JP3701540B2 - 磁場測定方法、勾配コイル製造方法、勾配コイルおよび磁気共鳴撮影装置 - Google Patents
磁場測定方法、勾配コイル製造方法、勾配コイルおよび磁気共鳴撮影装置 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁場測定方法、勾配コイル(coil)製造方法、勾配コイルおよび磁気共鳴撮影装置に関し、特に、勾配磁場の印加停止後に残留する磁場を測定する方法、残留磁場の高次項が小さい勾配コイルとその製造方法、並びに、そのような勾配コイルを有する磁気共鳴撮影装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
磁気共鳴撮影(MRI:Magnetic Resonance Imaging)装置では、マグネットシステム(magnet system)の内部空間すなわち静磁場を形成した空間に撮影する対象を搬入し、勾配磁場および高周波磁場を印加して対象内に磁気共鳴信号を発生させ、その受信信号に基づいて断層像を生成(再構成)する。
【0003】
静磁場を発生するのに永久磁石を用いるマグネットシステムでは、互いに対向する1対の永久磁石の先端に静磁場空間の磁束分布を均一化するための磁極片をそれぞれ設け、勾配磁場発生用の勾配コイルはこの磁極片の磁極面に沿って設けられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようなマグネットシステムでは、勾配コイルが磁極片に近接しているので勾配磁場により磁極片が磁化され、その残留磁化が形成する磁場により、スピン(spin)の位相が、あたかも時定数が極めて長い渦電流が存在するかのような影響を受ける。このため、精密な位相制御が要求される例えばファースト・スピンエコー(FSE:Fast Spin Echo)法等による撮影に支障をきたす。
【0005】
これまでは、残留磁化による磁場を測定する適切な方法がなかったので、その影響を除去する方策を立てることができなかった。
そこで、本発明の課題は、勾配磁場の印加停止後に残留する磁場を測定する方法、測定によって判明した残留磁場の特性を反映させて勾配コイルを製造する方法、その方法によって製造された勾配コイル、および、そのような勾配コイルを有する磁気共鳴撮影装置を実現することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
(1)上記の課題を解決するための1つの観点での発明は、測定空間に想定した球の表面の測定点に磁気共鳴可能な試料を配置し、前記測定空間に勾配磁場を印加し、前記勾配磁場の印加停止後にRF励起を行って前記試料が生じるFID信号を測定し、前記FID信号の位相の微分値に基づいて前記測定点における磁場強度を求め、前記磁場強度を前記測定空間における磁場強度分布を表す球面調和関数にフィッティングすることを特徴とする磁場測定方法である。
【0007】
この観点での発明では、残留磁化が生じる磁場を、球面上の測定点に配置した試料のFID信号を利用して測定し、測定値を球面調和関数にフィッティングして、残留磁場の特性を表す球面調和関数を特定する。
【0008】
(2)上記の課題を解決するための他の観点での発明は、測定空間に想定した球の表面の測定点に磁気共鳴可能な試料を配置し、前記球の中心に磁気共鳴可能な試料を配置し、前記測定空間に勾配磁場を印加し、前記勾配磁場の印加停止後にRF励起を行って前記試料が生じるFID信号を測定し、前記測定点および前記球の中心の試料がそれぞれ生じるFID信号の位相の微分値の差に基づいて前記測定点における磁場強度を求め、前記磁場強度を前記測定空間における磁場強度分布を表す球面調和関数にフィッティングすることを特徴とする磁場測定方法である。
【0009】
この観点での発明では、球の中心に配置した試料のFID信号を測定してこれをリファレンスとする。
(3)上記の課題を解決するための他の観点での発明は、測定空間に想定した球の表面の測定点に磁気共鳴可能な試料を配置し、1つの極性における最大勾配から反対極性における最大勾配まで順次に勾配を変化させ次いで前記反対極性における最大勾配から前記1つの極性における最大勾配まで順次に勾配を変化させながら間欠的に勾配磁場を印加し、前記勾配磁場の間欠期間中にRF励起を行って前記試料が生じるFID信号を測定し、前記FID信号の位相の微分値を求め、前記勾配の一巡に伴う前記微分値のヒステリシスに基づいて前記測定点における磁場強度を求め、前記磁場強度を前記測定空間における磁場強度分布を表す球面調和関数にフィッティングすることを特徴とする磁場測定方法である。
【0010】
この観点での発明では、勾配磁場を1つの極性における最大勾配と反対極性における最大勾配の間で往復変化させる。これにより、残留磁化の履歴を一定にして磁場測定を行うことができる。
【0011】
(4)上記の課題を解決するための他の観点での発明は、測定空間に想定した球の表面の測定点に磁気共鳴可能な試料を配置し、前記球の中心に磁気共鳴可能な試料を配置し、1つの極性における最大勾配から反対極性における最大勾配まで順次に勾配を変化させ次いで前記反対極性における最大勾配から前記1つの極性における最大勾配まで順次に勾配を変化させながら間欠的に勾配磁場を印加し、前記勾配磁場の間欠期間中にRF励起を行って前記試料が生じるFID信号を測定し、前記測定点および前記球の中心の試料がそれぞれ生じるFID信号の位相の微分値の差を求め、前記勾配の一巡に伴う前記微分値の差のヒステリシスに基づいて前記測定点における磁場強度を求め、前記磁場強度を前記測定空間における磁場強度分布を表す球面調和関数にフィッティングすることを特徴とする磁場測定方法である。
【0012】
この観点での発明では、球の中心に配置した試料のFID信号を測定してこれをリファレンスとする。
(5)上記の課題を解決するための他の観点での発明は、前記測定を複数の測定点について逐次に行うことを特徴とする(1)ないし(4)のうちのいずれか1つに記載の磁場測定方法である。
【0013】
この観点での発明では、複数の測定点について逐次に測定を行うので、同一試料を使い回しすることができる。
(6)上記の課題を解決するための他の観点での発明は、勾配コイルを製造するにあたり、空間に想定した球面上に前記勾配コイルが発生する磁界を計算し、前記磁界を球面調和関数にフィッティングし、前記フィッティングした球面調和関数における高次項のうち、(1)ないし(5)のうちのいずれか1つに記載の方法で測定した磁場を表す球面調和関数における最大の高次項に相当する高次項が小さくなるように、コイルの電流経路を決定することを特徴とする勾配コイル製造方法である。
【0014】
この観点での発明では、測定によって判明した残留磁場の最大の高次項に相当する高次項が小さくなるように、勾配コイルの電流経路を決めるので、影響が小さい残留磁化を生じる勾配コイルを製造することができる。
【0015】
(7)上記の課題を解決するための他の観点での発明は、電流経路を流れる電流によって勾配磁場を発生する勾配コイルであって、前記電流経路が下記の手順で決定されたことを特徴とする勾配コイルである。
【0016】
記
(イ)空間に想定した球面上に前記勾配コイルが発生する磁界を計算する。
(ロ)前記磁界を球面調和関数にフィッティングする。
【0017】
(ハ)前記フィッティングした球面調和関数における高次項のうち、(1)ないし(5)のうちのいずれか1つに記載の方法で測定した磁場を表す球面調和関数における最大の高次項に相当する高次項が小さくなるように、コイルの電流経路を決定する。
【0018】
この観点での発明では、測定によって判明した残留磁場の最大の高次項に相当する高次項が小さくなるように、勾配コイルの電流経路が決められているので、影響が小さい残留磁化を生じる勾配コイルとなる。
【0019】
(8)上記の課題を解決するための他の観点での発明は、静磁場、勾配磁場および高周波磁場を用いて獲得した磁気共鳴信号に基づいて画像を構成する磁気共鳴撮影装置であって、前記勾配磁場を発生する勾配コイルとして、下記の手順で決定された電流経路を有する勾配コイルを具備することを特徴とする磁気共鳴撮影装置である。
【0020】
記
(イ)空間に想定した球面上に前記勾配コイルが発生する磁界を計算する。
(ロ)前記磁界を球面調和関数にフィッティングする。
【0021】
(ハ)前記フィッティングした球面調和関数における高次項のうち、(1)ないし(5)のうちのいずれか1つに記載の方法で測定した磁場を表す球面調和関数における最大の高次項に相当する高次項が小さくなるように、コイルの電流経路を決定する。
【0022】
この観点での発明では、測定によって判明した残留磁場の最大の高次項に相当する高次項が小さくなるように勾配コイルの電流経路が決められているので、影響が小さい残留磁化を生じる勾配コイルを用いて適正な磁気共鳴撮影をすることができる。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、本発明は実施の形態に限定されるものではない。図1に磁気共鳴撮影装置のブロック(block)図を示す。本装置は本発明の実施の形態の一例である。本装置の構成によって、本発明の装置に関する実施の形態の一例が示される。本装置の動作によって、本発明の方法に関する実施の形態の一例が示される。
【0024】
