JP6802966B2 - 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 - Google Patents

Description

本発明は、支持ガラス基板及びこれを用いた積層体に関し、具体的には、半導体パッケージの製造工程で加工基板の支持に用いる支持ガラス基板及びこれを用いた積層体に関する。

携帯電話、ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄａｔａ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ）等の携帯型電子機器には、小型化及び軽量化が要求されている。これに伴い、これらの電子機器に用いられる半導体チップの実装スペースも厳しく制限されており、半導体チップの高密度な実装が課題になっている。そこで、近年では、三次元実装技術、すなわち半導体チップ同士を積層し、各半導体チップ間を配線接続することにより、半導体パッケージの高密度実装を図っている。

また、従来のウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）は、バンプをウエハの状態で形成した後、ダイシングで個片化することにより作製されている。しかし、従来のＷＬＰは、ピン数を増加させ難いことに加えて、半導体チップの裏面が露出した状態で実装されるため、半導体チップの欠け等が発生し易いという問題があった。

そこで、新たなＷＬＰとして、ｆａｎ ｏｕｔ型のＷＬＰが提案されている。ｆａｎ ｏｕｔ型のＷＬＰは、ピン数を増加させることが可能であり、また半導体チップの端部を保護することにより、半導体チップの欠け等を防止することができる。

ｆａｎ ｏｕｔ型のＷＬＰでは、複数の半導体チップを樹脂の封止材でモールドして、加工基板を形成した後に、加工基板の一方の表面に配線する工程、半田バンプを形成する工程等を有する。

これらの工程は、約２００〜３００℃の熱処理を伴うため、封止材が変形して、加工基板が寸法変化する虞がある。加工基板が寸法変化すると、加工基板の一方の表面に対して、高密度に配線することが困難になり、また半田バンプを正確に形成することも困難になる。

加工基板の寸法変化を抑制するために、支持基板を用いることが有効である。しかし、支持基板を用いた場合であっても、加工基板の寸法変化が生じる場合があった。特に、加工基板内で半導体チップの割合が多く、封止材の割合が少ない場合に、加工基板の寸法変化が生じ易かった。

本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、その技術的課題は、加工基板内で半導体チップの割合が多く、封止材の割合が少ない場合に、加工基板の寸法変化を生じさせ難い支持基板及びこれを用いた積層体を創案することにより、半導体パッケージの高密度実装に寄与することである。

本発明者は、種々の実験を繰り返した結果、支持基板としてガラス基板を採択すると共に、このガラス基板の熱膨張係数と全体板厚偏差を厳密に規制することにより、上記技術的課題を解決し得ることを見出し、本発明として、提案するものである。すなわち、本発明の支持ガラス基板は、３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３０×１０^−７／℃超であり、且つ５０×１０^−７／℃未満であり、全体板厚偏差が２．０μｍ未満であることを特徴とする。ここで、「３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数」は、ディラトメーターで測定可能である。「全体板厚偏差」は、支持ガラス基板全体の最大板厚と最小板厚の差であり、例えばコベルコ科研社製のＳＢＷ−３３１ＭＬ／ｄにより測定可能である。

ガラス基板は、表面を平滑化し易く、且つ剛性を有する。よって、支持基板としてガラス基板を用いると、加工基板を強固、且つ正確に支持することが可能になる。またガラス基板は、紫外光等の光を透過し易い。よって、支持基板としてガラス基板を用いると、接着層等を設けることにより加工基板と支持ガラス基板を容易に固定することができる。また剥離層等を設けることにより加工基板と支持ガラス基板を容易に分離することもできる。

また、本発明の支持ガラス基板では、３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３０×１０^−７／℃超であり、且つ５０×１０^−７／℃未満に規制されている。このようにすれば、加工基板内で半導体チップの割合が多く、封止材の割合が少ない場合に、加工基板と支持ガラス基板の熱膨張係数が整合し易くなる。そして、両者の熱膨張係数が整合すると、加工処理時に加工基板の寸法変化（特に、反り変形）を抑制し易くなる。結果として、加工基板の一方の表面に対して、高密度に配線することが可能になり、また半田バンプを正確に形成することも可能になる。

更に、本発明の支持ガラス基板では、全体板厚偏差が２．０μｍ未満である。このようにすれば、加工処理の精度を高め易くなる。特に配線精度を高めることができるため、高密度の配線が可能になる。また支持ガラス基板の強度が向上して、支持ガラス基板及び積層体が破損し難くなる。更に支持ガラス基板の再利用回数を増やすことができる。

