JPH01100086A - 単結晶引上装置 - Google Patents
単結晶引上装置Info
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- JPH01100086A JPH01100086A JP62256758A JP25675887A JPH01100086A JP H01100086 A JPH01100086 A JP H01100086A JP 62256758 A JP62256758 A JP 62256758A JP 25675887 A JP25675887 A JP 25675887A JP H01100086 A JPH01100086 A JP H01100086A
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- Japan
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- single crystal
- cylinder
- reflector
- main body
- quartz crucible
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、チョクラルスキー法によって単結晶を引上げ
成長させる１１１結晶引上装置に関する。
成長させる１１１結晶引上装置に関する。
従来、この種の単結晶引上装置としては、ルツボの縁か
ら外方へ突出している上部の平たい環状リムと、この環
状リムに取付けられ、内側の縁から円筒形状に下方に傾
斜しているまたは円錐状に先細りになっている連結部と
からなるカバー装置によって、ルツボとルツボ内に含ま
れる半導体溶融物とを部分的に被覆するものが知られて
いる（特公昭５７−４０１１９号公報参照）。
ら外方へ突出している上部の平たい環状リムと、この環
状リムに取付けられ、内側の縁から円筒形状に下方に傾
斜しているまたは円錐状に先細りになっている連結部と
からなるカバー装置によって、ルツボとルツボ内に含ま
れる半導体溶融物とを部分的に被覆するものが知られて
いる（特公昭５７−４０１１９号公報参照）。
しかしながら、上記従来の単結晶引上装置にあっては、
円筒部上部の平たい環状リムの下面部において、融体か
ら発生した一酸化ケイ素（Ｓｉ Ｏ）の凝縮が起こり、
固体化した粒子が溶融物表面に落下して単結晶化を阻害
するという問題があると共に、ルツボの内周壁部付近の
溶融物表面が上記環状リムによって覆われているから、
外部からその状況が観察できないという問題がある。
円筒部上部の平たい環状リムの下面部において、融体か
ら発生した一酸化ケイ素（Ｓｉ Ｏ）の凝縮が起こり、
固体化した粒子が溶融物表面に落下して単結晶化を阻害
するという問題があると共に、ルツボの内周壁部付近の
溶融物表面が上記環状リムによって覆われているから、
外部からその状況が観察できないという問題がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、ルツボ内の溶融物から発生した一酸化
ケイ素の凝縮が起こりにくく、固体化した粒子が溶融物
表面に落トすることを抑制できて、単結晶化を阻害する
要因を未然に排除できると共に、ルツボの内周壁部イ」
近の溶融物表面の目視が容易な単結晶引上装置を提供す
ることにある。
とするところは、ルツボ内の溶融物から発生した一酸化
ケイ素の凝縮が起こりにくく、固体化した粒子が溶融物
表面に落トすることを抑制できて、単結晶化を阻害する
要因を未然に排除できると共に、ルツボの内周壁部イ」
近の溶融物表面の目視が容易な単結晶引上装置を提供す
ることにある。
上記目的を達成するために、本発明は、円筒部とこの円
筒部の下端に続いて内方に先細りした傾斜筒部とを一体
形成した又は分割組立てたリフレクタ本体と、このリフ
レクタ本体の円筒部の上端縁に設けられ、かつ保温筒の
上部に支持された複数の係止部とを備えたものである。
筒部の下端に続いて内方に先細りした傾斜筒部とを一体
形成した又は分割組立てたリフレクタ本体と、このリフ
レクタ本体の円筒部の上端縁に設けられ、かつ保温筒の
上部に支持された複数の係止部とを備えたものである。
本発明の単結晶用−Ｆ装置にあっては、リフレクタ本体
を複数の係止部によって支持しているから、各係止部間
を通って流れる気体の流れによって一酸化ケイ素の凝縮
が生じにくい上に、各係止部間の間隙を通してルツボ内
壁の溶融物の表面°を視認できる。
を複数の係止部によって支持しているから、各係止部間
を通って流れる気体の流れによって一酸化ケイ素の凝縮
が生じにくい上に、各係止部間の間隙を通してルツボ内
壁の溶融物の表面°を視認できる。
以下、第１図ないし第４図に基づいて本発明の詳細な説
明する。
明する。
第１図と第２図は本発明の一実施例を示すもので、第１
図は概略構成図、第２図はリフレクタの平面図である。
図は概略構成図、第２図はリフレクタの平面図である。
これらの図において符号１は炉本体であり、この炉本体
１のほぼ中央部には石英ルツボ２が設けられている。そ
して、石英ルツボ２は、黒鉛サセプタ２′を介して回転
自在な下軸３に取付けられている。また、上記石英ルツ
ボ２の周囲には、上記石英ルツボ２内のシリコン融液４
の温度を制御するヒータ５が設置されると共に、このヒ
ータ５と炉本体１との間には、保温筒６が配置されてい
る。そして、この保温筒６の上面には、リング状の支持
部材７が設けられており、この支持部材７にリフレクタ
８が支持されている。
１のほぼ中央部には石英ルツボ２が設けられている。そ
して、石英ルツボ２は、黒鉛サセプタ２′を介して回転
自在な下軸３に取付けられている。また、上記石英ルツ
ボ２の周囲には、上記石英ルツボ２内のシリコン融液４
の温度を制御するヒータ５が設置されると共に、このヒ
ータ５と炉本体１との間には、保温筒６が配置されてい
る。そして、この保温筒６の上面には、リング状の支持
部材７が設けられており、この支持部材７にリフレクタ
８が支持されている。
上記リフレクタ８は、石英ルツボ２の内径より小さく設
定された円筒部９ａとこの円筒部９ａの一ト端に続いて
内方に先細りした傾斜筒部９ｂとを一体形成した又は分
割組立てたリフレクタ本体９と、このリフレクタ本体９
の内筒部９ａの上端縁に等間隔社殿けられ、かつ支持部
材７の上面に支持された３個の湾曲状フック（係止部）
１０とから構成されている。なお、第１図中１１は引上
げられた単結晶１２を冷却する冷却筒である。
定された円筒部９ａとこの円筒部９ａの一ト端に続いて
内方に先細りした傾斜筒部９ｂとを一体形成した又は分
割組立てたリフレクタ本体９と、このリフレクタ本体９
の内筒部９ａの上端縁に等間隔社殿けられ、かつ支持部
材７の上面に支持された３個の湾曲状フック（係止部）
１０とから構成されている。なお、第１図中１１は引上
げられた単結晶１２を冷却する冷却筒である。
上記のように構成された単結晶引上装置にあっては、従
来同様、石英ルツボ２内のシリコン融液４に種結晶をＷ
ｉ潰させた後に、この種結晶を引上げることにより、種
結晶の下端に順次単結晶１２が成長していく。
来同様、石英ルツボ２内のシリコン融液４に種結晶をＷ
ｉ潰させた後に、この種結晶を引上げることにより、種
結晶の下端に順次単結晶１２が成長していく。
この場合、炉本体１の上部から供給されているアルゴン
ガス（Ａ「）は、傾斜筒部９ｂとシリコン融液４との空
隙部及び、各湾曲状フック１０間の空隙部をそれ′ぞれ
通って上下に分かれて円滑に流れていくから、シリコン
融液４の表面部に流れるアルゴンガスのｔｉＩｆｆｉ及
び流速を容易にコントロールでき、単結晶１２内に含ま
れる酸素濃度を制御できる上に、上記各湾曲状フック１
０が細幅で−ｍ化ケイ素の凝縮が起こりにくい構造であ
り、しかも、各湾曲状フック１０の上方から下方にかけ
てアルゴンガスが流れているから、リフレクタ８に一酸
化ケイ毫が凝縮することがない。また、各湾曲状フック
１０＠の間隙を通して、炉本体１の覗き窓１３から石英
ルツボ２の内周壁部付近のシリコン融液４の表面を視認
できるので、この内周壁部において万一再結晶が発生し
た場合には、確認が容易で、直ちに対応した操作ができ
る。
ガス（Ａ「）は、傾斜筒部９ｂとシリコン融液４との空
隙部及び、各湾曲状フック１０間の空隙部をそれ′ぞれ
通って上下に分かれて円滑に流れていくから、シリコン
融液４の表面部に流れるアルゴンガスのｔｉＩｆｆｉ及
び流速を容易にコントロールでき、単結晶１２内に含ま
れる酸素濃度を制御できる上に、上記各湾曲状フック１
０が細幅で−ｍ化ケイ素の凝縮が起こりにくい構造であ
り、しかも、各湾曲状フック１０の上方から下方にかけ
てアルゴンガスが流れているから、リフレクタ８に一酸
化ケイ毫が凝縮することがない。また、各湾曲状フック
１０＠の間隙を通して、炉本体１の覗き窓１３から石英
ルツボ２の内周壁部付近のシリコン融液４の表面を視認
できるので、この内周壁部において万一再結晶が発生し
た場合には、確認が容易で、直ちに対応した操作ができ
る。
なお、上記実施例においては、リフレクタ本体９を支持
する係止部として湾曲状フック１０を用いて説明したが
、これに限られることなく、例えば、第３図と第４図に
示すように１字状フック１４を用いても同様の効果が得
られる。
する係止部として湾曲状フック１０を用いて説明したが
、これに限られることなく、例えば、第３図と第４図に
示すように１字状フック１４を用いても同様の効果が得
られる。
（発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、円筒部とこの円筒部の
下端に続いて内方に先細りした傾斜筒部とを一体形成し
た又は分割組立てたリフレクタ本体と、このリフレクタ
本体の円筒部の上端縁に設けられ、かつ保ｍｖ：Ｉ４の
上部に支持された複数の係止部とを備えたものであるか
ら、リフレクタ本体を複数の係止部によって支持するこ
とにより、各係止部間を通って気体が流れ、この流れ及
び係止部の細幅構造が相俟って一酸化ケイ素の凝縮が生
じにくく、従って単結晶化を阻害する要因を排除できる
上に、各係止部間の間隙を通してルツボ内の溶融物の表
面を視認できるという優れた効果を有する。
下端に続いて内方に先細りした傾斜筒部とを一体形成し
た又は分割組立てたリフレクタ本体と、このリフレクタ
本体の円筒部の上端縁に設けられ、かつ保ｍｖ：Ｉ４の
上部に支持された複数の係止部とを備えたものであるか
ら、リフレクタ本体を複数の係止部によって支持するこ
とにより、各係止部間を通って気体が流れ、この流れ及
び係止部の細幅構造が相俟って一酸化ケイ素の凝縮が生
じにくく、従って単結晶化を阻害する要因を排除できる
上に、各係止部間の間隙を通してルツボ内の溶融物の表
面を視認できるという優れた効果を有する。
第１図と第２図は本発明の−・実施例を示すもので、第
１図は概略構成図、第２図はリフレクタの平面図、第３
図と第４図は本発明の他の実施例を示すもので、第３図
は概略構成図、第４図はリフレクタの平面図である。 ６・・・・・・保温筒、 ７・・・・・・支持部
材、８・・・・・・リフレクタ、 ９・・・・・・リ
フレクタ本体、９ａ・・・・・・円筒部、 ９ｂ・
・・・・・傾斜筒部、１０・・・・・・湾曲状フック（
係止部）、１２・・・・・・単結晶、 １４・・・
・・・１字状フック。
１図は概略構成図、第２図はリフレクタの平面図、第３
図と第４図は本発明の他の実施例を示すもので、第３図
は概略構成図、第４図はリフレクタの平面図である。 ６・・・・・・保温筒、 ７・・・・・・支持部
材、８・・・・・・リフレクタ、 ９・・・・・・リ
フレクタ本体、９ａ・・・・・・円筒部、 ９ｂ・
・・・・・傾斜筒部、１０・・・・・・湾曲状フック（
係止部）、１２・・・・・・単結晶、 １４・・・
・・・１字状フック。
Claims (1)
- チョクラルスキー法によって単結晶を引上げ成長させ
る単結晶引上装置において、円筒部とこの円筒部の下端
に続いて内方に先細りした傾斜筒部とを一体形成した又
は分割組立てたリフレクタ本体と、このリフレクタ本体
の円筒部の上端縁に設けられ、かつ保温筒の上部に支持
された複数の係止部とを具備したことを特徴とする単結
晶引上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256758A JP2580197B2 (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 単結晶引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256758A JP2580197B2 (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 単結晶引上装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100086A true JPH01100086A (ja) | 1989-04-18 |
| JP2580197B2 JP2580197B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=17297035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62256758A Expired - Lifetime JP2580197B2 (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 単結晶引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2580197B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03271187A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-03 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造装置 |
| JPH0412087A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-16 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造装置 |
| JPH04219386A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-08-10 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造装置 |
| JPH05238883A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶シリコン棒の製造方法及び製造装置 |
| JPH06219886A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-09 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | 単結晶の引上装置 |
| WO1994028206A1 (en) * | 1993-05-31 | 1994-12-08 | Sumitomo Sitix Corporation | Apparatus and method for manufacturing single-crystal material |
| US5575847A (en) * | 1993-11-30 | 1996-11-19 | Sumitomo Sitix Corporation | Apparatus for producing single crystals |
| US5683505A (en) * | 1994-11-08 | 1997-11-04 | Sumitomo Sitix Corporation | Process for producing single crystals |
| US5942032A (en) * | 1997-08-01 | 1999-08-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Heat shield assembly and method of growing vacancy rich single crystal silicon |
| JP2000007496A (ja) * | 1998-06-25 | 2000-01-11 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法 |
| JP2003221296A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-05 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶の製造装置及び製造方法 |
| JP2009001489A (ja) * | 2008-08-28 | 2009-01-08 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 単結晶の製造装置及び製造方法 |
-
1987
- 1987-10-12 JP JP62256758A patent/JP2580197B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03271187A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-03 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造装置 |
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| US5476065A (en) * | 1993-01-28 | 1995-12-19 | Mitsubishi Materials Silicon Corp. | System for pulling-up monocrystal and method of exhausting silicon oxide |
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| JPH07277887A (ja) * | 1993-05-31 | 1995-10-24 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶の製造装置および製造方法 |
| US5730799A (en) * | 1993-05-31 | 1998-03-24 | Sumitomo Sitix Corporation | Device for producing single crystals |
| US5925147A (en) * | 1993-05-31 | 1999-07-20 | Sumitomo Sitix Corporation | Process for producing single crystals |
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| JP2009001489A (ja) * | 2008-08-28 | 2009-01-08 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 単結晶の製造装置及び製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2580197B2 (ja) | 1997-02-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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