JP3670636B2 - 電子部品を実装した電子装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置およびその製造方法ならびに電子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣ，ＬＳＩ等半導体装置の封止（パッケージ）形態として、気密封止，非気密封止等がある。また、半導体装置の実装形態の違いにより、リード挿入型，表面実装型がある。たとえば、ＳＩＰ（Single Inline Package)，ＺＩＰ (Zigzag Inline Package)，ＰＧＡ（Pin Grid Array) 等は基板の挿入孔にリードを挿入するリード挿入型パッケージであり、ＳＯＰ (Small Outline L-Leaded Package) ，ＳＯＪ（Small Outline J-Leaded Package) ，ＱＦＰ（Quad Flat Package)，ＱＦＪ（Quad Flat J-Leaded Package) ，ＢＧＡ（Ball Grid Array)は表面実装型パッケージである。前記ＳＯＰ，ＳＯＪは、ＩＣチップを封止したパッケージの２方向にリードピン（リード）を出す構造であり、前記ＱＦＰ，ＱＦＪはパッケージの４方向にリードピンを出す構造である。
【０００３】
これらのパッケージ技術については、日経ＢＰ社発行「ＶＬＳＩパッケージング技術（上）」1993年５月15日発行、Ｐ76〜Ｐ84に記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のＳＯＰ，ＳＯＪ，ＱＦＰ，ＱＦＪ，ＢＧＡ等の表面実装型半導体装置やＰＧＡ型半導体装置は、パッケージの全体が実装基板に対面するように実装することから、チップサイズよりも基板実装面積を小さくすることができない。このため、チップサイズの大型化，多ピン化によりパッケージが大型化し、基板実装面積が増大する。前記多ピン化においては、リードピンピッチ確保等のためにインナーリード部が増大し、パッケージが大きくなる。
【０００５】
一方、パッケージの一辺のみからリードを突出させる従来のＳＩＰ，ＺＩＰは、リード挿入型半導体装置であり、基板実装面積を小さくできる特長がある。しかし、リード挿入型半導体装置のように縦実装型半導体装置は、パッケージの基板搭載方向にリードを集めるため、多ピン化を図ると、リードを引き回すインナーリード部が大きくなり、チップサイズに比べてパッケージサイズが格段に大きくなる。多ピン化することで、パッケージの長さが著しく長くなるため、パッケージ形態のもつ基板実装面積を小さくできる有効性がなくなる。したがって、従来では、たとえば、４０ピン程度のものしか実用化されていない。
【０００６】
本発明の目的は、小型の縦実装型の半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００７】
本発明の他の目的は、基板実装面積の縮小化が図れる縦実装型の半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、半導体装置の実装面積の縮小化が達成できる電子装置を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１１】
（半導体装置）
（１）上下に亘って偏平となる本体部と、前記本体部の底面から突出する複数のリードと、前記本体部内に組み込まれる少なくとも一つの半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記本体部内のリードの先端を電気的に接続する接続手段とを有する半導体装置であって、前記リードの一部は前記本体部の底面および偏平面以外の少なくとも一面から本体部外に突出するとともに折り返されて前記本体部の偏平面に沿って延在し、先端は前記本体部底面から突出するリードと並んで配列されている。
【００１２】
（２）上下に亘って偏平となる本体部と、前記本体部の偏平面に直接的または間接的に固定される複数の重畳部と、前記本体部の内部から各重畳部に亘って配設される複数のリードと、前記本体部の底面から突出するリードと、前記重畳部に絶縁的に支持されかつ重畳部の下方から突出する複数のリードと、前記本体部内に封止された少なくとも一つの半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記本体部内のリードの先端を電気的に接続する接続手段とからなり、前記本体部から重畳部に延在するリードは重畳部でそのまま延在して重畳部の下方に突出するリードに連なっている。
【００１３】
（３）前記手段（２）において、前記本体部および前記重畳部ならびに前記本体部と重畳部との間のリードは、１枚のフレキシブル配線基板に固定されている。
【００１４】
（４）前記手段（２）において、前記本体部の下面から熱伝導性の良好な材質からなる板状の放熱板を突出させ、かつ少なくとも前記放熱板の一部は前記本体部の他の面から本体部外に突出させている。
【００１５】
（５）前記手段（２）において、前記重畳部の少なくとも１つは熱伝導性の良好な材質からなる放熱板となり、少なくとも一端は本体部の一縁より外側に突出している。
【００１６】
（６）前記手段（２）において、前記本体部または重畳部の偏平面には実装基板に挿入固定される固定ピンを有する補強板が固定されている。
【００１７】
（７）前記手段（２）において、前記本体部および重畳部の下方に突出するリードは、一部がリード挿入型構造となり他部が表面実装型構造となっている。
【００１８】
（８）上下に亘って偏平となる本体部と、前記本体部の偏平面に直接的または間接的に固定される複数の重畳部と、前記本体部の内部から各重畳部に亘って配設される複数のリードと、前記本体部の底面から突出するリードと、前記重畳部に絶縁的に支持されかつ重畳部の下方から突出する複数のリードと、前記本体部内に封止された少なくとも一つの半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記本体部内のリードの先端を電気的に接続する接続手段とからなり、前記重畳部のうちの少なくとも一部の重畳部では少なくとも１つの半導体チップが組み込まれ、重畳部に延在するリード先端と前記半導体チップの電極は電気的接続手段によって接続され、半導体チップ等電子部品が組み込まれない重畳部では前記本体部から重畳部に延在するリードは重畳部でそのまま延在して重畳部の下方に突出するリードに連なっている。
【００１９】
（９）前記手段（８）において、前記本体部および重畳部ならびに前記本体部と重畳部との間のリード等は１枚のフレキシブル配線基板に固定されている。
【００２０】
（半導体装置の製造方法）
（１０）上下に亘って偏平となる本体部と、前記本体部の偏平面に直接的または間接的に固定される複数の重畳部と、前記本体部の内部から各重畳部に亘って配設される複数のリードと、前記本体部の底面から突出するリードと、前記重畳部に絶縁的に支持されかつ重畳部の下方から突出する複数のリードと、前記本体部内に封止された少なくとも一つの半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記本体部内のリードの先端を電気的に接続する接続手段とからなり、前記本体部から重畳部に延在するリードは重畳部でそのまま延在して重畳部の下方に突出するリードに連なる半導体装置の製造方法であって、前記本体部部分を形成するリードパターンおよび前記重畳部部分を形成するリードパターンならびに前記本体部と重畳部との間のリードパターンを有するリードフレームを用意する工程と、前記本体部および重畳部を形成する工程と、不要リードフレーム部分を切断除去する工程と、前記本体部と重畳部との間のリード部分で折り返し、各重畳部を本体部に直接的または間接的に重ね、かつ固定する。
【００２１】
（１１）上下に亘って偏平となる本体部と、前記本体部の偏平面に直接的または間接的に固定される複数の重畳部と、前記本体部の内部から各重畳部に亘って配設される複数のリードと、前記本体部の底面から突出するリードと、前記重畳部に絶縁的に支持されかつ重畳部の下方から突出する複数のリードと、前記本体部内に封止された少なくとも一つの半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記本体部内のリードの先端を電気的に接続する接続手段とからなり、前記重畳部のうちの少なくとも一部の重畳部では少なくとも１つの半導体チップが組み込まれ、重畳部に延在するリード先端と前記半導体チップの電極は電気的接続手段によって接続され、半導体チップ等電子部品が組み込まれない重畳部では前記本体部から重畳部に延在するリードは重畳部でそのまま延在して重畳部の下方に突出するリードに連なる半導体装置の製造方法であって、前記本体部部分を形成するリードパターンおよび前記重畳部部分を形成するリードパターンならびに前記本体部と重畳部との間のリードパターン有するリードフレームを用意する工程と、前記本体部および重畳部を形成する工程と、不要リードフレーム部分を切断除去する工程と、前記本体部と重畳部との間のリード部分で折り返し、各重畳部を本体部に直接的または間接的に重ね、かつ固定する。
【００２２】
（１２）上下に亘って偏平となる本体部と、前記本体部の偏平面に直接的または間接的に固定される複数の重畳部と、前記本体部の内部から各重畳部に亘って配設される複数のリードと、前記本体部の底面から突出するリードと、前記重畳部に絶縁的に支持されかつ重畳部の下方から突出する複数のリードと、前記本体部内に封止された少なくとも一つの半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記本体部内のリードの先端を電気的に接続する接続手段とからなり、前記重畳部のうちの少なくとも一部の重畳部では少なくとも１つの半導体チップが組み込まれ、重畳部に延在するリード先端と前記半導体チップの電極は電気的接続手段によって接続され、半導体チップ等電子部品が組み込まれない重畳部では前記本体部から重畳部に延在するリードは重畳部でそのまま延在して重畳部の下方に突出するリードに連なり、前記本体部および重畳部ならびに前記本体部と重畳部との間のリードは１枚のフレキシブル配線基板に支持されてなる半導体装置の製造方法であって、前記本体部部分を形成するリードパターンおよび前記重畳部部分を形成するリードパターンならびに前記本体部と重畳部との間のリードパターンを有するフレキシブル配線基板を用意する工程と、前記本体部および重畳部を形成する工程と、不要フレキシブル配線基板部分を切断除去する工程と、前記本体部と重畳部との間のフレキシブル配線基板部分で折り返し、各重畳部を本体部に直接的または間接的に重ね、かつ固定する。
【００２３】
（電子装置）
（１３）実装基板と、前記実装基板に実装される半導体装置とを有する電子装置であって、前記半導体装置は上下に亘って偏平となる本体部と、前記本体部の底面から突出する複数のリードと、前記本体部内に組み込まれる少なくとも一つの半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記本体部内のリードの先端を電気的に接続する接続手段とを有し、前記リードの一部は前記本体部の底面および偏平面以外の少なくとも一面から本体部外に突出するとともに折り返されて前記本体部の偏平面に沿って延在し、先端は前記本体部底面から突出するリードと並んで配列されている。
【００２４】
（１４）前記手段（１３）において、前記本体部の偏平面に沿って延在するリード部分は前記本体部に直接的または間接的に重なりかつ固定される重畳部で支持されている。
【００２５】
（１５）前記手段（１４）において、前記重畳部の少なくとも１つには、半導体チップが組み込まれ、所定のリードと前記半導体チップの電極は接続手段によって接続されている。
【００２６】
【発明の実施の形態】
（半導体装置）
前記（１）の手段によれば、本体部の底面から突出したリードはそのまま実装用リードとして使用されるとともに、本体部の底面および偏平面を除く他の面から突出したリードも折り返されて前記本体部の底面側に延在させられて実装用リードとして使用される構造となっていることから、リード数が多くても本体部の小型化が図れる。
【００２７】
また、実装基板に取り付けられる実装用リードは、本体部底面から突出するリードと、本体部の偏平面に沿って延在するリードとからなるため、リード数が多くても実装面積の縮小化が図れる。
【００２８】
前記（２）の手段によれば、本体部の底面から突出したリードはそのまま実装用リードとして使用されるとともに、本体部の底面および偏平面を除く他の面から突出したリードも折り返されて前記本体部の底面側に延在させられて実装用リードとして使用される構造となっていることから、リード数が多くても本体部と重畳部とからなる半導体装置本体の小型化が図れる。また、実装面積の縮小化が図れる。
【００２９】
また、本体部の偏平面に沿って延在するリード部分は重畳部で支持され、かつ前記重畳部は本体部に固定されているため、実装用リードはそれぞれ強固に支持されることになる。
【００３０】
前記（３）の手段によれば、フレキシブル配線基板を使うことで配線数を増やせ、リード部分の折り返しが容易となる。
【００３１】
前記（４）の手段によれば、前記本体部の下面から板状の放熱板を突出させ、かつ少なくとも前記放熱板の一部は前記本体部の他の面から本体部外に突出させていることから、本体部内の半導体チップから放出される熱の放散が可能となり、半導体装置の安定動作が達成できる。
【００３２】
前記（５）の手段によれば、前記重畳部の少なくとも１つは熱伝導性の良好な材質からなる放熱板となっているため、リードを介して前記本体部内の半導体チップから放出される熱の放散が可能となり、半導体装置の安定動作が達成できる。
【００３３】
前記（６）の手段によれば、前記本体部または重畳部の偏平面には実装基板に挿入固定される固定ピンを有する補強板が固定されていることから、半導体装置の実装の機械的強度が高くなる。
【００３４】
前記（７）の手段によれば、半導体装置の実装時、リード挿入型構造のリードで実装用の位置決めができるため、他の表面実装型構造のリードの実装の位置決めが自動的に行える。
【００３５】
前記（８）の手段によれば、本体部の底面から突出したリードはそのまま実装用リードとして使用されるとともに、本体部の底面および偏平面を除く他の面から突出したリードも折り返されて前記本体部の底面側に延在させられて実装用リードとして使用される構造となっていることから、リード数が多くても本体部と重畳部とからなる半導体装置本体の小型化が図れる。また、実装面積の縮小化が図れる。
【００３６】
また、本体部の偏平面に沿って延在するリード部分は重畳部で支持され、かつ前記重畳部は本体部に固定されているため、実装用リードはそれぞれ強固に支持されることになる。
【００３７】
また、前記重畳部のうちの少なくとも一部の重畳部では少なくとも１つの半導体チップが組み込まれていることから、半導体チップの組み込み数の増大が図れ、より高集積化が達成できる。
【００３８】
前記（９）の手段によれば、フレキシブル配線基板を使うことで配線数を増やせ、リード部分の折り返しが容易となり、組立作業が用意となる。
【００３９】
（半導体装置の製造方法）
前記（１０）の手段によれば、リードフレームを使用して前記本体部および重畳部を形成した後、前記リードフレームの不要部分を切断除去し、かつ前記本体部と重畳部との間のリード部分を折り返して各重畳部を本体部に直接的または間接的に重ねて固定して半導体装置を製造するため、小型でかつ実装面積を小さくできる半導体装置を容易に製造することができる。
【００４０】
前記（１１）の手段によれば、リードフレームを使用して前記本体部および重畳部を形成した後、前記リードフレームの不要部分を切断除去し、かつ前記本体部と重畳部との間のリード部分を折り返して各重畳部を本体部に直接的または間接的に重ねて固定して半導体装置を製造するため、小型でかつ実装面積を小さくできる半導体装置を容易に製造することができる。
【００４１】
前記（１２）の手段によれば、１枚のフレキシブル配線基板を使用して前記本体部および重畳部を形成した後、前記フレキシブル配線基板の不要部分を切断除去し、かつ前記本体部と重畳部との間のフレキシブル配線基板部分を折り返して各重畳部を本体部に直接的または間接的に重ねて固定して半導体装置を製造するため、小型でかつ実装面積を小さくできる半導体装置を容易に製造することができる。
【００４２】
（電子装置）
前記（１３）の手段によれば、半導体装置の本体部の底面から突出したリードはそのまま実装用リードとして使用されるとともに、本体部の底面および偏平面を除く他の面から突出したリードも折り返されて前記本体部の底面側に延在させられて実装用リードとして使用される構造となっていることから、リード数が多くても実装面積の縮小化を図ることができる。
【００４３】
前記（１４）の手段によれば、前記本体部の偏平面に沿って延在するリード部分は前記本体部に直接的または間接的に重なりかつ固定される重畳部で支持されていることから実装用リードの機械的強度が高く、実装の信頼性が高い。
【００４４】
前記（１５）の手段によれば、前記本体部以外の重畳部の少なくとも１つには、半導体チップが組み込まれていることから、半導体装置はより高集積となり、電子装置の高集積化が達成される。
【００４５】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００４６】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
図１は本発明の一実施形態（実施形態１）である半導体装置と実装基板を示す斜視図、図２は本実施形態１の半導体装置の実装状態を示す斜視図、図３は本実施形態１の半導体装置の外観を示す図、図４は本実施形態１の半導体装置のリード例を示す説明図、図５は本実施形態１における本体部と重畳部との相関を示す概念的な展開図、図６は本実施形態１における本体部と重畳部との相関を示す展開図である。
【００４７】
（半導体装置）
本実施形態１の半導体装置１は縦実装型の半導体装置となり、外観的には、図１および図３（ａ：正面図，ｂ：左側面図，ｃ：平面図）に示すように、矩形板状の本体部２と、この本体部２の前面および後面にそれぞれ直接的または間接的に重ねて固定された３つの重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄと、前記本体部２の上面および両側面から突出しかつ途中で折り返されて各重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの周面内に進入するリード（連結用リード）４ｂ，４ｃ，４ｄと、前記本体部２および重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの各底面から下方に突出するリード（実装用リード）５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄとからなっている。
【００４８】
前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは、リードを支持補強する役割と、各リード間隔を一定に保つ役割を果たす。重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは、前記本体部２の各面から突出するリードを、その面ごとそれぞれ封止支持する。
【００４９】
また、前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは前記本体部２と同じ大きさとなっている。したがって、本実施形態１の半導体装置１は、本体部２とこの本体部２に重なった重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄによって半導体装置本体６が構成され、この上下に亘って偏平となる半導体装置本体６の底面からリード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを４列に並んで突出させた縦実装型半導体装置となる。
【００５０】
前記本体部２および重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは、後述するが、トランスファモールドによる封止体によって形成されている。図５に示すように、前記本体部２は通常のレジンパッケージ型半導体装置のパッケージと同様に内部に半導体チップを組み込む構造となっているが、前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは、単にリード５を両面側から封止するだけの構造となっている。したがって、重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの厚さは本体部２に比較して薄くなっている。
【００５１】
そこで、リード列間のピッチを一定とするため、リード５ｄは、図１に示すように、途中で１段外側に階段状に屈曲させてある。
【００５２】
本実施形態１の半導体装置１では、リード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄはリード挿入型となり、リード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄの先端形状は、図４（ａ）〜（ｃ）に示すような形状になっている。すなわち、リード５は、図４（ａ）に示すように両側から細くなるもの、図４（ｂ）に示すように片側から細くなるもの、図４（ｃ）に示すように途中で１段屈曲したものとなっている。前記屈曲部分や細くくびれた部分から幅が太くなる部分は、実装基板の挿入孔の縁にぶつかり、必要以上にリードが挿入されないようになる。
【００５３】
前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは、図示しない接着剤や接着テープを介して直接的または間接的に本体部２の広い偏平面（前面および後面）に固定されている。本体部２および重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは、図６に示すように、たとえば、トランスファモールドによって平面的に形成される。その後、中央の本体部２の左側の重畳部３ｂをリード４ｂの途中で折り返して本体部２の前面に重ねて接着した後、右側の重畳部３ｃをリード４ｃの途中で折り返して前記重畳部３ｂ上に接着固定し、その後上側の重畳部３ｄをリード４ｄの途中で背面側に折り返して前記本体部２の後面に接着固定する。
【００５４】
図５および図６は、本実施形態１の半導体装置１の製造において、リードフレームの各部をトランスファモールドによって封止して本体部２および重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを形成した後、不要なリードフレーム部分を切断除去した状態を示す図であり、図５は本体部２および重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄに封止されたものが分かる状態とした模式的展開図である。
【００５５】
図５で分かるように、前記本体部２の内部中央には、４隅をタブ吊りリード１５で支持された矩形のタブ１６が位置している。そして、このタブ１６上には、半導体チップ（ＩＣチップ）１７が固定されている。また、本体部２の４辺から本体部２の内部に延在するリード５ａおよびリード４ｂ，４ｃ，４ｄの先端は、前記タブ１６の周囲に臨んでいる。前記リード５ａおよびリード４ｂ，４ｃ，４ｄの先端と、前記半導体チップ１７の図示しない電極は導電性のワイヤ１８で接続されている。
【００５６】
また、前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄにおいて、各リード５は、重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄが連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄの中間で折り返された際、重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄから突出する５ｂ，５ｃ，５ｄが、本体部２のリード５ａと並列となるように、重畳部３ｂ，３ｃでは屈曲し、重畳部３ｄでは直進するパターンとなっている。
【００５７】
なお、重畳部でのリードの屈曲パターンを適当に選択すれば、図２８に示すように、本体部２に直接的または間接的に重なる重畳部を４つ（重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ）とすることもできる。図２８の半導体装置の場合は、前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅの一端からそれぞれ実装用リード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅが出る構造となるため、より一層の多リード化が実現できる。図２８の半導体装置１の場合では、重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅのうちの幾つかあるいは全部に半導体チップを組み込めば、さらなる高機能化，高集積化が実現できる。また、本発明の半導体装置はさらに重畳部を多くしてもよい。
【００５８】
本実施形態１の半導体装置１は、従来のＱＦＰパッケージのように、矩形パッケージとなる本体部２の４辺からそれぞれリードを突出させる構造を採用していることから、多リード化が達成できる。また、本体部２の３辺から突出したリードを折り返しかつ屈曲させて本体部２の偏平面に沿って延在させて実装用リードとして使用するため、従来の縦実装型半導体装置構成とすることができる。これによって、小型でかつ多リードの半導体装置１を提供できることになる。また、半導体装置１は縦実装型構造となることから、実装面積の縮小化も達成できる。
【００５９】
本実施形態１の場合は、前記本体部２はレジンパッケージ構成となっているが、半導体チップを内蔵したセラミックパッケージ構成や金属のケースからなるキャンパッケージ構成でもよい。また、他の実施形態として後述するように、前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの内の全部または幾つかは、半導体チップを組み込むものでもよい。
【００６０】
また、本実施形態１では、本体部２に半導体チップを組み込む構造となっているが、本発明では、前記本体部２においてリードのみを支持（封止）する構造であっても何ら支障を来さない。
【００６１】
また、前記連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄは封止体から露出し、ショートのおそれがあることから、樹脂やエナメル等絶縁物質をリード表面に塗布または再封止しても良い。
【００６２】
（電子装置）
ここで、本実施形態１の半導体装置１の製造方法を説明する前に、本実施形態１の半導体装置１を実装した電子装置について説明する。
【００６３】
図１において、半導体装置１の下方に示すものは、実装基板７である。この実装基板７には、前記半導体装置１のリード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを挿入するための挿入孔９が設けられている。また、図示はしないが、各挿入孔９の縁は導体で形成されるとともに、配線に繋がっている。
【００６４】
図２は半導体装置１が実装基板７に実装された状態、すなわち、電子装置の一部を示すものである。実装基板７の各挿入孔９に挿入されたリード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄは、図示しない半田等の接合材によって固定されている。
【００６５】
本実施形態１の電子装置においては、半導体装置１の本体部２の底面から突出したリード５ａはそのまま実装用リードとして使用されるとともに、本体部２の底面および偏平面を除く他の面から突出したリード５ｂ，５ｃ，５ｄも折り返されて前記本体部２の底面側に延在させられて実装用リードとして使用される構造となっていることから、リード数が多くても実装面積の縮小化を図ることができる。
【００６６】
また、本実施形態１の電子装置においては、前記本体部２の偏平面に沿って延在するリード部分は、前記本体部２に固定される重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄで支持されていることから実装用の各リード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄの機械的強度が高く、実装の信頼性が高くなる。
【００６７】
また、本実施形態１の半導体装置１において、重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの少なくとも一つに半導体チップを組み込む構造とすれば、半導体装置はより高集積なものとなり、電子装置の高集積化が達成できる。
【００６８】
（半導体装置の製造方法）
つぎに、本実施形態１の半導体装置１の製造方法について説明する。図５乃至図８は本実施形態１の半導体装置の製造方法に係わる図であって、図５は本体部と重畳部との相関を示す概念的な展開図、図６は本体部と重畳部との相関を示す展開図、図７は半導体装置の製造の各工程を示す平面図、図８は半導体装置の製造の各工程を示す平面図である。
【００６９】
本実施形態１の半導体装置の製造方法は、要約すると、上下に亘って偏平となる本体部２と、前記本体部２の偏平面に直接的または間接的に固定される複数の重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄと、前記本体部２の内部から各重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄに亘って配設される複数のリード（連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄ）と、前記本体部２の底面から突出するリード（実装用リード５ａ）と、前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄに絶縁的に支持されかつ重畳部の下方から突出する複数のリード（実装用リード５ｂ，５ｃ，５ｄ）と、前記本体部２内に封止された少なくとも一つの半導体チップ１７と、前記半導体チップ１７の電極と前記本体部２内のリード５の先端を電気的に接続する接続手段（ワイヤ１８によるワイヤボンディング）とからなり、前記本体部２から重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄに延在するリード（連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄ）は重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄでそのまま延在して重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの下方に突出するリード（実装用リード５ｂ，５ｃ，５ｄ）に連なる半導体装置１の製造方法であって、前記本体部部分を形成するリードパターン（本体部リードパターン２２）および前記重畳部部分を形成するリードパターン（重畳部リードパターン２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ）ならびに前記本体部２と重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄとの間のリードパターン（連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄ）を有するリードフレーム２０を用意する工程と、前記本体部２および重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを形成する工程と、不要リードフレーム部分を切断除去する工程と、前記本体部２と重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄとの間のリード部分（連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄ）で折り返し、各重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを本体部２に直接的または間接的に重ね、かつ固定する方法である。
【００７０】
つぎに、具体的に本実施形態１の半導体装置の製造方法について説明する。
【００７１】
最初に、図７（ａ）に示すように、リードフレーム２０を用意する。リードフレーム２０は、０．１５〜０．２ｍｍ程度の厚さの金属板をエッチングや精密プレスによってパターニングされたものとなっている。金属としては、４２アロイやコバール等のＦｅ−Ｎｉ系合金や銅合金が使用される。
【００７２】
リードフレーム２０は、図７（ａ）に示すように所定部分を打ち抜いた枠構成の矩形枠板２１となり、矩形枠板２１の下部中央に前記本体部２を形成する本体部リードパターン２２が設けられている。また、前記本体部リードパターン２２の両側には重畳部リードパターン２３ｂ，２３ｃが設けられている。また、前記本体部リードパターン２２の上方には重畳部リードパターン２３ｄが設けられている。この説明部分では、上方，下方は図面を記載した用紙の上縁側または下縁側を示すことにする。また、両側とは用紙の両側縁側を示すことにする。
【００７３】
前記本体部リードパターン２２は、図５にも示すように矩形のタブ１６と、このタブ１６の４隅を支持する４本のタブ吊りリード１５と、前記タブ１６の４辺にそれぞれに先端を臨ませ、他端を前記重畳部リードパターン２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ内に延在させる複数のリード５とからなっている。
【００７４】
前記タブ吊りリード１５は矩形枠板２１に連結されている。
【００７５】
前記本体部リードパターン２２から４方向に延在するリード５において、本体部リードパターン２２の下側に延在するリード５は平行に延在してそれぞれ矩形枠板２１に連なっている。この部分のリード５は本体部２の実装用リード５ａとなる。
【００７６】
前記本体部リードパターン２２の上側に突出する複数のリード５は相互に平行に上方に直進して重畳部リードパターン２３ｄ内を通り矩形枠板２１に連なる。矩形枠板２１に連なるリード５部分は、重畳部３ｄの実装用リード５ｄとなる。各実装用リード５ｄは、直交して延在する細いダム２４ｄに支持されている。
【００７７】
前記本体部リードパターン２２の両側に延在するリード５は、重畳部リードパターン２３ｂ，２３ｃ内に進んだ後、斜め下方にそれぞれ４５度屈曲し、その後再び屈曲して下方に延在する。この先端部分は、重畳部３ｂ，３ｃの実装用リード５ｂ，５ｃとなる。前記実装用リード５ａ，５ｂ，５ｃはともに平行となる。そして、これら実装用リード５ａ，５ｂ，５ｃは、直交する細いダム２４ａ，２４ｂ，２４ｃに途中を支持される構造となっている。
