KR20190104384A - Fz법에 의한 단결정 인상을 위한 방법 및 플랜트 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 42
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 42
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
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- C30B29/06—Silicon
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Abstract
Description
도 2는 다른 시각에서 도 1의 용융 장치를 도시한 것이다.
도 3a 내지 도 3f는, 바람직한 일 실시예에서 본 발명의 방법의 다양한 단계를 개략적으로 도시한 것이다.
도 4a 및 도 4b는, 바람직한 일 실시예에서 본 발명의 방법의 시간에 따른 시퀀스(sequence)를 도시한 것이다.
도 5는 도 1의 다결정의 하위 단부의 상세도를 도시한 것이다.
Claims (13)
- 다결정(100)을 전자기 용융 장치(300)에 의하여 용융시킨 후 재결정화하는, FZ법에 의한 단결정(150)의 인상 방법으로서,
제1 단계(P1)에서는, 상기 용융 장치(300)를 향해 이동하게 되는 다결정(100)의 하위 단부가 용융 장치(300)에 의해 용융되어 액적(120)을 형성하며,
제2 단계(P2)에서는, 단결정질 시드(140)가 다결정(100)의 하위 단부에 부착되고, 시드(140)의 상위 단부로부터 시작하여 용융되며,
상기 용융 장치(300)의 파워(power; P)는, 제1 단계(P1) 동안 그리고 제2 단계(P2) 동안, 상기 액적(120) 및/또는 상기 시드(140) 및/또는 상기 다결정(100)을 포함하는, 사용되는 결정 재료의 기하학적 치수(d, h) 및/또는 온도에 적어도 일시적으로 의존하여 사전 결정되는 것인 단결정의 인상 방법. - 제1항에 있어서, 상기 제1 단계(P1) 동안, 용융 장치(300)의 파워(P)는, 제1 시점(t1)에서 다결정(100)의 사전에 정해진 온도를 달성하기 전에는 증가하고, 다결정(100)의 상기 사전에 정해진 온도를 달성한 이후에는 일정하게 유지되는 것인 단결정의 인상 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 파워의 일정하게 유지되는 값이 저장되는 것인 단결정의 인상 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1 단계(P1) 동안, 용융 장치(300)의 파워(P)는, 제2 시점(t2)에서 액적(120)의 사전에 정해진 기하학적 치수(h, d)를 달성한 이후에 감소되는 것인 단결정의 인상 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 사전에 정해진 기하학적 치수는, 액적(120)의 형태에 맞춰진 기하학적 형태(121)에 기초하여 사전에 결정되는 것인 단결정의 인상 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제2 단계(P2) 동안, 용융 장치(300)의 파워(P)는, 제3 시점(t3)에서 단결정질 시드(140)의 사전에 정해진 온도를 달성한 이후에 감소되는 것인 단결정의 인상 방법.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서, 사용되는 상기 결정 재료의 온도는 사용되는 결정 재료의 휘도(brightness) 및/또는 스펙트럼에 기초하여 결정되는 것인 단결정의 인상 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 있어서, 사용되는 상기 결정 재료의 온도 및/또는 기하학적 치수는, 용융 장치(300) 위에 배치되는 카메라(351)를 이용하여 결정되는 것인 단결정의 인상 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 있어서, 단결정질 시드(140)의 온도는, 용융 장치(300) 아래에 배치되는 카메라(352)를 이용하여 결정되는 것인 단결정의 인상 방법.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 하나의 항에 있어서, 단결정질 시드(140)가 다결정(100)의 하위 단부에 부착되는 시점은, 액적(120)의 기하학적 치수(h, d)에 의존하여 선택되는 것인 단결정의 인상 방법.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 하나의 항에 있어서, 추가적으로, 제3 단계(P3)에서, 다결정(100)과 시드(140)의 하위 섹션 사이에, 시드(140)의 직경(dI)보다 작은 직경(dD)을 갖는 씬 넥 섹션(thin neck section; 130)이 형성되는 것인 단결정의 인상 방법.
- 제10항에 있어서, 추가적으로, 제4 단계(P4)에서, 상기 씬 넥 섹션(130)과 상기 다결정(100) 사이에 단결정의 원추형 섹션(135)이 형성되는 것인 단결정의 인상 방법.
- FZ법에 의한 단결정(150)의 인상을 위한 용융 장치(300)를 포함하는 플랜트(plant)로서, 상기 플랜트는, 제1항 내지 제12항 중 어느 하나의 항에 따른 단결정의 인상 방법을 실시하도록 구비되는 것인 플랜트.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102017202420.8A DE102017202420A1 (de) | 2017-02-15 | 2017-02-15 | Verfahren und Anlage zum Ziehen eines Einkristalls nach dem FZ-Verfahren |
| DE102017202420.8 | 2017-02-15 | ||
| PCT/EP2018/053481 WO2018149798A1 (de) | 2017-02-15 | 2018-02-13 | Verfahren und anlage zum ziehen eines einkristalls nach dem fz-verfahren |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190104384A true KR20190104384A (ko) | 2019-09-09 |
| KR102198127B1 KR102198127B1 (ko) | 2021-01-05 |
Family
ID=61223908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020197023233A Active KR102198127B1 (ko) | 2017-02-15 | 2018-02-13 | Fz법에 의한 단결정 인상을 위한 방법 및 플랜트 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10988856B2 (ko) |
| EP (1) | EP3583247B1 (ko) |
| JP (1) | JP6900512B2 (ko) |
| KR (1) | KR102198127B1 (ko) |
| CN (1) | CN110291230B (ko) |
| DE (1) | DE102017202420A1 (ko) |
| DK (1) | DK3583247T3 (ko) |
| TW (1) | TWI664325B (ko) |
| WO (1) | WO2018149798A1 (ko) |
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| JP6318938B2 (ja) | 2014-07-17 | 2018-05-09 | 株式会社Sumco | 単結晶の製造方法及び製造装置 |
-
2017
- 2017-02-15 DE DE102017202420.8A patent/DE102017202420A1/de not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-02-05 TW TW107104041A patent/TWI664325B/zh active
- 2018-02-13 JP JP2019565057A patent/JP6900512B2/ja active Active
- 2018-02-13 KR KR1020197023233A patent/KR102198127B1/ko active Active
- 2018-02-13 EP EP18705135.4A patent/EP3583247B1/de active Active
- 2018-02-13 US US16/473,401 patent/US10988856B2/en active Active
- 2018-02-13 DK DK18705135.4T patent/DK3583247T3/da active
- 2018-02-13 WO PCT/EP2018/053481 patent/WO2018149798A1/de not_active Ceased
- 2018-02-13 CN CN201880011568.XA patent/CN110291230B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110291230A (zh) | 2019-09-27 |
| TW201831740A (zh) | 2018-09-01 |
| KR102198127B1 (ko) | 2021-01-05 |
| JP6900512B2 (ja) | 2021-07-07 |
| US20200149183A1 (en) | 2020-05-14 |
| DK3583247T3 (da) | 2020-11-30 |
| EP3583247A1 (de) | 2019-12-25 |
| EP3583247B1 (de) | 2020-09-09 |
| TWI664325B (zh) | 2019-07-01 |
| CN110291230B (zh) | 2021-09-03 |
| JP2020507554A (ja) | 2020-03-12 |
| WO2018149798A1 (de) | 2018-08-23 |
| US10988856B2 (en) | 2021-04-27 |
| DE102017202420A1 (de) | 2018-08-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0105 | International application |
Patent event date: 20190807 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20190808 Comment text: Request for Examination of Application |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20200928 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20201228 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20201228 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20231214 Start annual number: 4 End annual number: 4 |