JP4597183B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、ＬＳＩを有する半導体チップを積層し、かつ電気的に接続された半導体装置の製造方法に関するものである。

近年、ＬＳＩ半導体装置の低コスト化及び小型化を図るために、互いに異なる機能を有するＬＳＩ又は互いに異なるプロセスにより形成されたＬＳＩを有する半導体チップ同士がフェイスダウン方式で接合されてなる半導体装置が提案されている。

以下、前記従来のＬＳＩ半導体装置について図１６を参照しながら説明する。まず、第１の半導体チップ１１０の上に第１の半導体チップの内部電極（第１の内部電極）１１１及びボンディングパッド１１２が、また第１の内部電極１１１上に第１の半導体チップのバリヤメタル（第１のバリヤメタル）１１３が形成されているとともに、第２の半導体チップの内部電極（第２の内部電極）１２１上の第２の半導体チップのバリヤメタル（第２のバリヤメタル）１２２とはんだよりなるバンプ１２３を介して第２の半導体チップ１２０の上の第２の内部電極１２１と互いに電気的に接続されている。また第１の半導体チップ１１０と第２の半導体チップ１２０との間には絶縁性樹脂１３０が充填されており、第１の半導体チップ１１０と第２の半導体チップ１２０とはバンプ１２３及び絶縁性樹脂１３０によって一体化されている。

第１の半導体チップ１１０はリードフレームのダイパッド１３１にダイボンド樹脂１３２により固定されているとともに、第１の半導体チップ１１０のボンディングパッド１１２とリードフレームの外部リード１３３とはボンディングワイヤ１３４を介して電気的に接続されている。第１の半導体チップ１１０、第２の半導体チップ１２０、ボンディングワイヤ１３３、ダイパッド１３１及び外部リード１３３の一部は封止用樹脂１３５によってパッケージされている。

以下、前記の半導体装置製造方法について、図１７を参照しながら説明する。まず、図１７（ａ）に示すように、第２の半導体チップ１２０の内部電極１２１に電解めっき法によりはんだバンプ１２３を形成する。はんだのバンプ１２３の形成については、第２の半導体チップ１２０のウエハ上に蒸着により第２のバリヤメタル１２２を形成した後、レジストによりバンプパターンを形成し電解はんだめっきによりバンプ１２３を形成する。次にはんだバンプ１２３をマスクにして第２のバリヤメタル１２２をウエットエッチングにより溶解除去した後、はんだバンプ１２３をリフローして半球状にする。次に図１７（ｂ）に示すように、第１の半導体チップ１１０がウエハ状態の時に、第１の半導体チップ１１０上に絶縁樹脂１３０を塗布し、第２の半導体チップ１２０のはんだバンプ１２３と第１の半導体チップ１１０の内部電極１１１を一致させる。次に図１７（ｃ）に示すように、第２の半導体チップ１２０を第１の半導体チップ１１０に設置する。その後、加熱によりはんだバンプ１２２を溶融させ第２の半導体チップ１２０の内部電極１２１と第１の半導体チップ１１０の内部電極１１１をはんだづけにより接合する。次に図１７（ｄ）に示すように、第１の半導体チップ１１０をウエハ状態から個別に、分割する。最後に図１６に示すように、第１の半導体チップ１１０をリードフレームのダイパッド１３１にダイボンドし、第１の半導体チップ１１０のボンディングパッド１１２とリードフレームの外部リード１３２をワイヤボンディングにより接続し、封止用樹脂１３５によってパッケージしている。
特開平８−２１３４２７号公報

しかしながら、前記従来の半導体装置の構造および製造方法によると、第１の半導体チップと第２の半導体チップの接続をはんだバンプを用いたはんだ付けであるため、次に示す課題があった。

（１）第１の半導体チップをフェイスダウン方式で第２の半導体チップに積層するため、チップを２段までしか積層する事が出来なかった。

（２）第１の半導体チップを第２の半導体チップに積層する際に、金属バンプを使用するために、チップにダメージを与え半導体素子を破壊することがあった。

（３）接合時にはんだが溶融するためはんだバンプが横方向に広がる寸法変化が生じ微細化が困難であった。

（４）通常、半導体チップの内部電極はＡｌであるため、はんだ接合のためには、Ａｌ電極上にはんだと容易に拡散する金属膜、例えば、Ｔｉ−Ｃｕ−Ａｕ等を形成しておく必要があり、コストの高いものである。

（５）微細化が困難であるため、第１及び第２の半導体チップの内部電極が大きいため電気的な負荷容量が大きくなり、第１の半導体チップと第２の半導体チップ間の信号伝送において、遅延が大きくかつ電力消費の大きいものである。

したがって、この発明の目的は、前記の問題を解消するものであり、チップにダメージを与えず、しかも多数枚のチップの積層することができ、微細な接続を容易にした高性能な半導体装置の製造方法を提供することである。

上記課題を解決するために、本発明の第１の半導体装置の製造方法は、第１の半導体チップに積層される第２の半導体チップの内部電極に前記第２の半導体チップを貫通する貫通孔を設ける工程と、前記貫通孔内壁および裏面に絶縁膜を形成する工程と、前記貫通孔内壁に第１の金属を無電解めっきまたは蒸着により形成する工程と、前記第１および第２の半導体チップの内部電極同士が対応するように、前記第１の半導体チップに対して間隙を有した状態で前記第２の半導体チップを前記第１の半導体チップの外部電極および内部電極を除く部分に接着固定する工程と、前記第２の半導体チップの内部電極および貫通孔内壁の前記第１の金属と前記第１の半導体チップの内部電極を無電解めっきにより電気的に接続する工程とを含む。

このように、第２の半導体チップの内部電極内に貫通孔を設け、第１および第２の半導体チップを接着固定し、第２の半導体チップの内部電極および貫通孔内壁の第１の金属と第１の半導体チップの内部電極を無電解めっきにより電気的に接続するので、多数枚のチップをチップへダメージを与えることなしに積層することが可能となる。また、貫通孔内壁に無電解めっきが可能な第１の金属を無電解めっきまたは蒸着により形成するので、従来のようなはんだバンプによる接合ではなく、チップの内部電極上に予めはんだの拡散が生じる金属の形成も不要となる。第１の金属として、例えばＣｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｃｏ等を用いることができる。また、はんだバンプが広がることがないため、微細な接続が容易になり、多ピンＬＳＩへの適用が可能となる。また、ＬＳＩチップ同士の接合を片側のＬＳＩは、ウエハ状態で行うことにより、低コスト化が可能となる。

本発明の第２の半導体装置の製造方法は、第１の半導体チップに積層される第２の半導体チップの内部電極に前記第２の半導体チップを貫通する貫通孔を設ける工程と、前記貫通孔内壁および裏面に絶縁膜を形成する工程と、前記貫通孔内壁に第１の金属を無電解めっきまたは蒸着により形成する工程と、前記第１および第２の半導体チップの内部電極同士が対応するように、前記第１の半導体チップに対して間隙を有した状態で前記第２の半導体チップを前記第１の半導体チップの外部電極および内部電極を除く部分に接着固定する工程と、前記第２の半導体チップ上にさらに１個以上の第２の半導体チップを下層および上層の第２の半導体チップの内部電極同士が対応するように配置し、前記下層の第２の半導体チップに対して前記上層の第２の半導体チップが間隙を有した状態で前記上層の第２の半導体チップを前記下層の第２の半導体チップの内部電極を除く部分に接着固定する工程と、前記第２の半導体チップの内部電極および貫通孔内壁の前記第１の金属と前記第１の半導体チップの内部電極を無電解めっきにより電気的に接続する工程とを含む。

この構成によると、第１の発明と同様の作用効果を有する。

上記第１および第２の半導体装置の製造方法においては、前記貫通孔内壁に記第１の金属としてＣｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｓｎ等を形成する工程を有することが好ましい。

また、上記第１および第２の半導体装置の製造方法においては、前記第２の半導体チップの内部電極および貫通孔内壁の前記第１の金属と前記第１の半導体チップの内部電極を無電解めっきにより電気的に接続する工程において、無電解めっきによりＮｉあるいはＡｕをめっきすることが好ましい。

本発明の半導体装置の製造方法によれば、第２の半導体チップの内部電極内に貫通孔を設け、第１および第２の半導体チップを接着固定し、第２の半導体チップの内部電極および貫通孔内壁の第１の金属と第１の半導体チップの内部電極を無電解めっきにより電気的に接続するので、多数枚のチップをチップへダメージを与えることなしに積層することが可能となる。また、貫通孔内壁に無電解めっきが可能な第１の金属を無電解めっきまたは蒸着により形成するので、従来のようなはんだバンプによる接合ではなく、チップの内部電極上に予めはんだの拡散が生じる金属の形成も不要となる。第１の金属として、例えばＣｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｃｏ等を用いることができる。また、はんだバンプが広がることがないため、微細な接続が容易になり、多ピンＬＳＩへの適用が可能となる。また、ＬＳＩチップ同士の接合を片側のＬＳＩは、ウエハ状態で行うことにより、低コスト化が可能となる。

この発明の実施の形態を図１〜図１５に基づいて説明する。図１はこの発明の実施の形態の半導体装置の断面図、図２は図１の要部拡大図、図３〜図１５はこの発明の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程別断面図である。

図１および図２において、１は第１の半導体チップ、２は半導体チップの保護膜、３は第１の半導体チップの外部電極、４は第１の半導体チップの内部電極、５は接着剤、６は貫通孔、７は第２の半導体チップ、８は第２の半導体チップの内部電極、９は第３の半導体チップ、１０は第３の半導体チップの内部電極、１１は第２の半導体チップの酸化膜、１２は第３の半導体チップの酸化膜、１３は第２の半導体チップのめっき電極（第２のめっき電極）、１４は第３の半導体チップのめっき電極（第３のめっき電極）、１５はめっき電極（第２の金属）、１６はダイボンド樹脂、１７はリードフレームのリード、１８はリードフレームのダイパッド、１９はボンディングワイヤ、２０は封止樹脂、２１は第２の半導体チップよりなるウエハ、２２は第３の半導体チップよりなるウエハ、２３は無電解めっき液、２４は無電解めっき槽、２５はめっき金属膜（第１の金属）、２６はレジスト、２７はエッチング液、２８はエッチング槽、２９は第１の半導体チップのウエハ、３０はコレット、３１はコレットの真空孔、３２はダイシングの溝、３３は絶縁樹脂、３４は酸化膜を示している。

図１に示すように、外部電極３と内部電極４を有する第１の半導体チップ１と第２，３の半導体チップ７，９は間隙を有した状態で、外部電極３及び内部電極４，８，１０を除く部分で接着剤５によって固定されている。また、第２，３の半導体チップ７，９は第２，３の半導体チップの内部電極８，１０内に半導体チップの裏面までの貫通孔６を有し、貫通孔６および第２，３の半導体チップ７，９の裏面には第２，３の半導体チップの酸化膜１１，１２が形成され、内部素子との絶縁を保っている。貫通孔内壁には無電解めっきが可能なめっき金属膜２５であるＣｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｃｏ等が形成してある。そして、第２，３の半導体チップの内部電極８，１０および貫通孔６と第１の半導体チップの内部電極４が同一組成の連続しためっき電極１５により電気的に接続されている。

次に、上記構成の半導体装置の製造方法について説明する。図３〜図９、図１４において、（ｂ）は（ａ）の拡大図である。まず始めに、図３（ａ），（ｂ）に示すように第２，３の半導体チップよりなるウエハ２１，２２の第２，３の半導体チップの内部電極８，１０にレーザにより直径が１０μｍ程度の貫通孔６を開ける。内部電極サイズは、１５μｍ□以上あれはよい。次に図４（ａ），（ｂ）に示すように、貫通孔６の側面および第２，３の半導体チップよりなるウエハ２１，２２の裏面に第２，３の半導体チップの酸化膜１１，１２を形成する。この酸化膜１１，１２は無電解めっき法により電極を形成した際の、半導体チップの内部素子との絶縁膜となる。

次に図５（ａ），（ｂ）に示すように、第２，３の半導体チップよりなるウエハ２１，２２と貫通孔６に無電解めっきによりウエハ全面にめっき金属膜２５を形成する。例えは、無電解めっきで形成するめっき金属膜２５がＮｉである場合は、塩化パラジウムの溶液に第２，３の半導体チップよりなるウエハ２１，２２を浸漬しウエハ全面に無電解めっき核としてパラジウムを付着した後に無電解Ｎｉめっき液に浸漬することでＮｉのめっき金属膜２５を１μｍ程度の膜厚を形成する。次に図６（ａ），（ｂ）に示すように、第２，３の半導体チップよりなるウエハ２１，２２の第２，３の半導体チップの内部電極８，１０と貫通孔６に、レジスト２６によりめっき金属膜２５を除去するための、エッチングパターンを形成する。

次に図７（ａ），（ｂ）に示すように、レジスト２６でエッチングパターンを形成した第２，３の半導体チップよりなるウエハ２１，２２をエッチング槽２８中のエッチング液２７に浸漬し、めっき金属膜２５を溶解エッチングする。例えは、めっき金属膜がＮｉである場合は２０％の塩酸溶液によりＮｉ膜を溶解する。次に図８（ａ），（ｂ）に示すように、第２，３の半導体チップよりなるウエハ２１，２２に形成したレジスト２６を溶解除去して、第２，３のめっき電極１３，１４が形成される。次に図９（ａ），（ｂ）に示すように、第２，３の半導体チップよりなるウエハ２１，２２をダイシングし、個々のチップに分割する。

次に図１０に示すように、第１の半導体チップ１よりなる半導体ウエハ２９の、後に第２の半導体チップ７を搭載する位置で第１の半導体チップの内部電極４及び、外部電極３をふさがないようにエポキシ、ポリイミド、アクリル等の接着剤５を塗布する。次に図１１に示すように、第２の半導体チップ７を第１の半導体チップよりなるウエハ２９の接着剤５を塗布した領域に、内部電極４，８同士が一致するようにコレット３０にて真空吸着した状態でフェースアップにて設置する。その後コレット３０を介して加熱することにより接着剤５を硬化し第２の半導体チップ７を第１の半導体チップよりなるウエハ２９上に固定する。加熱温度は１００℃〜３００℃程度である。内部電極４，８の大きさは、第２の半導体チップ７と第１の半導体チップよりなるウエハ２９を接続するための電極であるため小さくてよく数μｍ□〜１００μｍ□程度である。また、この時、第１の半導体チップ１と第２の半導体チップ７の表面間の間隙は、数μｍから１００μｍである。また、接着剤５は、内部電極４，８の表面には流れないようにしておく。この工程を繰り返すことにより第１の半導体チップよりなるウエハ２９上に複数個の第２の半導体チップ７を接着剤５により固定する。

さらに図１２に示すように、第２の半導体チップ７上に後に第３の半導体チップ９を搭載する位置で内部電極８をふさがないようにエポキシ、ポリイミド、アクリル等の接着剤５を塗布する。次に図１３に示すように、第３の半導体チップ９を第２の半導体チップ７の接着剤５を塗布した領域に、内部電極８，１０同士が一致するようにコレット３０にて真空吸着した状態でフェースアップにて設置する。その後コレット３０を介して加熱することにより接着剤５を硬化し第３の半導体チップ９を第２の半導体チップ７上に固定する。

次に図１４（ａ），（ｂ）に示すように、第１の半導体チップよりなるウエハ２９を無電解めっき漕２４に浸漬することで、第１の半導体チップの内部電極４と第２，３の半導体チップの内部電極８，１０に形成した第２，３のめっき電極１３，１４から析出しためっき金属は一体となりめっき電極１５を形成する。めっき電極１５により第１の半導体チップ１の内部電極４と第２，３の半導体チップ７，９の内部電極８，１０が電気的に接続される。この時、第１の半導体チップよりなるウエハ２９と第２，３の半導体チップ７，９の間隙および貫通孔６に無電解めっき液２３が浸入する。例えば第１の半導体チップの内部電極４がＡｌで後に行う無電解めっきで析出させる金属がＮｉの場合は、まず、硝酸、燐酸等の溶液に浸漬し、第１の半導体チップの内部電極４のＡｌ表面の酸化膜を除去した後、Ａｌ表面を亜鉛等で置換する。また、第２，３の半導体チップ７，９に形成した第２，３のめっき電極１３，１４と同一の無電解めっき液を使用することで、第２，３のめっき電極１３，１４上にも無電解めっきの金属が析出し、第１，２，３の半導体チップの内部電極４，８，１０を同一のめっき金属で接続できる。この時、めっき金属Ｎｉの表面にさらに金を無電解めっきすることにより信頼性を向上させることができるとともに、後に外部電極４上にボンディングワイヤ等を接合するときに大変歩留まりの高いものとなる。それぞれの溶液に浸漬し処理した後は、純水等の溶液で洗浄した後に次の処理を実施する。このように、従来のようなはんだバンプによる接合ではなく、Ａｌ電極に直接無電解めっきで析出させる金属で接合するため、従来のようにＡｌ電極上にあらかじめはんだの拡散が生じる金属の形成も不要となるとともに、ウエハ状態で全てのチップの接合を一括で接合できるため、飛躍的に生産性が向上し、低コストで高密度の接続を実現することができる。

次に図１５に示すように、第１の半導体チップよりなるウエハ２９をダイシングし第１の半導体チップ１に分離する。ここで、第１の半導体チップ１に分離する前に第１の半導体チップの外部電極３にプロービングし、第１の半導体チップ１と第２の半導体チップ７と第３の半導体チップ９が接合された状態で特性検査を行うことができる。また、絶縁樹脂３３を側部に設ける。

次に、図１および図２に示すように、第２，３の半導体チップ７、９が接合された第１の半導体チップ１をリードフレームのダイパッド１８にダイボンド樹脂１６に接着し、第１の外部電極３とリードフレームのリード１７をボンディングワイヤ１９にて接続し、最後に封止樹脂２０にて封止することによりパッケージングする。この時、封止樹脂２０は、金型への樹脂注入時に第１の半導体チップ１と第２の半導体チップ７と第３の半導体チップ９の間隙にまで注入される。また、第１の半導体チップ１と第２の半導体チップ７と第３の半導体チップ９の間隙への樹脂注入は、パッケージの封止樹脂とは異なる絶縁性樹脂１６で封止する前に行ってもかまわない。また、封止樹脂が第１の半導体チップ１と第２の半導体チップ７と第３の半導体チップ９の間隙には、樹脂が注入されない状態としてもかまわない。また、積層する半導体チップにおいては、第１の半導体チップに対して内部電極の位置関係が回路上問題がなければ、フェイスアップとフェイスダウンのどちらでもよい。

以上のようにこの実施の形態によれば、第２，３の半導体チップの内部電極８，１０内に貫通孔６を設け、第１および第２，３の半導体チップ１，７，９を接着固定し、第２，３の半導体チップの内部電極８，１０および貫通孔内壁の第１の金属２５と第１の半導体チップの内部電極４を無電解めっきにより電気的に接続するので、多数枚のチップをチップへダメージを与えることなしに積層することが可能となる。また、貫通孔内壁に無電解めっきが可能な第１の金属２５を無電解めっきまたは蒸着により形成するので、従来のようなはんだバンプによる接合ではなく、チップの内部電極上に予めはんだの拡散が生じる金属の形成も不要となる。第１の金属２５として、例えばＣｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｃｏ等を用いることができる。また、はんだバンプが広がることがないため、微細な接続が容易になり、多ピンＬＳＩへの適用が可能となる。また、ＬＳＩチップ同士の接合を片側のＬＳＩは、ウエハ状態で行うことにより、低コスト化が可能となる。

また、第２の半導体チップの内部電極８内の貫通孔６の径が、第１の半導体チップ１と第２の半導体チップ７との間隙の１／２よりも小さくしてもよい。すなわち、図２において、ａは第２の半導体チップの内部電極内の貫通孔の径、ｂは第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間隙である。ａ＞ｂ／２のとき、貫通孔６がめっき金属（めっき電極１５）で埋まる前に、他の電極より成長しためっき金属（第２の半導体チップのめっき電極１３等）と接触するため、貫通孔６内部にめっき液が残る。ａ≦ｂ／２のとき、他の電極より成長しためっき金属と接触する前に貫通孔６がめっき金属で埋まってしまう。このため、確実に接続できる。

なお、第２，３の半導体チップを積層した場合を示したが、第２の半導体チップを２チップ以上積層してもよい。また、第２の半導体チップが接続される第１の半導体チップは、ウエハの状態の他、回路基板として構成してもよい。

本発明にかかる半導体装置の製造方法は、多数枚のチップをチップへダメージを与えることなしに積層することが可能となるという効果を有し、半導体製造等に有用である。

この発明の実施の形態の半導体装置の断面図である。 図１の要部拡大図である。 （ａ）はこの発明の実施の形態の半導体装置の製造方法の工程断面図、（ｂ）はその要部拡大図である。 （ａ）は図３の次工程の工程断面図、（ｂ）はその要部拡大図である。 （ａ）は図４の次工程の工程断面図、（ｂ）はその要部拡大図である。 （ａ）は図５の次工程の工程断面図、（ｂ）はその要部拡大図である。 （ａ）は図６の次工程の工程断面図、（ｂ）はその要部拡大図である。 （ａ）は図７の次工程の工程断面図、（ｂ）はその要部拡大図である。 （ａ）は図８の次工程の工程断面図、（ｂ）はその要部拡大図である。 図９の次工程の工程断面図である。 図１０の次工程の工程断面図である。 図１１の次工程の工程断面図である。 図１２の次工程の工程断面図である。 （ａ）は図１３の次工程の工程断面図、（ｂ）はその要部拡大図である。 図１４の次工程の工程断面図である。 従来の半導体装置の断面図である。 従来の半導体装置の工程断面図である。

符号の説明

１ 第１の半導体チップ
２ 半導体チップの保護膜
３ 第１の半導体チップの外部電極
４ 第１の半導体チップの内部電極
５ 接着剤
６ 貫通孔
７ 第２の半導体チップ
８ 第２の半導体チップの内部電極
９ 第３のチップ
１０ 第３のチップの内部電極
１１ 第２の半導体チップの酸化膜
１２ 第３の半導体チップの酸化膜
１３ 第２のめっき電極
１４ 第３のめっき電極
１５ めっき電極
１６ ダイボンド樹脂
１７ リードフレームのリード
１８ リードフレームのダイパッド
１９ ボンディングワイヤ
２０ 封止樹脂
２１ 第２の半導体チップよりなるウエハ
２２ 第３の半導体チップよりなるウエハ
２３ 無電解めっき液
２４ 無電解めっき槽
２５ めっき金属膜
２６ レジスト
２７ エッチング液
２８ エッチング槽
２９ 第１の半導体チップのウエハ
３０ コレット
３１ コレットの真空孔
３２ ダイシングの溝
３３ 絶縁樹脂
３４ 酸化膜

Claims (4)

1. 第１の半導体チップに積層される第２の半導体チップの内部電極に前記第２の半導体チップを貫通する貫通孔を設ける工程と、
   前記貫通孔内壁および裏面に絶縁膜を形成する工程と、
   前記貫通孔内壁に第１の金属を無電解めっきまたは蒸着により形成する工程と、
   前記第１および第２の半導体チップの内部電極同士が対応するように、前記第１の半導体チップに対して間隙を有した状態で前記第２の半導体チップを前記第１の半導体チップの外部電極および内部電極を除く部分に接着固定する工程と、
   前記第２の半導体チップの内部電極および貫通孔内壁の前記第１の金属と前記第１の半導体チップの内部電極を無電解めっきにより電気的に接続する工程とを含む半導体装置の製造方法。
2. 第１の半導体チップに積層される第２の半導体チップの内部電極に前記第２の半導体チップを貫通する貫通孔を設ける工程と、
   前記貫通孔内壁および裏面に絶縁膜を形成する工程と、
   前記貫通孔内壁に第１の金属を無電解めっきまたは蒸着により形成する工程と、
   前記第１および第２の半導体チップの内部電極同士が対応するように、前記第１の半導体チップに対して間隙を有した状態で前記第２の半導体チップを前記第１の半導体チップの外部電極および内部電極を除く部分に接着固定する工程と、
   前記第２の半導体チップ上にさらに１個以上の第２の半導体チップを下層および上層の第２の半導体チップの内部電極同士が対応するように配置し、前記下層の第２の半導体チップに対して前記上層の第２の半導体チップが間隙を有した状態で前記上層の第２の半導体チップを前記下層の第２の半導体チップの内部電極を除く部分に接着固定する工程と、
   前記第２の半導体チップの内部電極および貫通孔内壁の前記第１の金属と前記第１の半導体チップの内部電極を無電解めっきにより電気的に接続する工程とを含む半導体装置の製造方法。
3. 前記貫通孔内壁に記第１の金属としてＣｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｓｎ等を形成する工程を有することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記第２の半導体チップの内部電極および貫通孔内壁の前記第１の金属と前記第１の半導体チップの内部電極を無電解めっきにより電気的に接続する工程において、無電解めっきによりＮｉあるいはＡｕをめっきすることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。

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