図1に示すように、本装置はマグネットシステム100を有する。マグネットシステム100は、主磁場マグネット部102、勾配コイル部106およびRF(radio frequency)コイル部108を有する。これら主磁場マグネット部102および各コイル部は、いずれも空間を挟んで互いに対向する1対のものからなる。また、いずれも概ね円板状の形状を有し中心軸を共有して配置されている。マグネットシステム100の内部空間(ボア:bore)に、対象300がクレードル(cradle)500に搭載されて図示しない搬送手段により搬入および搬出される。
【0025】
主磁場マグネット部102はマグネットシステム100の内部空間に静磁場を形成する。静磁場の方向は概ね対象300の体軸方向と直交する。すなわちいわゆる垂直磁場を形成する。主磁場マグネット部102は例えば永久磁石等を用いて構成される。なお、永久磁石に限らず超伝導電磁石あるいは常伝導電磁石等を用いて構成しても良いのはもちろんである。
【0026】
勾配コイル部106は静磁場強度に勾配を持たせるための勾配磁場を生じる。発生する勾配磁場は、スライス(slice)勾配磁場、リードアウト(read out)勾配磁場およびフェーズエンコード(phase encode)勾配磁場の3種であり、これら3種類の勾配磁場に対応して勾配コイル部106は図示しない3系統の勾配コイルを有する。
【0027】
3系統の勾配コイルは、互いに直交する3方向において静磁場にそれぞれ勾配を付与するための3つの勾配磁場をそれぞれ発生する。3方向のうちの1つは静磁場の方向(垂直方向)であり、通常これをz方向とする。他の1つは水平方向であり、通常これをy方向とする。残りの1つはz,y方向に垂直な方向であり、通常これをx方向とする。x方向は垂直面内でz方向に垂直であり、水平面内でy方向に垂直である。以下、x,y,zを勾配軸ともいう。
【0028】
x,y,zはいずれもスライス勾配の軸とすることができる。いずれか1つをスライス勾配の軸としたとき、残り2つのうちの1つをフェーズエンコード勾配の軸とし、他をリードアウト勾配の軸とする。3系統の勾配コイルについては後にあらためて説明する。
【0029】
RFコイル部108は静磁場空間に対象300の体内のスピンを励起するためのRF励起信号を送信する。RFコイル部108は、また、励起されたスピンが生じる磁気共鳴信号を受信する。RFコイル部108は図示しない送信用のコイルおよび受信用のコイルを有する。送信用のコイルおよび受信用のコイルは、同じコイルを兼用するかあるいはそれぞれ専用のコイルを用いる。
【0030】
勾配コイル部106には勾配駆動部130が接続されている。勾配駆動部130は勾配コイル部106に駆動信号を与えて勾配磁場を発生させる。勾配駆動部130は、勾配コイル部106における3系統の勾配コイルに対応して、図示しない3系統の駆動回路を有する。
【0031】
RFコイル部108にはRF駆動部140が接続されている。RF駆動部140はRFコイル部108に駆動信号を与えてRF励起信号を送信し、対象300の体内のスピンを励起する。
【0032】
RFコイル部108には、また、データ(data)収集部150が接続されている。データ収集部150はRFコイル部108が受信した受信信号を取り込み、それをビューデータ(view data)として収集する。
【0033】
勾配駆動部130、RF駆動部140およびデータ収集部150には制御部160が接続されている。制御部160は、勾配駆動部130ないしデータ収集部150をそれぞれ制御して撮影を遂行する。
【0034】
データ収集部150の出力側はデータ処理部170に接続されている。データ処理部170は、例えばコンピュータ(computer)等を用いて構成される。データ処理部170は図示しないメモリ(memory)を有する。メモリはデータ処理部170用のプログラムおよび各種のデータを記憶している。本装置の機能は、データ処理部170がメモリに記憶されたプログラムを実行することによりを実現される。
【0035】
データ処理部170は、データ収集部150から取り込んだデータをメモリに記憶する。メモリ内にはデータ空間が形成される。データ空間は2次元フ−リエ(Fourier)空間を構成する。データ処理部170は、これら2次元フ−リエ空間のデータを2次元逆フ−リエ変換して対象300の画像を生成(再構成)する。2次元フ−リエ空間をkスペース(k−space)ともいう。
【0036】
データ処理部170は制御部160に接続されている。データ処理部170は制御部160の上位にあってそれを統括する。データ処理部170には、また、表示部180および操作部190が接続されている。表示部180は、グラフィックディスプレー(graphic display)等で構成される。操作部190はポインティングデバイス(pointing device)を備えたキーボード(keyboard)等で構成される。
【0037】
表示部180は、データ処理部170から出力される再構成画像および各種の情報を表示する。操作部190は、操作者によって操作され、各種の指令や情報等をデータ処理部170に入力する。操作者は表示部180および操作部190を通じてインタラクティブ(interactive)に本装置を操作する。
【0038】
図2に、本装置で撮影を行うときのパルスシーケンス(pulse sequence)の一例を示す。このパルスシーケンスは、グラディエントエコー(GRE:Gradient Echo)法のパルスシーケンスである。
【0039】
すなわち、(1)はGRE法におけるRF励起用のα°パルスのシーケンスであり、(2)、(3)、(4)および(5)は、同じくそれぞれ、スライス勾配Gs、リードアウト勾配Gr、フェーズエンコード勾配GpおよびグラディエントエコーMRのシーケンスである。なお、α°パルスは中心信号で代表する。パルスシーケンスは時間軸tに沿って左から右に進行する。
【0040】
同図に示すように、α°パルスによりスピンのα°励起が行われる。フリップアングル(flip angle)α°は90°以下である。このときスライス勾配Gsが印加され所定のスライスについての選択励起が行われる。
【0041】
α°励起後、フェーズエンコード勾配Gpによりスピンのフェーズエンコードが行われる。次に、リードアウト勾配Grにより先ずスピンをディフェーズ(dephase)し、次いでスピンをリフェーズ(rephase)して、グラディエントエコーMRを発生させる。グラディエントエコーMRの信号強度は、α°励起からエコータイム(echo time)TE後の時点で最大となる。グラディエントエコーMRはデータ収集部150によりビューデータとして収集される。
【0042】
このようなパルスシーケンスが周期TR(repetition time)で64〜512回繰り返される。繰り返しのたびにフェーズエンコード勾配Gpを変更し、毎回異なるフェーズエンコードを行う。これによって、kスペースを埋める64〜512ビューのビューデータが得られる。
【0043】
磁気共鳴撮影用パルスシーケンスの他の例を図3に示す。このパルスシーケンスは、スピンエコー(SE:Spin Echo)法のパルスシーケンスである。
【0044】
すなわち、(1)はSE法におけるRF励起用の90°パルスおよび180°パルスのシーケンスであり、(2)、(3)、(4)および(5)は、同じくそれぞれ、スライス勾配Gs、リードアウト勾配Gr、フェーズエンコード勾配GpおよびスピンエコーMRのシーケンスである。なお、90°パルスおよび180°パルスはそれぞれ中心信号で代表する。パルスシーケンスは時間軸tに沿って左から右に進行する。
【0045】
同図に示すように、90°パルスによりスピンの90°励起が行われる。このときスライス勾配Gsが印加され所定のスライスについての選択励起が行われる。90°励起から所定の時間後に、180°パルスによる180°励起すなわちスピン反転が行われる。このときもスライス勾配Gsが印加され、同じスライスについての選択的反転が行われる。
【0046】
90°励起とスピン反転の間の期間に、リードアウト勾配Grおよびフェーズエンコード勾配Gpが印加される。リードアウト勾配Grによりスピンのディフェーズが行われる。フェーズエンコード勾配Gpによりスピンのフェーズエンコードが行われる。
【0047】
スピン反転後、リードアウト勾配GrでスピンをリフェーズしてスピンエコーMRを発生させる。スピンエコーMRの信号強度は、90°励起からTE後の時点で最大となる。スピンエコーMRはデータ収集部150によりビューデータとして収集される。このようなパルスシーケンスが周期TRで64〜512回繰り返される。繰り返しのたびにフェーズエンコード勾配Gpを変更し、毎回異なるフェーズエンコードを行う。これによって、kスペースを埋める64〜512ビューのビューデータが得られる。
【0048】
なお、撮影に用いるパルスシーケンスはGRE法またはSE法に限るものではなく、例えば、FSE(Fast Spin Echo)法、ファーストリカバリFSE(Fast Recovery Fast Spin Echo)法、エコープラナー・イメージング(EPI:Echo Planar Imaging)等、他の適宜の技法のものであって良い。
【0049】
データ処理部170は、kスペースのビューデータを2次元逆フ−リエ変換して対象300の断層像を再構成する。再構成した画像はメモリに記憶し、また、表示部180で表示する。
【0050】
図4に、勾配コイル部106付近のマグネットシステム100の構造を断面図により模式的に示す。同図において、Oは静磁場の中心すなわちマグネットセンター(magnet center)であり、x,y,zは前述した3方向である。
