JPS6327062U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6327062U JPS6327062U JP12066786U JP12066786U JPS6327062U JP S6327062 U JPS6327062 U JP S6327062U JP 12066786 U JP12066786 U JP 12066786U JP 12066786 U JP12066786 U JP 12066786U JP S6327062 U JPS6327062 U JP S6327062U
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- JP
- Japan
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- mos transistor
- apply
- semiconductor substrate
- power source
- substrate
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図はこの考案に係る半導体装置の一例を示
す構成図、第２図はエピタキシヤル基板を用いて
ＣＭＯＳ回路を形成したメモリの構造断面図、第
３図は従来の半導体装置の半導体基板に電位を与
える手段を示す図である。 １……半導体基板、８……第１のＭＯＳトラン
ジスタ、９……電源、１０……第２のＭＯＳトラ
ンジスタ。なお、図中、同一符号は同一もしくは
相当部分を示す。
す構成図、第２図はエピタキシヤル基板を用いて
ＣＭＯＳ回路を形成したメモリの構造断面図、第
３図は従来の半導体装置の半導体基板に電位を与
える手段を示す図である。 １……半導体基板、８……第１のＭＯＳトラン
ジスタ、９……電源、１０……第２のＭＯＳトラ
ンジスタ。なお、図中、同一符号は同一もしくは
相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体基板と、上記半導体基板に電位を与える
ために電源と上記基板との間に接続された第１の
ＭＯＳトランジスタと、上記第１のＭＯＳトラン
ジスタと電源との間に介挿されて電源電圧をほぼ
そのまま第１のＭＯＳトランジスタ側に供与する
第２のＭＯＳトランジスタとを具備した半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12066786U JPS6327062U (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12066786U JPS6327062U (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6327062U true JPS6327062U (ja) | 1988-02-22 |
Family
ID=31009201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12066786U Pending JPS6327062U (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6327062U (ja) |
-
1986
- 1986-08-05 JP JP12066786U patent/JPS6327062U/ja active Pending