JP3935954B2

JP3935954B2 - ジフルオロフェニル誘導体、液晶組成物、及び液晶表示素子

Info

Publication number: JP3935954B2
Application number: JP51057998A
Authority: JP
Inventors: 孝加藤; 秋一松井; 和利宮沢; 康典久恒; 悦男中川
Original assignee: Chisso Corp
Current assignee: JNC Corp
Priority date: 1996-08-21
Filing date: 1997-08-19
Publication date: 2007-06-27
Anticipated expiration: 2017-08-19
Also published as: AU3866497A; EP0922021A1; US6174459B1; WO1998007674A1; JP2001500120A; CN1227536A

Description

技術分野
本発明は液晶表示材料として有用なジフルオロフェニル誘導体に関する。更に詳述すれば、本発明は化合物分子中にブチレン基、及び／又はプロピレンオキシ基を有し、かつ３，４−ジフルオロフェニル基を有し、液晶表示材料として好適な諸物性を発現せしめる新規な化合物、該化合物を含有する液晶組成物、並びに該液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子に関する。
背景技術
液晶の特性である屈折率異方性、誘電率異方性等を利用した表示素子はこれまで多数作られている。時計を始めとして電卓、ワープロ、テレビ等に液晶表示素子は広く利用され、需要も年々高くなってきている。液晶相は固体相と液体相の中間に位置する。この液晶相はネマチック相、スメクチック相、コレステリック相に大別される。これらの液晶相のうち、ネマチック相を利用した表示素子が現在最も広く利用されている。
液晶の有する電気光学効果を液晶表示に応用する表示方式としては、ねじれネマチック型（ＴＮ型）、動的散乱型（ＤＳ型）、ゲスト−ホスト型（ＧＨ型）、ＤＡＰ型等がある。特に最近は液晶表示のカラー化が一段と進んでいる。その表示方式はＴＮ型では薄膜トランジスタ型（ＴＦＴ型）及びスーパーツイストネマチック型（ＳＴＮ型）が主流であり、これらの表示方式の表示素子が量産されている。
現在研究段階のものを含め、多くの液晶化合物が世に知られているが、現在のところ混合物ではなく単一の液晶化合物だけで表示素子に封入され、使用されることのできる液晶化合物は存在しない。表示素子に使用される液晶化合物に要求される性質としては、自然界の、特に表示素子として最も使用される頻度の高い室温を中心とする、なるべく広い温度領域で、液晶相を示すことである。
また、使用される環境因子に対して十分安定であり、更に表示素子を駆動させるに十分な物理的性質を持つことも要求される。しかし、これらの要求の全てを単独で満たす液晶化合物は見出されていない。
現在では数種の液晶化合物、又は非液晶化合物を混合して、かような特徴を持つ組成物を調製し、表示用液晶材料として実用に供している。これらの液晶組成物は、前述のように使用環境下で通常に存在する水分、光、熱、空気等に対しても安定であることが要求される。また電場及び電磁放射に対する安定性、更には混合された各液晶化合物が互いに使用環境下で化学的に安定であることが要求される。
また、液晶組成物の屈折率異方性値（△ｎ）、誘電率異方性値（△ε）、粘度（η）、電導度及び弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁（Ｋ₃₃：ベンド定数、Ｋ₁₁：スプレイ弾性定数）等の諸物性値は表示方式及び素子の形状に対応する適当な値である必要がある。また液晶組成物中の各成分は、相互に良好な溶解性を持つことが重要である。
これらの諸物性値の中で、ＴＦＴ型表示方式で用いられる液晶化合物に主に求められているものは、広い液晶相温度領域、大きな誘電率異方性値、大きな弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁などである。この表示方式においては、特に最近ディスプレイのカラー化が進むなかでコントラストの向上が必要となってきている。コントラストを向上させるためには大きな屈折率異方性値を有することが必要不可欠である。さらに、電圧保持率の温度依存性を低下させる必要がある。液晶化合物の電圧保持率は温度上昇に伴い低下する傾向にある。現在のディスプレイは反射型のものよりもバックライト照射型が主流であり、この型の場合にはディスプレイパネルが置かれている環境はバックライトの照射熱により室温よりかなり高温となっている。そのような状況下では液晶化合物の温度上昇は回避できない。液晶化合物の温度上昇に伴い、その電圧保持率が低下し、例えばノーマリーホワイトモードにおいては黒色から白色方向へのコントラスト変化が生じる。その結果、鮮明な画面表示が不可能になる。
これまでに電圧保持率に対する温度依存性の低い液晶化合物が数々開発されている。好適な化合物として、例えば下記（ａ）式で表されるような、特開平２−２３３６２６号記載の３，４，５−トリフルオロフェニル基を有する化合物が当該業者の間でよく知られている。該化合物を液晶組成物の成分として用いることにより、高い電圧保持率を得ることが可能となった。しかし、動画などの高速画面表示用に用いられる液晶化合物には、更に液晶相温度領域の拡張、粘度の低下、液晶組成物の成分として使用した場合の低温における液晶化合物同士の高い相互溶解性が求められている。

発明の開示
本発明の目的は、従来技術の課題を克服するため、特に液晶相温度領域が広く、低粘性で、電圧保持率の温度依存性及び低温での溶解性が改善された液晶化合物、これを含む液晶組成物及び該液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子を提供することである。
本発明者等は、このような課題を解決する化合物について種々研究した結果、化合物中にブチレン基、及び／又はプロピレンオキシ基を有し、かつ３，４−ジフルオロフェニル基を有し、１分子内に合計４個の環を有する液晶化合物が、液晶相温度領域が広く、低粘性で、電圧保持率の温度依存性が小さく、低温での溶解性が高いことを見出した。本発明者等は、これらの知見に基づき本発明を完成させるに至ったものである。
本発明は以下のとおりである。
〔１〕下記一般式（１）

〔式中、Ｒ₀は炭素数１〜１５のアルキル基、又はアルケニル基を示す。該アルキル基、又はアルケニル基中の任意のメチレン基（−ＣＨ₂−）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されていてもよいが、２以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはない。；Ａ₁、Ａ₂は、それぞれ独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は六員環上の１以上の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい１，４−フェニレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジチアン−２，５−ジイル基、及びテトラヒドロチオピラン−２，５−ジイルからなる群から選ばれる１の基を示す。；Ｚ₁、Ｚ₂は、それぞれ独立して、−（ＣＨ₂）₄−、−（ＣＨ₂）₃Ｏ−、−〇（ＣＨ₂）₃−又は単結合を示す。；Ｘ₁及びＸ₂は、それぞれ独立して、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ又はＢｒを示す。；また、上記化合物を構成する各元素は、その同位体で置換されていてもよい。）で示されるジフルオロフェニル誘導体。
〔２〕前記〔１〕においてＺ₁が−（ＣＨ₂）₄−又は−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であり、Ｚ₂が単結合であり、Ａ₁がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、Ａ₂がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は１，４−フェニレン基であり、Ｘ₁及びＸ₂が、それぞれ水素原子であるジフルオロフェニル誘導体。
〔３〕前記〔１〕においてＺ₁が−（ＣＨ₂）₄−又は−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であり、Ｚ₂が単結合であり、Ａ₁がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、Ａ₂がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は１，４−フェニレン基であり、Ｘ₁及び／又はＸ₂がフッ素原子であるジフルオロフェニル誘導体。
〔４〕前記〔１〕においてＺ₁が単結合であり、Ｚ₂が−（ＣＨ₂）₄−又は−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であり、Ａ₁がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、Ａ₂がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は１，４−フェニレン基であり、Ｘ₁、Ｘ₂が、それぞれ水素原子であるジフルオロフェニル誘導体。
〔５〕前記〔１〕においてＺ₁が単結合であり、Ｚ₂が−（ＣＨ₂）₄−又は−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であり、Ａ₁がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、Ａ₂がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は１，４−フェニレン基であり、Ｘ₁及び／又はＸ₂がフッ素原子であるジフルオロフェニル誘導体。
〔６〕前記〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載のジフルオロフェニル誘導体を少なくとも１種類含む２成分以上からなる液晶組成物。
〔７〕第一成分として、前記〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載のジフルオロフェニル誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式（２）（３）及び（４）からなる群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。

（式中、Ｒ₁は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。；Ｙ₁はＦ、Ｃｌ、ＯＣＦ₃、ＯＣＦ₂Ｈ、ＣＦ₃、ＣＦ₂Ｈ又はＣＦＨ₂を示す。；Ｌ₁、Ｌ₂、Ｌ₃及びＬ₄は、それぞれ独立して、Ｈ又はＦを示す。；Ｚ₄及びＺ₅は、それぞれ独立して、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は単結合を示す。；また、ａは１又は２を示す。）
〔８〕第一成分として、前記〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載のジフルオロフェニル誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式（５）、（６）、（７）、（８）及び（９）からなる群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。

（一般式（５）中、Ｒ₂はＦ、炭素数１〜１０のアルキル基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基を示す。該アルキル基、又はアルケニル基中の任意のメチレン基（−ＣＨ₂−）は酸素原子（−〇−）によって置換されていてもよいが、２以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはない。；環Ａはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を示す。；環Ｂはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基、又はピリミジン−２，５−ジイル基を示す。；環Ｃはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は１，４−フェニレン基を示す。；Ｚ₆は−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−又は単結合を示す。；Ｌ₅及びＬ₆は、それぞれ独立して、Ｈ又はＦを示す。；また、ｂ及びｃは、それぞれ独立して、０又は１を示す。
一般式（６）中、Ｒ₃は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。；Ｌ₇はＨ又はＦを示す。；また、ｄは０又は１を示す。
一般式（７）中、Ｒ₄は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。；環Ｄ及び環Ｅは、それぞれ独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は１，４−フェニレン基を示す。；Ｚ₇及びＺ₈は、それぞれ独立して、−ＣＯＯ−又は単結合を示す。；Ｚ₉は−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を示す。；Ｌ₈及びＬ₉は、それぞれ独立して、Ｈ又はＦを示す。；Ｙ₂はＦ、ＯＣＦ₃、ＯＣＦ₂Ｈ、ＣＦ₃、ＣＦ₂Ｈ又はＣＦＨ₂を示す。；また、ｅ、ｆ及びｇは、それぞれ独立して、０又は１を示す。
一般式（８）中、Ｒ₅及びＲ₆は、それぞれ独立して、炭素数１〜１０のアルキル基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基を示す。該アルキル基、又はアルケニル基中の任意のメチレン基（−ＣＨ₂−）は酸素原子（−〇−）によって置換されていてもよいが、２以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはない。；環Ｇはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基、又はピリミジン−２，５−ジイル基を示す。；環Ｈはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は１，４−フェニレン基を示す。；Ｚ₁₀は−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を示す。；また、Ｚ₁₁は−ＣＯＯ−又は単結合を示す。
一般式（９）中、Ｒ₇及びＲ₈は、それぞれ独立して、炭素数１〜１０のアルキル基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基を示す。該アルキル基、又はアルケニル基中の任意のメチレン基（−ＣＨ₂−）は酸素原子（−〇−）によって置換されていてもよいが、２以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはない。；環Ｉはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基、又はピリミジン−２，５−ジイル基を示す。；環Ｊはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、環上の１以上の水素原子がＦで置換されていてもよい１，４−フェニレン基、又はピリミジン−２，５−ジイル基を示す。；環Ｋはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は１，４−フェニレン基を示す。；Ｚ₁₂及びＺ₁₄は、それぞれ独立して、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ₂）₂−又は単結合を示す。；Ｚ₁₃は−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−又は単結合を示す。；また、ｈは０又は１を示す。）
〔９〕第一成分として、前記〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の液晶化合物を少なくとも１種類含有し、第二成分の一部分として、一般式（２）、（３）及び（４）からなる群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第二成分の他の部分として、一般式（５）、（６）、（７）、（８）及び（９）からなる群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
〔１０〕前記〔６〕〜〔９〕のいずれかに記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
本発明の化合物は、液晶表示素子が使用される条件下において物理的、及び化学的にも極めて安定で、液晶相温度領域が広く、低温下でも液晶組成物への溶解性が良く、低粘性であり、さらに電圧保持率の温度依存性が低く、プレチルト角が大きい。また、分子中の環構造、結合基、又は側鎖の構造を適当に選ぶことで所望の物性値を任意に調整することが可能である。よって、本発明の化合物を液晶組成物の成分として用いた場合、上記の良好な特性を持つ液晶組成物を得ることができる。さらに、本発明の化合物を構成成分として含む液晶組成物を液晶表示素子に用いた場合、得られる液晶表示素子は外部環境に対して安定であり、使用温度領域が広く、低電圧での駆動が可能であり、高速応答かつ高コントラストのものである。特にＴＦＴ型表示方式に用いられるネマチック液晶組成物の構成成分として極めて優れている。
発明を実施するための最良の形態
本発明の一般式（１）で示されるジフルオロフェニル誘導体はいずれも液晶用として好適な物性を示す。一般式（１）において、Ａ₁、Ａ₂、Ｚ₁、Ｚ₂、Ｘ₁及びＸ₂を適切に選択した化合物を使用することで、使用目的に応じた液晶組成物を調製できる。
すなわち大きな屈折率異方性値が必要であれば、Ａ₂が１，４−フェニレン基であり、Ｚ₁若しくはＺ₂が単結合であるものを選択すれば良い。また、１，４−フェニレン基の有する水素をフッ素で置換したものは、特に優れた低温溶解性を示す。
特に、液晶用として好ましい一般式（１）の化合物として、下記の式（１−１）〜（１−１８）で示される化合物を例示できる。

式（１−１）〜（１−１８）中、Ｒ₀、Ｘ₁、Ｘ₂は前記と同一の意味を示し、
Ｑ₁、Ｑ₂、Ｑ₃、及びＱ₄は、それぞれ独立して、水素原子、又はハロゲン原子を表し、各化合物を構成する各元素は、その同位体で置換されていてもよい。式（１−１）〜（１−１８）中のＲ₀は好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケニルオキシアルキル基、若しくはアルキルオキシアルケニル基であり、特に好ましくは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、プロポキシエチル、メトキシプロピル、エトキシプロピル、プロポキシプロピル、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、２−プロペニルオキシ、２−ブテニルオキシ、２−ペンテニルオキシ、４−ペンチニルオキシ、メトキシ−１−プロペニル、メトキシ−１−ペンテニル、及びメトキシ−３−ペンテニルである。
一般式（１）で表される化合物のうち、少なくとも１種類を含む第一成分だけで構成することにより良好な特性を有する液晶組成物を得ることができる。しかし、上記第一成分と、一般式（２）、（３）及び（４）からなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物（以下「第二Ａ成分」と称する）及び／又は一般式（５）、（６）、（７）、（８）及び（９）からなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物（以下「第二Ｂ成分」と称する）とを混合した液晶組成物がより好ましい。良好な特性を発現させるためには、一般式（１）で示される化合物の混合割合は０．１〜９９．９重量％であることが好ましい。
さらに、しきい値電圧、液晶相温度領域、屈折率異方性値、誘電率異方性値、及び粘度等を調整する目的で、公知の化合物を第三成分として混合することもできる。
上記第二Ａ成分のうち、一般式（２）、（３）及び（４）で表される化合物の好適例として、それぞれ下記式（２−１）〜（２−１５）、（３−１）〜（３−４８）及び（４−１）〜（４−５５）で表される化合物を挙げることができる。

