JP5665145B2 - 多数個取り配線基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、個々の配線基板に個片化するための分割時や該分割前において分割溝付近からの破損や欠けや割れが生じにくく、高い信頼性を有する多数個取り配線基板、および該配線基板を確実に得るための製造方法に関する。

セラミック配線基板を多数個取りにて製造する場合、従来は、表面および裏面の少なくとも一方に導体層を形成した複数のグリーンシートを積層・圧着してグリーンシート積層体を形成し、該積層体における個々の配線基板領域間の境界に沿って刃物（金型）を一定の深さで入れて分割溝を形成し、更に焼成した後、分割溝に沿って切断することで、複数のセラミック配線基板を同時に製造していた。しかし、刃物を軟質のグリーンシート積層体に進入させた際に、該刃物の負荷により該刃物に隣接する配線基板領域の周辺部が変形する、という問題があった。

前記刃物による配線基板領域の変形や、分割溝の開口端付近に位置する突堤部をなくすため、複数のグリーンシートを積層および圧着したグリーンシート積層体を焼成したセラミック基板の表面に対しレーザ光を２回照射（走査）することで、断面ほぼＶ字形で且つ開口端付近の突堤をなくし、且つ開口部に面取りを有する分割溝を形成した分割用セラミック基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
しかし、前記のようにレーザ光の照射により形成される断面Ｖ字形状の分割溝の場合、該分割溝の最深部付近からセラミック基板の内部に向かって多数のマイクロクラックが不規則に発生する。その結果、設定した深さと異なる深さの分割溝となるため、次の焼成工程、あるいはその後のメッキ工程において、分割溝の付近から不規則な破損を生じたり、更に施される分割工程において、分割化した際に個々の配線基板に欠けや割れが生じてしまう、という問題があった。

特開２００４−２７６３８６号公報（第１〜７頁、図１〜４）

本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、分割時や該分割前において分割溝付近からの破損や欠けや割れが生じにくく、高い信頼性を有する多数個取り配線基板、および該配線基板を確実に得るための製造方法を提供する、ことを課題とする。

本発明は、前記課題を解決するため、グリーンシート積層体に対しレーザを複数回照射する際に、該レーザ光の焦点を上記積層体の表面付近に固定することで、上記積層体の内部ではレーザ光を拡げる、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明による第１の多数個取り配線基板は、複数のセラミック層を積層してなり、表面および裏面を有し、平面視で矩形を呈し且つキャビティを有する複数の配線基板部分を縦横に配列した製品領域と、該製品領域の周囲に沿って位置する耳部と、配線基板部分間の境界および配線基板部分と耳部との境界に沿って表面および裏面の少なくとも一方に形成した分割溝と、を備える多数個取り配線基板であって、上記分割溝は、長手方向と直交する断面において、該分割溝の最深部が円弧形で、且つ該最深部と溝入口との間に中間部を有し、前記最深部の幅は、上記溝入口の幅よりも大きく、上記中間部の幅は、溝入口の幅と同じかこれよりも小さい、ことを特徴とする。

また、本発明には、前記分割溝における最深部の円弧形の半径は、６μｍ以上である、多数個取り配線基板も含まれる。
更に、本発明には、前記セラミック層は、アルミナ、ムライト、ガラス−セラミック、あるいは窒化アルミニウムからなる、多数個取り配線基板も含まれる。
また、本発明には、前記製品領域において、前記キャビティを有する面に形成される前 記分割溝の最深部は、前記キャビティの底面よりも深い位置にある、多数個取り配線基板 も含まれる。
加えて、本発明には、前記製品領域において、前記キャビティを有する面に形成される 前記分割溝の最深部は、前記キャビティの底面よりも浅い位置にある、多数個取り配線基 板も含まれる。