第二に、本発明の支持ガラス基板は、半導体パッケージの製造工程で加工基板の支持に用いることが好ましい。

第三に、本発明の支持ガラス基板は、オーバーフローダウンドロー法で成形されてなること、つまりガラス内部に成形合流面を有することが好ましい。

第四に、本発明の支持ガラス基板は、ヤング率が６５ＧＰａ以上であることが好ましい。

第五に、本発明の支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ ５５〜６８％、Ａｌ_２Ｏ_３ １２〜２５％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜１５％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ５〜３０％を含有することが好ましい。ここで、「ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ」は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの合量である。

第六に、本発明の支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ ５８〜６５％、Ａｌ_２Ｏ_３ １５〜２３％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜１１％、ＭｇＯ＋ＣａＯ ６〜１５％、ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜１１．４％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ０〜１％未満を含有することが好ましい。ここで、「ＭｇＯ＋ＣａＯ」は、ＭｇＯとＣａＯの合量である。「ＳｒＯ＋ＢａＯ」は、ＳｒＯとＢａＯの合量である。「Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ」は、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏの合量である。

第七に、本発明の支持ガラス基板は、板厚が２．０ｍｍ未満であることが好ましい。

第八に、本発明の積層体は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることが好ましい。

第九に、本発明の半導体パッケージの製造方法は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることが好ましい。

第十に、本発明の半導体パッケージの製造方法は、加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことが好ましい。

第十一に、本発明の半導体パッケージの製造方法は、加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことが好ましい。

第十二に、本発明の半導体パッケージは、上記の半導体パッケージの製造方法により作製されたことが好ましい。

第十三に、本発明の電子機器は、半導体パッケージを備える電子機器であって、半導体パッケージが、上記の半導体パッケージであることが好ましい。

本発明の積層体の一例を示す概念斜視図である。 ｆａｎ ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程を示す概念断面図である。 支持ガラス基板をバックグラインド基板に用いて、加工基板を薄型化する工程を示す概念断面図である。

３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数は３０×１０^−７／℃超であり、且つ５０×１０^−７／℃未満であり、好ましくは３５×１０^−７／℃以上、且つ４９×１０^−７／℃以下、特に好ましくは３８×１０^−７／℃以上、且つ４５×１０^−７／℃以下である。３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が上記範囲外になると、加工基板と支持ガラス基板の熱膨張係数が整合し難くなる。そして、両者の熱膨張係数が不整合になると、加工処理時に加工基板の寸法変化（特に、反り変形）が生じ易くなる。

本発明の支持ガラス基板において、全体板厚偏差は、好ましくは２．０μｍ未満、１．５μｍ以下、１．０μｍ以下、特に０．１〜１．０μｍ未満である。全体板厚偏差が小さい程、加工処理の精度を高め易くなる。特に配線精度を高めることができるため、高密度の配線が可能になる。また支持ガラス基板の強度が向上して、支持ガラス基板及び積層体が破損し難くなる。更に支持ガラス基板の再利用回数を増やすことができる。

本発明の支持ガラス基板は、表面を研磨されてなることが好ましい。このようにすれば、全体板厚偏差を２．０μｍ未満、１．５μｍ以下、１．０μｍ以下、特に１．０μｍ未満に規制し易くなる。研磨処理の方法としては、種々の方法を採用することができるが、ガラス基板の両面を一対の研磨パッドで挟み込み、ガラス基板と一対の研磨パッドを共に回転させながら、ガラス基板を研磨処理する方法が好ましい。更に一対の研磨パッドは外径が異なることが好ましく、研磨の際に間欠的にガラス基板の一部が研磨パッドから食み出すように研磨処理することが好ましい。これにより、全体板厚偏差を低減し易くなり、また反り量も低減し易くなる。なお、研磨処理において、研磨深さは特に限定されないが、研磨深さは、好ましくは５０μｍ以下、３０μｍ以下、２０μｍ以下、特に１０μｍ以下である。研磨深さが小さい程、ガラス基板の生産性が向上する。

本発明の支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ ５５〜６８％、Ａｌ_２Ｏ_３ １２〜２５％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜１５％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ５〜３０％を含有することが好ましく、ＳｉＯ_２ ５８〜６５％、Ａｌ_２Ｏ_３ １５〜２３％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜１１％、ＭｇＯ＋ＣａＯ ６〜１５％、ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜１１．４％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ０〜１％未満を含有することが更に好ましい。上記のように各成分の含有量を限定した理由を以下に示す。なお、各成分の含有量の説明において、％表示は、特に断りがある場合を除き、質量％を表す。

ＳｉＯ_２は、ガラスの骨格を形成する成分である。ＳｉＯ_２の含有量は、好ましくは５５〜６８％、５６〜６７％、５７〜６６％、特に５８〜６５％である。ＳｉＯ_２の含有量が少な過ぎると、密度が高くなり過ぎると共に、耐酸性が低下し易くなる。一方、ＳｉＯ_２の含有量が多過ぎると、高温粘度が高くなり、溶融性が低下し易くなることに加えて、クリストバライト等の失透結晶が析出し易くなって、液相温度が上昇し易くなる。

Ａｌ_２Ｏ_３は、ガラスの骨格を形成する成分であり、また歪点やヤング率を高める成分であり、更に分相を抑制する成分である。Ａｌ_２Ｏ_３の含有量は、好ましくは１２〜２５％、１４〜２４％、１５〜２３％、特に１６〜２１％である。Ａｌ_２Ｏ_３の含有量が少な過ぎると、歪点、ヤング率が低下し易くなり、またガラスが分相し易くなる。一方、Ａｌ_２Ｏ_３の含有量が多過ぎると、ムライトやアノーサイト等の失透結晶が析出し易くなって、液相温度が上昇し易くなる。

Ｂ_２Ｏ_３は、溶融性を高めると共に、耐失透性を高める成分である。Ｂ_２Ｏ_３の含有量は、好ましくは０〜１５％、０〜１２％、０〜１０％、０．５〜８％、特に１〜７％である。Ｂ_２Ｏ_３の含有量が少な過ぎると、溶融性や耐失透性が低下し易くなる。一方、Ｂ_２Ｏ_３の含有量が多過ぎると、ヤング率や歪点が低下し易くなる。

ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯを所定範囲に調整すれば、溶融性と耐失透性を高めることができる。ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量は、好ましくは５〜３０％、７〜２５％、９〜２２％、１１〜１９％、特に１３〜１７％である。

ＭｇＯ＋ＣａＯを所定範囲に調整すれば、溶融性とヤング率を高めることができる。ＭｇＯ＋ＣａＯの含有量は、好ましくは３〜２０％、５〜１５％、６〜１３％、７〜１２％、特に８〜１１％である。

ＳｒＯ＋ＢａＯを所定範囲に調整すれば、耐失透性を高めることができる。ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量は、好ましくは０〜１５％、１〜１２％、２〜１１．４％、３〜１０％、特に４〜９％である。

ＭｇＯは、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であり、アルカリ土類金属酸化物の中では、ヤング率を顕著に高める成分である。ＭｇＯの含有量は、好ましくは０〜１５％、０〜８％、０．１〜６％、１〜５％、特に２〜４％である。ＭｇＯの含有量が少な過ぎると、溶融性やヤング率が低下し易くなる。一方、ＭｇＯの含有量が多過ぎると、耐失透性が低下し易くなると共に、歪点が低下し易くなる。

ＣａＯは、歪点を低下させずに、高温粘性を下げて、溶融性を顕著に高める成分である。また、アルカリ土類金属酸化物の中では、導入原料が比較的安価であるため、原料コストを低廉化する成分である。ＣａＯの含有量は、好ましくは０〜１５％、１〜１５％、２〜１１％、３〜１０％、特に４〜９％である。ＣａＯの含有量が少な過ぎると、上記効果を享受し難くなる。一方、ＣａＯの含有量が多過ぎると、ガラスが失透し易くなると共に、熱膨張係数が高くなり易い。

ＳｒＯは、分相を抑制し、また耐失透性を高める成分である。更に、歪点を低下させずに、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であると共に、液相温度の上昇を抑制する成分である。ＳｒＯの含有量は、好ましくは０〜１２％、１〜９％、特に２〜６％である。ＳｒＯの含有量が少な過ぎると、上記効果を享受し難くなる。一方、ＳｒＯの含有量が多過ぎると、ストロンチウムシリケート系の失透結晶が析出し易くなって、耐失透性が低下し易くなる。

ＢａＯは、耐失透性を顕著に高める成分である。ＢａＯの含有量は、好ましくは０〜１５％、０．１〜１２％、１〜１０％、特に４〜９％である。ＢａＯの含有量が少な過ぎると、上記効果を享受し難くなる。一方、ＢａＯの含有量が多過ぎると、密度が高くなり過ぎると共に、溶融性が低下し易くなる。またＢａＯを含む失透結晶が析出し易くなって、液相温度が上昇し易くなる。

Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏは、高温粘性を下げて、溶融性、成形性を顕著に高める成分であるが、その含有量が多くなると、熱膨張係数が不当に上昇する虞がある。よって、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏの含有量は、好ましくは０〜５％、０〜３％、０〜１％未満、０〜０．５％、特に０〜０．１％である。

Ｌｉ_２Ｏは、高温粘性を下げて、溶融性、成形性を顕著に高める成分であるが、その含有量が多くなると、熱膨張係数が不当に上昇する虞がある。よって、Ｌｉ_２Ｏの含有量は、好ましくは０〜３％、０〜１％未満、０〜０．５％、特に０〜０．１％である。

Ｎａ_２Ｏは、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であるが、その含有量が多くなると、熱膨張係数が不当に上昇する虞がある。よって、Ｎａ_２Ｏの含有量は、好ましくは０〜３％、０〜１％未満、０〜０．５％、特に０．０１〜０．３％である。

Ｋ_２Ｏは、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であるが、その含有量が多くなると、熱膨張係数が不当に上昇する虞がある。よって、Ｋ_２Ｏの含有量は、好ましくは０〜３％、０〜１％未満、０〜０．５％、特に０．０１〜０．３％である。

上記成分以外にも、任意成分として、他の成分を導入してもよい。なお、上記成分以外の他の成分の含有量は、本発明の効果を的確に享受する観点から、合量で１０％以下、特に５％以下が好ましい。

ＺｎＯは、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であるが、その含有量が多くなると、耐失透性が低下し易くなる。よって、ＺｎＯの含有量は、好ましくは０〜５％、０〜４％、０〜３％、０〜２％、０〜１％、特に０〜０．１％である。

ＴｉＯ_２は、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であるが、その含有量が多くなると、耐失透性が低下し易くなる。よって、ＴｉＯ_２の含有量は、好ましくは０〜５％、０〜１％、特に０〜０．１％である。

ＺｒＯ_２は、歪点、ヤング率を高める働きがある。しかし、ＺｒＯ_２の含有量が多過ぎると、耐失透性が顕著に低下する虞がある。特に、ＳｎＯ_２を含有させる場合は、ＺｒＯ_２の含有量を厳密に規制することが好ましい。ＺｒＯ_２の含有量は０．４％以下、０．３％以下、特に０．０１〜０．２％が好ましい。

Ｐ_２Ｏ_５は、失透結晶の析出を抑制し得る成分であるが、その含有量が多くなると、ガラスが分相し易くなる。よって、Ｐ_２Ｏ_５の含有量は、好ましくは０〜５％、０〜１％、特に０〜０．１％である。

清澄剤として、Ａｓ_２Ｏ_３が有効に作用するが、環境的観点で言えば、この成分を極力低減することが好ましい。Ａｓ_２Ｏ_３の含有量は、好ましくは１％以下、０．５％以下、特に０．１％以下であり、実質的に含有させないことが望ましい。ここで、「実質的にＡｓ_２Ｏ_３を含有しない」とは、ガラス組成中のＡｓ_２Ｏ_３の含有量が０．０５％未満の場合を指す。

Ｓｂ_２Ｏ_３は、低温域で良好な清澄作用を有する成分である。Ｓｂ_２Ｏ_３の含有量は、好ましくは１％以下、０．５％以下、特に０．１％以下であり、実質的に含有させないことが望ましい。ここで、「実質的にＳｂ_２Ｏ_３を含有しない」とは、ガラス組成中のＳｂ_２Ｏ_３の含有量が０．０５％未満の場合を指す。

ＳｎＯ_２は、高温域で良好な清澄作用を有する成分であり、また高温粘性を低下させる成分である。ＳｎＯ_２の含有量は、好ましくは０〜１％、０．００１〜１％、０．０１〜０．９％、特に０．０５〜０．７％である。ＳｎＯ_２の含有量が多過ぎると、ＳｎＯ_２の失透結晶が析出し易くなる。なお、ＳｎＯ_２の含有量が少な過ぎると、上記効果を享受し難くなる。

Ｃｌは、ガラスの溶融を促進する成分である。ガラス組成中にＣｌを導入すれば、溶融温度の低温化、清澄作用の促進を図ることができ、結果として、溶融コストの低廉化、ガラス製造窯の長寿命化を達成し易くなる。しかし、Ｃｌの含有量が多過ぎると、ガラス製造窯周囲の金属部品を腐食させる虞がある。よって、Ｃｌの含有量は、好ましくは１％以下、０．５％以下、特に０．１％以下である。

更に、ガラス特性が損なわれない限り、清澄剤として、Ｆ、Ｃｌ、ＳＯ_３、Ｃ、或いはＡｌ、Ｓｉ等の金属粉末を各々１％程度まで導入してもよい。また、ＣｅＯ_２等も１％程度まで導入し得るが、紫外線透過率の低下に留意する必要がある。

Ｙ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｌａ_２Ｏ_３には、歪点、ヤング率等を高める働きがある。しかし、これらの成分の含有量が各々５％、特に１％より多いと、原料コスト、製品コストが高騰する虞がある。

本発明の支持ガラス基板は、以下の特性を有することが好ましい。

ヤング率は、好ましくは６５ＧＰａ以上、７０ＧＰａ以上、７２ＧＰａ以上、７４ＧＰａ以上、７６ＧＰａ以上、７８ＧＰａ以上、特に８０ＧＰａ以上である。ヤング率が低過ぎると、積層体の剛性を維持し難くなり、加工基板の変形、反り、破損が発生し易くなる。

歪点は、好ましくは４８０℃以上、５００℃以上、５１０℃以上、５２０℃以上、特に５３０℃以上である。歪点が高い程、半導体パッケージの製造工程において支持ガラス基板の熱収縮を低減し易くなる。結果として、加工処理の精度を高め易くなる。特に配線精度を高めることができるため、高密度の配線が可能になる。なお、「歪点」は、ＡＳＴＭ Ｃ３３６の方法に基づいて測定した値を指す。

液相温度は、好ましくは１３００℃以下、１２８０℃以下、１２５０℃以下、１２１０℃以下、１１８０℃以下、１１６０℃以下、１１４０℃以下、１１２０℃以下、１１００℃以下、特に８８０℃以下である。このようにすれば、ダウンドロー法、特にオーバーフローダウンドロー法でガラス基板を成形し易くなるため、板厚が小さいガラス基板を作製し易くなると共に、表面を研磨しなくても、或いは少量の研磨によって、全体板厚偏差を２．０μｍ未満、特に１．０μｍ未満まで低減することができ、結果として、ガラス基板の製造コストを低廉化することもできる。更に、ガラス基板の製造工程時に、失透結晶が発生して、ガラス基板の生産性が低下する事態を防止し易くなる。ここで、「液相温度」は、標準篩３０メッシュ（５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れた後、温度勾配炉中に２４時間保持して、結晶が析出する温度を測定することにより算出可能である。

液相温度における粘度は、好ましくは１０^４．３ｄＰａ・ｓ以上、１０^４．６ｄＰａ・ｓ以上、１０^５．０ｄＰａ・ｓ以上、１０^５．２ｄＰａ・ｓ以上、特に１０^５．３ｄＰａ・ｓ以上である。このようにすれば、ダウンドロー法、特にオーバーフローダウンドロー法でガラス基板を成形し易くなるため、板厚が小さいガラス基板を作製し易くなると共に、少量の研磨によって、全体板厚偏差を２．０μｍ未満、特に１．０μｍ未満まで高めることができ、結果として、ガラス基板の製造コストを低廉化することができる。更に、ガラス基板の製造工程時に、失透結晶が発生して、ガラス基板の生産性が低下する事態を防止し易くなる。ここで、「液相温度における粘度」は、白金球引き上げ法で測定可能である。なお、液相温度における粘度は、成形性の指標であり、液相温度における粘度が高い程、成形性が向上する。

１０^２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、好ましくは１７５０℃以下、１７００℃以下、１６８０℃以下、１６５０℃以下、１６００℃以下、特に１４００〜１５５０℃以下である。１０^２．５ｄＰａ・ｓにおける温度が高くなると、溶融性が低下して、ガラス基板の製造コストが高騰する。ここで、「１０^２．５ｄＰａ・ｓにおける温度」は、白金球引き上げ法で測定可能である。なお、１０^２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、溶融温度に相当し、この温度が低い程、溶融性が向上する。

本発明のガラス基板は、ウエハ状（略真円状）が好ましく、その直径は１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下、特に１５０ｍｍ以上４５０ｍｍ以下が好ましい。このようにすれば、半導体パッケージの製造工程に適用し易くなる。必要に応じて、それ以外の形状、例えば矩形等の形状に加工してもよい。

本発明の支持ガラス基板において、板厚は、好ましくは２．０ｍｍ未満、１．５ｍｍ以下、１．２ｍｍ以下、１．１ｍｍ以下、１．０ｍｍ以下、特に０．９ｍｍ以下である。板厚が薄くなる程、積層体の質量が軽くなるため、ハンドリング性が向上する。一方、板厚が薄過ぎると、支持基板自体の強度が低下して、支持基板としての機能を果たし難くなる。よって、板厚は、好ましくは０．１ｍｍ以上、０．２ｍｍ以上、０．３ｍｍ以上、０．４ｍｍ以上、０．５ｍｍ以上、０．６ｍｍ以上、特に０．７ｍｍ超である。

本発明の支持ガラス基板は、反り量を低減する観点から、化学強化処理がなされていないことが好ましい。つまり反り量を低減する観点から、表面に圧縮応力層を有しないことが好ましい。

本発明の支持ガラス基板は、ダウンドロー法、特にオーバーフローダウンドロー法で成形されてなることが好ましい。オーバーフローダウンドロー法は、耐熱性の樋状構造物の両側から溶融ガラスを溢れさせて、溢れた溶融ガラスを樋状構造物の下頂端で合流させながら、下方に延伸成形してガラス基板を製造する方法である。オーバーフローダウンドロー法では、ガラス基板の表面となるべき面は樋状耐火物に接触せず、自由表面の状態で成形される。このため、板厚が小さいガラス基板を作製し易くなると共に、少量の研磨によって、全体板厚偏差を２．０μｍ未満、特に１．０μｍ未満まで低減することができ、結果として、ガラス基板の製造コストを低廉化することができる。なお、樋状構造物の構造や材質は、所望の寸法や表面精度を実現できるものであれば、特に限定されない。また、下方への延伸成形を行う際に、力を印加する方法も特に限定されない。例えば、充分に大きい幅を有する耐熱性ロールをガラスに接触させた状態で回転させて延伸する方法を採用してもよいし、複数の対になった耐熱性ロールをガラスの端面近傍のみに接触させて延伸する方法を採用してもよい。

ガラス基板の成形方法として、オーバーフローダウンドロー法以外にも、例えば、スロットダウン法、リドロー法、フロート法等を採択することもできる。

本発明の支持ガラス基板は、オーバーフローダウンドロー法で成形した後に、表面を研磨されてなることが好ましい。このようにすれば、全体板厚偏差を２．０μｍ未満、１．５μｍ以下、１．０μｍ以下、特に０．１〜１．０μｍ未満に規制し易くなる。

本発明の積層体は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることを特徴とする。ここで、本発明の積層体の技術的特徴（好適な構成、効果）は、本発明の支持ガラス基板の技術的特徴と重複する。よって、本明細書では、その重複部分について、詳細な記載を省略する。

本発明の積層体は、加工基板と支持ガラス基板の間に、接着層を有することが好ましい。接着層は、樹脂であることが好ましく、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化樹脂）等が好ましい。また半導体パッケージの製造工程における熱処理に耐える耐熱性を有するものが好ましい。これにより、半導体パッケージの製造工程で接着層が融解し難くなり、加工処理の精度を高めることができる。

本発明の積層体は、更に加工基板と支持ガラス基板の間に、より具体的には加工基板と接着層の間に、剥離層を有すること、或いは支持ガラス基板と接着層の間に、剥離層を有することが好ましい。このようにすれば、加工基板に対して、所定の加工処理を行った後に、加工基板を支持ガラス基板から剥離し易くなる。加工基板の剥離は、生産性の観点から、レーザー光等の照射光により行うことが好ましい。

剥離層は、レーザー光等の照射光により「層内剥離」又は「界面剥離」が生じる材料で構成される。つまり一定の強度の光を照射すると、原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失又は減少して、アブレーション（ａｂｌａｔｉｏｎ）等を生じ、剥離を生じさせる材料で構成される。なお、照射光の照射により、剥離層に含まれる成分が気体となって放出されて分離に至る場合と、剥離層が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。

本発明の積層体において、支持ガラス基板は、加工基板よりも大きいことが好ましい。これにより、加工基板と支持ガラス基板を支持する際に、両者の中心位置が僅かに離間した場合でも、支持ガラス基板から加工基板の縁部が食み出し難くなる。

本発明の半導体パッケージの製造方法は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が上記の支持ガラス基板であることを特徴とする。ここで、本発明の半導体パッケージの製造方法の技術的特徴（好適な構成、効果）は、本発明の支持ガラス基板及び積層体の技術的特徴と重複する。よって、本明細書では、その重複部分について、詳細な記載を省略する。

本発明の半導体パッケージの製造方法は、少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程を有する。少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体は、上記の材料構成を有している。なお、ガラス基板の成形方法として、上記成形方法を採択することができる。

本発明の半導体パッケージの製造方法は、更に積層体を搬送する工程を有することが好ましい。これにより、加工処理の処理効率を高めることができる。なお、「積層体を搬送する工程」と「加工基板に対して、加工処理を行う工程」とは、別途に行う必要はなく、同時であってもよい。

本発明の半導体パッケージの製造方法において、加工処理は、加工基板の一方の表面に配線する処理、或いは加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する処理が好ましい。本発明の半導体パッケージの製造方法では、これらの処理時に加工基板が寸法変化し難いため、これらの工程を適正に行うことができる。

加工処理として、上記以外にも、加工基板の一方の表面（通常、支持ガラス基板とは反対側の表面）を機械的に研磨する処理、加工基板の一方の表面（通常、支持ガラス基板とは反対側の表面）をドライエッチングする処理、加工基板の一方の表面（通常、支持ガラス基板とは反対側の表面）をウェットエッチングする処理の何れかであってもよい。なお、本発明の半導体パッケージの製造方法では、加工基板に反りが発生し難いと共に、積層体の剛性を維持することができる。結果として、上記加工処理を適正に行うことができる。

本発明の半導体パッケージは、上記の半導体パッケージの製造方法により作製されたことを特徴とする。ここで、本発明の半導体パッケージの技術的特徴（好適な構成、効果）は、本発明の支持ガラス基板、積層体及び半導体パッケージの製造方法の技術的特徴と重複する。よって、本明細書では、その重複部分について、詳細な記載を省略する。

本発明の電子機器は、半導体パッケージを備える電子機器であって、半導体パッケージが、上記の半導体パッケージであることを特徴とする。ここで、本発明の電子機器の技術的特徴（好適な構成、効果）は、本発明の支持ガラス基板、積層体、半導体パッケージの製造方法、半導体パッケージの技術的特徴と重複する。よって、本明細書では、その重複部分について、詳細な記載を省略する。

図面を参酌しながら、本発明を更に説明する。

図１は、本発明の積層体１の一例を示す概念斜視図である。図１では、積層体１は、支持ガラス基板１０と加工基板１１とを備えている。支持ガラス基板１０は、加工基板１１の寸法変化を防止するために、加工基板１１に貼着されている。支持ガラス基板１０と加工基板１１との間には、剥離層１２と接着層１３が配置されている。剥離層１２は、支持ガラス基板１０と接触しており、接着層１３は、加工基板１１と接触している。

図１から分かるように、積層体１は、支持ガラス基板１０、剥離層１２、接着層１３、加工基板１１の順に積層配置されている。支持ガラス基板１０の形状は、加工基板１１に応じて決定されるが、図１では、支持ガラス基板１０及び加工基板１１の形状は、何れも略円板形状である。剥離層１２は、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）以外にも、酸化ケイ素、ケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等が用いられる。剥離層１２は、プラズマＣＶＤ、ゾル−ゲル法によるスピンコート等により形成される。接着層１３は、樹脂で構成されており、例えば、各種印刷法、インクジェット法、スピンコート法、ロールコート法等により塗布形成される。接着層１３は、剥離層１２により加工基板１１から支持ガラス基板１０が剥離された後、溶剤等により溶解除去される。

図２は、ｆａｎ ｏｕｔ型のＷＬＰの製造工程を示す概念断面図である。図２（ａ）は、支持部材２０の一方の表面上に接着層２１を形成した状態を示している。必要に応じて、支持部材２０と接着層２１の間に剥離層を形成してもよい。次に、図２（ｂ）に示すように、接着層２１の上に複数の半導体チップ２２を貼付する。その際、半導体チップ２２のアクティブ側の面を接着層２１に接触させる。次に、図２（ｃ）に示すように、半導体チップ２２を樹脂の封止材２３でモールドする。封止材２３は、圧縮成形後の寸法変化、配線を成形する際の寸法変化が少ない材料が使用される。続いて、図２（ｄ）、（ｅ）に示すように、支持部材２０から半導体チップ２２がモールドされた加工基板２４を分離した後、接着層２５を介して、支持ガラス基板２６と接着固定させる。その際、加工基板２４の表面の内、半導体チップ２２が埋め込まれた側の表面とは反対側の表面が支持ガラス基板２６側に配置される。このようにして、積層体２７を得ることができる。なお、必要に応じて、接着層２５と支持ガラス基板２６の間に剥離層を形成してもよい。更に、得られた積層体２７を搬送した後に、図２（ｆ）に示すように、加工基板２４の半導体チップ２２が埋め込まれた側の表面に配線２８を形成した後、複数の半田バンプ２９を形成する。最後に、支持ガラス基板２６から加工基板２４を分離した後に、加工基板２４を半導体チップ２２毎に切断し、後のパッケージング工程に供される。

図３は、支持ガラス基板をバックグラインド基板に用いて、加工基板を薄型化する工程を示す概念断面図である。図３（ａ）は、積層体３０を示している。積層体３０は、支持ガラス基板３１、剥離層３２、接着層３３、加工基板（シリコンウェハ）３４の順に積層配置されている。加工基板の接着層３３に接する側の表面には、半導体チップ３５がフォトリソグラフィー法等により複数形成されている。図３（ｂ）は、加工基板３４を研磨装置３６により薄型化する工程を示している。この工程により、加工基板３４は、機械的に研磨されて、例えば数十μｍまで薄型化される。図３（ｃ）は、支持ガラス基板３１を通して、剥離層３２に紫外光３７を照射する工程を示している。この工程を経ると、図３（ｄ）に示す通り、支持ガラス基板３１を分離することが可能になる。分離された支持ガラス基板３１は、必要に応じて、再利用される。図３（ｅ）は、加工基板３４から接着層３３を取り除く工程を示している。この工程を経ると、薄型化した加工基板３４を採取することができる。

以下、本発明を実施例に基づいて説明する。なお、以下の実施例は単なる例示である。本発明は、以下の実施例に何ら限定されない。

表１は、本発明の実施例（試料Ｎｏ．１〜１６）を示している。

まず表中のガラス組成になるように、ガラス原料を調合したガラスバッチを白金坩堝に入れた後、１６００〜１７００℃で２４時間溶融、清澄、均質化を行った。ガラスバッチの溶解に際しては、白金スターラーを用いて攪拌し、均質化を行った。次いで、溶融ガラスをカーボン板上に流し出して、板状に成形した後、徐冷点付近の温度で３０分間徐冷した。得られた各ガラス基板について、３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数α_{３０〜３８０}、密度ρ、歪点Ｐｓ、徐冷点Ｔａ、軟化点Ｔｓ、高温粘度１０^４．０ｄＰａ・ｓにおける温度、高温粘度１０^３．０ｄＰａ・ｓにおける温度、高温粘度１０^２．５ｄＰａ・ｓにおける温度、液相温度ＴＬ、液相温度ＴＬにおける粘度η及びヤング率Ｅを評価した。

３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数α_{３０〜３８０}は、ディラトメーターで測定した値である。

密度ρは、周知のアルキメデス法によって測定した値である。

歪点Ｐｓ、徐冷点Ｔａ、軟化点Ｔｓは、ＡＳＴＭ Ｃ３３６の方法に基づいて測定した値である。

高温粘度１０^４．０ｄＰａ・ｓ、１０^３．０ｄＰａ・ｓ、１０^２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、白金球引き上げ法で測定した値である。

液相温度ＴＬは、標準篩３０メッシュ（５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れて、温度勾配炉中に２４時間保持した後、結晶が析出する温度を顕微鏡観察にて測定した値である。液相温度における粘度ηは、液相温度ＴＬにおけるガラスの粘度を白金球引き上げ法で測定した値である。

ヤング率Ｅは、共振法により測定した値を指す。

表１から明らかなように、試料Ｎｏ．１〜１６は、３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数α_{３０〜３８０}が３２×１０^−７／℃〜３９×１０^−７／℃であった。よって、試料Ｎｏ．１〜１６は、加工基板内で半導体チップの割合が多く、封止材の割合が少ない場合に、半導体製造装置の製造工程で加工基板の支持に用いる支持ガラス基板として好適であると考えられる。

続いて、各ガラス基板をφ３００ｍｍ×０．８ｍｍ厚に加工した後、その両表面を研磨装置により研磨処理した。具体的には、ガラス基板の両表面を外径が相違する一対の研磨パットで挟み込み、ガラス基板と一対の研磨パッドを共に回転させながらガラス基板の両表面を研磨処理した。研磨処理の際、時折、ガラス基板の一部が研磨パッドから食み出すように制御した。なお、研磨パッドはウレタン製、研磨処理の際に使用した研磨スラリーの平均粒径は２．５μｍ、研磨速度は１５ｍ／分であった。得られた各研磨処理済みガラス基板について、コベルコ科研社製のＳＢＷ−３３１ＭＬ／ｄにより全体板厚偏差と反り量を測定した。その結果、全体板厚偏差がそれぞれ０．４５μｍであり、反り量がそれぞれ３５μｍであった。

１、２７、３０ 積層体
１０、２６、３１ 支持ガラス基板
１１、２４、３４ 加工基板
１２、３２ 剥離層
１３、２１、２５、３３ 接着層
２０ 支持部材
２２、３５ 半導体チップ
２３ 封止材
２８ 配線
２９ 半田バンプ
３６ 研磨装置
３７ 紫外光

Claims (11)

1. ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ _２ ５５〜６８％、Ａｌ _２ Ｏ _３ １２〜２５％、Ｂ _２ Ｏ _３ ０〜１５％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ５〜３０％を含有し、３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３０×１０^−７／℃超であり、且つ５０×１０^−７／℃未満であり、表面に研磨面を有し、全体板厚偏差が２．０μｍ未満であることを特徴とする支持ガラス基板。
2. 半導体パッケージの製造工程で加工基板の支持に用いることを特徴とする請求項１に記載の支持ガラス基板。
3. ガラス内部に成形合流面を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の支持ガラス基板。
4. ヤング率が６５ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の支持ガラス基板。
5. ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ ５５〜６８％、Ａｌ_２Ｏ_３ １２〜２５％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜１５％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ５〜３０％、Ｌｉ _２ Ｏ＋Ｎａ _２ Ｏ＋Ｋ _２ Ｏ ０〜１％未満を含有することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の支持ガラス基板。
6. ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ_２ ５８〜６５％、Ａｌ_２Ｏ_３ １５〜２３％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜１１％、ＭｇＯ＋ＣａＯ ６〜１５％、ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜１１．４％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ０〜１％未満を含有することを特徴とする請求項５に記載の支持ガラス基板。
7. 板厚が２．０ｍｍ未満であることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の支持ガラス基板。
8. 少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が請求項１〜７の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする積層体。
9. 少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、
   加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が請求項１〜７の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
10. 加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
11. 加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体パッケージの製造方法。