JP5962844B2 - 高分子化合物およびそれを用いた発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、高分子化合物およびそれを用いた発光素子に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子は、発光効率が高く、駆動電圧が低いことから、ディスプレイの用途に好適に使用することが可能であり、近年注目されている。この発光素子は、発光層、電荷輸送層等の有機層を備える。高分子化合物を用いることで、インクジェット印刷法に代表される塗布法により有機層を形成することができるため、発光素子の製造に用いる高分子化合物が検討されている。
発光素子の製造に用いる高分子化合物として、例えば、フルオレンから誘導される構成単位と、アリールアミンから誘導される構成単位とを含む高分子化合物が知られており、当該高分子化合物は、パラジウム触媒および塩基の存在下において、原料モノマーである有機ホウ素化合物と有機ハロゲン化合物とを縮合重合させることで製造されている（特許文献１および２）。

特表２００１−５２０２８９号公報 特表２００２−５３６４９２号公報

しかしながら、上記の特許文献１および２に記載された高分子化合物を用いて製造される発光素子は、輝度寿命が必ずしも十分ではなかった。
そこで、本発明は、輝度寿命に優れる発光素子の製造に有用な高分子化合物を提供することを目的とする。

本発明者らは、高分子化合物中に含まれる水酸基の含有量が、発光素子の輝度寿命に影響することを見出すとともに、高分子化合物中に含まれる水酸基の含有量を低減することができる製造方法を見出すことで、本発明を完成させるに至った。
本発明は、第一に、
下記式（１）で表される構成単位と、
下記式（Ｘ）で表される構成単位および／または下記式（Ｙ）で表される構成単位（但し、式（１）で表される構成単位とは異なる。）（即ち、下記式（Ｘ）で表される構成単位、下記式（Ｙ）で表される構成単位（但し、式（１）で表される構成単位とは異なる。）、または、下記式（Ｘ）で表される構成単位および下記式（Ｙ）で表される構成単位の両方）とを含む高分子化合物であって、
高分子化合物中に含まれる水酸基の含有量が０．０２ｍｏｌ％未満である高分子化合物を提供する。
［式中、Ａｒ^１は、アリーレン基を表し、この基は置換基を有していてもよい。］
［式中、
ａ^Ｘ１およびａ^Ｘ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２およびＲ^Ｘ３は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｘ２およびＲ^Ｘ３が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
［式中、Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
本発明は、第二に、
下記式（Ｍ−１）で表される化合物と、
下記式（Ｍ−Ｘ）で表される化合物および／または下記式（Ｍ−Ｙ）で表される化合物（但し、式（Ｍ−１）で表される化合物とは異なる。）（即ち、下記式（Ｍ−Ｘ）で表される化合物、下記式（Ｍ−Ｙ）で表される化合物（但し、式（Ｍ−１）で表される化合物とは異なる。）、または、下記式（Ｍ−Ｘ）で表される化合物および下記式（Ｍ−Ｙ）で表される化合物の両方）とを、
酸素濃度が０．５％未満の条件にて縮合重合する工程を含む、上記の高分子化合物の製造方法を提供する。
［式中、
Ａｒ^１、ａ^Ｘ１、ａ^Ｘ２、Ａｒ^Ｘ１、Ａｒ^Ｘ３、Ａｒ^Ｘ２、Ａｒ^Ｘ４、Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２、Ｒ^Ｘ３およびＡｒ^Ｙ１は、前記と同じ意味を表す。
Ｚ^Ｃ１、Ｚ^Ｃ２、Ｚ^Ｃ３、Ｚ^Ｃ４、Ｚ^Ｃ５およびＺ^Ｃ６は、それぞれ独立に、置換基Ａ群および置換基Ｂ群からなる群から選ばれる基を表す。］
＜置換基Ａ群＞
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、および、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１（式中、Ｒ^Ｃ１は、アルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基。
＜置換基Ｂ群＞
−Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２（式中、Ｒ^Ｃ２は、水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ２は、同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子と共に環を形成していてもよい。）で表される基、
−ＢＦ_３Ｑ′（式中、Ｑ′は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂまたはＣｓを表す。）で表される基、
−ＭｇＹ′（式中、Ｙ′は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）で表される基、
−ＺｎＹ′′（式中、Ｙ′′は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）で表される基、および、
−Ｓｎ（Ｒ^Ｃ３）_３（式中、Ｒ^Ｃ３は、水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ３は、同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子と共に環を形成していてもよい。）で表される基。
本発明は、第三に、
前記式（Ｍ−１）で表される化合物と、
前記式（Ｍ−Ｘ）で表される化合物および／または前記式（Ｍ−Ｙ）で表される化合物（但し、前記式（Ｍ−１）で表される化合物とは異なる。）（即ち、下記式（Ｍ−Ｘ）で表される化合物、下記式（Ｍ−Ｙ）で表される化合物（但し、式（Ｍ−１）で表される化合物とは異なる。）、または、下記式（Ｍ−Ｘ）で表される化合物および下記式（Ｍ−Ｙ）で表される化合物の両方）とを縮合重合する工程の後に、
下記式（２）で表される化合物と反応させる工程を含む、上記の高分子化合物の製造方法を提供する。
［式中、
Ｒ^２１は、−Ｃ（Ｒ^２２）_３で表される基、−Ｓｉ（Ｒ^２２）_３で表される基または−Ｇｅ（Ｒ^２２）_３で表される基を表す。Ｒ^２２は、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^２２は、同一でも異なっていてもよく、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。
Ｘ^２１は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。］
本発明は、第四に、
上記の高分子化合物と、
正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種類の材料とを含有する組成物を提供する。
本発明は、第五に、
陽極と、
陰極と、
陽極および陰極の間に設けられた発光層とを有する発光素子であって、
発光層が、上記の高分子化合物を用いて得られる層である発光素子を提供する。

本発明によれば、輝度寿命に優れる発光素子の製造に有用な高分子化合物を提供することができる。

図１は高分子化合物に含まれる水酸基の含有量と、規格化されたＬＴ７５（即ち、輝度が初期輝度の７５％となるまでの時間）の関係を示した図であり、発光素子Ｄ１に対する発光素子Ｄ２および発光素子ＣＤ１（発光素子Ｄ１のＬＴ７５を１．００に規格化）、発光素子Ｄ４に対する発光素子ＣＤ２（発光素子Ｄ４のＬＴ７５を１．００に規格化）、並びに、発光素子Ｄ５に対する発光素子Ｄ６、発光素子ＣＤ３、発光素子ＣＤ４および発光素子ＣＤ５（発光素子Ｄ５のＬＴ７５を１．００に規格化）をそれぞれ示した図である。なお、水酸基の含有量が０．０１ｍｏｌ％未満の高分子化合物については、水酸基の含有量を０．０１ｍｏｌ％と示した。

＜共通する用語の説明＞
以下、本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｎ−Ｂｕはｎ−ブチル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。
本明細書において、水素原子は、軽水素原子であっても重水素原子であってもよい。
「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×１０^３〜１×１０^８である重合体を意味する。高分子化合物に含まれる構成単位は、合計１００モル％である。
「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×１０^４以下の化合物を意味する。
「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。
「アルキル基」は、直鎖、分岐および環状のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常１〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。分岐および環状のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソアミル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−ｎ−プロピルヘプチル基、ｎ−デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ｎ−ヘキシルデシル基、ｎ−ドデシル基等の非置換アルキル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３−フェニルプロピル基、３−（４−メチルフェニル）プロピル基、３−（３，５−ジ−ｎ−ヘキシルフェニル）プロピル基、６−エチルオキシヘキシル基等の置換アルキル基が挙げられる。
「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０であり、より好ましくは６〜１０である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「アルコキシ基」は、直鎖、分岐および環状のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常１〜４０であり、好ましくは４〜１０である。分岐および環状のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基が挙げられる。
「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常６〜６０であり、好ましくは７〜４８である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１−アントラセニルオキシ基、９−アントラセニルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、および、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。
１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常、２〜６０であり、好ましくは４〜２０である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基等で置換された基が挙げられる。
「置換アミノ基」は、２つの置換基を有するアミノ基である。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、アリール基または１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基およびジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基が挙げられる。
「アルケニル基」は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常２〜３０であり、好ましくは３〜２０である。分岐および環状のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
「アルキニル基」は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含まないで、通常２〜２０であり、好ましくは３〜２０である。分岐および環状のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含まないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２０）で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。
［式中、ＲおよびＲ^ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。複数存在するＲおよびＲ^ａは、各々、同一でも異なっていてもよい。隣接するＲ^ａ同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］
２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜６０であり、好ましくは、３〜２０であり、より好ましくは、４〜１５である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式（Ａ−２１）〜式（Ａ−５２）で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。
［式中、ＲおよびＲ^ａは、前記と同じ意味を表す。Ｒ’は、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ’が複数複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
「架橋基」とは、加熱処理、紫外線照射処理、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成する事が可能な基であり、好ましくは、式（Ｂ−１）、（Ｂ−２）、（Ｂ−３）、（Ｂ−４）、（Ｂ−５）、（Ｂ−６）、（Ｂ−７）、（Ｂ−８）、（Ｂ−９）、（Ｂ−１０）、（Ｂ−１１）、（Ｂ−１２）、（Ｂ−１３）、（Ｂ−１４）、（Ｂ−１５）、（Ｂ−１６）または（Ｂ−１７）で表される基である。
［式中、これらの基は置換基を有していてもよい。］
「置換基」とは、フッ素原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、置換アミノ基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。
＜高分子化合物＞
本発明の高分子化合物は、前記式（１）で表される構成単位と、前記式（Ｘ）で表される構成単位および／または前記式（Ｙ）で表される構成単位（但し、式（１）で表される構成単位とは異なる。）とを含む高分子化合物であって、高分子化合物中に含まれる水酸基の含有量が０．０２ｍｏｌ％未満である高分子化合物である。
［式（１）で表される構成単位］
Ａｒ^１で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）または式（Ａ−１０）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−７）または式（Ａ−９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
式（１）で表される構成単位としては、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命がより優れるため、好ましくは式（１−１）または式（１−２）で表される構成単位である。
［式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^１は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^１同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
Ｒ^１は、好ましくは水素原子、アルキル基またはアリール基であり、より好ましくは水素原子またはアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
［式中、
Ｒ^１は前記と同じ意味を表す。
Ｘ^１は、−Ｃ（Ｒ^２）_２−、−Ｃ（Ｒ^２）＝Ｃ（Ｒ^２）−または−Ｃ（Ｒ^２）_２−Ｃ（Ｒ^２）_２−で表される基を表す。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^２は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^２同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
Ｒ^２は、好ましくはアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^２は、さらに好ましくは、アルキル基、または、水素原子の一部または全部がアルキル基で置換されたアリール基である。
Ｒ^２が、水素原子の一部または全部がアルキル基で置換されたアリール基である場合、該アルキル基同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。該アリール基としては、例えば、式（Ｂ−９）で表される基が挙げられる。
Ｘ^１において、−Ｃ（Ｒ^２）_２−で表される基中の２個のＲ^２の組み合わせは、好ましくは、双方がアルキル基、双方がアリール基、双方が１価の複素環基、または、一方がアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは、一方がアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^２は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^２）_２−で表される基としては、好ましくは式（１−Ａ１）〜（１−Ａ５）で表される基であり、より好ましくは式（１−Ａ４）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｘ^１において、−Ｃ（Ｒ^２）＝Ｃ（Ｒ^２）−で表される基中の２個のＲ^２の組み合わせは、好ましくは、双方がアルキル基、または、一方がアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｘ^１において、−Ｃ（Ｒ^２）_２−Ｃ（Ｒ^２）_２−で表される基中の４個のＲ^２は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基である。複数あるＲ^２は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^２）_２−Ｃ（Ｒ^２）_２−で表される基は、好ましくは式（１−Ｂ１）〜（１−Ｂ５）で表される基であり、より好ましくは式（１−Ｂ３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
［式中、Ｒ^２は前記と同じ意味を表す。］
式（１）で表される構成単位の合計量は、本発明の高分子化合物の安定性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは２０〜９０モル％であり、より好ましくは２５〜８０モル％であり、更に好ましくは３０〜７０モル％である
式（１）で表される構成単位としては、例えば、式（１−１１）〜（１−４６）で表される構成単位が挙げられ、式（１−１１）〜（１−３６）で表される構成単位であることが好ましい。
［式（Ｘ）で表される構成単位］
ａ^Ｘ１は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくは２以下の整数であり、より好ましくは１である。
ａ^Ｘ２は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命がより優れるので、好ましくは２以下の整数であり、より好ましくは０である。
Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２およびＲ^Ｘ３は、好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）または式（Ａ−９）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基としては、より好ましくは式（Ａ−２１）、式（Ａ−２２）または式（Ａ−２７）〜式（Ａ−４６）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表されるアリーレン基としては、特に好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−６）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）〜式（Ａ−１１）または式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。
［式中、Ｒ^ＸＸは、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
Ｒ^ＸＸは、好ましくはアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
Ａｒ^Ｘ１〜Ａｒ^Ｘ４およびＲ^Ｘ１〜Ｒ^Ｘ３で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
式（Ｘ）で表される構成単位としては、好ましくは式（Ｘ−１）〜（Ｘ−７）で表される構成単位であり、より好ましくは式（Ｘ−３）〜（Ｘ−７）で表される構成単位であり、更に好ましくは式（Ｘ−３）〜（Ｘ−６）で表される構成単位である。
［式中、Ｒ^Ｘ４およびＲ^Ｘ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、フッ素原子、１価の複素環基またはシアノ基を表し、好ましくは、水素原子またはアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｘ４は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^Ｘ５は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｘ５同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
式（Ｘ）で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．１〜５０モル％であり、より好ましくは１〜４０モル％であり、更に好ましくは５〜３０モル％である。
式（Ｘ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｘ１−１）〜（Ｘ１−１９）で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式（Ｘ１−６）〜（Ｘ１−１４）で表される構成単位である。
本発明の高分子化合物において、式（Ｘ）で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
［式（Ｙ）で表される構成単位］
式（Ｙ）で表される構成単位は、式（１）で表される構成単位とは異なるため、式（Ｙ）におけるＡｒ^Ｙ１がアリーレン基である場合、当該アリーレン基は、式（１）におけるＡｒ^１で表されるアリーレン基と異なるアリーレン基となる。
Ａｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−６）、式（Ａ−１１）、式（Ａ−１３）または式（Ａ−１９）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１１）または式（Ａ−１３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｙ１で表される２価の複素環基としては、より好ましくは式（Ａ−２４）、式（Ａ−３０）、式（Ａ−３３）、式（Ａ−３５）、式（Ａ−３８）または式（Ａ−４０）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−２４）、式（Ａ−３０）、式（Ａ−３８）または式（Ａ−４０）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
Ａｒ^Ｙ１で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−３）〜（Ｙ−７）で表される構成単位が挙げられ、本発明の高分子化合物の電子輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ−３）または（Ｙ−４）で表される構成単位であり、正孔輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ−５）〜（Ｙ−７）で表される構成単位である。
［式中、
Ｒ^Ｙ１は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｙ１同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。
Ｒ^Ｙ３は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
Ｒ^Ｙ１は、好ましくは水素原子、アルキル基またはアリール基であり、より好ましくは水素原子であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^Ｙ３は、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｙ３は、さらに好ましくは、水素原子の一部または全部がアルキル基で置換されたアリール基である。
［式中、
Ｒ^Ｙ１は前記を同じ意味を表す。
Ｒ^Ｙ４は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
Ｒ^Ｙ４は、好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（１−１１）〜（１−４６）で表される構成単位および式（Ｙ−１１）〜（Ｙ−１９）で表される構成単位が挙げられ、式（１−３７）〜（１−４６）で表される構成単位または式（Ｙ−１１）〜（Ｙ−１９）で表される構成単位であることが好ましい。
式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１がアリーレン基である構成単位は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命がより優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜８０モル％であり、より好ましくは３０〜６０モル％である。
式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１が２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜３０モル％であり、より好ましくは３〜４０モル％である。
式（Ｙ）で表される構成単位は、高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
本発明の高分子化合物としては、例えば、表１の高分子化合物Ｐ−１０１〜Ｐ−１０３が挙げられる。ここで、「その他」の構成単位とは、式（１）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位および式（Ｙ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。
［表中、ｐ、ｑ、ｒおよびｓは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝１００であり、かつ、１００≧ｐ＋ｑ＋ｒ≧７０である。その他の構成単位とは、式（１）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位および式（Ｙ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。］
本発明の高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれかであってもよいし、その他の態様であってもよい。
［水酸基の含有量］
高分子化合物中に含まれる水酸基の含有量とは、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対する、水酸基を有する構成単位の量であり、ｍｏｌ％で表される。高分子化合物中に含まれる水酸基の含有量は、例えば、プロトンＮＭＲにより測定することができる。
プロトンＮＭＲのスペクトルと、高分子化合物の合成に用いた原料モノマーの構造から、高分子化合物の合成中に発生した水酸基を有する構成単位を同定するとともに、その含有量を定量することができるためである。
プロトンＮＭＲでは、通常、水酸基のプロトンを直接観測することができるが、水酸基のプロトンのピークが他のプロトンのピークと重なる場合、高分子化合物の合成に用いた原料モノマーの構造から、水酸基を有する構成単位を推定するとともに、水酸基が結合している炭素原子に対するオルト位の炭素原子に結合しているプロトンのピークを測定したプロトンＮＭＲのスペクトルから、高分子化合物の合成中に発生した水酸基を有する構成単位を同定するとともに、その含有量を定量することができる。
本発明の高分子化合物中に含まれる水酸基の含有量は０．０２ｍｏｌ％未満であり、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命がより優れるので、０．０１ｍｏｌ％未満であることが好ましい。
［各原子、基の含有量］
本発明の高分子化合物中に含まれる塩素原子の含有量は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命がより優れるので、重量基準で、１０ｐｐｍ未満であることが好ましく、５ｐｐｍ未満であることがより好ましい。
本発明の高分子化合物中に含まれる臭素原子の含有量は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命がより優れるので、重量基準で、１０ｐｐｍ未満であることが好ましく、５ｐｐｍ未満であることがより好ましい。
本発明の高分子化合物中に含まれるヨウ素原子の含有量は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命がより優れるので、重量基準で、１０ｐｐｍ未満であることが好ましく、５ｐｐｍ未満であることがより好ましい。
本発明の高分子化合物中に含まれるパラジウム原子の含有量は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命がより優れるので、重量基準で、１００ｐｐｍ未満であることが好ましく、５０ｐｐｍ未満であることがより好ましく、１０ｐｐｍ未満であることが更に好ましい。本発明の高分子化合物中に含まれるパラジウム原子とは、高分子化合物とは別分子として含まれるものであっても、高分子化合物中に含まれる構成単位が有するものであっても、配位結合等を介して高分子化合物に取り込まれたものであってもよい。
本発明の高分子化合物中に含まれるリン原子の含有量は、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命がより優れるので、重量基準で、１００ｐｐｍ未満であることが好ましく、５０ｐｐｍ未満であることがより好ましく、１０ｐｐｍ未満であることが更に好ましい。本発明の高分子化合物中に含まれるリン原子とは、高分子化合物とは別分子として含まれるものであっても、高分子化合物中に含まれる構成単位が有するものであっても、配位結合等を介して高分子化合物に取り込まれたものであってもよい。
本発明の高分子化合物中に含まれる−ＮＨ_２で表される基の含有量、−ＮＨＲ^Ｚで表される基の含有量（Ｒ^Ｚは、置換基を表す。）、および、−ＮＨ−で表される基の含有量は、それぞれ、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命がより優れるので、０．１ｍｏｌ％未満であることが好ましく、０．０２ｍｏｌ％未満であることがより好ましく、０．０１ｍｏｌ％未満であることが更に好ましい。
高分子化合物中に含まれる−ＮＨ_２で表される基の含有量、−ＮＨＲ^Ｚで表される基の含有量、および、−ＮＨ−で表される基の含有量とは、それぞれ、高分子化合物に含まれる構成単位の合計に対する、−ＮＨ_２で表される基を有する構成単位の量、−ＮＨＲ^Ｚで表される基を有する構成単位の量、および、−ＮＨ−で表される基を有する構成単位の量であり、ｍｏｌ％で表される。高分子化合物中に含まれる−ＮＨ_２で表される基の含有量、−ＮＨＲ^Ｚで表される基の含有量、および、−ＮＨ−で表される基の含有量は、例えば、プロトンＮＭＲにより測定することができる。測定方法は、上述した水酸基の含有量の測定方法と同様である。
＜高分子化合物の製造方法＞
次に、本発明の高分子化合物の製造方法について説明する。
本発明の高分子化合物は、例えば、下記式（Ｍ−１）で表される化合物と、下記式（Ｍ−Ｘ）で表される化合物および／または下記式（Ｍ−Ｙ）で表される化合物（但し、式（Ｍ−１）で表される化合物とは異なる。）とを、酸素濃度が体積基準で０．５％未満の条件にて縮合重合することにより製造することができる（以下、「本発明の高分子化合物の第１の製造方法」ともいう。）。
本明細書において、本発明の高分子化合物の製造に使用される化合物を総称して、「原料モノマー」ということがある。
本発明の高分子化合物の製造方法において、高分子化合物中に含まれる水酸基の含有量をより低減することができるため、酸素濃度は体積基準で、０．２％未満であることが好ましく、０．０５％未満であることがより好ましい。
また、本発明の高分子化合物は、例えば、前記式（Ｍ−１）で表される化合物と、前記式（Ｍ−Ｘ）で表される化合物、前記式（Ｍ−Ｙ）で表される化合物、または、前記式（Ｍ−Ｘ）で表される化合物および前記式（Ｍ−Ｙ）で表される化合物の両方（即ち、前記式（Ｍ−Ｘ）で表される化合物および／または前記式（Ｍ−Ｙ）で表される化合物）とを縮合重合する工程の後に、下記式（２）で表される化合物と反応させることでも製造することができる（以下、「本発明の高分子化合物の第２の製造方法」ともいう。）。
Ｒ^２１は、式（２）で表される化合物の入手が容易であるため、−Ｃ（Ｒ^２２）_３で表される基または−Ｓｉ（Ｒ^２２）_３で表される基であることが好ましく、−Ｃ（Ｒ^２２）_３で表される基であることがより好ましい。
Ｒ^２２は、式（２）で表される化合物の入手が容易であるため、アルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、アルキル基またはアリール基であることがより好ましく、アルキル基であることがさらに好ましい。
式（２）で表される化合物としては、例えば、ヨウ化メチル、塩化プロピル、塩化−ｔ−ブチル、臭化ヘキシル、塩化ベンジル、塩化トリフェニルメタン等の炭素系の化合物；塩化トリメチルシリル、塩化トリエチルシリル、塩化トリプロピルシリル、塩化トリフェニルシリル等のケイ素系の化合物；塩化トリメチルゲルマニウム、塩化トリフェニルゲルマニウム等のゲルマニウム系の化合物が挙げられる。
炭素系の化合物としては、塩化プロピル、臭化ヘキシル、塩化−ｔ−ブチルまたは塩化トリフェニルメタンが好ましく、塩化プロピルまたは塩化−ｔ−ブチルがより好ましい。
ケイ素系化合物としては、塩化トリメチルシリル、塩化トリエチルシリルまたは塩化トリプロピルシリルが好ましく、塩化トリメチルシリルまたは塩化トリエチルシリルがより好ましい。
本発明の高分子化合物の製造方法において、本発明の高分子化合物を用いて得られる発光素子の輝度寿命がより優れるため、縮合重合は、酸化重合、山本重合、鈴木重合またはＳｔｉｌｌｅ重合であることが好ましく、山本重合、鈴木重合またはＳｔｉｌｌｅ重合であることがより好ましく、鈴木重合であることが更に好ましい。
−Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２で表される基としては、下記式で表される基が例示される。
置換基Ａ群から選ばれる基を有する化合物と置換基Ｂ群から選ばれる基を有する化合物とは、公知のカップリング反応により縮合重合して、置換基Ａ群から選ばれる基および置換基Ｂ群から選ばれる基と結合する炭素原子同士が結合する。そのため、置換基Ａ群から選ばれる基を２個有する化合物と、置換基Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物を公知のカップリング反応に供すれば、縮合重合により、これらの化合物の縮合重合体を得ることができる。
縮合重合は、通常、触媒、塩基および溶媒の存在下で行なわれるが、必要に応じて、相間移動触媒を共存させて行ってもよい。
触媒としては、例えば、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（ジシクロペンチル（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィンパラジウム、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、［トリス（ジベンジリデンアセトン）］ジパラジウム、パラジウムアセテート等のパラジウム錯体、ニッケル［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ジクロロニッケル、［ビス（１，４−シクロオクタジエン）］ニッケル等のニッケル錯体等の遷移金属錯体；これらの遷移金属錯体が、更にトリフェニルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン、ジシクロペンチル（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィン、ジフェニルホスフィノプロパン、ビピリジル等の配位子を有する錯体が挙げられる。触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
触媒の使用量は、原料モノマーのモル数の合計に対する遷移金属の量として、通常、０．００００１〜３モル当量である。
塩基および相間移動触媒としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基；フッ化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等の有機塩基；塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム等の相間移動触媒が挙げられる。塩基および相間移動触媒は、それぞれ、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
塩基および相間移動触媒の使用量は、それぞれ、原料モノマーの合計モル数に対して、通常０．００１〜１００モル当量である。
溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の有機溶媒、水が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
溶媒の使用量は、通常、原料モノマーの合計１００重量部に対して、１０〜１０００００重量部である。
縮合重合の反応温度は、通常−１００〜２００℃である。縮合重合の反応時間は、通常１時間以上である。
重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独、または組み合わせて行う。高分子化合物の純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。
本発明の高分子化合物の第１の製造方法において、原料モノマーを酸素濃度が０．５％未満の条件にて縮合重合する工程の後に、アルミナ処理または銅塩処理を行うことで、高分子化合物中水酸基の含有量をさらに低減させてもよい。
本発明の高分子化合物の第２の製造方法において、式（２）で表される化合物と反応させる工程の後に、アルミナ処理または銅塩処理を行うことで、高分子化合物中水酸基の含有量をさらに低減させてもよい。
アルミナ処理は、高分子化合物を溶媒に溶解させた溶液を、アルミナに通液させるという処理である。
高分子化合物を溶解させる溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の有機溶媒、水が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
高分子化合物を溶媒に溶解させた溶液を通液させるアルミナは、酸性のアルミナ、塩基性のアルミナおよび中性のアルミナのいずれであってもよい。アルミナは、一種単独で用いても、二種以上を併用してもよい。
アルミナの中心粒径は、１００００μｍ以下であることが好ましく、５０００μｍ以下であることがより好ましく、１〜５００μｍであることが更に好ましい。
アルミナの量は、溶液に含有される高分子化合物１００重量部に対して、０．１〜１００００重量部であることが好ましく、０．５〜１０００重量部であることがより好ましく、１〜１００重量部であることが更に好ましい。
高分子化合物を溶媒に溶解させた溶液をアルミナに通液させる方法としては、例えば、溶液とアルミナとを混合させた後に濾過する方法、容器に充填したアルミナに溶液を通液させる方法が挙げられる。高分子化合物を溶媒に溶解させた溶液をアルミナに通液させる回数は、１回でも２回以上でもよい。
アルミナに通液させる際の、高分子化合物を溶媒に溶解させた溶液の温度は、溶媒の凝固点以上、沸点以下であればよく、−１０〜２００℃であることが好ましく、−５〜１００℃であることがより好ましく、０〜６０℃であることが更に好ましい。
銅塩処理は、高分子化合物を溶媒に溶解させた溶液に、銅塩を加え、攪拌するという処理である。銅塩と添加剤とを加えてもよい。銅塩と添加剤とを加える場合、溶液に同時に加えてもよく、銅塩を加えた後、添加剤を加えてもよい。
高分子化合物を溶解させる溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の有機溶媒、水が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
高分子化合物を溶媒に溶解させた溶液に加える銅塩としては、例えば、ＣｕＦ、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、Ｃｕ（ＯＴｆ）、Ｃｕ_２ＳＯ_４、ＣｕＮＯ_３、ＣｕＯＣＯＣＨ_３、ＣｕＯＣＯＣＦ_３、ＣｕＯＨ、Ｃｕ（ａｃａｃ）、Ｃｕ_２ＯＣｕＦ_２、ＣｕＣｌ_２、ＣｕＢｒ_２、ＣｕＩ_２、Ｃｕ（ＯＴｆ）_２、ＣｕＯ、ＣｕＳＯ_４、Ｃｕ（ＮＯ_３）_２、Ｃｕ（ＯＣＯＣＨ_３）_２、Ｃｕ（ＯＣＯＣＦ_３）_２、Ｃｕ（ＯＨ）_２、Ｃｕ（ａｃａｃ）_２が挙げられ、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、ＣｕＣｌ_２、ＣｕＢｒ_２またはＣｕＩ_２が好ましく、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒまたはＣｕＩがより好ましい。ここで、「ＯＴｆ」は、−ＯＳＯ_２ＣＦ_３で表される基を意味し、「ａｃａｃ」は、ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＣＨ_３で表される配位子を意味する。銅塩は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
高分子化合物を溶媒に溶解させた溶液に、銅塩とともに加えてもよい添加剤としては、例えば、ピリジン、トリメチルアミン、トリブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ジメチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ−エチル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリメチルエチレンジアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１、３−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルエチレンジアミン、１，２−ビス（Ｎ−メチルピペリジノ）エタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｎ−ヘキシルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−アミルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１、２−シクロヘキサンジアミン、２−（５−ピペリジノエチル）ピリジン、イミダゾール、ピラゾール、ジフェニルメタンアミンが挙げられ、ピリジン、ジイソプロピルエチルアミン、ジメチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１、３−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルエチレンジアミン、１，２−ビス（Ｎ−メチルピペリジノ）エタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−アミルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１、２−シクロヘキサンジアミン、２−（５−ピペリジノエチル）ピリジン、イミダゾールまたはジフェニルメタンアミンが好ましく、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１、３−プロパンジアミン、１，２−ビス（Ｎ−メチルピペリジノ）エタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１、２−シクロヘキサンジアミン、２−（５−ピペリジノエチル）ピリジンまたはジフェニルメタンアミンがより好ましく、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、２−（５−ピペリジノエチル）ピリジンまたはジフェニルメタンアミンが更に好ましい。添加剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
銅塩処理において、高分子化合物を溶媒に溶解させた溶液に銅塩を加えた後、２００℃以下で加熱してもよく、４０℃〜１５０℃で加熱することが好ましく、５０℃〜１００℃で加熱することがより好ましい。
＜組成物＞
本発明の組成物は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料と、本発明の高分子化合物とを含有する。
本発明の高分子化合物および溶媒を含有する組成物（以下、「インク」ということがある。）は、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の印刷法を用いた発光素子の作製に好適である。
インクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりを防止するために、好ましくは２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓである。
インクに含まれる溶媒は、該インク中の固形分を溶解または均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒としては、例えば、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、４−メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
インクにおいて、溶媒の配合量は、本発明の高分子化合物１００重量部に対して、通常、１０００〜１０００００重量部であり、好ましくは２０００〜２００００重量部である。
［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、高分子化合物が好ましく、架橋基を有する高分子化合物がより好ましい。
高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体；側鎖または主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレンおよびその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノン等が挙げられ、好ましくはフラーレンである。
本発明の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、本発明の高分子化合物１００重量部に対して、通常、１〜４００重量部であり、好ましくは５〜１５０重量部である。
正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレン、および、ジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、および、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。
本発明の組成物において、電子輸送材料の配合量は、本発明の高分子化合物１００重量部に対して、通常、１〜４００重量部であり、好ましくは５〜１５０重量部である。
電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
［正孔注入材料および電子注入材料］
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料および電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン、および、ポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；式（Ｘ）で表される基を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。
本発明の組成物において、正孔注入材料および電子注入材料の配合量は、各々、本発明の高分子化合物１００重量部に対して、通常、１〜４００重量部であり、好ましくは５〜１５０重量部である。
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
［イオンドープ］
正孔注入材料または電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×１０^−５Ｓ／ｃｍ〜１×１０^３Ｓ／ｃｍである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。
ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。
ドープするイオンは、一種のみでも二種以上でもよい。
［発光材料］
発光材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、ナフタレンおよびその誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリレンおよびその誘導体、並びに、イリジウム、白金またはユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式（Ｘ）で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。
発光材料は、低分子化合物および高分子化合物を含んでいてもよく、好ましくは、三重項発光錯体および高分子化合物を含む。
三重項発光錯体としては、式Ｉｒ−１〜Ｉｒ−３で表される金属錯体等のイリジウム錯体が好ましい。
［式中、
Ｒ^Ｄ１〜Ｒ^Ｄ８およびＲ^Ｄ１１〜Ｒ^Ｄ２０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
−Ａ^Ｄ１−−−Ａ^Ｄ２−は、アニオン性の２座配位子を表し、Ａ^Ｄ１およびＡ^Ｄ２は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子または窒素原子を表す。
ｎ_Ｄ１は、１、２または３を表し、ｎ_Ｄ２は、１または２を表す。］
式Ｉｒ−１で表される三重項発光錯体において、Ｒ^Ｄ１〜Ｒ^Ｄ８の少なくとも１つは、好ましくは、式（Ｄ−Ａ）で表される基である。
［式中、
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２およびｍ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^ＤＡ１は、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２およびＡｒ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２およびＡｒ^ＤＡ３が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡ２およびＴ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２およびｍ^ＤＡ３は、通常１０以下の整数であり、５以下の整数であることが好ましく、０または１であることがより好ましい。ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２およびｍ^ＤＡ３は、同一の整数であることが好ましい。
Ｇ^ＤＡ１は、好ましくは式（ＧＤＡ−１１）〜（ＧＤＡ−１５）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
［式中、
＊１、＊２および＊３は、各々、Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２およびＡｒ^ＤＡ３との結合を表す。
Ｒ^ＤＡは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＡが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
Ｒ^ＤＡは、好ましくは水素原子、アルキル基またはアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子またはアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２およびＡｒ^ＤＡ３は、好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）〜（ＡｒＤＡ−３）で表される基である。
［式中、
Ｒ^ＤＡは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^ＤＢは、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＢが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
Ｒ^ＤＢは、好ましくはアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基または１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｔ^ＤＡ２およびＴ^ＤＡ３は、好ましくは式（ＴＤＡ−１）〜（ＴＤＡ−３）で表される基である。
［式中、Ｒ^ＤＡおよびＲ^ＤＢは、前記と同じ意味を表す。］
式Ｉｒ−２において、好ましくはＲ^Ｄ１１〜Ｒ^Ｄ２０の少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基である。
式Ｉｒ−３において、好ましくはＲ^Ｄ１〜Ｒ^Ｄ８およびＲ^Ｄ１１〜Ｒ^Ｄ２０の少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基である。
式（Ｄ−Ａ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ａ１）〜（Ｄ−Ａ３）で表される基である。
［式中、
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２およびＲ^ｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ１およびＲ^ｐ２が複数個存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数存在するｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
ｎｐ１は、好ましくは０または１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２およびＲ^ｐ３は、好ましくはアルキル基である。
−Ａ^Ｄ１−−−Ａ^Ｄ２−で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。
［式中、＊は、Ｉｒと結合する部位を表す。］
式Ｉｒ−１で表される金属錯体としては、好ましくは式Ｉｒ−１１〜Ｉｒ−１３で表される金属錯体である。式Ｉｒ−２で表される金属錯体としては、好ましくは式Ｉｒ−２１で表される金属錯体である。式Ｉｒ−３で表される金属錯体としては、好ましくは式Ｉｒ−３１〜Ｉｒ−３３で表される金属錯体である。
［式中、Ｄは、式（Ｄ−Ａ）で表される基を表す。ｎ_Ｄ２は、１または２を表す。］
三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。
本発明の組成物において、発光材料の含有量は、本発明の高分子化合物１００重量部に対して、通常、０．１〜４００重量部である。
［酸化防止剤］
酸化防止剤は、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶であり、発光および電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。
本発明の組成物において、酸化防止剤の配合量は、本発明の高分子化合物１００重量部に対して、通常、０．００１〜１０重量部である。
酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
＜膜＞
膜は、本発明の高分子化合物を含有する。
膜には、本発明の高分子化合物を架橋により溶媒に対して不溶化させた、不溶化膜も含まれる。不溶化膜は、本発明の高分子化合物を加熱、光照射等の外部刺激により架橋させて得られる膜である。不溶化膜は、溶媒に実質的に不溶であるため、発光素子の積層化に好適に使用することができる。
膜を架橋させるための加熱の温度は、通常、２５〜３００℃であり、発光効率が良好になるので、好ましくは５０〜２５０℃であり、より好ましくは１５０〜２００℃である。
膜を架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。
膜は、発光素子における正孔輸送層または発光層として好適である。
膜は、インクを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法により作製することができる。
膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜１０μｍである。
＜発光素子＞
本発明の発光素子は、陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に設けられた発光層とを有する発光素子であって、発光層が本発明の高分子化合物を用いて得られる層である発光素子であり、当該発光素子には、例えば、本発明の高分子化合物を含む発光素子、本発明の高分子化合物が分子内、分子間、または、それらの両方で架橋した発光素子がある。
［層構成］
発光層のほかに、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層および電子注入層は、本発明の高分子化合物を用いて得られる層であってもよく、本発明の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命がより優れるため、正孔輸送層は、本発明の高分子化合物を用いて得られる層であることが好ましい。これらの層は、各々、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含む。これらの層は、各々、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させ、インクを調製して用い、上述した膜の作製と同じ方法を用いて形成することができる。
本発明の発光素子は、正孔注入性および正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層および正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性および電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層および電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。
正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層、および、電子注入層の材料としては、本発明の高分子化合物の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料、および、電子注入材料が挙げられる。
正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料、および、発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層、および、発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。
本発明の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。
積層する層の順番、数、および、厚さは、発光効率および素子寿命を勘案して調整すればよい。
［基板／電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明または半透明であることが好ましい。
陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）；ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅である。
陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイトおよびグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
陽極および陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。
［用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、または、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源、および、表示装置としても使用できる。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本実施例において、高分子化合物の合成には、表２および３に示す化合物を原料モノマーとして用いた。それぞれの化合物は、表２および３に示す参考文献、並びに、合成例１に記載の方法に従って合成した。
＜合成例１＞Ｑ−１０の合成
（Ｓｔａｇｅ１：化合物Ｑ−１０ｂの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｑ−１０ａ（１１７．６ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン（１０７．２ｇ）およびジクロロメタン（１１７０ｍＬ）を加え、攪拌した。得られた溶液を氷浴により冷却した後、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（１９８．０ｇ）を１時間かけて滴下した。その後、氷浴を外し、１．５時間攪拌した。その後、得られた溶液を氷浴により再度冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、分液により有機層（有機層１）と水層を得た。得られた水層にヘキサンを加え抽出することにより得られた有機層と、有機層１とを合一してから、イオン交換水、飽和食塩水で順次洗浄した。得られた有機層をシリカゲルショートカラムで精製した後に、減圧濃縮することにより、化合物Ｑ−１０ｂを含む褐色液体（２００ｇ）を得た。
（Ｓｔａｇｅ２：化合物Ｑ−１０ｃの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｑ−１０ｂを含む褐色液体（１００ｇ）、［１，１′−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド ジクロロメタン付加物（ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）・ＣＨ_２Ｃｌ_２、１．２ｇ）およびテトラヒドロフラン（１０００ｍＬ）を加えた。その後、攪拌しながら５５℃まで昇温した。そこへ、２ｍｏｌ／Ｌ濃度のｎ−ブチルマグネシウムクロリドのテトラヒドロフラン溶液（４１．３ｇ）を５５℃にて滴下した後、５５℃で３．５時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた。得られた有機層を、イオン交換水、飽和食塩水で順次洗浄した。その後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。得られた油状物を減圧蒸留により精製することにより、化合物Ｑ−１０ｃを無色液体として得た（２０ｇ）。収率は３０％であった。得られた化合物Ｑ−１０ｃのＧＣ（ガスクロマトグラフィ）面積百分率値は９８％を示した。この操作を繰り返し行うことにより、化合物Ｑ−１０ｃの必要量を得た。
（Ｓｔａｇｅ３：化合物Ｑ−１０ｅの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｑ−１０ｃ（９７．３ｇ）、化合物Ｑ−１０ｄ（５０．０ｇ）、トルエン（１．５Ｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（２．６４ｇ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンテトラフルオロボレート塩（１．６７ｇ）およびナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（５５．４ｇ）を加え、加熱還流下で２０時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、イオン交換水を加えた。得られた有機層を、イオン交換水、飽和食塩水で順次洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させた後、シリカゲルショートカラム（トルエン）、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン）、再結晶（トルエン／アセトニトリル）により順次精製し、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、化合物Ｑ−１０ｅ（８５．６ｇ）を白色固体として得た。収率は７７％であった。化合物Ｑ−１０ｅのＨＰＬＣ（高速液体クロマトグラフィ）面積百分率値は９９．５％以上を示した。
（Ｓｔａｇｅ４：化合物Ｑ−１０の合成）
遮光した反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｑ−１０ｅ（４５ｇ）およびジクロロメタン（７５０ｍＬ）を加えた。得られた溶液を氷浴により５℃以下まで冷却した後、Ｎ−ブロモスクシンイミド（２８．３ｇ）を５℃以下の温度にて複数回に分けて加えた。その後、氷浴を外し、一晩攪拌した。得られた反応液をジクロロメタンで希釈した後、１０重量％濃度の炭酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水、イオン交換水で順次洗浄し、シリカゲルショートカラム（ジクロロメタン）に通液した後、減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体を再結晶（トルエン／イソプロパノール）で複数回精製することにより、化合物Ｑ−１０（１９．９ｇ）を白色固体として得た。収率は３５％であった。化合物Ｑ−１０のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ_８，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．２３（ｄ，４Ｈ），６．９５（ｓ，４Ｈ），６．８８（ｓ，４Ｈ），６．７５（ｄ，４Ｈ），２．５６（ｔ，４Ｈ），１．９９（ｓ，１２Ｈ），１．６６−１．５５（ｍ，４Ｈ），１．４４−１．３２（ｍ，４Ｈ），０．９４（ｔ，６Ｈ）．
＜実施例１＞ 高分子化合物Ｐ−１の合成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物Ｑ−１（３．６４ｍｍｏｌ）、化合物Ｑ−２（８．４６ｍｍｏｌ）、化合物Ｑ−７（８．４６ｍｍｏｌ）、化合物Ｑ−９（１．９５ｍｍｏｌ）、化合物Ｑ−１１（２．６１ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（パラジウム）（３．４ｍｇ）およびトルエン（２８０ｍｌ）を加えた。その後、反応容器内の酸素濃度を体積基準で０．０１％未満に調整し、８６℃に加熱した。その後、そこへ、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（４３ｍＬ）を加え、６時間撹拌した。その後、そこへ、フェニルボロン酸（１５８ｍｇ）を加え、さらに２２時間撹拌した。
その後、室温まで冷却し、得られた反応液をトルエン（１１００ｍｌ）で希釈し、イオン交換水（６０ｍｌ））で洗浄した。得られたトルエン溶液を、１０％塩酸（６０ｍｌ）、３重量％アンモニア水（６０ｍｌ）、イオン交換水（６０ｍｌ）の順でそれぞれ２回ずつ洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。
得られたトルエン溶液をメタノール（１１Ｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させることで、高分子化合物Ｐ−１を１１．２ｇ得た。
高分子化合物Ｐ−１は、ポリスチレン換算の数平均分子量（以下、「Ｍｎ」と言う。）が５．１×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」と言う。）が１．４×１０^５であった。
なお、酸素濃度は、残存酸素計（飯島電子工業株式会社製、パックマスターＲＯ−１０３）を用いて測定し、ＭｎおよびＭｗは、高速ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィ）装置（東ソー株式会社製、ＨＬＣ−８３２０ＧＰＣ）を用いて測定した。
表４に、高分子化合物Ｐ−１の合成条件等を示す。
＜実施例２〜５および比較例１〜５＞ 高分子化合物Ｐ−２〜Ｐ−５および高分子化合物Ｃ−１〜Ｃ−５の合成
表４、５に示す化合物、触媒、並びに、塩基および相間移動触媒を用い、表４、５に示す酸素濃度（体積基準）において、高分子化合物Ｐ−１の合成と同様の方法で、高分子化合物Ｐ−２〜Ｐ−５および高分子化合物Ｃ−１〜Ｃ−５の合成を行った。
なお、表４、５中のｃａｔ１、ｃａｔ２、ＴＥＡＨ、ＴＭＡＨおよびＴＢＡＢは、それぞれ、下記の化合物を意味する。
ｃａｔ１：ジクロロビス（トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン）パラジウム
ｃａｔ２：ジクロロビス（ジシクロペンチル（２−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム
ＴＥＡＨ：２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液
ＴＭＡＨ：１４重量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液
ＴＢＡＢ：臭化テトラブチルアンモニウム
＜実施例６＞ 高分子化合物Ｐ−６の合成
高分子化合物Ｃ−１中に含有される水酸基を保護するため、水酸基のトリメチルシリル（ＴＭＳ）化を行った。
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、高分子化合物Ｃ−１（１．０ｇ）およびトルエン（１２５ｍｌ）を加えた。得られたトルエン溶液に、イミダゾール（０．３ｇ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（３．０ｇ）および塩化トリメチルシリル（０．３ｇ）を加え、室温で４時間撹拌した。得られた反応液にイオン交換水（１０ｍｌ）を加えた後、分液洗浄を行った。得られた有機層をメタノール（７００ｍｌ）に滴下し、１時間撹拌した後、固体をろ取し乾燥させることで、高分子化合物Ｐ−６を０．８ｇ得た。
高分子化合物Ｐ−６は、Ｍｎが４．０×１０^４であり、Ｍｗが１．０×１０^５であった。なお、ＭｎおよびＭｗは、高速ＧＰＣ装置（東ソー株式会社製、ＨＬＣ−８３２０ＧＰＣ）を用いて測定した。
表６に、高分子化合物Ｐ−６の分子量および反応に使用した高分子化合物を示す。
＜実施例７〜９＞ 高分子化合物Ｐ−７、Ｐ−８およびＰ−９の合成
高分子化合物Ｐ−６の合成と同様の方法で、高分子化合物Ｐ−７、Ｐ−８およびＰ−９の合成を行った。表６に、高分子化合物Ｐ−７、Ｐ−８およびＰ−９の分子量および反応に使用した高分子化合物を示す。
＜測定＞ 高分子化合物中に含まれる水酸基の含有量の測定
上記で合成されたそれぞれの高分子化合物（２０ｍｇ）を、ＴＨＦ−ｄ_８（０．７５ｍｌ）に溶解させ、プロトンＮＭＲを測定することで、高分子化合物中の水酸基の量を測定した。なお、ＮＭＲの測定には、核磁気共鳴装置（ＢＲＵＫＥＲ製、ＡＶ−６００）を用いた。
