JPH01100522A - 光学的情報記録再生装置 - Google Patents
光学的情報記録再生装置Info
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- JPH01100522A JPH01100522A JP62258706A JP25870687A JPH01100522A JP H01100522 A JPH01100522 A JP H01100522A JP 62258706 A JP62258706 A JP 62258706A JP 25870687 A JP25870687 A JP 25870687A JP H01100522 A JPH01100522 A JP H01100522A
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Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、非線形光学結晶体によって得られる高調波を
用いて高密度記録が可能な光学的情報記録再生装置に関
する。
用いて高密度記録が可能な光学的情報記録再生装置に関
する。
[従来の技術]
近年、情報に関する産業の進展がめざましく、取扱われ
る情報iも増大する傾向にある。このため、従来の磁気
ヘッドを用いて情報を記録したり、再生したりする記録
または再生装置に代わり、光ビームを照射して、記録媒
体に高密度で情報を記録したり、記録媒体に高密度で記
録された情報を高速度で再生したりすることのできる光
学的情報記録再生装置が注目される状況にある。
る情報iも増大する傾向にある。このため、従来の磁気
ヘッドを用いて情報を記録したり、再生したりする記録
または再生装置に代わり、光ビームを照射して、記録媒
体に高密度で情報を記録したり、記録媒体に高密度で記
録された情報を高速度で再生したりすることのできる光
学的情報記録再生装置が注目される状況にある。
前記光学的情報記録再生装置では、面記録密度の向上が
求められているが、検出可能な最小ピット周期は、一般
に、空間周波数fc =2NA/λによって決定される
。ここで、NAはレンズの開口率であり、λは光ディス
クに照射される光の波長である。従って、レンズの開口
数が大きい程、また、レーザの波長が短い程、高密度記
録が可能になる。ここで、レンズの開口数NAを大きく
することは、光ディスクのスキューの影響、光ディスク
の厚みむらの影響等が顕著になるため、限界がある。ま
た、レーザ光の波長λとしては、アルゴン、He−Cd
等のガスレーザでは、400〜500nmのものが得ら
れるが、ガスレーザでは装置が大型になるため、一般の
民生機器の光源としては適当ではなく、小型の民生機器
の光源としては、半導体レーザが広く用いられている。
求められているが、検出可能な最小ピット周期は、一般
に、空間周波数fc =2NA/λによって決定される
。ここで、NAはレンズの開口率であり、λは光ディス
クに照射される光の波長である。従って、レンズの開口
数が大きい程、また、レーザの波長が短い程、高密度記
録が可能になる。ここで、レンズの開口数NAを大きく
することは、光ディスクのスキューの影響、光ディスク
の厚みむらの影響等が顕著になるため、限界がある。ま
た、レーザ光の波長λとしては、アルゴン、He−Cd
等のガスレーザでは、400〜500nmのものが得ら
れるが、ガスレーザでは装置が大型になるため、一般の
民生機器の光源としては適当ではなく、小型の民生機器
の光源としては、半導体レーザが広く用いられている。
ところが、半導体レーザでは、ガスレーザのような短波
長を実現することが大変難しい。
長を実現することが大変難しい。
そこで、最近、例えば特開昭60−179949号広報
に示されるように、非線形光学結晶体によって得られる
第2高調波を利用することが提案されている。
に示されるように、非線形光学結晶体によって得られる
第2高調波を利用することが提案されている。
第7図に、前記従来例における光学系の一部を示す。半
導体レーザ1から出射されたレーザ光は、コリメータレ
ンズ2によって平行光束にされ、整形プリズム3で異方
性が修正されカップリングレンズ4で絞り込まれて、非
線形光学結晶体5に入射される。この非線形光学結晶体
5から出射される周波数2ω(ωは半導体レーザ1の発
振周波数)の第2高調波は、カップリングレンズ6で平
行光束とされ、図示しない対物レンズ等を通って光ディ
スクに照射される。
導体レーザ1から出射されたレーザ光は、コリメータレ
ンズ2によって平行光束にされ、整形プリズム3で異方
性が修正されカップリングレンズ4で絞り込まれて、非
線形光学結晶体5に入射される。この非線形光学結晶体
5から出射される周波数2ω(ωは半導体レーザ1の発
振周波数)の第2高調波は、カップリングレンズ6で平
行光束とされ、図示しない対物レンズ等を通って光ディ
スクに照射される。
[発明が解決しようとする問題点]