だだし、上記の式中において、Ｒ₁は前記と同一の意味を示す。
【００４９】
これらの一般式（２）〜（４）で表される化合物は、誘電率異方性値が正であり、かつ熱安定性や化学的安定性が非常に優れている。
該化合物の使用量は、液晶組成物の全重量に対して１〜９９重量％の範囲が適するが、好ましくは１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。
前記第二Ｂ成分のうち、一般式（５）、（６）及び（７）で表される化合物の好適例として、それぞれ下記の式（５−１）〜（５−２４）、（６−１）〜（６−３）及び（７−１）〜（７−２８）で表される化合物を挙げることができる。

ただし、上記式中においてＲ₂、Ｒ₃、Ｒ₄は前記と同一の意味を示す。
これらの一般式（５）〜（７）で表される化合物は、誘電率異方性値が正でその値が大きい。これらの化合物は液晶組成物の成分として添加され、特に液晶組成物のしきい値電圧を小さくする目的で使用される。また、粘度の調整、屈折率異方性値の調整、及び液晶相温度領域を広げる等の目的や、さらに電気光学特性の急峻性を改良する目的にも使用される。
また第二Ｂ成分のうち、一般式（８）及び（９）で表される化合物の好適例として、それぞれ下記の式（８−１）〜（８−８）及び（９−１）〜（９−１３）で表される化合物を挙げることができる。

ただし、上記式中においてＲ₅、Ｒ₆は、前記と同一の意味を示す。
一般式（８）及び（９）で表される化合物は、誘電率異方性値が負か又は小さな正である化合物である。一般式（８）で表される化合物は主として液晶組成物の粘度低下、及び／又は屈折率異方性値調整の目的で液晶組成物に添加される。また、一般式（９）で表される化合物は透明点を高くする等のネマチックレンジを広げる目的、及び／又は屈折率異方性値調整の目的で添加される。
一般式（５）〜（９）で表される化合物を用いることによりＳＴＮ表示方式、及び通常のＴＮ表示方式用に特に好適な液晶組成物を調製することができる。
一般式（５）〜（９）で表される化合物の使用量は、通常のＴＮ表示方式、及びＳＴＮ表示方式用の液晶組成物を調製する場合には１〜９９重量％の範囲で任意に使用できるが、１０〜９７重量％が好ましく、より好ましくは４０〜９５重量％である。また、その際には一般式（２）〜（４）で表される化合物を一部使用しても良い。
本発明に係る液晶組成物をＴＦＴ液晶表示素子に用いることによって、電気光学特性の急峻性、及び視野角の改善ができる。また一般式（１）で表される化合物は低粘性化合物であるので、これを用いた液晶表示素子の応答速度は改善され、極めて早いものである。
本発明の液晶組成物は、それ自体慣用な方法で調製される。一般には、種々の液晶成分を高い温度で互いに溶解させる方法がとられている。しかし、液晶成分が溶解する有機溶媒に溶かして混合したのち、減圧下溶媒を留去する方法を採用しても良い。
また、本発明の液晶組成物は、適当な添加物を添加することによって意図する
用途に応じた改良がなされ、最適化される。このような添加物は当業者によく知られており、文献等に詳細に記載されている。
通常、液晶のらせん構造を誘起して、必要なねじれ角を調整するためにカイラル化合物を添加する。
また、本発明の液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、及びテトラジン系等の二色性色素を添加することにより、ゲストホスト（ＧＨ）モード用の液晶組成物として使用できる。あるいは、ネマチック液晶を包含したマイクロカプセルを用いたＮＣＡＰや、液晶中に三次元網目状高分子を形成したポリマーネットワーク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）に代表されるポリマー分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣＤ）用の液晶組成物としても使用できる。その他、複屈折制御（ＥＣＢ）モードや動的散乱（ＤＳ）モード用の液晶組成物としても使用できる。
本発明の一般式（１）で表される化合物は、通常の有機合成化学的手法を駆使することで容易に製造できる。例えばオーガニック・シンセシス、オーガニック・リアクションズ、新実験化学講座等の成書、雑誌に記載の既知の反応を適当に選択、組み合わせることで容易に一般式（１）で表される化合物を合成できる。
結合基Ｚ₁、Ｚ₂がブチレン基である場合は、例えば下記の反応経路で製造できる。

ただし、上記反応経路を示す式（１１）〜（１９）の化合物において、ＭＳＧはメソゲン（有機化合物残基）、環Ａはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は六員環上の１個以上の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい１，４−フェニレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジチアン−２，５−ジイル基、及びテトラヒドロチオピラン−２，５−ジイル基からなる群から選ばれる１の基を示す。
すなわち、テトラヒドロフラン（以下ＴＨＦと略す）、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒中で、ナトリウムメチラート、カリウム−ｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ）、ブチルリチウム等の塩基の存在下、２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エチルトリフェニルホスホニウムハライド（１２）とアルデヒド誘導体（１１）とをウィッテッヒ反応させ、化合物（１３）を得る。次いでトルエン／エタノールの混合溶媒中、パラジウム／炭素、ラネーニッケル等の金属触媒存在下で化合物（１３）の水素還元を行った後、塩酸、硫酸等の鉱酸、蟻酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の有機酸を作用させることにより、アルデヒド誘導体（１４）を得ることができる。さらに（１１）から（１３）を得た方法と同様にして（１４）と（１５）とをウィティヒ反応させることにより化合物（１６）を得ることができ、先と同様の酸を作用させることによりアルデヒド誘導体（１７）を製造できる。次いで、グリニャール試薬（１８）を（１７）に作用させ、グリニャール反応を行った後、先と同様の酸を作用させ脱水する。さらに、先と同様の金属触媒を用い水素還元することにより、ブチレン基を有する誘導体（１９）を製造することができる。
結合基Ｚ₁、Ｚ₂がエーテル結合を有するプロピレンオキシ基である場合は例えば下記の反応経路で製造できる。

ただし、上記反応を示す式（２０）〜（２３）の化合物においてＭＳＧはメソゲン（有機化合物残基）、環Ａはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は六員環上の１個以上の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい１，４−フェニレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジチアン−２，５−ジイル基、及びテトラヒドロチオピラン−２，５−ジイル基からなる群から選ばれる１の基を示す。
すなわち、トルエン、ＴＨＦ、ジエチルエーテルなどの溶媒中、アルデヒド誘導体（１４）に水素化リチウムアルミニウムを作用させて還元し、アルコール誘導体（２０）を得ることができる。このアルコール誘導体（２０）に臭化水素酸を作用させ（２１）を製造する。次いで、（２２）を水素化ナトリウムの存在下（２１）と反応させることによりエーテル結合を有する（２３）を製造することができる。
上記の反応を適切に選択し、反応を行うことにより下記反応式中の化合物（２４）を得ることができる。この（２４）にｎ−ブチルリチウム、塩化亜鉛を順次作用し、パラジウム（０）の金属触媒存在下３，４−ジフルオロ−１−ブロモベンゼンを作用させカップリング反応を行うことにより本発明の一般式（１）で表される化合物を製造することができる。以下に、その反応経路を示した。

ただし、上記反応経路を示す式中において、Ａ₁、Ａ₂は、それぞれ独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は六員環上の１以上の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい１，４−フェニレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジチアン−２，５−ジイル基、及びテトラヒドロチオピラン−２，５−ジイル基からなる群から選ばれる１の基を示す。Ｚ₁、Ｚ₂は、それぞれ独立して−（ＣＨ₂）₄−、−（ＣＨ₂）₃Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ₂）₃−又は単結合を示す。Ｘ₁及びＸ₂は、それぞれ独立して、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ又はＢｒを示す。
本発明の化合物のうち該化合物を構成する１以上の元素が同位体で置換された化合物も良好な特性を示す。
実施例
以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら制限されるものではない。なお、各実施例中において、Ｃは結晶相を、Ｎはネマチック相を、Ｉｓｏは等方性液体相を示した。相転移温度の単位は全て℃である。結晶相が２相存在する場合はＣ₁、Ｃ₂と表記した。また、化合物の構造は核磁気共鳴スペクトル（以下、¹Ｈ−ＮＭＲと略す。）、質量スペクトル（以下、ＭＳと略す。）等で確認した。各実施例中、ｄ、ｔ、ｍ、ＪはそれぞれＮＭＲで測定した二重線、三重線、多重線、カップリング定数を表し、Ｍ⁺はＭＳで測定した分子イオンピークを表す。
実施例１
１，２−ジフルオロ−４−（２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキシル）フェニル）ベンゼン（一般式（１）において、Ｒ₀がペンチル基、環Ａ₁、Ａ₂がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、Ｚ₁がブチレン基、Ｚ₂が単結合、Ｘ₁、Ｘ₂がＦである化合物（化合物番号８）の製造
次の３段の操作により該化合物を製造した。
第１段
窒素気流下、ＴＨＦ５０ミリリットル中にマグネシウム３．１３グラム（１２９ミリモル）を加え、反応温度を約５０℃に保ちながら３，５−ジフルオロ−１−ブロモベンゼン２２．７グラム（１１８ミリモル）のＴＨＦ３００ミリリットル溶液を滴下した。室温で１時間攪拌後４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキサノン３０．０グラム（９７．９ミリモル）のＴＨＦ３００ミリリットル溶液を滴下した。５０〜６０℃で２時間攪拌後、飽和塩化アンモニウム水溶液２００ミリリットルを加えることにより反応を終了した。反応混合物をセライト濾過し、減圧下で溶媒を留去後トルエン５００ミリリットルで抽出した。有機層を水２００ミリリットルで３回洗浄後、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥後、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物１．５０グラムを加え、４時間加熱還流した。有機層を水２００ミリリットルで３回洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）で精製し、粗製の１，３−ジフルオロ−５−（４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキセンー１−イル）ベンゼン２６．４グラムを得た。
第２段
第１段の操作で得た粗製の１，３−ジフルオロ−５−（４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキセン−１−イル）ベンゼン２６．４グラム（６５．６ミリモル）をトルエン／エタノール=１／１（ｖ／ｖ）の混合溶媒３００ミリリットルに溶解し、５ｗｔ％−パラジウム／炭素触媒１．３２グラムを加え水素圧１〜２ｋｇ／ｃｍ²条件下、室温で６時間攪拌した。触媒を濾別後、減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）に付し、ヘプタンから再結晶することにより、１，３−ジフルオロ−５−（トランス−４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキシル）ベンゼン１１．３グラムを得た。
第３段
窒素気流下、第２段の操作で得た１，３−ジフルオロ−５−（トランス−４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキシル）ベンゼン６．００グラム（１４．９ミリモル）をＴＨＦ１００ミリリットルに溶解し、冷媒で−３０℃まで冷却した。ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍ，ｎ−ヘキサン溶液）１１．１ミリリットルを滴下し、同温度で２０分攪拌し、さらに−５０℃まで冷却し１時間攪拌した。塩化亜鉛（０．５Ｍ、ＴＨＦ溶液）３５．７ミリリットルを滴下し同温度で１時間攪拌後、室温で１時間攪拌した。テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．０６グラムを加え、３，４−ジフルオロブロモベンゼン３．４３グラム（１７．８ミリモル）のＴＨＦ２０ミリリットル溶液を滴下し、３時間加熱還流した。水５０ミリリットルに反応混合物を加え、トルエン３００ミリリットルで抽出し、得られた有機層を水１００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）で精製し、粗製の１，２−ジフルオロ−４−（２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−（４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキシル）フェニル）ベンゼンを得た。この粗精製物をヘプタンから１回、ヘプタン：酢酸エチル＝９：１（ｖ：ｖ）の混合溶媒から２回再結晶し、求める化合物４．０３グラムを得た。
この化合物のＮＭＲ、ＭＳによる測定結果は次のようであった。
¹Ｈ−ＮＭＲによる測定結果：δ（ｐｐｍ）＝０．５０〜２．８０（ｍ，３９Ｈ），６．８０（ｄ，２Ｈ，Ｊ_H-F＝９．２Ｈｚ），７．１０〜７．５０（ｍ，３Ｈ）ＭＳによる測定結果：ｍ／ｅ＝５１６（Ｍ₊），２６５，２５２，２３９，９７，５５
上記の測定データはよく目的とする化合物の構造を支持している。
また、この化合物の相転移温度はＣ₁ ７６．７Ｃ₂ ９２．９Ｎ１５４．１Ｉｓｏであり、この化合物はネマチック相を有した。
この化合物を用いた表示素子の電圧保持率を測定したところ１００℃で９７．８％であった。−方、特開平２−２３３６２６号記載の式（ａ）で表される３，４，５−トリフルオロフェニル基を有する化合物の１００℃での電圧保持率は９４．２〜９６．０％であり、本発明の化合物を用いることにより電圧保持率が向上することがわかった。
実施例２
１，２−ジフルオロ−４−（２，６−ジフルオロ−４−（４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブチル）フェニル）ベンゼン（（１）式において、Ｒ₀がプロピル基、環Ａ₁、Ａ₂がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、Ｚ₁が単結合、Ｚ₂がブチレン基、Ｘ₁、Ｘ₂がＦである化合物（化合物番号４３）の製造
下記８段の操作により該化合物を製造した。
第１段
２−（１，３−ジオキサン−２−イル）エチルトリフェニルホスホニウムブロミド５３１グラム（１１７０ミリモル）とＴＨＦ４．０リットルの混合物を窒素気流下冷媒にて−３０℃に冷却した。この混合物にｔ−ＢｕＯＫ１２１グラム（１０８０ミリモル）を加え１時間撹拌した。この混合物に４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサノン２００グラム（８９９ミリモル）のＴＨＦ１リットル溶液を−３０℃以下を保ちながら滴下した。滴下後、反応温度を徐々に室温まで昇温し、更に５時間撹拌した。反応溶液をセライト濾過し、減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／酢酸エチル＝９／１（ｖ／ｖ）の混合溶媒）で精製し、粗製の２−（２−（４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシリデン）エチル）−１，３−ジオキサン２７７グラムを得た。
第２段
第１段の操作で得た粗精製物２７７グラム（８６４ミリモル）をトルエン／エタノール=１／１（ｖ／ｖ）の混合溶媒３．０リットルに溶解し、５ｗｔ％−パラジウム／炭素触媒１３．９グラムを加え水素圧１〜２ｋｇ／ｃｍ²条件下、室温で６時間攪拌した。触媒を濾別後、減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）で精製した。ヘプタンから再結晶することにより、２−（２−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）エチル）−１，３−ジオキサン１６７グラムを得た。
第３段
第２段の反応で得た２−（２−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）エチル）−１，３−ジオキサン１００．０グラム（３１０ミリモル）をトルエン１．０リットルに溶解し、蟻酸２８６グラム（６２１０ミリモル）を加え４時間加熱還流した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液２００ミリリットルで２回、水６００ミリリットルで５回洗浄し、減圧下で溶媒を留去し、粗製の３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロパナール７４．０グラムを得た。
第４段
メトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド５７．３グラム（１６７ミリモル）とＴＨＦ５００ミリリットルの混合物を窒素気流下冷媒にて−３０℃に冷却した。この混合物にｔ−ＢｕＯＫ１７．３グラム（１５４ミリモル）を加え１時間撹拌した。この混合物に３−（トランス−４−（トランス−４−プロピル−シクロヘキシル）シクロヘキシル）プロパナール３４．０グラム（１２９ミリモル）のＴＨＦ３００ミリリットル溶液を−３０℃以下を保ちながら滴下した。滴下後、反応温度を徐々に室温まで昇温し、更に５時間撹拌した。セライト濾過し、減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）で精製し、粗製の１−メトキシ−４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ブテン３０．３グラムを得た。
