JPH0110006Y2 - - Google Patents
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- JPH0110006Y2 JPH0110006Y2 JP1579980U JP1579980U JPH0110006Y2 JP H0110006 Y2 JPH0110006 Y2 JP H0110006Y2 JP 1579980 U JP1579980 U JP 1579980U JP 1579980 U JP1579980 U JP 1579980U JP H0110006 Y2 JPH0110006 Y2 JP H0110006Y2
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、狭帯域増幅回路の改良に係り、特に
共振手段がエミツタに接続された増幅用トランジ
スタのエミツタ抵抗を小にして、選択度の改善を
計らんとするものである。[Detailed description of the invention] The present invention relates to the improvement of narrowband amplifier circuits, and in particular aims to improve selectivity by reducing the emitter resistance of an amplifying transistor whose emitter is connected to a resonance means. It is.
最近の部品製造技術の発展はめざましく、Ｑの
高い共振子を作り出すことは容易となつている
が、前記Ｑの高い共振子、例えばセラミツク共振
子を狭帯域増幅回路に使用する場合、前記増幅回
路の諸特性により、前記共振子のＱが低下されて
しまつていた。例えば、第１図に示す従来多用さ
れている狭帯域増幅回路は、エミツタとアース間
に共振子１が接続されたトランジスタ２のベース
に入力信号を印加し、そのコレクタから出力信号
を取り出すものであるが、相互コンダクタンス
gmが、
gm＝１／（re＋rr） …(1)
ただしreは、トランジスタ２のエミツタ抵抗rr
は、共振子１の内部インピーダンス、
と表わされ、トランジスタ２のエミツタ抵抗
（re）によつてgmを大とすることが出来ず、従つ
て選択度を向上させることが出来ないという欠点
を有していた。第２図実線イは、第１図に示す従
来回路の共振特性を示すものであるが、第(1)式に
おいて、reが存在しなければ、点線ロの如くなる
処が、前記reの存在の為に、中心周波数（p）近
傍における利得が小となつてしまうということを
示している。 Recent developments in component manufacturing technology have been remarkable, and it has become easy to produce high-Q resonators. However, when using a high-Q resonator, such as a ceramic resonator, in a narrowband amplifier circuit, Due to these characteristics, the Q of the resonator has been reduced. For example, the conventionally widely used narrowband amplifier circuit shown in Fig. 1 applies an input signal to the base of a transistor 2, which has a resonator 1 connected between its emitter and ground, and extracts an output signal from its collector. Yes, but mutual conductance
gm is gm=1/( re + r r ) ...(1) where r e is the emitter resistance of transistor 2 r r
is the internal impedance of the resonator 1, and has the drawback that gm cannot be increased due to the emitter resistance ( re ) of the transistor 2, and therefore the selectivity cannot be improved. had. The solid line A in FIG . 2 shows the resonance characteristics of the conventional circuit shown in FIG . This shows that due to the existence of , the gain near the center frequency ( p ) becomes small.
しかして、第１図の回路において、reを小とす
る為には、コレクタ電流を大とすれば良いが、そ
うすると、消費電力が大となる、動作点が悪化す
る等の別の欠点を生じるので好ましくない。 In the circuit shown in Fig. 1, in order to reduce r e , it is sufficient to increase the collector current, but this will lead to other disadvantages such as increased power consumption and a worsening of the operating point. This is not desirable because it occurs.
本考案は、上述の点に鑑み成されたもので、以
下実施例に基き図面を参照しながら説明する。第
３図は本考案の一実施例を示すもので、３はコレ
クタに出力端子４が接続された増幅トランジス
タ、５は該増幅トランジスタ３のエミツタに接続
された共振子、６はトランジスタ７及びダイオー
ド８から成る定電流回路、９は前記増幅トランジ
スタ３のエミツタ電圧を、前記増幅トランジスタ
３のベースに負帰還する為の負帰還トランジス
タ、１０は該負帰還トランジスタ９のエミツタに
接続された入力端子、１１は前記負帰還トランジ
スタ９のコレクタを電源１２に接続する第１抵
抗、及び１３は前記負帰還トランジスタ９のエミ
ツタをアースに接続する第２抵抗である。 The present invention has been developed in view of the above points, and will be described below based on embodiments with reference to the drawings. FIG. 3 shows an embodiment of the present invention, in which 3 is an amplifying transistor whose collector is connected to an output terminal 4, 5 is a resonator connected to the emitter of the amplifying transistor 3, and 6 is a transistor 7 and a diode. 8 is a constant current circuit, 9 is a negative feedback transistor for negatively feeding back the emitter voltage of the amplification transistor 3 to the base of the amplification transistor 3, 10 is an input terminal connected to the emitter of the negative feedback transistor 9; 11 is a first resistor that connects the collector of the negative feedback transistor 9 to the power source 12, and 13 is a second resistor that connects the emitter of the negative feedback transistor 9 to ground.
次に動作を説明する。増幅トランジスタ３のエ
ミツタにおける△ｖの電圧変動は、負帰還トラン
ジスタ９を介して前記増幅トランジスタ３のベー
スに負帰還される。従つて、前記増幅トランジス
タ３のベース電圧変動△VBは、
△VB＝−R1／R2△Ｖ …(2)
ただし、R1は第１抵抗１１の抵抗値
R2は第２抵抗１３の抵抗値
となり、帰還ループも含めた全体の電圧変動△
Vxは、
△Vx＝△Ｖ−△VB
＝（１＋R1／R2）△Ｖ …(3)
となる。それ故、この時の増幅トランジスタ３の
エミツタ電流変動△Ixは、
△Ix＝１／re（１＋R1／R2）△Ｖ
≒１／re・R1／R2・△Ｖ …(4)
となる。その為、増幅トランジスタ３のエミツタ
側から見たインピーダンスreは、
re′＝△Ｖ／△Ix
＝re・R2／R1・１／△Ｖ・△Ｖ＝re・R2／R1 …(5)
となり、R1＞R2としておくことにより、前記イ
ンピーダンスre′はreのR2／R1の割合で小にすること
が出来、共振子５の内部インピーダンスrrに対
し、無視出来るほどに小とすることが出来る。従
つて、第３図に示す狭帯域増幅回路を用いれば、
共振子５の特性を十分に引き出すことが出来、Ｑ
の高い狭帯域増幅回路を作成することが出来る。 Next, the operation will be explained. The voltage fluctuation of Δv at the emitter of the amplification transistor 3 is negatively fed back to the base of the amplification transistor 3 via the negative feedback transistor 9. Therefore, the base voltage fluctuation △V B of the amplification transistor 3 is: △V B = -R 1 /R 2 △V (2) where R 1 is the resistance value of the first resistor 11 and R 2 is the second resistance value. The resistance value is 13, and the overall voltage fluctuation including the feedback loop is △
Vx is ΔVx=ΔV−ΔV B =(1+R 1 /R 2 )ΔV (3). Therefore, the emitter current variation △Ix of the amplification transistor 3 at this time is △Ix=1/ re (1+R 1 /R 2 )△V ≒1/ re・R 1 /R 2・△V …(4 ) becomes. Therefore, the impedance r e seen from the emitter side of the amplification transistor 3 is: r e '=△V/△Ix = r e・R 2 /R 1・1/△V・△V=r e・R 2 / R 1 ...(5) By setting R 1 > R 2 , the impedance r e ' can be reduced by the ratio of R 2 /R 1 of r e , and the internal impedance r r of the resonator 5 However, it can be made so small that it can be ignored. Therefore, if the narrowband amplifier circuit shown in Fig. 3 is used,
It is possible to fully bring out the characteristics of resonator 5, and the Q
It is possible to create a narrowband amplifier circuit with high performance.
第３図の回路において、第２抵抗１３の値R2
を第１抵抗１１の値R1に比べ十分小とすれば、
共振子５自体の特性、すなわち第２図点線ロで示
す特性を得ることが出来、R1＝R2とすれば、第
２図実線イで示す特性と近似する特性を得ること
が出来る。従つて、第３図に示す狭帯域増幅回路
は、第１及び第２抵抗１１及び１３の値を調整す
ることにより第２図実線イと点線ロとの間、すな
わち、一点鎖線ハの如き特性を持つことが出来、
Ｑの高い狭帯域増幅回路を得ることが出来る。 In the circuit of FIG. 3, the value R 2 of the second resistor 13
If it is sufficiently smaller than the value R 1 of the first resistor 11, then
The characteristics of the resonator 5 itself, that is, the characteristics shown by the dotted line B in FIG. 2 can be obtained, and by setting R 1 =R 2 , the characteristics approximate to the characteristics shown by the solid line A in FIG. 2 can be obtained. Therefore, by adjusting the values of the first and second resistors 11 and 13, the narrowband amplifier circuit shown in FIG. 3 can achieve characteristics between the solid line A and the dotted line B in FIG. can have,
A narrowband amplifier circuit with high Q can be obtained.
又、第３図の如き回路構成とすることにより、
増幅素子（例えばトランジスタ３）の内部抵抗や
β（電流増幅率）のバラツキが吸収され、Ｑや利
得が安定化されるという利点を有する。 Moreover, by using the circuit configuration as shown in Fig. 3,
This has the advantage that variations in internal resistance and β (current amplification factor) of the amplifying element (for example, transistor 3) are absorbed, and Q and gain are stabilized.
以上述べた如く、本考案に係る狭帯域増幅回路
は、回路構成の工夫により、良好な選択特性を得
ることが出来るもので、特に従来回路に抵抗とト
ランジスタを追加するだけで作成出来るのでIC
化に適したものである。 As mentioned above, the narrowband amplifier circuit according to the present invention can obtain good selection characteristics by devising the circuit configuration, and especially since it can be created by simply adding resistors and transistors to the conventional circuit,
It is suitable for
第１図は従来の狭帯域増幅回路を示す回路図、
第２図は本考案の説明に供する為の特性図、及び
第３図は本考案の一実施例を示す回路図である。
主な図番の説明、３……増幅トランジスタ、５
……共振子、９……負帰還トランジスタ、１１，
１３……抵抗。
Figure 1 is a circuit diagram showing a conventional narrowband amplifier circuit.
FIG. 2 is a characteristic diagram for explaining the present invention, and FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. Explanation of main figure numbers, 3...Amplification transistor, 5
... Resonator, 9 ... Negative feedback transistor, 11,
13...Resistance.
Claims (1)
狭帯域増幅回路において、コレクタが出力端子に
接続された第１トランジスタと、該第１トランジ
スタのエミツタに接続された所定の内部インピー
ダンスを有する共振手段と、前記第１トランジス
タのエミツタからベースへの負帰還路を構成する
第２トランジスタと、該第２トランジスタのエミ
ツタに接続された入力端子と、前記第１トランジ
スタのベースと電源との間に接続された第１抵抗
と、前記第２トランジスタのエミツタとアースと
の間に接続された第２抵抗とを備え、前記第１及
び第２抵抗の比に応じて前記第１トランジスタの
エミツタ抵抗を実質的に小とすることにより、Ｑ
を大とすることを特徴とする狭帯域増幅回路。 A narrowband amplifier circuit that amplifies an input signal with a predetermined frequency characteristic, the first transistor having a collector connected to an output terminal, and the resonant means having a predetermined internal impedance connected to the emitter of the first transistor. , a second transistor forming a negative feedback path from the emitter to the base of the first transistor; an input terminal connected to the emitter of the second transistor; and a second transistor connected between the base of the first transistor and a power supply. and a second resistor connected between the emitter of the second transistor and ground, the emitter resistance of the first transistor being substantially increased depending on the ratio of the first and second resistors. By setting Q as small, Q
A narrowband amplifier circuit characterized by a large .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1579980U JPH0110006Y2 (en) | 1980-02-08 | 1980-02-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1579980U JPH0110006Y2 (en) | 1980-02-08 | 1980-02-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56119317U JPS56119317U (en) | 1981-09-11 |
| JPH0110006Y2 true JPH0110006Y2 (en) | 1989-03-22 |
Family
ID=29612236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1579980U Expired JPH0110006Y2 (en) | 1980-02-08 | 1980-02-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0110006Y2 (en) |
-
1980
- 1980-02-08 JP JP1579980U patent/JPH0110006Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56119317U (en) | 1981-09-11 |
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