JP6143748B2 - ポリフェニレンホスト化合物 - Google Patents

ポリフェニレンホスト化合物 Download PDF

Info

Publication number
JP6143748B2
JP6143748B2 JP2014517179A JP2014517179A JP6143748B2 JP 6143748 B2 JP6143748 B2 JP 6143748B2 JP 2014517179 A JP2014517179 A JP 2014517179A JP 2014517179 A JP2014517179 A JP 2014517179A JP 6143748 B2 JP6143748 B2 JP 6143748B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phenyl
bis
light emitting
iii
iridium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2014517179A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014524909A5 (ja
JP2014524909A (ja
Inventor
チェン、シジュン
マ、リーピン
望月 周
周 望月
ライ、チエンシ
カーン、サザドゥール、ラフマン
リー、シェン
ハーディング、ブレット、ティー.
チェ、ヒョンシク
ロメロ、レベッカ
シスク、デイヴィッド、ティー.
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of JP2014524909A publication Critical patent/JP2014524909A/ja
Publication of JP2014524909A5 publication Critical patent/JP2014524909A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6143748B2 publication Critical patent/JP6143748B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D235/00Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, condensed with other rings
    • C07D235/02Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, condensed with other rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D235/04Benzimidazoles; Hydrogenated benzimidazoles
    • C07D235/18Benzimidazoles; Hydrogenated benzimidazoles with aryl radicals directly attached in position 2
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D403/00Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
    • C07D403/02Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings
    • C07D403/10Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/02Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D409/04Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F3/00Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10Triplet emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/341Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)

Description

(関連出願の相互参照)
本出願は、2011年6月22日に出願された米国特許出願第13/166,246号の優先権を主張する。該米国特許出願の開示は引用によりその全体が本明細書に組み込まれる。
(発明の分野)
本実施形態は、デバイスの発光層のためのホスト化合物に関する。
(関連技術の記載)
有機発光デバイス(OLED)は、照明用途およびディスプレイ用途において次第に重要になってきている。OLEDは、ホスト材料と該ホスト材料中に分散された発光成分とを含む放出層または発光層を含むものであり得る。OLEDにおけるホスト材料は、低い安定性、高い電荷注入障壁、および電荷の注入と移動度の不均衡という問題を有することがあり得る。このようなホスト材料に伴う潜在的欠陥は、該ホスト材料を含むものであるデバイスの低効率および短寿命の一因となり得る。
一部の実施形態は、式1:
Figure 0006143748
で表され、
式中、Cy、Cy、Cy、CyおよびCyは独立して、任意選択的に置換されているp−フェニレンであり;Cyは、任意選択的に置換されているフェニルであり;Cyは、任意選択的に置換されているフェニルまたは任意選択的に置換されているナフタレニルであり、ここで、CyおよびCyは任意選択で一体に連結されて、これらが結合しているNを含む第3の環を形成しており;Cyは、任意選択的に置換されている1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール−2−イルである化合物を包含するものである。
式1に関して、一部の実施形態では、Cy、Cy、Cy、CyおよびCyは独立して、C1〜6アルキルおよびFから独立して選択される1個または2個の置換基で任意選択的に置換されているp−フェニレンであり;Cyは、C1〜6アルキルおよびFから独立して選択される1、2または3個の置換基で任意選択的に置換されているフェニルであり;Cyは、C1〜6アルキルおよびFから独立して選択される1、2または3個の置換基で任意選択的に置換されているナフタレン−1−イルであり;Cyは、C1〜6アルキルおよびFから独立して選択される1、2、3、4または5個の置換基で任意選択的に置換されている1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール−2−イルである。
一部の実施形態は、任意選択的に置換されているペンタ(パラ−フェニレニル)化合物、たとえば、任意選択的に置換されている1−(1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール−2−イル)−[4−フェニル(ナフタレン−1−イル)アミノ]ペンタ(パラ−フェニレニル);任意選択的に置換されている1−(1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール−2−イル)−[4−(カルバゾール−9−イル)アミノ]ペンタ(パラ−フェニレニル);任意選択的に置換されている1−(1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール−2−イル)−[4−ジフェニルアミノ]ペンタ(パラ−フェニレニル);任意選択的に置換されている1−(1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール−2−イル)−[4−フェニル(ナフタレン−2−イル)アミノ]ペンタ(パラ−フェニレニル);任意選択的に置換されている1−(1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール−2−イル)−[4−ジ(4−メチルフェニル)アミノ]ペンタ(パラ−フェニレニル);などを包含するものである。
一部の実施形態は、本明細書に記載の化合物を含むものである発光デバイスを包含する。
これらおよび他の実施形態を本明細書においてさらに詳細に説明する。
図1は、本明細書に開示した化合物を含むものであるOLEDの一実施形態の模式図である。
図2は、本明細書に開示した化合物を含むものであるデバイスのエレクトロルミネセンススペクトルである。
図3は、本明細書に開示した化合物を含むものであるOLEDの一実施形態の駆動電圧の関数としての電流密度および輝度のプロットである。
図4は、本明細書に開示した化合物を含むものであるOLEDの一実施形態の輝度の関数としての電流効率および電力効率のプロットである。
特に記載のない限り、アリールなどの化合物または化学構造特徴部を「任意選択的に置換されている」という場合、これは、該特徴部が置換基を有していなくてもよく(すなわち、非置換である)、1個以上の置換基を有していてもよいことを意図する。「置換されている」特徴部は1つ以上の置換基を有する。用語「置換基」は、当業者に知られた通常の意味を有する。一部の実施形態では、置換基は、15g/mol〜50g/mol、15g/mol〜100g/mol、15g/mol〜200g/mol、15g/mol〜300g/molまたは15g/mol〜500g/molの分子量(たとえば、該置換基の原子の原子量の和)を有するものであり得る当該技術分野で知られた通常の有機部分であり得る。一部の実施形態では、置換基は、0〜30、0〜20、0〜10、または0〜5個の炭素原子;およびN、O、S、Si、F、Cl、BrまたはIから独立して選択される0〜30、0〜20、0〜10、または0〜5個のヘテロ原子を含むものである;ただし、該置換基は、C、N、O、S、Si、F、Cl、BrまたはIから選択される少なくとも1個の原子を含むものとする。置換基の例としては、限定されないが、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヘテロアルキル、ヘテロアルケニル、ヘテロアルキニル、アリール、ヘテロアリール、ヒドロキシ、アルコキシ、アリールオキシ、アシル、アシルオキシ、アルキルカルボキシレート、チオール、アルキルチオ、シアノ、ハロ、チオカルボニル、O−カルバミル、N−カルバミル、O−チオカルバミル、N−チオカルバミル、C−アミド、N−アミド、S−スルホンアミド、N−スルホンアミド、イソシアナト、チオシアナト、イソチオシアナト、ニトロ、シリル、スルフェニル、スルフィニル、スルホニル、ハロアルキル、ハロアルコキシル、トリハロメタンスルホニル、トリハロメタンスルホンアミド、アミノなどがあげられる。一部の実施形態では、2個の置換基が結合して環を形成していてもよい。一部の実施形態では、置換基は、2つ以上の構造特徴部に結合している連結基であり得、たとえば、置換基は、Cy、Cyおよび連結置換基(たとえば、アルキル、−O−、−NH−など)が三環式縮合環系(本明細書においてさらに詳細に記載している)を形成するような該連結置換基であり得る。
本明細書において言及している化学名の一部と関連している構造を以下に示す。これらの構造は、以下に示すような非置換のものであってもよく、該構造が非置換である場合は通常、水素原子で占められている任意の位置に独立して置換基が存在していてもよい。
Figure 0006143748
Figure 0006143748
本明細書で用いる場合、用語「アルキル」は、当該技術分野で一般的に理解されている通常の意味を有し、炭素と水素で構成されており、二重結合または三重結合を含まない部分が包含され得る。アルキルは線状アルキル、分枝状アルキル、シクロアルキルまたはその組合せであり得、一部の実施形態では1〜35個の炭素原子を含むものであり得る。一部の実施形態では、アルキルとしては、C1〜10線状アルキル、たとえば、メチル(−CH)、エチル(−CHCH)、n−プロピル(−CHCHCH)、n−ブチル(−CHCHCHCH)、n−ペンチル(−CHCHCHCHCH)、n−ヘキシル(−CHCHCHCHCHCH)など;C3〜10分枝状アルキル、たとえば、C(たとえば、イソプロピル)、C(たとえば、分枝状ブチル異性体)、C11(たとえば、分枝状ペンチル異性体)、C13(たとえば、分枝状ヘキシル異性体)、C15(たとえば、ヘプチル異性体)など;C3〜10シクロアルキル、たとえば、C(たとえば、シクロプロピル)、C(たとえばシクロブチル異性体、たとえば、シクロブチル、メチルシクロプロピルなど)、C(たとえばシクロペンチル異性体、たとえば、シクロペンチル、メチルシクロブチル、ジメチルシクロプロピルなど)C11(たとえば、シクロヘキシル異性体)、C13(たとえば、シクロヘプチル異性体)など;などがあげられ得る。一部の実施形態では、アルキルは、2つ以上の構造特徴部に結合している連結基であり得、たとえば、アルキルは、Cy、Cyおよび連結置換基が三環式縮合環系(以下においてさらに詳細に記載している)を形成するような該連結置換基であり得る。
本明細書で用いる場合、用語「アルコキシ」には、−O−アルキル、たとえば、−OCH、−OC、−OC(たとえばプロポキシ異性体、たとえば、イソプロポキシ、n−プロポキシなど)、−OC(たとえば、ブトキシ(butyoxy)異性体)、−OC11(たとえば、ペントキシ異性体)、−OC13(たとえば、ヘキソキシ異性体)、−OC15(たとえば、ヘプトキシ異性体)などが包含される。
式1には、式2〜24で示されるものなどの化合物が包含される。
Figure 0006143748
Figure 0006143748
Figure 0006143748
Figure 0006143748
Figure 0006143748
Figure 0006143748
Figure 0006143748
本明細書における任意の該当する式または構造図示に関して、Cyl、Cy2、Cy3、Cy4およびCy5は、独立して、任意選択的に置換されているp−フェニレンであり得る。当業者には、隣接した5つのp−フェニレン部分を有する化合物の合成では、かなりの技術的および合成的困難が提示されるが明白な有益性はないことが容易に認識されよう。したがって、本明細書に教示が示されていなくても、当業者はかかる分子立体配置を回避する傾向にある。一部の実施形態において、該p−フェニレンが置換されている場合、これは1、2、3または4個の置換基を有するものであり得る。一部の実施形態では、該p−フェニレン上の置換基の一部または全部が、0〜10個の炭素原子ならびにO、N、S、F、Cl、BrおよびIから独立して選択される0〜10個のヘテロ原子;および/または15g/mol〜500g/molの分子量を有するものであり得る。たとえば、該置換基は、C1〜10アルキル、たとえば、CH3、C2H5、C3H7、環状C3H5、C4H9、環状C4H7、C5H11、環状C5H9、C6H13、環状C6H11など;C1〜10アルコキシ;ハロ、たとえば、F、Cl、Br、I;OH;CN;NO2;C1〜6フルオロアルキル、たとえば、CF3、CF2H、C2F5など;C1〜10エステル、たとえば、−O2CCH3、−CO2CH3、−O2CC2H5、−CO2C2H5、−O2C−フェニル、−CO2−フェニルなど;C1〜10ケトン、たとえば、−COCH3、−COC2H5、−COC3H7、−CO−フェニルなど;またはC1〜10アミン、たとえば、NH2、NH(CH3)、N(CH3)2、N(CH3)C2H5などであり得る。一部の実施形態では、該p−フェニレンは、C1〜6アルキルおよびFから独立して選択される1個または2個の置換基で任意選択的に置換されている。
一部の実施形態では、Cyが:
Figure 0006143748
であり得る。
一部の実施形態では、Cyが非置換である。
一部の実施形態では、Cyが:
Figure 0006143748
であり得る。
一部の実施形態では、Cyが非置換である。
上記の任意の該当する式または構造特徴部、たとえば、式1、2、3、4、5、6、7、8、9、13、15、16、17、18および19に関して、一部の実施形態では、CyおよびCyが非置換である。
一部の実施形態では、CyとCyが連結置換基を、Cy、Cyおよび該連結置換基が三環式縮合環系を形成するように共有しているものであり得る。たとえば、−Cy−Cy−は:
Figure 0006143748
であり得る。
上記の任意の該当する式または構造図示に関して、Xは、CyをCyに連結させる任意の置換基であり得る。一部の実施形態では、CyをCyに連結させる置換基は、0〜15個の炭素原子ならびにO、N、S、F、Cl、BrおよびIから独立して選択される0〜10個のヘテロ原子;および/または15g/mol〜500g/molの分子量を有するものであり得る。
一部の実施形態では、Xが:
Figure 0006143748
であり得る。
一部の実施形態では、Xが:
Figure 0006143748
であり得る。
一部の実施形態では、Cyが:
Figure 0006143748
であり得る。
一部の実施形態では、Cyが非置換である。
一部の実施形態では、CyとCyが連結置換基を、Cy、Cyおよび該連結置換基が三環式縮合環系を形成するように共有しているものであり得る。たとえば、−Cy−Cy−は:
Figure 0006143748
であり得る。
上記の任意の該当する式または構造図示に関して、Xは、CyをCyに連結させる任意の置換基であり得る。一部の実施形態では、CyをCyに連結させる置換基は、0〜15個の炭素原子ならびにO、N、S、F、Cl、BrおよびIから独立して選択される0〜10個のヘテロ原子;および/または15g/mol〜500g/molの分子量を有するものであり得る。
一部の実施形態では、Xが:
Figure 0006143748
であり得る。
一部の実施形態では、Xが:
Figure 0006143748
であり得る。
一部の実施形態では、Cyが:
Figure 0006143748
であり得る。
一部の実施形態では、Cyが非置換である。
上記の任意の該当する式または構造特徴部、たとえば、式1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、17および19に関して、一部の実施形態では、CyおよびCyが非置換である。
一部の実施形態では、CyとCyが連結置換基を、Cy、Cyおよび該連結置換基が三環式縮合環系を形成するように共有しているものであり得る。たとえば、−Cy−Cy−は:
Figure 0006143748
であり得る。
上記の任意の該当する式または構造図示に関して、Xは、CyをCyに連結させる任意の置換基であり得る。一部の実施形態では、CyをCyに連結させる置換基は、0〜15個の炭素原子ならびにO、N、S、F、Cl、BrおよびIから独立して選択される0〜10個のヘテロ原子;および/または15g/mol〜500g/molの分子量を有するものであり得る。
一部の実施形態では、Xが:
Figure 0006143748
であり得る。
一部の実施形態では、Xが:
Figure 0006143748
であり得る。
一部の実施形態では、Cyが:
Figure 0006143748
であり得る。
一部の実施形態では、Cyが非置換である。
一部の実施形態では、CyとCyが連結置換基を、Cy、Cyおよび該連結置換基が三環式縮合環系を形成するように共有しているものであり得る。たとえば、−Cy−Cy−は:
Figure 0006143748
であり得る。
上記の任意の該当する式または構造図示に関して、Xは、CyをCyに連結させる任意の置換基であり得る。一部の実施形態では、CyをCyに連結させる置換基は、0〜15個の炭素原子ならびにO、N、S、F、Cl、BrおよびIから独立して選択される0〜10個のヘテロ原子;および/または15g/mol〜500g/molの分子量を有するものであり得る。
一部の実施形態では、Xが:
Figure 0006143748
であり得る。
一部の実施形態では、Xが:
Figure 0006143748
であり得る。
上記の任意の該当する式または構造図示に関して、Cyは、任意選択的に置換されているフェニルであり得る。一部の実施形態において、該フェニルが置換されている場合、これは1、2、3、4または5個の置換基を有するものであり得る。任意の置換基が該フェニル上に含められ得る。一部の実施形態では、該フェニル上の置換基の一部または全部が、0〜15個の炭素原子ならびにO、N、S、F、Cl、BrおよびIから独立して選択される0〜10個のヘテロ原子;および/または15g/mol〜500g/molの分子量を有するものであり得る。たとえば、該置換基は、C1〜10アルキル、たとえば、CH、C、C、環状C、C、環状C、C11、環状C、C13、環状C11など;C1〜10アルコキシ;ハロ、たとえば、F、Cl、Br、I;OH;CN;NO;C1〜6フルオロアルキル、たとえば、CF、CFH、Cなど;C1〜10エステル、たとえば、−OCCH、−COCH、−OCC、−CO、−OC−フェニル、−CO−フェニルなど;C1〜10ケトン、たとえば、−COCH、−COC、−COC、−CO−フェニルなど;またはC1〜10アミン、たとえば、NH、NH(CH)、N(CH、N(CH)C、NH−フェニルなどであり得る。一部の実施形態では、該フェニルは、C1〜6アルキルおよびFから独立して選択される1、2または3個の置換基で任意選択的に置換されている。一部の実施形態では、Cyは非置換である。
一部の実施形態では、Cyが:
Figure 0006143748
であり得る。
上記の任意の該当する式または構造図示に関して、Cyは、任意選択的に置換されているフェニルまたは任意選択的に置換されているナフタレニルであり得、ここで、CyおよびCyは任意選択で一体に連結されて、Nを含む三環式縮合環系を形成していてもよい。一部の実施形態において、該フェニルが置換されている場合、これは1、2、3、4または5個の置換基を有するものであり得る。一部の実施形態において、該ナフタレニルが置換されている場合、これは1、2、3、4、5、6または7個の置換基を有するものであり得る。任意の置換基が該フェニルまたは該ナフタレニル上に含められ得る。一部の実施形態では、該フェニルまたは該ナフタレニル上の置換基の一部または全部が、0〜15個の炭素原子ならびにO、N、S、F、Cl、BrおよびIから独立して選択される0〜10個のヘテロ原子;および/または15g/mol〜500g/molの分子量を有するものであり得る。たとえば、該置換基は、C1〜10アルキル、たとえば、CH、C、C、環状C、C、環状C、C11、環状C、C13、環状C11など;C1〜10アルコキシ;ハロ、たとえば、F、Cl、Br、I;OH;CN;NO;C1〜6フルオロアルキル、たとえば、CF、CFH、Cなど;C1〜10エステル、たとえば、−OCCH、−COCH、−OCC、−CO、−OC−フェニル、−CO−フェニルなど;C1〜10ケトン、たとえば、−COCH、−COC、−COC、−CO−フェニルなど;またはC1〜10アミン、たとえば、NH、NH(CH)、N(CH、N(CH)Cなどであり得る。一部の実施形態では、該フェニルまたは該ナフタレニルは、C1〜6アルキルおよびFから独立して選択される1、2または3個の置換基で任意選択的に置換されている。一部の実施形態では、Cyが非置換である。
一部の実施形態では、Cyが:
Figure 0006143748
であり得る。
一部の実施形態では
Figure 0006143748
が:
Figure 0006143748
であり得る。
上記の任意の該当する式または構造特徴部、たとえば、式1、10、11、12、13、14、15、16、17、18および19に関して、一部の実施形態では、CyおよびCyが非置換である。
上記の任意の該当する式または構造図示に関して、Cyは、任意選択的に置換されている1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール−2−イルであり得る。一部の実施形態において、該1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール−2−イルが置換されている場合、これは1、2、3、4、5、6、7、8または9個の置換基を有するものであり得る。任意の置換基が含められ得る。一部の実施形態では、該フェニル上の置換基の一部または全部が、0〜10個の炭素原子ならびにO、N、S、F、Cl、BrおよびIから独立して選択される0〜10個のヘテロ原子;および/または15g/mol〜500g/molの分子量を有するものであり得る。たとえば、該置換基は、C1〜10アルキル、たとえば、CH、C、C、環状C、C、環状C、C11、環状C、C13、環状C11など;C1〜10アルコキシ;ハロ、たとえば、F、Cl、Br、I;OH;CN;NO;C1〜6フルオロアルキル、たとえば、CF、CFH、Cなど;C1〜10エステル、たとえば、−OCCH、−COCH、−OCC、−CO、−OC−フェニル、−CO−フェニルなど;C1〜10ケトン、たとえば、−COCH、−COC、−COC、−CO−フェニルなど;またはC1〜10アミン、たとえば、NH、NH(CH)、N(CH、N(CH)Cなどであり得る。一部の実施形態では、Cyは、C1〜6アルキルおよびFから独立して選択される1、2または3個の置換基で任意選択的に置換されている。一部の実施形態では、Cyは非置換である。
一部の実施形態では、Cyが:
Figure 0006143748
であり得る。
上記の任意の該当する式または構造特徴部、たとえば、式1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12 13、14、15および16に関して、一部の実施形態では、CyおよびCyが非置換である。
本明細書における任意の該当する式または構造図示に関して、各Rは独立して、H;C1〜3アルキル、ハロ、OHもしくはC1〜3アルコキシから選択される1、2、3、4または5個の置換基で任意選択的に置換されているフェニル;またはC1〜12アルキル、たとえば:式C2a+1(式中、aは1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11または12である)を有する線状もしくは分枝状アルキル、たとえば:CH、C、C、C、C11、C13、C15、C17、C19、C1021など、もしくは式C2b−1(式中、bは3、4、5、6、7、8、9、10、11または12である)を有するシクロアルキル、たとえば:C、C、C、C11、C13、C15、C17、C1019などであり得る。
本明細書における任意の該当する式または構造図示に関して、各RBは独立して、H;C1〜3アルキル、ハロ、OHもしくはC1〜3アルコキシから選択される1、2、3、4または5個の置換基で任意選択的に置換されているフェニル;またはC1〜12アルキル、たとえば:式C2a+1(式中、aは1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11または12である)を有する線状もしくは分枝状アルキル、たとえば:CH、C、C、C、C11、C13、C15、C17、C19、C1021など、もしくは式C2b−1(式中、bは3、4、5、6、7、8、9、10、11または12である)を有するシクロアルキル、たとえば:C、C、C、C11、C13、C15、C17、C1019などであり得る。
上記の任意の該当する式または構造図示に関して、R、R、R、R、R、R、R、R、R、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23、R24、R25、R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37、R38、R39、およびR41(「R1〜41」)は独立して、Hまたは任意の置換基、たとえば、0〜6個の炭素原子ならびにO、N、S、F、Cl、BrおよびIから独立して選択される0〜5個のヘテロ原子を有する置換基であり得、ここで、該置換基は15g/mol〜300g/molの分子量を有するものである。任意のR1〜41の非限定的な例としては、独立して、R、F、Cl、CN、OR、CF、NO、NR、COR、CO、OCORなどがあげられ得る。一部の実施形態では、R1〜41のいずれかは独立して、H、C1〜6アルキル、たとえば、メチル、エチル、プロピル異性体、シクロプロピル、ブチル異性体、シクロブチル異性体、ペンチル異性体、シクロペンチル異性体、ヘキシル異性体、シクロヘキシル異性体など、またはC1〜6アルコキシ、たとえば、−O−メチル、−O−エチル、−O−プロピルの異性体、−O−シクロプロピル、−O−ブチルの異性体、−O−シクロブチルの異性体、−O−ペンチルの異性体、−O−シクロペンチルの異性体、−O−ヘキシルの異性体、−O−シクロヘキシルの異性体などであり得る。一部の実施形態では、R1〜41のいずれかは独立して、H、F、メチル、エチル、プロピルまたはイソプロピルであり得る。一部の実施形態では、R1〜41のいずれかはHであり得る。一部の実施形態では、R1〜41のいずれかは独立して、2つ以上の構造特徴部に結合している連結基であり得、たとえば、R1〜41のいずれかは、Cy、Cyおよび連結置換基が三環式縮合環系(本明細書においてさらに詳細に記載している)を形成するような該連結置換基であり得る。
上記の任意の該当する式または構造特徴部、たとえば、式2、3、6、7、20、21および22に関して、一部の実施形態では、R、R、R、RおよびRは独立して、H、F、メチル、エチル、プロピルまたはイソプロピルである。一部の実施形態では、R、R、R、RおよびRがHである。
上記の任意の該当する式または構造特徴部、たとえば、式4および23に関して、一部の実施形態では、R、R、RおよびRは独立して、H、F、メチル、エチル、プロピルまたはイソプロピルである。一部の実施形態では、R、R、RおよびRがHである。
上記の任意の該当する式または構造特徴部、たとえば、式6、7、8、9、20および21に関して、一部の実施形態では、R、R、R、R、R10、R11およびR12は独立して、H、F、メチル、エチル、プロピルまたはイソプロピルである。一部の実施形態では、R、R、R、R、R10、R11およびR12がHである。
上記の任意の該当する式または構造特徴部、たとえば、式6、7、20および21に関して、一部の実施形態では、R、R、R、R、R、R、R、R、R、R10、R11およびR12は独立して、H、F、メチル、エチル、プロピルまたはイソプロピルである。一部の実施形態では、R、R、R、R、R、R、R、R、R、R10、R11およびR12がHである。
上記の任意の該当する式または構造特徴部、たとえば、式3、および22に関して、一部の実施形態では、R、R、R、R、R、R、R、R、およびR10は独立して、H、F、メチル、エチル、プロピルまたはイソプロピルである。一部の実施形態では、R、R、R、R、R、R、R、R、およびR10がHである。
上記の任意の該当する式または構造特徴部、たとえば、式10、20、21、22、23および24に関して、一部の実施形態では、R13、R14、R15およびR16は独立して、H、F、メチル、エチル、プロピルまたはイソプロピルである。一部の実施形態では、R13、R14、R15およびR16がHである。
上記の任意の該当する式または構造特徴部、たとえば、式11、20、21、22、23および24に関して、一部の実施形態では、R17、R18、R19およびR20は独立して、H、F、メチル、エチル、プロピルまたはイソプロピルである。一部の実施形態では、R17、R18、R19およびR20がHである。
上記の任意の該当する式または構造特徴部、たとえば、式13、20、21、22、23および24に関して、一部の実施形態では、R21、R22、R23およびR24は独立して、H、F、メチル、エチル、プロピルまたはイソプロピルである。一部の実施形態では、R21、R22、R23およびR24がHである。
上記の任意の該当する式または構造特徴部、たとえば、式15、20、21、22、23および24に関して、一部の実施形態では、R25、R26、R27およびR28は独立して、H、F、メチル、エチル、プロピルまたはイソプロピルである。一部の実施形態では、R25、R26、R27およびR28がHである。
上記の任意の該当する式または構造特徴部、たとえば、式17、20、21、22、23および24に関して、一部の実施形態では、R29、R30、R31およびR32は独立して、H、F、メチル、エチル、プロピルまたはイソプロピルである。一部の実施形態では、R29、R30、R31およびR32がHである。
上記の任意の該当する式または構造特徴部、たとえば、式19、20、21、22、23および24に関して、一部の実施形態では、R33、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40およびR41は独立して、H、F、メチル、エチル、プロピルまたはイソプロピルである。一部の実施形態では、R33、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40およびR41がHである。
一部の実施形態は、以下:
Figure 0006143748
Figure 0006143748
の化合物のうちの1種類を包含するものであり得る。
一部の実施形態は、式1〜24のいずれか1つの化合物または本明細書において図示もしくは名称を示した特定化合物(以下、本明細書において「対象化合物」という)を含む組成物を包含するものである。対象化合物を含む組成物は、さらに蛍光化合物またはリン光化合物を含んでいてもよく、有機発光デバイスなどのデバイスにおける発光に有用なものであり得る。
一部の実施形態において、有機発光デバイスは対象化合物を含むものである。たとえば、対象化合物を含む発光層はアノードとカソードの間に配設され得る。該デバイスは、電子をカソードから発光層に移行させ得、正孔をアノードから発光層に移行させ得るように構成される。
対象化合物は、有機発光デバイスにおいて高い光安定性と熱安定性を有するものであり得る。また、対象化合物は、バランスのよい正孔と電子の注入速度と移動度を有するものであり得る。これにより、高効率および/または長寿命を有するOLEDデバイスが得られ得る。また、対象化合物は、非晶質固体を形成し得、これにより該化合物がフィルムに形成され易くなり得る。
アノードは、金属、混合金属、合金、金属酸化物または混合金属酸化物、導電性ポリマーおよび/または無機材料(カーボンナノチューブ(CNT)など)などの慣用的な材料を含む層であり得る。好適な金属の例としては、1族金属、4、5、6族の金属、および8〜10族の遷移金属があげられる。アノード層を光伝達性にする場合、10族および11族の金属(Au、PtおよびAgもしくはその合金など);または12、13および14族の金属の混合金属酸化物(酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)など)などが使用され得る。一部の実施形態では、アノード層は、ポリアニリンなどの有機材料であり得る。ポリアニリンの使用は、“Flexible light−emitting diodes made from soluble conducting polymer,”Nature,第357巻、477−479頁(1992年6月11日)に記載されている。一部の実施形態では、アノード層は、約1nm〜約1000nmの範囲の厚さを有するものであり得る。
カソードは、アノード層よりも低い仕事関数を有する材料を含む層であり得る。カソード層に好適な材料の例としては、1族のアルカリ金属、2族金属、12族金属(たとえば、希土類元素、ランタニドおよびアクチニド)、アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウムおよびマグネシウムなどの材料、ならびにその組合せから選択されるものがあげられる。また、動作電圧を下げるために、Li含有有機金属化合物、LiFおよびLiOを有機層とカソード層の間に蒸着してもよい。好適な低仕事関数金属としては、限定されないが、Al、Ag、Mg、Ca、Cu、Mg/Ag、LiF/Al、CsF、CsF/Alまたはその合金があげられる。一部の実施形態では、カソード層は、約1nm〜約1000nmの範囲の厚さを有するものであり得る。
一部の実施形態では、発光層は、発光成分とホストとして対象化合物とを含むものであり得る。発光層中のホストの量は様々であり得る。一実施形態において、発光層中のホストの量は発光層の約1%〜約99.9%(重量基準)の範囲である。別の実施形態では、発光層中のホストの量は発光層の約90%〜約99%(重量基準)の範囲である。別の実施形態では、発光層中のホストの量は発光層の約97重量%である。一部の実施形態では、発光成分の質量は発光層の質量の約0.1%〜約10%、約1%〜約5%または約3%である。発光成分は蛍光化合物および/またはリン光化合物であり得る。
発光成分は、イリジウム配位化合物、たとえば:ビス−{2−[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ピリジナト−N,C2’}イリジウム(III)−ピコリネート;ビス(2−[4,6−ジフルオロフェニル]ピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)ピコリネート;ビス(2−[4,6−ジフルオロフェニル]ピリジナト−N,C2’)イリジウム(アセチルアセトナート);イリジウム(III)ビス(4,6−ジフルオロフェニルピリジナト)−3−(トリフルオロメチル)−5−(ピリジン−2−イル)−1,2,4−トリアゾレート;イリジウム(III)ビス(4,6−ジフルオロフェニルピリジナト)−5−(ピリジン−2−イル)−1H−テトラゾレート;ビス[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)テトラ(1−ピラゾリル)ボレート;ビス[2−(2’−ベンゾチエニル)−ピリジナト−N,C3’]イリジウム(III)(アセチルアセトナート);ビス[(2−フェニルキノリル)−N,C2’]イリジウム(III)(アセチルアセトナート);ビス[(1−フェニルイソキノリナト−N,C2’)]イリジウム(III)(アセチルアセトナート);ビス[(ジベンゾ[f,h]キノキサリノ−N,C2’)イリジウム(III)(アセチルアセトナート);トリス(2,5−ビス−2’−(9’,9’−ジヘキシルフルオレン)ピリジン)イリジウム(III);トリス[1−フェニルイソキノリナト−N,C2’]イリジウム(III);トリス−[2−(2’−ベンゾチエニル)−ピリジナト−N,C3’]イリジウム(III);トリス[1−チオフェン−2−イルイソキノリナト−N,C3’]イリジウム(III);トリス[1−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)イソキノリナト−(N,C3’)イリジウム(III));ビス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)(アセチルアセトナート)[Ir(ppy)(acac)];ビス(2−(4−トリル)ピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)(アセチルアセトナート)[Ir(mppy)(acac)];ビス(2−(4−tert−ブチル)ピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)(アセチルアセトナート)[Ir(t−Buppy)(acac)];トリス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)[Ir(ppy)];ビス(2−フェニルオキサゾリナト−N,C2’)イリジウム(III)(アセチルアセトナート)[Ir(op)(acac)];トリス(2−(4−トリル)ピリジナト−N,C2’)イリジウム(III)[Ir(mppy)];ビス[2−フェニルベンゾチアゾラト−N,C2’]イリジウム(III)(アセチルアセトナート);ビス[2−(4−tert−ブチルフェニル)ベンゾチアゾラト−N,C2’]イリジウム(III)(アセチルアセトナート);ビス[(2−(2’−チエニル)ピリジナト−N,C3’)]イリジウム(III)(アセチルアセトナート);トリス[2−(9.9−ジメチルフルオレン−2−イル)ピリジナト−(N,C3’)]イリジウム(III);トリス[2−(9.9−ジメチルフルオレン−2−イル)ピリジナト−(N,C3’)]イリジウム(III);ビス[5−トリフルオロメチル−2−[3−(N−フェニルカルバゾリル(carbzolyl))ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)(アセチルアセトナート);(2−PhPyCz)Ir(III)(acac);などを含むものであり得る。
Figure 0006143748
Figure 0006143748
Figure 0006143748
1.(Btp)Ir(III)(acac);ビス[2−(2’−ベンゾチエニル)−ピリジナト−N,C3’]イリジウム(III)(アセチルアセトナート)
2.(Pq)Ir(III)(acac);ビス[(2−フェニルキノリル)−N,C2’]イリジウム(III)(アセチルアセトナート)
3.(Piq)Ir(III)(acac);ビス[(1−フェニルイソキノリナト−N,C2’)]イリジウム(III)(アセチルアセトナート)
4.(DBQ)Ir(acac);ビス[(ジベンゾ[f,h]キノキサリノ−N,C2’)イリジウム(III)(アセチルアセトナート)
5.[Ir(HFP)]、トリス(2,5−ビス−2’−(9’,9’−ジヘキシルフルオレン)ピリジン)イリジウム(III)
6.Ir(piq)3;トリス[1−フェニルイソキノリナト−N,C2’]イリジウム(III)
7.Ir(btp)3;トリス−[2−(2’−ベンゾチエニル)−ピリジナト−N,C3’]イリジウム(III)
8.Ir(tiq),トリス[1−チオフェン−2−イルイソキノリナト−N,C3’]イリジウム(III)
9.Ir(fliq);トリス[1−(9,9−ジメチル−9H−フルオレン−2−イル)イソキノリナト−(N,C3’)イリジウム(III))
Figure 0006143748
Figure 0006143748
発光層の厚さは様々であり得る。一実施形態において、発光層は、約1nm〜約150nmまたは約200nmの範囲の厚さを有する。
一部の実施形態は、図1に模式的に示す構造を有するものであり得る。発光層20はアノード5とカソード35の間に配設されている。任意選択の電子輸送層30は発光層20とカソード35の間に配設され得る。任意選択の正孔注入層10は発光層20とアノード5の間に配設され得、任意選択の正孔輸送層15は正孔注入層10と発光層20の間に配設され得る。
正孔輸送層は、少なくとも1種類の正孔輸送材料を含むものであり得る。正孔輸送材料としては、限定されないが、芳香族置換アミン、カルバゾール、ポリビニルカルバゾール(PVK)、たとえば、ポリ(9−ビニルカルバゾール);ポリフルオレン;ポリフルオレンコポリマー;ポリ(9,9−ジ−n−オクチルフルオレン−alt−ベンゾチアジアゾール);ポリ(パラフェニレン);ポリ[2−(5−シアノ−5−メチルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン];ベンジジン;フェニレンジアミン;フタロシアニン金属錯体;ポリアセチレン;ポリチオフェン;トリフェニルアミン;オキサジアゾール;銅フタロシアニン;1,1−ビス(4−ビス(4−メチルフェニル)アミノフェニル)シクロヘキサン;2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン;3,5−ビス(4−tert−ブチル−フェニル)−4−フェニル[1,2,4]トリアゾール;3,4,5−トリフェニル−1,2,3−トリアゾール;4,4’,4’−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA);Ν,Ν’−ビス(3−メチルフェニル)N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(TPD);4,4’−ビス[N−(ナフタレニル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD);4,4’,4”−トリス(カルバゾール−9−イル)−トリフェニルアミン(TCTA);4,4’−ビス[N,N’−(3−トリル)アミノ]−3,3’−ジメチルビフェニル(HMTPD);4,4’−N,N’−ジカルバゾール−ビフェニル(CBP);1,3−N,N−ジカルバゾール−ベンゼン(mCP);ビス[4−(p,p’−ジトリル−アミノ)フェニル]ジフェニルシラン(DTASi);2,2’−ビス(4−カルバゾリルフェニル)−1,1’−ビフェニル(4CzPBP);N,N’N”−1,3,5−トリカルバゾロイルベンゼン(tCP);N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン;などがあげられ得る。
正孔注入層は任意の適切な正孔注入材料を含むものであり得る。好適な正孔注入材料(複数も可)としては、限定されないが、以下のもの:酸化モリブデン(MoO)、ポリチオフェン誘導体、たとえば、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン(PEDOT)/ポリスチレンスルホン酸(PSS)、ベンジジン誘導体、たとえば、N、N、N’、N’−テトラフェニルベンジジン、ポリ(N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン)、トリフェニルアミンまたはフェニレンジアミン誘導体、たとえば、N,N’−ビス(4−メチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−1,4−フェニレンジアミン、4,4’,4”−トリス(N−(ナフタレン−2−イル)−N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン、オキサジアゾール誘導体、たとえば、1,3−ビス(5−(4−ジフェニルアミノ)フェニル−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル)ベンゼン、ポリアセチレン誘導体、たとえば、ポリ(1,2−ビス−ベンジルチオ−アセチレン)、およびフタロシアニン金属錯体誘導体、たとえば、フタロシアニン銅から選択される任意選択的に置換されている化合物があげられる。
電子輸送層は少なくとも1種類の電子輸送材料を含むものであり得る。電子輸送材料の例としては、限定されないが、2−(4−ビフェニルイル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(PBD);1,3−ビス(N,N−t−ブチル−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(OXD−7)、1,3−ビス[2−(2,2’−ビピリジン−6−イル)−1,3,4−オキサジアゾ−5−イル]ベンゼン;3−フェニル−4−(1’−ナフタレニル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール(TAZ);2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−フェナントロリン(バトクプロインもしくはBCP);トリス(8−ヒドロキシキノラート(quinolate))アルミニウム(Alq3);および1,3,5−トリス(2−N−フェニルベンゾイミダゾリル)ベンゼン;1,3−ビス[2−(2,2’−ビピリジン−6−イル)−1,3,4−オキサジアゾ−5−イル]ベンゼン(BPY−OXD);3−フェニル−4−(l’−ナフタレニル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール(TAZ)、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−フェナントロリン(バトクプロインもしくはBCP);ならびに1,3,5−トリス[2−N−フェニルベンゾイミダゾール−z−イル]ベンゼン(TPBI)があげられ得る。一実施形態では、電子輸送層は、アルミニウムキノラート(Alq)、2−(4−ビフェニルイル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(PBD)、フェナントロリン、キノキサリン、1,3,5−トリス[N−フェニルベンゾイミダゾール−z−イル]ベンゼン(TPBI)もしくはその誘導体または組合せである。
所望により、さらなる層を発光デバイスに含めてもよい。このようなさらなる層としては、カソードと発光層の間の電子注入層(EIL)、アノードと発光層の間の正孔阻止層(HBL)、および/または発光層とアノードおよび/またはカソードの間の励起子阻止層(EBL)があげられ得る。別々の層に加え、このような材料のいくつかを合わせて単一の層にしてもよい。
一部の実施形態において、発光デバイスは、カソード層と発光層の間に電子注入層を含むものであり得る。電子注入層に含めることができる好適な材料(複数も可)の例としては、限定されないが、以下のもの:フッ化リチウム(LiF)、アルミニウムキノラート(Alq)、2−(4−ビフェニルイル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(PBD)、フェナントロリン、キノキサリン、1,3,5−トリス[N−フェニルベンゾイミダゾール−z−イル]ベンゼン(TPBI) トリアジン、8−ヒドロキシキノリンの金属キレート、たとえば、トリス(8−ヒドロキシキノラート(quinoliate))アルミニウム、および金属チオキシノイド(thioxinoid)化合物、たとえば、ビス(8−キノリンチオラト)亜鉛から選択される任意選択的に置換されている化合物があげられる。一実施形態では、電子注入層は、アルミニウムキノラート(Alq)、2−(4−ビフェニルイル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(PBD)、フェナントロリン、キノキサリン、1,3,5−トリス[N−フェニルベンゾイミダゾール−z−イル]ベンゼン(TPBI)、もしくはその誘導体または組合せである。
一部の実施形態では、該デバイスは、たとえばカソードと発光層の間に正孔阻止層を含むものであり得る。正孔阻止層に含めることができる種々の好適な正孔阻止材料が当業者に知られている。好適な正孔阻止材料(複数も可)としては、限定されないが、以下のもの:バトクプロイン(BCP)、3,4,5−トリフェニル−1,2,4−トリアゾール、3,5−ビス(4−tert−ブチル−フェニル)−4−フェニル−[1,2,4]トリアゾール、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン、および1,1−ビス(4−ビス(4−メチルフェニル)アミノフェニル)−シクロヘキサンから選択される任意選択的に置換されている化合物があげられる。
一部の実施形態では、発光デバイスは、たとえば発光層とアノードの間に励起子阻止層を含むものであり得る。一実施形態において、励起子阻止層を構成する材料(複数も可)のバンドギャップは、励起子の拡散を実質的に抑制するのに充分な大きさである。励起子阻止層に含めることができるいくつかの好適な励起子阻止材料が当業者に知られている。励起子阻止層を構成し得る材料(複数も可)の例としては、以下のもの:アルミニウムキノラート(Alq)、4,4’−ビス[N−(ナフタレニル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)、4,4’−N,N’−ジカルバゾール−ビフェニル(CBP)およびバトクプロイン(BCP)、ならびに励起子の拡散を実質的に抑制するのに充分な大きさのバンドギャップを有する任意の他の材料(複数も可)から選択される任意選択的に置換されている化合物があげられる。
対象化合物を含む発光デバイスは、本明細書において提供した指針によって情報が得られる当該技術分野で知られた手法を用いて製作され得る。たとえば、ガラス基板は、アノードとしての機能を果たし得る高仕事関数金属(ITOなど)で被覆され得る。アノード層のパターン形成後、発光成分を含む発光層がアノード上に蒸着され得る。一部の実施形態では、さらなる任意選択の層(正孔輸送層、正孔注入層および/または励起子阻止層など)が発光層とアノードの間に、気相蒸着、スパッタリングまたはスピンコーティングなどの方法によって蒸着され得る。次いで、低仕事関数金属(たとえば、Mg:Ag)を含むカソード層が発光層上に、たとえば、気相蒸着、スパッタリングまたはスピンコーティングによって蒸着され得る。一部の実施形態では、さらなる任意選択の層(電子輸送層、電子注入層および/または励起子阻止層など)が該デバイスに、適当な手法(気相蒸着、スパッタリングまたはスピンコーティングなど)を用いて付加され得る。
一部の実施形態では、対象化合物を含むデバイスでは、市販の化合物と比べて顕著に長いデバイス寿命がもたらされ得る。一部の実施形態では、該デバイスでは、少なくとも約125時間、150時間、175時間、185時間および/または200時間の寿命である10,000ニトにおけるT50(時間)がもたらされ得る。一部の実施形態において、所望の寿命は、約13.2mmの能動放出表面積を有するデバイスについて106mAの定電流をデバイスに負荷した(約10000cd/mに相当)後の発光(たとえば、単位:cd/m)を測定することによってデバイスの発光/放出減衰を調べることにより測定され得る。
(合成例)
〔実施例1.1〕
Figure 0006143748
〔実施例1.1.1〕
Figure 0006143748
4−ブロモ−N−(2−(フェニルアミノ)フェニル)ベンズアミド(1):
4−ブロモ−ベンゾイルクロリド(11g,50mmol)の無水ジクロロメタン(DCM)(100ml)溶液にN−フェニルベンゼン−1,2−ジアミン(10.2g,55mmol)を、次いでトリエチルアミン(TEA)(17ml,122mmol)をゆっくり添加した。全体を室温(RT)で一晩撹拌した。濾過により白色固形物1(6.5g)を得た。濾液を水(300ml)で後処理し、次いでDCM(300ml)で3回抽出した。有機相を収集し、MgSO4上で乾燥させ、濃縮し、DCM/ヘキサン中で再結晶させ、さらなる分量の白色固形物1(10.6g)を得た。生成物1の総量は17.1g(93%収率)である。
〔実施例1.1.2〕
Figure 0006143748
2−(4−ブロモフェニル−1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール(2):
アミド1(9.6g,26mmol)の無水1,4−ジオキサン(100mL)懸濁液にオキシ塩化リン(POCl)(9.2mL,100mmol)をゆっくり添加した。次いで、全体を100℃で一晩加熱した。RTまで冷却後、混合物を撹拌しながら氷(200g)に注入した。濾過、続いてDCM/ヘキサン中での再結晶により薄灰色固形物2(8.2g,90%収率)を得た。
〔実施例1.1.3〕
Figure 0006143748
1−フェニル−2−(4−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル)−1H−ベンゾ[d]イミダゾール(3):
化合物2(0.70g,2mmol)、ビス(ピナコラト)ジボラン(0.533g,2.1mmol)、ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(Pd(dppf)Cl)(0.060g,0.08mmol)および無水酢酸カリウム(KOAc)(0.393g,4mmol)と1,4−ジオキサン(20ml)との混合物を80℃でアルゴン下、一晩加熱した。RTまで冷却後、全体を酢酸エチル(80ml)で希釈し、次いで濾過した。溶液をシリカゲルに吸収させ、次いでカラムクロマトグラフィーによって精製し(5:1から3:1までのヘキサン/酢酸エチル)、白色固形物3(0.64g,81%収率)を得た。
〔実施例1.1.3〕
Figure 0006143748
2−(4’−ブロモ−[1,1’−ビフェニル]−4−イル)−1−フェニル−1H−ベンゾ[d]イミダゾール(4):
化合物3(4.01g,10.1mmol)、1−ブロモ−4−ヨードベンゼン(5.73g,20.2mmol)、Pd(PPh(0.58g,0.5mmol)および炭酸カリウム(4.2g,30mmol)とジオキサン/水(60ml/10ml)との混合物を脱気し、95℃で一晩加熱した。RTまで冷却後、混合物を酢酸エチル(250ml)に注入し、ブラインで洗浄し、NaSO上で乾燥させ、次いでシリカゲル上に負荷し、フラッシュカラムによって精製し(ヘキサン対ヘキサン/酢酸エチル、4:1)、淡黄色固形物(メタノールでの洗浄および風乾)(3.39g,80%収率)を得た。
〔実施例1.1.4〕
Figure 0006143748
1−フェニル−2−(4’−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−[1,1’−ビフェニル]−4−イル)−1H−ベンゾ[d]イミダゾール(5):
化合物4(1.2g,2.82mmol)、ビス(ピナコラト)ジボラン(0.72g、2.82mmol)、ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(Pd(dppf)Cl)(0.10g,0.14mmol)および無水酢酸カリウム(KOAc)(2.0g,20mmol)と1,4−ジオキサン(45ml)との混合物を80℃でアルゴン下、一晩加熱した。RTまで冷却後、全体を酢酸エチル(150ml)で希釈し、次いで濾過した。溶液をシリカゲルに吸収させ、次いでカラムクロマトグラフィーによって精製し(ヘキサン/酢酸エチル、5:1〜3:1)、白色固形物5(1.14g,86%収率)を得た。
〔実施例1.2〕
Figure 0006143748
〔実施例1.2.1〕
Figure 0006143748
N−(4’−ブロモ−1,1’−ビフェニル]−4−イル)−N−フェニルナフタレン−1−アミン(6):
N−フェニルナフタレン−1−アミン(4.41g,20mmol)、4,4’−ジブロモ−1,1’−ビフェニル(15g,48mmol)、ナトリウムtert−ブトキシド(4.8g,50mmol)およびPd(dppf)Cl(0.44g,0.6mmol)と無水トルエン(100ml)との混合物を脱気し、80℃で10時間加熱した。RTまで冷却後、混合物をジクロロメタン(400ml)に注入し、30分間撹拌し、次いでブライン(100ml)で洗浄した。有機液を収集し、NaSO上で乾燥させ、シリカゲル上に負荷し、フラッシュカラムによって精製し(ヘキサン対ヘキサン/酢酸エチル、90:1)、固形物を得、これをメタノールで洗浄し、風乾させ、白色固形物4(5.58g,62%収率)を得た。
〔実施例1.2.2〕
Figure 0006143748
N−フェニル−N−(4’−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−[1,1’−ビフェニル]−4−イル)ナフタレン−1−アミン(7):
化合物6(5.5g,12.2mmol)、ビス(ピナコラト)ジボラン(3.10g,12.2mmol)、Pd(dppf)Cl(0.446mg,0.6mmol)およびKOAc(5.5g,56mmol)と無水ジオキサン(60ml)との混合物を脱気し、80℃で一晩加熱した。RTまで冷却後、混合物を酢酸エチル(200ml)に注入し、ブライン(150ml)で洗浄した。有機溶液をNaSO上で乾燥させ、シリカゲル上に負荷し、フラッシュカラムによって精製し(ヘキサン対ヘキサン/酢酸エチル、30:1)、主要画分を収集した。溶媒の除去後、固形物をメタノールで洗浄し、濾過し、風乾させ、白色固形物7(5.50g,90%収率)を得た。
〔実施例1.2.3〕
Figure 0006143748
N−(4”−ブロモ−[1,1’:4’,1”−ターフェニル]−4−イル)−N−フェニルナフタレン−1−アミン(8):
化合物7(4.5g,9.0mmol)、1−ブロモ−4−ヨードベンゼン(5.12g,18mmol)、Pd(PPh(0.52g,0.45mmol)および炭酸カリウム(4.436g,32mmol)とジオキサン/水(150ml/30ml)との混合物を脱気し、95℃で一晩加熱した。RTまで冷却後、混合物をジクロロメタン(300ml)に注入し、ブラインで洗浄し、NaSO上で乾燥させ、次いでシリカゲル上に負荷し、フラッシュカラムによって精製し(ヘキサン対ヘキサン/酢酸エチル、20:1)、淡黄色固形物8(4.30g,90.7収率)を得た。
〔実施例1.2.4〕
Figure 0006143748
ホスト−1:
化合物8(1.50g,2.47mmol)、化合物5(1.11g,2.35mmol)、Pd(PPh(0.16g,0.14mmol)および炭酸カリウム(1.38g,10mmol)とジオキサン/水(60ml/10ml)との混合物を脱気し、85℃で18時間加熱した。RTまで冷却後、混合物を濾過した。固形物と濾液を別々に収集した。最初の濾過による固形物をジクロロメタン(100ml)に再溶解させ、シリカゲル上に負荷し、フラッシュカラムによって精製し(ジクロロメタン対ジクロロメタン/酢酸エチル、9:1)、所望の画分を収集し、濃縮した。白色析出物を濾過し、風乾させ、淡黄色固形物のホスト−1(1.35g)を得た。全収率は73%である。LCMSデータ:C5942の計算値(M+H):792.3;実測値m/e=792。
(8−2.OLEDデバイスの構成および性能の実施例)
〔実施例2.1〕(デバイス−A)−発光デバイスの製作:
デバイス(デバイスA)を以下のものと同様の様式で製作した。約14オーム/スクエアのシート抵抗を有するITO基板を超音波処理により、逐次、デタージェント、水、アセトン、次いでイソプロピルアルコール(IPA)中で清浄にし;次いで、周囲環境下、約80℃の炉内で約30分間乾燥させた。次いで、基板を周囲環境で約200℃にて約1時間、次いで、UV−オゾン処理下で約30分間焼成した。次いで、この焼鈍した基板上にPEDOT:PSS(正孔注入材料)を、約4000rpmで約30秒間スピンコーティングした。次いで、このコーティング層を周囲環境で約100℃にて30分間焼成した後、グローブボックス内部(N環境)で200℃にて30分間焼成した。次いで、基板を真空チャンバ内に移し、ここで、4,4’−ビス[N−(ナフタレニル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(NPB)を約2×10−7トールの底面圧下、約0.1nm/秒の速度で真空蒸着させた。ビス(1−フェニルイソキノリン)(アセチルアセトナート)イリジウム(III)(「Ir(piq)acac」)(6重量%)を発光層として、ホスト−1ホスト材料とともに適切な厚さ比となるようにそれぞれ約0.01nm/秒および約0.10nm/秒で同時蒸着させた。
次いで、1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール−)2−イル)ベンゼン(TPBI)を発光層上に約0.1nm/秒の速度で蒸着させた。フッ化リチウム(LiF)(電子注入材料)の層を約0.005nm/秒の速度で蒸着させた後、アルミニウム(Al)のカソードを約0.3nm/秒の速度で蒸着させた。この代表的なデバイス構造は:ITO(約150nm厚)/PEDOT:PSS(約30nm厚)/NPB(約40nm厚)/ホスト−1:Ir(piq)acac(約30nm厚)/TPBI(約30nm厚)/LiF(約0.5nm厚)/Al(約120nm厚)であった。次いで、このデバイスを、湿気、酸化または機械による損傷から保護するために、OLEDデバイスの発光領域を覆うゲッター付きガラスキャップで封入した。
個々の各デバイスは約13.2mmの面積を有していた。
〔実施例3〕:デバイスの性能
〔実施例3.1〕
スペクトルはすべて、PR670分光放射計(Photo Research,Inc,チャッツワース、カリフォルニア、米国)で測定し、I−V−L特性値は、Keithley 2612 SourceMeter(Keithley Instruments,Inc.,クリーブランド、オハイオ、米国)で取得した。デバイスの動作はすべて、窒素を充填したグローブボックス内部で行なった。ホスト−1:Ir(piq)acacを含む、赤色発光デバイスであり、実施例2.1に従って製作したデバイスAを、デバイスの放出性の品質を調べるために駆動電圧の関数としての電流密度および輝度を調べることにより(図に示す)試験した。デバイスの立ち上がり電圧は約2.5ボルトであり、輝度は、13.2mmの面積のデバイスで約6Vのとき約8,000cd/mであった。
Figure 0006143748
このように、化合物ホスト−1は、有機発光デバイスにおけるホスト材料としての有効性が実証された。
〔実施例3.2〕
ホスト−1:Ir(piq)2acacを含むものである発光デバイスであり、実施例2.1に従って製作したデバイスAを、デバイスの寿命(10,000nitにおけるT50(時間))を調べるために試験した。他のデバイス(比較デバイスX[Bebq2]および比較デバイスY[CBP])を、それぞれの
Figure 0006143748
デバイスで、比較化合物X、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(Bebq(94%)とビス(1−フェニルイソキノリン)(アセチルアセトナート)イリジウム(III)(「Ir(piq)acac」)(6%)、および比較化合物Y、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)ビフェニルCBP(94%)とビス(1−フェニルイソキノリン)(アセチルアセトナート)イリジウム(III)(「Ir(piq)acac」)(6%)をそれぞれNPBの上面に同時蒸着させ、30nm厚の発光層20を形成したこと以外は実施例2.1に従って構築した。
スペクトルはすべて、PR670分光放射計(Photo Research,Inc.,チャッツワース、カリフォルニア、米国)で測定した(また、I−V−L特性値は、Keithley 2612 SourceMeter(Keithley Instruments,Inc.,クリーブランド、オハイオ、米国)で取得した。デバイスの動作はすべて、封入せずに、窒素を充填したグローブボックス内部で行なった。
表2は、実施例2.2および2.3に従って製作したデバイスのデバイス寿命を示す。
Figure 0006143748
このように、少なくともホスト−1は、発光有機発光デバイス(light emitting organic light emitting devices)における長期持続性化合物としての有効性が実証された。

Claims (3)

  1. 下記式で表される化合物。
    Figure 0006143748
  2. 請求項1に記載の化合物を含むものである発光デバイス。
  3. 該化合物が発光層におけるホストである、請求項に記載の発光デバイス。


JP2014517179A 2011-06-22 2012-06-21 ポリフェニレンホスト化合物 Expired - Fee Related JP6143748B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/166,246 2011-06-22
US13/166,246 US8933243B2 (en) 2011-06-22 2011-06-22 Polyphenylene host compounds
PCT/US2012/043595 WO2012177914A1 (en) 2011-06-22 2012-06-21 Polyphenylene host compounds

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016026856A Division JP2016166177A (ja) 2011-06-22 2016-02-16 ポリフェニレンホスト化合物

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014524909A JP2014524909A (ja) 2014-09-25
JP2014524909A5 JP2014524909A5 (ja) 2017-04-27
JP6143748B2 true JP6143748B2 (ja) 2017-06-07

Family

ID=44761411

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014517179A Expired - Fee Related JP6143748B2 (ja) 2011-06-22 2012-06-21 ポリフェニレンホスト化合物
JP2016026856A Pending JP2016166177A (ja) 2011-06-22 2016-02-16 ポリフェニレンホスト化合物
JP2017101839A Pending JP2017197548A (ja) 2011-06-22 2017-05-23 ポリフェニレンホスト化合物

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016026856A Pending JP2016166177A (ja) 2011-06-22 2016-02-16 ポリフェニレンホスト化合物
JP2017101839A Pending JP2017197548A (ja) 2011-06-22 2017-05-23 ポリフェニレンホスト化合物

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8933243B2 (ja)
EP (1) EP2723721B1 (ja)
JP (3) JP6143748B2 (ja)
KR (1) KR20140057500A (ja)
CN (1) CN103635464B (ja)
WO (1) WO2012177914A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8426040B2 (en) 2010-12-22 2013-04-23 Nitto Denko Corporation Compounds for use in light-emitting devices
US8929978B2 (en) 2011-01-27 2015-01-06 Nitto Denko Corporation Phototherapy devices and methods comprising optionally substituted terphenyl and quaterphenyl compounds
US8933243B2 (en) 2011-06-22 2015-01-13 Nitto Denko Corporation Polyphenylene host compounds
US20130103123A1 (en) * 2011-10-14 2013-04-25 Sazzadur Rahman Khan Light-Emitting Devices for Wound Healing
EP2836570A1 (en) * 2012-04-13 2015-02-18 Nitto Denko Corporation Phototherapy devices and methods comprising optionally substitutted quinquiesphenyl compounds
KR20150052013A (ko) * 2012-08-31 2015-05-13 고쿠리쓰다이가쿠호진 규슈다이가쿠 유기 발광 재료, 유기 발광 재료의 제조 방법, 및 유기 발광 소자
WO2014093361A1 (en) * 2012-12-10 2014-06-19 Nitto Denko Corporation Bipolar hosts for light emitting devices
WO2014093353A1 (en) 2012-12-10 2014-06-19 Nitto Denko Corporation Organic light emitting polyaromatic and polyheteroaromatic host materials
WO2014099864A2 (en) 2012-12-17 2014-06-26 Nitto Denko Corporation Light-emitting devices comprising emissive layer
WO2015066354A1 (en) 2013-10-30 2015-05-07 Nitto Denko Corporation Light-emitting compounds for light-emitting devices
WO2015195837A1 (en) 2014-06-17 2015-12-23 Nitto Denko Corporation Emissive material for organic emitting diodes
US11258017B2 (en) * 2016-04-27 2022-02-22 Wuhan Xinqu Chuangrou Optoelectronics Technology Co., Ltd Semiconducting compositions comprising semiconducting polymers
CN111875586B (zh) * 2019-09-24 2021-09-28 广东聚华印刷显示技术有限公司 有机化合物及其制备方法、包含其的有机发光二极管

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5975257A (ja) 1982-10-23 1984-04-27 Ricoh Co Ltd 電子写真用感光体
JPS649959A (en) 1987-07-03 1989-01-13 Nippon Telegraph & Telephone Optically active compound and liquid crystal composition thereof
JP2941971B2 (ja) 1991-02-13 1999-08-30 キヤノン株式会社 液晶組成物、それを有する液晶素子、それ等を用いた表示方法及び表示装置
JPH0776542A (ja) 1993-09-06 1995-03-20 Canon Inc 液晶性化合物、これを含む液晶組成物、それを有する液晶素子、それらを用いた表示方法および表示装置
JPH07207169A (ja) 1994-01-12 1995-08-08 Mitsui Toatsu Chem Inc 偏光フィルム用アゾ系色素及びこれを用いた偏光フィルム
JPH109959A (ja) 1996-06-25 1998-01-16 Matsushita Electric Works Ltd 温度検出装置
EP1077967B1 (en) 1998-05-12 2002-12-04 Wyeth Biphenyl oxo-acetic acids useful in the treatment of insulin resistance and hyperglycemia
US6232322B1 (en) 1998-05-12 2001-05-15 American Home Products Corporation Biphenyl oxo-acetic acids useful in the treatment of insulin resistance and hyperglycemia
JP4120059B2 (ja) 1998-09-24 2008-07-16 コニカミノルタホールディングス株式会社 新規ベンゾイミダゾール化合物、その製造法および用途
JP2001023777A (ja) 1999-07-08 2001-01-26 Toray Ind Inc 発光素子
US6620529B1 (en) 1999-10-27 2003-09-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Materials for light emitting devices and light emitting devices using the same
JP4105358B2 (ja) 2000-03-07 2008-06-25 富士フイルム株式会社 ベンズイミダゾール誘導体、発光素子材料及び発光素子
US20010048982A1 (en) 2000-04-28 2001-12-06 Tohoku Pioneer Corporation Organic electroluminescent display device and chemical compounds for liquid crystals
JP4718025B2 (ja) 2001-03-16 2011-07-06 保土谷化学工業株式会社 ベンゾイミダゾール誘導体および有機電界発光素子
US6835469B2 (en) 2001-10-17 2004-12-28 The University Of Southern California Phosphorescent compounds and devices comprising the same
WO2004010996A1 (ja) 2002-07-29 2004-02-05 Shizuoka Coffein Co., Ltd. 1,3アゾール誘導体及び同誘導体を含む血栓症治療のための医薬組成物
JP3902993B2 (ja) 2002-08-27 2007-04-11 キヤノン株式会社 フルオレン化合物及びそれを用いた有機発光素子
JP4164317B2 (ja) 2002-08-28 2008-10-15 キヤノン株式会社 有機発光素子
US7368880B2 (en) 2004-07-19 2008-05-06 Intersil Americas Inc. Phase shift modulation-based control of amplitude of AC voltage output produced by double-ended DC-AC converter circuitry for powering high voltage load such as cold cathode fluorescent lamp
WO2007148660A1 (ja) 2006-06-22 2007-12-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 複素環含有アリールアミン誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI394746B (zh) 2007-11-16 2013-05-01 Academia Sinica 有機電激發光裝置及其材料
KR100959189B1 (ko) 2007-12-31 2010-05-24 제일모직주식회사 저분자 유기화합물, 및 이를 포함하는 유기광전소자
CN101990540A (zh) * 2008-04-02 2011-03-23 日东电工株式会社 基于二苊并吡嗪并喹喔啉衍生物的溶致液晶体系及制法
KR101460365B1 (ko) 2008-04-29 2014-11-10 주식회사 엘지화학 신규한 이미다졸 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자
JP5479759B2 (ja) 2008-09-05 2014-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 ベンゾオキサゾール誘導体、発光素子用材料、発光素子、発光装置及び電子機器
KR101333697B1 (ko) 2008-10-14 2013-11-27 제일모직주식회사 벤즈이미다졸계 화합물 및 이를 포함하는 유기 광전 소자
KR101257695B1 (ko) 2008-12-24 2013-04-24 제일모직주식회사 신규한 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
JP2010278390A (ja) 2009-06-01 2010-12-09 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
US8420235B2 (en) 2009-06-04 2013-04-16 Nitto Denko Corporation Emissive diaryl acetylenes
JP5773585B2 (ja) 2009-06-29 2015-09-02 日東電工株式会社 発光性トリアリール
US20100326526A1 (en) 2009-06-29 2010-12-30 Nitto Denko Corporation Emissive aryl-heteroaryl compounds
US8426040B2 (en) 2010-12-22 2013-04-23 Nitto Denko Corporation Compounds for use in light-emitting devices
US8933243B2 (en) 2011-06-22 2015-01-13 Nitto Denko Corporation Polyphenylene host compounds

Also Published As

Publication number Publication date
CN103635464A (zh) 2014-03-12
WO2012177914A1 (en) 2012-12-27
EP2723721A1 (en) 2014-04-30
JP2017197548A (ja) 2017-11-02
JP2016166177A (ja) 2016-09-15
US20110251401A1 (en) 2011-10-13
EP2723721B1 (en) 2017-08-09
US8933243B2 (en) 2015-01-13
JP2014524909A (ja) 2014-09-25
KR20140057500A (ko) 2014-05-13
CN103635464B (zh) 2016-09-07
US20150099890A1 (en) 2015-04-09
US9548458B2 (en) 2017-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6143748B2 (ja) ポリフェニレンホスト化合物
JP5805209B2 (ja) 発光装置に使用するためのベンゾイミダゾール誘導体
US8927121B2 (en) Emissive aryl-heteroaryl compounds
JP6225271B2 (ja) 発光デバイス用発光化合物
JP5746701B2 (ja) 有機発光ダイオード発光層のための化合物
KR101256205B1 (ko) 유기발광화합물 및 이를 구비한 유기발광소자
US20120214269A1 (en) Tetraphenylsilane compounds suitable as organic hole-transport materials
US20140284584A1 (en) Organic light emitting bipolar host materials
US9425408B2 (en) Organic light emitting host materials
US8895157B2 (en) Host material for lighting devices
US9379336B2 (en) Compounds for use in light emitting devices
WO2014093353A1 (en) Organic light emitting polyaromatic and polyheteroaromatic host materials

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150615

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150615

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20150615

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20150715

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150728

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20151117

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20170217

A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20170316

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170509

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6143748

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees