JP6900512B2 - Fz法によって単結晶を引き上げるための方法およびプラント - Google Patents
Fz法によって単結晶を引き上げるための方法およびプラント Download PDFInfo
- Publication number
- JP6900512B2 JP6900512B2 JP2019565057A JP2019565057A JP6900512B2 JP 6900512 B2 JP6900512 B2 JP 6900512B2 JP 2019565057 A JP2019565057 A JP 2019565057A JP 2019565057 A JP2019565057 A JP 2019565057A JP 6900512 B2 JP6900512 B2 JP 6900512B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nucleus
- polycrystal
- polycrystalline
- melting device
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
- C30B13/30—Stabilisation or shape controlling of the molten zone, e.g. by concentrators, by electromagnetic fields; Controlling the section of the crystal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
本発明は、多結晶が電磁融解装置によって融解され、その後再結晶化されるFZ法によって単結晶を引き上げるための方法、および対応するプラントに関する。
FZ法、いわゆるフローティングゾーン法またはゾーンメルティング法による、単結晶、特に半導体材料のそれの引上げにおいては、高い純度の単結晶を生成することが可能である。この方法では、多結晶、言い換えればより特定的には多結晶半導体材料からなる結晶が融解され、その後再結晶化される。
本発明によれば、独立請求項の構成を有する、単結晶を引き上げるための方法およびプラントが提案される。有利な実施形態は、従属請求項および以下の説明の主題である。
上記に示される構成および本明細書で明らかにされることとなるものは、示唆される特定の組み合わせにおいてのみならず、本発明の範囲から逸脱することなく、他の組み合わせまたはそれら自体において用いられ得ることが理解される。
多結晶100、および本発明の方法が実施可能である融解装置300が、図1の側面図に概略的に示される。ここで、融解装置300は、たとえば、対応する線を介して接続される駆動ユニット320によって、高周波にしたがって駆動または動作可能である、インダクタまたは誘導コイル310を有する。
Claims (10)
- FZ法によって単結晶(150)を引き上げる方法であって、電磁融解装置(300)によって多結晶(100)を融解し、その後前記多結晶(100)を再結晶化することを備え、
第1段階(P1)で、前記融解装置(300)に向かって前記多結晶(100)を移動させ、前記融解装置(300)によって前記多結晶(100)の下端を融解して液滴(120)を形成し、
第2段階(P2)で、単結晶の核(140)を前記多結晶(100)の前記下端における前記液滴(120)に付着させ、
前記核(140)の上端から前記単結晶の核(140)を融解し、
前記第1段階(P1)の間および前記第2段階(P2)の間に、前記融解装置(300)の動力(P)を、前記液滴(120)、前記核(140)および前記多結晶(100)の少なくとも1つを含む用いられる結晶材料の温度および幾何学的寸法(d,h)の少なくとも1つに基づいて予め決め、
前記第1段階(P1)の間に、前記融解装置(300)の前記動力(P)を第1時点(t 1 )で前記多結晶(100)の所定の温度の達成の前に上げ、前記融解装置(300)の前記動力(P)を、第2時点(t2)で前記液滴(120)の所定の幾何学的寸法(h,d)の達成後に下げ、前記所定の幾何学的寸法は、前記液滴の形態に合う等辺三角形に基づいて予め決められ、前記液滴の最下点は、前記等辺三角形の頂点として用いられ、液体と固体材料との間の相境界は、前記等辺三角形の基部として用いられる、方法。 - 前記融解装置(300)の前記動力(P)を前記多結晶(100)の前記所定の温度の達成後に一定に維持することを含む、請求項1に記載の方法。
- 一定に維持される前記動力の値を保存することを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記第2段階(P2)の間に、前記融解装置(300)の前記動力(P)を、第3時点(t3)で前記単結晶の核(140)の所定の温度の達成後に下げることを含む、請求項1から請求項3のいずれかに記載の方法。
- 前記用いられる結晶材料の温度を、前記用いられる結晶材料の明るさおよびスペクトラムの少なくとも1つに基づいて決定することを含む、請求項1から請求項4のいずれかに記載の方法。
- 前記用いられる結晶材料の前記温度および前記幾何学的寸法の少なくとも1つを、前記融解装置(300)の上方に配置されるカメラ(351)を用いて決定することを含む、請求項1から請求項5のいずれかに記載の方法。
- 前記単結晶の核(140)の前記温度を、前記融解装置(300)の下方に配置されるカメラ(352)を用いて決定することを含む、請求項1から請求項5のいずれかに記載の方法。
- 第3段階(P3)で、前記核(140)の下方セクションと前記多結晶(100)との間に、薄いネックセクション(130)を形成することを含み、前記薄いネックセクション(130)の直径(dD)は、前記核(140)の直径(dI)よりも小さい、請求項1から請求項7のいずれかに記載の方法。
- 第4段階(P4)で、前記単結晶の円錐セクション(135)を前記薄いネックセクション(130)と前記多結晶(100)との間に形成することを含む、請求項8に記載の方法。
- FZ法によって単結晶(150)を引き上げるための装置であって、融解装置(300)と、幾何学的寸法を捕捉し温度を決定するためのカメラと、前記カメラを駆動しそれらの画像を評価する算術ユニットと、を備え、請求項1から請求項9のいずれかに記載の方法の工程を実施するための、装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102017202420.8A DE102017202420A1 (de) | 2017-02-15 | 2017-02-15 | Verfahren und Anlage zum Ziehen eines Einkristalls nach dem FZ-Verfahren |
| DE102017202420.8 | 2017-02-15 | ||
| PCT/EP2018/053481 WO2018149798A1 (de) | 2017-02-15 | 2018-02-13 | Verfahren und anlage zum ziehen eines einkristalls nach dem fz-verfahren |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020507554A JP2020507554A (ja) | 2020-03-12 |
| JP6900512B2 true JP6900512B2 (ja) | 2021-07-07 |
Family
ID=61223908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019565057A Active JP6900512B2 (ja) | 2017-02-15 | 2018-02-13 | Fz法によって単結晶を引き上げるための方法およびプラント |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10988856B2 (ja) |
| EP (1) | EP3583247B1 (ja) |
| JP (1) | JP6900512B2 (ja) |
| KR (1) | KR102198127B1 (ja) |
| CN (1) | CN110291230B (ja) |
| DE (1) | DE102017202420A1 (ja) |
| DK (1) | DK3583247T3 (ja) |
| TW (1) | TWI664325B (ja) |
| WO (1) | WO2018149798A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114599972B (zh) * | 2020-07-21 | 2024-03-08 | 瓦克化学股份公司 | 用于测定硅中痕量金属的方法 |
| JP7637544B2 (ja) * | 2021-03-25 | 2025-02-28 | Tdk株式会社 | 結晶製造方法、結晶製造装置、及び単結晶 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6337004A (ja) | 1986-07-30 | 1988-02-17 | 極東開発工業株式会社 | 塵芥収集車の制御装置 |
| JP3601280B2 (ja) * | 1997-12-25 | 2004-12-15 | 信越半導体株式会社 | Fz法による半導体単結晶の製造方法 |
| JP4016363B2 (ja) * | 1998-07-28 | 2007-12-05 | 信越半導体株式会社 | 浮遊溶融帯域制御装置及び制御方法 |
| CN101680108A (zh) | 2007-04-13 | 2010-03-24 | Topsil半导体材料股份公司 | 生产单晶的方法和设备 |
| JP2010076979A (ja) | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Sumco Techxiv株式会社 | Fz法半導体単結晶製造時の測量方法、測量システム、fz法半導体単結晶製造時の制御方法、制御システム |
| CN101525764B (zh) * | 2009-04-16 | 2010-12-08 | 峨嵋半导体材料研究所 | 一种真空区熔高阻硅单晶的制备方法 |
| JP2011037640A (ja) | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Canon Machinery Inc | 単結晶育成装置及び単結晶育成方法 |
| DE102009052745A1 (de) | 2009-11-11 | 2011-05-12 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium durch Umschmelzen von Granulat |
| JP2011157239A (ja) | 2010-02-03 | 2011-08-18 | Toyota Motor Corp | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶のインゴット |
| DE102010040464A1 (de) * | 2010-09-09 | 2012-03-15 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung eines versetzungsfreien einkristallinen Stabes aus Silicium |
| CN102220629B (zh) * | 2011-07-25 | 2013-02-13 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种采用直径法控制区熔晶体自动生长方法及系统 |
| JP5768764B2 (ja) | 2012-05-30 | 2015-08-26 | 信越半導体株式会社 | 半導体単結晶棒の製造方法 |
| DE102012108009B4 (de) * | 2012-08-30 | 2016-09-01 | Topsil Semiconductor Materials A/S | Modellprädiktive Regelung des Zonenschmelz-Verfahrens |
| DE102012022965B4 (de) | 2012-11-19 | 2018-12-06 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung für das tiegelfreie Zonenziehen von Kristallstäben |
| CN103436951A (zh) | 2013-08-27 | 2013-12-11 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种区熔硅单晶的拉制方法 |
| JP6318938B2 (ja) | 2014-07-17 | 2018-05-09 | 株式会社Sumco | 単結晶の製造方法及び製造装置 |
-
2017
- 2017-02-15 DE DE102017202420.8A patent/DE102017202420A1/de not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-02-05 TW TW107104041A patent/TWI664325B/zh active
- 2018-02-13 JP JP2019565057A patent/JP6900512B2/ja active Active
- 2018-02-13 KR KR1020197023233A patent/KR102198127B1/ko active Active
- 2018-02-13 EP EP18705135.4A patent/EP3583247B1/de active Active
- 2018-02-13 US US16/473,401 patent/US10988856B2/en active Active
- 2018-02-13 DK DK18705135.4T patent/DK3583247T3/da active
- 2018-02-13 WO PCT/EP2018/053481 patent/WO2018149798A1/de not_active Ceased
- 2018-02-13 CN CN201880011568.XA patent/CN110291230B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110291230A (zh) | 2019-09-27 |
| TW201831740A (zh) | 2018-09-01 |
| KR102198127B1 (ko) | 2021-01-05 |
| US20200149183A1 (en) | 2020-05-14 |
| DK3583247T3 (da) | 2020-11-30 |
| EP3583247A1 (de) | 2019-12-25 |
| EP3583247B1 (de) | 2020-09-09 |
| TWI664325B (zh) | 2019-07-01 |
| CN110291230B (zh) | 2021-09-03 |
| JP2020507554A (ja) | 2020-03-12 |
| WO2018149798A1 (de) | 2018-08-23 |
| US10988856B2 (en) | 2021-04-27 |
| KR20190104384A (ko) | 2019-09-09 |
| DE102017202420A1 (de) | 2018-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8454746B2 (en) | Method for producing a single crystal composed of silicon using molten granules | |
| JP6900512B2 (ja) | Fz法によって単結晶を引き上げるための方法およびプラント | |
| WO2014080573A1 (ja) | 原料充填方法、単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 | |
| KR20150107241A (ko) | 잉곳 제조 방법 및 잉곳 제조 장치 | |
| JP6899176B2 (ja) | Fz法によって単結晶を引き上げるための方法 | |
| JP6880208B2 (ja) | Fz法によって単結晶を引き上げるための方法 | |
| JP5053426B2 (ja) | シリコン単結晶製造方法 | |
| JP4986452B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法および製造装置 | |
| JP2006273685A (ja) | 単結晶製造装置 | |
| KR101942320B1 (ko) | 단결정 잉곳 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 잉곳의 성장 방법 | |
| JP2833432B2 (ja) | シリコン単結晶の成長方法 | |
| JP4157934B2 (ja) | 金属単結晶製造方法及び装置 | |
| JP6988461B2 (ja) | 単結晶の製造方法及び製造装置 | |
| JP6323382B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP2007084358A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JP2011046558A (ja) | サファイア単結晶の製造方法、サファイア単結晶引き上げ装置 | |
| JPH03122092A (ja) | 多結晶インゴットの成長方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A529 | Written submission of copy of amendment under article 34 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A529 Effective date: 20191008 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191008 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201006 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201013 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210112 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210518 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210616 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6900512 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |