JP4070152B2 - トロイダル低電場反応性ガスソース - Google Patents
トロイダル低電場反応性ガスソース Download PDFInfo
- Publication number
- JP4070152B2 JP4070152B2 JP50568899A JP50568899A JP4070152B2 JP 4070152 B2 JP4070152 B2 JP 4070152B2 JP 50568899 A JP50568899 A JP 50568899A JP 50568899 A JP50568899 A JP 50568899A JP 4070152 B2 JP4070152 B2 JP 4070152B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reactive gas
- plasma
- plasma chamber
- chamber
- primary winding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/16—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
発明の分野
本発明は、概してイオン、フリーラジカル、原子、および分子を包含する活性ガスを発生させる分野、ならびに活性ガスを備える材料を処理するための装置および方法に関する。
発明の背景
プラズマ放電は、イオン、フリーラジカル、原子、および分子を含有する活性ガスを生成するようにガスを励起するために用いられ得る。活性ガスは、半導体ウェハのような固体材料、粉末、および他のガスの処理を含む、数多くの産業的ならびに科学的応用例のために用いられる。処理される材料に対するプラズマのパラメータ、およびプラズマ照射の条件は、応用例により広く異なる。
例えば、いくつかの応用例は、処理される材料が損傷に敏感であるため、低い機械的エネルギー（即ち数エレクトロンボルト）を備えたイオンの使用を必要とする。他の応用例（例えば、異方性エッチングまたは平面化誘電蒸着）は、高い機械的エネルギーのイオンを備えたイオンの使用を必要とする。また別の応用例（例えば、反応性イオンビームエッチング）は、イオンエネルギーの精密な制御を必要とする。
いくつかの応用例は、処理される材料の高密度のプラズマへの直接照射を必要とする。そのような１つの応用例は、イオン活性化学反応が発生している。他のそのような応用例は、材料のエッチングおよび材料の高アスペクト比構造への蒸着を含む。他の応用例は、材料がイオンにより生じる損傷に敏感であるため、あるいは処理が高い選択的要件を有するため、処理される材料のプラズマからの遮蔽を必要とする。
プラズマは、直流放電、高周波（ＲＦ）放電、およびマイクロ波放電を含む多様な方法において発生し得る。直流放電は、ガス内の２つの電極間においてポテンシャルを付与することにより達成される。平行なプレートは、典型的には静電気的にエネルギーをプラズマへつなげるために用いられる。誘導コイルは、典型的には電流をプラズマへ入れるために用いられる。例えば、Reinbergらに発行された米国特許第４，４３１，８９８号は、変圧器コアが交流電力ソースからの交流電力を非誘導材料から形成されるプラズマチャンバ内へ連結する、ＲＦ誘導的連結プラズマ発生器を記載している。同様に、Kaendlerらによる「Characterization of Plasma In an Inductively Coupled High-Dense Plasma Source」、Fourth International Conference on Plasma Surface Engineering、Garmisch−Partenkirchen、Germany、1994年９月、Vol.74〜75、no.１〜３、pp.539〜545）において、ＲＦ発生器からの電力がフェライトコア変圧器の１次巻線に誘導的に連結されている、プラズマ発生器が記載されている。
マイクロ波は、マイクロ波通過窓を通して、ガスを包含する放電チャンバへマイクロ波エネルギーを直接的に連結することにより達成される。マイクロ波放電は、それらが広範囲の放電条件（高度にイオン化された電子サイクロトン共振（ＥＣＲ）プラズマを含む）を支持するために用いられ得ることから、有益である。
ＲＦ放電および直流放電は、高エネルギーイオンを固有に生成し、よって処理される材料がプラズマと直接的に接触している応用例のためのプラズマを発生するためにしばしば用いられる。マイクロ波放電は、濃密な、低イオンエネルギープラズマを生成し、よって「ダウンストリーム」処理のための活性ガスのストリームを生成するためにしばしば用いられる。マイクロ波放電はまた、低エネルギーでイオンを発生し、そのイオンを付与されたポテンシャルを備えた処理面に対して加速することが望ましい応用例のためにも有益である。
しかし、マイクロ波および誘導的に連結されたプラズマソースは、高価かつ複雑な電力配給システムを必要とする。これらのプラズマソースは、精密ＲＦまたはマイクロ波電力発生器および発生器のインピーダンスとプラズマソースを一致させる複雑な一致ネットワークを必要とする。さらに、精密計測器が通常必要とされ、プラズマに至る実電力を確実にし、かつ制御する。
ＲＦ誘導的連結プラズマは、半導体ウェハ処理のような応用例のための広い領域のプラズマを発生するために特に有益である。しかし、従来技術のＲＦ誘導的連結プラズマは、駆動電流がプラズマに弱く連結されることから、純粋に誘導的とはいえない。高電圧は、反応器表面の高エネルギーイオン照射メントを引き起こす高い静電場を生成する。イオン照射は、反応器を劣化させ、処理チャンバおよび処理される材料を汚染する。イオン照射はまた、処理される材料を損傷させ得る。
ファラデー遮蔽は、高静電場を包含するために誘導的連結プラズマソースに用いられてきた。しかし、駆動コイル電流のプラズマへの比較的弱い連結のため、遮蔽内に大きな渦電流を形成し、相当量の電力浪費をもたらす。経費、複雑性、および低減された電力効率は、ファラデー遮蔽の使用を望ましくないものにする。
発明の要旨
従って、本発明の主要な目的は、従来のＲＦまたはマイクロ波発生器およびインピーダンス一致システムの使用なしに電力をプラズマへ連結するデバイスを連結する、高効率ＲＦ電力を用いる活性ガスのソースを提供することである。
本発明の別の主要な目的は、処理反応器内において顕著なエネルギーイオン照射のない、あるいは長期的動作がソースへの損傷かつ汚染材料の生成なしに化学的反応ガスを用いて持続され得る、材料処理のための活性ガスのソースを提供することである。
本発明の別の主要な目的は、金属、誘電、もしくは被覆金属（例えば、陽極化（anodized））のうちのいずれかが、ソースチャンバを形成するために用いられ得る。
本発明の主要な発見は、スイッチング半導体デバイスが、変圧器の２次回路を形成するように、電磁的エネルギーをプラズマへ連結する電力変圧器の１次巻線を効率的に駆動させるために用いられ得ることである。誘導的駆動型トロイダルプラズマソースが金属性プラズマチャンバを備えて構成され得ることは、本発明の別の主要な発見である。
従って、本発明はプラズマチャンバを含むガスを解離するための装置を特徴とする。プラズマチャンバは、アルミニウムのような金属材料から形成されてもよく、あるいは石英のような誘電材料から形成されてもよい。金属材料は超硬合金であってもよい。該装置はプラズマチャンバに連結され、プラズマチャンバ内のプラズマにより発生した反応性ガスを受け取るように位置づけられた処理チャンバを含んでもよい。
該装置はまた、プラズマチャンバの一部を包囲する磁気コアを有し、かつ１次巻線を有する変圧器をも含み得る。１つ以上のスイッチング半導体デバイスは、電圧源に直接的に連結され、変換器の１次巻線に連結された出力を有する。１つ以上のスイッチング半導体デバイスは、変圧器の１次巻線に直接的に連結され得る。１つ以上のスイッチング半導体デバイスは、スイッチングトランジスタであってもよい。電圧源はライン電圧源またはバス電圧源であり得る。
該装置は、チャンバ内のプラズマの点火を補助する自由電荷発生器を含み得る。好ましい実施形態において、電極は、チャンバ内に位置づけられ、自由電荷を発生する。別の好ましい実施形態においては、電極は、容量的にチャンバに連結され、自由電荷を発生する。別の好ましい実施形態においては、紫外光源が光学的にチャンバに連結され、自由電荷を発生する。
該装置は、１次巻線の、およびプラズマの電気的パラメータを計測するための回路を含み得る。回路は、１次巻線を駆動する電流、１次巻線の電圧、バス電圧源、１次巻線における平均電力、ならびに１次巻線におけるピーク電力のようなパラメータを計測する。電力制御回路は、１次巻線の、およびプラズマの電気的パラメータを計測するために回路に連結され得る。電力制御回路は、１次巻線の、およびプラズマの電気的特性の計測に基づき、かつ所望の動作条件を表す予め決められた設定点から１次巻線を介して流れる電流を規制する。
本発明はまた、ガスを解離するための方法を特徴とする。該方法は、ある圧力下におけるガスを包含するためのチャンバを提供することを含む。圧力は、実質的には１mtorrと１００torrとの間であり得る。ガスは、希ガス、反応性ガス、もしくは少なくとも１つの希ガスおよび少なくとも１つの反応性ガスの混合物を含み得る。該方法はまた、チャンバの一部を包囲する磁気コアを有し、かつ１次巻線を有する、変圧器を提供することを含む。
加えて、該方法は１つ以上のスイッチング半導体デバイスを電圧源（これはライン電圧源またはバス電圧源であり得る）に直接的に連結することを含む。１つ以上のスイッチング半導体デバイスはまた変圧器の１次巻線に連結され、それらは１次巻線を駆動する電流を発生する。１つ以上のスイッチング半導体デバイスは、変圧器の１次巻線に直接的に連結され得る。
該方法はまた、変圧器の１次巻線における電流を備えたプラズマチャンバ内のポテンシャルを誘導することを含む。誘導ポテンシャルの大きさは、コアにより生成された磁場、ならびにスイッチング半導体デバイスがファラデーの誘導の法則に従って動作する周波数に依存する。ポテンシャルは、変圧器の２次回路を完成するプラズマを形成する。プラズマの電場は、実質的には１から１００V/cmの間であり得る。該方法はチャンバ内の初期イオン化工程を提供することを含んでもよい。初期イオン化工程は、１次巻線もしくはプラズマチャンバ内に位置づけられた電極への電圧パルスの付与であってもよい。初期イオン化工程はまた、チャンバを紫外線放射に照射することであってもよい。
該方法は、１つ以上の１次巻線を駆動する電流を含む、１次巻線の、およびプラズマの電気的パラメータ、１次巻線の電圧、バス電圧、１次巻線における平均電力、ならびに１次巻線におけるピーク電力を計測する工程を含んでもよい。さらに、該方法は、１次巻線、プラズマの電気的パラメータの計測からの、ならびに所望の動作条件を表す予め決められた設定点からの、１つ以上のスイッチング半導体デバイスの出力を決定する工程を含んでもよい。
本発明はまた、処理チャンバを洗浄するための方法をも含む。該方法は、処理チャンバに連結されたプラズマチャンバを提供することを含む。プラズマチャンバは、ある圧力下における反応性ガスを包含する。変圧器は、プラズマチャンバの一部を包囲する磁気コアを有し、かつ１次巻線を有して提供される。１つ以上のスイッチング半導体デバイスは、変圧器の１次巻線を駆動する電流を発生するための電圧源に直接的に連結される。
さらに、該方法は、１次巻線内の電流を備えたプラズマチャンバ内のポテンシャルを誘導することを含む。誘導されたポテンシャルの大きさは、コアにより生成された磁場、ならびにスイッチング半導体デバイスがファラデーの誘導の法則に従って動作する周波数に依存する。ポテンシャルは、変圧器の２次回路を完成するプラズマを形成する。該方法はまた、プラズマ内で発生した原子、分子、およびフリーラジカルのような化学的に活性な種を、プラズマチャンバから処理チャンバ内へ方向づけ、それにより処理チャンバを洗浄することを含む。
本発明はまた、反応性ガスを発生するための方法をも含む。該方法は、処理チャンバに連結されたプラズマチャンバを提供することを含む。プラズマチャンバは、ある圧力下における反応ガスを包含する。変圧器は、チャンバの一部を包囲する磁気コアを有し、かつ１次巻線を有して提供される。１つ以上のスイッチング半導体デバイスは、電圧源に直接的に連結され、変換器の１次巻線を駆動する電流を発生する。
さらに、該方法は、１次巻線内の電流を備えたプラズマチャンバ内のポテンシャルを誘導することを含む。誘導ポテンシャルの大きさは、コアにより生成された磁場、ならびにスイッチング半導体デバイスがファラデーの誘導の法則に従って動作する周波数に依存する。ポテンシャルは、変圧器の２次回路を完成するプラズマを形成する。該方法はまた、プラズマ内の反応性ガスを発生することを含む。
本発明はまた、イオンを発生するための装置をも特徴とする。該装置は、耐熱金属のような金属材料から形成され得るプラズマチャンバを含む。処理チャンバは、プラズマチャンバ内のオリフィスに連結され得、プラズマにより発生するイオンを受け取るように適応され得る。加速電極は、プラズマにより発生するイオンを加速するために処理チャンバ内に位置づけられ得る。
該装置はまた、プラズマチャンバの一部を包囲する磁気コアを有し、かつ１次巻線を有する変圧器をも含んでもよい。１つ以上のスイッチング半導体デバイスは、電圧源（これはライン電圧源またはバス電圧源であり得る）に直接的に連結され、変圧器の１次巻線に連結された出力を有する。動作において、１つ以上のスイッチング半導体デバイスは、変圧器の１次巻線内の電流を駆動する。電流は、変圧器の２次回路を完成するプラズマを形成するチャンバ内のポテンシャルを誘導する。イオンは、プラズマからオリフィスを通して抽出される。イオンは、加速電極により加速され得る。
本発明はまた、ガスを解離するための別の装置をも特徴とする。該装置は、アルミニウムのような導電体を含むプラズマチャンバ、ならびにチャンバ内の誘導された電流が流れることを防ぐ、少なくとも１つの誘電領域を含む。プラズマチャンバは、プラズマチャンバの少なくとも２つの領域を区分した複数の誘電領域を含んでもよい。誘電領域は、チャンバの少なくとも１つの接合面上の誘電被覆を含んでもよい。プラズマチャンバはまた、チャンバの温度を制御する液体を通すためのクーリングチャネルを含んでもよい。
さらに、該装置は、チャンバの一部を包囲する磁気コアを有し、かつ１次巻線を有する、変圧器を含んでもよい。該装置はまた、変圧器の１次巻線に電気的に連結された出力を有する電源を含む。電源は、変圧器の２次の回路を完成するプラズマを形成をするチャンバ内のポテンシャルを誘電する１次巻線内の電流を駆動する。電源は、電圧源に直接的に連結され、変圧器の１次巻線に連結された出力を有する、１つ以上のスイッチング半導体デバイスを含み得る。電圧源は、ライン電圧源またはバス電圧源を含み得る。
該装置は、チャンバ内のプラズマの点火を補助する自由電荷を発生するための手段を含んでもよい。好ましい実施形態において、電極は、チャンバ内に位置づけられ、自由電荷を発生する。別の好ましい実施形態においては、電極は、容量的にチャンバに連結され、自由電荷を発生する。別の好ましい実施形態においては、紫外光源が光学的にチャンバに連結され、自由電荷を発生する。
【図面の簡単な説明】
本発明は、特に添付の特許請求の範囲において説明される。本発明の上記およびさらなる利点は、付随の図面に照らし合わせた以下の説明を参照しながら、よりよく理解され得る。
図１は、本発明を実施した活性ガスを生成するためのトロイダル低電場プラズマソースの概略図であり、
図２は、本発明を実施した活性ガスを生成するためのトロイダル低電場プラズマソースを用いる、ＮＦ３フィードガスの流れ速度の関数とした、サーマル二酸化珪素のエッチング速度のグラフを示し、
図３は、図１に関して示されたトロイダル低電場プラズマソースと共に用いられ得る金属プラズマチャンバの概略図であり、
図４は、誘導された電流の流れがプラズマチャンバ内に形成されることを防ぐ、図３に示す誘電領域に適した誘電スペーサの概略図であり、
図５は、本発明を実施した、高密度のイオンビーム処理のために構成されたトロイダル低電場イオンビームソースの概略図であり、
図６は、図１の１つ以上のスイッチング半導体デバイスを含む、固体のスイッチング電源の概略ブロック図である。
詳細な説明
図１は、本発明の実施形態としての、活性化ガスを生成するためのトロイダル低電場プラズマソース１０の概略図である。ソース１０は、電磁エネルギーをプラズマ１４中に結合する電力変圧器１２を有する。電力変圧器１２は、高透磁率の磁性体コア１６、１次コイル１８、および、プラズマ１４が変圧器１２の２次回路を形成することを可能にするプラズマチャンバ２０を有する。電力変圧器１２は、さらなる２次回路を形成するための、さらなる磁性体コアおよび導電体１次コイルを（図示せず）を有し得る。
プラズマチャンバ２０は、アルミニウムまたは耐熱金属などの金属材料から形成され得、あるいは、石英などの誘電体材料から形成され得る。プラズマチャンバ２０の一つ以上の側面を処理チャンバ２２に露すことにより、プラズマ１４によって発生された帯電粒子が、処理される材料（図示せず）と直接接触することを可能にし得る。処理する材料を支持するためのサンプルホルダ２３を処理チャンバ２２中に位置させ得る。処理される材料は、プラズマのポテンシャルに対してバイアスされ得る。
ライン電圧源またはバス電圧源であり得る電圧源２４が、１つ以上のスイッチング半導体デバイスを含む回路２６に、直接結合されている。１つ以上のスイッチング半導体デバイスは、スイッチングトランジスタであり得る。回路は、ソリッドステートスイッチング電源であり得る。回路２６の出力２８は、変圧器１２の１次巻線１８に直接結合され得る。
トロイダル低電場プラズマソース１０は、プラズマチャンバ２０内のプラズマを点火する初期イオン化工程を提供する、自由電荷発生手段を有し得る。初期イオン化工程は、プラズマチャンバに印加される短く、高電圧のパルスであり得る。パルスは、約５００〜１００００ボルトの電圧を有し得、長さ約０．１〜１０マイクロ秒であり得る。プラズマを点火するために要する電圧を減少させるために、アルゴンなどの希ガスをプラズマチャンバ２０内に挿入し得る。また、プラズマチャンバ２０内のプラズマを点火する初期イオン化工程を提供する自由電荷を、プラズマチャンバ２０内に発生させるために、紫外線照射を用い得る。
好適な実施形態において、短く、高電圧の電気パルスは、１次コイル１８に直接印加されることにより、初期イオン化工程を提供する。別の好適な実施形態においては、短く、高電圧の電気パルスは、プラズマチャンバ２０内に位置する電極３０に対して印加される。別の好適な実施形態においては、短く、高電圧の電気パルスは、プラズマチャンバ２０に対して容量的に結合された電極３２に対して印加される。別の好適な実施形態においては、プラズマチャンバ２０は、プラズマチャンバ２０に対して光学的に結合された紫外線光源３４から発光される、紫外線照射に曝される。紫外線照射は、プラズマを点火する初期イオン化工程を発生させる。
トロイダル低電場プラズマソース１０はまた、１次巻線１８の電気的パラメータを測定するための回路３６を有し得る。１次巻線１８の電気的パラメータは、１次巻線１８を駆動する電流、１次巻線１８の両端に印加される電圧、電圧源２４によって発生されるバスまたはライン電圧源、１次巻線１８中の平均電力および、１次巻線１８中のピーク電力を含む。
さらに、プラズマソース１０は、プラズマ１４の重要な電気的パラメータを測定するための手段を有し得る。重要な電気的パラメータは、プラズマ電流および電力を含む。例えば、ソース１０は、変圧器１２の２次側に流されるプラズマ電流を測定するための、プラズマチャンバ２０の周囲に位置する電流プローブ３８を有し得る。プラズマソース１０はまた、プラズマ１４からの光発光を測定するための光検出器４０を有し得る。さらにプラズマソース１０は、電流プローブ３８、電力検出器４０、および回路２６のうちの１つ以上からのデータを受け取った後、１次巻線１８中の電流を調整することによりプラズマ中の電力を調整する、出力制御回路４２を有し得る。
動作中において、実質的に１mtorrから１００torrの間の圧になるまで、ガスをプラズマチャンバ２０中へ流し込む。ガスは、希ガス、反応性ガス、あるいは少なくとも１つの希ガスおよび少なくとも１つの反応性ガスの混合物を包含する。スイッチング半導体デバイスを含む回路２６は１次巻線１８中に電流を供給し、この電流がプラズマチャンバ内にポテンシャルを誘導する。誘導されるポテンシャルの大きさは、ファラデーの誘導法則に基づき、スイッチング半導体デバイスが動作する周波数および、コアによって発生される磁場に依存する。プラズマを形成するイオン化工程は、チャンバ内で開始され得る。イオン化工程は、１次巻線またはチャンバ２０内の電極３０への電圧の印加であり得る。または、イオン化工程は、チャンバを紫外線照射への曝露であってもよい。
ガスがイオン化されるとプラズマが形成され、このプラズマが変圧器の２次回路を完成する。プラズマの電場は、実質的に１〜１００V/cmの間であり得る。希ガスのみがプラズマチャンバ２０内に存在する場合、プラズマ１４の電場は１volt/cmのように低くなり得る。しかし、電気的陰性のガスがチャンバ内に存在していれば、プラズマ１４中の電場はずっと高くなる。プラズマチャンバ１４中の低電場によってプラズマソース１０を動作させることが望ましい。なぜなら、プラズマとチャンバとの間の低ポテンシャル差は、高エネルギーイオンによるチャンバの浸食ならびにその結果としての処理中の材料の汚染を、実質的に減少させる。
プラズマに送達される電力は、出力制御回路４２，１次巻線１８の電気的パラメータを測定するための回路３６、および１つ以上のスイッチング半導体デバイスを含む回路２６を包含するフィードバックループ４４によって、正確に制御されることができる。さらに、フィードバックループ４４は電流プローブ３８および光検出器４０をも含み得る。
好適な実施形態において、出力制御回路４２は、１次巻線１８の電気的パラメータを測定するための回路３６を用いてプラズマ中の電力を測定する。そして出力制御回路４２は、測定値を所望の動作条件を表す所定のセットポイントに対して比較し、回路２６の１つ以上のパラメータを調整することによりプラズマに送達される電力を制御する。回路２６の１つ以上のパラメータは、１つ以上のスイッチング半導体デバイスへの駆動パルスのパルス振幅、周波数、パルス幅、および相対位相を含む。
別の好適な実施形態において、出力制御回路４２は、電流プローブ３８または光検出器４０を用いてプラズマ中の電力を測定する。そして出力制御回路４２は、測定値を所望の動作条件を表す所定のセットポイントに対して比較し、回路２６の１つ以上のパラメータを調整することによりプラズマに送達される電力を制御する。
プラズマソース１０は、ライン電力からプラズマに吸収される電力への変換効率が、従来技術のプラズマソースに比較して非常に高いという利点を有する。これは、１次巻線１８へ電流を供給する１つ以上のスイッチング半導体デバイスを含む回路２６が、高効率であるためである。変換効率は、９０％より実質的に大きくあり得る。プラズマソース１０はまた、従来のインピーダンス整合ネットワークまたは従来のRF電力生成器の使用を要しない点においても、有利である。これは、一般的にコストを削減し、プラズマソースの信頼性を増す。
さらに、プラズマソース１０は、プラズマチャンバ２０中の低電場によって動作する点においても有利である。プラズマとチャンバとの間の低ポテンシャル差は、プラズマチャンバ２０内における高エネルギーイオン照射（ionbombardment）を実質的に減少させるため、低電場が望ましい。プラズマチャンバ２０内における高エネルギーイオン照射を減少させることは、特に化学反応性ガスを用いた場合において、プラズマチャンバ２０内の汚染材料の生成を最小にするため、望ましい。例えば、NF3およびCF4/02などのフッ素系のガスを本発明のプラズマソース１０中に用いた場合（耐フッ素材料で形成されたプラズマチャンバを含む）、低イオン温度フッ素プラズマの長い照射の後、チャンバの浸食はまったく観察されないか、最小限の浸食が観察されるだけであった。
プラズマソース１０は、固体表面、粉体、およびガスなどの、多くの材料を処理するために有用である。プラズマソース１０は特に、薄膜蒸着およびエッチングシステムなどの半導体処理設備中の処理チャンバの洗浄に、有用である。プラズマソース１０はまた特に、イオン注入およびイオンミリングシステム用のイオンソースを提供するために有用である。
さらに、プラズマソース１０は、シリコン、二酸化シリコン、窒化シリコン、アルミニウム、モリブデン、タングステンなどの半導体デバイス、ならびに、フォトレジスト、ポリイミド（polyimade）、およびその他のポリマー性材料などの有機材料を製造するために用いられる、多くの材料のエッチングに用いられるエッチングシステム用のソースを提供するために、有用である。プラズマソース１０はまた、ダイアモンド膜、二酸化シリコン、窒化シリコン、および窒化アルミニウムなどの多くの薄膜のプラズマ強化蒸着用のソースを提供するために、有用である。
本プラズマソースはまた、原子状フッ素、原子状塩素、および原子状酸素などの反応性ガスを生成するためにも有用である。このような反応性ガスは、二酸化シリコン、酸化スズ、酸化亜鉛、およびインジウム酸化スズなどの様々な酸化物を還元、変換、安定化、あるいは不動態化するために有用である。応用例として、フラックス無しでのはんだ付け、シリコン表面からの二酸化シリコンの除去、およびウェハ処理前におけるシリコン表面の不動態化が含まれる。
プラズマソース１０の他の応用例として、ポリマー、金属、セラミック、および紙の表面特性の改変が含まれる。プラズマソース１０はまた、CF4、NF3、C2F6、CHF3、SF6などのフッ素含有化合物ならびに、ダイオキシンおよびフランなどの有機化合物、ならびにその他の揮発性有機化合物を含む、環境に害を及ぼすガスの緩和にも用いられ得る。さらに、プラズマソース１０は、殺菌用の原子状酸素、原子状塩素または原子状フッ素の高フラックスを生成するためにも用いられ得る。プラズマソース１０はまた、大気圧トーチにおいても用いられ得る。
図２は、本発明の実施形態としてのトロイダル低電場プラズマソースを用いた、NF3フィードガスの流速の関数としてのサーマル二酸化シリコンのエッチングレートをプロットしたものである。トロイダル低電場プラズマソース１０は、下流側における原子状フッ素ソースとして構成された。電力は約3.5kWであった。
図３は、図１に関連して説明したトロイダル低電場プラズマソースとともに用いられ得る、金属製プラズマチャンバ１００の概略図である。プラズマチャンバ１００は、アルミニウム、銅、ニッケルおよび鉄などの金属から形成される。プラズマチャンバ１００はまた、陰極処理されたアルミニウムまたはニッケルメッキされたアルミニウムなどのコーティングされた金属から形成され得る。プラズマチャンバ１００は、プラズマチャンバ１００の温度を制御する流体を通すための埋め込み型クーリングチャネル１０２を有する。
図示のように、第１の高透磁率磁性体コア１０４と第２の高透磁率磁性体コア１０６が、プラズマチャンバ１００を囲んでいる。磁性体コア１０４および１０６は、図１の変圧器１２の一部である。図１に関連して説明したように、第１のコア１０４および第２のコア１０６の各々は、変圧器１２の２次回路を完成するプラズマを形成するポテンシャルを誘導する。トロイダル低電場プラズマソースを動作させるためには、一方の磁性体コアのみが必要である。
出願人は、誘導的に駆動されるトロイダル低電場プラズマソースが、金属製のプラズマチャンバを用いて作成され得ることを見出した。従来技術における誘導結合されたプラズマソースは、誘導された電流がプラズマチャンバ自体の中で形成されることを防ぐために、誘電体材料で形成されたプラズマチャンバを用いている。本発明のプラズマチャンバ１００は、プラズマチャンバ１００の一部を電気的に分離するための少なくとも１つの誘電体領域を含んでいることにより、プラズマチャンバ１００を通じた電気的連続性を無くしている。この電気的分離は、誘導された電流がプラズマチャンバ自体の中で形成されることを防ぐ。
プラズマチャンバ１００は、誘導された電流がプラズマチャンバ１００中に形成されることを防ぐ、第１の誘電体領域１０８および第２の誘電体領域１１０を含む。誘電体領域１０８および１１０は、プラズマチャンバ１００を、第１の領域１１２および第２の領域１１４に電気的に分離する。第１の領域１１２および第２の領域１１４の各々は、高度真空シールにより誘電体領域１０８、１１０に接続されることにより、プラズマチャンバ１００を形成している。高度真空シールは、エラストマーシールからなっていてもよく、あるいは、ろう付け接合などのような永久的なシールにより形成されてもよい。汚染を減少させるために、誘電体領域１０８、１１０はプラズマから保護されてもよい。誘電体領域１０８、１１０は、プラズマチャンバ１００の組み合わせ面１１６を分離する誘電体スペーサを有してなっていてもよく、あるいは、組み合わせ面１１６上の誘電体コーティングであってもよい。
動作において、フィードガスが流入口１１８中に流れ込む。図１に関連して説明したように、第１のコア１０４および第２のコア１０６の各々は、変圧器１２の２次回路を完成するプラズマを形成するポテンシャルを、プラズマチャンバ１００内に誘導する。トロイダル低電場プラズマソースを動作させるためには、１つの磁性体コアのみが必要であることに留意されたい。
トロイダル低電場プラズマソースにおいて金属またはコーティングされた金属のチャンバを用いることは有利である。なぜなら、いくつかの金属は、プラズマ処理に通常用いられる特定の化学薬品（フッ素系ガスなど）に対してより高い耐性を有するからである。さらに、金属またはコーティングされた金属のチャンバは、誘電体チャンバよりもかなり高い温度においてかなり高い熱伝導率を有し得るため、かなり高電力のプラズマを発生することができる。
図４は、プラズマチャンバ中において誘導電流が形成されることを防ぐ図３に示す誘電体領域に適した、誘電体スペーサの概略図である。この実施形態において、高度真空シール１５２が、誘電体スペーサ１５０の外側に形成される。誘電体領域は、突出したチャンバ壁１００によってプラズマから保護される。
図５は、本発明の実施形態としてのトロイダル低電場プラズマ発生器を含む、イオンビームソース２００の概略図である。イオンビームソース２００は、イオンミリングおよびイオン注入を含む、多くのイオンビーム処理用途において、用いられ得る。イオンビームソース２００は、図３に関連して説明した金属製のプラズマチャンバ１００を含む、トロイダル低電場プラズマソース２０２を有する。プラズマチャンバ１００は、プラズマによって発生されたイオンをプラズマチャンバ１００の外部に抽出するための、スリット２０４を有する。加速電極２０６が、プラズマチャンバ１００から出てくるイオンを、所定の電場で加速することにより、イオンが所定のエネルギーを有するようなイオンビームを形成する。
所望のイオン種を選択ために、加速されたイオンの経路中に、質量分離マグネット２０８を設置し得る。所望のイオン種を所定の高エネルギーに加速するために、加速電極の第２の組を用い得る。イオンレンズを用いて、高エネルギーイオンビームを収束させ得る。垂直軸スキャナ２１２および水平軸スキャナ２１４を用いて、サンプル２１６を横切ってイオンビームを走査してもよい。偏向器（deflector）２１８を用いてイオンビームを中性粒子から分離することにより、イオンビームはサンプル２１６に衝突し、中性粒子は中性トラップ２２０に衝突するようにしてもよい。
図６は、図１の１つ以上のスイッチング半導体デバイスを含む、ソリッドステートスイッチング電源２５０の概略ブロック図である。出願人は、電磁エネルギーをプラズマに結合することにより変圧器の２次回路を形成する電力変圧器１２の１次巻線を駆動するために、スイッチング半導体デバイスを用い得ることを見出した。
トロイダル低電場プラズマソースにおけるスイッチング半導体デバイスの使用は有利である。なぜなら、スイッチング電源は、プラズマソースに電力を提供するために用いられる従来のRFおよびマイクロ波電源よりも、ずっと安価であり、物理的にも体積がずっと小さく重量が軽いためである。これは、スイッチング電源が、ライン分離回路またはインピーダンス整合回路を必要としないためである。
本発明は、１次巻線１８（図１）中の電流を駆動するために、任意のスイッチング電源構成を用いることができる。例えば、スイッチング電源２５０は、ライン電圧源２５６に結合されたフィルタ２５２および整流器回路２５４を含み得る。フィルタ２５２および整流器回路２５４の出力２５８は、典型的には数１００ボルトの直流電圧を生成する。出力２５８は、電流モード制御回路２６０に結合される。
電流モード制御回路２６０は、第１の分離ドライバ２６２、２６２ａおよび第２の分離ドライバ２６４、２６４ａに結合される。第１の分離ドライバ２６２、２６２ａおよび第２の分離ドライバ２６４、２６４ａは、スイッチングトランジスタの第１の対２６６および第２の対２６８を駆動する。スイッチングトランジスタは、IGBTまたはFETデバイスであり得る。スイッチングトランジスタの第１の対２６６および第２の対２６８の出力は、正弦波を含む、多くの波形を有し得る。スイッチングトランジスタの出力は１次巻線および磁性体コア２６９によって、変圧器２次側を形成するトロイダルプラズマ２７０に結合されている。
均等物
本発明を特定の好適な実施形態について特に図示し説明したが、添付の請求の範囲に定義された発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、様々な形態および詳細における変更をなし得ることが、当業者には理解される。
本発明は、概してイオン、フリーラジカル、原子、および分子を包含する活性ガスを発生させる分野、ならびに活性ガスを備える材料を処理するための装置および方法に関する。
発明の背景
プラズマ放電は、イオン、フリーラジカル、原子、および分子を含有する活性ガスを生成するようにガスを励起するために用いられ得る。活性ガスは、半導体ウェハのような固体材料、粉末、および他のガスの処理を含む、数多くの産業的ならびに科学的応用例のために用いられる。処理される材料に対するプラズマのパラメータ、およびプラズマ照射の条件は、応用例により広く異なる。
例えば、いくつかの応用例は、処理される材料が損傷に敏感であるため、低い機械的エネルギー（即ち数エレクトロンボルト）を備えたイオンの使用を必要とする。他の応用例（例えば、異方性エッチングまたは平面化誘電蒸着）は、高い機械的エネルギーのイオンを備えたイオンの使用を必要とする。また別の応用例（例えば、反応性イオンビームエッチング）は、イオンエネルギーの精密な制御を必要とする。
いくつかの応用例は、処理される材料の高密度のプラズマへの直接照射を必要とする。そのような１つの応用例は、イオン活性化学反応が発生している。他のそのような応用例は、材料のエッチングおよび材料の高アスペクト比構造への蒸着を含む。他の応用例は、材料がイオンにより生じる損傷に敏感であるため、あるいは処理が高い選択的要件を有するため、処理される材料のプラズマからの遮蔽を必要とする。
プラズマは、直流放電、高周波（ＲＦ）放電、およびマイクロ波放電を含む多様な方法において発生し得る。直流放電は、ガス内の２つの電極間においてポテンシャルを付与することにより達成される。平行なプレートは、典型的には静電気的にエネルギーをプラズマへつなげるために用いられる。誘導コイルは、典型的には電流をプラズマへ入れるために用いられる。例えば、Reinbergらに発行された米国特許第４，４３１，８９８号は、変圧器コアが交流電力ソースからの交流電力を非誘導材料から形成されるプラズマチャンバ内へ連結する、ＲＦ誘導的連結プラズマ発生器を記載している。同様に、Kaendlerらによる「Characterization of Plasma In an Inductively Coupled High-Dense Plasma Source」、Fourth International Conference on Plasma Surface Engineering、Garmisch−Partenkirchen、Germany、1994年９月、Vol.74〜75、no.１〜３、pp.539〜545）において、ＲＦ発生器からの電力がフェライトコア変圧器の１次巻線に誘導的に連結されている、プラズマ発生器が記載されている。
マイクロ波は、マイクロ波通過窓を通して、ガスを包含する放電チャンバへマイクロ波エネルギーを直接的に連結することにより達成される。マイクロ波放電は、それらが広範囲の放電条件（高度にイオン化された電子サイクロトン共振（ＥＣＲ）プラズマを含む）を支持するために用いられ得ることから、有益である。
ＲＦ放電および直流放電は、高エネルギーイオンを固有に生成し、よって処理される材料がプラズマと直接的に接触している応用例のためのプラズマを発生するためにしばしば用いられる。マイクロ波放電は、濃密な、低イオンエネルギープラズマを生成し、よって「ダウンストリーム」処理のための活性ガスのストリームを生成するためにしばしば用いられる。マイクロ波放電はまた、低エネルギーでイオンを発生し、そのイオンを付与されたポテンシャルを備えた処理面に対して加速することが望ましい応用例のためにも有益である。
しかし、マイクロ波および誘導的に連結されたプラズマソースは、高価かつ複雑な電力配給システムを必要とする。これらのプラズマソースは、精密ＲＦまたはマイクロ波電力発生器および発生器のインピーダンスとプラズマソースを一致させる複雑な一致ネットワークを必要とする。さらに、精密計測器が通常必要とされ、プラズマに至る実電力を確実にし、かつ制御する。
ＲＦ誘導的連結プラズマは、半導体ウェハ処理のような応用例のための広い領域のプラズマを発生するために特に有益である。しかし、従来技術のＲＦ誘導的連結プラズマは、駆動電流がプラズマに弱く連結されることから、純粋に誘導的とはいえない。高電圧は、反応器表面の高エネルギーイオン照射メントを引き起こす高い静電場を生成する。イオン照射は、反応器を劣化させ、処理チャンバおよび処理される材料を汚染する。イオン照射はまた、処理される材料を損傷させ得る。
ファラデー遮蔽は、高静電場を包含するために誘導的連結プラズマソースに用いられてきた。しかし、駆動コイル電流のプラズマへの比較的弱い連結のため、遮蔽内に大きな渦電流を形成し、相当量の電力浪費をもたらす。経費、複雑性、および低減された電力効率は、ファラデー遮蔽の使用を望ましくないものにする。
発明の要旨
従って、本発明の主要な目的は、従来のＲＦまたはマイクロ波発生器およびインピーダンス一致システムの使用なしに電力をプラズマへ連結するデバイスを連結する、高効率ＲＦ電力を用いる活性ガスのソースを提供することである。
本発明の別の主要な目的は、処理反応器内において顕著なエネルギーイオン照射のない、あるいは長期的動作がソースへの損傷かつ汚染材料の生成なしに化学的反応ガスを用いて持続され得る、材料処理のための活性ガスのソースを提供することである。
本発明の別の主要な目的は、金属、誘電、もしくは被覆金属（例えば、陽極化（anodized））のうちのいずれかが、ソースチャンバを形成するために用いられ得る。
本発明の主要な発見は、スイッチング半導体デバイスが、変圧器の２次回路を形成するように、電磁的エネルギーをプラズマへ連結する電力変圧器の１次巻線を効率的に駆動させるために用いられ得ることである。誘導的駆動型トロイダルプラズマソースが金属性プラズマチャンバを備えて構成され得ることは、本発明の別の主要な発見である。
従って、本発明はプラズマチャンバを含むガスを解離するための装置を特徴とする。プラズマチャンバは、アルミニウムのような金属材料から形成されてもよく、あるいは石英のような誘電材料から形成されてもよい。金属材料は超硬合金であってもよい。該装置はプラズマチャンバに連結され、プラズマチャンバ内のプラズマにより発生した反応性ガスを受け取るように位置づけられた処理チャンバを含んでもよい。
該装置はまた、プラズマチャンバの一部を包囲する磁気コアを有し、かつ１次巻線を有する変圧器をも含み得る。１つ以上のスイッチング半導体デバイスは、電圧源に直接的に連結され、変換器の１次巻線に連結された出力を有する。１つ以上のスイッチング半導体デバイスは、変圧器の１次巻線に直接的に連結され得る。１つ以上のスイッチング半導体デバイスは、スイッチングトランジスタであってもよい。電圧源はライン電圧源またはバス電圧源であり得る。
該装置は、チャンバ内のプラズマの点火を補助する自由電荷発生器を含み得る。好ましい実施形態において、電極は、チャンバ内に位置づけられ、自由電荷を発生する。別の好ましい実施形態においては、電極は、容量的にチャンバに連結され、自由電荷を発生する。別の好ましい実施形態においては、紫外光源が光学的にチャンバに連結され、自由電荷を発生する。
該装置は、１次巻線の、およびプラズマの電気的パラメータを計測するための回路を含み得る。回路は、１次巻線を駆動する電流、１次巻線の電圧、バス電圧源、１次巻線における平均電力、ならびに１次巻線におけるピーク電力のようなパラメータを計測する。電力制御回路は、１次巻線の、およびプラズマの電気的パラメータを計測するために回路に連結され得る。電力制御回路は、１次巻線の、およびプラズマの電気的特性の計測に基づき、かつ所望の動作条件を表す予め決められた設定点から１次巻線を介して流れる電流を規制する。
本発明はまた、ガスを解離するための方法を特徴とする。該方法は、ある圧力下におけるガスを包含するためのチャンバを提供することを含む。圧力は、実質的には１mtorrと１００torrとの間であり得る。ガスは、希ガス、反応性ガス、もしくは少なくとも１つの希ガスおよび少なくとも１つの反応性ガスの混合物を含み得る。該方法はまた、チャンバの一部を包囲する磁気コアを有し、かつ１次巻線を有する、変圧器を提供することを含む。
加えて、該方法は１つ以上のスイッチング半導体デバイスを電圧源（これはライン電圧源またはバス電圧源であり得る）に直接的に連結することを含む。１つ以上のスイッチング半導体デバイスはまた変圧器の１次巻線に連結され、それらは１次巻線を駆動する電流を発生する。１つ以上のスイッチング半導体デバイスは、変圧器の１次巻線に直接的に連結され得る。
該方法はまた、変圧器の１次巻線における電流を備えたプラズマチャンバ内のポテンシャルを誘導することを含む。誘導ポテンシャルの大きさは、コアにより生成された磁場、ならびにスイッチング半導体デバイスがファラデーの誘導の法則に従って動作する周波数に依存する。ポテンシャルは、変圧器の２次回路を完成するプラズマを形成する。プラズマの電場は、実質的には１から１００V/cmの間であり得る。該方法はチャンバ内の初期イオン化工程を提供することを含んでもよい。初期イオン化工程は、１次巻線もしくはプラズマチャンバ内に位置づけられた電極への電圧パルスの付与であってもよい。初期イオン化工程はまた、チャンバを紫外線放射に照射することであってもよい。
該方法は、１つ以上の１次巻線を駆動する電流を含む、１次巻線の、およびプラズマの電気的パラメータ、１次巻線の電圧、バス電圧、１次巻線における平均電力、ならびに１次巻線におけるピーク電力を計測する工程を含んでもよい。さらに、該方法は、１次巻線、プラズマの電気的パラメータの計測からの、ならびに所望の動作条件を表す予め決められた設定点からの、１つ以上のスイッチング半導体デバイスの出力を決定する工程を含んでもよい。
本発明はまた、処理チャンバを洗浄するための方法をも含む。該方法は、処理チャンバに連結されたプラズマチャンバを提供することを含む。プラズマチャンバは、ある圧力下における反応性ガスを包含する。変圧器は、プラズマチャンバの一部を包囲する磁気コアを有し、かつ１次巻線を有して提供される。１つ以上のスイッチング半導体デバイスは、変圧器の１次巻線を駆動する電流を発生するための電圧源に直接的に連結される。
さらに、該方法は、１次巻線内の電流を備えたプラズマチャンバ内のポテンシャルを誘導することを含む。誘導されたポテンシャルの大きさは、コアにより生成された磁場、ならびにスイッチング半導体デバイスがファラデーの誘導の法則に従って動作する周波数に依存する。ポテンシャルは、変圧器の２次回路を完成するプラズマを形成する。該方法はまた、プラズマ内で発生した原子、分子、およびフリーラジカルのような化学的に活性な種を、プラズマチャンバから処理チャンバ内へ方向づけ、それにより処理チャンバを洗浄することを含む。
本発明はまた、反応性ガスを発生するための方法をも含む。該方法は、処理チャンバに連結されたプラズマチャンバを提供することを含む。プラズマチャンバは、ある圧力下における反応ガスを包含する。変圧器は、チャンバの一部を包囲する磁気コアを有し、かつ１次巻線を有して提供される。１つ以上のスイッチング半導体デバイスは、電圧源に直接的に連結され、変換器の１次巻線を駆動する電流を発生する。
さらに、該方法は、１次巻線内の電流を備えたプラズマチャンバ内のポテンシャルを誘導することを含む。誘導ポテンシャルの大きさは、コアにより生成された磁場、ならびにスイッチング半導体デバイスがファラデーの誘導の法則に従って動作する周波数に依存する。ポテンシャルは、変圧器の２次回路を完成するプラズマを形成する。該方法はまた、プラズマ内の反応性ガスを発生することを含む。
本発明はまた、イオンを発生するための装置をも特徴とする。該装置は、耐熱金属のような金属材料から形成され得るプラズマチャンバを含む。処理チャンバは、プラズマチャンバ内のオリフィスに連結され得、プラズマにより発生するイオンを受け取るように適応され得る。加速電極は、プラズマにより発生するイオンを加速するために処理チャンバ内に位置づけられ得る。
該装置はまた、プラズマチャンバの一部を包囲する磁気コアを有し、かつ１次巻線を有する変圧器をも含んでもよい。１つ以上のスイッチング半導体デバイスは、電圧源（これはライン電圧源またはバス電圧源であり得る）に直接的に連結され、変圧器の１次巻線に連結された出力を有する。動作において、１つ以上のスイッチング半導体デバイスは、変圧器の１次巻線内の電流を駆動する。電流は、変圧器の２次回路を完成するプラズマを形成するチャンバ内のポテンシャルを誘導する。イオンは、プラズマからオリフィスを通して抽出される。イオンは、加速電極により加速され得る。
本発明はまた、ガスを解離するための別の装置をも特徴とする。該装置は、アルミニウムのような導電体を含むプラズマチャンバ、ならびにチャンバ内の誘導された電流が流れることを防ぐ、少なくとも１つの誘電領域を含む。プラズマチャンバは、プラズマチャンバの少なくとも２つの領域を区分した複数の誘電領域を含んでもよい。誘電領域は、チャンバの少なくとも１つの接合面上の誘電被覆を含んでもよい。プラズマチャンバはまた、チャンバの温度を制御する液体を通すためのクーリングチャネルを含んでもよい。
さらに、該装置は、チャンバの一部を包囲する磁気コアを有し、かつ１次巻線を有する、変圧器を含んでもよい。該装置はまた、変圧器の１次巻線に電気的に連結された出力を有する電源を含む。電源は、変圧器の２次の回路を完成するプラズマを形成をするチャンバ内のポテンシャルを誘電する１次巻線内の電流を駆動する。電源は、電圧源に直接的に連結され、変圧器の１次巻線に連結された出力を有する、１つ以上のスイッチング半導体デバイスを含み得る。電圧源は、ライン電圧源またはバス電圧源を含み得る。
該装置は、チャンバ内のプラズマの点火を補助する自由電荷を発生するための手段を含んでもよい。好ましい実施形態において、電極は、チャンバ内に位置づけられ、自由電荷を発生する。別の好ましい実施形態においては、電極は、容量的にチャンバに連結され、自由電荷を発生する。別の好ましい実施形態においては、紫外光源が光学的にチャンバに連結され、自由電荷を発生する。
【図面の簡単な説明】
本発明は、特に添付の特許請求の範囲において説明される。本発明の上記およびさらなる利点は、付随の図面に照らし合わせた以下の説明を参照しながら、よりよく理解され得る。
図１は、本発明を実施した活性ガスを生成するためのトロイダル低電場プラズマソースの概略図であり、
図２は、本発明を実施した活性ガスを生成するためのトロイダル低電場プラズマソースを用いる、ＮＦ３フィードガスの流れ速度の関数とした、サーマル二酸化珪素のエッチング速度のグラフを示し、
図３は、図１に関して示されたトロイダル低電場プラズマソースと共に用いられ得る金属プラズマチャンバの概略図であり、
図４は、誘導された電流の流れがプラズマチャンバ内に形成されることを防ぐ、図３に示す誘電領域に適した誘電スペーサの概略図であり、
図５は、本発明を実施した、高密度のイオンビーム処理のために構成されたトロイダル低電場イオンビームソースの概略図であり、
図６は、図１の１つ以上のスイッチング半導体デバイスを含む、固体のスイッチング電源の概略ブロック図である。
詳細な説明
図１は、本発明の実施形態としての、活性化ガスを生成するためのトロイダル低電場プラズマソース１０の概略図である。ソース１０は、電磁エネルギーをプラズマ１４中に結合する電力変圧器１２を有する。電力変圧器１２は、高透磁率の磁性体コア１６、１次コイル１８、および、プラズマ１４が変圧器１２の２次回路を形成することを可能にするプラズマチャンバ２０を有する。電力変圧器１２は、さらなる２次回路を形成するための、さらなる磁性体コアおよび導電体１次コイルを（図示せず）を有し得る。
プラズマチャンバ２０は、アルミニウムまたは耐熱金属などの金属材料から形成され得、あるいは、石英などの誘電体材料から形成され得る。プラズマチャンバ２０の一つ以上の側面を処理チャンバ２２に露すことにより、プラズマ１４によって発生された帯電粒子が、処理される材料（図示せず）と直接接触することを可能にし得る。処理する材料を支持するためのサンプルホルダ２３を処理チャンバ２２中に位置させ得る。処理される材料は、プラズマのポテンシャルに対してバイアスされ得る。
ライン電圧源またはバス電圧源であり得る電圧源２４が、１つ以上のスイッチング半導体デバイスを含む回路２６に、直接結合されている。１つ以上のスイッチング半導体デバイスは、スイッチングトランジスタであり得る。回路は、ソリッドステートスイッチング電源であり得る。回路２６の出力２８は、変圧器１２の１次巻線１８に直接結合され得る。
トロイダル低電場プラズマソース１０は、プラズマチャンバ２０内のプラズマを点火する初期イオン化工程を提供する、自由電荷発生手段を有し得る。初期イオン化工程は、プラズマチャンバに印加される短く、高電圧のパルスであり得る。パルスは、約５００〜１００００ボルトの電圧を有し得、長さ約０．１〜１０マイクロ秒であり得る。プラズマを点火するために要する電圧を減少させるために、アルゴンなどの希ガスをプラズマチャンバ２０内に挿入し得る。また、プラズマチャンバ２０内のプラズマを点火する初期イオン化工程を提供する自由電荷を、プラズマチャンバ２０内に発生させるために、紫外線照射を用い得る。
好適な実施形態において、短く、高電圧の電気パルスは、１次コイル１８に直接印加されることにより、初期イオン化工程を提供する。別の好適な実施形態においては、短く、高電圧の電気パルスは、プラズマチャンバ２０内に位置する電極３０に対して印加される。別の好適な実施形態においては、短く、高電圧の電気パルスは、プラズマチャンバ２０に対して容量的に結合された電極３２に対して印加される。別の好適な実施形態においては、プラズマチャンバ２０は、プラズマチャンバ２０に対して光学的に結合された紫外線光源３４から発光される、紫外線照射に曝される。紫外線照射は、プラズマを点火する初期イオン化工程を発生させる。
トロイダル低電場プラズマソース１０はまた、１次巻線１８の電気的パラメータを測定するための回路３６を有し得る。１次巻線１８の電気的パラメータは、１次巻線１８を駆動する電流、１次巻線１８の両端に印加される電圧、電圧源２４によって発生されるバスまたはライン電圧源、１次巻線１８中の平均電力および、１次巻線１８中のピーク電力を含む。
さらに、プラズマソース１０は、プラズマ１４の重要な電気的パラメータを測定するための手段を有し得る。重要な電気的パラメータは、プラズマ電流および電力を含む。例えば、ソース１０は、変圧器１２の２次側に流されるプラズマ電流を測定するための、プラズマチャンバ２０の周囲に位置する電流プローブ３８を有し得る。プラズマソース１０はまた、プラズマ１４からの光発光を測定するための光検出器４０を有し得る。さらにプラズマソース１０は、電流プローブ３８、電力検出器４０、および回路２６のうちの１つ以上からのデータを受け取った後、１次巻線１８中の電流を調整することによりプラズマ中の電力を調整する、出力制御回路４２を有し得る。
動作中において、実質的に１mtorrから１００torrの間の圧になるまで、ガスをプラズマチャンバ２０中へ流し込む。ガスは、希ガス、反応性ガス、あるいは少なくとも１つの希ガスおよび少なくとも１つの反応性ガスの混合物を包含する。スイッチング半導体デバイスを含む回路２６は１次巻線１８中に電流を供給し、この電流がプラズマチャンバ内にポテンシャルを誘導する。誘導されるポテンシャルの大きさは、ファラデーの誘導法則に基づき、スイッチング半導体デバイスが動作する周波数および、コアによって発生される磁場に依存する。プラズマを形成するイオン化工程は、チャンバ内で開始され得る。イオン化工程は、１次巻線またはチャンバ２０内の電極３０への電圧の印加であり得る。または、イオン化工程は、チャンバを紫外線照射への曝露であってもよい。
ガスがイオン化されるとプラズマが形成され、このプラズマが変圧器の２次回路を完成する。プラズマの電場は、実質的に１〜１００V/cmの間であり得る。希ガスのみがプラズマチャンバ２０内に存在する場合、プラズマ１４の電場は１volt/cmのように低くなり得る。しかし、電気的陰性のガスがチャンバ内に存在していれば、プラズマ１４中の電場はずっと高くなる。プラズマチャンバ１４中の低電場によってプラズマソース１０を動作させることが望ましい。なぜなら、プラズマとチャンバとの間の低ポテンシャル差は、高エネルギーイオンによるチャンバの浸食ならびにその結果としての処理中の材料の汚染を、実質的に減少させる。
プラズマに送達される電力は、出力制御回路４２，１次巻線１８の電気的パラメータを測定するための回路３６、および１つ以上のスイッチング半導体デバイスを含む回路２６を包含するフィードバックループ４４によって、正確に制御されることができる。さらに、フィードバックループ４４は電流プローブ３８および光検出器４０をも含み得る。
好適な実施形態において、出力制御回路４２は、１次巻線１８の電気的パラメータを測定するための回路３６を用いてプラズマ中の電力を測定する。そして出力制御回路４２は、測定値を所望の動作条件を表す所定のセットポイントに対して比較し、回路２６の１つ以上のパラメータを調整することによりプラズマに送達される電力を制御する。回路２６の１つ以上のパラメータは、１つ以上のスイッチング半導体デバイスへの駆動パルスのパルス振幅、周波数、パルス幅、および相対位相を含む。
別の好適な実施形態において、出力制御回路４２は、電流プローブ３８または光検出器４０を用いてプラズマ中の電力を測定する。そして出力制御回路４２は、測定値を所望の動作条件を表す所定のセットポイントに対して比較し、回路２６の１つ以上のパラメータを調整することによりプラズマに送達される電力を制御する。
プラズマソース１０は、ライン電力からプラズマに吸収される電力への変換効率が、従来技術のプラズマソースに比較して非常に高いという利点を有する。これは、１次巻線１８へ電流を供給する１つ以上のスイッチング半導体デバイスを含む回路２６が、高効率であるためである。変換効率は、９０％より実質的に大きくあり得る。プラズマソース１０はまた、従来のインピーダンス整合ネットワークまたは従来のRF電力生成器の使用を要しない点においても、有利である。これは、一般的にコストを削減し、プラズマソースの信頼性を増す。
さらに、プラズマソース１０は、プラズマチャンバ２０中の低電場によって動作する点においても有利である。プラズマとチャンバとの間の低ポテンシャル差は、プラズマチャンバ２０内における高エネルギーイオン照射（ionbombardment）を実質的に減少させるため、低電場が望ましい。プラズマチャンバ２０内における高エネルギーイオン照射を減少させることは、特に化学反応性ガスを用いた場合において、プラズマチャンバ２０内の汚染材料の生成を最小にするため、望ましい。例えば、NF3およびCF4/02などのフッ素系のガスを本発明のプラズマソース１０中に用いた場合（耐フッ素材料で形成されたプラズマチャンバを含む）、低イオン温度フッ素プラズマの長い照射の後、チャンバの浸食はまったく観察されないか、最小限の浸食が観察されるだけであった。
プラズマソース１０は、固体表面、粉体、およびガスなどの、多くの材料を処理するために有用である。プラズマソース１０は特に、薄膜蒸着およびエッチングシステムなどの半導体処理設備中の処理チャンバの洗浄に、有用である。プラズマソース１０はまた特に、イオン注入およびイオンミリングシステム用のイオンソースを提供するために有用である。
さらに、プラズマソース１０は、シリコン、二酸化シリコン、窒化シリコン、アルミニウム、モリブデン、タングステンなどの半導体デバイス、ならびに、フォトレジスト、ポリイミド（polyimade）、およびその他のポリマー性材料などの有機材料を製造するために用いられる、多くの材料のエッチングに用いられるエッチングシステム用のソースを提供するために、有用である。プラズマソース１０はまた、ダイアモンド膜、二酸化シリコン、窒化シリコン、および窒化アルミニウムなどの多くの薄膜のプラズマ強化蒸着用のソースを提供するために、有用である。
本プラズマソースはまた、原子状フッ素、原子状塩素、および原子状酸素などの反応性ガスを生成するためにも有用である。このような反応性ガスは、二酸化シリコン、酸化スズ、酸化亜鉛、およびインジウム酸化スズなどの様々な酸化物を還元、変換、安定化、あるいは不動態化するために有用である。応用例として、フラックス無しでのはんだ付け、シリコン表面からの二酸化シリコンの除去、およびウェハ処理前におけるシリコン表面の不動態化が含まれる。
プラズマソース１０の他の応用例として、ポリマー、金属、セラミック、および紙の表面特性の改変が含まれる。プラズマソース１０はまた、CF4、NF3、C2F6、CHF3、SF6などのフッ素含有化合物ならびに、ダイオキシンおよびフランなどの有機化合物、ならびにその他の揮発性有機化合物を含む、環境に害を及ぼすガスの緩和にも用いられ得る。さらに、プラズマソース１０は、殺菌用の原子状酸素、原子状塩素または原子状フッ素の高フラックスを生成するためにも用いられ得る。プラズマソース１０はまた、大気圧トーチにおいても用いられ得る。
図２は、本発明の実施形態としてのトロイダル低電場プラズマソースを用いた、NF3フィードガスの流速の関数としてのサーマル二酸化シリコンのエッチングレートをプロットしたものである。トロイダル低電場プラズマソース１０は、下流側における原子状フッ素ソースとして構成された。電力は約3.5kWであった。
図３は、図１に関連して説明したトロイダル低電場プラズマソースとともに用いられ得る、金属製プラズマチャンバ１００の概略図である。プラズマチャンバ１００は、アルミニウム、銅、ニッケルおよび鉄などの金属から形成される。プラズマチャンバ１００はまた、陰極処理されたアルミニウムまたはニッケルメッキされたアルミニウムなどのコーティングされた金属から形成され得る。プラズマチャンバ１００は、プラズマチャンバ１００の温度を制御する流体を通すための埋め込み型クーリングチャネル１０２を有する。
図示のように、第１の高透磁率磁性体コア１０４と第２の高透磁率磁性体コア１０６が、プラズマチャンバ１００を囲んでいる。磁性体コア１０４および１０６は、図１の変圧器１２の一部である。図１に関連して説明したように、第１のコア１０４および第２のコア１０６の各々は、変圧器１２の２次回路を完成するプラズマを形成するポテンシャルを誘導する。トロイダル低電場プラズマソースを動作させるためには、一方の磁性体コアのみが必要である。
出願人は、誘導的に駆動されるトロイダル低電場プラズマソースが、金属製のプラズマチャンバを用いて作成され得ることを見出した。従来技術における誘導結合されたプラズマソースは、誘導された電流がプラズマチャンバ自体の中で形成されることを防ぐために、誘電体材料で形成されたプラズマチャンバを用いている。本発明のプラズマチャンバ１００は、プラズマチャンバ１００の一部を電気的に分離するための少なくとも１つの誘電体領域を含んでいることにより、プラズマチャンバ１００を通じた電気的連続性を無くしている。この電気的分離は、誘導された電流がプラズマチャンバ自体の中で形成されることを防ぐ。
プラズマチャンバ１００は、誘導された電流がプラズマチャンバ１００中に形成されることを防ぐ、第１の誘電体領域１０８および第２の誘電体領域１１０を含む。誘電体領域１０８および１１０は、プラズマチャンバ１００を、第１の領域１１２および第２の領域１１４に電気的に分離する。第１の領域１１２および第２の領域１１４の各々は、高度真空シールにより誘電体領域１０８、１１０に接続されることにより、プラズマチャンバ１００を形成している。高度真空シールは、エラストマーシールからなっていてもよく、あるいは、ろう付け接合などのような永久的なシールにより形成されてもよい。汚染を減少させるために、誘電体領域１０８、１１０はプラズマから保護されてもよい。誘電体領域１０８、１１０は、プラズマチャンバ１００の組み合わせ面１１６を分離する誘電体スペーサを有してなっていてもよく、あるいは、組み合わせ面１１６上の誘電体コーティングであってもよい。
動作において、フィードガスが流入口１１８中に流れ込む。図１に関連して説明したように、第１のコア１０４および第２のコア１０６の各々は、変圧器１２の２次回路を完成するプラズマを形成するポテンシャルを、プラズマチャンバ１００内に誘導する。トロイダル低電場プラズマソースを動作させるためには、１つの磁性体コアのみが必要であることに留意されたい。
トロイダル低電場プラズマソースにおいて金属またはコーティングされた金属のチャンバを用いることは有利である。なぜなら、いくつかの金属は、プラズマ処理に通常用いられる特定の化学薬品（フッ素系ガスなど）に対してより高い耐性を有するからである。さらに、金属またはコーティングされた金属のチャンバは、誘電体チャンバよりもかなり高い温度においてかなり高い熱伝導率を有し得るため、かなり高電力のプラズマを発生することができる。
図４は、プラズマチャンバ中において誘導電流が形成されることを防ぐ図３に示す誘電体領域に適した、誘電体スペーサの概略図である。この実施形態において、高度真空シール１５２が、誘電体スペーサ１５０の外側に形成される。誘電体領域は、突出したチャンバ壁１００によってプラズマから保護される。
図５は、本発明の実施形態としてのトロイダル低電場プラズマ発生器を含む、イオンビームソース２００の概略図である。イオンビームソース２００は、イオンミリングおよびイオン注入を含む、多くのイオンビーム処理用途において、用いられ得る。イオンビームソース２００は、図３に関連して説明した金属製のプラズマチャンバ１００を含む、トロイダル低電場プラズマソース２０２を有する。プラズマチャンバ１００は、プラズマによって発生されたイオンをプラズマチャンバ１００の外部に抽出するための、スリット２０４を有する。加速電極２０６が、プラズマチャンバ１００から出てくるイオンを、所定の電場で加速することにより、イオンが所定のエネルギーを有するようなイオンビームを形成する。
所望のイオン種を選択ために、加速されたイオンの経路中に、質量分離マグネット２０８を設置し得る。所望のイオン種を所定の高エネルギーに加速するために、加速電極の第２の組を用い得る。イオンレンズを用いて、高エネルギーイオンビームを収束させ得る。垂直軸スキャナ２１２および水平軸スキャナ２１４を用いて、サンプル２１６を横切ってイオンビームを走査してもよい。偏向器（deflector）２１８を用いてイオンビームを中性粒子から分離することにより、イオンビームはサンプル２１６に衝突し、中性粒子は中性トラップ２２０に衝突するようにしてもよい。
図６は、図１の１つ以上のスイッチング半導体デバイスを含む、ソリッドステートスイッチング電源２５０の概略ブロック図である。出願人は、電磁エネルギーをプラズマに結合することにより変圧器の２次回路を形成する電力変圧器１２の１次巻線を駆動するために、スイッチング半導体デバイスを用い得ることを見出した。
トロイダル低電場プラズマソースにおけるスイッチング半導体デバイスの使用は有利である。なぜなら、スイッチング電源は、プラズマソースに電力を提供するために用いられる従来のRFおよびマイクロ波電源よりも、ずっと安価であり、物理的にも体積がずっと小さく重量が軽いためである。これは、スイッチング電源が、ライン分離回路またはインピーダンス整合回路を必要としないためである。
本発明は、１次巻線１８（図１）中の電流を駆動するために、任意のスイッチング電源構成を用いることができる。例えば、スイッチング電源２５０は、ライン電圧源２５６に結合されたフィルタ２５２および整流器回路２５４を含み得る。フィルタ２５２および整流器回路２５４の出力２５８は、典型的には数１００ボルトの直流電圧を生成する。出力２５８は、電流モード制御回路２６０に結合される。
電流モード制御回路２６０は、第１の分離ドライバ２６２、２６２ａおよび第２の分離ドライバ２６４、２６４ａに結合される。第１の分離ドライバ２６２、２６２ａおよび第２の分離ドライバ２６４、２６４ａは、スイッチングトランジスタの第１の対２６６および第２の対２６８を駆動する。スイッチングトランジスタは、IGBTまたはFETデバイスであり得る。スイッチングトランジスタの第１の対２６６および第２の対２６８の出力は、正弦波を含む、多くの波形を有し得る。スイッチングトランジスタの出力は１次巻線および磁性体コア２６９によって、変圧器２次側を形成するトロイダルプラズマ２７０に結合されている。
均等物
本発明を特定の好適な実施形態について特に図示し説明したが、添付の請求の範囲に定義された発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、様々な形態および詳細における変更をなし得ることが、当業者には理解される。
Claims (29)
- 反応性ガスを発生する装置であって、
ａ）ガスを含むプラズマ・チャンバと、
ｂ）前記プラズマ・チャンバの一部を取り囲む磁気コアと１次巻線とを有する変圧器と、
ｃ）電流を前記１次巻線に提供するＡＣスイッチング電源であって、前記電流は、前記変圧器の２次回路を完成し前記反応性ガスを発生するトロイダル・プラズマを形成するＡＣ電位を、前記チャンバの内部に誘導する、ＡＣスイッチング電源と、
を含むことを特徴とする反応性ガス発生装置。 - 請求項１記載の反応性ガス発生装置において、前記ＡＣスイッチング電源はソリッドステートＡＣスイッチング電源であることを特徴とする反応性ガス発生装置。
- 請求項１記載の反応性ガス発生装置において、前記プラズマ・チャンバにおいて電気的不連続を形成する誘電領域を含むことを特徴とする反応性ガス発生装置。
- 請求項３記載の反応性ガス発生装置において、前記誘電領域は誘電スペーサを含むことを特徴とする反応性ガス発生装置。
- 請求項３記載の反応性ガス発生装置において、前記誘電領域は前記プラズマ・チャンバの表面の誘電コーティングを含むことを特徴とする反応性ガス発生装置。
- 請求項４記載の反応性ガス発生装置において、前記誘電スペーサの外部に配置された真空シールを含むことを特徴とする反応性ガス発生装置。
- 請求項１記載の反応性ガス発生装置において、複数の誘電領域を備えていることを特徴とする反応性ガス発生装置。
- 請求項３記載の反応性ガス発生装置において、前記誘電領域を保護する前記プラズマ・チャンバの壁の突出部を含むことを特徴とする反応性ガス発生装置。
- 請求項１記載の反応性ガス発生装置において、前記プラズマ・チャンバはトロイダル・プラズマ・チャンバであることを特徴とする反応性ガス発生装置。
- 請求項１記載の反応性ガス発生装置において、前記チャンバ内のプラズマの点火を補助する自由電荷発生器を含むことを特徴とする反応性ガス発生装置。
- 請求項１０記載の反応性ガス発生装置において、前記自由電荷発生器は電極又は紫外光源であることを特徴とする反応性ガス発生装置。
- 請求項１記載の反応性ガス発生装置において、前記プラズマ・チャンバは金属材料、コーティングされた金属材料又は誘電材料を含むことを特徴とする反応性ガス発生装置。
- 請求項１記載の反応性ガス発生装置において、前記ガスは希ガス、反応性ガス又は希ガスと反応性ガスとの混合物であることを特徴とする反応性ガス発生装置。
- 請求項１記載の反応性ガス発生装置において、前記反応性ガスは原子状ガス、解離ガス又は活性ガスを含むことを特徴とする反応性ガス発生装置。
- 請求項１記載の反応性ガス発生装置において、前記プラズマ・チャンバに結合されており前記プラズマによって発生された反応性ガスを受け取るように配置されたプロセス・チャンバを含むことを特徴とする反応性ガス発生装置。
- 請求項１記載の反応性ガス発生装置において、前記電源は１又は複数のスイッチング半導体デバイスを備えていることを特徴とする反応性ガス発生装置。
- 反応性ガスを発生する方法であって、
一部が変圧器の磁気コアに取り囲まれているプラズマ・チャンバにガスを提供するステップと、
ＡＣスイッチング電源によって発生された電流を用いて前記変圧器の１次巻線を駆動するステップと、
前記１次巻線における電流を用いて、前記変圧器の２次回路を完成するプラズマを直接に形成するＡＣ電位を前記プラズマ・チャンバ内部に誘導するステップと、
前記プラズマの中に反応性ガスを発生するステップと、
を含むことを特徴とする反応性ガス発生方法。 - 請求項１７記載の反応性ガス発生方法において、１又は複数のスイッチング半導体デバイスを有するＡＣスイッチング電源によって発生された電流を用いて、前記変圧器の１次巻線を駆動するステップを含むことを特徴とする反応性ガス発生方法。
- 請求項１７記載の反応性ガス発生方法において、前記プラズマ・チャンバにおいて初期イオン化工程を提供するステップを含むことを特徴とする反応性ガス発生方法。
- 請求項１９記載の反応性ガス発生方法において、前記プラズマ・チャンバにおいて初期イオン化工程を提供する前記ステップは、電圧パルスを前記１次巻線に与えるステップを含むことを特徴とする反応性ガス発生方法。
- 請求項１９記載の反応性ガス発生方法において、前記プラズマ・チャンバにおいて初期イオン化工程を提供する前記ステップは、前記プラズマ・チャンバを紫外光に露出するステップを含むことを特徴とする反応性ガス発生方法。
- 請求項１７記載の反応性ガス発生方法において、前記プラズマ・チャンバの中に配置された電極を用いて前記プラズマ・チャンバの中に自由電荷を発生するステップを含むことを特徴とする反応性ガス発生方法。
- 請求項１７記載の反応性ガス発生方法において、前記プラズマ・チャンバは、前記プラズマ・チャンバにおいて電気的不連続を形成する誘電領域を含むことを特徴とする反応性ガス発生方法。
- 請求項２３記載の反応性ガス発生方法において、前記誘電領域は誘電スペーサを含むことを特徴とする反応性ガス発生方法。
- 請求項２３記載の反応性ガス発生方法において、前記誘電領域は前記プラズマ・チャンバの表面の誘電コーティングを含むことを特徴とする反応性ガス発生方法。
- 請求項２４記載の反応性ガス発生方法において、真空シールが前記誘電スペーサの外部に配置されていることを特徴とする反応性ガス発生方法。
- 請求項２３記載の反応性ガス発生方法において、前記プラズマ・チャンバは、複数の誘電領域を備えていることを特徴とする反応性ガス発生方法。
- 請求項２３記載の反応性ガス発生方法において、前記プラズマ・チャンバの壁の突出部が前記誘電領域を保護することを特徴とする反応性ガス発生方法。
- 請求項１７記載の反応性ガス発生方法において、前記反応性ガスをプロセス・チャンバの中に方向付けるステップを含むことを特徴とする反応性ガス発生方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/883,281 US6150628A (en) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | Toroidal low-field reactive gas source |
| US08/883,281 | 1997-06-26 | ||
| PCT/US1998/013155 WO1999000823A1 (en) | 1997-06-26 | 1998-06-23 | Toroidal low-field reactive gas source |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006317424A Division JP4791941B2 (ja) | 1997-06-26 | 2006-11-24 | トロイダル・プラズマ・チャンバ |
| JP2006354857A Division JP2007165325A (ja) | 1997-06-26 | 2006-12-28 | 反応性ガス発生装置及び方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002507315A JP2002507315A (ja) | 2002-03-05 |
| JP4070152B2 true JP4070152B2 (ja) | 2008-04-02 |
Family
ID=25382309
Family Applications (5)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50568899A Expired - Lifetime JP4070152B2 (ja) | 1997-06-26 | 1998-06-23 | トロイダル低電場反応性ガスソース |
| JP2006317424A Expired - Lifetime JP4791941B2 (ja) | 1997-06-26 | 2006-11-24 | トロイダル・プラズマ・チャンバ |
| JP2006354857A Pending JP2007165325A (ja) | 1997-06-26 | 2006-12-28 | 反応性ガス発生装置及び方法 |
| JP2008126850A Expired - Lifetime JP4431183B2 (ja) | 1997-06-26 | 2008-05-14 | トロイダル・プラズマ・チャンバ |
| JP2009106092A Expired - Lifetime JP4608583B2 (ja) | 1997-06-26 | 2009-04-24 | トロイダル・プラズマ・チャンバ |
Family Applications After (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006317424A Expired - Lifetime JP4791941B2 (ja) | 1997-06-26 | 2006-11-24 | トロイダル・プラズマ・チャンバ |
| JP2006354857A Pending JP2007165325A (ja) | 1997-06-26 | 2006-12-28 | 反応性ガス発生装置及び方法 |
| JP2008126850A Expired - Lifetime JP4431183B2 (ja) | 1997-06-26 | 2008-05-14 | トロイダル・プラズマ・チャンバ |
| JP2009106092A Expired - Lifetime JP4608583B2 (ja) | 1997-06-26 | 2009-04-24 | トロイダル・プラズマ・チャンバ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (5) | US6150628A (ja) |
| EP (9) | EP1310980B1 (ja) |
| JP (5) | JP4070152B2 (ja) |
| DE (8) | DE69842098D1 (ja) |
| WO (1) | WO1999000823A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10014162B2 (en) | 2015-08-28 | 2018-07-03 | Daihen Corporation | Plasma generation apparatus for generating toroidal plasma |
| US10306744B2 (en) | 2016-09-23 | 2019-05-28 | Daihen Corporation | Plasma generation apparatus and high-frequency power source |
Families Citing this family (377)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8779322B2 (en) | 1997-06-26 | 2014-07-15 | Mks Instruments Inc. | Method and apparatus for processing metal bearing gases |
| US7569790B2 (en) * | 1997-06-26 | 2009-08-04 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for processing metal bearing gases |
| US20030118491A1 (en) * | 1998-08-26 | 2003-06-26 | Frieze Marcia A. | Filtered gas plasma sterilization container with improved circulation |
| JP2003506888A (ja) * | 1999-08-06 | 2003-02-18 | アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッド | ガスおよび材料を処理する誘導結合環状プラズマ源装置およびその方法 |
| WO2001043157A1 (en) * | 1999-12-13 | 2001-06-14 | Semequip, Inc. | Ion implantation ion source, system and method |
| US20070107841A1 (en) * | 2000-12-13 | 2007-05-17 | Semequip, Inc. | Ion implantation ion source, system and method |
| US7838850B2 (en) * | 1999-12-13 | 2010-11-23 | Semequip, Inc. | External cathode ion source |
| KR100767762B1 (ko) * | 2000-01-18 | 2007-10-17 | 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 | 자가 세정을 위한 원격 플라즈마 소스를 구비한 cvd 반도체 공정장치 |
| DE10010707C2 (de) * | 2000-03-04 | 2002-01-10 | Philips Corp Intellectual Pty | Piezoelektrischer Aktuator |
| US6679981B1 (en) * | 2000-05-11 | 2004-01-20 | Applied Materials, Inc. | Inductive plasma loop enhancing magnetron sputtering |
| US6418874B1 (en) * | 2000-05-25 | 2002-07-16 | Applied Materials, Inc. | Toroidal plasma source for plasma processing |
| US6835278B2 (en) * | 2000-07-07 | 2004-12-28 | Mattson Technology Inc. | Systems and methods for remote plasma clean |
| US7223676B2 (en) | 2002-06-05 | 2007-05-29 | Applied Materials, Inc. | Very low temperature CVD process with independently variable conformality, stress and composition of the CVD layer |
| US7166524B2 (en) | 2000-08-11 | 2007-01-23 | Applied Materials, Inc. | Method for ion implanting insulator material to reduce dielectric constant |
| US20070042580A1 (en) * | 2000-08-10 | 2007-02-22 | Amir Al-Bayati | Ion implanted insulator material with reduced dielectric constant |
| US6893907B2 (en) | 2002-06-05 | 2005-05-17 | Applied Materials, Inc. | Fabrication of silicon-on-insulator structure using plasma immersion ion implantation |
| US6939434B2 (en) | 2000-08-11 | 2005-09-06 | Applied Materials, Inc. | Externally excited torroidal plasma source with magnetic control of ion distribution |
| US7294563B2 (en) | 2000-08-10 | 2007-11-13 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor on insulator vertical transistor fabrication and doping process |
| US6468388B1 (en) | 2000-08-11 | 2002-10-22 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber for an externally excited torroidal plasma source with a gas distribution plate |
| US7094670B2 (en) | 2000-08-11 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
| US7288491B2 (en) | 2000-08-11 | 2007-10-30 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
| US7430984B2 (en) * | 2000-08-11 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Method to drive spatially separate resonant structure with spatially distinct plasma secondaries using a single generator and switching elements |
| US7303982B2 (en) | 2000-08-11 | 2007-12-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process using an inductively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
| US7183177B2 (en) | 2000-08-11 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Silicon-on-insulator wafer transfer method using surface activation plasma immersion ion implantation for wafer-to-wafer adhesion enhancement |
| US7094316B1 (en) | 2000-08-11 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Externally excited torroidal plasma source |
| US20050230047A1 (en) * | 2000-08-11 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation apparatus |
| WO2002015650A2 (en) * | 2000-08-11 | 2002-02-21 | Applied Materials, Inc. | Externally excited torroidal plasma source |
| US7465478B2 (en) | 2000-08-11 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
| US7037813B2 (en) | 2000-08-11 | 2006-05-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process using a capacitively coupled plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
| US7479456B2 (en) | 2004-08-26 | 2009-01-20 | Applied Materials, Inc. | Gasless high voltage high contact force wafer contact-cooling electrostatic chuck |
| US7137354B2 (en) | 2000-08-11 | 2006-11-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation apparatus including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
| US6410449B1 (en) | 2000-08-11 | 2002-06-25 | Applied Materials, Inc. | Method of processing a workpiece using an externally excited torroidal plasma source |
| US6494986B1 (en) | 2000-08-11 | 2002-12-17 | Applied Materials, Inc. | Externally excited multiple torroidal plasma source |
| US6453842B1 (en) | 2000-08-11 | 2002-09-24 | Applied Materials Inc. | Externally excited torroidal plasma source using a gas distribution plate |
| US7320734B2 (en) | 2000-08-11 | 2008-01-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation system including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
| US6551446B1 (en) | 2000-08-11 | 2003-04-22 | Applied Materials Inc. | Externally excited torroidal plasma source with a gas distribution plate |
| US6348126B1 (en) | 2000-08-11 | 2002-02-19 | Applied Materials, Inc. | Externally excited torroidal plasma source |
| US6547979B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-04-15 | Micron Technology, Inc. | Methods of enhancing selectivity of etching silicon dioxide relative to one or more organic substances; and plasma reaction chambers |
| WO2002052060A1 (en) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | Valery Godyak | Inductively coupled plasma reactor |
| US6634313B2 (en) | 2001-02-13 | 2003-10-21 | Applied Materials, Inc. | High-frequency electrostatically shielded toroidal plasma and radical source |
| JP4799748B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2011-10-26 | 忠弘 大見 | マイクロ波プラズマプロセス装置、プラズマ着火方法、プラズマ形成方法及びプラズマプロセス方法 |
| US6755150B2 (en) * | 2001-04-20 | 2004-06-29 | Applied Materials Inc. | Multi-core transformer plasma source |
| JP4772232B2 (ja) * | 2001-08-29 | 2011-09-14 | アジレント・テクノロジーズ・インク | 高周波増幅回路及び高周波増幅回路の駆動方法 |
| US20030129106A1 (en) * | 2001-08-29 | 2003-07-10 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing using an efficiently coupled gas source |
| US7084832B2 (en) * | 2001-10-09 | 2006-08-01 | Plasma Control Systems, Llc | Plasma production device and method and RF driver circuit with adjustable duty cycle |
| US7100532B2 (en) * | 2001-10-09 | 2006-09-05 | Plasma Control Systems, Llc | Plasma production device and method and RF driver circuit with adjustable duty cycle |
| US7132996B2 (en) * | 2001-10-09 | 2006-11-07 | Plasma Control Systems Llc | Plasma production device and method and RF driver circuit |
| US6991739B2 (en) * | 2001-10-15 | 2006-01-31 | Applied Materials, Inc. | Method of photoresist removal in the presence of a dielectric layer having a low k-value |
| US6855906B2 (en) | 2001-10-16 | 2005-02-15 | Adam Alexander Brailove | Induction plasma reactor |
| KR100481313B1 (ko) | 2001-11-09 | 2005-04-07 | 최대규 | 유도결합 플라즈마 반응기 |
| US6869880B2 (en) * | 2002-01-24 | 2005-03-22 | Applied Materials, Inc. | In situ application of etch back for improved deposition into high-aspect-ratio features |
| US6761804B2 (en) | 2002-02-11 | 2004-07-13 | Applied Materials, Inc. | Inverted magnetron |
| JP3641785B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2005-04-27 | 株式会社京三製作所 | プラズマ発生用電源装置 |
| US20030015965A1 (en) * | 2002-08-15 | 2003-01-23 | Valery Godyak | Inductively coupled plasma reactor |
| US20070051471A1 (en) * | 2002-10-04 | 2007-03-08 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for stripping |
| KR100542740B1 (ko) * | 2002-11-11 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 가스 플라즈마 생성 방법 및 장치, 플라즈마 생성용 가스조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US6927358B2 (en) * | 2003-01-31 | 2005-08-09 | Advanced Energy Industries, Inc. | Vacuum seal protection in a dielectric break |
| US7355687B2 (en) * | 2003-02-20 | 2008-04-08 | Hunter Engineering Company | Method and apparatus for vehicle service system with imaging components |
| DE10308539B3 (de) * | 2003-02-27 | 2004-06-03 | Bauer Maschinen Gmbh | Fräsvorrichtung zum Fräsen von Schlitzen im Boden |
| US20040192059A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-09-30 | Mosel Vitelic, Inc. | Method for etching a titanium-containing layer prior to etching an aluminum layer in a metal stack |
| US8053700B2 (en) * | 2003-04-16 | 2011-11-08 | Mks Instruments, Inc. | Applicators and cooling systems for a plasma device |
| US6872909B2 (en) * | 2003-04-16 | 2005-03-29 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas and plasma source having a dielectric vacuum vessel |
| JP4460940B2 (ja) * | 2003-05-07 | 2010-05-12 | 株式会社ニューパワープラズマ | 多重放電管ブリッジを備えた誘導プラズマチャンバ |
| US20040237897A1 (en) * | 2003-05-27 | 2004-12-02 | Hiroji Hanawa | High-Frequency electrostatically shielded toroidal plasma and radical source |
| US7115185B1 (en) | 2003-09-16 | 2006-10-03 | Advanced Energy Industries, Inc. | Pulsed excitation of inductively coupled plasma sources |
| USH2212H1 (en) * | 2003-09-26 | 2008-04-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method and apparatus for producing an ion-ion plasma continuous in time |
| US7820981B2 (en) | 2003-12-12 | 2010-10-26 | Semequip, Inc. | Method and apparatus for extending equipment uptime in ion implantation |
| JP2007073539A (ja) * | 2003-12-18 | 2007-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法およびプラズマ発生方法、基板処理装置 |
| US20050194099A1 (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-08 | Jewett Russell F.Jr. | Inductively coupled plasma source using induced eddy currents |
| CN100561848C (zh) * | 2004-03-12 | 2009-11-18 | Mks仪器股份有限公司 | 用于开关式电源的控制电路 |
| US20050258137A1 (en) * | 2004-03-24 | 2005-11-24 | Sawin Herbert H | Remote chamber methods for removing surface deposits |
| US20050211546A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. | Reactive sputter deposition plasma process using an ion shower grid |
| US20050211171A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma reactor having an ion shower grid |
| US7695590B2 (en) | 2004-03-26 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma reactor having plural ion shower grids |
| US7291360B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-11-06 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma process using plural ion shower grids |
| US7244474B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-07-17 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma process using an ion shower grid |
| US7358192B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-04-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for in-situ film stack processing |
| US7164095B2 (en) * | 2004-07-07 | 2007-01-16 | Noritsu Koki Co., Ltd. | Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency |
| US7307375B2 (en) * | 2004-07-09 | 2007-12-11 | Energetiq Technology Inc. | Inductively-driven plasma light source |
| JP5179175B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2013-04-10 | エナジェティック・テクノロジー・インコーポレーテッド | 誘導駆動プラズマ光源 |
| US7183717B2 (en) * | 2004-07-09 | 2007-02-27 | Energetiq Technology Inc. | Inductively-driven light source for microscopy |
| US7948185B2 (en) * | 2004-07-09 | 2011-05-24 | Energetiq Technology Inc. | Inductively-driven plasma light source |
| US7199384B2 (en) * | 2004-07-09 | 2007-04-03 | Energetiq Technology Inc. | Inductively-driven light source for lithography |
| US7767561B2 (en) | 2004-07-20 | 2010-08-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation reactor having an ion shower grid |
| US8058156B2 (en) | 2004-07-20 | 2011-11-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation reactor having multiple ion shower grids |
| US20060052883A1 (en) * | 2004-09-08 | 2006-03-09 | Lee Sang H | System and method for optimizing data acquisition of plasma using a feedback control module |
| US7666464B2 (en) | 2004-10-23 | 2010-02-23 | Applied Materials, Inc. | RF measurement feedback control and diagnostics for a plasma immersion ion implantation reactor |
| US20060093730A1 (en) * | 2004-11-03 | 2006-05-04 | Applied Materials, Inc. | Monitoring a flow distribution of an energized gas |
| EP1831425B1 (en) * | 2004-11-08 | 2011-07-13 | MKS Instruments, Inc. | Method of disposing metal bearing gases |
| US20060105114A1 (en) * | 2004-11-16 | 2006-05-18 | White John M | Multi-layer high quality gate dielectric for low-temperature poly-silicon TFTs |
| US20060118240A1 (en) * | 2004-12-03 | 2006-06-08 | Applied Science And Technology, Inc. | Methods and apparatus for downstream dissociation of gases |
| US20060144819A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Sawin Herbert H | Remote chamber methods for removing surface deposits |
| US20060144820A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Sawin Herbert H | Remote chamber methods for removing surface deposits |
| US20060182886A1 (en) * | 2005-02-15 | 2006-08-17 | Guidotti Emmanuel P | Method and system for improved delivery of a precursor vapor to a processing zone |
| KR101121418B1 (ko) * | 2005-02-17 | 2012-03-16 | 주성엔지니어링(주) | 토로이드형 코어를 포함하는 플라즈마 발생장치 |
| AU2006223254B2 (en) * | 2005-03-11 | 2012-04-26 | Perkinelmer U.S. Llc | Plasmas and methods of using them |
| US8044329B2 (en) * | 2005-04-11 | 2011-10-25 | Watlow Electric Manufacturing Company | Compact limiter and controller assembly and method |
| US7652888B2 (en) * | 2005-04-11 | 2010-01-26 | Watlow Electric Manufacturing Company | Controller housing with connector retention assembly and method |
| US20060249507A1 (en) * | 2005-04-11 | 2006-11-09 | Watlow Electric Manufacturing Company | Modular controller user interface and method |
| US20060230297A1 (en) * | 2005-04-11 | 2006-10-12 | Watlow Electric Manufacturing Company | Electronic device mounting assembly and method |
| US20060229740A1 (en) * | 2005-04-11 | 2006-10-12 | Watlow Electric Manufacturing Company | Portable user interface assembly and method |
| US7428915B2 (en) | 2005-04-26 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | O-ringless tandem throttle valve for a plasma reactor chamber |
| US20060260545A1 (en) * | 2005-05-17 | 2006-11-23 | Kartik Ramaswamy | Low temperature absorption layer deposition and high speed optical annealing system |
| US7109098B1 (en) | 2005-05-17 | 2006-09-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor junction formation process including low temperature plasma deposition of an optical absorption layer and high speed optical annealing |
| US7422775B2 (en) | 2005-05-17 | 2008-09-09 | Applied Materials, Inc. | Process for low temperature plasma deposition of an optical absorption layer and high speed optical annealing |
| US7312162B2 (en) | 2005-05-17 | 2007-12-25 | Applied Materials, Inc. | Low temperature plasma deposition process for carbon layer deposition |
| ATE543199T1 (de) * | 2005-05-23 | 2012-02-15 | New Power Plasma Co Ltd | Plasmakammer mit entladung induzierender brücke |
| DE102005040596B4 (de) * | 2005-06-17 | 2009-02-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Entfernung einer dotierten Oberflächenschicht an Rückseiten von kristallinen Silizium-Solarwafern |
| KR100720989B1 (ko) * | 2005-07-15 | 2007-05-28 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 멀티 챔버 플라즈마 프로세스 시스템 |
| US7429532B2 (en) | 2005-08-08 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate process using an optically writable carbon-containing mask |
| US7312148B2 (en) | 2005-08-08 | 2007-12-25 | Applied Materials, Inc. | Copper barrier reflow process employing high speed optical annealing |
| US7335611B2 (en) | 2005-08-08 | 2008-02-26 | Applied Materials, Inc. | Copper conductor annealing process employing high speed optical annealing with a low temperature-deposited optical absorber layer |
| US7323401B2 (en) | 2005-08-08 | 2008-01-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate process using a low temperature deposited carbon-containing hard mask |
| US20070051388A1 (en) * | 2005-09-06 | 2007-03-08 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for using high frequency chokes in a substrate deposition apparatus |
| JP2009510698A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | エナジェティック・テクノロジー・インコーポレーテッド | 誘導駆動型プラズマ光源 |
| US20070080141A1 (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-12 | Applied Materials, Inc. | Low-voltage inductively coupled source for plasma processing |
| US7353771B2 (en) * | 2005-11-07 | 2008-04-08 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus of providing power to ignite and sustain a plasma in a reactive gas generator |
| US7679024B2 (en) * | 2005-12-23 | 2010-03-16 | Lam Research Corporation | Highly efficient gas distribution arrangement for plasma tube of a plasma processing chamber |
| US7554053B2 (en) * | 2005-12-23 | 2009-06-30 | Lam Research Corporation | Corrugated plasma trap arrangement for creating a highly efficient downstream microwave plasma system |
| US7562638B2 (en) * | 2005-12-23 | 2009-07-21 | Lam Research Corporation | Methods and arrangement for implementing highly efficient plasma traps |
| TW200742506A (en) * | 2006-02-17 | 2007-11-01 | Noritsu Koki Co Ltd | Plasma generation apparatus and work process apparatus |
