JP7799771B2 - 発光ダイオードパッケージ及びそれを有する表示装置 - Google Patents

発光ダイオードパッケージ及びそれを有する表示装置

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Description

本発明は、発光ダイオードパッケージ及びそれを有する表示装置に関し、より詳細には
、表示装置の直下型バックライトから光を発散する発光ダイオードパッケージ及びそれを
有する表示装置に関する。
近年、表示装置の厚さを可能な限り薄くしようとする要求が高まっている。それによっ
て、表示装置のうちバックライトユニットを用いるＬＣＤの場合、バックライトユニット
の光源が側面に位置したエッジ型バックライトユニットが多く使用されている。
ところが、前述のようにエッジ型バックライトユニットを用いる場合は、人が実際の光
景を見る感覚を、表示装置に再生されるＨＤＲ（ｈｉｇｈ ｄｙｎａｍｉｃ ｒａｎｇｅ
）によって実現することは不可能である。これは、ＨＤＲを実現するためには、表示画面
上の位置に応じて、表示装置を介して放出される光の明るさの差が実現されなければなら
ないが、エッジ型バックライトユニットでは位置による光の明るさの差を実現できないた
めである。
それによって、直下型バックライトユニットを用いると共に、アクティブマトリックス
型を実現することによって、ＨＤＲを実現する研究が多様に進められている。大韓民国公
開特許第１０－２０１６－００５１５６６号（２０１６．０５．１１、以下、特許文献１
）もその一つである。ところが、前述のような特許文献１は、直下型バックライトユニッ
トを用いて製作し、発光ダイオードから放出された光を側面に分散させるためにレンズを
用いている。このようにレンズを使用することによって、レンズの厚さのために表示装置
の厚さを薄くするのに限界があるという問題がある。
韓国特許第１０－２０１６－００５１５６６号公報
本発明が解決しようとする課題は、直下型バックライトを採用しつつ表示装置の厚さを
低減することのできる発光ダイオードパッケージ及びそれを有する表示装置を提供するこ
とにある。
本発明の一実施形態に係る発光ダイオードパッケージは、発光ダイオードチップ、発光
ダイオードチップの上面に配置され、発光ダイオードチップから放出された光の少なくと
も一部を反射する反射部、及び発光ダイオードチップ及び反射部の上面及び側面を覆うよ
うに配置されたモールディング部、を含んでもよい。
このとき、モールディング部は、反射部の上面からモールディング部の上面までの厚さ
が、発光ダイオードチップの側面からモールディング部の側面までの幅より小さくてもよ
い。
ここで、モールディング部は、発光ダイオードチップの側面からモールディング部の側
面までの幅が、反射部の上面からモールディング部の上面までの厚さより１．５倍以上４
倍以下であってもよい。
また、モールディング部は、一種類以上の蛍光体及び光拡散剤の少なくとも一つを含ん
でもよい。
そして、反射部は、分布ブラッグ反射器（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｂｒａｇｇ ｒｅ
ｆｌｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
このとき、反射部は、発光ダイオードチップから放出された光の透過率が０％～８０％
であってもよい。
また、モールディング部は、発光ダイオードチップ及び反射部の上面及び側面を覆う第
１モールディング部、及び第１モールディング部の上面及び側面を覆う第２モールディン
グ部、を含んでもよい。
このとき、第１モールディング部及び第２モールディング部の少なくとも一方に一種類
以上の蛍光体が含まれていてもよい。
このとき、第１モールディング部及び第２モールディング部にそれぞれ一種類以上の蛍
光体が含まれる場合、第１モールディング部及び第２モールディング部に含まれた蛍光体
は互いに異なる種類であってもよい。
そして、第２モールディング部は、第２モールディング部より厚さが薄くてもよい。
また、反射部は、発光ダイオードチップの上面の一部に配置された第１反射部、及び発
光ダイオードチップの上面に配置され、第１反射部を取り囲むように配置された第２反射
部、を含んでもよい。
このとき、第１反射部の反射率と第２反射部の反射率は互いに異なってもよく、第１反
射部の反射率は第２反射部の反射率より小さくてもよい。
そして、モールディング部は、側面が傾斜面であってもよく、傾斜面は下向きに傾斜し
た面であってもよい。
一方、本発明の一実施形態に係る発光ダイオードパッケージは、発光ダイオードチップ
、発光ダイオードチップの上面に配置され、発光ダイオードチップから放出された光の少
なくとも一部を反射する反射部、及び発光ダイオードチップの側面に配置されたモールデ
ィング部を含んでもよい。
このとき、反射部は、発光ダイオードチップの上面から外部に露出してもよい。
一方、本発明の一実施形態に係る表示装置は、フレーム、フレーム上に規則的に配置さ
れた複数の発光ダイオードパッケージ、複数の発光ダイオードパッケージの上部に配置さ
れ、蛍光シート及び光学シートの少なくとも一つ、及び表示パネルを含む光学部、を含み
、発光ダイオードパッケージは、発光ダイオードチップ、発光ダイオードチップの上面に
配置され、発光ダイオードチップから放出された光の少なくとも一部を反射する反射部、
及び発光ダイオードチップ及び反射部の上面及び側面を覆うように配置されたモールディ
ング部を含んでもよい。
ここで、フレームと光学部との間の距離は１ｍｍ以上１５ｍｍ以下であってもよい。
そして、モールディング部は、反射部の上面からモールディング部の上面までの厚さが
、発光ダイオードチップの側面からモールディング部の側面までの幅より小さくてもよい
。
このとき、モールディング部は、発光ダイオードチップの側面からモールディング部の
側面までの幅が、反射部の上面からモールディング部の上面までの厚さより１．５倍以上
４倍以下であってもよい。
また、モールディング部は、一種類以上の蛍光体及び光拡散剤の少なくとも一つを含ん
でもよい。
そして、反射部は、分布ブラッグ反射器を含んでもよい。
このとき、反射部は、発光ダイオードチップから放出された光の透過率が０％～８０％
であってもよい。
また、モールディング部は、発光ダイオードチップ及び反射部の上面及び側面を覆う第
１モールディング部、及び第１モールディング部の上面及び側面を覆う第２モールディン
グ部を含んでもよい。
このとき、第１モールディング部及び第２モールディング部の少なくとも一方に一種類
以上の蛍光体が含まれてもよい。
このとき、第１モールディング部及び第２モールディング部にそれぞれ一種類以上の蛍
光体が含まれる場合、第１モールディング部及び第２モールディング部に含まれた蛍光体
は互いに異なる種類であってもよい。
そして、第２モールディング部は第２モールディング部より厚さが薄くてもよい。
また、反射部は、発光ダイオードチップの上面の一部に配置された第１反射部、及び発
光ダイオードチップの上面に配置され、第１反射部を取り囲むように配置された第２反射
部、を含んでもよい。
このとき、第１反射部の反射率と第２反射部の反射率は互いに異なってもよく、第１反
射部の反射率は第２反射部の反射率より小さくてもよい。
そして、モールディング部は、側面が傾斜面であってもよく、傾斜面は下向きに傾斜し
た面であってもよい。
一方、本発明の一実施形態に係る表示装置は、発光ダイオードチップ、発光ダイオード
チップの上面に配置され、発光ダイオードチップから放出された光の少なくとも一部を反
射する反射部、及び発光ダイオードチップの側面に配置されたモールディング部を含んで
もよい。
このとき、反射部は、発光ダイオードチップの上面から外部に露出してもよい。
本発明によると、表示装置に用いられるバックライトユニットの光源として、発光ダイ
オードチップ上に反射部が配置され、モールディング部で覆われた発光ダイオードパッケ
ージを用いることによって、別途レンズを用いなくても、発光ダイオードパッケージを直
下型バックライトユニットとして用いることができる。
また、別途レンズを使用しないので、従来の直下型バックライトユニットよりも相対的
に厚さが薄い直下型バックライトを提供することができ、表示装置の厚さを減らすことが
できる。
そして、発光ダイオードチップを覆うモールディング部を二重に形成し、二重のモール
ディング部の少なくとも一方が一種類以上の蛍光体を含み、発光ダイオードパッケージか
ら放出された光の色制御を容易に行うことができる。特に、発光ダイオードパッケージの
二重のモールディング部のうち外部に配置されたモールディング部に一種類以上の蛍光体
が含まれるようにすることで、発光ダイオードパッケージの熱特性が向上し得る。
また、発光ダイオードパッケージは、発光ダイオードチップの上面中央に配置された第
１反射部と、第１反射部を取り囲むように配置された第２反射部とを含み、第１反射部と
第２反射部の反射率を異ならせることによって、発光ダイオードパッケージから放出され
た光の側面方向への分散効率を高めることができる。
また、発光ダイオードパッケージのモールディング部の側面を傾斜面に形成することに
よって、発光ダイオードパッケージから放出される光の分散効率を高めることができる。
本発明の第１実施形態に係る表示装置の一例を示した平面図である。 本発明の第１実施形態に係る表示装置の一例を示した背面図である。 本発明の第１実施形態に係る表示装置を示した断面図である。 本発明の第１実施形態に係る表示装置を示した断面図である。 本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図である。 本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージから放出された光を比較したグラフである。 本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージから光が均一に放出された状態を示したグラフである。 本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージにおける反射部の反射率による光指向特性を示したグラフである。 図６ａの光指向特性を示したグラフにおける反射部の反射率によるピーク値を示したグラフである。 図６ａの光指向特性を示したグラフにおける反射部の反射率による中心の値を示したグラフである。 本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージの反射部の反射率による中心照度を比較した実際の画像である。 本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージの反射部の反射率による中心照度を比較したグラフである。 本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージの均一性を説明するために発光ダイオードチップのみが配置されたときの均一性を示した実際の画像である。 本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージの均一性を説明するために発光ダイオードチップのみが配置されたときの均一性を示した分布画像である。 本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージの均一性を説明するために発光ダイオードチップのみが配置されたときの均一性を示したグラフである。 本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージの均一性を説明するための実際の画像である。 本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージの均一性を説明するための分布画像である。 本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージの均一性を示したグラフである。 本発明の第２実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図である。 本発明の第３実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図である。 本発明の第４実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図である。 本発明の第５実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図である。 本発明の第６実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図である。 本発明の第６実施形態に係る発光ダイオードパッケージの中心部の光分布を示したグラフである。 本発明の第７実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図である。 本発明の第７実施形態に係る発光ダイオードパッケージの中心部の光分布を示したグラフである。 本発明の第８実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図である。 本発明の第８実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した斜視図である。 本発明の第８実施形態に係る発光ダイオードパッケージの中心部の光分布を示したグラフである。 本発明の第９実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図である。 本発明の第９実施形態に係る発光ダイオードパッケージの照度を示したグラフである。 本発明の第１０実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図である。
以下、本発明の好適な実施形態に対して添付の図面を参照してより具体的に説明する。
図１ａ及び図１ｂは、本発明の第１実施形態に係る表示装置を示した平面図及び背面図
で、図２ａ及び図２ｂは、本発明の第１実施形態に係る表示装置を示した断面図である。
本発明の第１実施形態に係る表示装置２００は、発光ダイオードパッケージ１００、フ
ロントカバー２３０、フレーム２１０及び光学部２２０を含む。発光ダイオードパッケー
ジ１００は、発光ダイオードチップ１１２、反射部１１４及びモールディング部１１６を
含み、これに対しては後で説明する。
フロントカバー２３０は、光学部２２０の表示パネル２２７の側面及び前面のうち一部
を覆うことができる。そして、フロントカバー２３０の中央は空いており、フロントカバ
ー２３０の中央に表示パネル２２７が配置されることによって、表示パネル２２７に表示
された映像が外部に表示され得る。
フレーム２１０は、表示装置２００を支持し、一方の側がフロントカバー２３０と結合
されてもよい。フレーム２１０は、アルミニウム合金などの金属材料や合成樹脂材料を有
してもよい。そして、フレーム２１０は、光学部２２０と所定の距離だけ離隔してもよい
。光学部２２０側には、フレーム２１０上に発光ダイオードパッケージ１００が配置され
てもよい。このとき、フレーム２１０と光学部２２０との間の離隔した距離は、発光ダイ
オードパッケージ１００から光学部２２０までのＯＤ（ｏｐｔｉｃａｌ ｄｉｓｔａｎｃ
ｅ）であってもよい。このとき、本実施形態において、ＯＤは、例えば、約１ｍｍ以上１
５ｍｍ以下であってもよい。
そして、フレーム２１０は、上部に発光ダイオードパッケージ１００が電気的に連結さ
れる基板２１２が配置されてもよい。基板２１２は、発光ダイオードパッケージ１００に
電源を供給するために備えられる。
光学部２２０は、フレーム２１０の上部に配置され、蛍光シート２２１、拡散板２２３
、光学シート２２５及び表示パネル２２７を含む。
蛍光シート２２１は、発光ダイオードパッケージ１００から放出された光を異なる波長
の光に変換するために備えられる。蛍光シート２２１は、内部に一種類以上の蛍光体を含
んでもよく、一種類以上の量子ドット（ＱＤ、ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ）を含んでもよい
。本実施形態において、発光ダイオードパッケージ１００から放出される光は、青色光で
あってもよく、紫外線であってもよい。また、蛍光シート２２１を介して放出される光は
白色光であってもよい。
拡散板２２３は、発光ダイオードパッケージ１００から放出された光を上部に拡散させ
る役割を有する。
光学シート２２５は、拡散板２２３の上部に配置されてもよく、上部に表示パネル２２
７が配置されてもよい。そして、光学シート２２５は、互いに異なる機能を有する複数の
シートを含んでもよい。一例として、一つ以上のプリズムシート及び拡散シートを含んで
もよい。拡散シートは、拡散板２２３を介して放出された光が部分的に密集することを防
止し、光の輝度をより均一にすることができる。プリズムシートは、拡散シートを介して
放出された光を集光し、光を表示パネル２２７に垂直に入射させることができる。
表示パネル２２７は、表示装置２００の前面に配置され、映像を表示することができる
。表示パネル２２７は、複数のピクセルを含み、各ピクセル当たりの色相、明度、彩度な
どを合わせて映像を出力することができる。
発光ダイオードパッケージ１００は、図１ａに示したように、複数が備えられ、表示装
置２００の広い面積にわたって規則的に配列され得る。一例として、発光ダイオードパッ
ケージ１００は、表示装置２００に平面的に行と列に沿って一定の間隔だけ離隔した状態
で配列されてもよい。
図１ａは、複数の発光ダイオードパッケージ１００が規則的に配列された状態を例示的
に示した図である。複数の発光ダイオードパッケージ１００は、表示装置２００に可能な
限り多く配置されるほど、表示装置２００のＨＤＲ（ｈｉｇｈ ｄｙｎａｍｉｃ ｒａｎ
ｇｅ）をより高い品質で具現することができる。
そして、複数の発光ダイオードパッケージ１００に電源を供給するための複数の電源供
給部２５０が備えられてもよい。電源供給部２５０は、一つ以上の発光ダイオードパッケ
ージ１００に電源を供給することができ、本実施形態において、一つの電源供給部２５０
を介して３２個の発光ダイオードパッケージ１００に電源を供給する場合を説明する。電
源供給部２５０を介して供給された電源によって複数の発光ダイオードパッケージ１００
は発光し、各発光ダイオードパッケージ１００が個別に動作し得る。
図３は、本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図である
。
図３を参照して、本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージ１００につい
て詳細に説明する。図示したように、発光ダイオードパッケージ１００は、発光ダイオー
ドチップ１１２、反射部１１４及びモールディング部１１６を含む。
発光ダイオードチップ１１２は、ｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を含んでもよ
い。また、ｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層は、それぞれＩＩＩ－Ｖ族系列の化合
物半導体を含んでもよく、一例として、（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎなどの窒化物半導体を含
んでもよい。
ｎ型半導体層は、ｎ型不純物（例えば、Ｓｉ）を含む導電型半導体層であってもよく、
ｐ型半導体層は、ｐ型不純物（例えば、Ｍｇ）を含む導電型半導体層であってもよい。活
性層は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に介在し、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を含
んでもよい。そして、所望のピーク波長の光を放出できるように活性層の組成比が決定さ
れ得る。
本実施形態において、発光ダイオードチップ１１２は、フリップチップ型発光ダイオー
ドチップ１１２であってもよい。それによって、発光ダイオードチップ１１２の下部には
、ｎ型半導体層と電気的に連結されたｎ型電極及びｐ型半導体層と電気的に連結されたｐ
型電極が配置され得る。
発光ダイオードチップ１１２から放出される光は、発光ダイオードチップ１１２の上部
及び側面を介して外部に放出される。本実施形態において、発光ダイオードチップ１１２
は、例えば、横、縦及び厚さがそれぞれ６７０μｍ、６７０μｍ及び２５０μｍであって
もよい。
反射部１１４は、発光ダイオードチップ１１２の上部に配置され、発光ダイオードチッ
プ１１２の上部全体を覆うように配置されてもよい。本実施形態において、反射部１１４
は、発光ダイオードチップ１１２から放出された光の全体を反射することもでき、又は、
発光ダイオードチップ１１２から放出される光の一部を透過させ、光の残りを反射するこ
ともできる。
一例として、反射部１１４は、分布ブラッグ反射器（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｂｒａ
ｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ、ＤＢＲ）を含んでもよい。分布ブラッグ反射器は、互いに異
なる屈折率を有する物質層を複数の層に積層して形成されてもよい。分布ブラッグ反射器
は、分布ブラッグ反射器を形成する物質層の数によって発光ダイオードチップ１１２から
放出される光の全部を反射することもでき、一部の光を反射することもできる。また、必
要に応じて、反射部１１４は、分布ブラッグ反射器でない金属や他の物質で形成されても
よい。例えば、反射部１１４の光透過率は０％～８０％であってもよい。
分布ブラッグ反射器に対してより詳細に説明すると、分布ブラッグ反射器は、互いに異
なる屈折率を有する二つ以上の誘電体層が交互に配置された構造であってもよい。二つ以
上の誘電体層は、それぞれＳｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ及びＡｌで構成されたグループから選
ばれた元素の酸化物又は窒化物であってもよく、具体的に、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＳｉＯ
２、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯｘＮｙ、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＳｉＮ、
ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２及びＭｇＯのうち互いに異なるいずれか一つをそれぞれ含
んでもよい。
そして、二つ以上の誘電体層のそれぞれは、λ／４ｎの厚さを有してもよい。このとき
、λは、活性層から放出された光の波長を示し、ｎは、誘電体層の屈折率を示す。それに
よって、分布ブラッグ反射器の厚さは略３００Å～９００Åであってもよい。分布ブラッ
グ反射器は、二つ以上の誘電体層が２組～５０組で形成されてもよいが、これに限定され
ない。本実施形態において、反射部１１４の光透過率によって二つ以上の誘電体層の屈折
率と厚さが決定され得る。
また、分布ブラッグ反射器は、二つ以上の誘電体層が交互に積層された構造であって、
内部に光の吸収が起こらないように発光ダイオードチップ１１２から発光された光のエネ
ルギーより大きいバンドギャップエネルギーを有してもよい。そして、二つ以上の誘電体
層間の屈折率差が大きいほど反射率が増加し得る。
分布ブラッグ反射器は、一例として、ＳｉＩ２／ＴｉＯ２、ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ２又は
ＳｉＯ２／ＨｆＯの反復積層からなってもよく、青色光に対してはＳｉＯ２／ＴｉＯ２で
構成されると反射効率が良く、紫外線に対してはＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ２又はＳｉＯ２／Ｈ
ｆＯで構成されると反射効率が良い。
また、反射部１１４は、必要に応じて全方向反射器（ＯＤＲ、ｏｍｎｉ－ｄｉｒｅｃｔ
ｉｏｎａｌ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
また、反射部１１４は、必要に応じて分布ブラッグ反射器及び全方向反射器を全て含む
複数の層を有してもよい。分布ブラッグ反射器は、垂直方向に近い光であるほど反射率が
高く、それ以外の光を透過させる。
一例として、二つの媒質の境界面に特定の角度で光が入射されると、いずれかの偏光成
分の光のみが反射され、他の偏光成分は反射されずに全部透過され得る。このような特定
角度をブリュースター角というが、垂直偏光及び水平偏光を考慮すると、ブリュースター
角で境界面に垂直偏光及び水平偏光が入射されると、反射波と透過波が互いに９０度の角
度をなし、垂直偏光はほとんど全部反射される。そして、水平偏光はほとんど反射されず
、ほとんどが透過される角度が存在し得る。このように、水平偏光成分の反射係数が０（
ｚｅｒｏ）になる角がブリュースター角である。ブリュースター角は、媒質の物性に応じ
て変わり得るが、無偏光の光（一例として、活性層から放出された光）がブリュースター
角で分布ブラッグ反射器に入射されると、垂直偏光成分はほとんど全部反射され、水平偏
光成分は全部透過される。
このとき、分布ブラッグ反射器は、分子線エピタキシー（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａ
ｍ ｅｐｉｔａｘｙ）、電子ビーム蒸着（Ｅ－ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、イ
オンビーム補助蒸着（ｉｏｎ－ｂｅａｍ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、
反応性プラズマ蒸着（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｐｌａｓｍａ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、電子
線蒸着法（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、熱蒸着法（ｔｈｅ
ｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）及びコ
ンフォーマルスパッタリング（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工程などを
通じて形成されてもよい。
モールディング部１１６は、図３に示したように、上部に反射部１１４が配置された発
光ダイオードチップ１１２全体を覆うように配置されてもよい。すなわち、モールディン
グ部１１６は、発光ダイオードチップ１１２の下部に配置されたｎ型電極及びｐ型電極を
除いた発光ダイオードチップ１１２の側面及び上部を覆うように配置されてもよい。
モールディング部１１６は、発光ダイオードチップ１１２から放出された光が透過し得
る透明な素材を有してもよく、例えば、シリコーンを含んでもよい。
本実施形態において、モールディング部１１６は、発光ダイオードチップ１１２を覆う
ように形成され、例えば、横、縦及び厚さがそれぞれ１５００μｍ、１５００μｍ及び４
２０μｍであってもよい。すなわち、モールディング部１１６の厚さは、発光ダイオード
チップ１１２の厚さｔと、発光ダイオードチップ１１２の上面からモールディング部１１
６の上面までの厚さ（以下、第１厚さ、ｄ１）とを合わせた厚さと同じかそれより大きく
てもよい。このとき、第１厚さｄ１は、発光ダイオードチップ１１２の厚さｔと同じかそ
れより小さくてもよい（ｄ１≦ｔ）。
そして、発光ダイオードチップ１１２の側面からモールディング部１１６の側面までの
幅（以下、第１幅、ｄ２）は、第１厚さｄ１より小さくてもよい。本実施形態において、
第１幅ｄ２は、第１厚さｄ１の１．５倍以上４倍以下であってもよく、例えば、約２．４
４倍であってもよい。
換言すると、モールディング部１１６は、発光ダイオードチップ１１２の上部に形成さ
れた厚さｄ１が、発光ダイオードチップ１１２の側面に形成された幅ｄ２より薄く形成さ
れる。発光ダイオードチップ１１２から放出された光は、上部に配置された反射部１１４
によって遮断され、発光ダイオードチップ１１２の側面方向にほとんどが放出され得る。
さらに、発光ダイオードチップ１１２から放出される光は、発光ダイオードチップ１１２
の上面及び側面に形成されたモールディング部１１６の形状によって側面方向にガイドさ
れ、側面方向により良く放出され得る。
前述のように、発光ダイオードチップ１１２を覆うようにモールディング部１１６が形
成された発光ダイオードパッケージ１００は、放出される光が上部より相対的に側面に放
出されることによって、表示装置２００のバックライトとして利用可能である。
特に、発光ダイオードパッケージ１００から側面方向に光が放出されることによって、
光を放出させるためのレンズは省略可能である。別途レンズを使用しないので、発光ダイ
オードパッケージ１００は、表示装置２００のフレーム２１０に複数設置することによっ
てバックライトユニットに取って代わるものとなり得る。また、別途レンズを使用しない
ので、表示装置２００の厚さを最小化することができる。
また、モールディング部１１６は、透明な素材のみで形成されてもよく、必要に応じて
内部に一種類以上の蛍光体や光拡散性を調節するための拡散剤が含まれてもよい。本実施
形態において、前述のように、光学部２２０に蛍光シート２２１が含まれるので、モール
ディング部１１６に別途蛍光体が含まれなくてもよい。または、光学部２２０に含まれた
蛍光シート２２１を介して放出される光の色再現性を高めるためにモールディング部１１
６に一種類以上の蛍光体が含まれてもよい。
図４は、本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージから放出された光を比
較したグラフである。
図４は、本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージ１００から放出された
光の画像及び指向角を示したグラフである。まず、図４の（ａ）を参照すると、発光ダイ
オードチップ１１２から放出された光に対してＯＤが０．４ｍｍで撮影した画像、ＯＤが
４ｍｍで撮影した画像及び５０ｃｍでの配光分布データ（ｆａｒ ｆｉｅｌｄ ｄａｔａ
）を確認することができる。図４の（ｂ）を参照すると、発光ダイオードチップ１１２の
上部に反射部１１４を配置した状態で放出された光に対してＯＤが０．４ｍｍで撮影した
画像、ＯＤが４ｍｍで撮影した画像及び５０ｃｍでの配光分布データを確認することがで
きる。そして、図４の（ｃ）を参照すると、反射部１１４及びモールディング部１１６が
形成された発光ダイオードパッケージ１００から放出された光に対してＯＤが０．４ｍｍ
で撮影した画像、ＯＤが４ｍｍで撮影した画像及び５０ｃｍでの配光分布データを確認す
ることができる。
このように画像及び配光分布データを通じて、発光ダイオードチップ１１２に反射部１
１４及びモールディング部１１６が形成されることによって、発光ダイオードパッケージ
１００から放出された光が均一に分散されることを確認することができる。
図５は、本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージから光が均一に放出さ
れた状態を示したグラフである。
図５の（ａ）を見ると、蛍光シート２２１及び光学シート２２５ない状態で、複数の発
光ダイオードパッケージ１００から放出された光に対して撮影した画像及び出力グラフを
確認することができる。これを通じて、光が全般的に均一に放出されることを確認するこ
とができる。図５の（ａ）で右側に行くほど光の出力が低下する理由は、各発光ダイオー
ドパッケージ１００に入力された電流の差のためである。
図５の（ｂ）を見ると、複数の発光ダイオードパッケージ１００の上部に蛍光シート２
２１を配置した状態で出力される光に対して撮影した画像及び出力グラフを確認すること
ができる。図５の（ａ）と比較して、右側に位置した各発光ダイオードパッケージ１００
の出力が多少弱くても、光が全体的に均一に出力されることを確認することができる。
また、図５の（ｃ）を見ると、複数の発光ダイオードパッケージ１００の上部に蛍光シ
ート２２１及び光の拡散のための拡散シートを配置した状態で出力される光に対して撮影
した画像及び出力グラフを確認することができる。表示装置２００から出力される光は、
平面上で均一に外部に放出されるとき、全体の面積にわたって均一に外部に放出されるこ
とを確認することができる。特に、図示したグラフを見ると、光が拡散シートによってよ
り均一に外部に放出されることを確認することができる。
図６ａ乃至図６ｃは、本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージの反射部
の反射率による光指向特性を示したグラフである。
図６ａは、本実施形態において、反射部１１４の反射率を０％から１００％まで変化さ
せるときの光指向特性をシミュレーションした結果を示したグラフである。発光ダイオー
ドパッケージ１００は、図３に示したものが用いられており、光指向分布は５０ｃｍ位置
での結果である。
図６ａに示したように、反射部１１４の反射率が高くなるほど中心での光の強さが小さ
くなり、光の強さの最大値を有するピーク角度が大きくなることを確認することができる
。すなわち、光の強さの最大値を有する地点の角度は、反射率が高くなるほど大きくなる
ことを確認することができる。このとき、図６ａのグラフにおいて、ｘ軸は光指向角を示
す。
図６ａに示したグラフを通じて、反射率が９０％である場合と１００％である場合のグ
ラフを見ると、中心角度で光の強さが小さくなり、光の強さの最大値を有するピーク角度
が大きくなったことを確認することができる。これに基づいて、反射部１１４の反射率の
大きさによって光指向特性の側面分散効率が高くなる角度を確認するために図６ｂ及び図
６ｃを参照して説明する。
図６ｂは、図６ａの約６０度の角度での光指向特性ピーク値が反射部１１４の反射率に
よって変わることを示した図である。図６ｂを参照すると、反射部１１４の反射率が７５
％である地点を基準にしてピーク値が急変して増加することを確認することができる。
図６ｃは、図６ａの中心角度での光指向特性のピーク値が反射部１１４の反射率によっ
て変わることを示した図である。図６ｃを参照すると、反射部１１４の反射率が７５％で
ある地点を基準にしてピーク値が急変して減少することを確認することができる。
図６ｂ及び図６ｃを通じて、反射部１１４の反射率が７５％より大きい反射部１１４を
用いるほど発光ダイオードパッケージ１００の側面分散効率が良好になることを確認する
ことができる。
図７ａ及び図７ｂは、本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージの反射部
の反射率による中心照度を比較したグラフである。
図７ａは、ＯＤが２ｍｍである場合、反射部１１４がなく、発光ダイオードチップ１１
２から放出された光、反射率が９０％である反射部１１４が結合された発光ダイオードパ
ッケージ１００から放出された光、及び反射率が１００％である反射部１１４が結合され
た発光ダイオードパッケージ１００から放出された光を比較した照度画像である。図７ａ
を見ると、ＯＤが２ｍｍで反射部１１４の反射率が９０％であるとき、光の照度画像が均
一に分布されることを確認することができ、反射率が１００％であるとき、光の照度画像
は、中心部で一部の暗点が発生することを確認することができる。
このような反射部１１４の反射率による中心照度の相対値が図７ｂに示されている。図
７ｂを参照すると、反射部１１４の反射率が高くなるほど中心照度値が低くなることを確
認することができる。このように反射部１１４の反射率が高くなるほど中心照度が低くな
ることによって、光が発光ダイオードパッケージ１００の側面方向に分散される程度が相
対的に大きくなることを確認することができる。
図８ａから図８ｃは、本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージの均一性
を説明するために発光ダイオードチップのみが配置されたときの均一性を示した図である
。そして、図９ａ～図９ｃは、本発明の第１実施形態に係る発光ダイオードパッケージの
均一性を説明するための図である。
図８ａ及び図８ｂは、反射部１１４及びモールディング部１１６がなく、発光ダイオー
ドチップ１１２を配列したときの実際の画像及び分布画像であって、図８ｃは、発光ダイ
オードチップ１１２が配列された状態の均一性を確認するためのグラフである。
図８ａ及び図８ｂに示した画像を見ると、各発光ダイオードチップ１１２がどの位置に
配置されているのか、いくつの発光ダイオードチップ１１２が配置されているのかを確認
できる程度に発光ダイオードチップ１１２から放出された光の均一性が相対的に良好でな
いことを確認することができる。
また、図８ｃのグラフを通じて、発光ダイオードチップ１１２から放出された光の最大
の明るさが約８０００ｌｕｘで、最低の明るさが約４６００ｌｕｘであることを確認する
ことができ、これに基づいて、均一性は約５７．５％であることを確認することができる
。
これに対して、図９ａ及び図９ｂは、発光ダイオードチップ１１２の上部に反射部１１
４が配置され、モールディング部１１６が形成された発光ダイオードパッケージ１００を
、図８ａのように配列したときの実際の画像及び分布画像である。そして、図９ｃは、発
光ダイオードパッケージ１００が配列された状態の均一性を確認するためのグラフである
。
図９ａ及び図９ｂに示した画像は、図８ａ及び図８ｂに示した画像と比較して相対的に
全面に光が均一に分布されたことを確認することができる。また、図９ｃのグラフを通じ
て、発光ダイオードパッケージ１００から放出された光の最大の明るさが約２１００００
ｌｕｘで、最低の明るさが約１７５０００ｌｕｘであることを確認することができ、これ
に基づいて、均一性は約８３．３％であることを確認することができる。
図９ｃと図８ｃを比較すると、反射部１１４及びモールディング部１１６が適用された
発光ダイオードパッケージ１００の場合、発光ダイオードチップ１１２のみが用いられた
場合に比べて均一性が約２５％以上向上したことを確認することができる。
図１０は、本発明の第２実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図であ
る。
本実施形態において、表示装置２００の他の構成は第１実施形態と同じであって、発光
ダイオードパッケージ１００の構成のみに違いがあるので、これに対して図１０を参照し
て説明する。本実施形態について説明しつつ、第１実施形態と重複する説明は省略する。
本実施形態において、発光ダイオードパッケージ１００は、発光ダイオードチップ１１２
、反射部１１４及びモールディング部１１６を含む。
本実施形態において、発光ダイオードチップ１１２及び反射部１１４の構成は第１実施
形態と同じであるので、それに対する説明は省略し、モールディング部１１６は、第１モ
ールディング部１１６ａ及び第２モールディング部１１６ｂを含む。
第１モールディング部１１６ａは、図１０に示したように、上部に反射部１１４が配置
された発光ダイオードチップ１１２全体を覆うように配置されてもよい。第１モールディ
ング部１１６ａは、発光ダイオードチップ１１２の下部に配置されたｎ型電極及びｐ型電
極を除いた発光ダイオードチップ１１２の側面及び上部を覆うように配置されてもよい。
そして、第２モールディング部１１６ｂは、第１モールディング部１１６ａ全体を覆う
ように配置されてもよい。第２モールディング部は、第１モールディング部１１６ａと同
様に、発光ダイオードチップ１１２の下部を除いて第１モールディング部１１６ａの側面
及び上部を覆うように配置されてもよい。このとき、第２モールディング部１１６ｂの厚
さは、第１モールディング部１１６ａの厚さと同一又は異なってよく、第１モールディン
グ部１１６ａの厚さより薄くてもよい。
このとき、第１モールディング部１１６ａ及び第２モールディング部１１６ｂは、それ
ぞれ発光ダイオードチップ１１２から放出された光が透過し得るように透明な素材で形成
されてもよい。
本実施形態において、第１モールディング部１１６ａ及び第２モールディング部１１６
ｂは、透過する光の屈折率が互いに異なってもよい。発光ダイオードチップ１１２から放
出された光が外部に放出されながら、媒質の差によって発生する反射を減少させるために
外側に配置された第２モールディング部１１６ｂの屈折率が第１モールディング部１１６
ａの屈折率より小さくてもよい。勿論、これに限定されることはなく、第１モールディン
グ部１１６ａの屈折率が第２モールディング部１１６ｂの屈折率と同じかそれより大きく
てもよい。
また、第１モールディング部１１６ａ及び第２モールディング部１１６ｂの素材に対す
る軟性材質は異なってもよい。製造工程上で軟性材質の差によって外部にクラックが発生
し得るが、外部に第１モールディング部１１６ａの材質よりも強い材質を有する第２モー
ルディング部１１６ｂを形成することによって、第１モールディング部１１６ａの軟性材
質による外部クラックの発生を防止することができる。
図１１は、本発明の第３実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図であ
る。
本実施形態において、表示装置２００の他の構成は第１実施形態と同じであって、発光
ダイオードパッケージ１００の構成のみに違いがあるので、これに対して図１１を参照し
て説明する。本実施形態について説明しつつ、第１実施形態と重複する説明は省略する。
本実施形態において、発光ダイオードパッケージ１００は、発光ダイオードチップ１１２
、反射部１１４、モールディング部１１６及び波長変換部１１７を含む。
本実施形態に係る発光ダイオードパッケージ１００の構成のうち、発光ダイオードチッ
プ１１２、反射部１１４及びモールディング部１１６の構成は第１実施形態と同じである
ので、それに対する説明は省略する。
波長変換部１１７は、図示したように、モールディング部１１６全体を覆うように配置
されてもよい。波長変換部１１７は、モールディング部１１６と同様に、発光ダイオード
チップ１１２の下部を除いてモールディング部１１６の側面及び上部を覆うように配置さ
れてもよい。このとき、波長変換部１１７の厚さは、モールディング部１１６の厚さと同
一又は異なってもよく、モールディング部１１６の厚さより薄くてもよい。
波長変換部１１７は、モールディング部１１６をなす素材と同一の素材で形成されたり
、異なる素材として透明な素材で形成されたりしてもよい。そして、内部に一種類以上の
蛍光体が含まれてもよい。それによって、波長変換部１１７は、発光ダイオードチップ１
１２から放出された光を波長変換し、異なる波長の光を外部に放出させることができる。
本実施形態において、モールディング部１１６の外側に波長変換部１１７が配置される
ことによって、発光ダイオードチップ１１２から放出された光を異なる波長の光に波長変
換することが容易になり、発光ダイオードパッケージ１００の色制御が容易になる。
また、本実施形態において、波長変換部１１７と発光ダイオードチップ１１２との間に
モールディング部１１６が配置されることによって、波長変換部１１７が発光ダイオード
チップ１１２と直接接触しない場合がある。それによって、発光ダイオードチップ１１２
で発生した熱が波長変換部１１７に直接伝達されないので、波長変換部１１７に含まれた
蛍光体が発光ダイオードチップ１１２で発生した熱によって劣化することを最小化するこ
とができる。
図１２は、本発明の第４実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図であ
る。
本実施形態において、表示装置２００の他の構成は第１実施形態と同じであって、発光
ダイオードパッケージ１００の構成のみに違いがある。これに対して図１２を参照して説
明し、第１実施形態と重複する説明は省略する。本実施形態において、発光ダイオードパ
ッケージ１００は、発光ダイオードチップ１１２、反射部１１４、モールディング部１１
６及び波長変換部１１７を含む。
本実施形態に係る発光ダイオードパッケージ１００の構成のうち発光ダイオードチップ
１１２及び反射部１１４の構成は第１実施形態と同じであるので、それに対する説明は省
略する。
波長変換部１１７は、図１２に示したように、上部に反射部１１４が配置された発光ダ
イオードチップ１１２全体を覆うように配置されてもよい。波長変換部１１７は、発光ダ
イオードチップ１１２の下部に配置されたｎ型電極及びｐ型電極を除いた発光ダイオード
チップ１１２の側面及び上部を覆うように配置されてもよい。
波長変換部１１７は、内部に一種類以上の蛍光体を含んでもよい。それによって、波長
変換部１１７は、発光ダイオードチップ１１２から放出された光を波長変換し、異なる波
長の光を外部に放出させることができる。
そして、モールディング部１１６は、波長変換部１１７全体を覆うように配置されても
よい。モールディング部１１６は、波長変化部と同様に、発光ダイオードチップ１１２の
下部を除いてモールディング部１１６の側面及び上部を覆うように配置されてもよい。こ
のとき、モールディング部１１６の厚さは、波長変換部１１７の厚さと同一又は異なって
もよく、波長変換部１１７の厚さより薄くてもよい。
また、波長変換部１１７は、内部に一種類以上の蛍光体を含み、モールディング部１１
６と同一の素材で形成されてもよく、異なる素材として透明な素材で形成されてもよい。
すなわち、発光ダイオードチップ１１２から放出された光は、波長変換部１１７を通じて
波長変換された後、モールディング部１１６を介して外部に放出され得る。
このように発光ダイオードチップ１１２に接するように波長変換部１１７が配置される
ことによって、発光ダイオードチップ１１２から放出された光を異なる波長の光に波長変
換することが容易になり、発光ダイオードパッケージ１００の色制御が容易になる。
そして、波長変換部１１７が発光ダイオードチップ１１２に隣接して配置されることに
よって、発光ダイオードチップ１１２から放出された光に対する波長変換効率が上昇し、
発光ダイオードパッケージ１００の光抽出効率が向上し得る。
図１３は、本発明の第５実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図であ
る。
本実施形態において、表示装置２００の他の構成は第１実施形態と同じであり、発光ダ
イオードパッケージ１００の構成に相違がある。これに対して図１３を参照して説明し、
第１実施形態と重複する説明は省略する。本実施形態において、発光ダイオードパッケー
ジ１００は、発光ダイオードチップ１１２、反射部１１４及び波長変換部１１７を含む。
本実施形態に係る発光ダイオードパッケージ１００の構成のうち、発光ダイオードチッ
プ１１２及び反射部１１４の構成は第１実施形態と同じであるので、それに対する説明は
省略する。
波長変換部１１７は、図１３に示したように、第１波長変換部１１７ａ及び第２波長変
換部１１７ｂを含む。
第１波長変換部１１７ａは、上部に反射部１１４が配置された発光ダイオードチップ１
１２の全体を覆うように配置されてもよい。第１波長変換部１１７ａは、発光ダイオード
チップ１１２の下部に配置されたｎ型電極及びｐ型電極を除いた発光ダイオードチップ１
１２の側面及び上部を覆うように配置されてもよい。そして、内部に一種類以上の蛍光体
を含んでもよい。
第２波長変換部１１７ｂは、第１波長変換部１１７ａの全体を覆うように配置されても
よい。第２波長変換部１１７ｂは、第１波長変換部１１７ａと同様に、発光ダイオードチ
ップ１１２の下部を除いて第１波長変換部１１７ａの側面及び上部を覆うように配置され
てもよい。このとき、第２波長変換部１１７ｂの厚さは、第１波長変換部１１７ａの厚さ
と同一又は異なってもよく、第１波長変換部１１７ａの厚さより薄くてもよい。そして、
第２波長変換部１１７ｂは、内部に一種類以上の蛍光体を含んでもよい。
第１波長変換部１１７ａに含まれた蛍光体と第２波長変換部１１７ｂに含まれた蛍光体
は、互いに同一の種類であってもよく、異なる種類であってもよい。また、第１波長変換
部１１７ａと第２波長変換部１１７ｂに含まれた蛍光体の種類が同一である場合、第１波
長変換部１１７ａと第２波長変換部１１７ｂに含まれた蛍光体の量が変わり得る。それに
よって、発光ダイオードチップ１１２から放出された光は、第１波長変換部１１７ａ及び
第２波長変換部１１７ｂを通じて波長変換された後、外部に放出され得る。このように第
１波長変換部１１７ａ及び第２波長変換部１１７ｂを配置することによって、発光ダイオ
ードパッケージ１００から放出される光の色制御が容易になる。
図１４は、本発明の第６実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図で、
図１５は、本発明の第６実施形態に係る発光ダイオードパッケージの中心部の光分布を示
したグラフである。
本実施形態において、表示装置２００の他の構成は第１実施形態と同じであって、発光
ダイオードパッケージ１００の構成のみに違いがある。これについて図１４を参照して説
明し、第１実施形態と重複する説明は省略する。
本実施形態において、発光ダイオードパッケージ１００は、発光ダイオードチップ１１
２、反射部１１４及びモールディング部１１６を含む。図１４を参照すると、本実施形態
に係る発光ダイオードパッケージ１００は、図３に示した第１実施形態と同じの形状を有
するものと見えるが、本実施形態において反射部１１４の反射率が１００％である分布ブ
ラッグ反射器が用いられたものである。そして、反射部１１４は、発光ダイオードチップ
１１２の上部全体を覆うように配置されてもよい。
それによって、本実施形態に係る発光ダイオードパッケージ１００は、図１５に示した
ように、発光ダイオードパッケージ１００の中心部の光分布を有し得る。このとき、図１
５に示した中心部の光分布はＯＤが１ｍｍでの画像である。図１５の下部に示した照度グ
ラフを見ると、中心部の光分布が周辺より低下することを確認することができる。これに
よって、発光ダイオードパッケージ１００から放出された光が側面方向にうまく分散され
ていることを確認することができる。
また、図１５に示した画像が、ＯＤが１ｍｍにおける画像であることを考慮すると、Ｏ
Ｄが１ｍｍより小さい場合、側面への分散効率が良いので、発光ダイオードチップ１１２
の上面に反射率が１００％である分布ブラッグ反射器を用いることができる。
図１６は、本発明の第７実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図であ
り、図１７は、本発明の第７実施形態に係る発光ダイオードパッケージの中心部の光分布
を示したグラフである。
本実施形態において、表示装置２００の他の構成は第１実施形態と同じであり、発光ダ
イオードパッケージ１００の構成が相違する。これに対して図１６を参照して説明し、第
１実施形態と重複する説明は省略する。
本実施形態において、発光ダイオードパッケージ１００は、発光ダイオードチップ１１
２、反射部１１４及びモールディング部１１６を含む。図１６を参照すると、本実施形態
に係る発光ダイオードパッケージ１００は、図３に示した第１実施形態と同じの形状を有
するように見えるが、本実施形態において、反射部１１４の反射率が２５％である分布ブ
ラッグ反射器が用いられたものである。そして、反射部１１４は、発光ダイオードチップ
１１２の上部全体を覆うように配置されてもよい。
図１７は、本実施形態に係る発光ダイオードパッケージ１００の中心部の光分布が、Ｏ
Ｄが１ｍｍでの画像及び照度グラフである。これを通じて、本実施形態に係る発光ダイオ
ードパッケージ１００は、中心部の光分布が周辺より高いことを確認することができる。
それによって、本実施形態の発光ダイオードパッケージ１００は、ＯＤが１ｍｍより大き
い場合に用いることができる。
図１８ａ及び図１８ｂは、本発明の第８実施形態に係る発光ダイオードパッケージ１０
０を示した断面図及び斜視図であり、図１９は、本発明の第８実施形態に係る発光ダイオ
ードパッケージ１００の中心部の光分布を示したグラフである。
図１８ａ及び図１８ｂに示したように、本実施形態に係る発光ダイオードパッケージ１
００は、発光ダイオードチップ１１２、反射部１１４及びモールディング部１１６を含む
。そして、本実施形態において、表示装置２００の他の構成は第１実施形態と同じである
ので、それに対する説明は省略する。
本実施形態において、反射部１１４は、第１反射部１１４ａ及び第２反射部１１４ｂを
含む。第１反射部１１４ａ及び第２反射部１１４ｂは、図示したように、発光ダイオード
チップ１１２の上面において同一の平面上に配置される。第１反射部１１４ａは、発光ダ
イオードチップ１１２の中央に配置され、第２反射部１１４ｂは、第１反射部１１４ａを
取り囲む形状に配置される。それによって、図１８ｂに示したように、第１反射部１１４
ａは第２反射部１１４ｂ内に配置されてもよい。
そして、本実施形態において、図１８ａを参照すると、第１反射部１１４ａの幅ｗ１は
、第２反射部１１４ｂの幅ｗ２に比べて約３０％～４５％であってもよい。第１反射部１
１４ａの幅ｗ１は、発光ダイオードチップ１１２の上面中央に配置されてもよく、第１反
射部１１４ａの反射率によって発光ダイオードチップ１１２から放出された光の一部を反
射し、残りの光を透過させることができる。
本実施形態において、第１反射部１１４ａの反射率は第２反射部１１４ｂの反射率と異
なってもよく、第１反射部１１４ａの反射率が第２反射部１１４ｂの反射率より小さくて
もよい。
本実施形態において、発光ダイオードパッケージ１００は、表示装置２００のバックラ
イトユニットとして用いられるので、側面への分散効率を高めるためのものであって、第
２反射部１１４ｂの反射率が第１反射部１１４ａの反射率より大きいことによって、側面
への分散効率を高め、発光ダイオードチップ１１２の中心部での出光効率を高めることが
できる。
これに対するシミュレーション結果が図１９に示される。図１９の上部に配置された画
像は、本実施形態に係る発光ダイオードパッケージ１００から放出された光の分布を示し
た画像で、下部のグラフは照度グラフである。
図１９に示したシミュレーション結果は、ＯＤが１ｍｍでの結果であって、第１反射部
１１４ａの反射率が２５％で、第２反射部１１４ｂの反射率が１００％であるときの結果
である。これを通じて、本実施形態と同様に、第１反射部１１４ａ及び第２反射部１１４
ｂを配置することによって、発光ダイオードパッケージ１００から放出される光が、中心
部と側面部を介してより均一に外部に放出されることを確認することができる。
本実施形態は、第１反射部１１４ａ及び第２反射部１１４ｂの反射率を設定してシミュ
レーションした結果に限定されるものでなく、必要に応じて第１反射部１１４ａ及び第２
反射部１１４ｂの反射率は変更されてもよい。すなわち、発光ダイオードパッケージ１０
０から放出された光を均一に外部に放出させるために第１反射部１１４ａ及び第２反射部
１１４ｂの反射率が変わってもよい。
また、表示装置２００に発光ダイオードパッケージ１００を配置した状態で外部に均一
な光が放出されるように第１反射部１１４ａ及び第２反射部１１４ｂの反射率が変わって
もよく、また、第１反射部１１４ａ及び第２反射部１１４ｂの幅ｗ１、ｗ２に対する比率
が変わってもよい。
図２０は、本発明の第９実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図で、
図２１は、本発明の第９実施形態に係る発光ダイオードパッケージの照度を示したグラフ
である。
図２０に示したように、本実施形態に係る発光ダイオードパッケージ１００は、発光ダ
イオードチップ１１２、反射部１１４及びモールディング部１１６を含む。そして、本実
施形態において、表示装置２００の他の構成は第１実施形態と同じであるので、それに対
する説明は省略する。
本実施形態に係る発光ダイオードパッケージ１００は、発光ダイオードチップ１１２の
上部に反射部１１４が配置され、発光ダイオードチップ１１２及び反射部１１４を覆うよ
うにモールディング部１１６が配置される。モールディング部１１６は、発光ダイオード
チップ１１２の下部に配置されたｎ型電極及びｐ型電極を除いた側面及び上面を覆うよう
に配置される。
そして、モールディング部１１６は、側面が傾斜面（ｉｎｃ）を有してもよい。モール
ディング部１１６の側面傾斜面（ｉｎｃ）は、モールディング部１１６の上面から下向き
に傾斜した方向に形成されてもよく、モールディング部１１６の全ての側面が同一の傾斜
角度を有してもよい。本実施形態においては、モールディング部１１６が直方体形状であ
る場合を説明しており、モールディング部１１６の四つの側面がそれぞれ下向き傾斜面（
ｉｎｃ）であって、それによって発光ダイオードチップ１１２から放出された光が傾斜面
（ｉｎｃ）を介して外部に放出され得る。
図２１に示したグラフは、発光ダイオードパッケージ１００の側面が垂直面である場合
（ｒｅｆ．）と、発光ダイオードパッケージ１００の側面が５０度角度の下向き傾斜面（
ｉｎｃ）である場合を示した照度グラフである。図２１を参照すると、側面が下向き傾斜
面（ｉｎｃ）である発光ダイオードパッケージ１００から放出された光が側面方向に相対
的に広く分散されることを確認することができる。特に、中心点から２ｍｍ以上の各位置
で発光ダイオードパッケージ１００から放出された光の照度が相対的に高く表れることを
確認することができ、光の側面方向への分散効率が向上し得る。
本実施形態において、発光ダイオードパッケージ１００のモールディング部１１６の側
面傾斜が５０度である状態で試験したが、下向き傾斜面（ｉｎｃ）の傾斜角度は必要に応
じて変わってもよい。モールディング部１１６の傾斜面（ｉｎｃ）の角度を調整すること
によって光の側面方向への分散効率を高めることができる。
また、本実施形態に係る発光ダイオードパッケージ１００は、相対的に光が側面方向に
分散されることによって、発光ダイオードパッケージ１００から放出された光の中心照度
が相対的に小さくなることを確認することができる。それによって、中心部でホットスポ
ットが発生することを防止することができる。
図２２は、本発明の第１０実施形態に係る発光ダイオードパッケージを示した断面図で
ある。
図２２を参照すると、本実施形態に係る発光ダイオードパッケージ１００は、発光ダイ
オードチップ１１２、反射部１１４及びモールディング部１１６を含む。そして、本実施
形態において、表示装置２００の他の構成は第１実施形態と同じであるので、それに対す
る説明は省略する。
本実施形態に係る発光ダイオードパッケージ１００は、発光ダイオードチップ１１２の
上部に反射部１１４が配置され、発光ダイオードチップ１１２及び反射部１１４の側面を
取り囲むようにモールディング部１１６が配置される。モールディング部１１６は、反射
部１１４が配置された発光ダイオードチップ１１２の上面は覆わず、発光ダイオードチッ
プ１１２及び反射部１１４の側面のみを取り囲むように配置されてもよい。また、発光ダ
イオードチップ１１２の下部に配置されたｎ型電極及びｐ型電極を覆わなくてもよい。
それによって、発光ダイオードチップ１１２の側面から放出された光は、モールディン
グ部１１６を介して外部に放出され得る。
ここで、反射部１１４は、発光ダイオードチップ１１２から放出された光の全体又は一
部を反射することができる。反射部１１４の反射率が１００％であると、発光ダイオード
チップ１１２から放出された光は側面を介してのみ外部に放出され、このように放出され
た光はモールディング部１１６を介して外部に放出され得る。そして、反射部１１４の反
射率が１００％未満の場合、発光ダイオードチップ１１２から上部に放出される光のうち
一部は反射部１１４を介して外部に放出され、残りの光は、側面に配置されたモールディ
ング部１１６を介して外部に放出され得る。
前述のように、モールディング部１１６が発光ダイオードチップ１１２の側面にのみ配
置されることによって、発光ダイオードパッケージ１００の高さが第１実施形態の場合よ
り小さくなり得る。それによって、ＯＤが相対的に小さい表示装置２００において、本実
施形態に係る発光ダイオードパッケージ１００は、別途レンズを使用しないと共に、直下
型のバックライトユニットに取って代わるものとなり得る。
以上説明したように、本発明に対する具体的な説明は、添付の図面を参照した実施形態
によって行われたが、上述した実施形態は、本発明の好適な例を挙げて説明したものに過
ぎないので、本発明が前記実施形態にのみ限定されるものと理解してはならなく、本発明
の権利範囲は、後述する特許請求の範囲及びその等価概念で理解すべであろう。
１００ 発光ダイオードパッケージ
１１２ 発光ダイオードチップ
１１４ 反射部
１１４ａ 第１反射部
１１４ｂ 第２反射部
１１６ モールディング部
１１６ａ 第１モールディング部
１１６ｂ 第２モールディング部
１１７ 波長変換部
１１７ａ 第１波長変換部
１１７ｂ 第２波長変換部
２００ 表示装置
２１０ フレーム
２１２ 基板
２２０ 光学部
２２１ 蛍光シート
２２３ 拡散板
２２５ 光学シート
２２７ 表示パネル
２３０ フロントカバー
２５０ 電源供給部
ｉｎｃ 傾斜面

Claims (5)

  1. フレームと、
    前記フレームに配置された複数の光源と、
    前記複数の光源の上に配置され、蛍光シート又は光学シートの少なくとも一方を含む光学部と、を含み、
    前記光源は、
    発光ダイオードと、
    前記発光ダイオードの上面に配置された反射部と、
    前記発光ダイオードの側面及び上面を覆うモールディング部と、を含み
    前記モールディング部は、前記発光ダイオードの前記上面から前記モールディング部の上面までの厚さが、前記発光ダイオードの前記側面から前記モールディング部の側面までの幅よりも小さく、
    前記反射部は、前記発光ダイオードから放射された光の一部を反射し残りの光を透過するように構成されている、ことを特徴とする発光モジュール。
  2. 前記光源は、第１の導電型の電極と、第２の導電型の電極とを含む、請求項１に記載の発光モジュール。
  3. 前記モールディング部は、前記第１の導電型の電極及び前記第２の導電型の電極を覆わない領域を含む、請求項２に記載の発光モジュール。
  4. 前記モールディング部は、前記発光ダイオードの上面及び側面を覆う、請求項１に記載の発光モジュール。
  5. 前記モールディング部の側面は傾斜面を有する、請求項１に記載の発光モジュール。
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