【0051】
マグネットセンターOを中心とする半径Rの球形領域SV(spheric volume)が撮影領域であり、マグネットシステム100はこのSVにおいて静磁場および勾配磁場が所定の精度を持つように構成される。
【0052】
1対の主磁場マグネット部102は互いに対向する1対の磁極片(ポールピース:pole piece)202を有する。磁極片202は例えば軟鉄等の高透磁率の磁性材料で構成され、静磁場空間における磁束分布を均一化する働きをする。
【0053】
磁極片202は概ね円板形状を成すが、周縁部が板面に垂直な方向(z方向)、すなわち、磁極片202同士が互いに対向する方向に突出している。突出部は磁極片202の周縁部における磁束密度の低下を補う働きをする。
【0054】
突出した周縁部の内側に形成される磁極片202の凹部に、勾配コイル部106が設けられる。勾配コイル部106は、Xコイル204、Yコイル206およびZ208コイルを有する。
【0055】
Xコイル204、Yコイル206およびZコイル208は、それぞれ、本発明の勾配コイルの実施の形態の一例である。各コイルはいずれも概ね円板形状を成し、磁極片202の磁極面に、図示しない適宜の取り付け手段により、順次に層を成すように取り付けられている。
【0056】
図5に、Xコイル204、Yコイル206およびZ208コイルの電流経路のパターン(pattern)を略図によって示す。同図に示すように、Xコイル204は、円の中心に近い部分ではy方向に平行な直線状の複数の主電流経路(メインパス:main pass)を有する。これらメインパスは円の中心を通るy軸に関して対称である。メインパスの帰路(リターンパス:return pass)は円周に沿って形成される。最外側のリターンパスの半径すなわちXコイル204の外径はr00である。
【0057】
Yコイル206は、円の中心に近い部分ではx方向に平行な直線状の複数のメインパスを有する。これらメインパスは円の中心を通るx軸に関して対称である。メインパスのリターンパスは円周に沿って形成される。最外側のリターンパスの半径すなわちYコイル206の外径はr00である。
【0058】
Zコイル208は同心円を成す複数の電流経路を有する。これら電流経路は全てがメインパスである。各メインパスの半径は内側から順にr1,r2,・・・,rMである。rMはZコイル208の外径となる。
【0059】
このようなマグネットシステム100について、撮影領域すなわち球形領域SVにおける残留磁場を測定する方法を説明する。先ず、球形領域SVの表面に複数の測定点を設定する。測定点Pを、図6に示すように、3次元の極座標で表すとした場合、複数の測定点は、半径rを一定とし、角度θ,φの組み合わせを複数通りに設定することにより行われる。角度θはいわば緯度に相当し、角度φはいわば経度に相当する。
【0060】
角度θは、図7(a)に示すように、例えば22.5度刻みで設定する。これによって7つの緯度が設定される。角度φは、同図の(b)に示すように、例えば30度刻みで設定する。これによって12の経度が設定される。
【0061】
このような緯度と経度の交点を測定点Pとする。したがって、球面上の測定点数は84となる。これらの測定点に加えて、マグネットセンターOにも測定点P0を設定する。測定点P0はリファレンス(reference)用である。リファレンスが不要な場合は測定点P0は省略可能である。
【0062】
測定点には、磁気共鳴信号を生じる試料に信号検出用のRFコイルを取り付けたプローブ(probe)が設置される。試料としては、例えば、硫酸銅(CuSO4)や塩化ニッケル(NiCl)等の水溶液を微小な容器に封入したものが用いられる。試料の体積は、撮影空間の1ボクセル(voxel)に相当する大きさとする。
【0063】
そのようなプローブを適宜の支持手段で支持して上記の測定点に順次に位置決めし、球面上の各測定点およびマグネットセンターOにおける磁場を測定する。プローブは少なくとも2つ用い、球面上の測定点とマグネットセンターOの磁場を同時に測定する。リファレンスを必要としないときは、球面上の測定点だけで測定する。
【0064】
図8に、磁場測定用のパルスシーケンスを示す。同図において(1)は勾配磁場のシーケンス、(2)はRF励起のシーケンス、(3)は磁気共鳴信号すなわちFID(Free Induction Decay)信号のシーケンスである。
【0065】
同図に示すように、1つの軸に勾配磁場Gを印加し、それが終了した後にRF励起を行う。RF励起に基づきプローブ中の試料がFID信号を生じる。このFID信号を、プローブに備わるRFコイルで受信し、受信データをデータ収集部150で収集する。
【0066】
勾配磁場Gが例えば図9に実線で示すようなものであるとしたとき、それによって磁極片202が磁化されることにより、勾配磁場の印加をやめた後にも、例えば一点鎖線で示すような残留磁場が存在する。このため、図8に斜線で示すように、あたかも勾配磁場が残留するかのような状態になる。
【0067】
このような残留磁場の下で測定されるFID信号は次式で表される。
【0068】
【数1】
【0069】
ここで、
ρ:スピン密度
γ:磁界回転比
Grm:磁場強度
(1)式に示すように、磁場強度GrmはFID信号の位相に影響を与える。そこで、複素数で表現したFID信号
【0070】
【数2】
【0071】
から、
【0072】
【数3】
【0073】
により位相を求め、その時間微分を用いて
【0074】
【数4】
【0075】
により磁場強度を求める。これによって、測定点Pにおける磁場の測定値が得られる。
実際には、測定空間に静磁場が存在するので、マグネットセンターOで測定したFID信号の位相φ0(t)の微分値を求め、
【0076】
【数5】
【0077】
により磁場強度を求める。これにより、静磁場の強度変動による測定誤差を除去することができる。以上の計算は、データ処理部170によって行う。
勾配磁場の印加の経過を反映して、磁極片202では磁化の履歴が生じている。磁化の履歴はマイナー・ヒステリシスループ(minor hysteresis loop)を描く。このような履歴を持つものについて常に同一の条件で測定を行うために、磁場測定は次のようにして行われる。
【0078】
図10に、測定時の1つの測定点あたりの勾配磁場印加のシーケンスを示す。同図に示すように、勾配磁場は、その強度を順次変化させながら間欠的に印加する。すなわち、例えば、シーケンスの前半は、本装置で発生可能な最大の負の勾配−Gmaxから最大の正の勾配+Gmaxまで順次に変化させながら印加し、後半は、最大の正の勾配+Gmaxから最大の負の勾配−Gmaxまで順次に変化させながら印加する。このように勾配の強度を一巡させることにより、シーケンスを開始する前と後における磁極片202の磁化状態を、同一にすることができる。
【0079】
勾配印加の間欠期間中は斜線で概念的に示すように勾配磁場が残留する。この期間中に、前述のようなRF励起とFID測定を毎回行い、各回の測定信号に基づいて、上記のようにしてそれぞれ磁場強度Grmを求める。これによって、1つの測定点あたり例えば15個の磁場測定値が得られる。
【0080】
このような磁場測定値について、印加した勾配との対応を求めると、例えば図11に示すようなヒステリシスループが得られる。そこで、このヒステリシスループのGrm軸方向の幅、すなわち、ヒステリシスループが横切るGrm軸上の2箇所の値の差を測定点Pの磁場強度Br(k)とする。
【0081】
このようにして求めた84個の測定点Pの磁場測定値を球面調和関数にフィッティング(fitting)して、残留磁場の空間成分を求める。フィッティングはデータ処理部170により行う。以下、磁場測定値を単に測定値ともいう。
【0082】
球面調和関数展開式は次式で与えられる。
【0083】
【数6】
【0084】
ここで、
【0085】
【数7】
【0086】
はルジャンドル(Legendre)の倍関数、
【0087】
【数8】
【0088】
は定数である。
フィッティングは、例えば次のようにして行われる。
1. m=0の場合
この場合、(6)式は次のようになる。
【0089】
【数9】
【0090】
z座標が異なる測定点での測定値を
【0091】
【数10】
【0092】
とすると次式が成り立つ。
【0093】
【数11】
【0094】
この方程式を解くことにより、
【0095】
【数12】
【0096】
成分が得られる。これらは通常
【0097】
【数13】
【0098】
成分と呼ばれる。
2. m≠0の場合
例えばm=1のとき(6)式は次式のようになる。
【0099】
【数14】
【0100】
球面上のあるxy平面内の測定値を
【0101】
【数15】
【0102】
とすると、円周上の測定点における測定値は、
【0103】
【数16】
【0104】
このとき、
【0105】
【数17】
【0106】
【数18】
【0107】
各xy平面について
【0108】
【数19】
【0109】
を求めれば次式が成り立つ。
【0110】
【数20】
【0111】
この方程式を解けば、
【0112】
【数21】
【0113】
が求まる。これらは通常
【0114】
【数22】
【0115】
と呼ばれる。
3.m=2の場合
この場合は(10)式において
【0116】
【数23】
【0117】
とすれば、同様に
【0118】
【数24】
【0119】
すなわち
【0120】
【数25】
【0121】
を求めることができる。
図12に、以上のような複数の測定点における磁場測定とそれに基づく球面調和関数のフィッティングのフロー(flow)図を示す。
【0122】
同図に示すように、ステップ(step)702で、球面上の測定点を設定する。測定点は前述の要領で設定される。測定点はL個である。
次に、ステップ704で、球の中心すなわちマグネットセンターOと球面上の1つの測定点にそれぞれプローブをセット(set)する。
【0123】
次に、ステップ706で、図10に示したような測定シーケンスを実行して、2つのプローブのFID信号を測定し、それらの位相の微分値の差に基づいて磁場測定値Grmを求める。
【0124】
次に、ステップ708で、図11に示したようなGrmのヒステリシスに基づいて残留磁場Br(k)を求める。
次に、ステップ710で、全ての測定点について残留磁場Br(k)を求めたかどうかを判定し、否の場合はステップ712で測定点を変更し、ステップ706,708の動作を繰り返す。
【0125】
全ての測定点について残留磁場Br(k)を求めた終わったときは、ステップ714で、Br(k)を球面調和関数にフィッティングする。この結果、ステップ716で、残留磁場の空間成分
【0126】
【数26】
【0127】
が求まる。
これら残留磁場の空間成分は、球形領域SVすなわち撮影空間における残留磁場の特性を表す項目であるから、以上の測定および関数フィッティングにより、マグネットシステム100の残留磁場特性が解析(測定)できたことになる。
【0128】
そこで、このような解析結果を勾配コイルの設計に反映させれば、マグネットシステム100の残留磁場特性を改善することができる。
図13に、残留磁場解析結果を反映させた勾配コイルの設計手順の一例をフロー図によって示す。ここではZコイルの設計手順を示す。
【0129】
同図に示すように、ステップ902で、Zコイルの電流経路の半径r1,r2,・・・,rMの初期値を設定する。
次に、ステップ904で、上記の初期値を持つZコイルが撮影領域の球面上に生じる磁界(磁場強度)
【0130】
【数27】
【0131】
ただし、
【0132】
【数28】
【0133】
を計算する。磁界の計算はビオ・サバール(Biot−Savart)の法則を用いて行う。
次に、ステップ906で、上記の磁界を球面調和関数にフィッティングして
【0134】
【数29】
【0135】
項を求める。
次に、ステップ908で、前述の残留磁場解析により特に
【0136】
【数30】
【0137】
項が大きいことが判明しているとき、
【0138】
【数31】
【0139】
となるように
【0140】
【数32】
【0141】
を調節する。ただし、δは許容値である。
次に、ステップ910で、上記の条件を満足し、かつ、そのように調節したZコイルが発生する磁界が所定の直線性を満足するか否かを判定する。
【0142】
満足しない場合は、ステップ912で、非線形計画法により新たに
【0143】
【数33】
【0144】
を設定し、ステップ904以降の処理を繰り返す。
満足する場合は、r1,r2,・・・,rMの値を確定する。そしてそのような半径の電気経路を持つZコイルを製造する。そのようなZコイルを備えたマグネットシステム100は残留磁場特性が改善されたものとなる。したがって、そのようなマグネットシステムを用いる磁気共鳴撮影装置は、残留磁場の影響が少ない品質の良い画像を撮影することができる。
【0145】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、勾配磁場の印加停止後に残留する磁場を測定する方法、測定によって判明した残留磁場の特性を反映させて勾配コイルを製造する方法、その方法によって製造された勾配コイル、および、そのような勾配コイルを有する磁気共鳴撮影装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の一例の装置のブロック図である。
【図2】図1に示した装置が実行するパルスシーケンスの一例を示す図である。
【図3】図1に示した装置が実行するパルスシーケンスの一例を示す図である。
【図4】図1に示した装置におけるマグネットシステムの勾配コイル部付近の構成を示す模式図である。
【図5】勾配コイルの電流経路のパターンを示す略図である。
【図6】測定点Pの3次元座標を示す図である。
【図7】球面上の測定点Pを配置する経度および緯度を示す図である。
【図8】磁場測定のためのパルスシーケンスを示す図である。
【図9】勾配磁場と残留磁場の関係を示す図である。
【図10】磁場測定のための勾配磁場印加のシーケンスを示す図である。
【図11】測定値のヒステリシスを示す図である。