第５段
第４段の反応で得た粗製の１−メトキシ−４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−１−ブテン３０．３グラム（１０４ミリモル）をトルエン３００ミリリットルに溶解し、蟻酸４７．４グラム（１０３０ミリモル）を加え４時間加熱還流した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液１００ミリリットルで２回、水１５０ミリリットルで５回洗浄し、減圧下で溶媒を留去し、粗製の４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブタナール２８．７グラムを得た。
第６段
窒素気流下、ＴＨＦ５０ミリリットル中にマグネシウム３．３２グラム（１３６ミリモル）を加え、反応温度が約５０℃を保つように３，５−ジフルオロブロモベンゼン２３．９グラム（１２４ミリモル）のＴＨＦ３００ミリリットル溶液を滴下した。室温で１時間攪拌後、第５段の反応で得た４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブタナール２８．７グラム（１０３ミリモル）の３００ミリリットル溶液を滴下した。５０〜６０℃で２時間攪拌後、飽和塩化アンモニウム水溶液２００ミリリットルを加えることにより反応を終了した。反応混合物をセライト濾過し、溶媒を留去後トルエン５００ミリリットルで抽出した。有機層を水２００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥後、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物１．５０グラムを加え、４時間加熱還流した。有機層を水２００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）で精製し、粗製の１，３−ジフルオロ−５−（４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブテニル）ベンゼン１８．７グラムを得た。
第７段
第６段の反応で得た粗精製物１８．７グラム（４６．４ミリモル）をトルエン／エタノール＝１／１（ｖ／ｖ）の混合溶媒３００ミリリットルに溶解し、５ｗｔ％−パラジウム／炭素触媒０．９４グラムを加え水素圧１〜２ｋｇ／ｃｍ²条件下、室温で６時間攪拌した。触媒を濾別後、減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）で精製し、ヘプタンから再結晶することにより、１，３−ジフルオロ−５−（４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブチル）ベンゼン１２．５グラムを得た。
第８段
窒素気流下、第７段の反応で得た１，３−ジフルオロ−５−（４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ブチル）シクロヘキシル）ベンゼン６．００グラム（１５．９ミリモル）をＴＨＦ１００ミリリットルに溶解し、冷媒にて−３０℃まで冷却した。ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍ，ｎ−ヘキサン溶液）１１．９ミリリットルを滴下し、同温度で２０分攪拌し、更に−５０℃まで冷却し１時間攪拌した。塩化亜鉛（０．５Ｍ、ＴＨＦ溶液）３８．２ミリリットルを滴下し同温度で１時間攪拌後、室温で１時間攪拌した。テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．６５グラム加え、３，４−ジフルオロブロモベンゼン３．６９グラム（１９．１ミリモル）のＴＨＦ２０ミリリットル溶液を滴下し、３時間加熱還流した。水５０ミリリットルに反応混合物を加え、トルエン３００ミリリットルで抽出し、有機層を水１００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）で精製し、粗製の１，２−ジフルオロ−４−（２，６−ジフルオロ−４−（４−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）ブチル）フェニル）ベンゼンを得た。この粗精製物をヘプタンから３回再結晶し、求める化合物４．０３グラムを得た。
このようにして得られた求める化合物のＮＭＲ、ＭＳによる測定結果は次のようであった。
¹Ｈ−ＮＭＲによる測定：δ（ｐｐｍ）＝０．４０〜２．０５（ｍ，３３Ｈ），２．６２（ｔ，２Ｈ，Ｊ=７．３Ｈｚ），６．８１（ｄ，２Ｈ，Ｊ_H-F＝９．０Ｈｚ），７．０５〜７．５２（ｍ，３Ｈ）
ＭＳによる測定：ｍ／ｅ＝４８８（Ｍ⁺），２５２，２３９，８３，６９．
上記の測定データはよく目的とする化合物の構造を支持している。
また、この化合物の相転移温度は、Ｃ９４．２Ｎ１５７．５Ｉｓｏであり、この化合物はネマチック相を有した。
実施例３
３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロピル３，５−ジフルオロ−４−（３，４−ジフルオロフェニル）フェニルエーテル（（１）式において、Ｒ₀がプロピル基、環Ａ₁、Ａ₂がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、Ｚ₁が単結合、Ｚ₂がプロピルオキシ基、Ｘ₁、Ｘ₂がＦである化合物（化合物番号１１５）の製造
下記４段の操作により該化合物を製造した。
第１段
窒素気流下、氷浴上でＴＨＦ２００ミリリットルを５℃以下に冷却し、水素化リチウムアルミニウム４．３１グラム（１１３ミリモル）を加え攪拌した。実施例２の第３段で得られた粗製の３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロパナール４０．０グラム（１５１ミリモル）のＴＨＦ２００ミリリットル溶液を同温度を保ちながら滴下し、室温で６時間攪拌した。２Ｎ−水酸化ナトリウム水溶液５０ミリリットルに反応混合物を徐々に加え、５０℃で３０分間攪拌した。セライト濾過し、減圧下で溶媒を留去し、酢酸エチルで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、粗製の３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロパノール３４．０グラムを得た。
第２段
キシレン５０ミリリットルに上記操作で得た粗製の３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロパノール３４．０グラム（１２８ミリモル）と４７％臭化水素酸８７．９グラム（５１１ミリモル）を加え、共沸脱水で水を除去後、約１５０℃付近で２時間攪拌を行った。トルエン３００ミリリットルを加え、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液２００ミリリットルで２回、水２００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）で精製し、粗製の１−ブロモ−３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロパン１６．６グラムを得た。
第３段
窒素気流下、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）１０ミリリットルに油性の５５％−水素化ナトリウム２．９８グラム（６８．２ミリモル）を加え水冷した。３，５−ジフルオロフェノール７．３９グラム（５６．８ミリモル）のＤＭＦ５０ミリリットル溶液を滴下し、１時間攪拌した。粗製の１−ブロモ−３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−プロパン１５．６グラム（４７．４ミリモル）をトルエン／ＤＭＦ=１／３（ｖ／ｖ）の混合溶媒４０ミリリットルに溶解し、その溶液を滴下し、約８０℃付近で３時間加熱攪拌した。水５０ミリリットルに反応混合物を加え、有機層を分離し、水５０ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）で精製し、ヘプタンから１回再結晶することにより、３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロピル３，５−ジフルオロフェニルエーテル８．３６グラムを得た。
第４段
窒素気流下、この３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロピル３，５−ジフルオロフェニルエーテル５．００グラム（１３．２ミリモル）をＴＨＦ１００ミリリットルに溶解し、−３０℃まで冷却した。ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍ，ｎ−ヘキサン溶液）９．９ミリリットルを滴下し、同温度で２０分攪拌し、更に−５０℃まで冷却し１時間攪拌した。塩化亜鉛（０．５Ｍ、ＴＨＦ溶液）３１．７ミリリットルを滴下し同温度で１時間攪拌後、室温で１時間攪拌した。テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．６５グラム加え、３，４−ジフルオロブロモベンゼン３．０６グラム（１５．９ミリモル）のＴＨＦ２０ミリリットル溶液を滴下し、３時間加熱還流した。水５０ミリリットルに反応混合物を加え、トルエン３００ミリリットルで抽出し、有機層を水１００ミリリットルで３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）で精製し、粗製の３−（トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）プロピル３，５−ジフルオロ−４−（３，４−ジフルオロフェニル）フェニルエーテルを得た。この粗精製物をヘプタンから３回再結晶し、求める化合物１．７６グラムを得た。
このようにして得られた求める化合物のＮＭＲ、ＭＳによる測定結果は次のようであった。
¹Ｈ−ＮＭＲによる測定：δ（ｐｐｍ）=０．５２〜２．１０（ｍ，３１Ｈ），３．９３（ｔ，２Ｈ，Ｊ=６．５Ｈｚ），６．５２（ｄ，２Ｈ，Ｊ_H-F＝９．９Ｈｚ），７．１０〜７．５０（ｍ，３Ｈ）
ＭＳによる測定：ｍ／ｅ＝４９０（Ｍ⁺），２４２，１２３，８３，６９．
上記の測定データはよく目的とする化合物の構造を支持している。
また、この相転移温度は、Ｃ９４．２Ｎ１５７．５Ｉｓｏであり、この化合物はネマチック相を有した。
実施例１〜３の方法に準じ次の化合物が製造できる。

さらに本発明化合物を含有するネマチック液晶組成物として以下に示すような組成例（使用例１〜２６）を示すことができる。ただし組成例中の化合物は次表に示す取決めに従い略号で示した。すなわち、左末端基はｎ、ｎＯ、ｎＯｍ、Ｖ、Ｖｎ、ｎＶｍ、ｎＶｍＶｋで、結合基は２、４、Ｅ、Ｔ、Ｖ、ＣＦ₂Ｏ、ＯＣＦ₂、３Ｏで、環構造はＢ、Ｂ（Ｆ）、Ｂ（Ｆ，Ｆ）、Ｈ、Ｐｙ、Ｄ、Ｃｈで、右末端基はＦ、ＣＬ、Ｃ、ＣＦ₃、ＯＣＦ₃、ＯＣＦ₂Ｈ、ｎ、Ｏｎ、ＥＭｅ、ｎＶ、ｍＶｎ、ｍＶｎＦ、ＶＦＦで示した。

（上記の表においてｎ、ｍ、ｋは、それぞれ整数を表す。）
粘度（η）の測定温度は２０．０℃で行い、屈折率異方性（Δｎ）、誘電率異方性（Δε）及びしきい値電圧（Ｖ_th）の測定温度は、各２５．０℃で行った。また、％は重量基準である。
実施例４（使用例１）
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ４．０％
３−ＨＨ４Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ５．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ５．０％
３−ＨＢ−Ｃ２６．０％
１−ＢＴＢ−３５．０％
２−ＢＴＢ−１１０．０％
３−ＨＨ−４１１．０％
３−ＨＨＢ−１１１．０％
３−ＨＨＢ−３９．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３６．０％
Ｔ_NI＝８８．７（℃）
η＝１９．０（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１５２
Δε＝７．６
Ｖ_th＝１．９０（Ｖ）
実施例５（使用例２）
３−ＨＨ４Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ５．０％
３−ＨＨ３ＯＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ５．０％
Ｖ２−ＨＢ−Ｃ１２．０％
１Ｖ２−ＨＢ−Ｃ１２．０％
３−ＨＢ−Ｃ２４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ５．０％
２−ＢＴＢ−１２．０％
３−ＨＨ−４８．０％
３−ＨＨ−ＶＦＦ６．０％
２−ＨＨＢ−Ｃ３．０％
３−ＨＨＢ−Ｃ６．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２８．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４４．０％
Ｔ_NI＝９０．１（℃）
η＝２３．８（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１４４
Δε＝９．４
Ｖ_th＝１．７９（Ｖ）
実施例６（使用例３）
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ４．０％
３−ＨＨ３ＯＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ５．０％
２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ５．０％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ１５．０％
４Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ１３．０％
５Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ１２．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ１５．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｃ１５．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４４．０％
３−ＨＨＢ−１４．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１４．０％
Ｔ_NI＝９２．９（℃）
η＝９１．７（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１４７
Δε＝３１．４
Ｖ_th＝０．８５（Ｖ）
実施例７（使用例４）
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
３−ＨＨ４Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
３−ＨＨ３ＯＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
５−ＰｙＢ−Ｆ４．０％
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ４．０％
２−ＢＢ−Ｃ５．０％
４−ＢＢ−Ｃ４．０％
５−ＢＢ−Ｃ５．０％
２−ＰｙＢ−２２．０％
３−ＰｙＢ−２２．０％
４−ＰｙＢ−２２．０％
６−ＰｙＢ−Ｏ５３．０％
６−ＰｙＢ−Ｏ６３．０％
６−ＰｙＢ−Ｏ７３．０％
６−ＰｙＢ−Ｏ８３．０％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ６．０％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ６．０％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ２．０％
３−ＨＨＢ−１６．０％
３−ＨＨＢ−３８．０％
２−Ｈ２ＢＴＢ−２４．０％
２−Ｈ２ＢＴＢ−３４．０％
２−Ｈ２ＢＴＢ−４５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２５．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４５．０％
Ｔ_NI＝９４．０（℃）
η＝３９．６（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１９３
Δε＝６．５
Ｖ_th＝２．２４（Ｖ）
実施例８（使用例５）
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ４．０％
３−ＤＢ−Ｃ１０．０％
４−ＤＢ−Ｃ１０．０％
２−ＢＥＢ−Ｃ１２．０％
３−ＢＥＢ−Ｃ４．０％
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ６．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４８．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２６．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１６．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２５．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ２４．０％
５−ＨＥＢ−５５．０％
４−ＨＥＢ−５５．０％
１Ｏ−ＢＥＢ−２４．０％
３−ＨＨＢ−１２．０％
３−ＨＨＥＢＢ−Ｃ３．０％
３−ＨＢＥＢＢ−Ｃ３．０％
５−ＨＢＥＢＢ−Ｃ３．０％
Ｔ_NI＝６９．０（℃）
η＝４１．７（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１２１
Δε＝１１．７
Ｖ_th＝１．２８（Ｖ）
実施例９（使用例６）
３−ＨＨ４Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ５．０％
３−ＨＢ−Ｃ１８．０％
５−ＨＢ−Ｃ３．０％
１Ｏ１−ＨＢ−Ｃ１０．０％
３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ１０．０％
２−ＰｙＢ−２２．０％
３−ＰｙＢ−２２．０％
４−ＰｙＢ−２２．０％
１Ｏ１−ＨＨ−３７．０％
２−ＢＴＢ−Ｏ１７．０％
３−ＨＨＢ−１７．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ４．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１４．０％
３−ＨＨＢ−３３．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２３．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３３．０％
２−ＰｙＢＨ−３４．０％
３−ＰｙＢＨ−３３．０％
３−ＰｙＢＢ−２３．０％
Ｔ_NI＝８０．２（℃）
η＝２０．５（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１４０
Δε＝８．４
Ｖ_th＝１．７２（Ｖ）
実施例１０（使用例７）
３−ＨＨ３ＯＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ５．０％
２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ５．０％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ１１．０％
５Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ４．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ１０．０％
３−ＨＨ−ＥＭｅ１０．０％
３−ＨＢ−Ｏ２１８．０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ３．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ３．０％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ４．０％
２Ｏ１−ＨＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ２．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＥＢ（Ｆ）−Ｃ２．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ２．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ４．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１４．０％
３−ＨＨＢ−３９．０％
３−ＨＥＢＥＢ−Ｆ２．０％
３−ＨＥＢＥＢ−１２．０％
Ｔ_NI＝７７．９（℃）
η＝３９．３（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１１６
Δε＝２３．６
Ｖ_th＝０．９９（Ｖ）
実施例１１（使用例８）
３−ＨＨ４Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
５−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ５．０％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ１１．０％
５−ＰｙＢ−Ｃ６．０％
４−ＢＢ−３１１．０％
３−ＨＨ−２Ｖ１０．０％
５−ＨＨ−Ｖ１１．０％
Ｖ−ＨＨＢ−１７．０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１１２．０％
３−ＨＨＢ−１９．０％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２１０．０％
３−ＨＨＥＢＨ−３５．０％
Ｔ_NI＝９１．４（℃）
η＝１６．６（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１１７
Δε＝５．０
Ｖ_th＝２．３０（Ｖ）
実施例１２（使用例９）
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ４．０％
３−ＨＨ４Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ５．０％
３−ＨＨ３ＯＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ１５．０％
２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ５．０％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ１２．０％
５Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ４．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ１１．０％
３−ＨＢ−Ｏ２１０．０％
３−ＨＨ−４３．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ３．０％
３−ＨＨＢ−１４．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１４．０％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ４．０％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ７．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２５．０％
Ｔ_NI＝９５．８（℃）
η＝５５．０（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１３７
Δε＝２７．４
Ｖ_th＝１．０１（Ｖ）
実施例１３（使用例１０）
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ２．０％
３−ＨＨ３ＯＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ２．０％
２−ＢＥＢ−Ｃ１２．０％
３−ＢＥＢ−Ｃ４．０％
４−ＢＥＢ−Ｃ６．０％
３−ＨＢ−Ｃ２８．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４１２．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２８．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１８．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２６．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ２５．０％
３−ＨＨＢ−１３．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１４．０％
Ｔ_NI＝６３．０（℃）
η＝２８．５（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１１３
Δε＝１０．２
Ｖ_th＝１．３４（Ｖ）
実施例１４（使用例１１）
３−ＨＨ４Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ５．０％
３−ＨＨ３ＯＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−ＨＢ−Ｏ２５．０％
２−ＢＥＢ−Ｃ１０．０％
５−ＢＢ−Ｃ１２．０％
７−ＢＢ−Ｃ７．０％
１−ＢＴＢ−３７．０％
２−ＢＴＢ−１１０．０％
１Ｏ−ＢＥＢ−２３．０％
１Ｏ−ＢＥＢ−５１２．０％
２−ＨＨＢ−１４．０％
３−ＨＨＢ−Ｆ４．０％
３−ＨＨＢ−１７．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１４．０％
Ｔ_NI＝６９．８（℃）
η＝２９．０（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１５９
Δε＝７．３
Ｖ_th＝１．７６（Ｖ）
実施例１５（使用例１２）
３−Ｈ４ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
３−Ｈ３ＯＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
３−Ｈ４Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ５．０％
３−ＨＢ−Ｃ２６．０％
１−ＢＴＢ−３５．０％
２−ＢＴＢ−１１０．０％
３−ＨＨ−４１１．０％
３−ＨＨＢ−１１１．０％
３−ＨＨＢ−３９．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２４．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２６．０％
実施例１６（使用例１３）
５−Ｈ４Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ２．０％
３−Ｈ３ＯＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
３−Ｈ４Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ２．０％
３−Ｈ３ＯＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ２．０％
Ｖ２−ＨＢ−Ｃ１２．０％
１Ｖ２−ＨＢ−Ｃ１２．０％
３−ＨＢ−Ｃ２４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ５．０％
２−ＢＴＢ−１２．０％
３−ＨＨ−４８．０％
３−ＨＨ−ＶＦＦ６．０％
２−ＨＨＢ−Ｃ３．０％
３−ＨＨＢ−Ｃ６．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２８．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２５．０％
実施例１７（使用例１４）
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
３−ＨＨ４Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ５．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ１７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ１６．０％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ４．０％
２−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ６．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ６．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ１３．０％
Ｔ_NI＝９７．３（℃）
η＝２９．１（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９６
Δε＝５．１
Ｖ_th＝２．２０（Ｖ）
実施例１８（使用例１５）
３−ＨＨ４Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ４．０％
３−ＨＨ３ＯＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ４．０％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ７．０％
５−Ｈ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ５．０％
３−ＨＢ−Ｏ２１０．０％
３−ＨＨ−４５．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ３．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ６．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ６．０％
３−ＨＨＢ−１８．０％
３−ＨＨＢ−Ｏ１５．０％
３−ＨＨＢ−３４．０％
Ｔ_NI＝８８．７（℃）
η＝２２．４（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９５
Δε＝３．７
Ｖ_th＝２．５７（Ｖ）
実施例１９（使用例１６）
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
３−ＨＨ３ＯＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ５．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
３−ＨＢ−Ｏ２７．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ９．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ１６．０％
２−ＨＢＢ−Ｆ４．０％
３−ＨＢＢ−Ｆ４．０％
５−ＨＢＢ−Ｆ３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
Ｔ_NI＝８５．５（℃）
η＝３０．３（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１１５
Δε＝６．０
Ｖ_th＝１．９８（Ｖ）
実施例２０（使用例１７）
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
３−ＨＨ４Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
３−ＨＨ３ＯＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３．０％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２．０％
Ｔ_NI＝９２．０（℃）
η＝２０．４（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１２７
Δε＝５．１
Ｖ_th＝２．２８（Ｖ）
実施例２１（使用例１８）
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３．０％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３．０％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３．０％
３−ＨＤＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１５．０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６．０％
Ｔ_NI＝７４．３（℃）
η＝３４．８（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０８４
Δε＝１３．０
Ｖ_th＝１．３９（Ｖ）
実施例２２（使用例１９）
３−ＨＨ３ＯＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ４．０％
３−ＨＢ−ＣＬ１０．０％
５−ＨＢ−ＣＬ４．０％
７−ＨＢ−ＣＬ４．０％
３−ＨＢ−Ｏ２２．０％
１Ｏ１−ＨＨ−５５．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ８．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ８．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ８．０％
４−ＨＨＢ−ＣＬ８．０％
５−ＨＨＢ−ＣＬ８．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−ＣＬ４．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
５−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−２４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−３４．０％
Ｔ_NI＝９２．０（℃）
η＝２０．４（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１２７
Δε＝５．１
Ｖ_th＝２．２８（Ｖ）
実施例２３（使用例２０）
３−ＨＨ３ＯＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ５．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ８．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ８．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ８．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ２１．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１１．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３．０％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３．０％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ２．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４４．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５４．０％
Ｔ_NI＝９７．６（℃）
η＝３６．３（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１１３
Δε＝８．９
Ｖ_th＝１．７７（Ｖ）
実施例２４（使用例２１）
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ２．０％
３−ＨＨ４Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ２．０％
５−ＨＢ−Ｆ１２．０％
６−ＨＢ−Ｆ９．０％
７−ＨＢ−Ｆ９．０％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３７．０％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３５．０％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３７．０％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３５．０％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３４．０％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３４．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３５．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３３．０％
５−ＨＢＢＨ−３３．０％
Ｔ_NI＝８５．５（℃）
η＝１６．３（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９２
Δε＝４．６
Ｖ_th＝２．３８（Ｖ）
実施例２５（使用例２２）
３−ＨＨ３ＯＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ２．０％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７．０％
５−Ｈ４ＨＢ−ＯＣＦ３１５．０％
３−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３８．０％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３５．０％
３−ＨＢ−ＣＬ６．０％
５−ＨＢ−ＣＬ４．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
５−ＨＶＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３５．０％
３−Ｈ２ＨＢ−ＯＣＦ３５．０％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
３−ＨＣｈＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
５−ＨＨＥＢ−ＯＣＦ３２．０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
５−ＨＨ−Ｖ２Ｆ３．０％
Ｔ_NI＝７１．３（℃）
η＝２４．９（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０８８
Δε＝８．０
Ｖ_th＝１．７７（Ｖ）
実施例２６（使用例２３）
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ２．０％
３−ＨＨ４Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３．０％
３−ＨＨ３ＯＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−ＨＢ−Ｏ２５．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ２．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ２．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ２．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ６．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ６．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ９．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１９．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４５．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５５．０％
Ｔ_NI＝９４．４（℃）
η＝３６．０（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１２１
Δε＝６．９
Ｖ_th＝１．９８（Ｖ）
実施例２７（使用例２４）
５−Ｈ４Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＢＢ（Ｆ）−Ｆ３．０％
３−Ｈ３ＯＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ５．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ１７．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ１６．０％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ４．０％
２−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ５．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ６．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ６．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ１３．０％
実施例２８（使用例２５）
５−Ｈ４Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＢＢ（Ｆ）−Ｆ３．０％
３−Ｈ４ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
３−Ｈ３ＯＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ３．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７．０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２．０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７．０％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１２．０％
実施例２９（使用例２６）
３−Ｈ４Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ２．０％
３−Ｈ３ＯＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ２．０％
３−Ｈ４Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ２．０％
３−Ｈ３ＯＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ２．０％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
３−ＨＢ−Ｏ２７．０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ１０．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ９．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ１６．０％
２−ＨＢＢ−Ｆ４．０％
３−ＨＢＢ−Ｆ４．０％
５−ＨＢＢ−Ｆ３．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０．０％

Claims

下記の一般式（１）

（式中、Ｒ₀は炭素数１〜１５のアルキル基、又はアルケニル基を示す。該アルキル基、又はアルケニル基中の任意のメチレン基（−ＣＨ₂−）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されていてもよいが、２以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはない。；Ａ₁、Ａ₂は、それぞれ独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は六員環上の１以上の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよい１，４−フェニレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジチアン−２，５−ジイル基、及びテトラヒドロチオピラン−２，５−ジイルからなる群から選ばれる１の基を示す。；Ｚ₁、Ｚ₂は、それぞれ独立して、−（ＣＨ₂）₄−、−（ＣＨ₂）₃Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ₂）₃−又は単結合を示し、Ｚ ₁ 、Ｚ ₂ のどちらか一方は、−（ＣＨ ₂ ） ₄ −、−（ＣＨ ₂ ） ₃ Ｏ−又は−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −であり、Ａ ₁ 、Ａ ₂ が共にシクロヘキシレンの場合のＺ ₁ は、−（ＣＨ ₂ ） ₃ Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ ₂ ） ₃ −又は単結合である。；Ｘ₁、Ｘ₂は、それぞれ独立して、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ又はＢｒを示す。；また、上記化合物を構成する各元素は、その同位体で置換されていてもよい。）で表されるジフルオロフェニル誘導体。
Ｚ₁が−（ＣＨ₂）₄−又は−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であり、Ｚ₂が単結合であり、Ａ₁がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、Ａ₂がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は１，４−フェニレン基であり、Ｘ₁及びＸ₂が、それぞれ水素原子である請求項１に記載のジフルオロフェニル誘導体。
Ｚ₁が−（ＣＨ₂）₄−又は−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であり、、Ｚ₂が単結合であり、Ａ₁がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、Ａ₂がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は１，４−フェニレン基であり、Ｘ₁及び／又はＸ₂がフッ素原子である請求項１に記載のジフルオロフェニル誘導体。
Ｚ₁が単結合であり、Ｚ₂が−（ＣＨ₂）₄−又は−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であり、Ａ₁がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、Ａ₂がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は１，４−フェニレン基であり、Ｘ₁及びＸ₂が、それぞれ水素原子である請求項１に記載のジフルオロフェニル誘導体。
Ｚ₁が単結合であり、Ｚ₂が−（ＣＨ₂）₄−又は−（ＣＨ₂）₃Ｏ−であり、Ａ₁がトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、Ａ₂がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は１，４−フェニレン基であり、Ｘ₁及び／又はＸ₂がフッ素原子である請求項１に記載のジフルオロフェニル誘導体。
請求項１〜５のいずれかに記載のジフルオロフェニル誘導体を少なくとも１種類を含む２成分以上からなる液晶組成物。
第一成分として、請求項１〜５のいずれかに記載のジフルオロフェニル誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式（２）、（３）及び（４）からなる群から選択される少なくともの１種類の化合物を含有することを特徴とする液晶組成物。

（式中、Ｒ₁は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。；Ｙ₁はＦ、Ｃｌ、ＯＣＦ₃、ＯＣＦ₂Ｈ、ＣＦ₃、ＣＦ₂Ｈ又はＣＦＨ₂を示す。；Ｌ₁、Ｌ₂、Ｌ₃及びＬ₄は、それぞれ独立して、Ｈ又はＦを示す。；Ｚ₄及びＺ₅は、それぞれ独立して、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は単結合を示す。；また、ａは１又は２を示す。）
第一成分として、請求項１〜５のいずれかに記載のジフルオロフェニル誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式（５）、（６）、（７）、（８）及び（９）からなる群から選択される少なくとも１種類の化合物を含有することを特徴とする液晶組成物。

（一般式（５）中、Ｒ₂はＦ、炭素数１〜１０のアルキル基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基を示す。該アルキル基、又はアルケニル基中の任意のメチレン基（−ＣＨ₂−）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されでいてもよいが、２以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはない。；環Ａはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、又は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を示す。；環Ｂはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基、又はピリミジン−２，５−ジイル基を示す。；環Ｃはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は１，４−フェニレン基を示す。；Ｚ₆は−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−又は単結合を示す。；Ｌ₅及びＬ₆は、それぞれ独立して、Ｈ又はＦを示す。；また、ｂ及びｃは、それぞれ独立して、０又は１を示す。
一般式（６）中、Ｒ₃は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。；Ｌ₇はＨ又はＦを示す。；また、ｄは０又は１を示す。
一般式（７）中、Ｒ₄は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。；環Ｄ及び環Ｅは、それぞれ独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は１，４−フェニレン基を示す。；Ｚ₇及びＺ₈は、それぞれ独立して、−ＣＯＯ−又は単結合を示す。；Ｚ₉は−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−を示し、Ｌ₈及びＬ₉は、それぞれ独立して、Ｈ又はＦを示す。；Ｙ₂はＦ、ＯＣＦ₃、ＯＣＦ₂Ｈ，ＣＦ₃、ＣＦ₂Ｈ又はＣＦＨ₂を示す。；また、ｅ、ｆ及びｇは、それぞれ独立して、０又は１を示す。
一般式（８）中、Ｒ₅及びＲ₆は、それぞれ独立して、炭素数１〜１０のアルキル基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基を示す。該アルキル基、又はアルケニル基中の任意のメチレン基（−ＣＨ₂−）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されていてもよいが、２以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはない。；環Ｇはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基、又はピリミジン−２，５−ジイル基を示す。；環Ｈはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は１，４−フェニレン基を示す。；Ｚ₁₀は−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を示す。；また、Ｚ₁₁は−ＣＯＯ−又は単結合を示す。
一般式（９）中、Ｒ₇及びＲ₈は、それぞれ独立して、炭素数１〜１０のアルキル基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基を示す。該アルキル基、又はアルケニル基中の任意のメチレン基（−ＣＨ₂−）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されていてもよいが、２以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはない。；環Ｉはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基、又はピリミジン−２，５−ジイル基を示す。；環Ｊはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、環上の１以上の水素原子がＦで置換されていてもよい１，４−フェニレン基、又はピリミジン−２，５−ジイル基を示す。；環Ｋはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、又は１，４−フェニレン基を示す。；Ｚ₁₂及びＺ₁₄は、それぞれ独立して、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ₂）₂−又は単結合を示す。；Ｚ₁₃は−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−又は単結合を示す。；また、ｈは０又は１を示す。）
第一成分として、請求項１〜５のいずれかに記載のジフルオロフェニル誘導体を少なくとも１種類含有し、第二成分として、一般式（２）、（３）及び（４）からなる群から選択される化合物を少なくとも１種類含有し、第三成分として、一般式（５）、（６）、（７）、（８）及び（９）からなる群から選択される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。
請求項６〜９のいずれか１項に記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。