【００７８】
前記リード５において、本体部リードパターン２２と重畳部リードパターン２３ｂ，２３ｃ，２３ｄとの間の部分を、特に連結用リード（リード４ｂ，４ｃ，４ｄ）と呼称する。連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄの内、連結用リード４ｂ，４ｃは同じ長さとなるが、連結用リード４ｄは、前述のように本体部２に対する重ね合わせ状態が異なることから、すなわち、重畳部３ｂ，３ｃは本体部２に直接的に重なるが、重畳部３ｄは本体部２に重ねられた重畳部３ｃに重なることから、図６および図７（ｄ）に示すように長くなっている。
【００７９】
前記リードフレーム２０は、必要に応じて各所がメッキ処理されている。
【００８０】
つぎに、前記リードフレーム２０に対して、図７（ｂ）に示すようにタブ１６上に半導体チップ１７が固定される。半導体チップ１７の固定は、通常取られる方法、たとえば、金とシリコンの共晶合金によるもの、銀ペースト等の導電性樹脂（接着剤）によるもの、接着テープによるものが採用される。
【００８１】
つぎに、図７（ｃ）および図５に示すように、前記半導体チップ１７の図示しない電極と、半導体チップ１７の周辺に先端を臨ませるリード５の先端部分が導電性のワイヤ１８で接続される。この電気的接続手段は、バンプを利用したフェイスダウン構造，ビームリード構造等としても良い。
【００８２】
つぎに、図７（ｄ）および図６に示すように、本体部リードパターン２２部分と３つの重畳部リードパターン２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ部分に対して、トランスファモールドによって封止を行い封止体２５（本体部２および重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄ）を形成する。
【００８３】
つぎに、図８（ａ）に示すように、不要なリードフレーム部分、すなわち、ダム２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄが切断除去されるとともに、実装用リード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄが矩形枠板２１から切り離される。しかし、タブ１６はタブ吊りリード１５を介して矩形枠板２１に支持されている。この際、モールド時に発生したレジンバリも除去する。この時必要ならば、図３（ｂ）５ｃのようにリードを成形して折り曲げる。
【００８４】
なお、本実施形態１では、その後の作業性を良くするために、前記タブ１６をタブ吊りリード１５で矩形枠板２１に固定した状態としてあるが、この時点でタブ１６の付け根でタブ吊りリード１５を切断し、本体部２や重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄをリードフレーム２０から完全に分離させ、図６の状態としても良い。
【００８５】
つぎに、図８（ｂ）に示すように、重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの偏平面において、重畳部３ｂ，３ｃにあっては前面に接着剤や接着テープ等の接着剤２６を付け、重畳部３ｄにあっては後面に接着剤２６を付ける。接着剤の代わりに接着テープを付けても良い。接着剤２６の場合は、必要に応じて加熱炉で硬化を促進させても良い。
【００８６】
つぎに、図８（ｃ）に示すように、重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを本体部２に対して折り返して重ねて接着する。すなわち、最初に前記連結用リード４ｂを前面側に折り返して重畳部３ｂを本体部２に重ねて接着する。その後、連結用リード４ｃを前面側に折り返して重畳部３ｃを本体部２に固定された重畳部３ｂに重ねて接着する。また、連結用リード４ｄを後面側に折り返して重畳部３ｄを本体部２の後面に重ねて接着する。重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの本体部２に対する直接的または間接的な固定によって、図８（ｄ）に示すように本体部２と重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄからなる半導体装置本体６が形成される。
【００８７】
つぎに、図８（ｅ）に示すように、タブ吊りリード１５を本体部２の付け根から切断することによって半導体装置１が製造されることになる。
【００８８】
本実施形態１によればつぎのような効果が得られる。
【００８９】
（１）本実施形態１の半導体装置１は、本体部２の底面から突出したリード５ａはそのまま実装用リードとして使用されるとともに、本体部２の底面および偏平面を除く他の面から突出したリードも折り返されて前記本体部の底面側に延在させられて実装用リード５ｂ，５ｃ，５ｄとして使用される構造となっていることから、リード数が多くても本体部の小型化が図れる。
【００９０】
（２）本実施形態１の半導体装置１は、本体部２の両側面および上面から突出させたリードを本体部２の偏平面となる前面および後面に沿って延在させるが、これらのリードは薄い重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄで支持されていることから、本体部２と重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄからなる半導体装置本体６の厚さは薄くできる。
【００９１】
（３）前記（１）および（２）により、半導体装置１は実装面積の小さい半導体装置となる。
【００９２】
（４）本実施形態１の半導体装置１は、実装用リード５ａは本体部２に支持され、実装用リード５ｂ，５ｃ，５ｄは重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄに支持されていることから、実装用リードはそれぞれ強固に支持されることになる。
【００９３】
（５）本実施形態１の半導体装置の製造方法によれば、リードフレーム２０を使用して前記本体部２および重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを形成した後、前記リードフレーム２０の不要部分を切断除去し、かつ前記本体部２と重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄとの間のリード部分（連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄ）を折り返して各重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを本体部２に直接的または間接的に重ねて固定して半導体装置１を製造するため、小型でかつ実装面積を小さくできる半導体装置を容易に製造することができる。
【００９４】
つぎに、本実施形態１において下記のような手法を採用しても良い。
【００９５】
たとえば、リードの変形を防ぐため、所定部分を絶縁性の樹脂テープやフィルムを張り付けても良い。
【００９６】
また、連結用リード等の各リード間を切断成形時に切り離す補強用のフレームで固定しても良い。
【００９７】
また、半導体チップの搭載方法として、一度配線基板に取り付けてワイヤボンディングし、その配線基板とリードフレームを再度ボンディングして取り付ける構造も考えられる。この場合、リードフレームにはタブを設けなくとも良い場合もある。
【００９８】
図９は本実施形態１の第１変形例による半導体装置の側面図である。この半導体装置１では、実装用実装用リード５ａ，５ｂ，５ｃをそれぞれジグザクに配置した構造となっている。リード配列をジグザグとすることによって、リードピッチをより小さくでき、実装の効率化を高めることができる。
【００９９】
図１０（ａ），（ｂ）は本実施形態１の第２変形例による半導体装置を示す図である。この実施形態の半導体装置１は実装用リード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを表面実装型としたものである。この方法ではスルーホールが無いため、基板裏面を有効に使用できる。
【０１００】
図１１（ａ），（ｂ）は本実施形態１の第３変形例による半導体装置を示す図である。この実施形態の半導体装置１は、実装用リードのうちの一部をリード挿入型リード３０となり、他部が表面実装型リード３１となっていることから、半導体装置１の実装時、リード挿入型リード３０で実装用の位置決めができるため、他の表面実装型リード３１の実装の位置決めが自動的に行え、基板実装時の装置ズレが防げ、実装用スルーホールが少ないため基板裏面を有効に使用できる。
【０１０１】
（実施形態２）
図１２は本発明の他の実施形態（実施形態２）である半導体装置を示す図、図１３は本実施形態２の半導体装置の製造における本体部とリードとの相関を示す平面図である。
【０１０２】
本実施形態２の半導体装置１は、最もシンプルな構造の縦実装型半導体装置である。
【０１０３】
本実施形態２の半導体装置１は、要約すると、図１２および図１３に示すように、上下に亘って偏平となる本体部２と、前記本体部２の底面から突出する複数のリード５（実装用リード５ａ）と、前記本体部２内に組み込まれる少なくとも一つの半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記本体部内のリードの先端を電気的に接続する接続手段とを有する半導体装置であって、前記リード５の一部は前記本体部２の底面および偏平面以外の少なくとも一面から本体部２外に突出するとともに折り返されて前記本体部２の偏平面３５に沿って延在し、先端のリード５（実装用リード５ｄ）は前記本体部２底面から突出するリード（実装用リード５ａ）と並んで配列されている構造となっている。
【０１０４】
つぎに、本実施形態２の半導体装置１について具体的に説明する。
【０１０５】
半導体装置１は、図１２および図１３に示すように、上下に偏平となり、内部に半導体チップを組み込んだ矩形状の本体部２と、前記本体部２の底面から突出する複数の実装用リード５ａと、前記本体部２の上面から突出した複数のリード５とからなっている。前記本体部２の上面から突出した複数のリード５は、本体部２の付け根近傍で本体部２の前面側に折り返されて本体部２の偏平面３５に重ねられている。
【０１０６】
本体部２の前面の偏平面３５には、図１３に示すように、上下に延びる溝３６が平行に設けられ、折り返されたリード５は、各溝３６に嵌まり込んでいる。また、嵌まり込んだリード５は図示しない接合材によって本体部２に固定されている。
【０１０７】
前記溝３６から下に延在するリード５は実装用リード５ｄとして使用される。実装用リード５ａおよび実装用リード５ｄは平行に並ぶ。
【０１０８】
本実施形態２の半導体装置１は、本体部２の底面から突出したリードはそのまま実装用リード５ａとして使用されるとともに、本体部２の底面および偏平面３５を除く他の面から突出したリード５も折り返されて前記本体部２の底面側に延在させられて実装用リード５ｄとして使用される構造となっていることから、リード数が多くても本体部２の小型化が図れる。
【０１０９】
また、実装基板に取り付けられる実装用リード５ａ，５ｄは、本体部２の底面から突出するリードと、本体部の偏平面に沿って延在するリードとからなるため、リード数が多くても実装面積の縮小化が図れる。
【０１１０】
本実施形態２の半導体装置１においては、たとえば、前記溝３６に嵌め込んだリード５は、必ずしも固定する必要はない。また、前記溝３６を設けることなく、折り返したリード５を本体部２の偏平面３５側に沿わせるようにするだけでも良い。
【０１１１】
（実施形態３）
図１４は本発明の他の実施形態（実施形態３）である半導体装置を示す図、図１５は本実施形態３の半導体装置の製造における本体部と重畳部の相関を示す展開図である。
【０１１２】
本実施形態３の半導体装置１は、本実施形態２の半導体装置１において、本体部２の前面側に折り返したリードをレジンパッケージからなる重畳部３ｄで封止支持した構造となるものである。
【０１１３】
本実施形態３では、本体部２と重畳部３ｄとの重ね合わせ精度を上げるため、図１５に示すように、本体部２の前面の偏平面３５に位置決め用の突子３７を２つ設けるとともに、重畳部３ｄの対応する面に、前面および後面突子３７に対応して凹部３８を２つ設けた構造となっている。
【０１１４】
これによって、本体部２に重畳部３ｄを重ね合わせる際、凹部３８に突子３７を押し込み嵌合させることによって、本体部２に対して重畳部３ｄを高精度に重ね合わせることができる。
【０１１５】
図１６乃至図１８は本実施形態３の第１変形例による半導体装置に係わる図であり、図１６は半導体装置を示す図、図１７は半導体装置の製造において本体部と重畳部が展開された状態を示す展開図、図１８は半導体装置における位置決め爪を示す説明図である。
【０１１６】
本変形例の半導体装置１は、図１４および図１５で示す本実施形態３の半導体装置１における本体部２と重畳部３ｄの固定構造例を示すものである。本変形例では、本体部２の両端側に、図１８に示すような突出した位置決め爪３９を設けるとともに、重畳部３ｄの対応する位置に前記位置決め爪３９が通過できる位置決め溝４０を設けてなるものである。
【０１１７】
本体部２に重畳部３ｄを重ね合わせる際、前記位置決め爪３９は位置決め溝４０を通過して重畳部３ｄの反対面の縁に弾力的に引っ掛かり、本体部２と重畳部３ｄが一体化される。
【０１１８】
本変形例の半導体装置１では、位置決め用の位置決め爪３９および位置決め溝４０を設けることで、本体部２と重畳部３ｄの重ね合わせ精度が高くなるとともに、半導体装置本体６の固定も確実になる。
【０１１９】
図１９は本実施形態３の第２変形例による半導体装置を示す図、図２０は本実施形態３の第２変形例による半導体装置の製造において本体部と重畳部の相関を示す展開図である。
【０１２０】
本変形例は本実施形態３の第１変形例と同様に、半導体装置１における本体部２と重畳部３ｄの固定構造に関するものである。本変形例では、図２０に示すように、重畳部３ｄの両側面からリードを幅広い状態で一枚突出させて固定用リード４１とする。そして、この固定用リード４１を、図１９に示すように、本体部２の両端部分に折り曲げて引っ掛ける。この場合、図２０に示すように、前記固定用リード４１を受け入れる受け溝４２を本体部２に設けておいても良い。
【０１２１】
（実施形態４）
図２１は本発明の他の実施形態（実施形態４）である半導体装置を示す図、図２２は本実施形態４の半導体装置の製造において本体部と重畳部が展開された状態を示す概念的平面図である。
【０１２２】
本実施形態４の半導体装置１は、本体部２内のタブ１６（すなわち、リード５を形成する板材）をそのまま本体部２の上下面から突出させて幅広い一枚とし、放熱板４５として使用したものである。すなわち、リードやタブ１６を構成する材料は前述のように、熱伝導性の良好な金属板で形成されるため、放熱板として使用できる。
【０１２３】
そこで、本実施形態４では、本体部２の底面から突出するリード部分を実装用放熱板４６として使用する。本実施形態４の半導体装置１においては、実装用リードは表面実装型となっていることから，前記実装用放熱板４６も表面実装型構造となっている。本体部２の上面から突出する放熱板４５は、放熱のためにそのまま真っ直ぐ上方に延在している。
【０１２４】
また、本実施形態１の半導体装置１では、前記重畳部３ｂ，３ｃは平行に延在する複数のリード５の一面に張り付けた板で形成されている。重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは、金属板，セラミック板，樹脂板からなり、絶縁性の接着剤や接着テープを介してリード５に接着されている。この重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは、リード補強の役割を果たす。
【０１２５】
本実施形態４の半導体装置１は、本体部２から板状の放熱板４５が外に向かって突出する構造となっていることから、本体部２内の半導体チップ１７から放出される熱の放散が可能となり、半導体装置１の安定動作が達成できる。
【０１２６】
また、本実施形態４の半導体装置１においては、重畳部３ｂ，３ｃは板体となり、トランスファモールドによる封止体構造と比較して薄くなるため、半導体装置本体６の厚さをさらに薄くでき、半導体装置１の薄型化や実装面積の縮小化が達成できる。
【０１２７】
（実施形態５）
図２３は本発明の他の実施形態（実施形態５）である半導体装置を示す図、図２４は本実施形態５の半導体装置の製造において本体部と重畳部が展開された状態を示す概念的平面図である。
【０１２８】
本実施形態５の半導体装置１は、本体部２から左右側方および上方に延在するリード５を、前記本実施形態４の場合と同様に金属板，セラミック板，樹脂板からなる重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄで支持補強した構造となっている。本体部２の各面から突出するリードは、その面ごとのリードずつ各重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄに絶縁性の接着剤や接着テープで固定される。
【０１２９】
また、前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの内、本体部２の両側の重畳部３ｂ，３ｃは、その上端が本体部２の１縁（１辺）よりも外側に長く突出している。
【０１３０】
本実施形態５の半導体装置１においては、重畳部３ｂ，３ｃが放熱板となっているため、リード５を介して前記本体部２内の半導体チップ１７から放出される熱の外部への放散が可能となり、半導体装置１の安定動作が達成できる。
【０１３１】
また、本実施形態５の半導体装置１は、重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは板体となり、トランスファモールドによる封止体構造と比較して薄くなるため、半導体装置本体６の厚さをさらに薄くでき、半導体装置１の薄型化や実装面積の縮小化が達成できる。
【０１３２】
本実施形態５では、前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの少なくとも１つは熱伝導性の良好な材質からなる放熱板となっていれば良い。また、前記放熱板は、放熱効果を保つためにも、放熱板の一端が本体部２の一縁（１辺）より外側に突出している必要がある。
【０１３３】
（実施形態６）
図２５は本発明の他の実施形態（実施形態６）である半導体装置を示す図であり、図２５（ａ）は半導体装置１の正面図、図２５（ａ）は左側面図である。
【０１３４】
本実施形態６の半導体装置１は、実装用リード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄが表面実装型となる半導体装置１において、前記重畳部３ｄの偏平面に、実装基板に挿入される固定ピン５０を有する補強板５１が固定されている。前記固定ピン５０は両側に２本設けられている。
【０１３５】
本実施形態６の半導体装置１は、重畳部３ｄの偏平面には実装基板に固定される固定ピン５０を有する補強板５１が固定されていることから、半導体装置の実装の機械的強度が高くなる。すなわち、固定ピン５０を実装基板に挿入固定することによって、高さのある表面実装型半導体装置の実装時の倒れや位置ずれを防止することができ、実装の作業性が向上する。
【０１３６】
本実施形態６では、固定ピン５０を有する補強板５１は重畳部が少ない場合は、本体部２に直接設けても良い。
【０１３７】
（実施形態７）
図２６は本発明の他の実施形態（実施形態７）である半導体装置の製造において本体部とリード補強部が展開された状態を示す概念的平面図である。
【０１３８】
本実施形態７の半導体装置１は、リードフレームの代わりにフレキシブル配線基板５２を使用したもので、本体部リードパターン２２部分に矩形枠からなる樹脂流れ止め枠５３を使用してポッティングで樹脂封止して本体部２を形成する。
【０１３９】
また、重畳部リードパターン２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ部分では、リード５およびフレキシブル配線基板５２に補強板としての重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを張り付ける。
【０１４０】
本実施形態７の場合も、重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを本体部２に直接的または間接的に重ねて固定して、半導体装置１を製造する。
【０１４１】
本実施形態７の半導体装置１は、フレキシブル配線基板５２を使うことで配線数を増やせる。また、フレキシブル配線基板５２を使うことでリード部分（連結用リード）の折り返しが容易となり、組立の作業性が向上する。
【０１４２】
本実施形態７において、半導体チップ（ＩＣチップ）１７の搭載方法として、図のように半導体チップ１７をフレキシブル配線基板５２に直付けで搭載し、ワイヤボンディングで配線接続する場合、一度他の配線基板に取り付けてワイヤボンディングし、フレキシブル配線基板５２を再度ボンディングして取り付ける場合、バンプを付けた配線を半導体チップ１７の電極パッド部にギャングボンディングで一括して取り付ける方法等が考えられる。フレキシブル基板は折り返し部（４ｂ，４ｃ，４ｄ）のみフレキシブルで他部は通常の基板でできたものでもよい。
【０１４３】
また、実装基板に実装するリード先端部は、金属ピンをフレキシブル配線基板５２に取り付けたものとしてもよい。
【０１４４】
（実施形態８）
図２７は本発明の他の実施形態（実施形態８）である半導体装置の製造において本体部と重畳部が展開された状態を示す概念的平面図である。
【０１４５】
本実施形態８の半導体装置１は、半導体チップ等電子部品を本体部以外の重畳部に組み込む例である。また、この場合、半導体装置１を製造するためにリードフレームを使用してもよいが、この例の場合は本実施形態７の場合同様にフレキシブル配線基板を使用したものである。
【０１４６】
本実施形態８の半導体装置１の構造について、その製造を説明することによって説明する。
【０１４７】
本実施形態８の半導体装置１は、図２７に示すように、その製造において、フレキシブル配線基板６０が用意される。このフレキシブル配線基板６０は、本体部２と３つの重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを形成する部分および連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄを配置する部分を有する。
【０１４８】
そして、前記本体部２および重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを形成する部分には、前記本実施形態７の場合と同様に、樹脂流れ止め枠５３が設けられている。
【０１４９】
本体部２の形成部分では、半導体チップ１７はフレキシブル配線基板６０に直に取り付けられる。
【０１５０】
重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの形成部分では、樹脂流れ止め枠５３の内側にマルチチップモジュール板６１が取り付けらる。そして、このマルチチップモジュール板６１に半導体チップ１７やチップコンデンサやチップ抵抗等からなるチップ型電子部品６２が固定される。
【０１５１】
マルチチップモジュール板６１の配線（パッド）と、半導体チップ１７の電極はワイヤ１８で接続される。また、マルチチップモジュール板６１の配線（パッド）と、所定のリード５（実装用リード５ｂ，５ｃ，５ｄや連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄ）の先端はワイヤ１８で接続される。
【０１５２】
四か所の樹脂流れ止め枠５３内には、樹脂が封止されて、本体部２，重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄが形成される。四か所の樹脂流れ止め枠５３内には、たとえば、ポッティングによって樹脂が流し込まれる。
【０１５３】
図２７に示すフレキシブル配線基板６０は、図示はしてないが、本体部２に対して直接的または間接的に重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを重ねて、半導体装置を製造する。
【０１５４】
これによって、マルチチップ構造の半導体装置（マルチチップモジュールが製造されることになる。
【０１５５】
本実施形態８の半導体装置の場合、前記半導体チップ１７の電極の接続手段としては、半導体チップ１７にバンプを形成しておき、一括して半導体チップ１７を配線（パッド）に固定するようにしても良い。
【０１５６】
また、完成品のＩＣパッケージをフレキシブル配線基板６０に半田付けや導電性接着剤を使用して搭載することも可能である。フレキシブル基板は折り返し部（４ｂ，４ｃ，４ｄ）のみフレキシブルで他部は通常の基板でもよい。
【０１５７】
また、基板に実装するリード先端部は金属ピンをフレキシブル配線基板に取り付けたものも考えられる。
【０１５８】
本実施形態８の半導体装置は、本体部２以外の重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄに半導体チップ１７やチップ型電子部品６１を搭載することから、集積度は格段に高くなり、半導体装置の実装面積の縮小化が達成できる。
【０１５９】
また、本実施形態８の半導体装置１は、フレキシブル配線基板６０を使うことで配線数を増やせる。また、フレキシブル配線基板６０を使うことで、リード部分の折り返しが容易となり、組立の作業性が良好となる。
【０１６０】
本実施形態８の半導体装置は、本体部２の底面から突出したリードはそのまま実装用リード５ａとして使用されるとともに、本体部２の底面および偏平面を除く他の面から突出したリードも折り返されて前記本体部２の底面側に延在させられて実装用リード５ｂ，５ｃ，５ｄとして使用される構造となっていることから、リード数が多くても本体部の小型化が図れる。また、実装面積の縮小化が図れる。
【０１６１】
本実施形態８では、一部の重畳部には電子部品を組み込まない構造としても良い。この場合、半導体チップ等の電子部品を組み込まない重畳部においては、前記本体部から重畳部に延在するリードは重畳部でそのまま延在して重畳部の下方に突出するリード（実装用リード）に連なる構造とする。
【０１６２】
（実施形態９）
図２８は本発明の他の実施形態（実施形態９）である半導体装置の製造において本体部と重畳部が展開された状態を示す平面図である。
【０１６３】
本実施形態９の半導体装置は、図２８に示すように、本体部２に対して、４つの重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを有するものであり、本体部２に対して直接的または間接的に重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを重ねることによって半導体装置が製造できる。本体部２や重畳部３ｄ，３ｅの形状は、重ね具合によって適宜選択すれば良い。
【０１６４】
本実施形態９の半導体装置１では、たとえば、本体部２以外の全ての重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに半導体チップやチップ型電子部品等を組み込むようにすることでさらに高集積化が可能となり、実装面積の縮小化が達成できることになる。
【０１６５】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１６６】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【０１６７】
（１）半導体装置は、従来のＱＦＰパッケージのように、矩形パッケージとなる本体部２の４辺からそれぞれリードを突出させる構造を採用していることから、多リード化が達成できる。
【０１６８】
（２）半導体装置は、本体部の３辺から突出したリードを折り返しかつ屈曲させて本体部の偏平面に沿って延在させて実装用リードとして使用するため、従来の縦実装型半導体装置構成とすることができ、小型化および実装面積の縮小化が達成できる。
【０１６９】
（３）前記（１）および（３）により、小型，多リードでかつ実装面積の縮小化が図れる半導体装置を提供することができる。
【０１７０】
（４）半導体装置は、本体部とこの本体部に重ねられる複数の重畳部を有するが、前記重畳部にも半導体チップ等電子部品を組み込むことによって、一層の高集積化が達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である半導体装置と実装基板を示す斜視図である。
【図２】本実施形態１の半導体装置の実装状態を示す斜視図である。
【図３】本実施形態１の半導体装置の外観を示す図である。
【図４】本実施形態１の半導体装置のリード例を示す説明図である。
【図５】本実施形態１の半導体装置の製造における本体部と重畳部との相関を示す概念的な展開図である。
【図６】本実施形態１の半導体装置の製造における本体部と重畳部との相関を示す展開図である。
【図７】本実施形態１の半導体装置の製造の各工程を示す平面図である。
【図８】本実施形態１の半導体装置の製造の各工程を示す平面図である。
【図９】本実施形態１の第１変形例による半導体装置の側面図である。
【図１０】本実施形態１の第２変形例による半導体装置を示す図である。
【図１１】本実施形態１の第３変形例による半導体装置を示す図である。
【図１２】本発明の他の実施形態（実施形態２）である半導体装置を示す図である。
【図１３】本実施形態２の半導体装置の製造における本体部とリードとの相関を示す平面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態（実施形態３）である半導体装置を示す図である。
【図１５】本実施形態３の半導体装置の製造における本体部と重畳部の相関を示す展開図である。
【図１６】本実施形態３の第１変形例による半導体装置を示す図である。
【図１７】本実施形態３の第１変形例による半導体装置の製造における本体部と重畳部の相関を示す展開図である。
【図１８】本実施形態３の第１変形例による半導体装置における位置決め爪を示す説明図である。
【図１９】本実施形態３の第２変形例による半導体装置を示す図である。
【図２０】本実施形態３の第２変形例による半導体装置の製造において本体部と重畳部の相関を示す展開図である。
【図２１】本発明の他の実施形態（実施形態４）である半導体装置を示す図である。
【図２２】本実施形態４の半導体装置の製造において本体部と重畳部が展開された状態を示す概念的平面図である。
【図２３】本発明の他の実施形態（実施形態５）である半導体装置を示す図である。
【図２４】本実施形態５の半導体装置の製造において本体部と重畳部が展開された状態を示す概念的平面図である。
【図２５】本発明の他の実施形態（実施形態６）である半導体装置を示す図である。
【図２６】本発明の他の実施形態（実施形態７）である半導体装置の製造において本体部とリード補強部が展開された状態を示す概念的平面図である。
【図２７】本発明の他の実施形態（実施形態８）である半導体装置の製造において本体部と重畳部が展開された状態を示す概念的平面図である。
【図２８】本発明の他の実施形態（実施形態９）である半導体装置の製造において本体部と重畳部が展開された状態を示す平面図である。
【符号の説明】
１…半導体装置、２…本体部、３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ…重畳部、４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ…リード（連結用リード）、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ…リード（実装用リード）、６…半導体装置本体、７…実装基板、９…挿入孔、１５…タブ吊りリード、１６…タブ、１７…半導体チップ、１８…ワイヤ、２０…リードフレーム、２１…矩形枠板、２２…本体部リードパターン、２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ…重畳部リードパターン、２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ…ダム、２５…封止体、２６…接着剤、３０…リード挿入型リード、３１…表面実装型リード、３５…偏平面、３６…溝、３７…突子、３８…凹部、３９…位置決め爪、４０…位置決め溝、４１…固定用リード、４２…受け溝、４５…放熱板、４６…実装用放熱板、５０…固定ピン、５１…補強板、５２…フレキシブル配線基板、５３…樹脂流れ止め枠、６０…フレキシブル配線基板、６１…マルチチップモジュール板、６２…チップ型電子部品。
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置およびその製造方法ならびに電子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣ，ＬＳＩ等半導体装置の封止（パッケージ）形態として、気密封止，非気密封止等がある。また、半導体装置の実装形態の違いにより、リード挿入型，表面実装型がある。たとえば、ＳＩＰ（Single Inline Package)，ＺＩＰ (Zigzag Inline Package)，ＰＧＡ（Pin Grid Array) 等は基板の挿入孔にリードを挿入するリード挿入型パッケージであり、ＳＯＰ (Small Outline L-Leaded Package) ，ＳＯＪ（Small Outline J-Leaded Package) ，ＱＦＰ（Quad Flat Package)，ＱＦＪ（Quad Flat J-Leaded Package) ，ＢＧＡ（Ball Grid Array)は表面実装型パッケージである。前記ＳＯＰ，ＳＯＪは、ＩＣチップを封止したパッケージの２方向にリードピン（リード）を出す構造であり、前記ＱＦＰ，ＱＦＪはパッケージの４方向にリードピンを出す構造である。
【０００３】
これらのパッケージ技術については、日経ＢＰ社発行「ＶＬＳＩパッケージング技術（上）」1993年５月15日発行、Ｐ76〜Ｐ84に記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のＳＯＰ，ＳＯＪ，ＱＦＰ，ＱＦＪ，ＢＧＡ等の表面実装型半導体装置やＰＧＡ型半導体装置は、パッケージの全体が実装基板に対面するように実装することから、チップサイズよりも基板実装面積を小さくすることができない。このため、チップサイズの大型化，多ピン化によりパッケージが大型化し、基板実装面積が増大する。前記多ピン化においては、リードピンピッチ確保等のためにインナーリード部が増大し、パッケージが大きくなる。
【０００５】