| US7524750B2 (en) | 2006-04-17 | 2009-04-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated process modulation (IPM) a novel solution for gapfill with HDP-CVD |
| JP5257917B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2013-08-07 | 株式会社ニューパワープラズマ | 多重マグネチックコアが結合された誘導結合プラズマ反応器 |
| US20080083701A1 (en) * | 2006-10-04 | 2008-04-10 | Mks Instruments, Inc. | Oxygen conditioning of plasma vessels |
| US20080118663A1 (en) * | 2006-10-12 | 2008-05-22 | Applied Materials, Inc. | Contamination reducing liner for inductively coupled chamber |
| US7939422B2 (en) | 2006-12-07 | 2011-05-10 | Applied Materials, Inc. | Methods of thin film process |
| US7969096B2 (en) | 2006-12-15 | 2011-06-28 | Mks Instruments, Inc. | Inductively-coupled plasma source |
| KR20090106617A (ko) * | 2007-01-19 | 2009-10-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라스마 함침 챔버 |
| JP2009006350A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Sony Corp | レーザ加工装置とその加工方法、デブリ回収機構とその回収方法、並びに表示パネルの製造方法 |
| US7875125B2 (en) | 2007-09-21 | 2011-01-25 | Semequip, Inc. | Method for extending equipment uptime in ion implantation |
| CN101939812B (zh) * | 2007-10-19 | 2013-05-01 | Mks仪器股份有限公司 | 用于高气体流速处理的环形等离子体室 |
| WO2009082763A2 (en) * | 2007-12-25 | 2009-07-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling plasma uniformity |
| WO2009146439A1 (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | Colorado State University Research Foundation | System, method and apparatus for generating plasma |
| US8994270B2 (en) | 2008-05-30 | 2015-03-31 | Colorado State University Research Foundation | System and methods for plasma application |
| US9288886B2 (en) * | 2008-05-30 | 2016-03-15 | Colorado State University Research Foundation | Plasma-based chemical source device and method of use thereof |
| US7914603B2 (en) * | 2008-06-26 | 2011-03-29 | Mks Instruments, Inc. | Particle trap for a plasma source |
| US20100074810A1 (en) * | 2008-09-23 | 2010-03-25 | Sang Hun Lee | Plasma generating system having tunable plasma nozzle |
| RU2379860C1 (ru) * | 2008-10-23 | 2010-01-20 | ЗАО "Группа А.Д.Д." | Трансформаторный плазмотрон с диэлектрической разрядной камерой |
| US20100101727A1 (en) * | 2008-10-27 | 2010-04-29 | Helin Ji | Capacitively coupled remote plasma source with large operating pressure range |
| US7921804B2 (en) * | 2008-12-08 | 2011-04-12 | Amarante Technologies, Inc. | Plasma generating nozzle having impedance control mechanism |
| US8537958B2 (en) | 2009-02-04 | 2013-09-17 | General Fusion, Inc. | Systems and methods for compressing plasma |
| US20100201272A1 (en) * | 2009-02-09 | 2010-08-12 | Sang Hun Lee | Plasma generating system having nozzle with electrical biasing |
| US8692466B2 (en) * | 2009-02-27 | 2014-04-08 | Mks Instruments Inc. | Method and apparatus of providing power to ignite and sustain a plasma in a reactive gas generator |
| KR101507738B1 (ko) | 2009-02-27 | 2015-04-06 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 플라즈마 점화와 전력 제어를 위한 방법 및 장치 |
| US20100252047A1 (en) * | 2009-04-03 | 2010-10-07 | Kirk Seth M | Remote fluorination of fibrous filter webs |
| US20100254853A1 (en) * | 2009-04-06 | 2010-10-07 | Sang Hun Lee | Method of sterilization using plasma generated sterilant gas |
| CN102598201A (zh) * | 2009-08-27 | 2012-07-18 | 摩赛科结晶公司 | 用于高真空室的穿入式等离子体发生器 |
| US8222822B2 (en) * | 2009-10-27 | 2012-07-17 | Tyco Healthcare Group Lp | Inductively-coupled plasma device |
| US8771538B2 (en) * | 2009-11-18 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma source design |
| US8742665B2 (en) * | 2009-11-18 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma source design |
| US9111729B2 (en) | 2009-12-03 | 2015-08-18 | Lam Research Corporation | Small plasma chamber systems and methods |
| US8282906B2 (en) * | 2009-12-23 | 2012-10-09 | 3M Innovative Properties Company | Remote plasma synthesis of metal oxide nanoparticles |
| US8124942B2 (en) * | 2010-02-16 | 2012-02-28 | Fei Company | Plasma igniter for an inductively coupled plasma ion source |
| US9190289B2 (en) * | 2010-02-26 | 2015-11-17 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas |
| EP2552340A4 (en) | 2010-03-31 | 2015-10-14 | Univ Colorado State Res Found | PLASMA DEVICE WITH LIQUID GAS INTERFACE |
| JP2013529352A (ja) | 2010-03-31 | 2013-07-18 | コロラド ステート ユニバーシティー リサーチ ファウンデーション | 液体−気体界面プラズマデバイス |
| US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
| KR100989316B1 (ko) | 2010-06-25 | 2010-10-25 | 이창경 | 플라즈마-강화 화학 증착장치 |
| US9155181B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-10-06 | Lam Research Corporation | Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus |
| US8999104B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-04-07 | Lam Research Corporation | Systems, methods and apparatus for separate plasma source control |
| US9449793B2 (en) * | 2010-08-06 | 2016-09-20 | Lam Research Corporation | Systems, methods and apparatus for choked flow element extraction |
| US9967965B2 (en) | 2010-08-06 | 2018-05-08 | Lam Research Corporation | Distributed, concentric multi-zone plasma source systems, methods and apparatus |
| US8624501B2 (en) * | 2010-12-08 | 2014-01-07 | Mks Instruments, Inc. | Measuring and controlling parameters of a plasma generator |
| US8741778B2 (en) | 2010-12-14 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Uniform dry etch in two stages |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US9263237B2 (en) * | 2011-02-22 | 2016-02-16 | Gen Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and method thereof |
| US8771539B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
| US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
| US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
| US8884525B2 (en) * | 2011-03-22 | 2014-11-11 | Advanced Energy Industries, Inc. | Remote plasma source generating a disc-shaped plasma |
| US8497211B2 (en) | 2011-06-24 | 2013-07-30 | Applied Materials, Inc. | Integrated process modulation for PSG gapfill |
| US8771536B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
| US10049881B2 (en) * | 2011-08-10 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for selective nitridation process |
| US8679982B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen |
| US8679983B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen |
| US8927390B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Intrench profile |
| US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
| WO2013070436A1 (en) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing |
| US9177762B2 (en) | 2011-11-16 | 2015-11-03 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus of a wedge-shaped parallel plate plasma reactor for substrate processing |
| US10283325B2 (en) | 2012-10-10 | 2019-05-07 | Lam Research Corporation | Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus |
| US8872525B2 (en) | 2011-11-21 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for detecting DC bias in a plasma processing chamber |
| US9083182B2 (en) | 2011-11-21 | 2015-07-14 | Lam Research Corporation | Bypass capacitors for high voltage bias power in the mid frequency RF range |
| US10586686B2 (en) | 2011-11-22 | 2020-03-10 | Law Research Corporation | Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery |
| US8898889B2 (en) | 2011-11-22 | 2014-12-02 | Lam Research Corporation | Chuck assembly for plasma processing |
| US9263240B2 (en) | 2011-11-22 | 2016-02-16 | Lam Research Corporation | Dual zone temperature control of upper electrodes |
| US9396908B2 (en) | 2011-11-22 | 2016-07-19 | Lam Research Corporation | Systems and methods for controlling a plasma edge region |
| KR102011535B1 (ko) | 2011-11-24 | 2019-08-16 | 램 리써치 코포레이션 | 가요성 있는 대칭적 rf 복귀 스트랩을 갖는 플라즈마 프로세싱 챔버 |
| US20130146225A1 (en) * | 2011-12-08 | 2013-06-13 | Mks Instruments, Inc. | Gas injector apparatus for plasma applicator |
| US9279722B2 (en) | 2012-04-30 | 2016-03-08 | Agilent Technologies, Inc. | Optical emission system including dichroic beam combiner |
| KR101446159B1 (ko) | 2012-07-03 | 2014-10-02 | 주식회사 플라즈마트 | 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 발생 방법 |
| WO2014007472A1 (en) * | 2012-07-03 | 2014-01-09 | Plasmart Inc. | Plasma generation apparatus and plasma generation method |
| US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
| US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
| RU2505949C1 (ru) * | 2012-08-03 | 2014-01-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН) | Трансформаторный плазматрон низкого давления для ионно-плазменной обработки поверхности материалов |
| US20140062285A1 (en) * | 2012-08-29 | 2014-03-06 | Mks Instruments, Inc. | Method and Apparatus for a Large Area Inductive Plasma Source |
| US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
| US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
| US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US8765574B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-01 | Applied Materials, Inc. | Dry etch process |
| US8944003B2 (en) * | 2012-11-16 | 2015-02-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Remote plasma system and method |
| US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
| US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
| US9064816B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective oxidation removal |
| US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
| US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
| US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
| US9532826B2 (en) | 2013-03-06 | 2017-01-03 | Covidien Lp | System and method for sinus surgery |
| US8801952B1 (en) | 2013-03-07 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Conformal oxide dry etch |
| US10170282B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Insulated semiconductor faceplate designs |
| US9555145B2 (en) | 2013-03-13 | 2017-01-31 | Covidien Lp | System and method for biofilm remediation |
| EP2969134A1 (en) | 2013-03-14 | 2016-01-20 | MKS Instruments, Inc. | Toroidal plasma abatement apparatus and method |
| MY187052A (en) * | 2013-03-15 | 2021-08-27 | Plasmability Llc | Toroidal plasma processing apparatus |
| US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| US8895449B1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Delicate dry clean |
| US9114438B2 (en) | 2013-05-21 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Copper residue chamber clean |
| US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
| JP6469688B2 (ja) | 2013-08-16 | 2019-02-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 高温低圧環境用の細長い容量結合プラズマ源 |
| US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
| US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
| US9741918B2 (en) | 2013-10-07 | 2017-08-22 | Hypres, Inc. | Method for increasing the integration level of superconducting electronics circuits, and a resulting circuit |
| US8951429B1 (en) | 2013-10-29 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Tungsten oxide processing |
| US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
| US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
| US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
| US9155184B2 (en) * | 2013-11-18 | 2015-10-06 | Applied Materials, Inc. | Plasma generation source employing dielectric conduit assemblies having removable interfaces and related assemblies and methods |
| US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
| US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
| US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
| US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
| US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
| US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
| US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
| US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
| US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
| US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
| US9240308B2 (en) * | 2014-03-06 | 2016-01-19 | Applied Materials, Inc. | Hall effect enhanced capacitively coupled plasma source, an abatement system, and vacuum processing system |
| KR101548922B1 (ko) * | 2014-03-13 | 2015-09-02 | 주식회사 테라텍 | 고밀도 구속 플라즈마 소스 장치 |
| JP6387635B2 (ja) * | 2014-03-17 | 2018-09-12 | 株式会社リコー | プラズマ発生装置及び表面改質装置 |
| US9336997B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-05-10 | Applied Materials, Inc. | RF multi-feed structure to improve plasma uniformity |
| US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
| US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
| US9653266B2 (en) | 2014-03-27 | 2017-05-16 | Mks Instruments, Inc. | Microwave plasma applicator with improved power uniformity |
| US9284210B2 (en) | 2014-03-31 | 2016-03-15 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for material processing using dual source cyclonic plasma reactor |
