JPH0110006Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0110006Y2 JPH0110006Y2 JP1579980U JP1579980U JPH0110006Y2 JP H0110006 Y2 JPH0110006 Y2 JP H0110006Y2 JP 1579980 U JP1579980 U JP 1579980U JP 1579980 U JP1579980 U JP 1579980U JP H0110006 Y2 JPH0110006 Y2 JP H0110006Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- emitter
- amplifier circuit
- narrowband amplifier
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 9
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、狭帯域増幅回路の改良に係り、特に
共振手段がエミツタに接続された増幅用トランジ
スタのエミツタ抵抗を小にして、選択度の改善を
計らんとするものである。
共振手段がエミツタに接続された増幅用トランジ
スタのエミツタ抵抗を小にして、選択度の改善を
計らんとするものである。
最近の部品製造技術の発展はめざましく、Qの
高い共振子を作り出すことは容易となつている
が、前記Qの高い共振子、例えばセラミツク共振
子を狭帯域増幅回路に使用する場合、前記増幅回
路の諸特性により、前記共振子のQが低下されて
しまつていた。例えば、第1図に示す従来多用さ
れている狭帯域増幅回路は、エミツタとアース間
に共振子1が接続されたトランジスタ2のベース
に入力信号を印加し、そのコレクタから出力信号
を取り出すものであるが、相互コンダクタンス
gmが、 gm=1/(re+rr) …(1) ただしreは、トランジスタ2のエミツタ抵抗rr
は、共振子1の内部インピーダンス、 と表わされ、トランジスタ2のエミツタ抵抗
(re)によつてgmを大とすることが出来ず、従つ
て選択度を向上させることが出来ないという欠点
を有していた。第2図実線イは、第1図に示す従
来回路の共振特性を示すものであるが、第(1)式に
おいて、reが存在しなければ、点線ロの如くなる
処が、前記reの存在の為に、中心周波数(p)近
傍における利得が小となつてしまうということを
示している。
高い共振子を作り出すことは容易となつている
が、前記Qの高い共振子、例えばセラミツク共振
子を狭帯域増幅回路に使用する場合、前記増幅回
路の諸特性により、前記共振子のQが低下されて
しまつていた。例えば、第1図に示す従来多用さ
れている狭帯域増幅回路は、エミツタとアース間
に共振子1が接続されたトランジスタ2のベース
に入力信号を印加し、そのコレクタから出力信号
を取り出すものであるが、相互コンダクタンス
gmが、 gm=1/(re+rr) …(1) ただしreは、トランジスタ2のエミツタ抵抗rr
は、共振子1の内部インピーダンス、 と表わされ、トランジスタ2のエミツタ抵抗
(re)によつてgmを大とすることが出来ず、従つ
て選択度を向上させることが出来ないという欠点
を有していた。第2図実線イは、第1図に示す従
来回路の共振特性を示すものであるが、第(1)式に
おいて、reが存在しなければ、点線ロの如くなる
処が、前記reの存在の為に、中心周波数(p)近
傍における利得が小となつてしまうということを
示している。
しかして、第1図の回路において、reを小とす
る為には、コレクタ電流を大とすれば良いが、そ
うすると、消費電力が大となる、動作点が悪化す
る等の別の欠点を生じるので好ましくない。
る為には、コレクタ電流を大とすれば良いが、そ
うすると、消費電力が大となる、動作点が悪化す
る等の別の欠点を生じるので好ましくない。
本考案は、上述の点に鑑み成されたもので、以
下実施例に基き図面を参照しながら説明する。第
3図は本考案の一実施例を示すもので、3はコレ
クタに出力端子4が接続された増幅トランジス
タ、5は該増幅トランジスタ3のエミツタに接続
された共振子、6はトランジスタ7及びダイオー
ド8から成る定電流回路、9は前記増幅トランジ
スタ3のエミツタ電圧を、前記増幅トランジスタ
3のベースに負帰還する為の負帰還トランジス
タ、10は該負帰還トランジスタ9のエミツタに
接続された入力端子、11は前記負帰還トランジ
スタ9のコレクタを電源12に接続する第1抵
抗、及び13は前記負帰還トランジスタ9のエミ
ツタをアースに接続する第2抵抗である。
下実施例に基き図面を参照しながら説明する。第
3図は本考案の一実施例を示すもので、3はコレ
クタに出力端子4が接続された増幅トランジス
タ、5は該増幅トランジスタ3のエミツタに接続
された共振子、6はトランジスタ7及びダイオー
ド8から成る定電流回路、9は前記増幅トランジ
スタ3のエミツタ電圧を、前記増幅トランジスタ
3のベースに負帰還する為の負帰還トランジス
タ、10は該負帰還トランジスタ9のエミツタに
接続された入力端子、11は前記負帰還トランジ
スタ9のコレクタを電源12に接続する第1抵
抗、及び13は前記負帰還トランジスタ9のエミ
ツタをアースに接続する第2抵抗である。
次に動作を説明する。増幅トランジスタ3のエ
ミツタにおける△vの電圧変動は、負帰還トラン
ジスタ9を介して前記増幅トランジスタ3のベー
スに負帰還される。従つて、前記増幅トランジス
タ3のベース電圧変動△VBは、 △VB=−R1/R2△V …(2) ただし、R1は第1抵抗11の抵抗値 R2は第2抵抗13の抵抗値 となり、帰還ループも含めた全体の電圧変動△
Vxは、 △Vx=△V−△VB =(1+R1/R2)△V …(3) となる。それ故、この時の増幅トランジスタ3の
エミツタ電流変動△Ixは、 △Ix=1/re(1+R1/R2)△V ≒1/re・R1/R2・△V …(4) となる。その為、増幅トランジスタ3のエミツタ
側から見たインピーダンスreは、 re′=△V/△Ix =re・R2/R1・1/△V・△V=re・R2/R1 …(5) となり、R1>R2としておくことにより、前記イ
ンピーダンスre′はreのR2/R1の割合で小にすること が出来、共振子5の内部インピーダンスrrに対
し、無視出来るほどに小とすることが出来る。従
つて、第3図に示す狭帯域増幅回路を用いれば、
共振子5の特性を十分に引き出すことが出来、Q
の高い狭帯域増幅回路を作成することが出来る。
ミツタにおける△vの電圧変動は、負帰還トラン
ジスタ9を介して前記増幅トランジスタ3のベー
スに負帰還される。従つて、前記増幅トランジス
タ3のベース電圧変動△VBは、 △VB=−R1/R2△V …(2) ただし、R1は第1抵抗11の抵抗値 R2は第2抵抗13の抵抗値 となり、帰還ループも含めた全体の電圧変動△
Vxは、 △Vx=△V−△VB =(1+R1/R2)△V …(3) となる。それ故、この時の増幅トランジスタ3の
エミツタ電流変動△Ixは、 △Ix=1/re(1+R1/R2)△V ≒1/re・R1/R2・△V …(4) となる。その為、増幅トランジスタ3のエミツタ
側から見たインピーダンスreは、 re′=△V/△Ix =re・R2/R1・1/△V・△V=re・R2/R1 …(5) となり、R1>R2としておくことにより、前記イ
ンピーダンスre′はreのR2/R1の割合で小にすること が出来、共振子5の内部インピーダンスrrに対
し、無視出来るほどに小とすることが出来る。従
つて、第3図に示す狭帯域増幅回路を用いれば、
共振子5の特性を十分に引き出すことが出来、Q
の高い狭帯域増幅回路を作成することが出来る。
第3図の回路において、第2抵抗13の値R2
を第1抵抗11の値R1に比べ十分小とすれば、
共振子5自体の特性、すなわち第2図点線ロで示
す特性を得ることが出来、R1=R2とすれば、第
2図実線イで示す特性と近似する特性を得ること
が出来る。従つて、第3図に示す狭帯域増幅回路
は、第1及び第2抵抗11及び13の値を調整す
ることにより第2図実線イと点線ロとの間、すな
わち、一点鎖線ハの如き特性を持つことが出来、
Qの高い狭帯域増幅回路を得ることが出来る。
を第1抵抗11の値R1に比べ十分小とすれば、
共振子5自体の特性、すなわち第2図点線ロで示
す特性を得ることが出来、R1=R2とすれば、第
2図実線イで示す特性と近似する特性を得ること
が出来る。従つて、第3図に示す狭帯域増幅回路
は、第1及び第2抵抗11及び13の値を調整す
ることにより第2図実線イと点線ロとの間、すな
わち、一点鎖線ハの如き特性を持つことが出来、
Qの高い狭帯域増幅回路を得ることが出来る。
又、第3図の如き回路構成とすることにより、
増幅素子(例えばトランジスタ3)の内部抵抗や
β(電流増幅率)のバラツキが吸収され、Qや利
得が安定化されるという利点を有する。
増幅素子(例えばトランジスタ3)の内部抵抗や
β(電流増幅率)のバラツキが吸収され、Qや利
得が安定化されるという利点を有する。
以上述べた如く、本考案に係る狭帯域増幅回路
は、回路構成の工夫により、良好な選択特性を得
ることが出来るもので、特に従来回路に抵抗とト
ランジスタを追加するだけで作成出来るのでIC
化に適したものである。
は、回路構成の工夫により、良好な選択特性を得
ることが出来るもので、特に従来回路に抵抗とト
ランジスタを追加するだけで作成出来るのでIC
化に適したものである。
第1図は従来の狭帯域増幅回路を示す回路図、
第2図は本考案の説明に供する為の特性図、及び
第3図は本考案の一実施例を示す回路図である。 主な図番の説明、3……増幅トランジスタ、5
……共振子、9……負帰還トランジスタ、11,
13……抵抗。
第2図は本考案の説明に供する為の特性図、及び
第3図は本考案の一実施例を示す回路図である。 主な図番の説明、3……増幅トランジスタ、5
……共振子、9……負帰還トランジスタ、11,
13……抵抗。
Claims (1)
- 入力信号を所定の周波数特性を持つて増幅する
狭帯域増幅回路において、コレクタが出力端子に
接続された第1トランジスタと、該第1トランジ
スタのエミツタに接続された所定の内部インピー
ダンスを有する共振手段と、前記第1トランジス
タのエミツタからベースへの負帰還路を構成する
第2トランジスタと、該第2トランジスタのエミ
ツタに接続された入力端子と、前記第1トランジ
スタのベースと電源との間に接続された第1抵抗
と、前記第2トランジスタのエミツタとアースと
の間に接続された第2抵抗とを備え、前記第1及
び第2抵抗の比に応じて前記第1トランジスタの
エミツタ抵抗を実質的に小とすることにより、Q
を大とすることを特徴とする狭帯域増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1579980U JPH0110006Y2 (ja) | 1980-02-08 | 1980-02-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1579980U JPH0110006Y2 (ja) | 1980-02-08 | 1980-02-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56119317U JPS56119317U (ja) | 1981-09-11 |
| JPH0110006Y2 true JPH0110006Y2 (ja) | 1989-03-22 |
Family
ID=29612236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1579980U Expired JPH0110006Y2 (ja) | 1980-02-08 | 1980-02-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0110006Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-02-08 JP JP1579980U patent/JPH0110006Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56119317U (ja) | 1981-09-11 |
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