一方、パッケージの一辺のみからリードを突出させる従来のＳＩＰ，ＺＩＰは、リード挿入型半導体装置であり、基板実装面積を小さくできる特長がある。しかし、リード挿入型半導体装置のように縦実装型半導体装置は、パッケージの基板搭載方向にリードを集めるため、多ピン化を図ると、リードを引き回すインナーリード部が大きくなり、チップサイズに比べてパッケージサイズが格段に大きくなる。多ピン化することで、パッケージの長さが著しく長くなるため、パッケージ形態のもつ基板実装面積を小さくできる有効性がなくなる。したがって、従来では、たとえば、４０ピン程度のものしか実用化されていない。
【０００６】
本発明の目的は、小型の縦実装型の半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００７】
本発明の他の目的は、基板実装面積の縮小化が図れる縦実装型の半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、半導体装置の実装面積の縮小化が達成できる電子装置を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１１】
（半導体装置）
（１）上下に亘って偏平となる本体部と、前記本体部の底面から突出する複数のリードと、前記本体部内に組み込まれる少なくとも一つの半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記本体部内のリードの先端を電気的に接続する接続手段とを有する半導体装置であって、前記リードの一部は前記本体部の底面および偏平面以外の少なくとも一面から本体部外に突出するとともに折り返されて前記本体部の偏平面に沿って延在し、先端は前記本体部底面から突出するリードと並んで配列されている。
【００１２】
（２）上下に亘って偏平となる本体部と、前記本体部の偏平面に直接的または間接的に固定される複数の重畳部と、前記本体部の内部から各重畳部に亘って配設される複数のリードと、前記本体部の底面から突出するリードと、前記重畳部に絶縁的に支持されかつ重畳部の下方から突出する複数のリードと、前記本体部内に封止された少なくとも一つの半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記本体部内のリードの先端を電気的に接続する接続手段とからなり、前記本体部から重畳部に延在するリードは重畳部でそのまま延在して重畳部の下方に突出するリードに連なっている。
【００１３】
（３）前記手段（２）において、前記本体部および前記重畳部ならびに前記本体部と重畳部との間のリードは、１枚のフレキシブル配線基板に固定されている。
【００１４】
（４）前記手段（２）において、前記本体部の下面から熱伝導性の良好な材質からなる板状の放熱板を突出させ、かつ少なくとも前記放熱板の一部は前記本体部の他の面から本体部外に突出させている。
【００１５】
（５）前記手段（２）において、前記重畳部の少なくとも１つは熱伝導性の良好な材質からなる放熱板となり、少なくとも一端は本体部の一縁より外側に突出している。
【００１６】
（６）前記手段（２）において、前記本体部または重畳部の偏平面には実装基板に挿入固定される固定ピンを有する補強板が固定されている。
【００１７】
（７）前記手段（２）において、前記本体部および重畳部の下方に突出するリードは、一部がリード挿入型構造となり他部が表面実装型構造となっている。
【００１８】
（８）上下に亘って偏平となる本体部と、前記本体部の偏平面に直接的または間接的に固定される複数の重畳部と、前記本体部の内部から各重畳部に亘って配設される複数のリードと、前記本体部の底面から突出するリードと、前記重畳部に絶縁的に支持されかつ重畳部の下方から突出する複数のリードと、前記本体部内に封止された少なくとも一つの半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記本体部内のリードの先端を電気的に接続する接続手段とからなり、前記重畳部のうちの少なくとも一部の重畳部では少なくとも１つの半導体チップが組み込まれ、重畳部に延在するリード先端と前記半導体チップの電極は電気的接続手段によって接続され、半導体チップ等電子部品が組み込まれない重畳部では前記本体部から重畳部に延在するリードは重畳部でそのまま延在して重畳部の下方に突出するリードに連なっている。
【００１９】
（９）前記手段（８）において、前記本体部および重畳部ならびに前記本体部と重畳部との間のリード等は１枚のフレキシブル配線基板に固定されている。
【００２０】
（半導体装置の製造方法）
（１０）上下に亘って偏平となる本体部と、前記本体部の偏平面に直接的または間接的に固定される複数の重畳部と、前記本体部の内部から各重畳部に亘って配設される複数のリードと、前記本体部の底面から突出するリードと、前記重畳部に絶縁的に支持されかつ重畳部の下方から突出する複数のリードと、前記本体部内に封止された少なくとも一つの半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記本体部内のリードの先端を電気的に接続する接続手段とからなり、前記本体部から重畳部に延在するリードは重畳部でそのまま延在して重畳部の下方に突出するリードに連なる半導体装置の製造方法であって、前記本体部部分を形成するリードパターンおよび前記重畳部部分を形成するリードパターンならびに前記本体部と重畳部との間のリードパターンを有するリードフレームを用意する工程と、前記本体部および重畳部を形成する工程と、不要リードフレーム部分を切断除去する工程と、前記本体部と重畳部との間のリード部分で折り返し、各重畳部を本体部に直接的または間接的に重ね、かつ固定する。
【００２１】
（１１）上下に亘って偏平となる本体部と、前記本体部の偏平面に直接的または間接的に固定される複数の重畳部と、前記本体部の内部から各重畳部に亘って配設される複数のリードと、前記本体部の底面から突出するリードと、前記重畳部に絶縁的に支持されかつ重畳部の下方から突出する複数のリードと、前記本体部内に封止された少なくとも一つの半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記本体部内のリードの先端を電気的に接続する接続手段とからなり、前記重畳部のうちの少なくとも一部の重畳部では少なくとも１つの半導体チップが組み込まれ、重畳部に延在するリード先端と前記半導体チップの電極は電気的接続手段によって接続され、半導体チップ等電子部品が組み込まれない重畳部では前記本体部から重畳部に延在するリードは重畳部でそのまま延在して重畳部の下方に突出するリードに連なる半導体装置の製造方法であって、前記本体部部分を形成するリードパターンおよび前記重畳部部分を形成するリードパターンならびに前記本体部と重畳部との間のリードパターン有するリードフレームを用意する工程と、前記本体部および重畳部を形成する工程と、不要リードフレーム部分を切断除去する工程と、前記本体部と重畳部との間のリード部分で折り返し、各重畳部を本体部に直接的または間接的に重ね、かつ固定する。
【００２２】
（１２）上下に亘って偏平となる本体部と、前記本体部の偏平面に直接的または間接的に固定される複数の重畳部と、前記本体部の内部から各重畳部に亘って配設される複数のリードと、前記本体部の底面から突出するリードと、前記重畳部に絶縁的に支持されかつ重畳部の下方から突出する複数のリードと、前記本体部内に封止された少なくとも一つの半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記本体部内のリードの先端を電気的に接続する接続手段とからなり、前記重畳部のうちの少なくとも一部の重畳部では少なくとも１つの半導体チップが組み込まれ、重畳部に延在するリード先端と前記半導体チップの電極は電気的接続手段によって接続され、半導体チップ等電子部品が組み込まれない重畳部では前記本体部から重畳部に延在するリードは重畳部でそのまま延在して重畳部の下方に突出するリードに連なり、前記本体部および重畳部ならびに前記本体部と重畳部との間のリードは１枚のフレキシブル配線基板に支持されてなる半導体装置の製造方法であって、前記本体部部分を形成するリードパターンおよび前記重畳部部分を形成するリードパターンならびに前記本体部と重畳部との間のリードパターンを有するフレキシブル配線基板を用意する工程と、前記本体部および重畳部を形成する工程と、不要フレキシブル配線基板部分を切断除去する工程と、前記本体部と重畳部との間のフレキシブル配線基板部分で折り返し、各重畳部を本体部に直接的または間接的に重ね、かつ固定する。
【００２３】
（電子装置）
（１３）実装基板と、前記実装基板に実装される半導体装置とを有する電子装置であって、前記半導体装置は上下に亘って偏平となる本体部と、前記本体部の底面から突出する複数のリードと、前記本体部内に組み込まれる少なくとも一つの半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記本体部内のリードの先端を電気的に接続する接続手段とを有し、前記リードの一部は前記本体部の底面および偏平面以外の少なくとも一面から本体部外に突出するとともに折り返されて前記本体部の偏平面に沿って延在し、先端は前記本体部底面から突出するリードと並んで配列されている。
【００２４】
（１４）前記手段（１３）において、前記本体部の偏平面に沿って延在するリード部分は前記本体部に直接的または間接的に重なりかつ固定される重畳部で支持されている。
【００２５】
（１５）前記手段（１４）において、前記重畳部の少なくとも１つには、半導体チップが組み込まれ、所定のリードと前記半導体チップの電極は接続手段によって接続されている。
【００２６】
【発明の実施の形態】
（半導体装置）
前記（１）の手段によれば、本体部の底面から突出したリードはそのまま実装用リードとして使用されるとともに、本体部の底面および偏平面を除く他の面から突出したリードも折り返されて前記本体部の底面側に延在させられて実装用リードとして使用される構造となっていることから、リード数が多くても本体部の小型化が図れる。
【００２７】
また、実装基板に取り付けられる実装用リードは、本体部底面から突出するリードと、本体部の偏平面に沿って延在するリードとからなるため、リード数が多くても実装面積の縮小化が図れる。
【００２８】
前記（２）の手段によれば、本体部の底面から突出したリードはそのまま実装用リードとして使用されるとともに、本体部の底面および偏平面を除く他の面から突出したリードも折り返されて前記本体部の底面側に延在させられて実装用リードとして使用される構造となっていることから、リード数が多くても本体部と重畳部とからなる半導体装置本体の小型化が図れる。また、実装面積の縮小化が図れる。
【００２９】
また、本体部の偏平面に沿って延在するリード部分は重畳部で支持され、かつ前記重畳部は本体部に固定されているため、実装用リードはそれぞれ強固に支持されることになる。
【００３０】
前記（３）の手段によれば、フレキシブル配線基板を使うことで配線数を増やせ、リード部分の折り返しが容易となる。
【００３１】
前記（４）の手段によれば、前記本体部の下面から板状の放熱板を突出させ、かつ少なくとも前記放熱板の一部は前記本体部の他の面から本体部外に突出させていることから、本体部内の半導体チップから放出される熱の放散が可能となり、半導体装置の安定動作が達成できる。
【００３２】
前記（５）の手段によれば、前記重畳部の少なくとも１つは熱伝導性の良好な材質からなる放熱板となっているため、リードを介して前記本体部内の半導体チップから放出される熱の放散が可能となり、半導体装置の安定動作が達成できる。
【００３３】
前記（６）の手段によれば、前記本体部または重畳部の偏平面には実装基板に挿入固定される固定ピンを有する補強板が固定されていることから、半導体装置の実装の機械的強度が高くなる。
【００３４】
前記（７）の手段によれば、半導体装置の実装時、リード挿入型構造のリードで実装用の位置決めができるため、他の表面実装型構造のリードの実装の位置決めが自動的に行える。
【００３５】
前記（８）の手段によれば、本体部の底面から突出したリードはそのまま実装用リードとして使用されるとともに、本体部の底面および偏平面を除く他の面から突出したリードも折り返されて前記本体部の底面側に延在させられて実装用リードとして使用される構造となっていることから、リード数が多くても本体部と重畳部とからなる半導体装置本体の小型化が図れる。また、実装面積の縮小化が図れる。
【００３６】
また、本体部の偏平面に沿って延在するリード部分は重畳部で支持され、かつ前記重畳部は本体部に固定されているため、実装用リードはそれぞれ強固に支持されることになる。
【００３７】
また、前記重畳部のうちの少なくとも一部の重畳部では少なくとも１つの半導体チップが組み込まれていることから、半導体チップの組み込み数の増大が図れ、より高集積化が達成できる。
【００３８】
前記（９）の手段によれば、フレキシブル配線基板を使うことで配線数を増やせ、リード部分の折り返しが容易となり、組立作業が用意となる。
【００３９】
（半導体装置の製造方法）
前記（１０）の手段によれば、リードフレームを使用して前記本体部および重畳部を形成した後、前記リードフレームの不要部分を切断除去し、かつ前記本体部と重畳部との間のリード部分を折り返して各重畳部を本体部に直接的または間接的に重ねて固定して半導体装置を製造するため、小型でかつ実装面積を小さくできる半導体装置を容易に製造することができる。
【００４０】
前記（１１）の手段によれば、リードフレームを使用して前記本体部および重畳部を形成した後、前記リードフレームの不要部分を切断除去し、かつ前記本体部と重畳部との間のリード部分を折り返して各重畳部を本体部に直接的または間接的に重ねて固定して半導体装置を製造するため、小型でかつ実装面積を小さくできる半導体装置を容易に製造することができる。
【００４１】
前記（１２）の手段によれば、１枚のフレキシブル配線基板を使用して前記本体部および重畳部を形成した後、前記フレキシブル配線基板の不要部分を切断除去し、かつ前記本体部と重畳部との間のフレキシブル配線基板部分を折り返して各重畳部を本体部に直接的または間接的に重ねて固定して半導体装置を製造するため、小型でかつ実装面積を小さくできる半導体装置を容易に製造することができる。
【００４２】
（電子装置）
前記（１３）の手段によれば、半導体装置の本体部の底面から突出したリードはそのまま実装用リードとして使用されるとともに、本体部の底面および偏平面を除く他の面から突出したリードも折り返されて前記本体部の底面側に延在させられて実装用リードとして使用される構造となっていることから、リード数が多くても実装面積の縮小化を図ることができる。
【００４３】
前記（１４）の手段によれば、前記本体部の偏平面に沿って延在するリード部分は前記本体部に直接的または間接的に重なりかつ固定される重畳部で支持されていることから実装用リードの機械的強度が高く、実装の信頼性が高い。
【００４４】
前記（１５）の手段によれば、前記本体部以外の重畳部の少なくとも１つには、半導体チップが組み込まれていることから、半導体装置はより高集積となり、電子装置の高集積化が達成される。
【００４５】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００４６】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
図１は本発明の一実施形態（実施形態１）である半導体装置と実装基板を示す斜視図、図２は本実施形態１の半導体装置の実装状態を示す斜視図、図３は本実施形態１の半導体装置の外観を示す図、図４は本実施形態１の半導体装置のリード例を示す説明図、図５は本実施形態１における本体部と重畳部との相関を示す概念的な展開図、図６は本実施形態１における本体部と重畳部との相関を示す展開図である。
【００４７】
（半導体装置）
本実施形態１の半導体装置１は縦実装型の半導体装置となり、外観的には、図１および図３（ａ：正面図，ｂ：左側面図，ｃ：平面図）に示すように、矩形板状の本体部２と、この本体部２の前面および後面にそれぞれ直接的または間接的に重ねて固定された３つの重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄと、前記本体部２の上面および両側面から突出しかつ途中で折り返されて各重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの周面内に進入するリード（連結用リード）４ｂ，４ｃ，４ｄと、前記本体部２および重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの各底面から下方に突出するリード（実装用リード）５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄとからなっている。
【００４８】
前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは、リードを支持補強する役割と、各リード間隔を一定に保つ役割を果たす。重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは、前記本体部２の各面から突出するリードを、その面ごとそれぞれ封止支持する。
【００４９】
また、前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは前記本体部２と同じ大きさとなっている。したがって、本実施形態１の半導体装置１は、本体部２とこの本体部２に重なった重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄによって半導体装置本体６が構成され、この上下に亘って偏平となる半導体装置本体６の底面からリード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを４列に並んで突出させた縦実装型半導体装置となる。
【００５０】
前記本体部２および重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは、後述するが、トランスファモールドによる封止体によって形成されている。図５に示すように、前記本体部２は通常のレジンパッケージ型半導体装置のパッケージと同様に内部に半導体チップを組み込む構造となっているが、前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは、単にリード５を両面側から封止するだけの構造となっている。したがって、重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの厚さは本体部２に比較して薄くなっている。
【００５１】
そこで、リード列間のピッチを一定とするため、リード５ｄは、図１に示すように、途中で１段外側に階段状に屈曲させてある。
【００５２】
本実施形態１の半導体装置１では、リード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄはリード挿入型となり、リード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄの先端形状は、図４（ａ）〜（ｃ）に示すような形状になっている。すなわち、リード５は、図４（ａ）に示すように両側から細くなるもの、図４（ｂ）に示すように片側から細くなるもの、図４（ｃ）に示すように途中で１段屈曲したものとなっている。前記屈曲部分や細くくびれた部分から幅が太くなる部分は、実装基板の挿入孔の縁にぶつかり、必要以上にリードが挿入されないようになる。
【００５３】
前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは、図示しない接着剤や接着テープを介して直接的または間接的に本体部２の広い偏平面（前面および後面）に固定されている。本体部２および重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは、図６に示すように、たとえば、トランスファモールドによって平面的に形成される。その後、中央の本体部２の左側の重畳部３ｂをリード４ｂの途中で折り返して本体部２の前面に重ねて接着した後、右側の重畳部３ｃをリード４ｃの途中で折り返して前記重畳部３ｂ上に接着固定し、その後上側の重畳部３ｄをリード４ｄの途中で背面側に折り返して前記本体部２の後面に接着固定する。
【００５４】
図５および図６は、本実施形態１の半導体装置１の製造において、リードフレームの各部をトランスファモールドによって封止して本体部２および重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを形成した後、不要なリードフレーム部分を切断除去した状態を示す図であり、図５は本体部２および重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄに封止されたものが分かる状態とした模式的展開図である。
【００５５】
図５で分かるように、前記本体部２の内部中央には、４隅をタブ吊りリード１５で支持された矩形のタブ１６が位置している。そして、このタブ１６上には、半導体チップ（ＩＣチップ）１７が固定されている。また、本体部２の４辺から本体部２の内部に延在するリード５ａおよびリード４ｂ，４ｃ，４ｄの先端は、前記タブ１６の周囲に臨んでいる。前記リード５ａおよびリード４ｂ，４ｃ，４ｄの先端と、前記半導体チップ１７の図示しない電極は導電性のワイヤ１８で接続されている。
【００５６】
また、前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄにおいて、各リード５は、重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄが連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄの中間で折り返された際、重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄから突出する５ｂ，５ｃ，５ｄが、本体部２のリード５ａと並列となるように、重畳部３ｂ，３ｃでは屈曲し、重畳部３ｄでは直進するパターンとなっている。
【００５７】
なお、重畳部でのリードの屈曲パターンを適当に選択すれば、図２８に示すように、本体部２に直接的または間接的に重なる重畳部を４つ（重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ）とすることもできる。図２８の半導体装置の場合は、前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅの一端からそれぞれ実装用リード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅが出る構造となるため、より一層の多リード化が実現できる。図２８の半導体装置１の場合では、重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅのうちの幾つかあるいは全部に半導体チップを組み込めば、さらなる高機能化，高集積化が実現できる。また、本発明の半導体装置はさらに重畳部を多くしてもよい。
【００５８】
本実施形態１の半導体装置１は、従来のＱＦＰパッケージのように、矩形パッケージとなる本体部２の４辺からそれぞれリードを突出させる構造を採用していることから、多リード化が達成できる。また、本体部２の３辺から突出したリードを折り返しかつ屈曲させて本体部２の偏平面に沿って延在させて実装用リードとして使用するため、従来の縦実装型半導体装置構成とすることができる。これによって、小型でかつ多リードの半導体装置１を提供できることになる。また、半導体装置１は縦実装型構造となることから、実装面積の縮小化も達成できる。
【００５９】
本実施形態１の場合は、前記本体部２はレジンパッケージ構成となっているが、半導体チップを内蔵したセラミックパッケージ構成や金属のケースからなるキャンパッケージ構成でもよい。また、他の実施形態として後述するように、前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの内の全部または幾つかは、半導体チップを組み込むものでもよい。
【００６０】
また、本実施形態１では、本体部２に半導体チップを組み込む構造となっているが、本発明では、前記本体部２においてリードのみを支持（封止）する構造であっても何ら支障を来さない。
【００６１】
また、前記連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄは封止体から露出し、ショートのおそれがあることから、樹脂やエナメル等絶縁物質をリード表面に塗布または再封止しても良い。
【００６２】
（電子装置）
ここで、本実施形態１の半導体装置１の製造方法を説明する前に、本実施形態１の半導体装置１を実装した電子装置について説明する。
【００６３】
図１において、半導体装置１の下方に示すものは、実装基板７である。この実装基板７には、前記半導体装置１のリード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを挿入するための挿入孔９が設けられている。また、図示はしないが、各挿入孔９の縁は導体で形成されるとともに、配線に繋がっている。
【００６４】
図２は半導体装置１が実装基板７に実装された状態、すなわち、電子装置の一部を示すものである。実装基板７の各挿入孔９に挿入されたリード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄは、図示しない半田等の接合材によって固定されている。
【００６５】
本実施形態１の電子装置においては、半導体装置１の本体部２の底面から突出したリード５ａはそのまま実装用リードとして使用されるとともに、本体部２の底面および偏平面を除く他の面から突出したリード５ｂ，５ｃ，５ｄも折り返されて前記本体部２の底面側に延在させられて実装用リードとして使用される構造となっていることから、リード数が多くても実装面積の縮小化を図ることができる。
【００６６】
また、本実施形態１の電子装置においては、前記本体部２の偏平面に沿って延在するリード部分は、前記本体部２に固定される重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄで支持されていることから実装用の各リード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄの機械的強度が高く、実装の信頼性が高くなる。
【００６７】
また、本実施形態１の半導体装置１において、重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの少なくとも一つに半導体チップを組み込む構造とすれば、半導体装置はより高集積なものとなり、電子装置の高集積化が達成できる。
【００６８】
（半導体装置の製造方法）
つぎに、本実施形態１の半導体装置１の製造方法について説明する。図５乃至図８は本実施形態１の半導体装置の製造方法に係わる図であって、図５は本体部と重畳部との相関を示す概念的な展開図、図６は本体部と重畳部との相関を示す展開図、図７は半導体装置の製造の各工程を示す平面図、図８は半導体装置の製造の各工程を示す平面図である。
【００６９】
本実施形態１の半導体装置の製造方法は、要約すると、上下に亘って偏平となる本体部２と、前記本体部２の偏平面に直接的または間接的に固定される複数の重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄと、前記本体部２の内部から各重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄに亘って配設される複数のリード（連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄ）と、前記本体部２の底面から突出するリード（実装用リード５ａ）と、前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄに絶縁的に支持されかつ重畳部の下方から突出する複数のリード（実装用リード５ｂ，５ｃ，５ｄ）と、前記本体部２内に封止された少なくとも一つの半導体チップ１７と、前記半導体チップ１７の電極と前記本体部２内のリード５の先端を電気的に接続する接続手段（ワイヤ１８によるワイヤボンディング）とからなり、前記本体部２から重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄに延在するリード（連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄ）は重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄでそのまま延在して重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの下方に突出するリード（実装用リード５ｂ，５ｃ，５ｄ）に連なる半導体装置１の製造方法であって、前記本体部部分を形成するリードパターン（本体部リードパターン２２）および前記重畳部部分を形成するリードパターン（重畳部リードパターン２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ）ならびに前記本体部２と重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄとの間のリードパターン（連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄ）を有するリードフレーム２０を用意する工程と、前記本体部２および重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを形成する工程と、不要リードフレーム部分を切断除去する工程と、前記本体部２と重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄとの間のリード部分（連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄ）で折り返し、各重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを本体部２に直接的または間接的に重ね、かつ固定する方法である。
【００７０】
つぎに、具体的に本実施形態１の半導体装置の製造方法について説明する。
【００７１】
最初に、図７（ａ）に示すように、リードフレーム２０を用意する。リードフレーム２０は、０．１５〜０．２ｍｍ程度の厚さの金属板をエッチングや精密プレスによってパターニングされたものとなっている。金属としては、４２アロイやコバール等のＦｅ−Ｎｉ系合金や銅合金が使用される。
【００７２】
リードフレーム２０は、図７（ａ）に示すように所定部分を打ち抜いた枠構成の矩形枠板２１となり、矩形枠板２１の下部中央に前記本体部２を形成する本体部リードパターン２２が設けられている。また、前記本体部リードパターン２２の両側には重畳部リードパターン２３ｂ，２３ｃが設けられている。また、前記本体部リードパターン２２の上方には重畳部リードパターン２３ｄが設けられている。この説明部分では、上方，下方は図面を記載した用紙の上縁側または下縁側を示すことにする。また、両側とは用紙の両側縁側を示すことにする。
【００７３】
前記本体部リードパターン２２は、図５にも示すように矩形のタブ１６と、このタブ１６の４隅を支持する４本のタブ吊りリード１５と、前記タブ１６の４辺にそれぞれに先端を臨ませ、他端を前記重畳部リードパターン２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ内に延在させる複数のリード５とからなっている。
【００７４】
前記タブ吊りリード１５は矩形枠板２１に連結されている。
【００７５】
前記本体部リードパターン２２から４方向に延在するリード５において、本体部リードパターン２２の下側に延在するリード５は平行に延在してそれぞれ矩形枠板２１に連なっている。この部分のリード５は本体部２の実装用リード５ａとなる。
【００７６】
前記本体部リードパターン２２の上側に突出する複数のリード５は相互に平行に上方に直進して重畳部リードパターン２３ｄ内を通り矩形枠板２１に連なる。矩形枠板２１に連なるリード５部分は、重畳部３ｄの実装用リード５ｄとなる。各実装用リード５ｄは、直交して延在する細いダム２４ｄに支持されている。
【００７７】
前記本体部リードパターン２２の両側に延在するリード５は、重畳部リードパターン２３ｂ，２３ｃ内に進んだ後、斜め下方にそれぞれ４５度屈曲し、その後再び屈曲して下方に延在する。この先端部分は、重畳部３ｂ，３ｃの実装用リード５ｂ，５ｃとなる。前記実装用リード５ａ，５ｂ，５ｃはともに平行となる。そして、これら実装用リード５ａ，５ｂ，５ｃは、直交する細いダム２４ａ，２４ｂ，２４ｃに途中を支持される構造となっている。
【００７８】
前記リード５において、本体部リードパターン２２と重畳部リードパターン２３ｂ，２３ｃ，２３ｄとの間の部分を、特に連結用リード（リード４ｂ，４ｃ，４ｄ）と呼称する。連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄの内、連結用リード４ｂ，４ｃは同じ長さとなるが、連結用リード４ｄは、前述のように本体部２に対する重ね合わせ状態が異なることから、すなわち、重畳部３ｂ，３ｃは本体部２に直接的に重なるが、重畳部３ｄは本体部２に重ねられた重畳部３ｃに重なることから、図６および図７（ｄ）に示すように長くなっている。
【００７９】
前記リードフレーム２０は、必要に応じて各所がメッキ処理されている。
【００８０】
つぎに、前記リードフレーム２０に対して、図７（ｂ）に示すようにタブ１６上に半導体チップ１７が固定される。半導体チップ１７の固定は、通常取られる方法、たとえば、金とシリコンの共晶合金によるもの、銀ペースト等の導電性樹脂（接着剤）によるもの、接着テープによるものが採用される。
【００８１】
つぎに、図７（ｃ）および図５に示すように、前記半導体チップ１７の図示しない電極と、半導体チップ１７の周辺に先端を臨ませるリード５の先端部分が導電性のワイヤ１８で接続される。この電気的接続手段は、バンプを利用したフェイスダウン構造，ビームリード構造等としても良い。
【００８２】
つぎに、図７（ｄ）および図６に示すように、本体部リードパターン２２部分と３つの重畳部リードパターン２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ部分に対して、トランスファモールドによって封止を行い封止体２５（本体部２および重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄ）を形成する。
【００８３】
つぎに、図８（ａ）に示すように、不要なリードフレーム部分、すなわち、ダム２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄが切断除去されるとともに、実装用リード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄが矩形枠板２１から切り離される。しかし、タブ１６はタブ吊りリード１５を介して矩形枠板２１に支持されている。この際、モールド時に発生したレジンバリも除去する。この時必要ならば、図３（ｂ）５ｃのようにリードを成形して折り曲げる。
【００８４】
なお、本実施形態１では、その後の作業性を良くするために、前記タブ１６をタブ吊りリード１５で矩形枠板２１に固定した状態としてあるが、この時点でタブ１６の付け根でタブ吊りリード１５を切断し、本体部２や重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄをリードフレーム２０から完全に分離させ、図６の状態としても良い。
【００８５】
つぎに、図８（ｂ）に示すように、重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの偏平面において、重畳部３ｂ，３ｃにあっては前面に接着剤や接着テープ等の接着剤２６を付け、重畳部３ｄにあっては後面に接着剤２６を付ける。接着剤の代わりに接着テープを付けても良い。接着剤２６の場合は、必要に応じて加熱炉で硬化を促進させても良い。
【００８６】
つぎに、図８（ｃ）に示すように、重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを本体部２に対して折り返して重ねて接着する。すなわち、最初に前記連結用リード４ｂを前面側に折り返して重畳部３ｂを本体部２に重ねて接着する。その後、連結用リード４ｃを前面側に折り返して重畳部３ｃを本体部２に固定された重畳部３ｂに重ねて接着する。また、連結用リード４ｄを後面側に折り返して重畳部３ｄを本体部２の後面に重ねて接着する。重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの本体部２に対する直接的または間接的な固定によって、図８（ｄ）に示すように本体部２と重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄからなる半導体装置本体６が形成される。
【００８７】
つぎに、図８（ｅ）に示すように、タブ吊りリード１５を本体部２の付け根から切断することによって半導体装置１が製造されることになる。
【００８８】
本実施形態１によればつぎのような効果が得られる。
【００８９】
（１）本実施形態１の半導体装置１は、本体部２の底面から突出したリード５ａはそのまま実装用リードとして使用されるとともに、本体部２の底面および偏平面を除く他の面から突出したリードも折り返されて前記本体部の底面側に延在させられて実装用リード５ｂ，５ｃ，５ｄとして使用される構造となっていることから、リード数が多くても本体部の小型化が図れる。
【００９０】
（２）本実施形態１の半導体装置１は、本体部２の両側面および上面から突出させたリードを本体部２の偏平面となる前面および後面に沿って延在させるが、これらのリードは薄い重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄで支持されていることから、本体部２と重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄからなる半導体装置本体６の厚さは薄くできる。
【００９１】
（３）前記（１）および（２）により、半導体装置１は実装面積の小さい半導体装置となる。
【００９２】
（４）本実施形態１の半導体装置１は、実装用リード５ａは本体部２に支持され、実装用リード５ｂ，５ｃ，５ｄは重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄに支持されていることから、実装用リードはそれぞれ強固に支持されることになる。
【００９３】
（５）本実施形態１の半導体装置の製造方法によれば、リードフレーム２０を使用して前記本体部２および重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを形成した後、前記リードフレーム２０の不要部分を切断除去し、かつ前記本体部２と重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄとの間のリード部分（連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄ）を折り返して各重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを本体部２に直接的または間接的に重ねて固定して半導体装置１を製造するため、小型でかつ実装面積を小さくできる半導体装置を容易に製造することができる。
【００９４】
つぎに、本実施形態１において下記のような手法を採用しても良い。
【００９５】
たとえば、リードの変形を防ぐため、所定部分を絶縁性の樹脂テープやフィルムを張り付けても良い。
【００９６】
また、連結用リード等の各リード間を切断成形時に切り離す補強用のフレームで固定しても良い。
【００９７】
また、半導体チップの搭載方法として、一度配線基板に取り付けてワイヤボンディングし、その配線基板とリードフレームを再度ボンディングして取り付ける構造も考えられる。この場合、リードフレームにはタブを設けなくとも良い場合もある。
【００９８】
図９は本実施形態１の第１変形例による半導体装置の側面図である。この半導体装置１では、実装用実装用リード５ａ，５ｂ，５ｃをそれぞれジグザクに配置した構造となっている。リード配列をジグザグとすることによって、リードピッチをより小さくでき、実装の効率化を高めることができる。
【００９９】
図１０（ａ），（ｂ）は本実施形態１の第２変形例による半導体装置を示す図である。この実施形態の半導体装置１は実装用リード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを表面実装型としたものである。この方法ではスルーホールが無いため、基板裏面を有効に使用できる。
【０１００】
図１１（ａ），（ｂ）は本実施形態１の第３変形例による半導体装置を示す図である。この実施形態の半導体装置１は、実装用リードのうちの一部をリード挿入型リード３０となり、他部が表面実装型リード３１となっていることから、半導体装置１の実装時、リード挿入型リード３０で実装用の位置決めができるため、他の表面実装型リード３１の実装の位置決めが自動的に行え、基板実装時の装置ズレが防げ、実装用スルーホールが少ないため基板裏面を有効に使用できる。
【０１０１】
（実施形態２）
図１２は本発明の他の実施形態（実施形態２）である半導体装置を示す図、図１３は本実施形態２の半導体装置の製造における本体部とリードとの相関を示す平面図である。
【０１０２】
本実施形態２の半導体装置１は、最もシンプルな構造の縦実装型半導体装置である。
【０１０３】
本実施形態２の半導体装置１は、要約すると、図１２および図１３に示すように、上下に亘って偏平となる本体部２と、前記本体部２の底面から突出する複数のリード５（実装用リード５ａ）と、前記本体部２内に組み込まれる少なくとも一つの半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記本体部内のリードの先端を電気的に接続する接続手段とを有する半導体装置であって、前記リード５の一部は前記本体部２の底面および偏平面以外の少なくとも一面から本体部２外に突出するとともに折り返されて前記本体部２の偏平面３５に沿って延在し、先端のリード５（実装用リード５ｄ）は前記本体部２底面から突出するリード（実装用リード５ａ）と並んで配列されている構造となっている。
【０１０４】
つぎに、本実施形態２の半導体装置１について具体的に説明する。
【０１０５】
半導体装置１は、図１２および図１３に示すように、上下に偏平となり、内部に半導体チップを組み込んだ矩形状の本体部２と、前記本体部２の底面から突出する複数の実装用リード５ａと、前記本体部２の上面から突出した複数のリード５とからなっている。前記本体部２の上面から突出した複数のリード５は、本体部２の付け根近傍で本体部２の前面側に折り返されて本体部２の偏平面３５に重ねられている。
【０１０６】
本体部２の前面の偏平面３５には、図１３に示すように、上下に延びる溝３６が平行に設けられ、折り返されたリード５は、各溝３６に嵌まり込んでいる。また、嵌まり込んだリード５は図示しない接合材によって本体部２に固定されている。
【０１０７】
前記溝３６から下に延在するリード５は実装用リード５ｄとして使用される。実装用リード５ａおよび実装用リード５ｄは平行に並ぶ。
【０１０８】
本実施形態２の半導体装置１は、本体部２の底面から突出したリードはそのまま実装用リード５ａとして使用されるとともに、本体部２の底面および偏平面３５を除く他の面から突出したリード５も折り返されて前記本体部２の底面側に延在させられて実装用リード５ｄとして使用される構造となっていることから、リード数が多くても本体部２の小型化が図れる。
【０１０９】
また、実装基板に取り付けられる実装用リード５ａ，５ｄは、本体部２の底面から突出するリードと、本体部の偏平面に沿って延在するリードとからなるため、リード数が多くても実装面積の縮小化が図れる。
【０１１０】
本実施形態２の半導体装置１においては、たとえば、前記溝３６に嵌め込んだリード５は、必ずしも固定する必要はない。また、前記溝３６を設けることなく、折り返したリード５を本体部２の偏平面３５側に沿わせるようにするだけでも良い。
【０１１１】
（実施形態３）
図１４は本発明の他の実施形態（実施形態３）である半導体装置を示す図、図１５は本実施形態３の半導体装置の製造における本体部と重畳部の相関を示す展開図である。
【０１１２】
本実施形態３の半導体装置１は、本実施形態２の半導体装置１において、本体部２の前面側に折り返したリードをレジンパッケージからなる重畳部３ｄで封止支持した構造となるものである。
【０１１３】
本実施形態３では、本体部２と重畳部３ｄとの重ね合わせ精度を上げるため、図１５に示すように、本体部２の前面の偏平面３５に位置決め用の突子３７を２つ設けるとともに、重畳部３ｄの対応する面に、前面および後面突子３７に対応して凹部３８を２つ設けた構造となっている。
【０１１４】
これによって、本体部２に重畳部３ｄを重ね合わせる際、凹部３８に突子３７を押し込み嵌合させることによって、本体部２に対して重畳部３ｄを高精度に重ね合わせることができる。
【０１１５】
図１６乃至図１８は本実施形態３の第１変形例による半導体装置に係わる図であり、図１６は半導体装置を示す図、図１７は半導体装置の製造において本体部と重畳部が展開された状態を示す展開図、図１８は半導体装置における位置決め爪を示す説明図である。
【０１１６】
本変形例の半導体装置１は、図１４および図１５で示す本実施形態３の半導体装置１における本体部２と重畳部３ｄの固定構造例を示すものである。本変形例では、本体部２の両端側に、図１８に示すような突出した位置決め爪３９を設けるとともに、重畳部３ｄの対応する位置に前記位置決め爪３９が通過できる位置決め溝４０を設けてなるものである。
【０１１７】
本体部２に重畳部３ｄを重ね合わせる際、前記位置決め爪３９は位置決め溝４０を通過して重畳部３ｄの反対面の縁に弾力的に引っ掛かり、本体部２と重畳部３ｄが一体化される。
【０１１８】
本変形例の半導体装置１では、位置決め用の位置決め爪３９および位置決め溝４０を設けることで、本体部２と重畳部３ｄの重ね合わせ精度が高くなるとともに、半導体装置本体６の固定も確実になる。
【０１１９】
図１９は本実施形態３の第２変形例による半導体装置を示す図、図２０は本実施形態３の第２変形例による半導体装置の製造において本体部と重畳部の相関を示す展開図である。
【０１２０】
本変形例は本実施形態３の第１変形例と同様に、半導体装置１における本体部２と重畳部３ｄの固定構造に関するものである。本変形例では、図２０に示すように、重畳部３ｄの両側面からリードを幅広い状態で一枚突出させて固定用リード４１とする。そして、この固定用リード４１を、図１９に示すように、本体部２の両端部分に折り曲げて引っ掛ける。この場合、図２０に示すように、前記固定用リード４１を受け入れる受け溝４２を本体部２に設けておいても良い。
【０１２１】
（実施形態４）
図２１は本発明の他の実施形態（実施形態４）である半導体装置を示す図、図２２は本実施形態４の半導体装置の製造において本体部と重畳部が展開された状態を示す概念的平面図である。
【０１２２】
本実施形態４の半導体装置１は、本体部２内のタブ１６（すなわち、リード５を形成する板材）をそのまま本体部２の上下面から突出させて幅広い一枚とし、放熱板４５として使用したものである。すなわち、リードやタブ１６を構成する材料は前述のように、熱伝導性の良好な金属板で形成されるため、放熱板として使用できる。
【０１２３】
そこで、本実施形態４では、本体部２の底面から突出するリード部分を実装用放熱板４６として使用する。本実施形態４の半導体装置１においては、実装用リードは表面実装型となっていることから，前記実装用放熱板４６も表面実装型構造となっている。本体部２の上面から突出する放熱板４５は、放熱のためにそのまま真っ直ぐ上方に延在している。
【０１２４】
また、本実施形態１の半導体装置１では、前記重畳部３ｂ，３ｃは平行に延在する複数のリード５の一面に張り付けた板で形成されている。重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは、金属板，セラミック板，樹脂板からなり、絶縁性の接着剤や接着テープを介してリード５に接着されている。この重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは、リード補強の役割を果たす。
【０１２５】
本実施形態４の半導体装置１は、本体部２から板状の放熱板４５が外に向かって突出する構造となっていることから、本体部２内の半導体チップ１７から放出される熱の放散が可能となり、半導体装置１の安定動作が達成できる。
【０１２６】
また、本実施形態４の半導体装置１においては、重畳部３ｂ，３ｃは板体となり、トランスファモールドによる封止体構造と比較して薄くなるため、半導体装置本体６の厚さをさらに薄くでき、半導体装置１の薄型化や実装面積の縮小化が達成できる。
【０１２７】
（実施形態５）
図２３は本発明の他の実施形態（実施形態５）である半導体装置を示す図、図２４は本実施形態５の半導体装置の製造において本体部と重畳部が展開された状態を示す概念的平面図である。
【０１２８】
本実施形態５の半導体装置１は、本体部２から左右側方および上方に延在するリード５を、前記本実施形態４の場合と同様に金属板，セラミック板，樹脂板からなる重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄで支持補強した構造となっている。本体部２の各面から突出するリードは、その面ごとのリードずつ各重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄに絶縁性の接着剤や接着テープで固定される。
【０１２９】
また、前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの内、本体部２の両側の重畳部３ｂ，３ｃは、その上端が本体部２の１縁（１辺）よりも外側に長く突出している。
【０１３０】
本実施形態５の半導体装置１においては、重畳部３ｂ，３ｃが放熱板となっているため、リード５を介して前記本体部２内の半導体チップ１７から放出される熱の外部への放散が可能となり、半導体装置１の安定動作が達成できる。
【０１３１】
また、本実施形態５の半導体装置１は、重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄは板体となり、トランスファモールドによる封止体構造と比較して薄くなるため、半導体装置本体６の厚さをさらに薄くでき、半導体装置１の薄型化や実装面積の縮小化が達成できる。
【０１３２】
本実施形態５では、前記重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの少なくとも１つは熱伝導性の良好な材質からなる放熱板となっていれば良い。また、前記放熱板は、放熱効果を保つためにも、放熱板の一端が本体部２の一縁（１辺）より外側に突出している必要がある。
【０１３３】
（実施形態６）
図２５は本発明の他の実施形態（実施形態６）である半導体装置を示す図であり、図２５（ａ）は半導体装置１の正面図、図２５（ａ）は左側面図である。
【０１３４】
本実施形態６の半導体装置１は、実装用リード５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄが表面実装型となる半導体装置１において、前記重畳部３ｄの偏平面に、実装基板に挿入される固定ピン５０を有する補強板５１が固定されている。前記固定ピン５０は両側に２本設けられている。
【０１３５】
本実施形態６の半導体装置１は、重畳部３ｄの偏平面には実装基板に固定される固定ピン５０を有する補強板５１が固定されていることから、半導体装置の実装の機械的強度が高くなる。すなわち、固定ピン５０を実装基板に挿入固定することによって、高さのある表面実装型半導体装置の実装時の倒れや位置ずれを防止することができ、実装の作業性が向上する。
【０１３６】
本実施形態６では、固定ピン５０を有する補強板５１は重畳部が少ない場合は、本体部２に直接設けても良い。