高分子化合物Ｐ−１、Ｐ−２、Ｐ−４、Ｐ−５、Ｐ−６、Ｐ−７、Ｐ−８、Ｐ−９、Ｃ−１、Ｃ−２、Ｃ−４およびＣ−５では、水酸基のプロトンを直接測定することで水酸基の含有量を測定した。具体的には、プロトンＮＭＲのスペクトルと、高分子化合物の合成に用いた原料モノマーの構造から、高分子化合物の合成中に発生した水酸基を有する構成単位を下記の構成単位と同定するとともに、その含有量を定量した。表７に、その測定結果を示す。
高分子化合物Ｐ−３、Ｐ−７およびＣ−３では、水酸基のプロトンを直接測定することができなかったため、水酸基を有する構成単位を下記の構成単位と推定するとともに、水酸基が結合している炭素原子に対するオルト位の炭素原子に結合しているプロトンのピークを測定したプロトンＮＭＲのスペクトルから、高分子化合物の合成中に発生した水酸基を有する構成単位を下記の構成単位と同定するとともに、その含有量を定量した。表７に、その測定結果を示す。
＜測定＞
高分子化合物Ｐ−１、Ｐ−２、Ｐ−３およびＰ−４について、元素分析を行うことで、高分子化合物中の塩素原子、臭素原子、パラジウム原子およびリン原子の含有量を測定した。表８に、測定結果を示す。
＜合成例１＞ 金属錯体１の合成
金属錯体１は、特開２０１２−３６３８８号公報に記載の合成法に従い合成した。
＜合成例２＞ 金属錯体２の合成
金属錯体２は、ＷＯ２００６／０６２２２６に記載の合成法に従い合成した。
＜実施例Ｄ１：発光素子Ｄ１の作製と評価＞
スパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリチオフェンスルホン酸のエチレングリコールモノブチルエーテル／水＝３／２（体積比）の混合溶液（シグマアルドリッチ社、商品名：Ｐｌｅｘｃｏｒｅ ＯＣ １２００）を用いてスピンコートにより５０ｎｍの厚さで成膜し、ホットプレート上で１７０℃、１５分間乾燥させることにより、正孔注入層を形成した。
次に、高分子化合物Ｐ−４をキシレンに溶解させ、０．７重量％のキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液を用いて、上記の正孔注入層が形成されたガラス基板上にスピンコートすることにより、厚さ２０ｎｍの高分子化合物Ｐ−４の有機薄膜を成膜した。これを、酸素濃度および水分濃度がいずれも１０ｐｐｍ以下（体積基準）の窒素ガス雰囲気中において、ホットプレート上で１９０℃、６０分間加熱することにより、不溶化有機薄膜である正孔輸送層を形成した。
次に、高分子化合物Ｐ−１をキシレンに溶解させ、１．５重量％のキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液を用いて、上記の正孔輸送層が形成されたガラス基板上にスピンコートすることにより、厚さ６０ｎｍの有機薄膜を成膜した。これを、酸素濃度および水分濃度がいずれも１０ｐｐｍ以下（体積基準）の窒素ガス雰囲気中において、ホットプレート上で１５０℃、１０分加熱乾燥させることにより、発光層を形成した。
次に、陰極として、フッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、発光素子Ｄ１を作製した。なお、真空度が、１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
発光素子Ｄ１に電圧を印加したところ、この素子から５０５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また、初期輝度３０００ｃｄ／ｍ^２で定電流駆動した際のＬＴ７５は、４．６時間であった。結果を表９に示す。
＜実施例Ｄ２：発光素子Ｄ２の作製と評価＞
実施例Ｄ１における高分子化合物Ｐ−１に代えて高分子化合物Ｐ−６を用い、１．５重量％のキシレン溶液を調製したこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして発光素子Ｄ２を作製した。
発光素子Ｄ２に電圧を印加したところ、この素子から５０５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また、初期輝度３０００ｃｄ／ｍ^２で定電流駆動した際のＬＴ７５は、４．５時間であった。結果を表９に示す。
＜実施例Ｄ３：発光素子Ｄ３の作製と評価＞
実施例Ｄ１における高分子化合物Ｐ−４に代えて高分子化合物Ｃ−４を用い、０．７重量％のキシレン溶液を調製したこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして発光素子Ｄ３を作製した。
発光素子Ｄ３に電圧を印加したところ、この素子から５０５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また、初期輝度３０００ｃｄ／ｍ^２で定電流駆動した際のＬＴ７５は、３．６時間であった。結果を表９に示す。
＜比較例ＣＤ１：発光素子ＣＤ１の作製と評価＞
実施例Ｄ１における高分子化合物Ｐ−１に代えて高分子化合物Ｃ−１を用い、１．５重量％のキシレン溶液を調製したこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして発光素子ＣＤ１を作製した。
発光素子ＣＤ１に電圧を印加したところ、この素子から５０５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また、初期輝度３０００ｃｄ／ｍ^２で定電流駆動した際のＬＴ７５は、１．０時間であった。結果を表９に示す。
＜実施例Ｄ４：発光素子Ｄ４の作製と評価＞
スパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリチオフェンスルホン酸のエチレングリコールモノブチルエーテル／水＝３／２（体積比）の混合溶液（シグマアルドリッチ社、商品名：Ｐｌｅｘｃｏｒｅ ＯＣ １２００）を用いてスピンコートにより５０ｎｍの厚さで成膜し、ホットプレート上で１７０℃、１５分間乾燥させることにより、正孔注入層を形成した。
次に、高分子化合物Ｐ−４をキシレンに溶解させ、０．７重量％のキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液を用いて、上記の正孔注入層が形成されたガラス基板上にスピンコートすることにより、厚さ２０ｎｍの高分子化合物Ｐ−４の有機薄膜を成膜した。これを、酸素濃度および水分濃度がいずれも１０ｐｐｍ以下（体積基準）の窒素ガス雰囲気中において、ホットプレート上で１９０℃、６０分間加熱することにより、不溶化有機薄膜である正孔輸送層を形成した。
次に、高分子化合物Ｐ−３／金属錯体１＝７０重量％／３０重量％となるように混合した組成物をキシレンに溶解させ、２．２重量％のキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液を用いて、上記の正孔輸送層が形成されたガラス基板上にスピンコートすることにより、厚さ８０ｎｍの有機薄膜を成膜した。これを、酸素濃度および水分濃度がいずれも１０ｐｐｍ以下（体積基準）の窒素ガス雰囲気中において、ホットプレート上で１５０℃、１０分加熱乾燥させることにより、発光層を形成した。
次に、陰極として、フッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、発光素子Ｄ４を作製した。なお、真空度が、１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
発光素子Ｄ４に電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また、初期輝度６０００ｃｄ／ｍ^２で定電流駆動した際のＬＴ７５は、３２６．２時間であった。結果を表１０に示す。
＜比較例ＣＤ２：発光素子ＣＤ２の作製と評価＞
実施例Ｄ４における高分子化合物Ｐ−３に代えて高分子化合物Ｃ−３を用い、２．２重量％のキシレン溶液を調製したこと以外は、実施例Ｄ４と同様にして発光素子ＣＤ２を作製した。
発光素子ＣＤ２に電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また、初期輝度６０００ｃｄ／ｍ^２で定電流駆動した際のＬＴ７５は、３１４．０時間であった。結果を表１０に示す。
＜実施例Ｄ５：発光素子Ｄ５の作製と評価＞
スパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリチオフェンスルホン酸のエチレングリコールモノブチルエーテル／水＝３／２（体積比）の混合溶液（シグマアルドリッチ社、商品名：Ｐｌｅｘｃｏｒｅ ＯＣ １２００）を用いてスピンコートにより５０ｎｍの厚さで成膜し、ホットプレート上で１７０℃、１５分間乾燥させることにより、正孔注入層を形成した。
次に、高分子化合物Ｐ−４をキシレンに溶解させ、０．７重量％のキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液を用いて、上記の正孔注入層が形成されたガラス基板上にスピンコートすることにより、厚さ２０ｎｍの高分子化合物Ｐ−４の有機薄膜を成膜した。これを、酸素濃度および水分濃度がいずれも１０ｐｐｍ以下（体積基準）の窒素ガス雰囲気中において、ホットプレート上で１９０℃、６０分間加熱することにより、不溶化有機薄膜である正孔輸送層を形成した。
次に、高分子化合物Ｐ−１／金属錯体２＝９５重量％／５重量％となるように混合した組成物をキシレンに溶解させ、１．９重量％のキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液を用いて、上記の正孔輸送層が形成されたガラス基板上にスピンコートすることにより、厚さ８０ｎｍの有機薄膜を成膜した。これを、酸素濃度および水分濃度がいずれも１０ｐｐｍ以下（体積基準）の窒素ガス雰囲気中において、ホットプレート上で１５０℃、１０分加熱乾燥させることにより、発光層を形成した。
次に、陰極として、フッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、発光素子Ｄ５を作製した。なお、真空度が、１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
発光素子Ｄ５に電圧を印加したところ、この素子から６２５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また、初期輝度４０００ｃｄ／ｍ^２で定電流駆動した際のＬＴ７５は、４４２．３時間であった。結果を表１１に示す。
＜実施例Ｄ６：発光素子Ｄ６の作製と評価＞
実施例Ｄ５における高分子化合物Ｐ−１に代えて高分子化合物Ｐ−６を用い、１．９重量％のキシレン溶液を調製したこと以外は、実施例Ｄ５と同様にして発光素子Ｄ６を作製した。
発光素子Ｄ６に電圧を印加したところ、この素子から６２５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また、初期輝度４０００ｃｄ／ｍ^２で定電流駆動した際のＬＴ７５は、４２３．２時間であった。結果を表１１に示す。
＜実施例Ｄ７：発光素子Ｄ７の作製と評価＞
実施例Ｄ５における高分子化合物Ｐ−４に代えて高分子化合物Ｃ−４を用い、０．７重量％のキシレン溶液を調製したこと以外は、実施例Ｄ５と同様にして発光素子Ｄ７を作製した。
発光素子Ｄ７に電圧を印加したところ、この素子から６２５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また、初期輝度４０００ｃｄ／ｍ^２で定電流駆動した際のＬＴ７５は、３８２．２時間であった。結果を表１１に示す。
＜比較例ＣＤ３：発光素子ＣＤ３の作製と評価＞
実施例Ｄ５における高分子化合物Ｐ−１に代えて高分子化合物Ｃ−１を用い、１．９重量％のキシレン溶液を調製したこと以外は、実施例Ｄ５と同様にして発光素子ＣＤ３を作製した。
発光素子ＣＤ３に電圧を印加したところ、この素子から６２５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また、初期輝度４０００ｃｄ／ｍ^２で定電流駆動した際のＬＴ７５は、１６６．２時間であった。結果を表１１に示す。
＜比較例ＣＤ４：発光素子ＣＤ４の作製と評価＞
実施例Ｄ５における高分子化合物Ｐ−１／金属錯体２＝９５重量％／５重量％に代えて高分子化合物Ｃ−２／高分子化合物Ｃ−１／金属錯体２＝５７重量％／３８重量％／５重量％を用い、１．９重量％のキシレン溶液を調製したこと以外は、実施例Ｄ５と同様にして発光素子ＣＤ４を作製した。
発光素子ＣＤ４に電圧を印加したところ、この素子から６２５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また、初期輝度４０００ｃｄ／ｍ^２で定電流駆動した際のＬＴ７５は、２５７．２時間であった。
なお、高分子化合物Ｃ−２およびＣ−１にそれぞれ含まれる水酸基の含有量と、高分子化合物Ｃ−２およびＣ−１の重量比から、発光層に含まれる高分子化合物の平均の水酸基の含有量は０．１０ｍｏｌ％となる。結果を表１１に示す。
＜比較例ＣＤ５：発光素子ＣＤ５の作製と評価＞
実施例Ｄ５における高分子化合物Ｐ−１に代えて高分子化合物Ｃ−２を用い、１．９重量％のキシレン溶液を調製したこと以外は、実施例Ｄ５と同様にして発光素子ＣＤ５を作製した。
発光素子ＣＤ５に電圧を印加したところ、この素子から６２５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また、初期輝度４０００ｃｄ／ｍ^２で定電流駆動した際のＬＴ７５は、３５８．２時間であった。結果を表１１に示す。
＜実施例Ｄ８：発光素子Ｄ８の作製と評価＞
スパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリチオフェンスルホン酸のエチレングリコールモノブチルエーテル／水＝３／２（体積比）の混合溶液（シグマアルドリッチ社、商品名：Ｐｌｅｘｃｏｒｅ ＯＣ １２００）を用いてスピンコートにより５０ｎｍの厚さで成膜し、ホットプレート上で１７０℃、１５分間乾燥させることにより、正孔注入層を形成した。
次に、高分子化合物Ｐ−４をキシレンに溶解させ、０．７重量％のキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液を用いて、上記の正孔注入層が形成されたガラス基板上にスピンコートすることにより、厚さ２０ｎｍの高分子化合物Ｐ−４の有機薄膜を成膜した。これを、酸素濃度および水分濃度がいずれも１０ｐｐｍ以下（体積基準）の窒素ガス雰囲気中において、ホットプレート上で１９０℃、６０分間加熱することにより、不溶化有機薄膜である正孔輸送層を形成した。
次に、高分子化合物Ｐ−５／金属錯体２＝９５重量％／５重量％となるように混合した組成物をキシレンに溶解させ、１．５重量％のキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液を用いて、上記の正孔輸送層が形成されたガラス基板上にスピンコートすることにより、厚さ８０ｎｍの有機薄膜を成膜した。これを、酸素濃度および水分濃度がいずれも１０ｐｐｍ以下（体積基準）の窒素ガス雰囲気中において、ホットプレート上で１５０℃、１０分加熱乾燥させることにより、発光層を形成した。
次に、陰極として、フッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、発光素子Ｄ８を作製した。なお、真空度が、１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
得られた発光素子Ｄ８に電圧を印加したところ、この素子から６２５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。また、初期輝度６０００ｃｄ／ｍ^２で定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の９０％となるまでの時間（ＬＴ９０）は、２１．９時間であった。

本発明は、輝度寿命に優れる発光素子の製造に有用な高分子化合物である。

Claims (11)

1. 下記式（Ｍ−１）で表される化合物と、
   下記式（Ｍ−Ｘ）で表される化合物および／または下記式（Ｍ−Ｙ）で表される化合物（但し、式（Ｍ−１）で表される化合物とは異なる。）とを、
   反応終了まで酸素濃度が常に０．２％未満の条件にて縮合重合する工程を含む高分子化合物の製造方法であって、
   下記式（１）で表される構成単位と、
   下記式（Ｘ）で表される構成単位および／または下記式（Ｙ）で表される構成単位（但し、式（１）で表される構成単位とは異なる。）とを含み、
   高分子化合物中に含まれる水酸基の含有量が０．０２ｍｏｌ％未満である高分子化合物の製造方法。
   ［式中、Ａｒ^１は、アリーレン基を表し、この基は置換基を有していてもよい。］
   ［式中、
   ａ^X1およびａ^X2は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ａｒ^X1およびＡｒ^X3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ^X2およびＡｒ^X4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^X2およびＡｒ^X4が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｒ^X1、Ｒ^X2およびＲ^X3は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^X2およびＲ^X3が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
   ［式中、Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
   ［式中、
   Ａｒ^１、ａ^X1、ａ^X2、Ａｒ^X1、Ａｒ^X3、Ａｒ^X2、Ａｒ^X4、Ｒ^X1、Ｒ^X2、Ｒ^X3およびＡｒ^Y1は、前記と同じ意味を表す。
   Ｚ^Ｃ１、Ｚ^Ｃ２、Ｚ^Ｃ３、Ｚ^Ｃ４、Ｚ^Ｃ５およびＺ^Ｃ６は、それぞれ独立に、置換基Ａ群および置換基Ｂ群からなる群から選ばれる基を表す。］
   
   ＜置換基Ａ群＞
   塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、および、−Ｏ−Ｓ(＝Ｏ)₂Ｒ^C1（式中、Ｒ^C1は、アルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基。
   ＜置換基Ｂ群＞
   −Ｂ(ＯＲ^C2)₂（式中、Ｒ^C2は、水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^C2は、同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子と共に環を形成していてもよい。）で表される基、
   −ＢＦ₃Ｑ'（式中、Ｑ'は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂまたはＣｓを表す。）で表される基、
   −ＭｇＹ'（式中、Ｙ'は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）で表される基、
   −ＺｎＹ''（式中、Ｙ''は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）で表される基、および、
   −Ｓｎ(Ｒ^C3)₃（式中、Ｒ^C3は、水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^C3は、同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子と共に環を形成していてもよい。）で表される基。
2. 前記式（１）で表される構成単位が、下記式（１−１）または（１−２）で表される構成単位である、請求項１に記載の高分子化合物の製造方法。
   ［式中、Ｒ¹は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ¹は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ¹同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
   ［式中、
   Ｒ¹は前記と同じ意味を表す。
   Ｘ¹は、−Ｃ(Ｒ²)₂−、−Ｃ(Ｒ²)＝Ｃ(Ｒ²)−または−Ｃ(Ｒ²)₂−Ｃ(Ｒ²)₂−で表される基を表す。Ｒ²は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ²は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ²同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
3. 前記式（Ｘ）で表される構成単位が、下記式（Ｘ−１）、（Ｘ−２）、（Ｘ−３）、（Ｘ−４）、（Ｘ−５）、（Ｘ−６）または（Ｘ−７）で表される構成単位である、請求項１または２に記載の高分子化合物の製造方法。
   
   
   
   ［式中、Ｒ^X4およびＲ^X5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、フッ素原子、１価の複素環基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^X4は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^X5は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^X5同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
4. 前記式（Ｙ）で表される構成単位が、下記式（Ｙ−３）、（Ｙ−４）、（Ｙ−５）、（Ｙ−６）または（Ｙ−７）で表される構成単位である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の高分子化合物の製造方法。
   ［式中、
   Ｒ^Y1は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y1は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Y1同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。
   Ｒ^Y3は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
   ［式中、
   Ｒ^Y1は前記と同じ意味を表す。
   Ｒ^Y4は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
5. 高分子化合物中に含まれる塩素原子の含有量が１０ｐｐｍ未満である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の高分子化合物の製造方法。
6. 高分子化合物中に含まれる臭素原子の含有量が１０ｐｐｍ未満である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の高分子化合物の製造方法。
7. 高分子化合物中に含まれるパラジウム原子の含有量が１００ｐｐｍ未満である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の高分子化合物の製造方法。
8. 高分子化合物中に含まれるリン原子の含有量が１００ｐｐｍ未満である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子化合物の製造方法。
9. 前記縮合重合する工程が、酸素濃度が０．０５％未満の条件にて縮合重合する工程である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の高分子化合物の製造方法。
10. 前記式（Ｍ−１）で表される化合物と、
    前記式（Ｍ−Ｘ）で表される化合物および／または前記式（Ｍ−Ｙ）で表される化合物（但し、式（Ｍ−１）で表される化合物とは異なる。）とを縮合重合する工程の後に、
    下記式（２）で表される化合物と反応させる工程を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の高分子化合物の製造方法。
    ［式中、
    Ｒ^２１は、−Ｃ（Ｒ^２２）_３で表される基、−Ｓｉ（Ｒ^２２）_３で表される基または−Ｇｅ（Ｒ^２２）_３で表される基を表す。Ｒ^２２は、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^２２は、同一でも異なっていてもよく、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。
    Ｘ^２１は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。］
11. 前記縮合重合が、酸化重合、山本重合、鈴木重合またはＳｔｉｌｌｅ重合である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の製造方法。