【図12】磁場測定および関数フィッティングの手順を示すフロー図である。
【図13】勾配コイル設計手順を示すフロー図である。
【符号の説明】
100 マグネットシステム
102 主磁場マグネット部
106 勾配コイル部
108 RFコイル部
130 勾配駆動部
140 RF駆動部
150 データ収集部
160 制御部
170 データ処理部
180 表示部
190 操作部
202 磁極片
204 Xコイル
206 Yコイル
208 Zコイル
300 対象
500 クレードル
Claims (7)
- 静磁場を発生する1対の永久磁石が測定空間を介して対向して設置され、前記1対の永久磁石における前記測定空間側に1対の磁極片が設置され、前記1対の磁極片における前記測定空間側に1対の勾配コイルが設置されたマグネットシステムにおいて、
前記測定空間に想定した球の表面の測定点に磁気共鳴可能な試料を配置し、
1つの極性における最大勾配から反対極性における最大勾配まで順次に勾配を変化させ次いで前記反対極性における最大勾配から前記1つの極性における最大勾配まで順次に勾配を変化させながら間欠的に勾配を印加し、
前記勾配磁場の間欠期間中にRF励起を行って前記試料が生じるFID信号を測定し、
前記FID信号の位相の微分値を求め、
前記勾配の一巡に伴う前記微分値のヒステリシスに基づいて前記測定点における磁場強度を求め、
前記磁場強度を前記測定空間における磁場強度分布を表す球面調和関数にフィッティングすることを特徴とする磁場測定方法。 - 静磁場を発生する1対の永久磁石が測定空間を介して対向して設置され、前記1対の永久磁石における前記測定空間側に1対の磁極片が設置され、前記1対の磁極片における前記測定空間側に1対の勾配コイルが設置されたマグネットシステムにおいて、
前記測定空間に想定した球の表面の測定点に磁気共鳴可能な試料を配置し、
1つの極性における最大勾配から反対極性における最大勾配まで順次に勾配を変化させ次いで前記反対極性における最大勾配から前記1つの極性における最大勾配まで順次に勾配を変化させながら間欠的に勾配を印加し、
前記勾配磁場の間欠期間中にRF励起を行って前記試料が生じるFID信号を測定し、
前記測定点および前記球の中心の試料がそれぞれ生じるFID信号の位相の微分値の差を求め、
前記勾配の一巡に伴う前記微分値のヒステリシスに基づいて前記測定点における磁場強度を求め、
前記磁場強度を前記測定空間における磁場強度分布を表す球面調和関数にフィッティングすることを特徴とする磁場測定方法。 - 前記測定を複数の測定点について逐次行うこと特徴とする請求項1又は請求項2に記載の磁場測定方法。
- 前記ヒステリシスに基づく前記測定点における磁場強度として、ヒステリシスループがそのヒステリシスカーブがプロットされたグラフの縦軸上を横切った2箇所の値の差を用いたこと特徴とする請求項1ないし請求項3のうちのいずれか1つに記載の磁場測定方法。
- 勾配コイルを製造するにあたり、
空間に想定した球面上に前記勾配コイルが発生する磁界を計算し、
前記磁界を球面調和関数にフィッティングし、
前記フィッティングした球面調和関数における高次項のうち、請求項1ないし請求項4のうちのいずれか1つに記載の方法で測定した磁場を表す球面調和関数における最大の高次項に相当する高次項が小さくなるように、コイルの電流経路を決定すること特徴とする勾配コイル製造方法。 - 電流経路を流れる電流によって勾配磁場を発生する勾配コイルであって、
前記電流経路が下記の手順で決定されたことを特徴とする勾配コイル。
記
(イ)空間に想定した球面上に前記勾配コイルが発生する磁界を計算する。
(ロ)前記磁界を球面調和関数にフィッティングする。
(ハ)前記フィッティングした球面調和関数における高次項のうち、請求項1ないし請求 項4のうちのいずれか1つに記載の方法で測定した磁場を表す球面調和関数における最大の高次項に相当する高次項が小さくなるようにコイルの電流経路を決定する。 - 静磁場、勾配磁場および高周波磁場を用いて獲得した磁気共鳴信号に基づいて画像を再構成する磁気共鳴撮影装置であって、
前記勾配磁場を発生する勾配コイルとして、下記の手順で決定された電流経路を有する勾配コイルを具備することを特徴とする磁気共鳴撮影装置。
記
(イ)空間に想定した球面上に前記勾配コイルが発生する磁界を計算する。
(ロ)前記磁界を球面調和関数にフィッティングする。
(ハ)前記フィッティングした球面調和関数における高次項のうち、請求項1ないし請求項4のうちのいずれか1つに記載の方法で測定した磁場を表す球面調和関数における最大の高次項に相当する高次項が小さくなるようにコイルの電流経路を決定する。
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