明に係る多層回路基板はこのような電子部品を搭載する場合にも同様に適用することができる。なお、本明細書では半導体素子の電極端子と電子部品の接続端子をともに含む意味で接続端子という場合がある。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態につき、添付図面に基づいて詳細に説明する。
図2は本発明に係る多層回路基板でのパッド8の配置例を示す。本実施形態の多層回路基板はパッド8を最密充填配列とした場合で、パッド8の配置領域のうち、外周縁側のパッド配置部分についてはパッド8を配置しないパッド非配置部(パッドの空位部分)を周期的に配置したことを特徴とする。図2のA部分がパッドの非配置部である。
【0016】
この周期的に配置されるパッド非配置部は、パッド8の配置領域での最外周列の非配置パッド列を底部とする三角形状の空きスペースが形成されるようにする。すなわち、本実施形態の多層回路基板は、多層回路基板の表面のパッド配置を周期的に三角形状のパッドの非配置部を形成する配置とすることを特徴とする。なお、このようにパッド8の配置領域に周期的にパッドの非配置部を形成するということは、多層回路基板に搭載する半導体素子の電極端子形成面における電極端子の配列を、これらのパッドの配置と同様に周期的に電極端子を配置しない電極端子の非配置部を形成するということである。
【0017】
図2に示す実施形態では、三角形状に形成したパッド非配置部の底部での空位の数は4個である。このパッド非配置部での空位の数はパッドの列数に応じて適宜選択可能である。図3に示す例は、パッド8の他の配置例を示すもので、パッド非配置部の底部の空位の数を2個とした例である。
【0018】
上述したように、多層回路基板におけるパッド配置としてパッド配置領域の外周縁に周期的にパッド非配置部を設けたパッド配置は、パッド8から配線パターン7を効率的に引き出す方法として有効である。
図4〜5は多層回路基板の各層でのパッド8の配列と、パッド8から配線パターン7を引き出した状態を示す。
図4は多層回路基板での第1層目、すなわち半導体素子を搭載した層でのパッド8の配置と配線パターン7の配置を示す。パッド配置領域の外周側に三角形状のパッド非配置部を設けたことによって、パッド非配置部の外縁に沿って配置されたすべてのパッド8aから配線パターン7を引き出すことができる。これは、パッド非配置部の外縁に沿って配置されているパッド8aの外側が空きスペースとなっていて配線パターン7の引き出しスペースとしてすべて利用できるからである。
【0019】
図5は第2層目のパッド8の配置と配線パターン7の配置を示す。第1層目で最外周のパッド8aから配線パターン7を引き出しているから、第2層目ではその次の列のパッド8bから配線パターン7を引き出す。パッド非配置部を三角形状としたことにより、第2層目でもパッド配置領域の外周側に三角形状のパッド非配置部が形成され最外周列のすべてのパッド8bから配線パターン7を引き出すことができる。
【0020】
図6は第3層目のパッド8の配置と配線パターン7の配置を示す。この第3層目でも第1層目でパッド非配置部を三角形状としたことによる形態が残留し、引き出し可能なパッド8cが屈曲する配置となる。そして、これらのすべてのパッド8cから配線パターン7が引き出される。
図6で8dはパッド8cから配線パターン7を引き出した後に残るパッドである。このパッド8dは次層で配線パターン7を引き出すことになる。図示例ではパッド8dのさらに内側に配置するパッドについては表示していないが、内側に配置するパッドの列数がそれほど多くなければ、内側のパッドは通常の最密充填配列とし、外側の1列ずつ配線パターン7を引き出すようにすればよい。
【0021】
図7は内側のパッド8についても外周側での配線パターン7の引き出し方法と同様に三角形状のパッド非配置部を設けて引き出すようにした例である。この場合は、4層目のパッド8dについても三角形状のパッド非配置部の縁に沿って配置されたパッド8dから配線パターン7を引き出すようにする。5層目以降についての配線パターン7の引き出し方法は上述した方法と同様である。
【0022】
本実施形態の多層回路基板はパッド配置領域の外周縁部に周期的にパッドを配置しない三角形状のパッド非配置部を設けたことにより、単に最密充填配列でパッド8を配置し、各配線層では外周列から1列ずつ配線を引き出していく方法にくらべて効率的な配線パターンの引き出しが可能になる。
なお、本実施形態ではパッド配置が最密充填配列の場合であるが、パッド配列が格子状配列、スタッガー配列の場合も同様に適用することができる。
【0023】
上記多層回路基板を用いた形成する半導体装置は、多層回路基板の表面に形成したパッド8と電極端子6あるいは接続端子を位置合わせして半導体素子4あるいは電子部品を接合し、パッド8と内装の配線パターン7aとをビア7bにより電気的に接続し、配線パターン7、7aと実装基板への実装面側に形成したランドとビア7bにより電気的に接続して形成する。多層回路基板はビルドアップ法等により所定の配線パターン7、パッド8、ビア7bを形成しながら層間で電気的に接続して多層に形成することができる。
【0024】
【発明の効果】
本発明に係る多層回路基板は、上述したように、回路基板に形成するパッドの配置間隔を製造上可能な最小間隔とした場合でも、効率的に配線パターンを引き出すことが可能となり、これによって回路基板の層数を減らすことができて多層回路基板を容易に製造することができ、信頼性の高い多層回路基板として提供することが可能となる。また、本発明に係る多層回路基板に半導体素子あるいは電子部品を搭載した半導体装置はコンパクトで信頼性の高い製品として提供される等の著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る多層回路基板での配線パターンの引き出し方法の説明図である。
【図2】本発明に係る多層回路基板でのパッドの配置例を示す説明図である。
【図3】本発明に係る多層回路基板でのパッドの配置例を示す説明図である。
【図4】多層回路基板での1層目における配線パターンの引き出し例を示す説明図である。
【図5】多層回路基板での2層目における配線パターンの引き出し例を示す説明図である。
【図6】多層回路基板での3層目における配線パターンの引き出し例を示す説明図である。
【図7】多層回路基板でのパッドの配置例を示す説明図である。
【図8】フリップチップ接続による半導体装置の構成を示す説明図である。
【図9】パッドからの配線の引き出し方法の従来例を示す説明図である。
【図10】多層回路基板に半導体素子を搭載した半導体装置の従来の構成を示す断面図である。
【図11】パッドの配置形式を示す説明図である。
【符号の説明】
4 半導体素子
5 a回路基板
5 回路基板
6 電極端子
7、7a 配線パターン
7b ビア
8、8a、8b、8c、8d パッド
9 外部接続端子
10 パッド

Claims (4)

  1. 半導体素子あるいは電子部品の実装面に格子状配列、スタッガー配列または最密充填配列で配置されている接続端子と同一の平面配置に配列されたパッドと、該パッドに一端が接続され、他端がパッド配置領域から外側に引き出された配線パターンとが形成された多層回路基板であって
    記半導体素子あるいは電子部品を搭載する搭載面のパッド配置領域の外周縁部にパッド非配置部を周期的に設け、
    前記配線パターンが、隣接するパッドの間を通すことなく、パッド非配置部の縁に沿って配置されたパッドから引き出されていることを特徴とする多層回路基板。
  2. パッド非配置部は、パッド配置領域の最外列の非配置パッド列を底部とする三角形状に設けられていることを特徴とする請求項1記載の多層回路基板。
  3. パッド非配置部は、パッド配置領域の最外列に配置されるパッドで非配置となるパッドの数をb、パッドの径寸法をd、配線パターンの幅をw、隣接するパッド及び配線パターンの間隔をsとし、
    r=b(d+s)/(w+s)
    としたとき、パッド非配置部の内縁に沿ってr個のパッドが配置され、該パッドからそれぞれ配線パターンが引き出されていることを特徴とする請求項1または2記載の多層回路基板。
  4. 請求項1〜項のいずれか1項に記載の多層回路基板に、半導体素子あるいは電子部品の接続端子を、多層回路基板のパッドに電気的に接続して搭載して成ることを特徴とする半導体装置。
JP20742999A 1999-07-22 1999-07-22 多層回路基板及び半導体装置 Expired - Fee Related JP3610262B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20742999A JP3610262B2 (ja) 1999-07-22 1999-07-22 多層回路基板及び半導体装置
US09/616,139 US6407460B1 (en) 1999-07-22 2000-07-13 Multilayer circuit board
DE60020193T DE60020193T2 (de) 1999-07-22 2000-07-14 Mehrschichtige Leiterplatte
EP00306001A EP1071316B1 (en) 1999-07-22 2000-07-14 Multilayer circuit board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20742999A JP3610262B2 (ja) 1999-07-22 1999-07-22 多層回路基板及び半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001035950A JP2001035950A (ja) 2001-02-09
JP3610262B2 true JP3610262B2 (ja) 2005-01-12

Family

ID=16539620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20742999A Expired - Fee Related JP3610262B2 (ja) 1999-07-22 1999-07-22 多層回路基板及び半導体装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6407460B1 (ja)
EP (1) EP1071316B1 (ja)
JP (1) JP3610262B2 (ja)
DE (1) DE60020193T2 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6664483B2 (en) * 2001-05-15 2003-12-16 Intel Corporation Electronic package with high density interconnect and associated methods
US6762505B2 (en) * 2001-11-29 2004-07-13 Sun Microsystems 150 degree bump placement layout for an integrated circuit power grid
JP4613590B2 (ja) * 2004-11-16 2011-01-19 セイコーエプソン株式会社 実装基板及び電子機器
JP5085296B2 (ja) * 2007-12-03 2012-11-28 新光電気工業株式会社 多層配線基板および半導体装置
US9001522B2 (en) * 2011-11-15 2015-04-07 Apple Inc. Printed circuits with staggered contact pads and compact component mounting arrangements
JP5946370B2 (ja) * 2012-08-28 2016-07-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電子装置
US9560741B2 (en) 2013-10-10 2017-01-31 Curtiss-Wright Controls, Inc. Circuit board via configurations for high frequency signaling
US10710509B2 (en) 2015-09-16 2020-07-14 Ford Global Technologies, Llc Collapsible storage bin for a motor vehicle
CN112528505B (zh) * 2020-12-14 2022-03-25 西南交通大学 一种指数分布型产品可靠性评估方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100194130B1 (ko) * 1994-03-30 1999-06-15 니시무로 타이죠 반도체 패키지
US5444303A (en) * 1994-08-10 1995-08-22 Motorola, Inc. Wire bond pad arrangement having improved pad density
JP3362545B2 (ja) * 1995-03-09 2003-01-07 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US5784262A (en) 1995-11-06 1998-07-21 Symbios, Inc. Arrangement of pads and through-holes for semiconductor packages
US6215184B1 (en) * 1998-02-19 2001-04-10 Texas Instruments Incorporated Optimized circuit design layout for high performance ball grid array packages
JP3386977B2 (ja) * 1997-06-05 2003-03-17 新光電気工業株式会社 多層回路基板
JPH1167960A (ja) 1997-08-20 1999-03-09 Nec Corp 半導体パッケージとその実装基板
JP3380151B2 (ja) 1997-12-22 2003-02-24 新光電気工業株式会社 多層回路基板
JP2000100851A (ja) * 1998-09-25 2000-04-07 Sony Corp 半導体部品及びその製造方法、半導体部品の実装構造及びその実装方法
US6242815B1 (en) * 1999-12-07 2001-06-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Flexible substrate based ball grid array (BGA) package

Also Published As

Publication number Publication date
DE60020193T2 (de) 2006-01-19
JP2001035950A (ja) 2001-02-09
DE60020193D1 (de) 2005-06-23
EP1071316A3 (en) 2001-10-17
US6407460B1 (en) 2002-06-18
EP1071316A2 (en) 2001-01-24
EP1071316B1 (en) 2005-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101218011B1 (ko) 플립 칩 인터커넥션 패드 레이아웃 반도체 패키지 및 그 생산 방법
JP3380151B2 (ja) 多層回路基板
JPH10303562A (ja) プリント配線板
JP2003188508A (ja) プリント配線板、面実装形回路部品および回路モジュール
JP4341552B2 (ja) プリント配線板
JPH10335532A (ja) 多層回路基板
JP3610262B2 (ja) 多層回路基板及び半導体装置
JP2000174153A (ja) 多層配線基板
EP1075026A2 (en) Multilayer circuit board layout
JPH07153869A (ja) 半導体装置
CN1327519C (zh) 器件封装件和印刷电路板及电子装置
US5691569A (en) Integrated circuit package that has a plurality of staggered pins
US6710459B2 (en) Flip-chip die for joining with a flip-chip substrate
JP2001144205A (ja) 多端子素子及びプリント配線板
US7394026B2 (en) Multilayer wiring board
JP2935356B2 (ja) 半導体装置および基板ならびに半導体装置の実装構造
JP3008887U (ja) Icピッチ変換基板
JPH11297885A (ja) 多層回路基板
JP3462385B2 (ja) 多層回路基板
JP2006128687A (ja) 半導体パッケージと共に使用するための基板層及びその形成方法
JPH09172105A (ja) 集積回路装置
JP4397628B2 (ja) 印刷回路配線板の配線レイアウト構造
JP3664743B2 (ja) バーンインボード
JPH0645474A (ja) 半導体装置
JP2011071322A (ja) 電子装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040219

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040406

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040603

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040706

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040903

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20040903

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20041012

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20041018

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071022

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081022

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091022

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091022

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101022

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111022

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121022

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees