JP5111427B2

JP5111427B2 - 成膜用基板および成膜方法

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Publication number: JP5111427B2
Application number: JP2009099803A
Authority: JP
Inventors: 礼奈高橋; 卓也鶴目
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2009-04-16
Filing date: 2009-04-16
Publication date: 2013-01-09
Anticipated expiration: 2029-04-16
Also published as: JP2010251144A

Description

本発明は、基板上に成膜可能な材料の成膜に用いる成膜用基板、および当該成膜用基板を用いた成膜方法に関する。また、成膜用基板を用いる成膜装置および、成膜用基板を用いて作製した薄膜に関する。

電極間に発光物質である有機化合物を含む発光層を挟持した単純な構造を有する発光素子は、薄く、軽量であり、入力信号に高速に応答でき、また、低電圧な直流電流により駆動できるなどの特性から、次世代のフラットパネルディスプレイ用の発光素子として注目されている。また、この発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、コントラストや画質に優れ、視野角が広く視認性が優れているという特徴も有している。

また、Ｒｅｄ（Ｒ）、Ｇｒｅｅｎ（Ｇ）、Ｂｌｕｅ（Ｂ）に発光する有機化合物を発光物質とした発光素子をマトリクス状に配置すれば、フルカラー表示装置を作製できる。

発光色が異なる有機化合物を発光物質とした発光素子をマトリクス状に配置する方法として、シャドーマスク法などが知られている。

シャドーマスク法は、孔をあけた金属薄板（シャドーマスク）を被成膜基板に密着して、シャドーマスク側から材料を蒸着する方法である。孔を通過させることで、材料を被成膜基板に選択的に成膜できる。

シャドーマスク法の他には、光を選択的に熱に変換し成膜用基板上の材料を選択的に加熱して被成膜基板に蒸着もしくは転写を行う方法（以下、光熱成膜法という）や、選択的な接触により成膜を行う方法（以下、接触成膜法という）が知られている。

光熱成膜法の一例としては、透光性を有する支持基板の上に、光を吸収して熱に変換する高吸収領域と光を反射する低吸収領域を設けた成膜用基板を用いる方法が考案されている（特許文献１）。また接触成膜法の一例としては、成膜したいパターンに従って表面に凸部を設けた成膜用基板を用いる方法も考案されている（特許文献２乃至特許文献４）。

特開２００６−３０９９９５号公報特開２００１−１４３８６６号公報特開２００５−７８９４１号公報特開２００３−２１５３２３号公報

成膜工程においては、材料の無駄を省き、高い効率で利用できることが好ましい。本発明の一態様は、材料の利用効率が高い成膜用基板を提供することを課題とする。また、前記成膜用基板を利用して材料の利用効率が高い成膜方法を提供することを課題とする。

異なる成膜特性を有する複数の領域を支持基板の第１の面に形成した成膜用基板を用意し、前記成膜用基板の第１の面に成膜可能な材料を成膜し、前記材料が成膜された成膜用基板の第１の面と被成膜基板を対峙して配置し、前記異なる成膜特性に応じた複数の成膜方法を順次用いて、１枚の成膜用基板から複数の被成膜基板に前記材料を成膜すれば良い。

すなわち、本発明の一態様は、基板の第１の面に、互いに独立した第１の領域と、第２の領域と、第３の領域を少なくとも有し、前記第１の領域は他の領域より凸であり、前記第２の領域は第２の面から照射した光を吸収する光吸収層を有し、前記第３の領域は光反射層と重畳する成膜用基板である。

また、本発明の一態様は、第１の領域が光反射層と重畳する前記成膜用基板である。

また、本発明の一態様は、光反射層上に光吸収層を積層してなる第１の領域を有する前記成膜用基板である。

また、本発明の一態様は、基板より低い熱伝導率を有し、照射した光を透過する断熱層上に光吸収層を積層してなる第２の領域を有する前記成膜用基板である。

また、本発明の一態様は、基板の第１の面に、互いに独立した第１の領域と、第２の領域と、第３の領域を少なくとも有し、前記第１の領域は他の領域より凸であり、前記第２の領域は第２の面から照射した光を吸収する光吸収層を有し、前記第３の領域は光反射層と重畳する成膜用基板の第１の面に成膜可能な成膜材料を成膜し、前記成膜材料が成膜された前記成膜用基板の第１の面と第１の被成膜基板の被成膜面を互いに向かい合わせて圧着し、前記成膜用基板と前記第１の被成膜基板を引きはがして、前記第１の領域に成膜された前記成膜材料を前記第１の被成膜基板に成膜し、前記成膜用基板の第１の面と第２の被成膜基板の被成膜面を互いに向かい合わせて近接して配置した状態で、前記成膜用基板の第２の面の側から光を照射し、前記第２の領域に成膜された前記成膜材料を前記第２の被成膜基板に成膜し、前記成膜用基板の第１の面と第３の被成膜基板の被成膜面を互いに向かい合わせて近接して配置した状態で、前記成膜用基板を加熱し、前記第３の領域に成膜された前記成膜材料を前記第３の被成膜基板に成膜する成膜方法である。

また、本発明の一態様は、基板の第１の面に、互いに独立した第１の領域と、第２の領域と、第３の領域を少なくとも有し、前記第１の領域は他の領域より凸であり、前記第２の領域は第２の面から照射した光を吸収する光吸収層を有し、前記第３の領域は光反射層と重畳する成膜用基板の第１の面に成膜可能な成膜材料を成膜し、前記成膜材料が成膜された前記成膜用基板の第１の面と第２の被成膜基板の被成膜面を互いに向かい合わせて近接して配置した状態で、前記成膜用基板の第２の面の側から光を照射し、前記第２の領域に成膜された前記成膜材料を前記第２の被成膜基板に成膜し、前記成膜用基板の第１の面と第１の被成膜基板の被成膜面を互いに向かい合わせて圧着し、前記成膜用基板と前記第１の被成膜基板を引きはがして、前記第１の領域に成膜された前記成膜材料を前記第１の被成膜基板に成膜し、前記成膜用基板の第１の面と第３の被成膜基板の被成膜面を互いに向かい合わせて近接して配置した状態で、前記成膜用基板を加熱し、前記第３の領域に成膜された前記成膜材料を前記第３の被成膜基板に成膜する成膜方法である。

なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられた層を示すものとする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はＥＬ層の一態様である。

また、本明細書において、物質Ａを他の物質Ｂからなるマトリクス中に分散する場合、マトリクスを構成する物質Ｂをホスト材料と呼び、マトリクス中に分散される物質Ａをゲスト材料と呼ぶものとする。なお、物質Ａ並びに物質Ｂは、それぞれ単一の物質であっても良いし、２種類以上の物質の混合物であっても良いものとする。

なお、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅｐｒｉｎｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｒｉｅｒＰａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

本発明によれば、材料の利用効率が高い成膜用基板を提供できる。また、前記成膜用基板に成膜された材料を被成膜基板に効率良く成膜する方法を提供できる。

実施の形態に係わる成膜用基板を説明する図。実施の形態に係わる工程を説明する図。実施の形態に係わる成膜方法を説明する図。実施の形態に係わる成膜方法を説明する図。実施の形態に係わる成膜方法を説明する図。実施の形態に係わる成膜方法を説明する図。実施の形態に係わる成膜方法を説明する図。実施の形態に係わる成膜装置を説明する図。実施の形態に係わる成膜装置を説明する図。実施の形態に係わる成膜装置を説明する図。実施の形態に係わる成膜用基板を用いて作製する発光素子。実施の形態に係わる成膜用基板を用いて作製する発光素子。実施の形態に係わる成膜用基板を用いて作製する表示素子。実施の形態に係わる成膜用基板を用いて作製する表示素子。実施の形態に係わる成膜用基板を用いて作製する表示素子。実施の形態に係わる成膜用基板を用いて作製する表示素子。実施の形態に係わる成膜用基板を用いて作製する発光装置を搭載した電子機器。実施の形態に係わる成膜用基板を用いて作製する発光装置を搭載した電子機器。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、成膜用基板およびそれを用いた成膜方法について説明する。

図１に本実施の形態の成膜用基板１５０の一態様を示す。図１（Ａ）は大型の成膜用基板１５０の一部を示す平面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＰ−Ｓで切断した断面図である。

成膜用基板１５０は、透光性を有する支持基板１００に少なくとも第１の領域１５１と、第２の領域１５２と、第３の領域１５３を設けてある。前記第１の領域１５１乃至第３の領域１５３は、それぞれ被成膜基板へ成膜するパターンと概略同じ大きさで形成される。例えば、図１（Ａ）に例示した成膜用基板１５０では、被成膜基板に成膜するパターンの幅と概略等しい幅を有する第１の領域１５１乃至第３の領域１５３が、ストライプ状に配置されている。なお、必要に応じて余白１５４を設けてもよい。

図１（Ｂ）を用いて、成膜用基板１５０の断面の構成を説明する。第１の領域乃至第３の領域を破線で囲って示す。第１の領域１５１は、他の領域より凸であり、突出している。そのため、成膜用基板１５０の第１の面と被成膜基板を重ね合わせると、両者は第１の領域１５１で接触し、第２の領域および第３の領域では接しない。

第１の領域１５１は、支持基板１００上に薄膜を積層して他の領域より凸に形成しても良いし、支持基板１００の不要な部分をエッチングして他の領域より凸に形成してもよい。なお、光反射層１１１と断熱層１１２と剥離層１１４を積層して第１の領域１５１を形成する例を図１（Ｂ）に示すが、剥離層１１４の代わりに光吸収層１１３を光反射層１１１に重畳して積層して、第１の領域１５１を形成しても良い。この場合、光反射層１１１が第２の面の側から第１の面に向けて照射した光を遮光するため、光吸収層１１３は発熱しない。

第２の領域１５２は第２の面から照射した光を吸収する光吸収層１１３を有する。なお、第２の領域１５２の光吸収層１１３は断熱層１１２を介して支持基板の第１の面に積層する構造が好ましい。断熱層１１２は熱が光吸収層１１３から支持基板１００に散逸する現象を抑制するため、材料層を効果的に加熱できる。

第３の領域１５３は光反射層１１１と重畳する領域であって、光反射層１１１は、支持基板１００の第２の面の側から照射した光が第３の領域１５３を加熱するのを防いでいる。なお、光反射層１１１は支持基板１００の第１の面または第２の面の側に設けてあればよい。

また、第３の領域１５３は断熱層１１２と重畳していてもよく、光を照射する第２の面の側から順に光反射層１１１と断熱層１１２を設けた構造が好ましい。なお、光反射層１１１と断熱層１１２は必ずしも接していなくてもよい。

図１（Ｂ）に例示した成膜用基板１５０の第３の領域１５３は、支持基板１００の第１の面上に光反射層１１１と、前記光反射層１１１上に断熱層１１２を有している。光反射層１１１は照射光が第３の領域を加熱することを防ぎ、断熱層１１２は第３の領域１５３へ熱を伝わり難くしている。

余白１５４は好ましくは光反射層１１１を有する。本実施の形態では光反射層１１１を有する。

なお、図１（Ｃ）に図１（Ｂ）とは異なる構成を有する成膜用基板の形態を示す。

次に、成膜用基板１５０を構成する支持基板１００と、光反射層１１１と、断熱層１１２と、光吸収層１１３、及び剥離層１１４について説明する。

支持基板１００は光を透過する必要があることから、光の透過率の高い基板であることが好ましい。具体的には、光源にランプ光やレーザ光を用いる場合、それらの光を透過する基板を用いることが好ましい。また、熱伝導率の低い材料であることが好ましい。熱伝導率が低いことにより、照射された光から得られる熱を効率よく材料層１６０に伝えることができるためである。支持基板１００としては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いることができる。

支持基板１００がマザーガラスの場合、基板の大きさは、第１世代（３２０ｍｍ×４００ｍｍ）、第２世代（４００ｍｍ×５００ｍｍ）、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、または７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１０００ｍｍ×１２００ｍｍまたは１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ）、第６世代１５００ｍｍ×１８００ｍｍ）、第７世代（１９００ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等を用いることができる。

光反射層１１１は、照射する光のピーク波長に対して反射率が８５％以上、さらに好ましくは、９０％以上の高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。

光反射層１１１に用いることができる材料としては、波長３００ｎｍ乃至２５００ｎｍの光を照射する場合、例えば、銀、金、白金、銅、アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または、銀を含む合金などを用いることができる。特に、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金、銀−ネオジム合金は、赤外領域の光（波長８００ｎｍ以上）に対して高い反射率を有しているため、光反射層１１１として好適に用いることができる。例えば、アルミニウム−チタン合金膜は、膜厚が４００ｎｍの場合、赤外領域（波長８００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下）にわたって、８５％以上の反射率を示し、特に、波長が９００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下の範囲については９０％以上の反射率を示す。なお、支持基板１００に照射する光の波長により、光反射層１１１に好適な材料の種類は変化する。

また、光反射層は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。さらに好ましくは、光反射層１１１は、熱伝導率の低い材料で形成されていることが好ましい。熱伝導率の低い材料を用いることにより、被成膜基板へ微細なパターンの成膜が可能となる。

光反射層１１１は、種々の方法を用いて形成できる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成できる。また、光反射層の膜厚は、材料により異なるが、概ね１００ｎｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。１００ｎｍ以上であることにより、照射した光が光反射層を透過することを抑制できる。

また、光反射層１１１に開口部を形成する際には種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、開口部の側壁が垂直に近い形状となり、微細なパターンを形成できる。

断熱層１１２を形成する材料は、光吸収層１１３、光反射層１１１および基板１００よりも熱伝導率が低い材料を用いる。断熱層１１２の熱伝導率が低いと、光吸収層１１３が照射された光から得る熱を逸散することなく、成膜に効率よく用いることができる。また、光反射層１１１が反射しきれずに吸収してしまった熱を材料層に伝わるのを抑制できる。

また、断熱層１１２を透過した光を光吸収層１１３に照射する場合、断熱層１１２は透光性を有する必要がある。具体的には、断熱層１１２には、光に対する透過率が６０％以上となる材料を用いることが好ましい。

断熱層１１２に用いる材料としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム、窒化珪素、酸化窒化珪素等を用いることができる。断熱層１１２の膜厚は、材料により異なるが、１０ｎｍ以上２μｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは、１００ｎｍ以上１μｍ以下とする。１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚とすることにより、光を透過させつつ、熱の散逸を妨げる効果を発揮する。

光吸収層１１３は照射された光を吸収して熱へと変換する層である。光吸収層１１３は、照射される光のピーク波長に対して、７０％以下の低い反射率を有し、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。特に、光反射層１１１と光吸収層１１３の反射率の差が大きくなる組み合わせが好ましい。また、光吸収層１１３は、それ自体が熱によって変化しないように、耐熱性に優れた材料で形成されていることが好ましい。光吸収層１１３は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。

光吸収層１１３には、種々の材料を用いることができる。例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステンなどの金属窒化物、チタン、モリブデン、タングステンなどの金属、カーボンなどを用いることができる。なお、照射される光の波長に応じて、光吸収層１１３に好適な材料の種類が変化することから、適宜材料を選択する必要がある。また、光吸収層１１３は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。例えば、金属と金属窒化物の積層構造としてもよい。

光吸収層１１３は、種々の方法を用いて形成できる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、化学気相成長（ＣＶＤ；ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより形成できる。

光吸収層１１３の膜厚は、照射した光が透過しない程度の厚みであり、また、薄い方が低いエネルギー密度の光で成膜できるため、具体的には、１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚であることが好ましい。更に好ましくは１０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の膜厚であるとよい。

なお、光吸収層１１３上に保護膜を形成してもよい。保護膜は光照射により光吸収層１１３が蒸発するのを防ぐ効果がある。光吸収層１１３としては酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜を用いることができ、それらの積層でもよい。保護膜の膜厚は５００ｎｍ以下とするのが好ましい。

光吸収層１１３は、成膜材料を昇華温度まで加熱できれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、光によって分解しない成膜材料を用いる必要がある。

剥離層１１４は成膜材料との接着力が小さい表面を有する。好ましくは、剥離層１１４は被成膜基板の被成膜領域の表面エネルギーより小さい表面エネルギーを有する材料を用いて形成する。表面エネルギーが小さい剥離層１１４と成膜材料の接着力は、表面エネルギーが大きい被成膜領域と成膜材料の接着力に比べて小さいため、成膜材料は剥離層１１４上から被成膜領域へ転移し易い。なお、光吸収層１１３が剥離層１１４を兼ねてもよい。光吸収層１１３が剥離層１１４を兼ねれば、成膜用基板を構成する材料の種類を減らすことができ、また加工工程を短縮できるため好ましい。また、剥離層１１４は断熱層と同じ材料であってもよい。

成膜材料は被成膜基板上に成膜する材料である。成膜材料は成膜用基板から被成膜基板へ成膜可能であれば有機化合物、無機化合物にかかわらず、種々の材料を用いることができる。

成膜材料としては、例えばＥＬ層を形成する発光性材料、キャリア輸送性材料などの有機化合物の他、ＥＬ層を構成するキャリア輸送層やキャリア注入層の他、発光素子の電極などに用いられる金属酸化物、金属窒化物、ハロゲン化金属、金属単体といった無機化合物を用いることもできる。なお、ＥＬ層を形成する蒸着可能な材料の詳細については、実施の形態５において詳述するので、それを参考にすることとし、ここでの説明は省略する。

また、材料層１６０は、複数の材料を含んでいてもよい。また、材料層１６０は、単層でもよいし、複数の層が積層されていてもよい。

次に、図２に示すフロー図と、図３に示す成膜用基板１５０の断面図を用いて、１枚の成膜用基板１５０上の材料層１６０を分配して、３枚の被成膜基板上に成膜する工程を説明する。

まず成膜用基板成膜工程において、成膜用基板１５０の第１の面に材料層１６０を成膜する。次に、第１の成膜工程において、第１の領域１５１上に形成された材料層１６０を第１の被成膜基板２１０に成膜する。続いて、第２の成膜工程において、第２の領域１５２上に形成された材料層１６０を第２の被成膜基板２２０に成膜し、さらに第３の成膜工程において、第３の領域１５３上に形成された材料層１６０を第３の被成膜基板２３０に成膜する。そして第３の成膜工程を終えた成膜用基板１５０を再生工程にて再生を行い、再び成膜用基板成膜工程に投入する。成膜基板が再生可能な本実施の形態によれば、被成膜基板一枚あたりの成膜基板の作製コストが抑制できる。各工程の詳細を次に説明する。

成膜用基板成膜工程は、成膜用基板１５０の少なくとも第１の領域、第２の領域、及び第３の領域に材料層１６０を成膜する工程である。本実施の形態では、成膜用基板１５０の第１の面の余白１５４にメタルマスク２００を重ね合わせてマスクする。次に、メタルマスク２００越しに成膜材料を成膜用基板１５０に成膜して、材料層１６０を有する成膜用基板１５０を作製する。この状態の断面図を図３に示す。なお、本実施の形態ではメタルマスクを併用するが、必ずしもメタルマスクを併用する必要はない。

なお、成膜用基板１５０に材料層１６０を成膜する方法として、真空蒸着法の他に種々の方法を挙げることができる。例えば、湿式法であるスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、又は印刷法等を用いることができる。また、乾式法であるスパッタリング法等を用いることができる。

湿式法を用いて材料層１６０を形成する場合には、所望の蒸着材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、蒸着材料を溶解あるいは分散することができ、且つ蒸着材料と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減できる。

成膜用基板１５０の第１の領域１５１から第１の被成膜基板２１０の第１の被成膜領域２１１に、材料層１６０を成膜する第１の成膜工程を、図４（Ａ）乃至（Ｄ）を用いて説明する。

はじめに、材料層１６０が成膜された成膜用基板１５０の第１の面と、第１の被成膜基板２２０の被成膜面を互いに向かい合わせて配置する。次に、成膜用基板１５０の第１の領域１５１に第１の被成膜基板２１０の第１の被成膜領域２１１の位置を合わせる。なお、第１の領域１５１ａは第１の領域１５１の一部であり、第１の被成膜領域２１１ａは第１の被成膜領域２１１の一部である。図４（Ａ）は成膜用基板１５０と被成膜基板２１０の位置を合わせた状態の第１の領域１５１ａと被成膜領域２１１ａを示している。

また、成膜用基板１５０と第１の被成膜基板２１０の位置を合わせるために、成膜用基板１５０及び被成膜基板２１０の少なくとも一方には、位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。また、位置合わせの際には、成膜用基板１５０及び被成膜基板２１０のどちらを移動しても良く、双方を移動しても良い。

次に、第１の領域１５１に成膜された材料層１６０を第１の被成膜基板２１０の第１の被成膜領域２１１に近接させて、圧着する。この状態の断面図を図４（Ｂ）および（Ｃ）に示す。

さらに成膜用基板１５０を第１の被成膜基板２１０から引きはがすと、第１の領域１５１に成膜されていた材料層１６０が第１の被成膜領域２１１に成膜され、材料層１６１が形成される。なお、材料層１６１ａは材料層１６１の一部である。また、第１の成膜工程を終えた成膜用基板１５０の第１の領域１５１ａは材料層１６０を失い、露出する。この状態の断面図を図４（Ｄ）に示す。

次に、成膜用基板１５０の第２の領域１５２から、第２の被成膜基板２２０の第１の被成膜領域２２１に、材料層１６０を成膜する第２の成膜工程を図５（Ａ）乃至（Ｄ）を用いて説明する。

第１の成膜工程を終えた成膜用基板１５０の第１の面と、第２の被成膜基板２２０の被成膜面を互いに向かい合わせて配置する。次に、成膜用基板１５０の第２の領域１５２に第２の被成膜基板２２０の第１の被成膜領域２２１の位置を合わせる。なお、第２の領域１５２ａは第２の領域１５２の一部であり、被成膜領域２２１ａは第１の被成膜領域２２１の一部である。図５（Ａ）は位置を合わせた状態の第２の領域１５２ａと被成膜領域２２１ａを示している。

次に、第２の領域１５２に成膜された材料層１６０を第２の被成膜基板２２０の第１の被成膜領域２２１に近接させる。この時、第１の成膜工程を経て第１の領域１５１に成膜されていた成膜材料はすでに失われているため、第１の領域１５１から第２の被成膜基板２２０に材料層１６０が成膜することはない。この状態の断面図を図５（Ｂ）に示す。

次に、成膜用基板１５０の第２の面の側から第１の面に向けて光を照射する。透光性の支持基板１００を透過した光は第２の領域１５２の光吸収層１１３に吸収され、光吸収層１１３が発熱する。光吸収層１１３の発熱により第２の領域１５２上に成膜されていた材料層１６０が選択的に加熱され、第２の被成膜基板２２０の第１の被成膜領域２２１に材料層１６２が成膜される。なお、材料層１６２ａは材料層１６２の一部である。この状態の断面図を図５（Ｃ）に示す。

なお、第２の成膜工程は減圧雰囲気で行われることが好ましい。減圧雰囲気は、成膜室内を真空排気手段により真空度が１Ｐａ以下、好ましくは１０^−２Ｐａ乃至１０^−６Ｐａ程度の範囲になるように真空排気することで得られる。

次に成膜用基板１５０を第２の被成膜基板２２０から離す。なお、第２の成膜工程を終えた成膜用基板１５０の第２の領域１５２は材料層１６０を失い、露出する。この状態の断面図を図５（Ｄ）に示す。

また、第２の成膜工程で光吸収層１１３に照射する光源としては、種々の光源を用いることができる。例えば、レーザ光の光源としては、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ_４、フォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＶＯ_４、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。

また、レーザ光以外の光源としては、キセノンランプ、メタルハライドランプのような放電灯、ハロゲンランプ、タングステンランプのような発熱灯を用いることができる。また、これらの光源をフラッシュランプ（例えば、キセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなど）として用いてもよい。フラッシュランプは短時間（０．１ミリ秒乃至１０ミリ秒）で非常に強度の高い光を繰り返し、大面積に照射できるため、成膜用基板の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱できる。また、発光させる時間の長さを変えることによって成膜用基板の加熱の制御もできる。また、フラッシュランプは寿命が長く、発光待機時の消費電力が低いため、ランニングコストを低く抑えることができる。

なお、照射する光としては、赤外光（波長８００ｎｍ以上）であることが好ましい。赤外光であることにより、光吸収層１１３を介して、蒸着材料を効率よく加熱できる。

成膜用基板１５０の第３の領域１５３から第３の被成膜基板２３０の第１の被成膜領域２３１に材料層１６０を成膜する第３の成膜工程を、図６（Ａ）乃至（Ｄ）を用いて説明する。

第１および第２の成膜工程を終えた成膜用基板１５０の第１の面と、第３の被成膜基板２３０の被成膜面を互いに向かい合わせて配置する。次に、成膜用基板１５０の第３の領域１５３に第３の被成膜基板２３０の第１の被成膜領域２３１の位置を合わせる。なお、第３の領域１５３ａは第３の領域１５３の一部であり、被成膜領域２３１ａは第１の被成膜領域２３１の一部である。図６（Ａ）は位置を合わせた状態の第３の領域１５３ａと被成膜領域２３１ａを示している。

次に、第３の領域１５３に成膜された材料層１６０を第３の被成膜基板２３０の第１の被成膜領域２３１に近接させる。この時、第１の成膜工程を経て第１の領域１５１に成膜されていた材料層１６０はすでに失われているため、第１の領域１５１から第３の被成膜基板２３０に成膜材料が成膜することはない。この状態の断面図を図６（Ｂ）に示す。

次に、成膜用基板１５０を第２の面の側から加熱する。成膜用基板に残っていた材料層１６０が加熱され、第３の被成膜基板２３０に材料層１６２が成膜される。なお、材料層１６２ａは材料層１６２の一部である。この状態の断面図を図６（Ｃ）に示す。

なお、第３の成膜工程は減圧雰囲気で行われることが好ましい。減圧雰囲気は、成膜室内を真空排気手段により真空度が５×１０^−３Ｐａ以下、好ましくは１０^−４Ｐａ乃至１０^−６Ｐａ程度の範囲になるように真空排気することで得られる。

さらに成膜用基板１５０を第３の被成膜基板２３０から引きはがすと、材料層１６３が被成膜領域２３１に形成された被成膜基板２３０が得られる。なお、第３の成膜工程を終えた成膜用基板１５０の第３の領域１５３は材料層１６０を失い、露出する。この状態の断面図を図６（Ｄ）に示す。

第３の成膜工程を終えた成膜用基板１５０には成膜可能な材料が残っていないため、そのまま成膜用基板成膜工程に再び投入できるが、ゴミや、傷による不良の発生を防ぐために、洗浄、検査を再生工程にて実施し、その後、成膜用基板成膜工程に投入する。

このように、成膜特性が異なる３つの領域を有する成膜用基板に材料層を形成し、３つの異なる成膜方法を用いて前記材料層を３つの被成膜基板に成膜すると、材料層の無駄を少なくできる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した成膜用基板を用いてフルカラー表示装置を作製する方法の一態様について図７（Ａ）および（Ｂ）を用いて説明する。ここでは、３色の発光素子を繰り返し配置する発光装置の例を説明する。なお、本実施の形態の赤色ＥＬ層、緑色ＥＬ層および青色ＥＬ層はＥＬ層の一態様であり、それぞれ、第１の電極層と第２の電極層の間に設けて発光素子を形成すると、赤色の発光素子、緑色の発光素子または青色の発光素子となる。また、赤色ＥＬ層、緑色ＥＬ層および青色ＥＬ層は単一の層であっても、複数の層が積層された層であってもよい。

まず、実施の形態１で例示したものと同じ成膜用基板に、材料層として赤色ＥＬ層を形成した成膜用基板１５０Ｒを作製する。同様に、材料層として緑色ＥＬ層を形成した成膜用基板１５０Ｇと、材料層として青色ＥＬ層を形成した成膜用基板１５０Ｂを作製する。異なる材料層を有する３枚の成膜用基板を図７（Ａ）の左側に示す。

また、第１の電極層を設けた３枚の被成膜基板（２１０、２２０、２３０）を用意する。なお、第１の電極層の端部を覆う隔壁となる絶縁物を設けることが好ましい。第１電極層の端部を隔壁で覆うことにより、第１電極層と第２電極層の短絡を防止できる。また、発光領域となる領域は、第１の電極層の一部、即ち絶縁物と重ならずに露呈している領域に相当する。

次に、第１の成膜用基板１５０Ｒから赤色ＥＬ層となる材料層を３枚の被成膜基板の第１の領域に成膜する。具体的には、実施の形態１で説明した第１の成膜工程と同様にして、第１の成膜用基板１５０Ｒの第１の領域と第１の被成膜基板２１０の第１の被成膜領域の位置を合わせ、圧着して第１の領域の赤色ＥＬ層となる材料層Ｒ１を第１の被成膜基板に成膜する。

次に、実施の形態１で説明した第２の成膜工程と同様にして、第１の成膜用基板１５０Ｒの第２の領域と第２の被成膜基板２２０の第１の被成膜領域の位置を合わせ、第１の成膜用基板１５０Ｒの第２の面の側から第１の面に向けて光を照射し、第２の領域の赤色ＥＬ層となる材料層Ｒ２を第２の被成膜基板２２０に成膜する。

さらに、実施の形態１で説明した第３の成膜工程と同様にして、第１の成膜用基板１５０Ｒの第３の領域と第３の被成膜基板２３０の第１の被成膜領域の位置を合わせ、第１の成膜用基板１５０Ｒの第２の面の側から加熱し、第３の領域の赤色ＥＬ層となる材料層Ｒ３を第３の被成膜基板２３０に成膜する。以上の工程で第１の領域に赤色の発光素子用のＥＬ層が成膜された３枚の被成膜基板を得る。

次に、第１の領域に赤色の発光素子用のＥＬ層が成膜された３枚の被成膜基板の第２の領域に、第２の成膜用基板１５０Ｇから緑色ＥＬ層となる材料層を成膜する。第１の成膜用基板１５０Ｒと同様な工程を経て、第１の領域に赤色の発光素子用のＥＬ層と、第２の領域に緑色の発光素子用のＥＬ層が成膜された３枚の被成膜基板を得る。

最後に、第１の領域に赤色の発光素子用のＥＬ層と、第２の領域に緑色の発光素子用のＥＬ層が成膜された３枚の被成膜基板の第３の領域に、第３の成膜用基板１５０Ｂから青色ＥＬ層となる材料層を成膜する。第１の成膜用基板１５０Ｒと同様な工程を経て、第１の領域に赤色の発光素子用のＥＬ層と、第２の領域に緑色の発光素子用のＥＬ層と、第３の領域に青色の発光素子用のＥＬ層が成膜された被成膜基板２１０（Ｒ１＋Ｇ１＋Ｂ１）、被成膜基板２２０（Ｒ２＋Ｇ２＋Ｂ２）、被成膜基板２３０（Ｒ３＋Ｇ３＋Ｂ３）を得る。

次に、３枚の被成膜基板の第１の電極層上に形成された赤色、緑色および青色の発光素子用のＥＬ層の上に第２の電極層を成膜して、３色の発光素子が繰り返し配置されたフルカラー表示装置を作製する。

なお、ＥＬ層の成膜は赤、緑、青の順番に限られず、例えば、青、赤、緑の順番であっても良い。また、ＥＬ層は図７（Ａ）に示すように、ストライプ状に成膜してもよいし、矩形に成膜することもできる。また、ＥＬ層の形状や配列も特に限定されず、１つのＥＬ層の形状を多角形、例えば六角形としてもよい。また、図７（Ｂ）に示すように、第１のＥＬ層（Ｒ）１６０Ｒ、第２のＥＬ層（Ｇ）１６０Ｇ、第３のＥＬ層（Ｂ）１６０Ｂを配置してもよい。

このように、成膜特性が異なる３つの領域を有する成膜用基板に材料層を形成し、３つの異なる成膜方法を用いて前記材料層を３つの被成膜基板に分配して成膜すると、材料層の無駄を少なくできる。また、発光色が異なる微細な発光素子を繰り返し配置した発光装置を形成できる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、発光装置の作製を可能とする成膜装置の例について説明する。本実施の形態に係る成膜装置の断面の模式図を図８、図９に示す。

被成膜基板の成膜面が下方となるフェイスダウン方式の成膜装置の例を図８（Ａ）及び（Ｂ）に、被成膜基板の成膜面が上方となるフェイスアップ方式の成膜装置の例を図９（Ａ）に、基板の縦置き方式の成膜装置の例を図９（Ｂ）に示す。なお、本明細書では、基板面が水平面に対して垂直に近い角度（７０度乃至１１０度の範囲）にすることを基板の縦置きと呼ぶ。

なお、フェイスアップ方式の場合、撓みやすい大面積のガラス基板をフラットな台に載せる、或いは複数のピンで支持できるため、膜厚ムラの原因となる基板のたわみが生じにくく、基板全面に均一な厚みの膜を成膜できる成膜装置に適している。また、基板縦置き方式はたわみを抑制できるだけでなく、搬送が容易であり、大面積のガラス基板の搬送に適している。

成膜室８０１は真空チャンバーであり、第１のゲート弁８０２、及び第２のゲート弁８０３によって他の処理室と連結している。また、成膜室８０１内には、成膜用基板支持手段８０４である成膜用基板支持機構と、被成膜基板支持手段８０５である被成膜基板支持機構と、光源８１０と、成膜用基板加熱手段８０６である成膜用基板加熱機構を少なくとも有している。また図８および図９には、成膜用基板８０７と、材料層８０８と、被成膜基板８０９を図示している。

なお、図示しないが成膜用基板加熱手段８０６は可動式であり、成膜用基板８０７と光源８１０の間に挿入した状態と、取り出した状態にできる。また、図９（Ｂ）に図示した基板縦置き方式の成膜装置は、紙面の手前側にあたる成膜室の壁面に図示されていない第１のゲート弁を有し、紙面の奥側にあたる成膜室の壁面に図示されていない第２のゲート弁を有している。

光源８１０は、短時間に均一な加熱を行える加熱手段であればよい。また、均一な加熱が行われるように、光源８１０と成膜用基板は広い面積で対向することが好ましい。例えば、レーザ発振器やランプを用いればよい。

例えば、レーザ光の光源としては、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ_４、フォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＶＯ_４、ＹＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。

例えば、ランプとしては、キセノンランプ、メタルハライドランプのような放電灯、ハロゲンランプ、タングステンランプのような発熱灯を光源として用いることができる。また、これらの光源をフラッシュランプ（例えば、キセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなど）として用いてもよい。

フラッシュランプは短時間（０．１ミリ秒乃至１０ミリ秒）で非常に強度の高い光を繰り返し、大面積に照射できるため、成膜用基板の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱できる。また、発光させる時間の長さを変えることによって成膜用基板の加熱の制御もできる。また、フラッシュランプは寿命が長く、発光待機時の消費電力が低いため、ランニングコストを低く抑えることができる。

また、図８（Ａ）では、光源８１０を成膜室８０１内に設置する例を示しているが、成膜室の内壁の一部を透光性部材として、成膜室の外側に光源８１０を配置してもよい。成膜室８０１の外側に光源８１０を配置すると、光源８１０のライトバルブの交換などのメンテナンスが容易になる。

なお、光源８１０としてランプを用いて加熱する方法は、大面積のガラス基板に適している。また、待機時の光源からの成膜用基板上の材料層８０８への熱の影響を緩和するため、待機時（成膜処理前）は光源８１０と成膜用基板との間に断熱化のための開閉式のシャッターを設けてもよい。

成膜用基板加熱手段８０６としては、成膜用基板８０７を均一に加熱する手段であればよい。例えば、熱媒を還流するもしくは、シリコンラバーヒーター等のヒーターやペルチェ素子を内蔵するなどの方法で、温度を均一に高めた金属板を成膜用基板８０７の第２の面に接触させても良い。

また、光を熱に変換する基板を成膜用基板加熱手段８０６に用いることもできる。成膜用基板８０７の第２の面に光を熱に変換する基板を密着し、当該光を熱に変換する基板を光源８１０で加熱すれば、成膜用基板８０７を加熱できる。光を熱に変換する基板としては、例えば、チタンを全面に成膜したガラス基板を用いることができる。

また、図８（Ｂ）は、被成膜基板８０９の温度を調節する機構を備えた成膜装置の例を示す。図８（Ｂ）において、図８（Ａ）と共通の部分には同じ符号を用いて説明する。図８（Ｂ）では、被成膜基板支持手段８０５に熱媒体を流すチューブ８１１が設けられている。なお、チューブ８１１は、被成膜基板支持手段８０５の上下移動に追随できるような仕組みとなっている。

チューブ８１１に、熱媒体として冷媒を流すことにより、被成膜基板支持手段８０５は、コールドプレートとすることができる。例えば、冷媒ガスや水、シリコンオイルなどの液体の冷媒を用いることができる。また、加熱するための熱媒体をチューブ８１１に流してもよい。なお、被成膜基板８０９の温度を調節する手段としてペルチェ素子やヒーターなどを被成膜基板支持手段８０５に設けてもよい。

被成膜基板８０９の温度を調節する機構を備えた成膜装置は、異なる材料層を積層する場合に有用である。例えば、被成膜基板の昇華し易い第１の層の上に、第２の層を積層する際に、高温の成膜用基板が昇華し易い第１の層に近接すると、第１の層が昇華してしまう恐れがある。被成膜基板８０９の温度を調節する機構を備えた成膜装置であれば、冷却機構により昇華し易い第１の層の昇華を抑えつつ、第２の層を積層できる。また、加熱機構を用いれば、基板の反りなどを抑えることができる。

次に、成膜装置の動作について、フェイスダウン方式の成膜装置の動作を中心に説明する。他の成膜装置はフェイスダウン方式の成膜装置と相違がある動作に関し説明を付け加える。

本実施の形態の成膜装置に用いる成膜用基板８０７は、実施の形態１で例示した成膜用基板であって、第１の領域乃至第３の領域を有する。なお、成膜用基板８０７としては、特に形状は限定されない。

本実施の形態では成膜用基板８０７と、３枚の被成膜基板（８０９ａ、８０９ｂおよび８０９ｃ）を用いて成膜装置の動作を説明する。なお、成膜用基板８０７の第１の面には材料層８０８が成膜されている。材料層８０８の成膜方法としては、乾式法や湿式法など実施の形態１で説明した方法と同様の方法を例示することができ、特に湿式法は作製が簡便であることからが好ましい。湿式法としては例えば、スピンコート法、印刷法、またはインクジェット法などを用いることができる。

はじめに、材料層８０８が成膜された面を上方に向けて、成膜用基板８０７を成膜室８０１に搬入し、成膜用基板支持機構に固定する。次いで、第１の被成膜基板８０９ａを成膜室８０１に搬入し、成膜用基板８０７の材料層８０８が成膜された面と、第１の被成膜基板８０９ａの被成膜面とが対向するように、第１の被成膜基板８０９ａを被成膜基板支持機構に固定する。

成膜用基板支持機構および、被成膜基板支持機構は垂直方向および同一面内方向に高い精度で移動可能な移動機構を有する。前記成膜用基板支持機構および、前記被成膜基板支持機構並びにマーカを用いて、成膜用基板８０７と第１の被成膜基板８０９ａの位置を合わせる。なお、この段階で位置が合う状態とは、例えば成膜用基板の第１の領域と第１の被成膜基板８０９ａの第１の被転写領域が重畳する状態をいう。

次に、被成膜基板支持機構は、被成膜基板支持手段８０５を基板に垂直な方向に移動して、成膜用基板８０７と第１の被成膜基板８０９ａの基板間隔ｄが距離ｄ_１となるように近づける。なお、図８では成膜用基板支持機構を固定し、被成膜基板支持機構を移動する例を示しているが、成膜用基板支持機構を移動させ、被成膜基板支持機構を固定する構成としてもよい。また、成膜用基板支持機構と被成膜基板支持機構の両方を移動しても良い。

また、精密な位置合わせや距離ｄの測定を行うため、成膜室８０１にＣＣＤなどのアライメント機構を設けてもよい。また、成膜室８０１内を測定する温度センサや、湿度センサなどを設けてもよい。

第１の成膜工程における、距離ｄ_１は成膜用基板８０７の第１の領域上に形成された材料層８０８の表面と、第１の被成膜基板８０９ａの第１の被成膜領域の表面との距離で定義する。もちろん、第１の被成膜基板８０９ａ上に何らかの層（例えば、電極として機能する導電層や隔壁として機能する絶縁層等）が形成されている場合、距離ｄ_１は、第１の成膜用基板８０７上の材料層８０８の表面と、第１の被成膜基板８０９ａ上に形成された層の表面、すなわち被成膜面との距離で定義する。

第１の成膜工程では、昇華温度以下で第１の成膜用基板８０７の第１の領域に第１の被成膜基板８０９ａの第１の被成膜領域を押しつける。その後、第１の成膜用基板８０７と第１の被成膜基板８０９ａを引きはがし、第１の被成膜領域に材料層を成膜する。

材料層が成膜された第１の被成膜基板８０９ａは成膜室８０１から搬出され、第２の被成膜基板８０９ｂが成膜室８０１内に搬入される。

第２の成膜工程では、成膜用基板支持機構および、被成膜基板支持機構並びにマーカを用いて、第１の成膜工程と同様に成膜用基板８０７と第２の被成膜基板８０９ｂの位置を合わせる。なお、この段階で位置が合う状態とは、例えば成膜用基板の第２の領域と第２の被成膜基板８０９ｂの第１の被転写領域が重畳する状態をいう。

次に、被成膜基板支持機構は、被成膜基板支持手段８０５を基板に垂直な方向に移動して、成膜用基板８０７と第２の被成膜基板８０９ｂの基板間隔ｄが距離ｄ_２となるように近づける。第２の成膜工程における距離ｄ_２は成膜用基板８０７の第２の領域上に形成された材料層８０８の表面と、第２の被成膜基板８０９ｂの被成膜領域の表面との距離で定義する。ここでは、距離ｄ_２を、成膜用基板８０７の第１の領域と第２の領域の段差より大きく２０μｍ以下、好ましくは成膜用基板８０７の第１の領域と第２の領域の段差より大きく１０μｍ以下、さらに好ましくは成膜用基板８０７の第１の領域と第２の領域の段差より大きく５μｍ以下とする。

なお、第２の被成膜基板８０９ｂが石英基板のように硬く、ほとんど変形（反り、撓みなど）しない材料であれば、成膜用基板８０７の第１の領域が第２の被成膜基板８０９ｂに接するときの距離を下限として近づけることができる。

次に、成膜用基板加熱手段８０６を成膜用基板８０７と光源８１０の間から抜き出し、光源８１０から成膜用基板８０７の第２の面に向けて光を照射する。これにより、短時間に第１の成膜用基板８０７の第２の領域に成膜された材料層８０８を加熱して、対向して配置した第２の被成膜基板８０９ｂの被成膜面に成膜する。

材料層が成膜された第２の被成膜基板８０９ｂは成膜室８０１から搬出され、第３の被成膜基板８０９ｃが成膜室８０１内に搬入される。

再び、成膜用基板支持機構および、被成膜基板支持機構並びにマーカを用いて第１の成膜工程と同様に成膜用基板８０７と第３の被成膜基板８０９ｃとの位置を合わせる。なお、この段階で位置が合う状態とは、例えば成膜用基板の第３の領域と第３の被成膜基板８０９ｃの第１の被転写領域が重畳する状態をいう。

次に、被成膜基板支持機構は、被成膜基板支持手段８０５を基板に垂直な方向に移動して、第１の成膜用基板８０７と第３の被成膜基板８０９ｃの基板間隔ｄが距離ｄ_３となるように近づける。なお、距離ｄ_３は第１の成膜用基板８０７の第３の領域上に形成された材料層８０８の表面と、被成膜基板８０９ｃの被成膜領域の表面との距離で定義する。ここでは、距離ｄ_３を成膜用基板８０７の第１の領域と第３の領域の段差より大きく２０μｍ以下、好ましくは成膜用基板８０７の第１の領域と第３の領域の段差より大きく１０μｍ以下、さらに好ましくは成膜用基板８０７の第１の領域と第３の領域の段差より大きく５μｍ以下とする。

次に、成膜用基板加熱手段８０６を成膜用基板８０７と光源８１０の間に移動して、成膜用基板８０７の第２の面に密着する。次いで、成膜用基板加熱手段８０６を用いて、成膜用基板８０７に残った材料層８０８を加熱して、対向して配置した第３の被成膜基板８０９ｃの被成膜面に成膜する。

材料層が成膜された第３の被成膜基板８０９ｃと、全ての材料層８０８を失った成膜用基板８０７を成膜室８０１から搬出する。

本実施の形態によれば、従来の蒸着装置に比べ、チャンバー容量が大幅に小さい、小型の成膜装置を実現できる。また、本発明の一態様である発光装置の作製において、成膜用基板の材料層は湿式法を用いて容易に形成できる。

また、従来の蒸着装置は被成膜基板を停止して成膜するため、基板の回転機構が不要であり、割れやすい大面積のガラス基板への成膜に適している。

また、成膜基板上の材料層８０８をそのまま蒸着するため、膜厚モニターを不要にできる。よって、成膜工程を全自動化でき、スループットの向上を図ることができる。また、成膜室内壁に蒸着材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスが簡便になる。

また、本実施の形態に示した成膜装置を複数設け、マルチチャンバー型の成膜装置にすることができる。勿論、他の成膜方法の成膜装置との組み合わせも可能である。また、本実施の形態に示した成膜装置を直列に複数並べて、インライン型の成膜装置にすることもできる。

また、本実施の形態で示した作製方法を適用することで、発光素子を構成する発光層を容易に形成することができ、当該発光素子を有する発光装置の製造も簡便になる。また、本発明の一態様である成膜用基板を適用することで、発光層のパターン形成が容易となるため、発光装置の製造も簡便となる。また、微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができる。また、本発明を適用することにより、光源として、レーザ光だけでなく、安価で熱量の大きなランプヒーター等を用いることができる。さらに、一枚の成膜用基板から三枚の被成膜基板に材料層を無駄なく分配できるため、材料層の利用効率を向上できる。よって、発光装置の作製コストを削減できる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、発光装置の作製を可能とする成膜装置の一態様として、レーザを用いて成膜用基板の光吸収層を加熱する成膜装置について説明する。

被成膜基板の成膜面が上方となるフェイスアップ方式の成膜装置に、レーザを光源として搭載した装置の一態様を図１０（Ａ）および（Ｂ）に示す。

図１０（Ｂ）に示す通り、レーザ光はレーザ発振装置１１０３（ＹＡＧレーザ装置、エキシマレーザ装置など）から出力され、ビーム形状を矩形状とするための第１の光学系１１０４と、整形するための第２の光学系１１０５と、平行光線にするための第３の光学系１１０６とを通過し、反射ミラー１１０７で光路が成膜用基板８０７に対して垂直となる方向に曲げられる。その後、前記レーザビームを成膜用基板８０７の第２の面に照射する。

なお、位置アライメント機構１１０８は、成膜用基板８０７と被成膜基板８０９の位置合わせを行う。

また、成膜用基板８０７に照射するレーザスポットの形状は、矩形状または線状とすることが好ましく、具体的には、短辺が１ｍｍ〜５ｍｍ、且つ長辺が１０ｍｍ〜５０ｍｍの矩形状とすればよい。また、大面積基板を用いる場合には、処理時間を短縮するため、レーザスポットの長辺を２０ｃｍ〜１００ｃｍとすることが好ましい。また、図１０に示すレーザ発振装置及び光学系を複数設置して大面積の基板を短時間に処理してもよい。具体的には、複数のレーザ発振装置からレーザビームをそれぞれ照射して基板１枚における処理面積を分担してもよい。

なお、図１０は一例であり、レーザ光の光路に配置する各光学系や電気光学素子の位置関係は特に限定されない。例えば、レーザ発振装置１１０３を成膜用基板８０７の上方に配置し、レーザ発振装置１１０３から射出するレーザ光が成膜用基板８０７の主平面に垂直な方向となるように配置すれば、反射ミラーを用いずともよい。また、光学系は、集光レンズ、ビームエキスパンダ、ホモジナイザ、または偏光子などを用いればよく、これらを組み合わせてもよい。また、光学系としてスリットを組み合わせてもよい。なお、図１０（Ｂ）に示す構成を全て真空チャンバー内に設置してもよい。

レーザビームの照射領域を２次元的に、適宜、走査して、成膜用基板８０７の広い面積に照射を行う。走査するために、レーザビームの照射領域と基板とを相対的に移動させる。本実施の形態では、送り機構１１０９と連結した反射ミラー１１０７を用いて走査を行う。また、制御装置１１１７は、送り機構１１０９とレーザ発振装置１１０３を同期して制御することが好ましい。

本実施の形態の成膜装置を用いて、１枚の成膜用基板８０７から３枚の被成膜基板（８０９ａ、８０９ｂ、８０９ｃ）に材料層を成膜する方法について説明する。なお、本実施の形態では、はじめに第２の領域の材料層を成膜し、次に第１の領域の材料層を成膜し、最後に第３の領域の成膜材料を成膜する方法について説明するが、はじめに第１の領域の材料層を成膜し、次に第２の領域の材料層を成膜し、最後に第３の領域の成膜材料を成膜する方法であってもよい。

はじめに、材料層８０８が成膜された面を下方に向けて、成膜用基板８０７を成膜室８０１に搬入し、成膜用基板支持機構に固定する。次いで、第１の被成膜基板８０９ａを成膜室８０１に搬入し、成膜用基板８０７の材料層８０８が成膜された面と、第１の被成膜基板８０９ａの被成膜面とが対向するように、第１の被成膜基板８０９ａを被成膜基板支持機構に固定する。なお、成膜用基板８０７は、実施の形態１で説明した第１の領域乃至第３の領域を有し、光吸収層および光反射層はレーザ光が照射されても耐えうる材料を用いる。

成膜用基板支持機構および、被成膜基板支持機構は垂直方向および同一面内方向に高い精度で移動可能な移動機構を有する。前記成膜用基板支持機構および、前記被成膜基板支持機構並びにマーカを用いて、成膜用基板８０７と第１の被成膜基板８０９ａの位置を合わせる。なお、この段階で位置が合う状態とは、例えば成膜用基板の第２の領域と第２の被成膜基板８０９ａの第１の被転写領域が重畳する状態をいう。

次に、被成膜基板支持機構は、被成膜基板支持手段８０５を基板に垂直な方向に移動して、成膜用基板８０７と第１の被成膜基板８０９ａの基板間隔ｄが距離ｄ_２となるように近づける。第２の成膜工程における距離ｄ_２は成膜用基板８０７の第２の領域上に形成された材料層８０８の表面と、第１の被成膜基板８０９ａの被成膜領域の表面との距離で定義する。ここでは、距離ｄ_２を、成膜用基板８０７の第１の領域と第２の領域の段差より大きく２０μｍ以下、好ましくは成膜用基板８０７の第１の領域と第２の領域の段差より大きく１０μｍ以下、さらに好ましくは成膜用基板８０７の第１の領域と第２の領域の段差より大きく５μｍ以下とする。なお本実施の形態においては、第１の領域に材料層８０８が成膜されたままの状態で第２の領域を第１の被成膜基板８０９ａに近づけるため、距離ｄ_２の範囲は第１の領域上の材料層８０８が第１の被成膜基板８０９ａに接触しない範囲であるとする。

次に、材料層８０８が成膜されていない成膜用基板８０７の第２の面に向けてレーザ発振装置１１０３から成膜用基板８０７の第２の面に向けて光を照射する。これにより、短時間に成膜用基板８０７の第２の領域に成膜された材料層８０８を加熱して、対向して配置した第２の被成膜基板８０９ａの被成膜面に成膜する。なお、レーザ発振装置１１０３から光を照射する際は、成膜用基板加熱手段８０６を図１０（Ａ）に示すように移動して、レーザ光の光路から待避させておく。

材料層８０８が成膜された第１の被成膜基板８０９ａは成膜室８０１から搬出され、第２の被成膜基板８０９ｂが搬入される。

第２の成膜工程では、成膜用基板支持機構および、被成膜基板支持機構並びにマーカを用いて、第１の成膜工程と同様に成膜用基板８０７と第２の被成膜基板８０９ｂの位置を合わせる。なお、この段階で位置が合う状態とは、例えば成膜用基板の第１の領域と第２の被成膜基板８０９ｂの第１の被転写領域が重畳する状態をいう。

次に、被成膜基板支持機構は、被成膜基板支持手段８０５を基板に垂直な方向に移動して、成膜用基板８０７と第２の被成膜基板８０９ｂの基板間隔を近づける。次に、成膜用基板８０７の第１の領域に、第２の被成膜基板８０９ｂの第１の被成膜領域を押しつける。その後、成膜用基板８０７と第１の被成膜基板８０９ｂを引きはがし、第２の被成膜基板８０９ｂの第１の被成膜領域に成膜する。なお、成膜用基板８０７が圧力により変形すると、均一な成膜が困難になるため、成膜用基板８０７の第２の面と光源８１０の間に成膜用基板加熱手段８０６を挿入して、成膜用基板８０７を第２の面から支えてもよい。

材料層８０８が成膜された第２の被成膜基板８０９ｂは成膜室８０１から搬出され、第３の被成膜基板８０９ｃが搬入される。

なお、図１０に示す製造装置は、被成膜基板の成膜面が上を向いた、所謂フェイスアップ方式の成膜装置の例を示しているが、フェイスダウン方式の成膜装置とすることもできる。また、被成膜基板が大面積基板である場合、基板の自重により基板の中心が撓んでしまうことを抑えるために、所謂縦置き方式の装置とすることもできる。

また、被成膜基板を冷却する冷却手段をさらに設けることで、プラスチック基板などの可撓性基板を被成膜基板に用いることができる。

本実施の形態で用いる成膜用基板の材料層は湿式法で容易に形成できる。また、本実施の形態の成膜用基板を用いれば、膜厚モニターを用いることなく被成膜基板に成膜ができるため、成膜工程の自動化が容易になり、スループットの向上を図ることができる。また、成膜室内壁に蒸着材料が付着することも防止でき、成膜装置のメンテナンスを簡便にできる。

また、発光素子を構成する発光層が、本発明の一態様である成膜用基板を用いて容易に形成できるため、当該発光素子を有する発光装置の製造も簡便になる。また、微細なパターンを有する発光層の形成が可能となるため、高精細な発光装置の作製が容易になる。さらに、１枚の成膜用基板から３枚の被成膜基板に材料層を成膜できるため、材料層の利用効率を向上できる。その結果、発光装置の作製コストを削減できる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜用基板を用いて発光素子および発光装置を作製する方法について説明する。

本実施の形態で説明する発光素子の構造を図１１（Ａ）および（Ｂ）に例示する。図１１（Ａ）に示す発光素子は、基板３００上に第１の電極層３０２、発光層３０４として機能するＥＬ層３０８、第２の電極層３０６が順に積層して設けられている。第１の電極層３０２及び第２の電極層３０６のいずれか一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。陽極から注入される正孔及び陰極から注入される電子が発光層３０４で再結合して、発光が得られる。本実施の形態において、第１の電極層３０２は陽極として機能する電極であり、第２の電極層３０６は陰極として機能する電極であるとする。

また、発光素子の別な構成としては、上述の構成に加えて、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層が設けられている。正孔輸送層は、陽極と発光層の間に設けられる。また、正孔注入層は陽極と発光層との間、或いは陽極と正孔輸送層との間に設けられる。一方、電子輸送層は、陰極と発光層との間に設けられる。電子注入層は陰極と発光層との間、或いは陰極と電子輸送層との間に設けられる。なお、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層は全ての層を設ける必要はなく、適宜求める機能等に応じて選択して設ければよい。

具体的には、基板３００上に、陽極として機能する第１の電極層３０２、正孔注入層３２２、正孔輸送層３２４、発光層３０４、電子輸送層３２６、電子注入層３２８、及び陰極として機能する第２の電極層３０６を順に積層して設けた発光素子の構成を図１１（Ｂ）に示す

なお、ＥＬ層３０８は、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層と、発光層とを適宜組み合わせて構成すればよい。

基板３００は、絶縁表面を有する基板または絶縁基板を適用する。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板又はサファイヤ基板等を用いることができる。

第１の電極層３０２又は第２の電極層３０６は、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成できる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成できる。

この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。また、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムを含む合金（ＡｌＳｉ）等を用いることができる。

また、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（アルミニウム、マグネシウムと銀との合金、アルミニウムとリチウムの合金）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。

アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成できる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。また、第１の電極層３０２および第２の電極層３０６は、単層膜に限らず、積層膜で形成することもできる。

なお、発光層３０４で発光する光を外部に取り出すため、第１の電極層３０２又は第２の電極層３０６のいずれか一方或いは両方を、発光層３０４からの発光を通過するように形成する。第１の電極層３０２のみが透光性を有する電極である場合、光は第１の電極層３０２を通って基板３００側から取り出される。また、第２の電極層３０６のみが透光性を有する電極である場合、光は第２の電極層３０６を通って基板３００と逆側から取り出される。第１の電極層３０２および第２の電極層３０６がいずれも透光性を有する電極である場合、光は第１の電極層３０２および第２の電極層３０６を通って、基板３００側および基板３００側と逆側の両方から取り出される。

透光性を有する電極は、例えば、インジウム錫酸化物等の導電材料を用いて形成するか、或いは、銀、アルミニウム等を数ｎｍ乃至数十ｎｍの厚さとなるように形成する。また、膜厚を薄くした銀、アルミニウムなどの金属薄膜と、ＩＴＯ膜等の透光性を有する導電材料を用いた薄膜との積層構造とすることもできる。なお、第１の電極層３０２又は第２の電極層３０６は、種々の方法を用いて形成できる。

発光層３０４は発光性の物質を含む。発光性の物質としては、例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。

発光層に用いることのできる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）_２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス（アセチルアセトナート）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。

発光層に用いることのできる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１３−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。

また、発光層３０４は、発光性の物質をホスト材料に分散して形成できる。発光性の物質をホスト材料に分散して発光層３０４を形成すると、発光物質同士が消光反応を引き起こす濃度消光現象や、結晶化現象を抑制できる。

発光性の物質が蛍光性化合物の場合には、ホスト材料に蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。また、燐光性化合物の場合には、ホスト材料に燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。

発光層３０４に用いるホスト材料としては、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）などの他、４，４’−ジ（９−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）などが挙げられる。

また、ホスト材料に分散する発光性の物質としては、上述した燐光性化合物や蛍光性化合物を用いることができる。

発光性の物質をホスト材料に分散した層を発光層３０４に用いる場合、本発明の一態様の成膜用基板に成膜する材料層に、発光性の物質とホスト材料を混合した層を用いればよい。なお、発光層として、２種類以上のホスト材料と発光性の物質を用いてもよいし、２種類以上の発光性の物質とホスト材料を用いてもよい。また、２種類以上のホスト材料及び２種類以上の発光性の物質を用いてもよい。

例えば、正孔注入層３２２としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成できる。

また、正孔注入層３２２として、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層を用いることができる。正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、キャリア密度が高く、正孔注入性に優れている。また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層を、陽極として機能する電極に接する正孔注入層として用いることにより、陽極として機能する電極材料の仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。

正孔注入層に用いる電子受容性を示す物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、正孔注入層に用いることのできる正孔の輸送性の高い物質を具体的に列挙する。

正孔注入層に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等を用いることができる。また、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。

正孔注入層に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。

また、正孔注入層に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。

また、正孔注入層に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチル−アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。

なお、正孔注入層に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。

また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、正孔注入性だけでなく、正孔輸送性も優れているため、上述した正孔注入層を正孔輸送層として用いてもよい。

また、正孔輸送層３２４は、正孔輸送性の高い物質を含む層であり、正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

電子輸送層３２６は、電子輸送性の高い物質を含む層であり、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ０１）バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

また、電子注入層３２８としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のようなアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物を用いることができる。さらに、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属が組み合わされた層も使用できる。例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものを用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を組み合わせた層を用いることは、第２の電極層３０６からの電子注入が効率良く起こるためより好ましい。

なお、図１１では、陽極として機能する第１の電極層３０２を基板３００側に設けた構成について示したが、図１２（Ａ）に示すように、基板３００上に、陰極として機能する第２の電極層３０６、ＥＬ層３０８、陽極として機能する第１の電極層３０２とが順に積層された構成としてもよい。また、図１２（Ｂ）に示すように、基板３００上に、陰極として機能する第２の電極層３０６、電子注入層３２８、電子輸送層３２６、発光層３０４、正孔輸送層３２４、正孔注入層３２２、陽極として機能する第１の電極層３０２とが順に積層された構成としても良い。

以上で説明した発光層３０４、正孔注入層３２２、正孔輸送層３２４、電子輸送層３２６、電子注入層３２８、第２の電極層３０６およびＥＬ層３０８は、上記実施の形態１または実施の形態２で示した成膜方法を適用して形成できる。

図１１（Ａ）に示す発光素子を形成する場合、あらかじめ第１の電極層３０２を設けた基板３００を被成膜基板とし、前記被成膜基板に発光層３０４を形成すればよい。

具体的には、発光層３０４となる材料層が成膜された成膜用基板と、被成膜基板として第１の電極層３０２を設けた基板３００を３枚用意する。次に、実施の形態１または実施の形態２で説明した方法と同様にして、発光層３０４を成膜用基板から３枚の被成膜基板の第１の電極層３０２上に成膜する。そして、それぞれの発光層３０４上に第２の電極層３０６を蒸着法やスパッタリング法を用いて形成し、目的の発光素子を得る。

また、図１１（Ｂ）の発光素子を形成する場合は、あらかじめ第１の電極層３０２を設けた基板３００を被成膜基板とし、各機能層を形成する手順を順に繰り返せばよい。

具体的には、正孔注入層３２２となる材料層が成膜された第１の成膜用基板と、正孔輸送層３２４となる材料層が成膜された第２の成膜用基板と、発光層３０４となる材料層が成膜された第３の成膜用基板と、電子輸送層３２６となる材料層が成膜された第４の成膜用基板と、電子注入層３２８となる材料層が成膜された第５の成膜用基板を用意する。また、被成膜基板として第１の電極層３０２を設けた基板３００を３枚用意する。

次に、実施の形態１または実施の形態２で説明した方法と同様にして、第１の成膜用基板から正孔注入層３２２を３枚の被成膜基板の第１の電極層３０２上に成膜する。次に、第２の成膜用基板から正孔輸送層３２４を前記正孔注入層３２２上に成膜する。次に、第３の成膜用基板から発光層３０４を前記正孔輸送層３２４上に成膜する。次に、第４の成膜用基板から電子輸送層３２６を前記発光層３０４上に成膜する。次に、第５の成膜用基板から電子注入層３２８を前記電子輸送層３２６上に成膜する。そして、第２の電極層３０６を蒸着法やスパッタリング法を用いて前記電子注入層３２８上に形成し、３枚の被成膜基板上に目的の発光素子を形成する。

なお、正孔注入層３２２、正孔輸送層３２４、電子輸送層３２６または、電子注入層３２８は、種々の材料を用いて形成すればよい。各層を形成する材料は１種類としてもよいし、複数種類の複合材料としてもよい。複合材料を用いて形成する場合は、上述したように、複数の材料を含む材料層を形成すればよい。

また、正孔注入層３２２、正孔輸送層３２４、電子輸送層３２６又は電子注入層３２８は、それぞれ単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。例えば、正孔輸送層３２４を、第１の正孔輸送層及び第２の正孔輸送層からなる積層構造としてもよい。また、電極層についても実施の形態１または実施の形態２で示した成膜方法を適用できる。

また、実施の形態１または実施の形態２に例示した成膜方法だけを用いる必要はなく、実施の形態１または実施の形態２に例示した成膜方法と他の成膜方法を組み合わせて発光素子を形成しても構わない。他の成膜方法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等の乾式法や、インクジェット法またはスピンコート法等の湿式法が挙げられる。

本実施の形態によれば、実施の形態１または実施の形態２で説明した成膜用基板を用いて、発光層をはじめとする各種機能層を容易に形成することができ、発光素子を作製できる。また、前記発光素子をマトリクス状に配置して発光装置を作製できる。

次に、上記実施の形態で説明した成膜用基板を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置の例を図１３、図１４、及び図１５を用いて説明する。

パッシブマトリクス型（単純マトリクス型ともいう）発光装置は、ストライプ状（帯状）に並列された複数の陽極と、ストライプ状に並列された複数の陰極とが互いに直交するように設けられており、その交差部にＥＬ層が挟まれた構造となっている。従って、選択された（電圧が印加された）陽極と選択された陰極との交点にあたる画素が点灯することになる。

図１３（Ａ）は、封止前における画素部の上面図を示す図であり、図１３（Ａ）中の鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図１３（Ｂ）であり、鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した断面図が図１３（Ｃ）である。

基板１５０１上には、下地絶縁層として絶縁層１５０４を形成する。なお、下地絶縁層が必要でなければ特に形成しなくともよい。絶縁層１５０４上には、ストライプ状に複数の第１の電極層１５１３が等間隔で配置されている。また、第１の電極層１５１３上には、各画素に対応する開口部を有する隔壁１５１４が設けられ、開口部を有する隔壁１５１４は絶縁材料（感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含む酸化珪素膜））で構成されている。なお、各画素に対応する開口部が発光領域１５２１となる。

開口部を有する隔壁１５１４上に、第１の電極層１５１３と交差する互いに平行な複数の逆テーパ状の隔壁１５２２が設けられる。逆テーパ状の隔壁１５２２はフォトリソグラフィ法に従い、未露光部分がパターンとして残るポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多くエッチングされるように露光量または現像時間を調節することによって形成する。

また、平行な複数の逆テーパ状の隔壁１５２２を形成した直後における斜視図を図１４に示す。なお、図１３と同一の部分には同一の符号を用いている。

開口部を有する隔壁１５１４及び逆テーパ状の隔壁１５２２を合わせた高さは、発光層を含むＥＬ層及び第２の電極層となる導電層の膜厚より大きくなるように設定する。図１４に示す構成を有する基板に対して発光層を含むＥＬ層と、導電層とを積層形成すると、図１３に示すように複数の領域に分離された、発光層を含むＥＬ層１５１５Ｒ、ＥＬ層１５１５Ｇ、ＥＬ層１５１５Ｂと、第２の電極層１５１６とが形成される。なお、複数に分離された領域は、それぞれ電気的に独立している。第２の電極層１５１６は、第１の電極層１５１３と交差する方向に伸長する互いに平行なストライプ状の電極である。なお、逆テーパ状の隔壁１５２２上にも発光層を含むＥＬ層及び導電層が形成されるが、発光層を含むＥＬ層１５１５Ｒ、１５１５Ｇ、１５１５Ｂ及び第２の電極層１５１６とは分断されている。なお、本実施の形態において、ＥＬ層とは少なくとも発光層を含む層であって、該発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、又は電子注入層等を含んでいてもよい。

ここでは、発光層を含むＥＬ層１５１５Ｒ、１５１５Ｇ、１５１５Ｂを選択的に形成し、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られるフルカラー表示可能な発光装置を形成する例を示している。発光層を含むＥＬ層１５１５Ｒ、１５１５Ｇ、１５１５Ｂはそれぞれ互いに平行なストライプパターンで形成されている。これらのＥＬ層を形成するには、上記実施の形態１または実施の形態２に示す成膜方法を適用すればよい。例えば、赤色発光層となる材料層を形成した第１の成膜用基板、緑色発光層となる材料層を形成した第２の成膜用基板、青色発光層となる材料層を形成した第３の成膜用基板をそれぞれ準備する。また、被成膜基板として第１の電極層１５１３が設けられた基板を準備する。そして、第１乃至第３の成膜用基板を、被成膜基板と適宜対向して配置し、成膜用基板に形成された材料層を実施の形態１または実施の形態２で説明した方法で被成膜基板に成膜して、発光層を含むＥＬ層を形成する。

また、必要であれば、封止缶や封止のためのガラス基板などの封止材を用いて封止する。ここでは、封止基板としてガラス基板を用い、シール材などの接着材を用いて基板と封止基板とを貼り合わせ、シール材などの接着材で囲まれた空間を密閉なものとしている。密閉された空間には、充填材や、乾燥した不活性ガスを充填する。また、発光装置の信頼性を向上するために、基板と封止材との間に乾燥材などを封入してもよい。乾燥材によって微量な水分が除去され、十分乾燥される。また、乾燥材としては、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることが可能である。なお、他の乾燥材として、ゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。

ただし、発光素子を覆って接する封止材が設けられ、十分に外気と遮断されている場合には、乾燥材は、特に設けなくともよい。

次いで、ＦＰＣなどを実装した発光モジュールの上面図を図１５に示す。

図１５に示すように画像表示を構成する画素部１６０１は、走査線群とデータ線群が互いに直交するように交差している。

図１３における第１の電極層１５１３が図１５の走査線１６０３に相当し、第２の電極層１５１６がデータ線１６０２に相当し、逆テーパ状の隔壁１５２２が隔壁１６０４に相当する。データ線１６０２と走査線１６０３の間には発光層を含むＥＬ層が挟まれており、領域１６０５で示される交差部が画素１つ分となる。

なお、走査線１６０３は配線端で接続配線１６０８と電気的に接続され、接続配線１６０８が入力端子１６０７を介してＦＰＣ１６０９ｂに接続される。また、データ線は入力端子１６０６を介してＦＰＣ１６０９ａに接続される。

また、必要であれば、射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。

以上でパッシブマトリクス型の発光装置を作製できる。上記実施の形態で説明した成膜用基板を適用することで、発光素子を構成するＥＬ層を容易に形成することができ、当該発光素子を有する発光装置の製造も簡便になる。また、ホスト材料にゲスト材料が分散された発光層を形成する場合、共蒸着を適用する場合と比べ複雑な制御を必要としない。さらに、ゲスト材料の添加量等も制御し易いため、容易に精度良く成膜でき、所望の発光色も得られやすくなる。また、蒸着材料の利用効率も向上できるため、コスト削減を図ることもできる。

また、上記実施の形態で説明した成膜用基板を適用することで、発光層のパターン形成が容易となるため、発光装置の製造も簡便となる。また、微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができる。また、上記実施の形態で説明した成膜用基板を適用することにより、光源として、レーザ光だけでなく、安価ではあるが熱量の大きなランプヒーター等を用いることができる。よって、発光装置の作製コストを削減できる。

また、図１５では、駆動回路を基板上に設けていない例を示したが、特に限定されず、基板に駆動回路を有するＩＣチップを実装してもよい。

ＩＣチップを実装する場合、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側ＩＣ、走査線側ＩＣをＣＯＧ方式によりそれぞれ実装する。ＣＯＧ方式以外の実装技術としてＴＣＰやワイヤボンディング方式を用いて実装してもよい。ＴＣＰはＴＡＢテープにＩＣを実装したものであり、ＴＡＢテープを素子形成基板上の配線に接続してＩＣを実装する。データ線側ＩＣ、および走査線側ＩＣは、シリコン基板を用いたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板もしくはプラスチック基板上にＴＦＴで駆動回路を形成したものであってもよい。また、片側に一つのＩＣを設けた例を説明しているが、片側に複数個に分割して設けても構わない。

次に、上記実施の形態で例示した成膜用基板を適用して作製したアクティブマトリクス型の発光装置の例について、図１６を用いて説明する。なお、図１６（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板１７１０上に設けられた画素部１７０２と、駆動回路部（ソース側駆動回路）１７０１と、駆動回路部（ゲート側駆動回路）１７０３と、を有する。画素部１７０２、駆動回路部１７０１、及び駆動回路部１７０３は、シール材１７０５によって、素子基板１７１０と封止基板１７０４との間に封止されている。

また、素子基板１７１０上には、駆動回路部１７０１、及び駆動回路部１７０３に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線１７０８が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１７０９を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図１６（Ｂ）を用いて説明する。素子基板１７１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース側駆動回路である駆動回路部１７０１と、画素部１７０２が示されている。

駆動回路部１７０１はｎチャネル型ＴＦＴ１７２３とｐチャネル型ＴＦＴ１７２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。

また、画素部１７０２はスイッチング用ＴＦＴ１７１１と、電流制御用ＴＦＴ１７１２と当該電流制御用ＴＦＴ１７１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極層１７１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極層１７１３の端部を覆って絶縁物１７１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いて形成する。

また、上層に積層形成される膜の被覆性を良好なものとするため、絶縁物１７１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁物１７１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物１７１４の上端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１７１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物（例えば、酸化珪素、酸化窒化珪素等）の両者を使用できる。

第１の電極層１７１３上には、発光層を含むＥＬ層１７００及び第２の電極層１７１６が積層形成されている。第１の電極層１７１３は上述の第１の電極層３０２に相当し、第２の電極層１７１６は第２の電極層３０６に相当する。なお、第１の電極層１７１３をＩＴＯ膜とし、第１の電極層１７１３と接続する電流制御用ＴＦＴ１７１２の配線として窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層膜、或いは窒化チタン膜、アルミニウムを主成分とする膜、窒化チタン膜との積層膜を適用すると、配線としての抵抗も低く、ＩＴＯ膜との良好なオーミックコンタクトがとれる。なお、ここでは図示しないが、第２の電極層１７１６は外部入力端子であるＦＰＣ１７０９に電気的に接続されている。

ＥＬ層１７００は、少なくとも発光層が設けられており、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層又は電子注入層を適宜設ける構成とする。第１の電極層１７１３、ＥＬ層１７００及び第２の電極層１７１６との積層構造で、発光素子１７１５が形成されている。

また、図１６（Ｂ）に示す断面図では発光素子１７１５を１つのみ図示しているが、画素部１７０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部１７０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成できる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。

さらにシール材１７０５で封止基板１７０４を素子基板１７１０と貼り合わせることにより、素子基板１７１０、封止基板１７０４、およびシール材１７０５で囲まれた空間１７０７に発光素子１７１５が備えられた構造になっている。なお、空間１７０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材１７０５で充填される構成も含むものとする。

なお、シール材１７０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板１７０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−ＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＰｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

以上のようにして、本発明の一態様である発光装置の作製方法を適用することで、発光素子を形成する際の材料のロスを大幅に削減することが可能である。よって、コスト削減を図ることができる。

また、上記実施の形態で説明した成膜用基板を適用することで、発光素子を構成するＥＬ層を容易に形成することができ、当該発光素子を有する発光装置の製造も簡便になる。また、上記実施の形態で説明した成膜用基板を適用することで、発光層のパターン形成が容易となるため、発光装置の製造も簡便となる。また、微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができる。また、光源として、レーザ光だけでなく、安価ではあるが熱量の大きなランプヒーター等を用いることができる。よって、発光装置の作製コストを削減できる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した発光装置を用いて完成させた様々な電子機器について、図１７、図１８を用いて説明する。

発光装置を適用した電子機器として、テレビジョン、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、スマートフォン、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）、照明器具などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図１７、図１８に示す。

図１７（Ａ）は表示装置であり、筐体８００１、支持台８００２、表示部８００３、スピーカ部８００４、ビデオ入力端子８００５等を含む。上記実施の形態で説明した成膜用基板を用いて形成される発光装置をその表示部８００３に有する。なお、表示装置は、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用装置を含む。

図１７（Ｂ）はコンピュータであり、本体８１０１、筐体８１０２、表示部８１０３、キーボード８１０４、外部接続ポート８１０５、マウス８１０６等を含む。本発明の一態様である成膜装置を用いて形成された発光素子を有する発光装置をその表示部８１０３に有する。

図１７（Ｃ）はビデオカメラであり、本体８２０１、表示部８２０２、筐体８２０３、外部接続ポート８２０４、リモコン受信部８２０５、受像部８２０６、バッテリー８２０７、音声入力部８２０８、操作キー８２０９、接眼部８２１０等を含む。上記実施の形態で説明した成膜装置を用いて形成された発光素子を有する発光装置をその表示部８２０２に有する。

図１７（Ｄ）は卓上照明器具であり、照明部８３０１、傘８３０２、可変アーム８３０３、支柱８３０４、台８３０５、電源スイッチ８３０６を含む。上記実施の形態で説明した成膜装置を用いて形成される発光装置を照明部８３０１に有する。なお、照明器具には天井固定型の照明器具または壁掛け型の照明器具なども含まれる。

ここで、図１７（Ｅ）は携帯電話であり、本体８４０１、筐体８４０２、表示部８４０３、音声入力部８４０４、音声出力部８４０５、操作キー８４０６、外部接続ポート８４０７、アンテナ８４０８等を含む。上記実施の形態で説明した成膜装置を用いて形成された発光素子を有する発光装置をその表示部８４０３に有する。

また、図１８は携帯電話８５００の構成の別の一例であり、図１８（Ａ）が正面図、図１８（Ｂ）が背面図、図１８（Ｃ）が展開図である。携帯電話８５００は、電話と携帯情報端末の双方の機能を備えており、コンピュータを内蔵し、音声通話以外にも様々なデータ処理が可能な所謂スマートフォンである。

携帯電話８５００は、筐体８５０１及び８５０２二つの筐体で構成されている。筐体８５０１には、表示部８５１１、スピーカ８５１２、マイクロフォン８５１３、操作キー８５１４、ポインティングデバイス８５１５、カメラ用レンズ８５１６、外部接続端子８５１７、イヤホン端子８５１８等を備え、筐体８５０２には、キーボード８５２１、外部メモリスロット８５２２、カメラ用レンズ８５２３、ライト８５２４等を備えている。また、アンテナは筐体８５０１内部に内蔵されている。携帯電話８５００は、上記実施の形態で説明した成膜装置を用いて形成された発光素子を有する発光装置を表示部８５１１に用いている。

また、上記構成に加えて、非接触ＩＣチップ、小型記録装置等を内蔵していてもよい。

表示部８５１１には、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。表示部８５１１と同一面上にカメラ用レンズ８５１６を備えているため、テレビ電話が可能である。また、表示部８５１１をファインダーとしカメラ用レンズ８５２３及びライト８５２４で静止画及び動画の撮影が可能である。スピーカ８５１２及びマイクロフォン８５１３は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生等が可能である。操作キー８５１４では、電話の発着信、電子メール等の簡単な情報入力、画面のスクロール、カーソル移動等が可能である。更に、重なり合った筐体８５０１と筐体８５０２（図１８（Ａ））は、スライドし図１８（Ｃ）のように展開し、携帯情報端末として使用できる。この場合、キーボード８５２１、ポインティングデバイス８５１５を用い円滑な操作が可能である。外部接続端子８５１７はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブル等の各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータ等とのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット８５２２に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。

また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能等を備えたものであってもよい。

以上の実施の形態で説明した成膜用基板および成膜方法を適用して作製した表示装置を搭載した電子機器は、特に大型基板に発光層を形成する際のパターン形成の精度が高くなるため表示品位の高い電子機器を提供できる。また、スループットが向上し、表示装置および照明装置の製造における生産性が向上し、搭載した電子機器および照明機器を安価に提供できる。また、表示装置および照明装置の製造における材料のロスを削減できるため、製造コストの低減を図ることができ、安価な表示装置を提供できる。

以上のようにして、上記実施の形態で説明した発光装置を適用して電子機器や照明器具を得ることができる。この発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

１００基板
１１１光反射層
１１２断熱層
１１３光吸収層
１１４剥離層
１５０成膜用基板
１５０Ｂ成膜用基板
１５０Ｇ成膜用基板
１５０Ｒ成膜用基板
１５１領域
１５１ａ領域
１５２領域
１５２ａ領域
１５３領域
１５３ａ領域
１５４余白
１６０材料層
１６０ＢＥＬ層（Ｂ）
１６０ＧＥＬ層（Ｇ）
１６０ＲＥＬ層（Ｒ）
１６１材料層
１６１ａ材料層
１６２材料層
１６２ａ材料層
１６３材料層
２００メタルマスク
２１０被成膜基板
２１１被成膜領域
２１１ａ被成膜領域
２２０被成膜基板
２２１被成膜領域
２２１ａ被成膜領域
２３０被成膜基板
２３１被成膜領域
２３１ａ被成膜領域
３００基板
３０２電極層
３０４発光層
３０６電極層
３０８ＥＬ層
３２２正孔注入層
３２４正孔輸送層
３２６電子輸送層
３２８電子注入層
８０１成膜室
８０２ゲート弁
８０３ゲート弁
８０４成膜用基板支持手段
８０５被成膜基板支持手段
８０６成膜用基板加熱手段
８０７成膜用基板
８０８材料層
８０９被成膜基板
８０９ａ被成膜基板
８０９ｂ被成膜基板
８０９ｃ被成膜基板
８１０光源
８１１チューブ
１１０３レーザ発振装置
１１０４光学系
１１０５光学系
１１０６光学系
１１０７反射ミラー
１１０８位置アライメント機構
１１０９機構
１１１７制御装置
１５０１基板
１５０４絶縁層
１５１３電極層
１５１４隔壁
１５１５ＢＥＬ層
１５１５ＧＥＬ層
１５１５ＲＥＬ層
１５１６電極層
１５２１発光領域
１５２２隔壁
１６０１画素部
１６０２データ線
１６０３走査線
１６０４隔壁
１６０５領域
１６０６入力端子
１６０７入力端子
１６０８接続配線
１６０９ａＦＰＣ
１６０９ｂＦＰＣ
１７００ＥＬ層
１７０１駆動回路部
１７０２画素部
１７０３駆動回路部
１７０４封止基板
１７０５シール材
１７０７空間
１７０８配線
１７０９ＦＰＣ
１７１０素子基板
１７１１スイッチング用ＴＦＴ
１７１２電流制御用ＴＦＴ
１７１３電極層
１７１４絶縁物
１７１５発光素子
１７１６電極層
１７２３ｎチャネル型ＴＦＴ
１７２４ｐチャネル型ＴＦＴ
８００１筐体
８００２支持台
８００３表示部
８００４スピーカ部
８００５ビデオ入力端子
８１０１本体
８１０２筐体
８１０３表示部
８１０４キーボード
８１０５外部接続ポート
８１０６マウス
８２０１本体
８２０２表示部
８２０３筐体
８２０４外部接続ポート
８２０５リモコン受信部
８２０６受像部
８２０７バッテリー
８２０８音声入力部
８２０９操作キー
８２１０接眼部
８３０１照明部
８３０２傘
８３０３可変アーム
８３０４支柱
８３０５台
８３０６電源スイッチ
８４０１本体
８４０２筐体
８４０３表示部
８４０４音声入力部
８４０５音声出力部
８４０６操作キー
８４０７外部接続ポート
８４０８アンテナ
８５００携帯電話
８５０１筐体
８５０２筐体
８５１１表示部
８５１２スピーカ
８５１３マイクロフォン
８５１４操作キー
８５１５ポインティングデバイス
８５１６カメラ用レンズ
８５１７外部接続端子
８５１８イヤホン端子
８５２１キーボード
８５２２外部メモリスロット
８５２３カメラ用レンズ
８５２４ライト

Claims

第１の面に、第１の領域、第２の領域、及び第３の領域を有し、
前記第１の領域には、前記第１の面上に設けられた光反射層に重畳して剥離層が設けられ、
前記第２の領域には、前記第１の面上に光吸収層が設けられ、
前記第３の領域には、前記第１の面上に前記光反射層が設けられていることを特徴とする成膜用基板。
第１の面に、第１の領域、第２の領域、及び第３の領域を有し、
前記第１の領域には、前記第１の面上に設けられた光反射層に重畳する断熱層と、前記断熱層に重畳する剥離層とが設けられ、
前記第２の領域には、前記第１の面上に設けられた前記断熱層に重畳して光吸収層が設けられ、
前記第３の領域には、前記第１の面上に設けられた前記光反射層に重畳して前記断熱層が設けられていることを特徴とする成膜用基板。
第１の面に、第１の領域、第２の領域、及び第３の領域を有し、
前記第１の領域には、前記第１の面上に設けられた光反射層に重畳して剥離層が設けられ、
前記第２の領域には、前記第１の面上に光吸収層が設けられ、
前記第３の領域には、前記第１の面上に前記光反射層が設けられた成膜用基板を準備し、
前記成膜用基板の第１の面に成膜材料を成膜し、
前記成膜用基板の第１の面と第１の被成膜基板の被成膜面とを互いに向かい合わせて圧着し、前記成膜用基板と前記第１の被成膜基板を引きはがして、前記第１の領域上の前記成膜材料を前記第１の被成膜基板に成膜し、
前記成膜用基板の第１の面と第２の被成膜基板の被成膜面とを互いに向かい合わせて近接して配置し、前記成膜用基板の第２の面の側から光を照射して、前記第２の領域上の前記成膜材料を前記第２の被成膜基板に成膜し、
前記成膜用基板の第１の面と第３の被成膜基板の被成膜面とを互いに向かい合わせて近接して配置し、前記成膜用基板を加熱して、前記第３の領域上の前記成膜材料を前記第３の被成膜基板に成膜する成膜方法。
第１の面に、第１の領域、第２の領域、及び第３の領域を有し、
前記第１の領域には、前記第１の面上に設けられた光反射層に重畳して剥離層が設けられ、
前記第２の領域には、前記第１の面上に光吸収層が設けられ、
前記第３の領域には、前記第１の面上に前記光反射層が設けられた成膜用基板を準備し、
前記成膜用基板の第１の面に成膜材料を成膜し、
前記成膜用基板の第１の面と第２の被成膜基板の被成膜面とを互いに向かい合わせて近接して配置し、前記成膜用基板の第２の面の側から光を照射して、前記第２の領域上の前記成膜材料を前記第２の被成膜基板に成膜し、
前記成膜用基板の第１の面と第１の被成膜基板の被成膜面とを互いに向かい合わせて圧着し、前記成膜用基板と前記第１の被成膜基板を引きはがして、前記第１の領域上の前記成膜材料を前記第１の被成膜基板に成膜し、
前記成膜用基板の第１の面と第３の被成膜基板の被成膜面とを互いに向かい合わせて近接して配置し、前記成膜用基板を加熱して、前記第３の領域上の前記成膜材料を前記第３の被成膜基板に成膜する成膜方法。
第１の面に、第１の領域、第２の領域、及び第３の領域を有し、
前記第１の領域には、前記第１の面上に設けられた光反射層に重畳する断熱層と、前記断熱層に重畳する剥離層とが設けられ、
前記第２の領域には、前記第１の面上に設けられた前記断熱層に重畳して光吸収層が設けられ、
前記第３の領域には、前記第１の面上に設けられた前記光反射層に重畳して前記断熱層が設けられた成膜用基板を準備し、
前記成膜用基板の第１の面に成膜材料を成膜し、
前記成膜用基板の第１の面と第１の被成膜基板の被成膜面とを互いに向かい合わせて圧着し、前記成膜用基板と前記第１の被成膜基板を引きはがして、前記第１の領域上の前記成膜材料を前記第１の被成膜基板に成膜し、
前記成膜用基板の第１の面と第２の被成膜基板の被成膜面とを互いに向かい合わせて近接して配置し、前記成膜用基板の第２の面の側から光を照射して、前記第２の領域上の前記成膜材料を前記第２の被成膜基板に成膜し、
前記成膜用基板の第１の面と第３の被成膜基板の被成膜面とを互いに向かい合わせて近接して配置し、前記成膜用基板を加熱して、前記第３の領域上の前記成膜材料を前記第３の被成膜基板に成膜する成膜方法。
第１の面に、第１の領域、第２の領域、及び第３の領域を有し、
前記第１の領域には、前記第１の面上に設けられた光反射層に重畳する断熱層と、前記断熱層に重畳する剥離層とが設けられ、
前記第２の領域には、前記第１の面上に設けられた前記断熱層に重畳して光吸収層が設けられ、
前記第３の領域には、前記第１の面上に設けられた前記光反射層に重畳して前記断熱層が設けられた成膜用基板を準備し、
前記成膜用基板の第１の面に成膜材料を成膜し、
前記成膜用基板の第１の面と第２の被成膜基板の被成膜面とを互いに向かい合わせて近接して配置し、前記成膜用基板の第２の面の側から光を照射して、前記第２の領域上の前記成膜材料を前記第２の被成膜基板に成膜し、
前記成膜用基板の第１の面と第１の被成膜基板の被成膜面とを互いに向かい合わせて圧着し、前記成膜用基板と前記第１の被成膜基板を引きはがして、前記第１の領域上の前記成膜材料を前記第１の被成膜基板に成膜し、
前記成膜用基板の第１の面と第３の被成膜基板の被成膜面とを互いに向かい合わせて近接して配置し、前記成膜用基板を加熱して、前記第３の領域上の前記成膜材料を前記第３の被成膜基板に成膜する成膜方法。