| US9550694B2 (en) | 2014-03-31 | 2017-01-24 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for material processing using plasma thermal source |
| US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
| US9533909B2 (en) | 2014-03-31 | 2017-01-03 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for material processing using atmospheric thermal plasma reactor |
| US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
| US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
| RU2558728C1 (ru) * | 2014-05-29 | 2015-08-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН) | Комбинированный индукционно-дуговой плазмотрон и способ поджига индукционного разряда |
| US9847289B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Protective via cap for improved interconnect performance |
| JP5729514B1 (ja) * | 2014-06-14 | 2015-06-03 | プラスウェア株式会社 | プラズマ発生装置、液上溶融方法及び給電装置 |
| US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
| US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
| US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
| US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
| US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
| US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
| US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
| US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
| EP3183944B1 (en) * | 2014-08-19 | 2018-10-03 | General Fusion, Inc. | System and method for controlling plasma magnetic field |
| US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
| US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
| US10083818B2 (en) | 2014-09-24 | 2018-09-25 | Applied Materials, Inc. | Auto frequency tuned remote plasma source |
| US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
| US9355862B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Fluorine-based hardmask removal |
| US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
| US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
| US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
| US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
| US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
| US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
| US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
| US20160200618A1 (en) | 2015-01-08 | 2016-07-14 | Corning Incorporated | Method and apparatus for adding thermal energy to a glass melt |
| US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
| US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
| US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
| US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US9736920B2 (en) * | 2015-02-06 | 2017-08-15 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for plasma ignition with a self-resonating device |
| US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
| TWI670749B (zh) | 2015-03-13 | 2019-09-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 耦接至工藝腔室的電漿源 |
| KR102024503B1 (ko) | 2015-03-13 | 2019-11-04 | 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 | 플라즈마 소스 디바이스 및 방법들 |
| EP3298619A4 (en) | 2015-05-21 | 2018-12-19 | Plasmability, LLC | Toroidal plasma processing apparatus with a shaped workpiece holder |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
| ES2814004T3 (es) | 2016-08-09 | 2021-03-25 | John Bean Technologies Corp | Aparato y procedimiento de procesamiento de radiofrecuencia |
| US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
| US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
| JP6736443B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2020-08-05 | 株式会社ダイヘン | プラズマ発生装置 |
| US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
| US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
| US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
| US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
| US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
| US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
| US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
| US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
| US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
| US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
| US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| DE102018204585A1 (de) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | centrotherm international AG | Plasmagenerator, Plasma-Behandlungsvorrichtung und Verfahren zum gepulsten Bereitstellen von elektrischer Leistung |
| US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
| JP7176860B6 (ja) | 2017-05-17 | 2022-12-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
| US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
| US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
| US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
| US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
| US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
| US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
| US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10264663B1 (en) | 2017-10-18 | 2019-04-16 | Lam Research Corporation | Matchless plasma source for semiconductor wafer fabrication |
| US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
| US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
| US10811144B2 (en) * | 2017-11-06 | 2020-10-20 | General Fusion Inc. | System and method for plasma generation and compression |
| US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
| US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
| US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| TWI766433B (zh) | 2018-02-28 | 2022-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
| US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
| US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
| US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
| US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
| US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
| CN112335342B (zh) | 2018-06-14 | 2023-07-14 | Mks仪器公司 | 用于远程等离子源的自由基输出监控器和使用方法 |
| US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
| US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
| US11019715B2 (en) | 2018-07-13 | 2021-05-25 | Mks Instruments, Inc. | Plasma source having a dielectric plasma chamber with improved plasma resistance |
| US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
| US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
| US10553403B1 (en) | 2019-05-08 | 2020-02-04 | Mks Instruments, Inc. | Polygonal toroidal plasma source |
| US10886104B2 (en) | 2019-06-10 | 2021-01-05 | Advanced Energy Industries, Inc. | Adaptive plasma ignition |
| CN110718437A (zh) * | 2019-09-16 | 2020-01-21 | 明远精密科技股份有限公司 | 远距电浆产生装置 |
| US11623197B2 (en) | 2020-01-23 | 2023-04-11 | Lyten, Inc. | Complex modality reactor for materials production and synthesis |
| US11688584B2 (en) | 2020-04-29 | 2023-06-27 | Advanced Energy Industries, Inc. | Programmable ignition profiles for enhanced plasma ignition |
| US12394604B2 (en) | 2020-09-11 | 2025-08-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma source with floating electrodes |
| US11776793B2 (en) | 2020-11-13 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma source with ceramic electrode plate |
| US12068134B2 (en) | 2021-01-29 | 2024-08-20 | Applied Materials, Inc. | Digital control of plasma processing |
| US12027426B2 (en) | 2021-01-29 | 2024-07-02 | Applied Materials, Inc. | Image-based digital control of plasma processing |
| US11587781B2 (en) | 2021-05-24 | 2023-02-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser-driven light source with electrodeless ignition |
| JP7610122B2 (ja) * | 2021-06-22 | 2025-01-08 | 日新電機株式会社 | プラズマ源及びプラズマ処理装置 |
| US12156322B2 (en) * | 2022-12-08 | 2024-11-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Inductively coupled plasma light source with switched power supply |
| US12578076B2 (en) | 2023-06-05 | 2026-03-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Dual-output laser-driven light source |
Family Cites Families (199)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3054742A (en) | 1956-10-26 | 1962-09-18 | Atomic Energy Authority Uk | Gas discharge apparatus |
| NL228790A (ja) | 1957-06-20 | |||
| FR1207566A (fr) | 1958-06-26 | 1960-02-17 | Trt Telecom Radio Electr | Perfectionnements aux dispositifs d'accord automatique sur une charge largement variable |
| US3343022A (en) * | 1965-03-16 | 1967-09-19 | Lockheed Aircraft Corp | Transpiration cooled induction plasma generator |
| US3278384A (en) | 1965-04-13 | 1966-10-11 | Lenard Andrew | Negative "v" stellarator |
| US3509500A (en) | 1966-12-05 | 1970-04-28 | Avco Corp | Automatic digital tuning apparatus |
| US3500118A (en) | 1967-07-17 | 1970-03-10 | Gen Electric | Electrodeless gaseous electric discharge devices utilizing ferrite cores |
| US3433705A (en) | 1968-02-28 | 1969-03-18 | Atomic Energy Commission | Stellarator having multipole magnets |
| US3663361A (en) | 1970-02-17 | 1972-05-16 | Atomic Energy Commission | Nuclear fusion device of the air-core tokamak type |
| US3663362A (en) * | 1970-12-22 | 1972-05-16 | Atomic Energy Commission | Controlled fusion reactor |
| USH554H (en) | 1972-03-02 | 1988-12-06 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Toroidal reactor |
| US3794941A (en) | 1972-05-08 | 1974-02-26 | Hughes Aircraft Co | Automatic antenna impedance tuner including digital control circuits |
| US3906405A (en) | 1974-07-01 | 1975-09-16 | Motorola Inc | Tunable antenna coupling circuit |
| US5099100A (en) | 1974-08-16 | 1992-03-24 | Branson International Plasma Corporation | Plasma etching device and process |
| FR2290126A1 (fr) | 1974-10-31 | 1976-05-28 | Anvar | Perfectionnements apportes aux dispositifs d'excitation, par des ondes hf, d'une colonne de gaz enfermee dans une enveloppe |
| US3987334A (en) | 1975-01-20 | 1976-10-19 | General Electric Company | Integrally ballasted electrodeless fluorescent lamp |
| US4057462A (en) | 1975-02-26 | 1977-11-08 | The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration | Radio frequency sustained ion energy |
| US4110595A (en) | 1975-06-19 | 1978-08-29 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | High-frequency plasma-heating apparatus |
| US4073680A (en) | 1975-06-26 | 1978-02-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Toroidal band limiter for a plasma containment device |
| JPS5211175A (en) | 1975-07-18 | 1977-01-27 | Toshiba Corp | Activated gas reacting apparatus |
| US4263096A (en) | 1976-02-02 | 1981-04-21 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Toroidal magnet system |
| US4088926A (en) | 1976-05-10 | 1978-05-09 | Nasa | Plasma cleaning device |
| US4095198A (en) | 1977-01-31 | 1978-06-13 | Gte Sylvania Incorporated | Impedance-matching network |
| US4859399A (en) | 1977-10-13 | 1989-08-22 | Fdx Patents Holding Company, N.V. | Modular fusion power apparatus using disposable core |
| US4180763A (en) | 1978-01-25 | 1979-12-25 | General Electric Company | High intensity discharge lamp geometries |
| US4201960A (en) | 1978-05-24 | 1980-05-06 | Motorola, Inc. | Method for automatically matching a radio frequency transmitter to an antenna |
| US4292125A (en) | 1978-08-21 | 1981-09-29 | Massachusetts Institute Of Technology | System and method for generating steady state confining current for a toroidal plasma fusion reactor |
| US4252609A (en) | 1978-11-24 | 1981-02-24 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Crossed-field divertor for a plasma device |
| US4285800A (en) | 1979-04-18 | 1981-08-25 | Branson International Plasma Corp. | Gas plasma reactor for circuit boards and the like |
| US4282267A (en) | 1979-09-20 | 1981-08-04 | Western Electric Co., Inc. | Methods and apparatus for generating plasmas |
| JPS56100785A (en) | 1980-01-16 | 1981-08-12 | Nippon Shinyaku Co Ltd | 1-azaerythrinan derivative |
| SU957744A1 (ru) * | 1980-06-09 | 1996-02-10 | Всесоюзный научно-исследовательский, проектно-конструкторский и технологический институт токов высокой частоты им.В.П.Вологдина | Трансформаторный плазмотрон |
| US4324611A (en) | 1980-06-26 | 1982-04-13 | Branson International Plasma Corporation | Process and gas mixture for etching silicon dioxide and silicon nitride |
| US4368092A (en) | 1981-04-02 | 1983-01-11 | The Perkin-Elmer Corporation | Apparatus for the etching for semiconductor devices |
| JPS57174467A (en) | 1981-04-20 | 1982-10-27 | Inoue Japax Res Inc | Ion working device |
| GB2098138B (en) | 1981-05-07 | 1984-11-14 | Hitachi Shipbuilding Eng Co | Slurry carrying ship with drainage devices |
| US4350578A (en) | 1981-05-11 | 1982-09-21 | International Business Machines Corporation | Cathode for etching |
| US4431898A (en) * | 1981-09-01 | 1984-02-14 | The Perkin-Elmer Corporation | Inductively coupled discharge for plasma etching and resist stripping |
| US4486722A (en) | 1982-02-18 | 1984-12-04 | Rockwell International Corporation | Pin diode switched impedance matching network having diode driver circuits transparent to RF potential |
| US4431901A (en) * | 1982-07-02 | 1984-02-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Induction plasma tube |
| US4486723A (en) | 1983-01-06 | 1984-12-04 | Rca Corporation | Diode switching system for a selectable impedance matching network |
| US4601871A (en) | 1983-05-17 | 1986-07-22 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Steady state compact toroidal plasma production |
| JPS59221694A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-13 | 株式会社日立製作所 | 核融合装置用真空容器 |
| US4626400A (en) | 1983-06-01 | 1986-12-02 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Variable control of neutron albedo in toroidal fusion devices |
| JPS6050486A (ja) | 1983-08-30 | 1985-03-20 | 三菱電機株式会社 | 核融合装置 |
| JPS6048195U (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-04 | 三菱重工業株式会社 | 真空容器の絶縁シ−ル装置 |
| JPS6056298U (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-19 | 株式会社日立製作所 | 核融合装置用真空容器 |
| USH268H (en) | 1984-03-20 | 1987-05-05 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Elmo bumpy square plasma confinement device |
| JPS611024A (ja) * | 1984-06-12 | 1986-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体回路製造装置 |
| US4668366A (en) | 1984-08-02 | 1987-05-26 | The Perkin-Elmer Corporation | Optical figuring by plasma assisted chemical transport and etching apparatus therefor |
| JPS6180088A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-23 | 株式会社東芝 | 核融合装置の真空容器 |
| JPS61139029A (ja) | 1984-12-10 | 1986-06-26 | Mitsubishi Electric Corp | シリコンイオンビ−ムによる加工方法 |
| JPS61139029U (ja) | 1985-02-19 | 1986-08-28 | ||
| JPH0697660B2 (ja) | 1985-03-23 | 1994-11-30 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜形成方法 |
| US4794217A (en) | 1985-04-01 | 1988-12-27 | Qing Hua University | Induction system for rapid heat treatment of semiconductor wafers |
| US4631105A (en) | 1985-04-22 | 1986-12-23 | Branson International Plasma Corporation | Plasma etching apparatus |
| US4680694A (en) | 1985-04-22 | 1987-07-14 | National Distillers And Chemical Corporation | Ozonator power supply |
| US4679007A (en) | 1985-05-20 | 1987-07-07 | Advanced Energy, Inc. | Matching circuit for delivering radio frequency electromagnetic energy to a variable impedance load |
| US4793975A (en) | 1985-05-20 | 1988-12-27 | Tegal Corporation | Plasma Reactor with removable insert |
| DE3522569A1 (de) | 1985-06-24 | 1987-01-02 | Metallgesellschaft Ag | Stromversorgung fuer ein elektrofilter |
| CA1246762A (en) | 1985-07-05 | 1988-12-13 | Zenon Zakrzewski | Surface wave launchers to produce plasma columns and means for producing plasma of different shapes |
| US4668336A (en) | 1985-07-23 | 1987-05-26 | Micronix Corporation | Process for making a mask used in x-ray photolithography |
| US4734247A (en) * | 1985-08-28 | 1988-03-29 | Ga Technologies Inc. | Helical shaping method and apparatus to produce large translational transform in pinch plasma magnetic confinement |
| JPS6269520A (ja) | 1985-09-21 | 1987-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光ｃｖｄ法により凹部を充填する方法 |
| USH627H (en) | 1985-10-03 | 1989-04-04 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Spherical torus fusion reactor |
| NL8503008A (nl) | 1985-11-04 | 1987-06-01 | Philips Nv | Gelijkstroom-wisselstroomomzetter voor het ontsteken en voeden van een ontladingslamp. |
| US4735765A (en) | 1985-11-26 | 1988-04-05 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Flexible helical-axis stellarator |
| DE3603947A1 (de) * | 1986-02-06 | 1987-08-13 | Stiehl Hans Henrich Dr | System zur dosierung von luftgetragenen ionen mit hoher genauigkeit und verbessertem wirkungsgrad zur eliminierung elektrostatischer flaechenladungen |
| US4767590A (en) | 1986-04-25 | 1988-08-30 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Anomalous - viscosity current drive |
| JPH0810258B2 (ja) | 1986-06-02 | 1996-01-31 | 株式会社日立製作所 | プラズマ閉じ込め方法 |
| US4897282A (en) | 1986-09-08 | 1990-01-30 | Iowa State University Reserach Foundation, Inc. | Thin film coating process using an inductively coupled plasma |
| US4786352A (en) | 1986-09-12 | 1988-11-22 | Benzing Technologies, Inc. | Apparatus for in-situ chamber cleaning |
| US4859908A (en) | 1986-09-24 | 1989-08-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma processing apparatus for large area ion irradiation |
| ES2003363A6 (es) | 1986-10-02 | 1988-11-01 | Gh Ind Sa | Perfeccionamientos en generadores de alta frecuencia para aplicaciones de calentamiento por induccion laser plasma y similares |
| US5773919A (en) | 1986-10-02 | 1998-06-30 | Electron Power Systems | Electron spiral toroid |
| JPS63210797A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | 株式会社東芝 | 核融合装置 |
| US4766287A (en) * | 1987-03-06 | 1988-08-23 | The Perkin-Elmer Corporation | Inductively coupled plasma torch with adjustable sample injector |
| US4877757A (en) | 1987-07-16 | 1989-10-31 | Texas Instruments Incorporated | Method of sequential cleaning and passivating a GaAs substrate using remote oxygen plasma |
| JPH01122363A (ja) * | 1987-10-31 | 1989-05-15 | Japan Atom Energy Res Inst | 加速電源装置の保護回路 |
| JP2805009B2 (ja) | 1988-05-11 | 1998-09-30 | 株式会社日立製作所 | プラズマ発生装置及びプラズマ元素分析装置 |
| US4853250A (en) | 1988-05-11 | 1989-08-01 | Universite De Sherbrooke | Process of depositing particulate material on a substrate |
| JPH068510B2 (ja) * | 1988-09-02 | 1994-02-02 | 日本電信電話株式会社 | プラズマ／イオン生成源およびプラズマ／イオン処理装置 |
| US4996077A (en) | 1988-10-07 | 1991-02-26 | Texas Instruments Incorporated | Distributed ECR remote plasma processing and apparatus |
| US4918031A (en) | 1988-12-28 | 1990-04-17 | American Telephone And Telegraph Company,At&T Bell Laboratories | Processes depending on plasma generation using a helical resonator |
| GB8905073D0 (en) * | 1989-03-06 | 1989-04-19 | Nordiko Ltd | Ion gun |
| US4985113A (en) | 1989-03-10 | 1991-01-15 | Hitachi, Ltd. | Sample treating method and apparatus |
| JPH02260399A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Fuji Denpa Koki Kk | 高気圧プラズマアーク発生方法 |
| US5061838A (en) | 1989-06-23 | 1991-10-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Toroidal electron cyclotron resonance reactor |
| RU2094961C1 (ru) | 1989-07-20 | 1997-10-27 | Уланов Игорь Максимович | Трансформаторный плазмотрон |
| JP2779000B2 (ja) * | 1989-08-07 | 1998-07-23 | 日本電子株式会社 | 誘導プラズマ発生装置 |
| US4948458A (en) | 1989-08-14 | 1990-08-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma |
| US5106827A (en) | 1989-09-18 | 1992-04-21 | The Perkin Elmer Corporation | Plasma assisted oxidation of perovskites for forming high temperature superconductors using inductively coupled discharges |
| RU2022917C1 (ru) | 1989-09-27 | 1994-11-15 | Уланов Игорь Максимович | Способ получения окиси азота |
| US5223457A (en) | 1989-10-03 | 1993-06-29 | Applied Materials, Inc. | High-frequency semiconductor wafer processing method using a negative self-bias |
| US5030889A (en) | 1989-12-21 | 1991-07-09 | General Electric Company | Lamp ballast configuration |
| DE3942560C2 (de) | 1989-12-22 | 1996-05-02 | Dressler Hochfrequenztechnik G | Hochfrequenz-Generator für einen Plasma erzeugenden Verbraucher |
| US5000771A (en) | 1989-12-29 | 1991-03-19 | At&T Bell Laboratories | Method for manufacturing an article comprising a refractory dielectric body |
| JP3381916B2 (ja) | 1990-01-04 | 2003-03-04 | マトソン テクノロジー，インコーポレイテッド | 低周波誘導型高周波プラズマ反応装置 |
| US5016332A (en) | 1990-04-13 | 1991-05-21 | Branson International Plasma Corporation | Plasma reactor and process with wafer temperature control |
| US5130003A (en) | 1990-06-14 | 1992-07-14 | Conrad Richard H | method of powering corona discharge in ozone generators |
| RU2056702C1 (ru) | 1990-07-09 | 1996-03-20 | Уланов Игорь Максимович | Трансформаторный плазмотрон |
| US5008593A (en) | 1990-07-13 | 1991-04-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Coaxial liquid cooling of high power microwave excited plasma UV lamps |
| JPH0492414A (ja) * | 1990-08-08 | 1992-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
| DE4035272A1 (de) | 1990-11-02 | 1992-05-07 | Sorbios Gmbh | Vorrichtung zur erzeugung von ozon aus sauerstoff |
| US5365147A (en) | 1990-11-28 | 1994-11-15 | Nichimen Kabushiki Kaisha | Plasma stabilizing apparatus employing feedback controls |
| US5200595A (en) | 1991-04-12 | 1993-04-06 | Universite De Sherbrooke | High performance induction plasma torch with a water-cooled ceramic confinement tube |
| US5206516A (en) | 1991-04-29 | 1993-04-27 | International Business Machines Corporation | Low energy, steered ion beam deposition system having high current at low pressure |
| US5254830A (en) | 1991-05-07 | 1993-10-19 | Hughes Aircraft Company | System for removing material from semiconductor wafers using a contained plasma |
| DE4119362A1 (de) | 1991-06-12 | 1992-12-17 | Leybold Ag | Teilchenquelle, insbesondere fuer reaktive ionenaetz- und plasmaunterstuetzte cvd-verfahren |
| US6063233A (en) | 1991-06-27 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| US5187454A (en) | 1992-01-23 | 1993-02-16 | Applied Materials, Inc. | Electronically tuned matching network using predictor-corrector control system |
| DE9109503U1 (de) | 1991-07-31 | 1991-10-17 | Magtron Magneto Elektronische Geraete Gmbh, 7583 Ottersweier | Schaltungsanordnung für ein Stromversorgungsgerät für Geräte und Anlagen der Plasma- und Oberflächentechnik |
| US5565247A (en) | 1991-08-30 | 1996-10-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming a functional deposited film |
| US5353314A (en) | 1991-09-30 | 1994-10-04 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Electric field divertor plasma pump |
| JP3231367B2 (ja) * | 1991-10-16 | 2001-11-19 | 益弘 小駒 | グロープラズマ反応方法 |
| JP3109871B2 (ja) | 1991-10-21 | 2000-11-20 | 関東電化工業株式会社 | 物品の水切り・乾燥方法及び装置 |
| US5285372A (en) | 1991-10-23 | 1994-02-08 | Henkel Corporation | Power supply for an ozone generator with a bridge inverter |
| US5153484A (en) | 1991-10-31 | 1992-10-06 | General Electric Company | Electrodeless high intensity discharge lamp excitation coil and ballast configuration for maximum efficiency |
| US5479072A (en) * | 1991-11-12 | 1995-12-26 | General Electric Company | Low mercury arc discharge lamp containing neodymium |
| JPH05144594A (ja) | 1991-11-19 | 1993-06-11 | Ebara Corp | 放電プラズマ発生装置 |
| JPH05166595A (ja) | 1991-12-12 | 1993-07-02 | Fuji Denpa Koki Kk | 高気圧高密度プラズマ発生方法 |
| US5291415A (en) | 1991-12-13 | 1994-03-01 | Hughes Aircraft Company | Method to determine tool paths for thinning and correcting errors in thickness profiles of films |
| US5336355A (en) | 1991-12-13 | 1994-08-09 | Hughes Aircraft Company | Methods and apparatus for confinement of a plasma etch region for precision shaping of surfaces of substances and films |
| US5290382A (en) * | 1991-12-13 | 1994-03-01 | Hughes Aircraft Company | Methods and apparatus for generating a plasma for "downstream" rapid shaping of surfaces of substrates and films |
| US5180150A (en) | 1992-01-24 | 1993-01-19 | Hughes Danbury Optical Systems, Inc. | Apparatus for providing consistent registration of semiconductor wafers |
| US5280154A (en) | 1992-01-30 | 1994-01-18 | International Business Machines Corporation | Radio frequency induction plasma processing system utilizing a uniform field coil |
| US5238532A (en) | 1992-02-27 | 1993-08-24 | Hughes Aircraft Company | Method and apparatus for removal of subsurface damage in semiconductor materials by plasma etching |
| US5376224A (en) | 1992-02-27 | 1994-12-27 | Hughes Aircraft Company | Method and apparatus for non-contact plasma polishing and smoothing of uniformly thinned substrates |
| US5505780A (en) | 1992-03-18 | 1996-04-09 | International Business Machines Corporation | High-density plasma-processing tool with toroidal magnetic field |
| US5458732A (en) | 1992-04-14 | 1995-10-17 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for identifying process conditions |
| JP2710467B2 (ja) | 1992-04-16 | 1998-02-10 | アドバンスド エナージィ インダストリーズ，インコーポレイテッド | プロセシング・プラズマのａｃ特性を特徴付ける装置 |
| US5277751A (en) | 1992-06-18 | 1994-01-11 | Ogle John S | Method and apparatus for producing low pressure planar plasma using a coil with its axis parallel to the surface of a coupling window |
| US5440206A (en) | 1992-06-26 | 1995-08-08 | Tokyo Electron Ltd. | Plasma processing apparatus comprising means for generating rotating magnetic field |
| US5397962A (en) | 1992-06-29 | 1995-03-14 | Texas Instruments Incorporated | Source and method for generating high-density plasma with inductive power coupling |
| US5700297A (en) | 1992-08-28 | 1997-12-23 | Ipec Precision, Inc. | Apparatus for providing consistent, non-jamming registration of notched semiconductor wafers |
| US5352249A (en) | 1992-08-28 | 1994-10-04 | Hughes Aircraft Company | Apparatus for providing consistent, non-jamming registration of semiconductor wafers |
| DE4231905C2 (de) * | 1992-09-18 | 1999-05-20 | Stiehl Hans Henrich Dr | Vorrichtung zur Messung von Ionen in einem Gas |
| US5359180A (en) | 1992-10-02 | 1994-10-25 | General Electric Company | Power supply system for arcjet thrusters |
| US5414238A (en) * | 1992-10-02 | 1995-05-09 | Martin Marietta Corporation | Resonant power supply for an arcjet thruster |
| US5346578A (en) * | 1992-11-04 | 1994-09-13 | Novellus Systems, Inc. | Induction plasma source |
| JPH0732078B2 (ja) | 1993-01-14 | 1995-04-10 | 株式会社アドテック | 高周波プラズマ用電源及びインピーダンス整合装置 |
| US5401350A (en) * | 1993-03-08 | 1995-03-28 | Lsi Logic Corporation | Coil configurations for improved uniformity in inductively coupled plasma systems |
| US5372674A (en) | 1993-05-14 | 1994-12-13 | Hughes Aircraft Company | Electrode for use in a plasma assisted chemical etching process |
| US5298103A (en) | 1993-07-15 | 1994-03-29 | Hughes Aircraft Company | Electrode assembly useful in confined plasma assisted chemical etching |
| US5430355A (en) * | 1993-07-30 | 1995-07-04 | Texas Instruments Incorporated | RF induction plasma source for plasma processing |
| US5364496A (en) | 1993-08-20 | 1994-11-15 | Hughes Aircraft Company | Highly durable noncontaminating surround materials for plasma etching |
| US5449432A (en) * | 1993-10-25 | 1995-09-12 | Applied Materials, Inc. | Method of treating a workpiece with a plasma and processing reactor having plasma igniter and inductive coupler for semiconductor fabrication |
| JP3228644B2 (ja) * | 1993-11-05 | 2001-11-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置用素材及びその製造方法 |
| US5610102A (en) | 1993-11-15 | 1997-03-11 | Integrated Process Equipment Corp. | Method for co-registering semiconductor wafers undergoing work in one or more blind process modules |
| US5419803A (en) | 1993-11-17 | 1995-05-30 | Hughes Aircraft Company | Method of planarizing microstructures |
| US5467013A (en) * | 1993-12-07 | 1995-11-14 | Sematech, Inc. | Radio frequency monitor for semiconductor process control |
| US5468296A (en) | 1993-12-17 | 1995-11-21 | Lsi Logic Corporation | Apparatus for igniting low pressure inductively coupled plasma |
| US5565036A (en) | 1994-01-19 | 1996-10-15 | Tel America, Inc. | Apparatus and method for igniting plasma in a process module |
| JP3279038B2 (ja) | 1994-01-31 | 2002-04-30 | ソニー株式会社 | プラズマ装置およびこれを用いたプラズマ処理方法 |
| JP3365067B2 (ja) | 1994-02-10 | 2003-01-08 | ソニー株式会社 | プラズマ装置およびこれを用いたプラズマ処理方法 |
| US5460689A (en) | 1994-02-28 | 1995-10-24 | Applied Materials, Inc. | High pressure plasma treatment method and apparatus |
| US5798016A (en) | 1994-03-08 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Apparatus for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
| US5406177A (en) | 1994-04-18 | 1995-04-11 | General Electric Company | Gas discharge lamp ballast circuit with compact starting circuit |
| US5556549A (en) | 1994-05-02 | 1996-09-17 | Lsi Logic Corporation | Power control and delivery in plasma processing equipment |
| US5514246A (en) * | 1994-06-02 | 1996-05-07 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactors and method of cleaning a plasma reactor |
| EP0697467A1 (en) * | 1994-07-21 | 1996-02-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a deposition chamber |
| US5474648A (en) | 1994-07-29 | 1995-12-12 | Lsi Logic Corporation | Uniform and repeatable plasma processing |
| US5637279A (en) | 1994-08-31 | 1997-06-10 | Applied Science & Technology, Inc. | Ozone and other reactive gas generator cell and system |
| US5563709A (en) | 1994-09-13 | 1996-10-08 | Integrated Process Equipment Corp. | Apparatus for measuring, thinning and flattening silicon structures |
| US5515167A (en) | 1994-09-13 | 1996-05-07 | Hughes Aircraft Company | Transparent optical chuck incorporating optical monitoring |
| US5567255A (en) | 1994-10-13 | 1996-10-22 | Integrated Process Equipment Corp. | Solid annular gas discharge electrode |
| US5576629A (en) | 1994-10-24 | 1996-11-19 | Fourth State Technology, Inc. | Plasma monitoring and control method and system |
| US5585766A (en) | 1994-10-27 | 1996-12-17 | Applied Materials, Inc. | Electrically tuned matching networks using adjustable inductance elements |
| US5811022A (en) | 1994-11-15 | 1998-09-22 | Mattson Technology, Inc. | Inductive plasma reactor |
| US5473291A (en) | 1994-11-16 | 1995-12-05 | Brounley Associates, Inc. | Solid state plasma chamber tuner |
| EP0715334B1 (en) | 1994-11-30 | 1999-04-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactors for processing semiconductor wafers |
| JP3150058B2 (ja) * | 1994-12-05 | 2001-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US5468955A (en) | 1994-12-20 | 1995-11-21 | International Business Machines Corporation | Neutral beam apparatus for in-situ production of reactants and kinetic energy transfer |
| JP3426382B2 (ja) | 1995-01-24 | 2003-07-14 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US5568015A (en) | 1995-02-16 | 1996-10-22 | Applied Science And Technology, Inc. | Fluid-cooled dielectric window for a plasma system |
| US5712592A (en) | 1995-03-06 | 1998-01-27 | Applied Materials, Inc. | RF plasma power supply combining technique for increased stability |
| JP3257328B2 (ja) | 1995-03-16 | 2002-02-18 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| WO1996031899A1 (en) | 1995-04-07 | 1996-10-10 | Advanced Energy Industries, Inc. | Adjustable energy quantum thin film plasma processing system |
| JPH08292278A (ja) * | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Hitachi Ltd | プラズマ対抗材料 |
| US5688415A (en) | 1995-05-30 | 1997-11-18 | Ipec Precision, Inc. | Localized plasma assisted chemical etching through a mask |
| JPH097795A (ja) * | 1995-06-21 | 1997-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | Ｅｃｒプロセス装置 |
| US5834905A (en) | 1995-09-15 | 1998-11-10 | Osram Sylvania Inc. | High intensity electrodeless low pressure light source driven by a transformer core arrangement |
| US5573595A (en) | 1995-09-29 | 1996-11-12 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for generating plasma |
| US6253704B1 (en) | 1995-10-13 | 2001-07-03 | Mattson Technology, Inc. | Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate |
| US5965034A (en) | 1995-12-04 | 1999-10-12 | Mc Electronics Co., Ltd. | High frequency plasma process wherein the plasma is executed by an inductive structure in which the phase and anti-phase portion of the capacitive currents between the inductive structure and the plasma are balanced |
| US5756400A (en) | 1995-12-08 | 1998-05-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning by-products from plasma chamber surfaces |
| US5767628A (en) | 1995-12-20 | 1998-06-16 | International Business Machines Corporation | Helicon plasma processing tool utilizing a ferromagnetic induction coil with an internal cooling channel |
| US5670881A (en) | 1996-02-09 | 1997-09-23 | Toshiba America, Inc. | Discrete step remotely adjustable matching circuit for MRI RF coils |
| JP3328498B2 (ja) | 1996-02-16 | 2002-09-24 | 株式会社荏原製作所 | 高速原子線源 |
| US5630880A (en) | 1996-03-07 | 1997-05-20 | Eastlund; Bernard J. | Method and apparatus for a large volume plasma processor that can utilize any feedstock material |
| US5892198A (en) | 1996-03-29 | 1999-04-06 | Lam Research Corporation | Method of and apparatus for electronically controlling r.f. energy supplied to a vacuum plasma processor and memory for same |
| US5654679A (en) | 1996-06-13 | 1997-08-05 | Rf Power Products, Inc. | Apparatus for matching a variable load impedance with an RF power generator impedance |
| USD384173S (en) | 1996-07-19 | 1997-09-23 | Osram Sylvania Inc. | Electrodeless compact fluorescent lamp |
| US5814154A (en) | 1997-01-23 | 1998-09-29 | Gasonics International | Short-coupled-path extender for plasma source |
| US5914278A (en) | 1997-01-23 | 1999-06-22 | Gasonics International | Backside etch process chamber and method |
| US5998933A (en) | 1998-04-06 | 1999-12-07 | Shun'ko; Evgeny V. | RF plasma inductor with closed ferrite core |
| US6164241A (en) | 1998-06-30 | 2000-12-26 | Lam Research Corporation | Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems |
| US6424232B1 (en) | 1999-11-30 | 2002-07-23 | Advanced Energy's Voorhees Operations | Method and apparatus for matching a variable load impedance with an RF power generator impedance |
| US6459066B1 (en) | 2000-08-25 | 2002-10-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Transmission line based inductively coupled plasma source with stable impedance |
-
1997
- 1997-06-26 US US08/883,281 patent/US6150628A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-06-23 EP EP03002582A patent/EP1310980B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 EP EP98930492A patent/EP0992059B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 WO PCT/US1998/013155 patent/WO1999000823A1/en not_active Ceased
- 1998-06-23 EP EP03002617A patent/EP1313132B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 DE DE69842098T patent/DE69842098D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 DE DE69841962T patent/DE69841962D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 EP EP03002614A patent/EP1313129B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 DE DE69841963T patent/DE69841963D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 DE DE69841965T patent/DE69841965D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 EP EP03002613A patent/EP1313128B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 DE DE69842259T patent/DE69842259D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 EP EP03002583A patent/EP1310981B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 EP EP03002616A patent/EP1313131B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 EP EP10176063A patent/EP2256781B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 DE DE69811497T patent/DE69811497T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 DE DE69841964T patent/DE69841964D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 EP EP03002615A patent/EP1313130B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 DE DE69841961T patent/DE69841961D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-23 JP JP50568899A patent/JP4070152B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-09-12 US US09/659,881 patent/US6486431B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-05-10 US US10/143,061 patent/US6559408B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-10 US US10/143,070 patent/US6664497B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-10-20 US US10/689,165 patent/US7161112B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-11-24 JP JP2006317424A patent/JP4791941B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2006-12-28 JP JP2006354857A patent/JP2007165325A/ja active Pending
-
2008
- 2008-05-14 JP JP2008126850A patent/JP4431183B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2009
- 2009-04-24 JP JP2009106092A patent/JP4608583B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10014162B2 (en) | 2015-08-28 | 2018-07-03 | Daihen Corporation | Plasma generation apparatus for generating toroidal plasma |
| US10306744B2 (en) | 2016-09-23 | 2019-05-28 | Daihen Corporation | Plasma generation apparatus and high-frequency power source |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4070152B2 (ja) | トロイダル低電場反応性ガスソース | |
| US6924455B1 (en) | Integrated plasma chamber and inductively-coupled toroidal plasma source | |
| US7569790B2 (en) | Method and apparatus for processing metal bearing gases | |
| US6815633B1 (en) | Inductively-coupled toroidal plasma source | |
| US7541558B2 (en) | Inductively-coupled toroidal plasma source | |
| US6552296B2 (en) | Toroidal low-field reactive gas source | |
| US8779322B2 (en) | Method and apparatus for processing metal bearing gases | |
| EP1831425B1 (en) | Method of disposing metal bearing gases | |
| CN104599928A (zh) | 一种游离气体的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050601 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20060515 |
|
| A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20061128 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061122 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20061122 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20070307 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070320 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070514 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070731 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071031 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071218 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080111 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |