JPH01100460U - - Google Patents

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JPH01100460U
JPH01100460U JP19608887U JP19608887U JPH01100460U JP H01100460 U JPH01100460 U JP H01100460U JP 19608887 U JP19608887 U JP 19608887U JP 19608887 U JP19608887 U JP 19608887U JP H01100460 U JPH01100460 U JP H01100460U
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effect transistor
power supply
gate electrode
semiconductor substrate
supply voltage
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案による一実施例の要部ブロツク
図、第２図はセツトとリセツト端子付きデイレー
ド・フリツプフロツプの一般的な回路構成例、第
３図ａは第２図の一部を示すブロツク図、第３図
ｂは第３図ａをＭＯＳトランジスタ記号で表現し
た回路図である。 ２１：集積回路、２２：電源供給端子、２３：
入力保護回路、２４，２５：インバータ。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板に設けられた電界効果トランジスタ
    のゲート電極に固定レベルの電源電圧を供給して
    なる集積回路において、 半導体基板に電源電圧を印加するためのパツド
    を設け、 同一半導体基板内に上記パツドと上記電界効果
    トランジスタのゲート電極間に接続された入力保
    護回路を設けてなり、 上記入力保護回路を介して電界効果トランジス
    タのゲート電極に電源電圧を供給してなることを
    特徴とする電界効果トランジスタ集積回路。
JP19608887U 1987-12-23 1987-12-23 Pending JPH01100460U (ja)

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JPH01100460U true JPH01100460U (ja) 1989-07-05

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