【０１３７】
（実施形態７）
図２６は本発明の他の実施形態（実施形態７）である半導体装置の製造において本体部とリード補強部が展開された状態を示す概念的平面図である。
【０１３８】
本実施形態７の半導体装置１は、リードフレームの代わりにフレキシブル配線基板５２を使用したもので、本体部リードパターン２２部分に矩形枠からなる樹脂流れ止め枠５３を使用してポッティングで樹脂封止して本体部２を形成する。
【０１３９】
また、重畳部リードパターン２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ部分では、リード５およびフレキシブル配線基板５２に補強板としての重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを張り付ける。
【０１４０】
本実施形態７の場合も、重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを本体部２に直接的または間接的に重ねて固定して、半導体装置１を製造する。
【０１４１】
本実施形態７の半導体装置１は、フレキシブル配線基板５２を使うことで配線数を増やせる。また、フレキシブル配線基板５２を使うことでリード部分（連結用リード）の折り返しが容易となり、組立の作業性が向上する。
【０１４２】
本実施形態７において、半導体チップ（ＩＣチップ）１７の搭載方法として、図のように半導体チップ１７をフレキシブル配線基板５２に直付けで搭載し、ワイヤボンディングで配線接続する場合、一度他の配線基板に取り付けてワイヤボンディングし、フレキシブル配線基板５２を再度ボンディングして取り付ける場合、バンプを付けた配線を半導体チップ１７の電極パッド部にギャングボンディングで一括して取り付ける方法等が考えられる。フレキシブル基板は折り返し部（４ｂ，４ｃ，４ｄ）のみフレキシブルで他部は通常の基板でできたものでもよい。
【０１４３】
また、実装基板に実装するリード先端部は、金属ピンをフレキシブル配線基板５２に取り付けたものとしてもよい。
【０１４４】
（実施形態８）
図２７は本発明の他の実施形態（実施形態８）である半導体装置の製造において本体部と重畳部が展開された状態を示す概念的平面図である。
【０１４５】
本実施形態８の半導体装置１は、半導体チップ等電子部品を本体部以外の重畳部に組み込む例である。また、この場合、半導体装置１を製造するためにリードフレームを使用してもよいが、この例の場合は本実施形態７の場合同様にフレキシブル配線基板を使用したものである。
【０１４６】
本実施形態８の半導体装置１の構造について、その製造を説明することによって説明する。
【０１４７】
本実施形態８の半導体装置１は、図２７に示すように、その製造において、フレキシブル配線基板６０が用意される。このフレキシブル配線基板６０は、本体部２と３つの重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを形成する部分および連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄを配置する部分を有する。
【０１４８】
そして、前記本体部２および重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを形成する部分には、前記本実施形態７の場合と同様に、樹脂流れ止め枠５３が設けられている。
【０１４９】
本体部２の形成部分では、半導体チップ１７はフレキシブル配線基板６０に直に取り付けられる。
【０１５０】
重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄの形成部分では、樹脂流れ止め枠５３の内側にマルチチップモジュール板６１が取り付けらる。そして、このマルチチップモジュール板６１に半導体チップ１７やチップコンデンサやチップ抵抗等からなるチップ型電子部品６２が固定される。
【０１５１】
マルチチップモジュール板６１の配線（パッド）と、半導体チップ１７の電極はワイヤ１８で接続される。また、マルチチップモジュール板６１の配線（パッド）と、所定のリード５（実装用リード５ｂ，５ｃ，５ｄや連結用リード４ｂ，４ｃ，４ｄ）の先端はワイヤ１８で接続される。
【０１５２】
四か所の樹脂流れ止め枠５３内には、樹脂が封止されて、本体部２，重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄが形成される。四か所の樹脂流れ止め枠５３内には、たとえば、ポッティングによって樹脂が流し込まれる。
【０１５３】
図２７に示すフレキシブル配線基板６０は、図示はしてないが、本体部２に対して直接的または間接的に重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄを重ねて、半導体装置を製造する。
【０１５４】
これによって、マルチチップ構造の半導体装置（マルチチップモジュールが製造されることになる。
【０１５５】
本実施形態８の半導体装置の場合、前記半導体チップ１７の電極の接続手段としては、半導体チップ１７にバンプを形成しておき、一括して半導体チップ１７を配線（パッド）に固定するようにしても良い。
【０１５６】
また、完成品のＩＣパッケージをフレキシブル配線基板６０に半田付けや導電性接着剤を使用して搭載することも可能である。フレキシブル基板は折り返し部（４ｂ，４ｃ，４ｄ）のみフレキシブルで他部は通常の基板でもよい。
【０１５７】
また、基板に実装するリード先端部は金属ピンをフレキシブル配線基板に取り付けたものも考えられる。
【０１５８】
本実施形態８の半導体装置は、本体部２以外の重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄに半導体チップ１７やチップ型電子部品６１を搭載することから、集積度は格段に高くなり、半導体装置の実装面積の縮小化が達成できる。
【０１５９】
また、本実施形態８の半導体装置１は、フレキシブル配線基板６０を使うことで配線数を増やせる。また、フレキシブル配線基板６０を使うことで、リード部分の折り返しが容易となり、組立の作業性が良好となる。
【０１６０】
本実施形態８の半導体装置は、本体部２の底面から突出したリードはそのまま実装用リード５ａとして使用されるとともに、本体部２の底面および偏平面を除く他の面から突出したリードも折り返されて前記本体部２の底面側に延在させられて実装用リード５ｂ，５ｃ，５ｄとして使用される構造となっていることから、リード数が多くても本体部の小型化が図れる。また、実装面積の縮小化が図れる。
【０１６１】
本実施形態８では、一部の重畳部には電子部品を組み込まない構造としても良い。この場合、半導体チップ等の電子部品を組み込まない重畳部においては、前記本体部から重畳部に延在するリードは重畳部でそのまま延在して重畳部の下方に突出するリード（実装用リード）に連なる構造とする。
【０１６２】
（実施形態９）
図２８は本発明の他の実施形態（実施形態９）である半導体装置の製造において本体部と重畳部が展開された状態を示す平面図である。
【０１６３】
本実施形態９の半導体装置は、図２８に示すように、本体部２に対して、４つの重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを有するものであり、本体部２に対して直接的または間接的に重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを重ねることによって半導体装置が製造できる。本体部２や重畳部３ｄ，３ｅの形状は、重ね具合によって適宜選択すれば良い。
【０１６４】
本実施形態９の半導体装置１では、たとえば、本体部２以外の全ての重畳部３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅに半導体チップやチップ型電子部品等を組み込むようにすることでさらに高集積化が可能となり、実装面積の縮小化が達成できることになる。
【０１６５】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１６６】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【０１６７】
（１）半導体装置は、従来のＱＦＰパッケージのように、矩形パッケージとなる本体部２の４辺からそれぞれリードを突出させる構造を採用していることから、多リード化が達成できる。
【０１６８】
（２）半導体装置は、本体部の３辺から突出したリードを折り返しかつ屈曲させて本体部の偏平面に沿って延在させて実装用リードとして使用するため、従来の縦実装型半導体装置構成とすることができ、小型化および実装面積の縮小化が達成できる。
【０１６９】
（３）前記（１）および（３）により、小型，多リードでかつ実装面積の縮小化が図れる半導体装置を提供することができる。
【０１７０】
（４）半導体装置は、本体部とこの本体部に重ねられる複数の重畳部を有するが、前記重畳部にも半導体チップ等電子部品を組み込むことによって、一層の高集積化が達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である半導体装置と実装基板を示す斜視図である。
【図２】本実施形態１の半導体装置の実装状態を示す斜視図である。
【図３】本実施形態１の半導体装置の外観を示す図である。
【図４】本実施形態１の半導体装置のリード例を示す説明図である。
【図５】本実施形態１の半導体装置の製造における本体部と重畳部との相関を示す概念的な展開図である。
【図６】本実施形態１の半導体装置の製造における本体部と重畳部との相関を示す展開図である。
【図７】本実施形態１の半導体装置の製造の各工程を示す平面図である。
【図８】本実施形態１の半導体装置の製造の各工程を示す平面図である。
【図９】本実施形態１の第１変形例による半導体装置の側面図である。
【図１０】本実施形態１の第２変形例による半導体装置を示す図である。
【図１１】本実施形態１の第３変形例による半導体装置を示す図である。
【図１２】本発明の他の実施形態（実施形態２）である半導体装置を示す図である。
【図１３】本実施形態２の半導体装置の製造における本体部とリードとの相関を示す平面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態（実施形態３）である半導体装置を示す図である。
【図１５】本実施形態３の半導体装置の製造における本体部と重畳部の相関を示す展開図である。
【図１６】本実施形態３の第１変形例による半導体装置を示す図である。
【図１７】本実施形態３の第１変形例による半導体装置の製造における本体部と重畳部の相関を示す展開図である。
【図１８】本実施形態３の第１変形例による半導体装置における位置決め爪を示す説明図である。
【図１９】本実施形態３の第２変形例による半導体装置を示す図である。
【図２０】本実施形態３の第２変形例による半導体装置の製造において本体部と重畳部の相関を示す展開図である。
【図２１】本発明の他の実施形態（実施形態４）である半導体装置を示す図である。
【図２２】本実施形態４の半導体装置の製造において本体部と重畳部が展開された状態を示す概念的平面図である。
【図２３】本発明の他の実施形態（実施形態５）である半導体装置を示す図である。
【図２４】本実施形態５の半導体装置の製造において本体部と重畳部が展開された状態を示す概念的平面図である。
【図２５】本発明の他の実施形態（実施形態６）である半導体装置を示す図である。
【図２６】本発明の他の実施形態（実施形態７）である半導体装置の製造において本体部とリード補強部が展開された状態を示す概念的平面図である。
【図２７】本発明の他の実施形態（実施形態８）である半導体装置の製造において本体部と重畳部が展開された状態を示す概念的平面図である。
【図２８】本発明の他の実施形態（実施形態９）である半導体装置の製造において本体部と重畳部が展開された状態を示す平面図である。
【符号の説明】
１…半導体装置、２…本体部、３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ…重畳部、４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ…リード（連結用リード）、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ…リード（実装用リード）、６…半導体装置本体、７…実装基板、９…挿入孔、１５…タブ吊りリード、１６…タブ、１７…半導体チップ、１８…ワイヤ、２０…リードフレーム、２１…矩形枠板、２２…本体部リードパターン、２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ…重畳部リードパターン、２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ…ダム、２５…封止体、２６…接着剤、３０…リード挿入型リード、３１…表面実装型リード、３５…偏平面、３６…溝、３７…突子、３８…凹部、３９…位置決め爪、４０…位置決め溝、４１…固定用リード、４２…受け溝、４５…放熱板、４６…実装用放熱板、５０…固定ピン、５１…補強板、５２…フレキシブル配線基板、５３…樹脂流れ止め枠、６０…フレキシブル配線基板、６１…マルチチップモジュール板、６２…チップ型電子部品。
Claims (7)
- 離間配置された複数の部品取り付け部と、前記部品取り付け部間を相互に電気的に接続する配線部とを有する基板部材と、前記複数の部品取り付け部のそれぞれに取り付けられた電子部品とを有し、
前記複数の部品取り付け部は実質的に同じ大きさの矩形面形状に構成され、前記電子部品はそれぞれ矩形面内に配置されており、
隣接する前記電子部品は前記基板部材の同一面側に取り付けられており、
前記電子部品の少なくともひとつはＩＣ，ＬＳＩ等の半導体部品であり、
前記複数の部品取り付け部は、ひとつの電子部品のみが搭載された部品取り付け部と複数の電子部品が搭載された部品取り付け部とを含み、
前記基板部材を前記配線部部分で折り返して、前記複数の電子部品が互いに直接あるいは間接的に重畳して固定されてなることを特徴とする電子装置。 - 前記基板部材はフレキシブル配線部材からなることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
- 互いに離間して設けられた複数の部品取り付け部と、前記部品取り付け部間を電気的に接続する配線層と、前記複数の部品取り付け部と前記配線層を保持するフレキシブル部材からなる配線基板と、前記部品取り付け部のそれぞれに取り付けられた電子部品とを有し、
前記複数の部品取り付け部は実質的に同じ大きさの矩形面形状に構成され、前記電子部品はそれぞれ矩形面内に配置されており、
前記電子部品の少なくともひとつはＩＣ，ＬＳＩ等の半導体部品であり、
前記複数の部品取り付け部は、ひとつの電子部品のみが搭載された部品取り付け部と複数の電子部品が搭載された部品取り付け部とを含み、
前記電子部品が取り付けられた状態で前記複数の部品取り付け部が互いに重畳するように前記部品取り付け部間を延長するフレキシブル部材部分で折り曲げて、前記電子部品が互いに重畳積層した状態に固定されてなる実装構造を有することを特徴とする電子装置。 - 互いに離間して設けられ互いに実質的に同じ大きさの矩形面形状に構成された複数の部品取り付け部と、前記部品取り付け部間を電気的に接続し少なくとも前記複数の部品取り付け部間はフレキシブル配線部材によって構成された配線層と、前記部品取り付け部の前記矩形面内にそれぞれに取り付けられた電子部品とを有し、
前記電子部品の少なくともひとつはＩＣ，ＬＳＩ等の半導体部品であり、
前記複数の部品取り付け部は、ひとつの電子部品のみが搭載された部品取り付け部と複数の電子部品が搭載された部品取り付け部とを含み、
前記電子部品が取り付けられた状態で前記複数の部品取り付け部が互いに重畳するように前記部品取り付け部間を延長するフレキシブル部材部分で折り曲げて、前記電子部品が互いに重畳積層した状態に固定されてなる実装構造を有することを特徴とする電子装置。 - 前記複数の部品取り付け部のそれぞれに半導体チップが取り付けられ、複数の半導体チップが重畳積層されてなることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電子装置。
- 半導体チップを含む複数の電子部品と、前記電子部品間を電気的に接続する配線層を有するフレキシブル配線板とを有し、
前記電子部品と前記配線層が接続された状態で前記複数の電子部品が重畳積層されるように前記フレキシブル配線板を折り返して実装した構成を有する電子装置であって、
前記重畳積層構造は、ひとつの電子部品のみが搭載された層と複数の電子部品が搭載された層とを含み、前記重畳積層構造の大きさは実質的に前記ひとつの電子部品のみが搭載された層の矩形面の大きさに構成されてなることを特徴とする電子装置。 - 複数の半導体チップと、前記半導体チップ間を電気的に接続する配線層を有するフレキシブル配線板とを有し、
前記半導体チップと前記配線層が接続された状態で前記複数の半導体チップが重畳積層されるように前記フレキシブル配線板を折り返して実装した構成を有する電子装置であって、
前記重畳積層構造は、ひとつの半導体チップのみが搭載された層と複数の半導体チップが搭載された層とを含み、前記重畳積層構造の大きさは実質的に前記ひとつの半導体チップのみが搭載された層の矩形面の大きさに構成されてなることを特徴とする電子装置。
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