一方、本発明による多数個取り配線基板の製造方法は、表面および裏面の少なくとも一方に導体層が形成され且つ少なくとも最上層の表面に開口するキャビティが形成された複数のグリーンシートを積層および圧着してグリーンシート積層体を形成する工程と、前記グリーンシート積層体における表面および裏面の少なくとも一方において、縦横に配列された複数の配線基板部分間の境界および該配線基板部分と耳部との境界に沿って最深部が 断面円弧形の分割溝を形成する工程と、該分割溝が形成されたグリーンシート積層体を焼成する工程と、を備え、上記分割溝を形成する工程は、グリーンシート積層体の上記表面または裏面付近に焦点を合わせたレーザ照射を、上記境界に沿って複数回走査することで行われる、ことを特徴とする。
また、本発明には、前記分割溝を形成する工程は、前記グリーンシート積層体における表面および裏面ごとに対し、該表面および裏面付近に焦点を合わせたレーザ照射を、前記境界に沿って複数回走査して行われる、多数個取り配線基板の製造方法も含まれる。
更に、本発明には、前記分割溝を形成する工程で用いるレーザは、ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＹＶＯ₄レーザ、半導体レーザ、あるいはルビーレーザである、多数個取り配線基板の製造方法も含まれる。

尚、前記配線基板部分は、表面に開口するキャビティと該キャビティを囲む当該表面に該キャビティを封止する蓋を取り付けるためのシールエリアを有し、裏面に形成したパッドなどの外部接続端子と、当該配線基板部分の内部に位置する内部配線層とを備えており、更に隣接する配線基板部分または耳部との間に配設したメッキ用接続配線を備えていても良い。
更に、前記キャビティは、平面視が矩形の底面と四辺の側面とを有している。
また、前記分割溝は、表面および裏面の少なくとも一方におけるセラミックの露出部分、あるいは導体層に沿った開口部を有している。
更に、分割溝の深さは、前記多数個取り配線基板の厚みの６０％以下である。
また、前記分割溝は、前記多数個取り配線基板の表面あるいは裏面のみに形成し、他方の面には何らの分割溝を形成しない形態や、他方の面には従来同様の断面ほぼＶ字形状の分割溝を形成した形態としても良い。
更に、前記分割溝の最深部は、該分割溝の長手方向と直交する断面において、次述する半径を含む半円形ないし円形の円弧形を呈する。
また、前記分割溝の溝入口は、前記表面に露出する該分割溝のうち、両側の平坦な一対の表面に挟まれた部分を指す。
加えて、前記分割溝の中間部は、当該分割溝の深さが前記キャビティの底面と同じか該底面よりも浅い場合には、前記溝入口と最深部との間の部分を指し、当該分割溝の深さが前記キャビティの底面よりも深い場合には、上記最深部と溝入口との間の部分で且つ上記キャビティの底面よりも深い部分も含む。

前記第１の多数個取り配線基板によれば、前記配線基板部分間の境界および配線基板部分と耳部との境界に沿って表面および裏面の少なくとも一方に形成され、平面視が格子形状を呈する分割溝は、それらの長手方向と直交する最深部の断面が円弧形であり、該最深部と溝入口との間に中間部を有し、最深部の幅は、上記溝入口の幅よりも大きく、上記中間部の幅は、溝入口の幅と同じかこれよりも小さくなるような断面全体がいわゆる滴（しずく）形状を呈している。これにより、当該分割溝は、レーザ照射などで生じるセラミックや金属成分の微少な塵埃が再進入しにくくなると共に、個々の配線基板部分の表面および裏面における寸法精度を高められる。加えて、従来の断面がＶ字形状の分割溝のように、最も狭い最深部付近から内部に不規則に向かう多数のマイクロクラックが形成されていない。その結果、焼成工程やメッキ工程、更には分割時などにおいて、分割溝付近からの破損や欠けや割れが不用意に生じにくく、所定の位置で容易に切断することができる。従って、形状および寸法精度に優れ、高い信頼性の配線基板を提供できる。

また、前記第２の多数個取り配線基板によれば、分割溝における最深部の長手方向に沿った断面が半径６μｍ以上の円弧形であるため、従来の断面ほぼＶ字形状の分割溝の最深部付近に生じるマイクロクラックの発生が皆無であるか、あるいは著しく抑制されている。従って、分割時などにおいて、分割溝付近からの不用意な破損や欠けや割れが生じにくく、所定の位置で容易に切断して個片化することができる。尚、前記円弧形の半径は、望ましくは８μｍ以上、より望ましくは１０μｍ以上である。
更に、前記第４の多数個取り配線基板によれば、前記キャビティを囲む四辺の側壁の厚 みを比較的均一で且つ強固にできる。

