JPH01100458U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH01100458U JPH01100458U JP19529387U JP19529387U JPH01100458U JP H01100458 U JPH01100458 U JP H01100458U JP 19529387 U JP19529387 U JP 19529387U JP 19529387 U JP19529387 U JP 19529387U JP H01100458 U JPH01100458 U JP H01100458U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor device
- semiconductor element
- protection element
- fixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例を示す断面図、第２
図は同上の封止前の斜視図、第３図は本考案に係
る回路図である。 １…金属製基台、２…半導体素子、４…ゲート
端子、５…カソード端子、６…アノード端子、７
…絶縁基板、８…保護素子、９…封止樹脂。
図は同上の封止前の斜視図、第３図は本考案に係
る回路図である。 １…金属製基台、２…半導体素子、４…ゲート
端子、５…カソード端子、６…アノード端子、７
…絶縁基板、８…保護素子、９…封止樹脂。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 金属製基台上に固定された半導体素子と、
過渡的な電気雑音に対し前記半導体素子を保護す
るための保護素子が絶縁基板を介して固定され、
全体が同一パツケージ内に収納されていることを
特徴とする半導体装置。 (2) 前記保護素子がシヨツトキーバリアダイオ
ードである実用新案登録請求の範囲第１項記載の
半導体装置。 (3) 前記半導体素子が静電誘導サイリスタであ
る実用新案登録請求の範囲第１項または第２項記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19529387U JPH01100458U (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19529387U JPH01100458U (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100458U true JPH01100458U (ja) | 1989-07-05 |
Family
ID=31485976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19529387U Pending JPH01100458U (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01100458U (ja) |
-
1987
- 1987-12-23 JP JP19529387U patent/JPH01100458U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ATE47505T1 (de) | Monolithisch integrierte halbleiterschaltung. | |
| KR910007094A (ko) | 수지밀봉형 반도체장치 | |
| EP0348916A3 (en) | Mosfet equivalent voltage drive semiconductor device | |
| JPH01108951U (ja) | ||
| JPS58161375A (ja) | 絶縁ゲ−ト形電界効果半導体集積回路の入力保護回路 | |
| JPH0526773Y2 (ja) | ||
| JPS59101449U (ja) | 半導体装置 | |
| JP2514430Y2 (ja) | ハイブリッドｉｃ | |
| JPS627160A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS605587Y2 (ja) | 絶縁ゲ−ト型半導体装置の保護装置 | |
| JPS6285466A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS6241338U (ja) | ||
| JPS6016562U (ja) | シヨツトキ障壁形半導体装置 | |
| JPS5887363U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6214935U (ja) | ||
| JPS6139959U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60103658A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH0262739U (ja) | ||
| JPS6237544B2 (ja) | ||
| JPS61121757U (ja) | ||
| JPH03142960A (ja) | 電子回路の過電圧保護回路装置 | |
| JPS61121754U (ja) | ||
| JPS62103269U (ja) | ||
| JPS6151747U (ja) | ||
| JPS6252934U (ja) |