JP5247817B2 - ピリド[2,1−a]イソキノリン誘導体の製造方法 - Google Patents
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Description
[式中、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、低級アルキル、低級アルコキシ及び低級アルケニル(ここで、低級アルキル、低級アルコキシ及び低級アルケニルは、場合により、低級アルコキシカルボニル、アリール及びヘテロシクリルよりなる群によって置換されていてもよい)よりなる群から選択される]で示されるピリド[2,1−a]イソキノリン誘導体、及びその薬学的に許容しうる塩の製造方法に関する。
[式中、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、低級アルキル、低級アルコキシ及び低級アルケニル(ここで、低級アルキル、低級アルコキシ及び低級アルケニルは、場合により、低級アルコキシカルボニル、アリール及びヘテロシクリルから選択される基により置換されていてもよい)よりなる群から選択される]で示されるピリド[2,1−a]イソキノリン誘導体、及びその薬学的に許容しうる塩の製造方法は、下記工程の1つ以上を含む:
a) 式(1):
[式中、R1aは、低級アルキルである]で示される(R)−4−ブロモ−3−フルオロメチル−酪酸エステルを得る工程;
b) 式(2)の(R)−4−ブロモ−3−フルオロメチル−酪酸エステルをN−保護グリシンアルキルエステルにより、式(3):
[式中、R1a及びR1bは、低級アルキルであり、そしてProtは、アミノ保護基である]で示されるN−保護−(S)−4−(アルコキシカルボニルメチル−アミノ)−3−フルオロメチル−酪酸エステルに変換する工程;
c) 式(3)のN−保護−(S)−4−(アルコキシカルボニルメチル−アミノ)−3−フルオロメチル−酪酸エステルの脱保護、及びこれに続く閉環により、式(4):
[式中、R1bは、低級アルキルである]で示される((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−酢酸エステルを形成する工程;
d) 式(4)の((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−酢酸エステルを、式(5a):
[式中、R1cは、保護基である]で示される((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−3−オキソ−酪酸エステル又はその塩に変換する工程;
e) 式(5a)の((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−3−オキソ−酪酸エステルを、式(5b):
で示される((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−3−オキソ−酪酸又はその塩に変化させる工程;
f) 式(5b)の((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−3−オキソ−酪酸を、式(6):
[式中、R2、R3及びR4は、上記のとおりである]で示される(3S,11bS)−3−((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−ピリド[2,1−a]イソキノリン−2−オン誘導体又はその塩を形成する工程;
g) 式(7b)の(3S,11bS)−3−((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−ピリド[2,1−a]イソキノリン−2−オン誘導体を、式(8):
[式中、R2、R3及びR4並びにProtは、上記のとおりである]で示される(S)−1−((2S,3S,11bS)−2−N−保護アミノ−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−2H−ピリド[2,1−a]イソキノリン−3−イル)−4−フルオロメチル−ピロリジン−2−オン又はその塩に変化させる工程;
h) 式(8)の(S)−1−((2S,3S,11bS)−2−N−保護アミノ−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−2H−ピリド[2,1−a]イソキノリン−3−イル)−4−フルオロメチル−ピロリジン−2−オン中の保護基Protを脱離する工程。
工程a)は、式(1)の(S)−4−フルオロメチル−ジヒドロ−フラン−2−オンの開環、及びこれに続くエステル化を必要として、式(2)の(R)−4−ブロモ−3−フルオロメチル−酪酸エステルが得られる。
工程b)は、式(2)の(R)−4−ブロモ−3−フルオロメチル−酪酸エステルをN−保護グリシンアルキルエステルにより式(3)のN−保護−(S)−4−(アルコキシカルボニルメチル−アミノ)−3−フルオロメチル−酪酸エステルに変換することを必要とする。
工程c)は、式(3)のN−保護−(S)−4−(アルコキシカルボニルメチル−アミノ)−3−フルオロメチル−酪酸エステルの脱保護、及びこれに続く閉環を必要として、式(4)の((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−酢酸エステルが形成される。
[式中、R1bは、低級アルキルである]で示される((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−酢酸エステル、詳しくは((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−酢酸エチルエステルは、新規であり、よって本発明の更に別の実施態様に相当する。
工程d)は、式(5a)の((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−3−オキソ−酪酸エステルへの、式(4)の((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−酢酸エステルの変換を必要とする。
[式中、R1cは、保護基である]で示される酢酸エステルを、非求核性有機強塩基の存在下で、例えば、LDA=リチウムジイソプロピルアミド、LiHMDS=ヘキサメチルジシラザンリチウム、KHMDS=ヘキサメチルジシラザンカリウム、NaHMDS=ヘキサメチルジシラザンナトリウム又はLiTMP=リチウム2,2,6,6−テトラメチルピペリジドにより、0℃〜−100℃、好ましくは0℃〜−40℃の温度で、適切な不活性有機溶媒の存在下で、例えば、テトラヒドロフラン中で脱プロトン化する。
[式中、R1cは、保護基である]で示される((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−3−オキソ−酪酸エステル、詳しくは((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−3−オキソ−酪酸ベンジルエステル、又はその塩は、新規化合物であり、よって本発明の更に別の実施態様に相当する。
工程e)は、式(5b)の((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−3−オキソ−酪酸への、式(5a)の((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−3−オキソ−酪酸エステルの変化を必要とする。
工程f)は、式(5b)の((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−3−オキソ−酪酸と式(6)のイソキノリン誘導体、又はその塩とのカップリングを必要として、式(7a)の化合物又はその塩が形成され、そして続くホルムアルデヒドでの式(7a)の化合物の閉環により、式(7b)の(3S,11bS)−3−((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−ピリド[2,1−a]イソキノリン−2−オン誘導体が形成される。
[式中、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、低級アルキル、低級アルコキシ及び低級アルケニル(ここで、低級アルキル、低級アルコキシ及び低級アルケニルは、場合により、低級アルコキシカルボニル、アリール及びヘテロシクリルから選択される基により置換されていてもよい)よりなる群から選択される]で示される化合物又はその塩、及び式(7b):
[式中、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、低級アルキル、低級アルコキシ及び低級アルケニル(ここで、低級アルキル、低級アルコキシ及び低級アルケニルは、場合により、低級アルコキシカルボニル、アリール及びヘテロシクリルから選択される基により置換されていてもよい)よりなる群から選択される]で示される化合物又はその塩は、共に新規化合物であり、よって本発明の更に別の実施態様に相当する。
工程g)は、式(8)の(S)−1−((2S,3S,11bS)−2−N−保護アミノ−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−2H−ピリド[2,1−a]イソキノリン−3−イル)−4−フルオロメチル−ピロリジン−2−オンへの、式(7b)の(3S,11bS)−3−((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−ピリド[2,1−a]イソキノリン−2−オン誘導体の変化を必要とする。
最後に工程h)は、式(8)の(S)−1−((2S,3S,11bS)−2−N−保護アミノ−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−2H−ピリド[2,1−a]イソキノリン−3−イル)−4−フルオロメチル−ピロリジン−2−オン中の保護基Protの脱離、及び式(I)の目標化合物の形成を必要とする。
実施例1
(R)−4−ブロモ−3−フルオロメチル−酪酸メチルエステルの合成(2)
MS:m/e 213(M+H)+。
(S)−4−(ベンジル−エトキシカルボニルメチル−アミノ)−3−フルオロメチル−酪酸メチルエステルの合成(3)
MS:m/e 326(M+H)+。
((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−酢酸エチルエステルの合成(4)
MS:m/e 204(M+H)+、130、158。
4−((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−3−オキソ−酪酸ベンジルエステルの合成(5)
MS:m/e 308(M+H)+、325、330(M+Na)+。
4−((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−3−オキソ−酪酸ベンジル酸の合成(5b)
MS:m/e 218(M+H)+。
(3S,11bS)−3−((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−9,10−ジメトキシ−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−ピリド[2,1−a]イソキノリン−2−オンの合成(7)
融点(融点)=134℃。
MS:m/e 377(M+H)+、399(M+Na)+。
(S)−1−((2S,3S,11bS)−2−ベンジルアミノ−9,10−ジメトキシ−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−2H−ピリド[2,1−a]イソキノリン−3−イル)−4−フルオロメチル−ピロリジン−2−オンの合成(8)
融点=192℃(分解)
MS:m/e 468(M+H)+。
(S)−1−((2S,3S,11bS)−2−アミノ−9,10−ジメトキシ−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−2H−ピリド[2,1−a]イソキノリン−3−イル)−4−フルオロメチル−ピロリジン−2−オン塩酸塩の合成(9)
MS:m/e 378(M−2HCl+H)+、400(M−2HCl+Na)+。
Claims (20)
- 式(I):
[式中、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、C1−6アルキル、C1−6アルコキシ及びC2−6アルケニル(ここで、C1−6アルキル、C1−6アルコキシ及びC2−6アルケニルは、場合により、C1−6アルコキシカルボニル、フェニル、ピリジル、チアゾリル及びモルホリノから選択される基により置換されていてもよい)よりなる群から選択される]で示されるピリド[2,1−a]イソキノリン誘導体、及びその薬学的に許容しうる塩の製造方法であって、
a) 式(1):
で示される(S)−4−フルオロメチル−ジヒドロ−フラン−2−オンの開環、及びこれに続くエステル化により、式(2):
[式中、R1aは、C1−6アルキルである]で示される(R)−4−ブロモ−3−フルオロメチル−酪酸エステルを得る工程;
b) 式(2)の(R)−4−ブロモ−3−フルオロメチル−酪酸エステルをN−保護グリシンアルキルエステルにより、式(3):
[式中、R1a及びR1bは、C1−6アルキルであり、そしてProtは、アミノ保護基である]で示されるN−保護−(S)−4−(アルコキシカルボニルメチル−アミノ)−3−フルオロメチル−酪酸エステルに変換する工程;
c) 式(3)のN−保護−(S)−4−(アルコキシカルボニルメチル−アミノ)−3−フルオロメチル−酪酸エステルの脱保護、及びこれに続く閉環により、式(4):
[式中、R1bは、C1−6アルキルである]で示される((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−酢酸エステルを形成する工程;
d) 式(4)の((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−酢酸エステルを、式(5a):
[式中、R1cは、保護基である]で示される((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−3−オキソ−酪酸エステル又はその塩に変換する工程;
e) 式(5a)の((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−3−オキソ−酪酸エステルを、式(5b):
で示される((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−3−オキソ−酪酸又はその塩に変化させる工程;
f) 式(5b)の((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−3−オキソ−酪酸を、式(6):
[式中、R2、R3及びR4は、上記のとおりである]で示されるイソキノリン誘導体、又はその塩とカップリングさせることにより、式(7a):
[式中、R2、R3及びR4は、上記のとおりである]で示される化合物、又はその塩を形成し、続いて式(7a)の化合物をホルムアルデヒドで閉環することにより、式(7b):
[式中、R2、R3及びR4は、上記のとおりである]で示される(3S,11bS)−3−((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−ピリド[2,1−a]イソキノリン−2−オン誘導体又はその塩を形成する工程;
g) 式(7b)の(3S,11bS)−3−((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−ピリド[2,1−a]イソキノリン−2−オン誘導体を、式(8):
[式中、R2、R3及びR4並びにProtは、上記のとおりである]で示される(S)−1−((2S,3S,11bS)−2−N−保護アミノ−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−2H−ピリド[2,1−a]イソキノリン−3−イル)−4−フルオロメチル−ピロリジン−2−オン、又はその塩に変化させる工程;
h) 式(8)の(S)−1−((2S,3S,11bS)−2−N−保護アミノ−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−2H−ピリド[2,1−a]イソキノリン−3−イル)−4−フルオロメチル−ピロリジン−2−オン中の保護基Protを脱離する工程を含む、方法。 - 工程a)における式(2)の(R)−4−ブロモ−3−フルオロメチル−酪酸エステルの形成が、臭化水素酸により20℃〜100℃の反応温度で実行されることを特徴とする、請求項1又は2記載の方法。
- 工程a)における続くエステル化が低級アルコール中で実行されることを特徴とする、請求項1〜3記載の方法。
- 工程b)における式(3)のN−保護−(S)−4−(アルコキシカルボニルメチル−アミノ)−3−フルオロメチル−酪酸エステルの形成のために使用されるN−保護グリシンアルキルエステルが、N−ベンジルグリシンエチルエステルであることを特徴とする、請求項1〜4記載の方法。
- 工程b)における変換が、極性非プロトン性溶媒中で60℃〜溶媒の還流温度で実行されることを特徴とする、請求項1〜5記載の方法。
- 工程c)における式(4)の((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−酢酸エステルの形成が、水素化触媒の存在下、1bar〜10barの水素雰囲気下でN−保護基を脱離し、これに溶媒の還流温度での閉環反応が続く、水素化分解であることを特徴とする、請求項1〜6記載の方法。
- 工程e)における式(5b)の((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−3−オキソ−酪酸の形成が、水素化触媒の存在下、1bar〜10barの水素雰囲気下で保護基R1cを脱離する、水素化分解を介して実行されることを特徴とする、請求項1〜8記載の方法。
- 式(5b)の((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−3−オキソ−酪酸が、単離されることなく反応工程f)に移行されることを特徴とする、請求項1〜9記載の方法。
- 工程f)における式(7b)の(3S,11bS)−3−((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−ピリド[2,1−a]イソキノリン−2−オン誘導体の形成が、水性ホルムアルデヒドにより20℃〜60℃の温度で実行されることを特徴とする、請求項1〜11記載の方法。
- 工程g)における式(8)の(S)−1−((2S,3S,11bS)−2−N−保護アミノ−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−2H−ピリド[2,1−a]イソキノリン−3−イル)−4−フルオロメチル−ピロリジン−2−オンの形成が、式(7b)の(3S,11bS)−3−((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−ピリド[2,1−a]イソキノリン−2−オン誘導体の還元的アミノ化により実行されることを特徴とする、請求項1〜12記載の方法。
- 還元的アミノ化が、式(7b)の(3S,11bS)−3−((S)−4−フルオロメチル−2−オキソ−ピロリジン−1−イル)−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−ピリド[2,1−a]イソキノリン−2−オン誘導体と、Ti−有機化合物の存在下でベンジルアミンと反応させ、そして形成されたイミンを還元剤で還元することにより実行されることを特徴とする、請求項13記載の方法。
- 工程h)における、式(8)の(S)−1−((2S,3S,11bS)−2−N−保護アミノ−1,3,4,6,7,11b−ヘキサヒドロ−2H−ピリド[2,1−a]イソキノリン−3−イル)−4−フルオロメチル−ピロリジン−2−オンの保護基Protの脱離、及び式(I)のピリド[2,1−a]イソキノリン誘導体の形成が、水素化触媒の存在下、1bar〜10barの水素雰囲気下で水素化分解を介して実行されることを特徴とする、請求項1〜14記載の方法。
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