JPS6049650U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6049650U
JPS6049650U JP14258783U JP14258783U JPS6049650U JP S6049650 U JPS6049650 U JP S6049650U JP 14258783 U JP14258783 U JP 14258783U JP 14258783 U JP14258783 U JP 14258783U JP S6049650 U JPS6049650 U JP S6049650U
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JP
Japan
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fet
bipolar transistor
terminal
semiconductor equipment
collector
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Pending
Application number
JP14258783U
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English (en)
Inventor
近藤　松悟
Original Assignee
関西日本電気株式会社
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Publication date
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図に本考案の一実施例を示す等価回路図
及び模式断面図、第３図は本考案半導体装置の外観例を
示す平面図、第４図は本考案の他の一実施例を示す等価
回路図である。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・ＭＯＳ−Ｆ
ＥＴ、３・・・・・・バイポーラトランジスタ、１３・
・・・・・コレクタ端子、１４・・・・・・ゲート端子
、１５・・・・・・ベース端子、１６・・・・・・エミ
ッタ端子。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 同一基板内に１つのＭＯ５＠ＦＥＴと１つのパイポーラ
    トンラジスタを有し、前記ＭＯ５−ＦＥＴのドレインを
    前記バイポーラトランジスタのコレクタに、前記ＭＯ３
    −ＦＥＴのソースを前記バイポーラトランジスタのベー
    スに電気的接続した１つの複合半導体素子に電極外部引
    出し用端子としてＭＯＳ−ＦＥＴのゲート端子、バイポ
    ーラトランジスタのベース端子、コレクタ端子、エミッ
    タ端子を形成したことを特徴とする半導体装置。
JP14258783U 1983-09-14 1983-09-14 半導体装置 Pending JPS6049650U (ja)

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JPS6049650U true JPS6049650U (ja) 1985-04-08

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ID=30318558

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58212168A (ja) * 1982-04-01 1983-12-09 ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ Ｍｏｓ―ｆｅｔゲート形サイリスタ集積素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58212168A (ja) * 1982-04-01 1983-12-09 ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ Ｍｏｓ―ｆｅｔゲート形サイリスタ集積素子

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