JPH0492414A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH0492414A JPH0492414A JP20821590A JP20821590A JPH0492414A JP H0492414 A JPH0492414 A JP H0492414A JP 20821590 A JP20821590 A JP 20821590A JP 20821590 A JP20821590 A JP 20821590A JP H0492414 A JPH0492414 A JP H0492414A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction gas
- substrate
- nozzle
- reaction
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は薄膜形成装置に関し、特に、化学的気相成長
［ＣｖＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）コ法により薄膜を形成する薄膜形成装置に
関するものである。
［ＣｖＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）コ法により薄膜を形成する薄膜形成装置に
関するものである。
［従来の技術〕
第３図は、例えば光・薄膜技術マニュアル（（株）オブ
トロニクス社）の１８４〜１８６ページに説明しである
従来の薄膜形成装置である。ここで、（１）はヒータ、
（２）は基板、（３）は反応ガス供給部、矢印（４）は
排気部である。
トロニクス社）の１８４〜１８６ページに説明しである
従来の薄膜形成装置である。ここで、（１）はヒータ、
（２）は基板、（３）は反応ガス供給部、矢印（４）は
排気部である。
このように構成された薄膜形成装置において、例えば基
板にシリコン酸化膜を形成する場合、ヒタ（１）によっ
て基板（２）を適当な温度まで加熱し、例えばＮ、ガス
をキャリアガスとする５ｉｔ（、ガスと０２ガスを反応
ガス供給部（３）のノズルより基板（２）上に供給し、
排気部（４）から排気する。
板にシリコン酸化膜を形成する場合、ヒタ（１）によっ
て基板（２）を適当な温度まで加熱し、例えばＮ、ガス
をキャリアガスとする５ｉｔ（、ガスと０２ガスを反応
ガス供給部（３）のノズルより基板（２）上に供給し、
排気部（４）から排気する。
このとき、化学反応により基板（２）上にシリコン酸化
膜が形成される。
膜が形成される。
［発明が解決しようとする課題］
以上のような従来の薄膜形成装置においては、反応ガス
の流れがコントロールしに＜＜、ｍ厚の均一性に対して
悪い影響を与えるという問題点があった。
の流れがコントロールしに＜＜、ｍ厚の均一性に対して
悪い影響を与えるという問題点があった。
この発明は上記の課題を解決するためになされタモので
、反応ガス流れのコントロールを好適に行うことができ
る薄膜形成装置を得ることを目的とする。
、反応ガス流れのコントロールを好適に行うことができ
る薄膜形成装置を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る薄膜形成装置は、反応ガス供給用ノズル
を２個以上の多数本設置し、しかも１個の／ズルＩこは
１つ以上の反応ガス噴出孔を設け、各ノズルは各々反応
ガス流量、ノズル出口と基板との距離をそれぞれ独立に
変化できるようにした。
を２個以上の多数本設置し、しかも１個の／ズルＩこは
１つ以上の反応ガス噴出孔を設け、各ノズルは各々反応
ガス流量、ノズル出口と基板との距離をそれぞれ独立に
変化できるようにした。
［作 用コ
この発明においては、各反応ガス供給用ノズルのガス流
量、基板との距離を調整することにより、反応に必要な
所望のガスの流れが、周囲の形状や環境に関係なく自由
に作ることができ、反応ガスの基板上での流れをコント
ロールできる。
量、基板との距離を調整することにより、反応に必要な
所望のガスの流れが、周囲の形状や環境に関係なく自由
に作ることができ、反応ガスの基板上での流れをコント
ロールできる。
［実施例］
第１図、第２図はこの発明の一実施例を示し、図におい
て、（５）は耐食耐熱金属よりなる反応室壁面であり、
（６）は基板（２）を保持するためのサセプタ、（７）
は複数個の反応ガス供給ノズル、（７ａ）は反応ガス噴
出孔、（８）は反応ガスである。
て、（５）は耐食耐熱金属よりなる反応室壁面であり、
（６）は基板（２）を保持するためのサセプタ、（７）
は複数個の反応ガス供給ノズル、（７ａ）は反応ガス噴
出孔、（８）は反応ガスである。
その他、第３図におけると同一符号は同一部分である。
以上の構成により、基板（２）はサセプタ（６）により
保持され、ヒーター（１）により所望の温度、たとえば
２００〜３００°Ｃまで加熱される。加熱された基板（
２ン上に反応ガス供給ノズル（７ンにより反応ガス（８
）が供給されるが、反応ガス供給ノズル（７）は２つ以
上設置され、反応ガス〈８ンか噴出する反応ガス噴出孔
（７ａ）は各々の反応ガス供給用ノズル（７）に１つ以
上設置されているので、多数個の反応ガス供給ノズル（
７）に供給される反応ガス（８）は各々独立に、例えば
図示していないがマスフローコントローラによって制御
される。
保持され、ヒーター（１）により所望の温度、たとえば
２００〜３００°Ｃまで加熱される。加熱された基板（
２ン上に反応ガス供給ノズル（７ンにより反応ガス（８
）が供給されるが、反応ガス供給ノズル（７）は２つ以
上設置され、反応ガス〈８ンか噴出する反応ガス噴出孔
（７ａ）は各々の反応ガス供給用ノズル（７）に１つ以
上設置されているので、多数個の反応ガス供給ノズル（
７）に供給される反応ガス（８）は各々独立に、例えば
図示していないがマスフローコントローラによって制御
される。
また、基板（２）と反応ガス供給ノズル（７ンの出口（
１ａ）との距離は、各々独立に設定される。
１ａ）との距離は、各々独立に設定される。
このようにして、反応ガス供給ノズル（７）の反応ガス
流量と、反応ガス供給ノズル出口（γａ）と基板（２）
との距離を制御することにより、基板（２）に到達する
反応ガス（８）の濃度をコントロールす「発明の効果コ 以上のように、この発明によれば、反応室内に収容され
た基板を保持するサセプタ、基板を加熱するヒータ、基
板に供給される反応ガスを供給する反応ガス供給ノズル
を備え、複数個の反応ガス供給ノズルの反応ガス供給量
と、反応ガス供給ノズル出口と基板間の距離とを、各々
独立に制御することにより、基板に到達する反応ガスの
濃度をコントロールでき、基板上での反応ガス濃度を均
一にすることにより、基板に成膜される膜厚の均一性が
向上する。
流量と、反応ガス供給ノズル出口（γａ）と基板（２）
との距離を制御することにより、基板（２）に到達する
反応ガス（８）の濃度をコントロールす「発明の効果コ 以上のように、この発明によれば、反応室内に収容され
た基板を保持するサセプタ、基板を加熱するヒータ、基
板に供給される反応ガスを供給する反応ガス供給ノズル
を備え、複数個の反応ガス供給ノズルの反応ガス供給量
と、反応ガス供給ノズル出口と基板間の距離とを、各々
独立に制御することにより、基板に到達する反応ガスの
濃度をコントロールでき、基板上での反応ガス濃度を均
一にすることにより、基板に成膜される膜厚の均一性が
向上する。
第１図はこの発明の一実施例の縦断面図、第２図は同じ
く一部切欠き斜視図、第３図は従来の薄膜形成装置の縦
断面図である。 （１）・・ヒーター、（２）・・基板、（４）・・排気
部、（５）・・反応室、（６）・・サセプタ、（７）・
反応ガス供給ノズル、（７ａ）・・反応ガス噴出孔、（
８）・・反応ガス。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
く一部切欠き斜視図、第３図は従来の薄膜形成装置の縦
断面図である。 （１）・・ヒーター、（２）・・基板、（４）・・排気
部、（５）・・反応室、（６）・・サセプタ、（７）・
反応ガス供給ノズル、（７ａ）・・反応ガス噴出孔、（
８）・・反応ガス。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 基板を収納し、上記基板が設置されるサセプターと、
反応ガスを供給する反応ガス供給部と、上記基板を加熱
するヒーターとを有する反応室を備え、上記基板上に薄
膜を形成するものにおいて、上記反応ガス供給部として
、複数個の反応ガス供給用ノズルを設置し、しかも１個
のノズルには少なくとも１つの反応ガス噴出孔を設け、
上記各反応ガス供給用ノズルは反応ガス流量および上記
反応ガス噴出口と基板間の距離を各独立に変化できるよ
うにしたことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20821590A JPH0492414A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20821590A JPH0492414A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0492414A true JPH0492414A (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16552585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20821590A Pending JPH0492414A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0492414A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100279963B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2001-04-02 | 윤종용 | 반도체소자제조용가스디퓨져및이를설치한반응로 |
| JP2002507315A (ja) * | 1997-06-26 | 2002-03-05 | アプライド サイエンス アンド テクノロジー，インコーポレイテッド | トロイダル低電場反応性ガスソース |
| US20100037820A1 (en) * | 2008-08-13 | 2010-02-18 | Synos Technology, Inc. | Vapor Deposition Reactor |
| FR2961717A1 (fr) * | 2010-06-23 | 2011-12-30 | Soitec Silicon On Insulator | Systemes et procedes de traitement gazeux de substrats |
| US8691669B2 (en) | 2008-08-13 | 2014-04-08 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor for forming thin film |
| US8840958B2 (en) | 2011-02-14 | 2014-09-23 | Veeco Ald Inc. | Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor |
| US8851012B2 (en) | 2008-09-17 | 2014-10-07 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same |
| US8871628B2 (en) | 2009-01-21 | 2014-10-28 | Veeco Ald Inc. | Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure |
| US8877300B2 (en) | 2011-02-16 | 2014-11-04 | Veeco Ald Inc. | Atomic layer deposition using radicals of gas mixture |
| US8895108B2 (en) | 2009-02-23 | 2014-11-25 | Veeco Ald Inc. | Method for forming thin film using radicals generated by plasma |
| US9163310B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-10-20 | Veeco Ald Inc. | Enhanced deposition of layer on substrate using radicals |
| US9385622B2 (en) | 2011-09-23 | 2016-07-05 | Eaton Corporation | Power system including an electret for a power bus |
-
1990
- 1990-08-08 JP JP20821590A patent/JPH0492414A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002507315A (ja) * | 1997-06-26 | 2002-03-05 | アプライド サイエンス アンド テクノロジー，インコーポレイテッド | トロイダル低電場反応性ガスソース |
| JP2007165304A (ja) * | 1997-06-26 | 2007-06-28 | Mks Instruments Inc | トロイダル・プラズマ・チャンバ |
| JP2008218431A (ja) * | 1997-06-26 | 2008-09-18 | Mks Instruments Inc | トロイダル・プラズマ・チャンバ |
| KR100279963B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2001-04-02 | 윤종용 | 반도체소자제조용가스디퓨져및이를설치한반응로 |
| US8691669B2 (en) | 2008-08-13 | 2014-04-08 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor for forming thin film |
| US20100037820A1 (en) * | 2008-08-13 | 2010-02-18 | Synos Technology, Inc. | Vapor Deposition Reactor |
| US8851012B2 (en) | 2008-09-17 | 2014-10-07 | Veeco Ald Inc. | Vapor deposition reactor using plasma and method for forming thin film using the same |
| US8871628B2 (en) | 2009-01-21 | 2014-10-28 | Veeco Ald Inc. | Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure |
| US8895108B2 (en) | 2009-02-23 | 2014-11-25 | Veeco Ald Inc. | Method for forming thin film using radicals generated by plasma |
| FR2961717A1 (fr) * | 2010-06-23 | 2011-12-30 | Soitec Silicon On Insulator | Systemes et procedes de traitement gazeux de substrats |
| US8840958B2 (en) | 2011-02-14 | 2014-09-23 | Veeco Ald Inc. | Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor |
| US8877300B2 (en) | 2011-02-16 | 2014-11-04 | Veeco Ald Inc. | Atomic layer deposition using radicals of gas mixture |
| US9163310B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-10-20 | Veeco Ald Inc. | Enhanced deposition of layer on substrate using radicals |
| US9385622B2 (en) | 2011-09-23 | 2016-07-05 | Eaton Corporation | Power system including an electret for a power bus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940009945B1 (ko) | 화학기상 성장장치 | |
| TWI836110B (zh) | 溫度控制總成、及控制氣相反應器之溫度控制總成的溫度之方法 | |
| US4834020A (en) | Atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus | |
| TWI735293B (zh) | 改良式半角噴嘴 | |
| TWI606137B (zh) | 基板處理設備 | |
| KR100783841B1 (ko) | 열처리 시스템 | |
| JP2000331939A (ja) | 成膜装置 | |
| JPS5821025B2 (ja) | 気相化学蒸着装置 | |
| JPH01305513A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| US20250271156A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| JPS637619A (ja) | Ｃｖｄ装置のガスフロ−方法 | |
| JP2005054253A (ja) | 薄膜製造装置及び製造方法 | |
| JPS63200536A (ja) | 酸化シリコン膜形成装置 | |
| JPH01295425A (ja) | 酸化装置 | |
| JP4186975B2 (ja) | 焼成炉 | |
| JPS61272918A (ja) | ガス流分布を改良したｃｖｄ装置 | |
| JP2025128453A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2025129028A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPS6140771Y2 (ja) | ||
| JPH0750260A (ja) | 気相成長装置 | |
| CN121472830A (zh) | 镀膜装置 | |
| JPH0212910A (ja) | 半導体素子の製造装置 | |
| JPH03194924A (ja) | 縦型処理装置 | |
| JPH0456127A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPH03274274A (ja) | 酸化物膜成長装置 |