一方、前記第１の製造方法によれば、グリーンシート積層体の表面あるいは裏面における配線基板部分間などの境界に沿って、焦点を該表面あるいは裏面付近に合わせたレーザ照射を複数回走査するので、レーザ光は、表面や裏面よりもその内部側でほぼ扇形状に拡大して照射される。該レーザのエネルギは、照射されたグリーンシートの内部を高温で研削および研磨するため、形成される分割溝の最深部は、長手方向に直交する断面がほぼ半円形の円弧形となる。その結果、従来の断面ほぼＶ字形状の分割溝のように、最も狭い最深部から内部に向けて多数のマイクロクラックが不規則に発生する事態を防ぐか、抑制することができる。そのため、以降の焼成工程などにおいて、不用意な割れや欠けをなくすか、抑制することができる。
しかも、溝入口や中間部（開口部）の幅よりも最深部の幅が大きな分割溝が形成されるため、セラミックや金属粉などの不用意な進入を防止でき、且つ配線基板部分ごとの表面および裏面の寸法精度を高めることにも寄与し得る。

また、前記第２の製造方法によれば、グリーンシート積層体の表面および裏面付近に焦点を合わせたレーザ照射を複数回走査して行うので、最深部の断面が円弧形状で且つ該最深部の幅が溝入口の幅や中間部（開口部）の幅よりも大きな分割溝を、表面および裏面に対し対称で、且つ対向して形成することが可能となる。
尚、前記グリーンシート積層体は、表面と裏面との少なくとも一方に配線層などの導体層が形成された２層以上のグリーンシートを積層し圧着したものである。
また、前記グリーンシート積層体における配線基板部分同士間の境界、および配線基板部分と耳部との境界には、予め仮想の切断予定面が設定されている。
更に、前記グリーンシート積層体は、矩形の金属枠の内側に張り付けられ、該金属枠と共に、例えば、移動可能なテーブルの表面に減圧吸着により固定される。
また、分割溝の全深さは、グリーンシート積層体の厚みの６０％以下である。
尚、前記グリーンシート積層体の同じ表面あるいは裏面の同じ位置に対し、前記レーザ照射を走査する回数は、レーザの条件などによって相違するが、グリーンシートに一般的な深さの分割溝を形成するには、少なくとも２回、望ましくは３回〜７回程度にわたり連続的に照射することが望ましい。

本発明による一形態の多数個取り配線基板を示す平面図。 図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図。 図１中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った部分拡大断面図など。 本発明による多数個取り配線基板の分割溝形成工程を示す部分拡大図。 図４に続く分割溝形成工程を示す部分拡大図。 図５に続く分割溝形成工程を示す拡大図と得られた分割溝の断面図。 上記分割溝形成工程の途中のグリーンシート積層体を示す平面図。 図７中のＵ−Ｕの矢視に沿った垂直断面図。 分割溝形成工程を終えた上記積層体を示す図８と同様の垂直断面図。 本発明により得られた多数個取り配線基板を示す垂直断面図。 異なる形態の多数個取り配線基板を示す垂直断面図。 更に異なる形態の多数個取り配線基板を示す垂直断面図。

以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による一形態の多数個取り配線基板１を示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図、図３は、図１中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った部分拡大断面図および同図中の一点鎖線部分Ｚの部分拡大図である。
多数個取り配線基板１は、図１，図２に示すように、例えば、アルミナ（セラミック）からなる上下２層（複数）のセラミック層ｓ１，ｓ２を積層してなり、平面視が長方形（矩形）の表面（主面）２および裏面（主面）３を有し、平面視が長方形（矩形）を呈する複数の配線基板部分４を縦横に配列した製品領域４ａと、該製品領域４ａの周囲に沿って位置する矩形枠状の耳部６と、隣接する配線基板部分４，４間の境界および配線基板部分４と耳部６との境界に沿って表面２および裏面３に対称に形成された分割溝８，９とを備えている。
尚、前記表面２および裏面３は、前記多数個取り配線基板１、配線基板部分４、および耳部６に共通している。

前記配線基板部分４は、表面２に開口し、且つ平面視が矩形の底面５ａと四辺の側面５ｂとからなるキャビティ５を有し、該キャビティ５の開口部の周辺である表面２には、平面視が矩形で且つ所定幅のシールエリアが位置し、該エリア上に封止用の導体層７が形成されている。尚、キャビティ５の底面５ａには、実装すべき電子部品と導通するパッドが形成され、下層側のセラミック層ｓ２には、これを貫通するビア導体が形成され、配線基板部分４の裏面３には、外部接続端子（何れも図示せず）が形成されている。上記導体層７やパッドなどは、ＷまたはＭｏからなる。
図２に示すように、分割溝８，９は、長手方向と直交する断面において、全体が滴（しずく）形状を呈し、図３の分割溝８で例示するように、最深部８ｂが、ほぼ半円形を含む円弧形の断面で、該最深部８ｂと溝入口８ｃとの間に中間部（開口部）８ａを有している。上記最深部８ｂの幅ｗ２は、溝入口８ｃの幅ｗ３よりも大きく、中間部８ａの幅ｗ１は、溝入口８ｃの幅ｗ３と同じかこれよりも小さい（ｗ２＞ｗ３≧ｗ１）。上記最深部８ｂの半径Ｒは、６μｍ以上である。該最深部８ｂの断面ほぼ半円形を呈する内壁面には、内部に進入するマイクロクラックがないか、あるいは極く僅かで且つ短いマイクロクラックしか形成されていない。その原因は、後述するレーザ照射による分割溝形成工程に起因している。

分割溝８，９は、図２に示すように、多数個取り配線基板１の表面２および裏面３の厚み方向で対称な姿勢で対向しており、分割溝８，９の全深さは、表面２および裏面３の厚みの約６０％となっている。尚、分割溝８の最深部８ｂ（深さ）は、キャビティ５の底面５ａよりも浅い位置にある。
以上のような多数個取り配線基板１によれば、前記配線基板部分４，４間の境界および配線基板部分４と耳部６との境界に沿って表面２および裏面３に形成され、平面視が格子形状を呈する分割溝８，９は、それらの最深部８ｂの断面が円弧形で、該最深部８ｂの幅ｗ２が、溝入口８ｃの幅ｗ３よりも大きく、中間部８ａの幅ｗ１が溝入口８ｃの幅ｗ３と同じかこれよりも小さい。これにより、従来の分割溝のように、断面がほぼＶ字形状で最も狭い最深部付近から内部に向かって多数のマイクロクラックが不規則に形成されていない。
そのため、製造時の焼成工程やメッキ工程、更には分割時において、分割溝８，９付近からの不用意な破損や欠けや割れが生じにくく、所定の位置において容易に切断できる。しかも、溝入口８ｃの幅ｗ３が最深部８ｂの幅ｗ２よりも小さいため、配線基板部分４ごとのキャビティ５を囲む表面２に位置するシールエリアの幅を大きくできるので、該エリア上に封止性の高い導体層７を容易に形成することができる。従って、形状および寸法精度に優れ、高い信頼性を有している。

以下において、前記多数個取り配線基板１の製造方法について説明する。
予め、アルミナ粉末、バインダ樹脂、および溶剤などを配合して得られたセラミックスラリをシート化して、２枚のグリーンシートｇ１，ｇ２を得た。このうち、追って下層側となるグリーンシートｇ２に設けたビアホールにＷ粉末を含む導電性ペーストを充填し、且つグリーンシートｇ１，ｇ２の表面および裏面の少なくとも一方に上記同様の導電性ペーストを印刷にて形成した。次に、上層側となるグリーンシートｇ１に平面視が長方形の貫通孔を打ち抜き加工した後、グリーンシートｇ１，ｇ２を積層および圧着してグリーンシート積層体ｇｓを得た。
次いで、上記グリーンシート積層体ｇｓを平面視で縦横方向に移動するテーブル（図示せず）の表面に減圧吸着した。該テーブルの上方には、図４の左側に示すように、軸方向が垂直であるレーザ照射ヘッド１０が昇降可能に配置してある。尚、同図中の符号５は、追ってキャビティとなるグリーンシートｇ１に設けた上記貫通孔の一部を示す。

かかる状態で、前記テーブルと共にグリーンシート積層体ｇｓを水平方向に移動することで、図４の左側に示すように、該グリーンシート積層体ｇｓにおける上層側のグリーンシートｇ１の表面２において、配線基板部分４，４間、あるいは配線基板部分４と耳部６との境界に沿って、前記ベッド１０からレーザＬを照射した。該レーザＬは、例えば、ＹＶＯ₄レーザであり、その焦点Ｆは、グリーンシートｇ１の表面２付近に当てられた。尚、レーザＬは、ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、半導体レーザ、あるいはルビーレーザなどでも良い。
その結果、図４の右側に示すように、グリーンシートｇ１の表面２に沿って長手方向と直交する断面がほぼＵ字形の小溝ｄ１が前記境界に沿って形成された。
次いで、図５の左側に示すように、上記小溝ｄ１に沿って、焦点Ｆをグリーンシートｇ１の表面２付近に当たるようにして、前記レーザＬを前記同様に照射した。同図中の二点鎖線で示すように、該レーザＬは、表面２付近の焦点Ｆで絞られた後、グリーンシートｇ１の内部では、ほぼ円錐形状に拡がっていた。その結果、図５の右側に示すように、最深部ｄ２ｂの位置が小溝ｄ１よりも深く、且つ該最深部ｄ２ｂの幅が開口部ｄ２ａの幅よりも大きな中溝ｄ２が前記小溝ｄ１に沿って形成された。

更に、図６の左側に示すように、上記中溝ｄ２に沿って、焦点Ｆをグリーンシートｇ１の表面２付近に当たるようにして、前記レーザＬを前記同様に照射した。該レーザＬも、表面２付近の焦点Ｆで絞られた後、グリーンシートｇ１の内部では、ほぼ円錐形状に拡がっていた。その結果、図６の右側に示すように、前記中溝ｄ２に沿って、最深部８ｂの位置が中溝ｄ２の最深部ｄ２ｂよりも深く、且つ該最深部８ｂの幅ｗ２が、溝入口８ｃの幅ｗ３や中間部（開口部）８ａの幅ｗ１よりも大きな分割溝８が形成された。尚、上記中間部８ａの幅ｗ１は、溝入口８ｃの幅ｗ３と同じかこれよりも小さかった。
尚、上記分割溝８は、グリーンシートｇ１に対して、前記レーザＬを少なくとも３回以上照射するように、該レーザＬを同じ回数走査することにより、所望の深さと、最深部８ｂおよび中間部８ａの断面形状と寸法にすることが可能である。

因みに、厚みが４００μｍで且つ送り速度が１６０ｍｍ／秒の前記グリーンシートｇ１に対し、５０Ｈｚおよび出力５ＷのＹＶＯ₄レーザを、焦点を上記グリーンシートｇ１の表面２に合わせたまま、同じ表面２に位置に対し、５回往復して走査しつつ照射した。
その結果、長手方向と直交する断面が円弧形で且つ深さが約２９０μｍの最深部(８ｂ)を有し、溝入口(８ｃ)の幅(ｗ３)約３０μｍ、および中間部(８ａ)の幅(ｗ１)約２０μｍよりも大きい幅(ｗ２)の最深部(８ｂ)を有する分割溝(８)を、上記グリーンシートｇ１の表面２に沿って連続して形成することができた。
前記レーザＬの照射による分割溝８を形成する工程によって、図７に示すグリーンシート積層体ｇｓの平面図、および該図７中のＵ−Ｕ線の矢視に沿った垂直断面図の図８で示すように、上記積層体ｇｓの表面２において、配線基板部分４，４間の境界、および配線基板部分４と耳部６との境界の縦（Ｙ）方向に沿って、長手方向と直交し、最深部８ｂの断面が円弧形で且つ中間部８ａや溝入口８ｃを有する複数の分割溝８が平行に形成された。尚、図７中の破線は、上記境界ごとに沿って設定された仮想の切断予定面（境界）ｃｆである。

引き続いて、前記同様のレーザＬの照射による分割溝８を形成する工程によって、上記積層体ｇｓの表面２における配線基板部分４，４間の境界、および配線基板部分４と耳部６との境界の横（Ｘ）方向に沿って、最深部８ｂの断面が円弧形で且つ中間部８ａや溝入口８ｃを有する複数の分割溝８を平行に形成した結果、平面視において格子形（前記図１と同様）の分割溝８が得られた。
更に、グリーンシート積層体ｇｓの裏面３においても、前記同様のレーザＬを照射する工程を施すことにより、図９に示すように、平面視が格子形を呈する複数の分割溝９が分割溝８と対称に形成された。
次いで、分割溝８，９が形成された前記グリーンシート積層体ｇｓを所定の温度帯で焼成した。その結果、前記図１，図２に示したように、グリーンシートｇ１，ｇ２が焼成されたセラミック層ｓ１，ｓ２を含む多数個取り配線基板１が得られた。そして、該多数個取り配線基板１は、最後に、耳部６の側面に別途形成した図示しないメッキ用電極を介して、あるいは無電解メッキにより、前記導体層７などの表面にＮｉおよびＡｕメッキ膜（何れも図示せず）を被覆された。

以上のような多数個取り配線基板１の製造方法によれば、グリーンシート積層体ｇｓの表面２および裏面３における配線基板部分４，４間などの境界に沿って、焦点Ｆを該表面２および裏面３付近に合わせたレーザ照射を複数回走査したので、レーザＬは、表面２，裏面３よりもその内部側でほぼ円錐形（扇形）状に拡大して照射された。その結果、該レーザＬのエネルギは、照射されたグリーンシートｇ１，ｇ２の内部を高温で研削および研磨した。そのため、形成される分割溝８，９の最深部８ｂ(９ｂ)は、長手方向と直交する断面がほぼ半円形の円弧形となり、該最深部８ｂ(９ｂ)の幅ｗ２が、溝入口８ｃ(９ｃ)の幅ｗ３よりも大きく、中間部８ａ(９ａ)の幅ｗ１が、上記溝入口８ｃ(９ｃ)の幅ｗ３と同じかこれよりも小さくなった。その結果、従来の断面ほぼＶ字形状の分割溝のように、最も狭い最深部から多数のマイクロクラックが不規則に発生する事態を防ぐか、あるいは抑制することができた。これに伴い、以降の焼成工程などにおいて、不用意な割れや欠けを抑制することができた。

更に、溝入口８ｃの幅ｗ３や中間部８ａの幅ｗ１よりも最深部８ｂの幅ｗ２が大きな分割溝８，９が形成されるため、セラミックや金属粉などの不用意な再進入を防止できたと共に、配線基板部分４ごとの表面２および裏面３の寸法精度を高められ、且つ配線基板部分４の表面２ごとにおいて所要幅のシールエリアを容易に確保することもできた。
しかも、図１０に示すように、表面２，裏面３の分割溝８，９の全深さは、全体の厚みの約６０％であり、断面が円弧形の最深部８ｂ，９ｂが接近しているので、個片化した際には、両者を最短距離で結ぶ切断面１２で配線基板４，４を、寸法精度良く分割することができた。

図１１は、異なる形態の多数個取り配線基板１ａを示す断面図である。
多数個取り配線基板１ａは、図１１に示すように、表面２には、前記配線基板部分４，４間、および配線基板部分４と耳部６との境界に沿って、前記同様の分割溝８が縦横に格子状に形成されているが、裏面３の上記境界に沿っては、従来の断面ほぼＶ字形の分割溝１５が縦横に格子状に形成されている。尚、かかる分割溝１５は、前記レーザＬの焦点Ｆの距離を変えず、該焦点の位置を順次深くするように、複数回走査することで形成することもできる。
かかる多数個取り配線基板１ａによっても、表面２側に形成した前記同様の分割溝８の最深部８ｂには、前述したようにマイクロクラックの発生が抑制されているため、焼成工程以降や分割工程において、不用意な割れや欠けを低減することが可能である。

図１２は、更に異なる形態の多数個取り配線基板１ｂを示す断面図である。
多数個取り配線基板１ｂは、図１２に示すように、表面２には、前記配線基板部分４，４間、および配線基板部分４と耳部６との境界に沿って、前記分割溝８と同様の断面形状を有し且つ最深部がキャビティ５の底面よりも深い分割溝１８が縦横に格子状に形成されているが、裏面３側には、分割溝は形成されていない。上記分割溝１８の深さは、上記配線基板１ｂの厚みの約５０％〜約５５％である。かかる多数個取り配線基板１ｂによっても、表面２側のみに形成した比較的深い分割溝１８には、前述したようにマイクロクラックの発生が抑制されているため、焼成工程以降や分割工程において、不用意な割れや欠けを抑制することが可能である。更に、分割溝１８の最深部がキャビティ５の底面よりも深い位置にあるため、キャビティ５を囲む四辺の側壁の厚みが比較的均一で且つ強固となる。

本発明は、以上において説明した形態に限定されるものではない。
例えば、前記セラミック層ｓ１，ｓ２は、ガラス−セラミックのような低温焼成セラミックであっても良く、この際、前記導体層５などの導体には、ＣｕやＡｇが用いられる。
また、前記多数個取り配線基板や配線基板部分の平面視の形状は、正方形であっても良い。
更に、前記多数個取り配線基板は、３層以上のセラミック層を有していても良く、且つ前記グリーンシート積層体も、３層以上のグリーンシートを積層し且つ圧着していても良い。
また、前記溝の側面には、電解メッキ用の電極が形成され、該電極と各配線基板部分４との間や配線基板部分４，４間にメッキ用接続配線が形成された形態としても良い。この形態では、前記分割溝８，９，１８は、上記メッキ用接続配線が露出しない深さで形成される。
加えて、前記レーザ照射ヘッド１０は、照射するレーザＬの焦点Ｆを常にグリーンシート積層体の表面付近に固定するための焦点維持機構、あるいはオートフォーカス手段を備えていても良い。

本発明の多数個取り配線基板によれば、個別の配線基板に分割時や該分割前において分割溝付近からの破損や欠けや割れが生じにくので、高い信頼性を得ることができる。

１，１ａ，１ｂ…多数個取り配線基板
２…………………表面
３…………………裏面
４…………………配線基板部分
４ａ………………製品領域
５…………………キャビティ
６…………………耳部
７…………………導体層
８，９，１８……分割溝
８ａ………………中間部
８ｂ………………最深部
８ｃ………………溝入口
ｇ１，ｇ２………グリーンシート
ｇｓ………………グリーンシート積層体
ｓ１，ｓ２………セラミック層
Ｌ…………………レーザ
Ｆ…………………焦点
ｗ１，ｗ２………幅
Ｒ…………………半径
ｃｆ………………切断予定面（境界）

Claims (8)

1. 複数のセラミック層を積層してなり、表面および裏面を有し、平面視で矩形を呈し且つキャビティを有する複数の配線基板部分を縦横に配列した製品領域と、該製品領域の周囲に沿って位置する耳部と、配線基板部分間の境界および配線基板部分と耳部との境界に沿って表面および裏面の少なくとも一方に形成した分割溝と、を備える多数個取り配線基板であって、
   上記分割溝は、長手方向と直交する断面において、該分割溝の最深部が円弧形で、且つ該最深部と溝入口との間に中間部を有し、
   上記最深部の幅は、上記溝入口の幅よりも大きく、上記中間部の幅は、溝入口の幅と同じかこれよりも小さい、
   ことを特徴とする多数個取り配線基板。
2. 前記分割溝における最深部の円弧形の半径は、６μｍ以上である、
   ことを特徴とする請求項１に記載の多数個取り配線基板。
3. 前記セラミック層は、アルミナ、ムライト、ガラス−セラミック、あるいは窒化アルミニウムからなる、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の多数個取り配線基板。
4. 前記製品領域において、前記キャビティを有する面に形成される前記分割溝の最深部は 、該キャビティの底面よりも深い位置にある、
   ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の多数個取り配線基板。
5. 前記製品領域において、前記キャビティを有する面に形成される前記分割溝の最深部は 、該キャビティの底面よりも浅い位置にある、
   ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の多数個取り配線基板。
6. 表面および裏面の少なくとも一方に導体層が形成され且つ少なくとも最上層の表面に開口するキャビティが形成された複数のグリーンシートを積層および圧着してグリーンシート積層体を形成する工程と、
   上記グリーンシート積層体における表面および裏面の少なくとも一方において、縦横に配列された複数の配線基板部分間の境界および該配線基板部分と耳部との境界に沿って最 深部が断面円弧形の分割溝を形成する工程と、
   上記分割溝が形成されたグリーンシート積層体を焼成する工程と、を備え、
   上記分割溝を形成する工程は、グリーンシート積層体の上記表面または裏面付近に焦点を合わせたレーザ照射を、上記境界に沿って複数回走査することで行われる、
   ことを特徴とする多数個取り配線基板の製造方法。
7. 前記分割溝を形成する工程は、前記グリーンシート積層体における表面および裏面ごとに対し、該表面および裏面付近に焦点を合わせたレーザ照射を、前記境界に沿って複数回走査して行われる、
   ことを特徴とする請求項６に記載の多数個取り配線基板の製造方法。
8. 前記分割溝を形成する工程で用いるレーザは、ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＹＶＯ₄レーザ、半導体レーザ、あるいはルビーレーザである、
   ことを特徴とする請求項６または７に記載の多数個取り配線基板の製造方法。

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