JP7760237B2 - 測色装置 - Google Patents
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Description
第1の態様に係る測色装置は、装置の底面に配置された開口部形成部材に形成され、測定対象から届く光を装置内部に取り入れる為の開口部と、前記開口部を通って入射した光を処理する入射光処理部と、前記開口部を覆う閉塞位置と前記開口部を開放する開放位置との間で変位可能なユニットであって、前記開口部に面する位置に反射率の基準とする反射基準面を有するシャッターユニットと、前記シャッターユニットの変位に応じ、出力する検出信号を変化させる検出手段とを備えることを特徴とする。
本態様によれば、前記検出手段は、磁気の強度によって検出信号を変化させる磁気センサーで構成されるので、光学センサーのように検出光を透過させる為の開口等を専用に設ける必要がなく、余分な開口の形成に伴う気密性の低下を回避できる。
本態様によれば、前記制御部は、測色の実行指令を受けた際、前記シャッターユニットが前記開放位置にあれば測色を実行し、前記シャッターユニットが前記閉塞位置にあれば前記反射基準面を利用して基準値を取得するので、前記シャッターユニットの位置に応じた適切な処理を行うことができる。
本態様によれば、前記反射基準面が、前記シャッターの平面方向における中心領域に位置する構成において、上述した第9の態様の作用効果が得られる。
本態様によれば、前記磁気センサーと前記磁石との直線距離は、前記シャッターユニットが前記開放位置にある場合よりも、前記閉塞位置にある場合が相対的に長い構成であるので、前記磁気センサーを前記開口部から離れた位置に配置することができ、前記開口部近くに前記磁気センサーを配置することによる装置の大型化を抑制できる。
本態様によれば、前記入射光処理部が、入射した光のうちの所定波長成分を透過させる波長可変型の光学フィルターと、前記光学フィルターを透過した光を受ける受光部とを備える構成において、上述した第1から第12の態様のいずれかの作用効果が得られる。
本態様によれば、前記光学フィルターが、ファブリペローエタロンである構成において、上述した第13の態様の作用効果が得られる。
尚、各図に示すX-Y-Z座標系は直交座標系であり、X-Y平面が水平面であり、Y-Z平面が垂直面となる。
またZ軸方向は鉛直方向であって、測色装置1の上面50e及び底面50fに対して交差する第1方向の一例である。またY軸方向は第1方向即ち鉛直方向と直交する方向であって測色装置1を鉛直方向から見て長手方向となる第2方向の一例である。またX軸方向はY軸方向と直交する方向であって測色装置1を鉛直方向から見て短手方向となる第3方向の一例である。
本明細書において測色装置1の構成は、底面50fが水平面に平行な載置面に載置され、且つ、測色装置1の長手方向がY軸方向に沿うものとして説明する。
先ず、図1及び図2を参照して本実施形態に係る測色装置1の全体構成について説明する。
測色装置1は、測定対象200から届く光をもとに測色する為の構成を備える。測定対象200から届く光としては、測定対象200で反射する光や、測定対象200が自ら発する光が挙げられる。
測色装置1は、バンドパスフィルター7、光学フィルターデバイス3、受光部4、静電容量検出部6、発光部9、MCU(Micro Controller Unit)10、有線IF(Interface)12、無線通信部13、操作部14、表示部15、バッテリー制御部16、及びバッテリー17を備えている。
尚、バンドパスフィルター7、光学フィルターデバイス3、及び受光部4は、測定対象200から届いて入射した光を処理する入射光処理部2を構成する。
図2において光学フィルターデバイス3は波長可変干渉フィルター45を備え、波長可変干渉フィルター45は、第1ガラス部材30と第2ガラス部材31とケース32とによって構成される外装の内部に内蔵されている。
対面するミラー39の間の距離は、Z軸方向から見て同心円状に形成される固定電極40と可動電極41とが対面することで構成される静電アクチュエーターによって制御される。
そして、光学フィルターデバイス3に入射した光は、対面するミラー39の間で干渉し、対面するミラー39の間の距離に対応して選択された波長の光が、波長可変干渉フィルター45を透過する。波長可変干渉フィルター45を透過した光は、第1ガラス部材30を透過し、受光部4に向かう。
以上が光学フィルターデバイス3の構成である。
MCU10は、図2を参照して説明した、固定電極40と可動電極41とが対面することで構成される静電アクチュエーターの駆動に必要な制御情報を不図示のアンプに送り、このアンプから所定の駆動電圧を光学フィルターデバイス3に供給する。そしてMPU10は、静電容量検出部6から出力された電圧値に係わる情報を、記憶されている値と比較し、それに基づいて光学フィルターデバイス3をフィードバック制御する。
表示部15は一例として液晶パネルで構成され、MCU10から送出される信号に基づき測色条件を設定する為のユーザーインターフェースや測色結果等の各種情報を表示する。
MCU10に検出信号を送出する磁気センサー128は、後述するシャッターユニット110の位置を検出する為のセンサーであるが、磁気センサー128については後に改めて説明する。
次に、図3、図4、図5、及び図6を参照して測色装置1の外観構成について説明する。
測色装置1の装置本体50は、主筐体51、上部筐体52、及び底部筐体53によって外郭が全体として箱状を成す様に構成されている。主筐体51、上部筐体52、及び底部筐体53は、本実施形態では樹脂材料で形成される。
各図において符号50aは装置本体50の+Y方向の側面を示しており、以下ではこれを前面50aと称する。また符号50b(図6参照)は装置本体50の+X方向の側面を示しており、以下ではこれは右側面50bと称する。また符号50cは装置本体50の-X方向の側面を示しており、以下ではこれを左側面50cと称する。また符号50dは装置本体50の-Y方向の側面を示しており、以下ではこれを後面50dと称する。
尚、本明細書において「上」、「下」、「左」、「右」の各用語は、測色装置1の使用者が図27に示す様に測色装置1を把持して使用する際の、使用者から見た方向に基づいて用いるものとする。
また符号50eは装置本体50の+Z方向の面を示しており、以下ではこれを上面50eと称する。また符号50fは装置本体50の-Z方向の面を示しており、以下ではこれを底面50fと称する。
操作部14は、電源ボタン55と、決定ボタン54と、戻るボタン56と、十字ボタン60とを備えて構成されている。十字ボタン60は、上ボタン61、下ボタン62、左ボタン63、及び右ボタン64で構成されている。本実施形態に係る測色装置1は、全ての操作ボタンが上面50eに配置され、且つ、操作部14に集約されている。
戻るボタン56は、表示部15に表示されたユーザーインターフェースにおいて一つ前の状態に戻る為のボタンであり、また操作の実行をキャンセルする為のボタンでもある。
また左ボタン63の表面には、X軸方向に平行な水平ライン58cが付され、右ボタン64の表面には、X軸方向に平行な水平ライン58dが付されている。水平ライン58c、58dは、X軸方向に延長した場合に中心位置CLを通る位置にある。
本実施形態では、図20にも示す様に表示部カバー57の上面と操作部14の上面との間に段差が殆ど生じない様に構成されており、これにより上面50eは全体的に段差が殆どない平坦面として構成されている。但し決定ボタン54の上面は、図20に示す様に僅かに窪んでおり、図27に示す様に決定ボタン54を押下するユーザーの指の腹に馴染む形状として形成されている。
シャッターユニット110は、詳しくは後述するがシャッター保持部材111とリンク部材113とを備えて構成されている。シャッター保持部材111は、表面に複数のリブ111aを備えている。ユーザーは、指の腹をリブ111aに掛けることで、シャッターユニット110をY軸方向にスライドさせることができる。
図20にも示す様に開口部21aは開口部形成部材21に形成され、測定用窓部87aは開口部形成部材21に対し+Z方向に位置する集光部材87に形成されている。発光部9から発せられる測定光は、図20において開口部21aの内側で示す矢印の様に集光部材87と開口部形成部材21との間を通り、開口部21aから測定対象200に向けて放出される。そして測定対象200から届く光は、開口部21aから装置内部に取り入れられ、更に測定用窓部87aを通って入射光処理部2へと入射する。
本実施形態において中心位置CLは、X-Y平面における決定ボタン54の中心位置に一致し、また十字ボタン60の中心位置にも一致する。
電源ボタン55及び戻るボタン56は、図5に示す様に直線VCLに対して左右対称に配置されている。
また開口50mに対し-Z方向の位置には、2つの開口50nが形成されており、この2つの開口50nにストラップ(不図示)を通してユーザーが測色装置1を容易に持ち運べる様に構成されている。
把持部50gが設けられていることにより、ユーザーが装置本体50を容易に且つ確実に把持することができる。
続いて測色装置1の基板構成について説明する。
図7に示す本体アセンブリ1aは、主筐体51の内部に設けられるアセンブリ体であって、複数のフレームの組立体であるフレームアセンブリ100に、複数の回路基板等が組付けられて構成されている。
複数の回路基板は、図7、図8、図9に示す様に「第2回路基板」としてのパネル基板65、「第3回路基板」としてのバッテリー制御基板70、「第1回路基板」としての受光部基板80、及び「第4回路基板」としての発光部基板85によって構成される。これら複数の回路基板は、Z軸方向に沿って間隔を空けて重畳する様にして設けられる。Z軸方向においてパネル基板65とバッテリー制御基板70との間には、バッテリー17が配置される。
パネル基板65は、図10の上の図で示す様に上面にLCD接続部66を備えている。尚、LCD67は、図20に示す様にケーブル67aによってLCD接続部66と接続される。
また図10の下の図に示す様に、パネル基板65の下面には、通信モジュールである無線通信部13が設けられている。
第1バッテリーコネクタ72は、図8に示す様に第1バッテリーケーブル92によりバッテリー17と接続され、第2バッテリーコネクタ73は、図8に示す様に第2バッテリーケーブル93によりバッテリー17と接続される。
受光部基板80は、下面に光学フィルターデバイス3、第4基板接続コネクタ83、及び第5基板接続コネクタ84を備えている。第5基板接続コネクタ84と、図13の下の図で示す第6基板接続コネクタ88とが、図9に示す様に接続ケーブル91で接続されることにより、受光部基板80と後述する発光部基板85とが接続される。
発光部基板85の下面には、図13の下の図に示す様に第6基板接続コネクタ88が設けられ、また集光部材87の周囲に複数の発光素子86が設けられている。複数の発光素子86は、発光する波長分布の異なる発光素子で構成される。
尚、発光素子86の周囲には遮光部材89が設けられ、遮光部材89によって発光素子86から発せられる測定光の漏洩が抑制される。
続いて装置本体50の基体を構成するフレームアセンブリ100について説明する。
図14~図17においてフレームアセンブリ100は、メインフレーム101と、バッテリー保持フレーム102と、受光部基板保持フレーム103と、底部フレーム105とを備えて構成されている。本実施形態において全てのフレームは金属材料の折り曲げ加工により形成され、より具体的にはアルミニウムを材料としている。尚、各フレームは金属材料の折り曲げ加工に代えて、ダイキャスト成形等による作成も可能である。
パネル基板支持部101bは、図7、図20に示す様にパネル基板65を下方から支持する。パネル基板65は、パネル基板支持部101bに対して不図示のねじにより固定される。パネル基板65は、パネル基板支持部101bに対し面接触し、これによりパネル基板65の熱がパネル基板支持部101b、即ちメインフレーム101に伝達される。
底部フレーム105は、第1プレート部105aと第2プレート部105bとを有しており、第2プレート部105bが発光部基板保持フレーム104に対し面接触している。これにより発光部基板保持フレーム104の熱が底部フレーム105に伝達される。即ち底部フレーム105は、発光部基板保持フレーム104の放熱を促進するヒートシンクとして機能する。
第1フレーム部102bは、メインフレーム101のサブプレート部101cに対し-X方向に位置するとともに、サブプレート部101cと面接触する。また第2フレーム部102cは、メインフレーム101のメインプレート部101aに対し-X方向に位置するとともに、メインプレート部101aと面接触する。
尚、バッテリー支持部102aは、バッテリー17を下方から支持する第1壁部の一例であり、バッテリー保持部100aを構成する。またパネル基板支持部101bは、バッテリー支持部102aと対向する第2壁部の一例であり、バッテリー保持部100aを構成する。またサブプレート部101cは、バッテリー17に対し-X方向に位置する第3壁部の一例であり、バッテリー保持部100aを構成する。また第2フレーム部102cは、バッテリー17に対し+X方向に位置する第4壁部の一例であり、バッテリー保持部100aを構成する。
規制部101dと、バッテリー17の+Y方向の端部である第1端部17aとの間には、図20にも示す様に弾性材28が設けられる。弾性材28は、図20に示す様にバッテリー17の上面と、パネル基板支持部101bとの間にも設けられる。
受光部基板80は受光部基板支持部103aに対し面接触し、これにより受光部基板80の熱が受光部基板保持フレーム103に伝達される。
符号104a、104bは受光部基板保持フレーム103を支持する部位であるフレーム支持部を示している。フレーム支持部104a、104bはX-Y平面に平行なフレーム面を成し、受光部基板保持フレーム103の底面に対し面接触する。これにより受光部基板保持フレーム103の熱が、発光部基板保持フレーム104に伝達される。発光部基板保持フレーム104はメインフレーム101に接触する為、受光部基板保持フレーム103の熱は、発光部基板保持フレーム104を介してメインフレーム101に伝達される。即ち受光部基板保持フレーム103は、メインフレーム101に間接的に接触すると言える。
以下、シャッターユニット110を除く測色装置1のその他の構成について説明する。
図23において、Z軸方向から見た際のバッテリー17の輪郭を二点鎖線で示し、また光学フィルターデバイス3、PD基板5、無線通信部13、バッテリー制御基板70、及び受光部基板80を破線で示している。尚、本実施形態ではZ軸方向から見てバッテリー制御基板70の輪郭と受光部基板80の輪郭は-Y方向端部を除き一致しており、-Y方向端部では、受光部基板80の輪郭がバッテリー制御基板70の輪郭よりも僅かに+Y方向に位置している。
ここで上述した様に、光学フィルターデバイス3及びPD基板5は、入射光を処理する入射光処理部2を構成する。そして図23に示す様にZ軸方向から見て、入射光処理部2とバッテリー17とが重なる部位を有している。
また本実施形態において入射光処理部2つまり光学フィルターデバイス3とPD基板5は、Z軸方向から見てバッテリー17の領域内に収まっているので、水平方向の装置寸法をより一層抑制できる。
そしてZ軸方向において装置本体50の底面50fから上面50eに向かって順に、図8に示す様に発光部基板85、受光部基板80、及びパネル基板65が重畳する様に配置されている。
またZ軸方向において装置本体50の底面50fから上面50eに向かって順に、バッテリー制御基板70、バッテリー17、及びパネル基板65が重畳する様に配置されている。
そして本実施形態では、Z軸方向において装置本体50の底面50fから上面50eに向かって順に、発光部基板85、受光部基板80、バッテリー制御基板70、バッテリー17、及びパネル基板65が重畳する様に配置されている。
この様な構成により、Z軸方向と交差する方向であるX軸方向及びY軸方向つまり水平方向の装置寸法を抑制できる。
尚、バッテリー制御基板70を設けずに、バッテリー制御基板70に搭載される電子部品を適宜パネル基板65や受光部基板80に配置しても良い。
またZ軸方向に沿って重畳する様に設ける構成は、発光部基板85、受光部基板80、バッテリー制御基板70、バッテリー17、及びパネル基板65のうちの任意の2つ、或いは3つ以上の組み合わせであっても良い。
このことにより、Y軸方向においてバッテリー17が偏って配置される構成に比して装置本体50のY軸方向の重量バランスに優れ、装置のハンドリング性が向上する。
尚、本実施形態においてバッテリー17は、図21、図22に示す様にX軸方向においても装置の中心位置にあるので、装置本体50のX軸方向の重量バランスにも優れる。
このことにより、重量物であるバッテリー17が把持位置に近い構成となり、装置のハンドリング性が向上する。
特に測色装置1はハンディタイプとして構成されており、図27に示す様にユーザーが指先Fsで操作部14を操作する際に、指先Faの位置と開口部21aの位置とが近くなるので、開口部21aの位置が直感的に判り易くなる。
このことにより、より正確に、開口部21aを測定部位に位置合わせすることができる。
このことにより装置の上面50eを見た際に、開口部21aの中心位置を把握し易くなる。
また操作部14を含む上面50eが、平坦状に形成されている。これにより、上面50eを下にして載置した場合でも、安定して載置することができる。
尚、Z軸方向から見て、バッテリー17がパネル基板65の領域内に収まる様に構成しても良い。その様に構成することで、水平方向の装置寸法をより一層抑制できる。
また本実施形態では、Z軸方向から見て無線通信部13がバッテリー17の領域内に収まる。但し無線通信部13の一部がバッテリー17の領域内にあっても良く、或いは無線通信部13の全体がバッテリー17の領域外にあっても良い。
ここでバッテリー保持部100aからの放熱が無線通信部13に悪影響を及ぼす虞があるが、バッテリー保持部100aには、切り欠き部100bが形成され(図14も参照)、無線通信部13は、切り欠き部100bに面する位置に配置される。即ち、バッテリー保持部100aを-X方向から見ると、切り欠き部100bを介して無線通信部13が露呈することとなる。これにより、バッテリー保持部100aからの放熱が無線通信部13に悪影響を及ぼすことを抑制することができる。
ここでバッテリー17は、内部にサーミスタ18を備えている。サーミスタ18は温度検出部の一例であり、MCU10(図1参照)は、サーミスタ18により取得したバッテリー17の内部温度が予め定められた許容温度を超えると、バッテリー17から各構成部位への電力供給をカットする。
ここで本実施形態において入射光処理部2は、測色装置1の構成部位のうち供給された電力の一部が熱に変換される部位の一つであって、その発熱がサーミスタ18による温度検出に悪影響を及ぼす部位である。入射光処理部2では、特にPD基板5での発熱が顕著となる。しかしながらサーミスタ18が、入射光処理部2より操作部14に近い位置に配置されているので、入射光処理部2で生じた熱の、サーミスタ18への悪影響を抑制することができ、バッテリー17の温度をより適切に検出することができる。
ここで有線IF12は開口部の内側に設けられているので(図3参照)、有線IF12の周辺では、装置内部から外部への放熱が促進される。そして図20に示す様にZ軸方向においてサーミスタ18と入射光処理部2との間に、有線IF12が位置するので、入射光処理部2で生じた熱が、サーミスタ18に達する前に有線IF12から装置外部に放熱される。このことにより、入射光処理部2で生じた熱の、サーミスタ18への悪影響を抑制することができる。
この様な構成により、受光部基板80及び発光部基板85で生じた熱が、フレームアセンブリ100の全体に伝わり、装置内部で局所的に温度が上昇することを抑制でき、測色結果等に悪影響を及ぼすことを抑制できる。
尚、受光部基板保持フレーム103或いは発光部基板保持フレーム104が他の部材を介してメインフレーム101と間接的に接触する場合、前記他の部材は金属材料等の熱伝導性に優れた部材であることが好適である。
尚、パネル基板65やバッテリー制御基板70は、メインフレーム101に対して他の部材を介して間接的に接触する構成であっても良い。ここで前記他の部材は、金属材料等の熱伝導性に優れた部材であることが好適である。
続いて装置本体50の底部に設けられたシャッターユニット110について説明する。図30~図34に示す様にシャッターユニット110は、シャッター保持部材111と、シャッター部材112と、リンク部材113とを備えて構成されたユニット体である。本実施形態においてシャッター保持部材111、シャッター部材112、及びリンク部材113は樹脂材料で形成される。
同様に底部筐体53において+X方向の端部と-X方向の端部には、上述した第2下ガイド部21dとの間で第2ガイド軸122を挟む様に第2上ガイド部53dが形成されている。尚、図35は+X方向の端部に位置する第2上ガイド部53dを示している。
また同様に底部筐体53において+X方向の端部と-X方向の端部には、上述した第3下ガイド部21eとの間で第3ガイド軸123を挟む様に第3上ガイド部53eが形成されている。尚、図35は+X方向の端部に位置する第3上ガイド部53eを示している。
このうち第1ガイド軸121と第2ガイド軸122はシャッター保持部材111に設けられる為、シャッター保持部材111の移動軌跡は、第1下ガイド部21cと第1上ガイド部53c、及び第2下ガイド部21dと第2上ガイド部53dによって規定される。
また第3ガイド軸123はリンク部材113に設けられる為、リンク部材113の移動軌跡は、第3下ガイド部21eと第3上ガイド部53e、及びシャッター保持部材111における連結軸114によって規定される。
シャッター対向面21gは、図34に示す様に底面50fより僅かに+Z方向に位置しており、即ち底面50fより-Z方向に突出していない。そして閉塞位置にあるシャッターユニット110のうちシャッター保持部材111は、図34に示す様に底面50fより-Z方向に突出することとなる。
また閉塞位置にあるシャッターユニット110のうちリンク部材113は、少なくともシャッター保持部材111より-Z方向に突出せず、また、大部分が底面50fから突出していない。
そしてこの捩りばね117の他端は、リンク部材113に設けられた第3ガイド軸123に対し回転可能に固定される。捩りばね117の他端の先端部は、第3ガイド軸123に通すことができる様にコイル状に形成されている。
以上により捩りばね117は、Y-Z平面において回転することができ、換言すれば姿勢変化することができる。
勿論、シャッターユニット110が開放位置から中立位置に変位する場合も同様に、押圧力FのY軸方向成分は減少し、やがてゼロとなる。
白色プレート125は、シャッター部材112の平面方向、つまりX-Y平面における中心領域に位置している。ここで、白色プレート125がシャッター部材112の平面方向における中心領域に位置するとは、白色プレート125の範囲に、シャッター部材112の平面方向における中心位置が含まれていることを意味する。シャッター部材112の平面方向における中心位置は、シャッター部材112のY軸方向及びX軸方向の中心位置であり、本実施形態では概ね光軸CLに一致し、或いは少なくとも光軸CLの近傍にある。
より詳しくは、図38及び図39に示す様にシャッター部材112の+X方向と-X方向の側面には突出部112dがY軸方向に間隔を空けて設けられている。一方、シャッター保持部材111の+X方向と-X方向の側面には突出部112dを受け入れる開口部111bがY軸方向に間隔を空けて設けられている。
またシャッター部材112には、図43に示す様に接触面112aに対しX軸方向の両側に第2突出リブ112bがY軸方向に沿って形成されている。第2突出リブ112bは、シャッター部材112から開口部形成部材21に向けて突出するリブである。
第2突出リブ112bにおける-Y方向端部には、-Y方向に向かって-Z方向に向かう傾斜面112cが形成されている。また第1突出リブ21bにおける+Y方向端部には、+Y方向に向かって+Z方向に向かう傾斜面21hが形成されている。シャッターユニット110が閉塞位置にある場合、傾斜面112cと傾斜面21hとが対向している。
この様に第1突出リブ21bと第2突出リブ112bは、閉塞位置にあるシャッターユニット110が開放位置に向けて変位する際に、シャッター部材112が開口部形成部材21から離間する方向にシャッター部材112を移動させる移動手段119を構成する。
その結果、シャッター対向面21gの摩耗を最小限にすることができる。
そして発光部基板85の下面には磁気センサー128が設けられている。
これに対しシャッターユニット110が閉塞位置にある場合、図45に示す様に開放位置にある場合よりも磁石127と磁気センサー128との直線距離が長くなる。この状態が、磁石127と磁気センサー128との直線距離が最も長い状態となる。
この様な構成により、磁気センサー128を開口部21aから離れた位置に配置することができ、開口部21a近くに磁気センサー128を配置することによる装置の大型化を抑制できる。
これによりMCU10は、シャッターユニット110が閉塞位置にあるか開放位置にあるかを検知することができる。
これにより部品の製造誤差や組立誤差、或いは使用に伴う摩耗等が生じても、シャッター部材112が開口部21aに向けて押圧されることでシャッター部材112と開口部21aとの間に隙間が生じることを抑制できる。その結果、開口部21aへの塵埃等の侵入を良好に抑制できる。
これにより、シャッター保持部材111とリンク部材113とが一体とされた構成に比べて、特にシャッターユニット110が閉塞位置にある際の装置の小型化を図ることができる。
図46において範囲Kで示す範囲は、この様にシャッターユニット110が停止した状態を維持する領域である。以下、これをシャッターユニット110の停止領域Kと称する。
そしてシャッター部材112が板ばね118によって開口部21aに向けて押圧される構成を備えるので、白色プレート125の位置や向きがばらつき難く、適切な基準値を得ることができる。
図47及び図48においてシャッターユニット110Aは、シャッター保持部材111Aと、リンク部材113Aと、第2リンク部材130とを備えて構成されている。シャッター保持部材111Aとリンク部材113Aとは連結軸114を介して相対的に回転可能に連結されている。リンク部材113Aと第2リンク部材130とは第2連結軸131を介して相対的に回転可能に連結されている。
このとき、捩りばね133が上述した捩りばね117(図32参照)と同様に姿勢変化する。これによりシャッターユニット110Aが閉塞位置と中立位置との間にある場合、捩りばね133はシャッターユニット110Aを閉塞位置に向けて押圧する。またシャッターユニット110Aが開放位置と中立位置との間にある場合、捩りばね133はシャッターユニット110Aを開放位置に向けて押圧する。
リンク部材113Bには、X軸方向に沿って延びる第2連結部141が形成されている。第2連結部141には、連結部材142がX軸方向にスライド可能に嵌合している。
またアーム部材143が回転し、これに伴いアーム部材143と連結部材142とが相対的に回転する。このとき、連結部材142は第2連結部141をX軸方向に沿ってスライドする。
シャッターユニット110及びこれに関連する構成は、以上の様に変形することができる。
但しシャッターユニット110の位置を検出する為の検出手段として、光学センサー、静電容量型近接センサー、誘導形近接センサーなどのその他の方式の非接触式センサーや、或いは接触式のセンサーを用いることも可能である。
図51においてMCU10は、電源がオンの状態で電源ボタン55(図5等参照)が押下された際、即ち装置の電源オフ指令を受けた際(ステップS101においてYes)、シャッターユニット110が閉塞位置にあれば(ステップS102においてYes)、装置の電源オフ処理に移行する(ステップS103)。
これに対しシャッターユニット110が開放位置にあれば(ステップS102においてNo)、電源オフへの移行を保留する。そして本実施例では、シャッターユニット110が開放位置にある旨のアラートを表示部15(図5等参照)に表示させる(ステップS104)。
また、シャッターユニット110が開放位置にある旨のアラートを表示部15に表示させるので、ユーザービリティが向上する。尚、シャッターユニット110が開放位置にある旨のアラートは、例えば「シャッターが開いています。閉じて下さい。」などのメッセージ表示とすることができる。
尚、基準値を取得するタイミングは、例えば電源オフの状態から電源ボタン55(図5等参照)が押下された際、即ち装置の電源オン指令を受けた際や、装置の電源オン状態において予め定められた時間が経過した際などが挙げられる。
これに対しシャッターユニット110が閉塞位置にあれば(ステップS302においてNo)、測色処理を保留する。そして本実施例では、シャッターユニット110が閉塞位置にある旨のアラートを表示部15(図5等参照)に表示させる(ステップS304)。この様な制御により、適切な測色値を取得することができる。
尚、測色の実行指令を受けた際(ステップS301においてYes)、シャッターユニット110が開放位置にあれば(ステップS302においてYes)、測色処理を実行し(ステップS303)、シャッターユニット110が開放位置にあれば(ステップS302においてNo)、白色プレート125を用いて基準値を取得した後に、ステップS304の処理に移行しても良い。
特に本実施形態では、領域B1は、上述したシャッターユニット110の停止領域Kよりも更に閉塞位置Ya1の側に設定されている。
このことにより、磁気センサー128がシャッターユニット110の閉塞位置を示す検出信号を送出する場合は、シャッターユニット110が確実に閉塞位置にあることとなる。これにより、シャッターユニット110が中途半端な位置にあるにも拘わらず閉塞位置にあると判断される虞がなく、ひいては白色プレート125を用いた基準値の取得を確実に行うことができる。
例えば上述した実施形態では、測色装置1はバッテリー17を内蔵しているが、バッテリー17が取り外し可能に構成されていても良く、即ち測色装置1としてバッテリー17を内蔵しない構成であっても良い。またその場合、バッテリー17は繰り返しの充放電を行わない一次電池であっても良い。
また発光部9に用いる発光素子として本実施形態ではLEDを用いるが、これに限られず、例えばキセノンランプを用いても良い。
50…装置本体、50a…前面、50b…右側面、50c…左側面、50d…後面、50e…上面、50f…底面、50g…把持部、50m…開口、51…主筐体、51a…前方壁部、51b…右壁部、51c…左壁部、51d…後方壁部、51e…前方内壁面、51f…後方内壁面、51g…凹部、52…上部筐体、53…底部筐体、53a…開口部、53c…第1上ガイド部、53d…第2上ガイド部、53e…第3上ガイド部、53f…移動規制部、54…決定ボタン、54a…接点、55…電源ボタン、55a…接点、56…戻るボタン、56a…接点、57…表示部カバー、58a、58b…垂直ライン、58c、58d…水平ライン、60…十字ボタン、61…上ボタン、61a…接点、62…下ボタン、62a…接点、63…左ボタン、63a…接点、64…右ボタン、64a…接点、
65…パネル基板、66…LCD接続部、67…LCD、67a…ケーブル、68…第1基板接続コネクタ、70…バッテリー制御基板、71…リセットスイッチ、72…第1バッテリーコネクタ、73…第2バッテリーコネクタ、74…第2基板接続コネクタ、
80…受光部基板、81…受光モジュール、82…第3基板接続コネクタ、83…第4基板接続コネクタ、84…第5基板接続コネクタ、85…発光部基板、86…発光素子、87…集光部材、87a…測定用窓部、88…第6基板接続コネクタ、89…遮光部材、90…FFC、91…接続ケーブル、92…第1バッテリーケーブル、93…第2バッテリーケーブル、
100…フレームアセンブリ、100a…バッテリー保持部、100b…切り欠き部、
101…メインフレーム、101a…メインプレート部、101b…パネル基板支持部、101c…サブプレート部、101d…規制部、101e…バッテリー制御基板支持部、101f…フレーム保持部、102…バッテリー保持フレーム、102a…バッテリー支持部、102b…第1フレーム部、102c…第2フレーム部、103…受光部基板保持フレーム、103a…受光部基板支持部、103b…ベース部、104…発光部基板保持フレーム、104a、104b…フレーム支持部、105…底部フレーム、105a…第1プレート部、105b…第2プレート部、105c…軸受部、
110…シャッターユニット、111…シャッター保持部材、111a…リブ、111b…開口部、111c…凹部、112…シャッター部材、112a…接触面、112b…第2突出リブ、112c…傾斜面、112d…突出部、112e…円筒部、112f…窓部、
113…リンク部材、114…連結軸、115…ばね掛け軸、117…捩りばね、118…板ばね、118a…押圧部、119…移動手段、121…第1ガイド軸、122…第2ガイド軸、123…第3ガイド軸、125…白色プレート、127…磁石、128…磁気センサー、130…第2リンク部材、131…第2連結軸、132…回転軸、133…捩りばね、140…第1連結部、141…第2連結部、142…連結部材、143…アーム部材、143a…リンク軸、144…回転軸、200…測定対象
Claims (15)
- 装置の底面に配置された開口部形成部材に形成され、測定対象から届く光を装置内部に取り入れる為の開口部と、
前記開口部を通って入射した光を処理する入射光処理部と、
前記底面に沿った方向にスライドすることにより前記開口部を覆う閉塞位置と前記開口部を開放する開放位置との間で変位可能なユニットであって、前記開口部に面する位置に反射率の基準とする反射基準面を有するシャッターユニットと、
前記シャッターユニットの変位に応じ、出力する検出信号を変化させる検出手段と、
前記検出手段から検出信号を受ける制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記反射基準面を利用して基準値を取得するタイミングと判断すると、前記検出信号に基づき前記シャッターユニットの位置を判断し、前記シャッターユニットが前記閉塞位置にあれば前記基準値を取得し、前記シャッターユニットが前記開放位置にあれば前記基準値の取得を保留し、
前記シャッターユニットは、
前記反射基準面を備えるとともに前記閉塞位置にある際に前記開口部を閉塞するシャッター部材と、
前記シャッター部材が前記開口部に対し進退する進退方向に変位可能となる様に前記シャッター部材を保持するシャッター保持部材と、
前記シャッター部材を前記開口部に向けて押圧する押圧部材と、
を備え、
前記閉塞位置にある前記シャッターユニットが前記開放位置に向けて変位する際に、前記シャッター部材が前記開口部形成部材から離間する方向に前記シャッター部材を移動させる移動手段を備える、
ことを特徴とする測色装置。 - 装置の底面に配置された開口部形成部材に形成され、測定対象から届く光を装置内部に取り入れる為の開口部と、
前記開口部を通って入射した光を処理する入射光処理部と、
前記底面に沿った方向にスライドすることにより前記開口部を覆う閉塞位置と前記開口部を開放する開放位置との間で変位可能なユニットであって、前記開口部に面する位置に反射率の基準とする反射基準面を有するシャッターユニットと、
前記シャッターユニットの変位に応じ、出力する検出信号を変化させる検出手段と、
前記検出手段から検出信号を受ける制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記反射基準面を利用して基準値を取得するタイミングと判断すると、前記検出信号に基づき前記シャッターユニットの位置を判断し、前記シャッターユニットが前記閉塞位置にあれば前記基準値を取得し、前記シャッターユニットが前記開放位置にあれば前記基準値の取得を保留し、
前記シャッターユニットは、
前記反射基準面を備えるとともに前記閉塞位置にある際に前記開口部を閉塞するシャッター部材と、
前記シャッター部材が前記開口部に対し進退する進退方向に変位可能となる様に前記シャッター部材を保持するシャッター保持部材と、
前記シャッター部材を前記開口部に向けて押圧する押圧部材と、
を備え、
前記閉塞位置にある前記シャッターユニットが前記開放位置に向けて変位する際に、前記シャッター部材が前記開口部形成部材から離間する方向に前記シャッター部材を移動させる移動手段を備え、
前記移動手段は、前記開口部形成部材に形成され、前記シャッター部材に向けて突出する第1突出リブと、
前記シャッター部材に形成され、前記開口部形成部材に向けて突出する第2突出リブと、を備え、
前記シャッターユニットが前記閉塞位置にある際に、前記第1突出リブは前記第2突出リブと非接触状態にあり、
前記閉塞位置にある前記シャッターユニットが前記開放位置に向けて変位する際に前記第2突出リブが前記第1突出リブに乗り上がることで、前記シャッター部材が前記開口部形成部材から離間する方向に移動する、
ことを特徴とする測色装置。 - 請求項1または請求項2に記載の測色装置において、
前記基準値を取得するタイミングは、装置の電源オフの状態から電源オン指令を受けた際、及び装置の電源オン状態において予め定められた時間が経過した際の少なくともいずれかである、
ことを特徴とする測色装置。 - 装置の底面に配置された開口部形成部材に形成され、測定対象から届く光を装置内部に取り入れる為の開口部と、
前記開口部を通って入射した光を処理する入射光処理部と、
前記底面に沿った方向にスライドすることにより前記開口部を覆う閉塞位置と前記開口部を開放する開放位置との間で変位可能なユニットであって、前記開口部に面する位置に反射率の基準とする反射基準面を有するシャッターユニットと、
前記シャッターユニットの変位に応じ、出力する検出信号を変化させる検出手段と、
前記検出手段から検出信号を受ける制御部と、
を備え、
前記制御部は、測色の実行指令を受けた際、前記検出信号に基づき前記シャッターユニットの位置を判断し、前記シャッターユニットが前記開放位置にあれば測色を実行し、前記シャッターユニットが前記閉塞位置にあれば前記反射基準面を利用して基準値を取得し、
前記シャッターユニットは、
前記反射基準面を備えるとともに前記閉塞位置にある際に前記開口部を閉塞するシャッター部材と、
前記シャッター部材が前記開口部に対し進退する進退方向に変位可能となる様に前記シャッター部材を保持するシャッター保持部材と、
前記シャッター部材を前記開口部に向けて押圧する押圧部材と、
を備え、
前記閉塞位置にある前記シャッターユニットが前記開放位置に向けて変位する際に、前記シャッター部材が前記開口部形成部材から離間する方向に前記シャッター部材を移動させる移動手段を備える、
ことを特徴とする測色装置。 - 装置の底面に配置された開口部形成部材に形成され、測定対象から届く光を装置内部に取り入れる為の開口部と、
前記開口部を通って入射した光を処理する入射光処理部と、
前記底面に沿った方向にスライドすることにより前記開口部を覆う閉塞位置と前記開口部を開放する開放位置との間で変位可能なユニットであって、前記開口部に面する位置に反射率の基準とする反射基準面を有するシャッターユニットと、
前記シャッターユニットの変位に応じ、出力する検出信号を変化させる検出手段と、
前記検出手段から検出信号を受ける制御部と、
を備え、
前記制御部は、測色の実行指令を受けた際、前記検出信号に基づき前記シャッターユニットの位置を判断し、前記シャッターユニットが前記開放位置にあれば測色を実行し、前記シャッターユニットが前記閉塞位置にあれば前記反射基準面を利用して基準値を取得し、
前記シャッターユニットは、
前記反射基準面を備えるとともに前記閉塞位置にある際に前記開口部を閉塞するシャッター部材と、
前記シャッター部材が前記開口部に対し進退する進退方向に変位可能となる様に前記シャッター部材を保持するシャッター保持部材と、
前記シャッター部材を前記開口部に向けて押圧する押圧部材と、
を備え、
前記閉塞位置にある前記シャッターユニットが前記開放位置に向けて変位する際に、前記シャッター部材が前記開口部形成部材から離間する方向に前記シャッター部材を移動させる移動手段を備え、
前記移動手段は、前記開口部形成部材に形成され、前記シャッター部材に向けて突出する第1突出リブと、
前記シャッター部材に形成され、前記開口部形成部材に向けて突出する第2突出リブと、を備え、
前記シャッターユニットが前記閉塞位置にある際に、前記第1突出リブは前記第2突出リブと非接触状態にあり、
前記閉塞位置にある前記シャッターユニットが前記開放位置に向けて変位する際に前記第2突出リブが前記第1突出リブに乗り上がることで、前記シャッター部材が前記開口部形成部材から離間する方向に移動する、
ことを特徴とする測色装置。 - 請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の測色装置において、前記検出手段は、磁気の強度によって検出信号を変化させる磁気センサーで構成される、
ことを特徴とする測色装置。 - 請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の測色装置において、
前記制御部は、装置の電源をオフする指令である電源オフ指令を受けた際、前記検出信号に基づき前記シャッターユニットの位置を判断し、前記シャッターユニットが前記閉塞位置にあれば装置の電源オフに移行し、前記シャッターユニットが前記開放位置にあれば装置の電源オフへの移行を保留する、
ことを特徴とする測色装置。 - 請求項7に記載の測色装置において、前記制御部は、装置の電源オフ指令を受けた際、前記シャッターユニットが前記開放位置にあると、前記シャッターユニットが前記開放位置にある旨のアラートを、各種表示を行う表示部に表示させる、
ことを特徴とする測色装置。 - 請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の測色装置において、前記シャッターユニットを前記開放位置及び前記閉塞位置に向けて押圧するばね部材と、
前記シャッターユニットを構成するリンク部材と、を備え、
前記ばね部材が前記シャッターユニットの変位に伴い姿勢変化することで、前記シャッターユニットが前記閉塞位置と前記開放位置との間の中立位置より前記閉塞位置側にある際に前記ばね部材が前記リンク部材を前記閉塞位置に向けて押圧し、
前記シャッターユニットが前記中立位置より前記開放位置側にある際に前記ばね部材が前記リンク部材を前記開放位置に向けて押圧する、
ことを特徴とする測色装置。 - 請求項9に記載の測色装置において、前記シャッターユニットの変位領域において前記検出手段が前記閉塞位置を示す検出信号を送出する領域は、前記中立位置から前記閉塞位置側にマージンを設けて設定されている、
ことを特徴とする測色装置。 - 請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の測色装置において、
前記押圧部材は、前記開口部の周囲に沿った複数の位置で前記シャッター部材を押圧する、
ことを特徴とする測色装置。 - 請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の測色装置において、前記反射基準面は、前記シャッター部材の平面方向における中心領域に位置する、
ことを特徴とする測色装置。 - 請求項6に記載の測色装置において、前記シャッターユニットに、前記磁気センサーによって検出される磁石を備え、
前記磁気センサーと前記磁石との直線距離は、前記シャッターユニットが前記開放位置にある場合よりも、前記閉塞位置にある場合が相対的に長い、
ことを特徴とする測色装置。 - 請求項1から請求項13のいずれか一項に記載の測色装置において、前記入射光処理部は、入射した光のうちの所定波長成分を透過させる波長可変型の光学フィルターと、
前記光学フィルターを透過した光を受ける受光部と、を備える、
ことを特徴とする測色装置。 - 請求項14に記載の測色装置において、前記光学フィルターは、ファブリペローエタロンである、
ことを特徴とする測色装置。
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