ところで、非線形光学結晶体の周波数ωから2ωへの変
換効率は、スポットサイズ径の2乗に反比例することが
知られている。従って、スポットサイズ径が小さい程変
換効率が高い。しかしながら、前記従来例のように、非
線形光学結晶体5の両側に単にカップリングレンズ4,
6を設番ノた揚台、非線形光学結晶体5内を通過するビ
ームは、平行光束ではなく、収束した後発散する。従っ
て、ビームが最も細い部分では変換効率が高い努その前
後では変換効率が低く、全体としての変換効率が低くな
ってしまうという問題点がある。
換効率は、スポットサイズ径の2乗に反比例することが
知られている。従って、スポットサイズ径が小さい程変
換効率が高い。しかしながら、前記従来例のように、非
線形光学結晶体5の両側に単にカップリングレンズ4,
6を設番ノた揚台、非線形光学結晶体5内を通過するビ
ームは、平行光束ではなく、収束した後発散する。従っ
て、ビームが最も細い部分では変換効率が高い努その前
後では変換効率が低く、全体としての変換効率が低くな
ってしまうという問題点がある。
また、カップリングレンズ4,6と非線形光学結晶体5
の組立てが難しく、カップリングレンズ4.6の傾きに
よって、対物レンズ出射上での非点、コマ収差が発生し
やすい。
の組立てが難しく、カップリングレンズ4.6の傾きに
よって、対物レンズ出射上での非点、コマ収差が発生し
やすい。
尚、本発明の関連技術として、特開昭51−53833
号広報には、光の進行軸と直角な断面内の直交する2方
向で異なる強さの収束作用を持つ収束性光伝送体が開示
されている。
号広報には、光の進行軸と直角な断面内の直交する2方
向で異なる強さの収束作用を持つ収束性光伝送体が開示
されている。
[発明の目的]
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、非線
形光学結晶体によって得られる高調波を用いて高密度記
録が可能であると共に、前記非線形光学結晶体の変換効
率を高くでき、且つ、カップリングレンズと非線形光学
結晶体の組立てが容易な光学的情報記録再生装置を提供
することを目的としている。
形光学結晶体によって得られる高調波を用いて高密度記
録が可能であると共に、前記非線形光学結晶体の変換効
率を高くでき、且つ、カップリングレンズと非線形光学
結晶体の組立てが容易な光学的情報記録再生装置を提供
することを目的としている。
[問題点を解決するだめの手段]
本発明の光学的情報記録再生装置は、半導体レーザの出
射光を非線形光学結晶体に入射し、この非線形光学結晶
体から出射される光高調波を用いて記録媒体に対する情
報の記録、再生、消去のうちの少なくとも一つを行うも
のにおいて、前記非線形光学結晶体の入射側及び出射側
に、前記半導体レーザからの光を細径の平行光として前
記非線形光学結晶体に入射させる集束性光伝送体を用い
たカップリングレンズを設けたものである。
射光を非線形光学結晶体に入射し、この非線形光学結晶
体から出射される光高調波を用いて記録媒体に対する情
報の記録、再生、消去のうちの少なくとも一つを行うも
のにおいて、前記非線形光学結晶体の入射側及び出射側
に、前記半導体レーザからの光を細径の平行光として前
記非線形光学結晶体に入射させる集束性光伝送体を用い
たカップリングレンズを設けたものである。
[作用]
本発明では、半導体レーザからの光は、細径の平行光と
して非線形光学結晶体に入射され、この非線形光学結晶
体から、高い変換効率で光高調波が出射される。
して非線形光学結晶体に入射され、この非線形光学結晶
体から、高い変換効率で光高調波が出射される。
[実施例]
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図ないし第3図は本発明の第1実施例に係り、第1
図は非線形光学結晶体及びセルフォックレンズを示す説
明図、第2図は本実施例における光学式ピックアップを
示す説明図、第3図は受光素子を示す説明図である。
図は非線形光学結晶体及びセルフォックレンズを示す説
明図、第2図は本実施例における光学式ピックアップを
示す説明図、第3図は受光素子を示す説明図である。
第2図に示すように、光学式ピックアップ10は、光源
として半導体レーザ11を備え、この半導体レーザ11
と、記録媒体しての光ディスク12との間の光路上には
、コリメータレンズ14、波長変換部組立体20.長波
長カットフィルタ15、第1のビームスプリッタ16(
周波数ωの基本波用)、第2の偏光ビームスプリッタ1
7(周波数2ωの高調波用)、λ/4板1板金8物レン
ズ19が順次配設されている。そして、前記半導体レー
ザ11から出射された発散光は、前記コリメータレンズ
14で平行光束にされた後、前記波長変換部組立体20
に入射されるようになっている。この波長変換部組立体
20からは、周波数ω(ωは半導体レーザ11の発振周
波数)の基本波と周波数2ωの第2高調波とが出力され
る。これら基本波及び高調波は、長波長カットフィルタ
15、第1のビームスプリッタ16.第2の偏光ビーム
スプリッタ17.λ/4板1板金8次透過し、対物レン
ズ19で集光されて、前記光ディスク13にスポット状
に照射されるようになっている。
として半導体レーザ11を備え、この半導体レーザ11
と、記録媒体しての光ディスク12との間の光路上には
、コリメータレンズ14、波長変換部組立体20.長波
長カットフィルタ15、第1のビームスプリッタ16(
周波数ωの基本波用)、第2の偏光ビームスプリッタ1
7(周波数2ωの高調波用)、λ/4板1板金8物レン
ズ19が順次配設されている。そして、前記半導体レー
ザ11から出射された発散光は、前記コリメータレンズ
14で平行光束にされた後、前記波長変換部組立体20
に入射されるようになっている。この波長変換部組立体
20からは、周波数ω(ωは半導体レーザ11の発振周
波数)の基本波と周波数2ωの第2高調波とが出力され
る。これら基本波及び高調波は、長波長カットフィルタ
15、第1のビームスプリッタ16.第2の偏光ビーム
スプリッタ17.λ/4板1板金8次透過し、対物レン
ズ19で集光されて、前記光ディスク13にスポット状
に照射されるようになっている。
尚、対物レンズ19の収差は、周波数2ωの光に対して
取り除いておく必要があるが、2ωとωの両方の周波数
の光で取り除くように設計することが好ましい。
取り除いておく必要があるが、2ωとωの両方の周波数
の光で取り除くように設計することが好ましい。
この光デイスク13上に集光された周波数2ωの光は、
ビット情報によって変調、散乱を受け、再び前記対物レ
ンズ19を経て、前記偏光ビームスプリッタ17に入射
する。往路において前記偏光ビームスプリッタ17を透
過した直線偏光は、前記λ/4板18で円偏光にされ、
前記光ディスク13からの戻り光は、復路において前記
λ/4板18で往路とは偏光方向が直交する直線偏光に
される。そして、この直線偏光は、前記偏光ビームスプ
リッタ17で反射される。この偏光ビームスプリッタ1
7で反射された光束は、周波数2ωの光のみを透過する
バンドパス干渉フィルタ31を通り、受光素子32で受
光される。この受光素子32としては、PINダイオー
ド、アバランシェダイオード等を用い、この受光素子3
2は、周波数2ωの光で読出された光ディスク13のビ
ット情報に対応するRF倍信号発生ずる。
ビット情報によって変調、散乱を受け、再び前記対物レ
ンズ19を経て、前記偏光ビームスプリッタ17に入射
する。往路において前記偏光ビームスプリッタ17を透
過した直線偏光は、前記λ/4板18で円偏光にされ、
前記光ディスク13からの戻り光は、復路において前記
λ/4板18で往路とは偏光方向が直交する直線偏光に
される。そして、この直線偏光は、前記偏光ビームスプ
リッタ17で反射される。この偏光ビームスプリッタ1
7で反射された光束は、周波数2ωの光のみを透過する
バンドパス干渉フィルタ31を通り、受光素子32で受
光される。この受光素子32としては、PINダイオー
ド、アバランシェダイオード等を用い、この受光素子3
2は、周波数2ωの光で読出された光ディスク13のビ
ット情報に対応するRF倍信号発生ずる。
一方、周波数ωの基本波は、前記長波長カットフィルタ
15で減衰された後、第1のビームスプリッタ16(周
波数2ωに対してほとんど素通りとなる。)、第2の偏
光ビームスプリッタ17゜λ/4板1板金8次透過し、
対物レンズ19で集光されて、前記光ディスク13にス
ポット状に照射されるが、この照射スポットは、ビット
情報が形成されている光ディスク13のプリグローブで
散乱、変調されて、往路を逆行し、前記ビームスプリッ
タ16で反射され、凸レンズ33で集光されてサーボ用
の受光素子35で受光されるようになっている。
15で減衰された後、第1のビームスプリッタ16(周
波数2ωに対してほとんど素通りとなる。)、第2の偏
光ビームスプリッタ17゜λ/4板1板金8次透過し、
対物レンズ19で集光されて、前記光ディスク13にス
ポット状に照射されるが、この照射スポットは、ビット
情報が形成されている光ディスク13のプリグローブで
散乱、変調されて、往路を逆行し、前記ビームスプリッ
タ16で反射され、凸レンズ33で集光されてサーボ用
の受光素子35で受光されるようになっている。
前記受光素子34は、第3図に示すように、トラックの
長手方向に分割された同心円からなる4分割の受光面A
、B、C,Dによって形成されており、公知のプッシュ
プル法によって、(A+D)−(B+C)の演算出力か
らフォーカスエラー信号が、(A+8)−(C+D)の
演算出力からトラッキングエラー信号が検出される。こ
の検出されたエラー信号は、サーボ回路35を介して、
対物レンズ19のアクチュエータ36に印加され、フォ
ーカスサーボ及びトラッキングサーボが行われるように
なっている。
長手方向に分割された同心円からなる4分割の受光面A
、B、C,Dによって形成されており、公知のプッシュ
プル法によって、(A+D)−(B+C)の演算出力か
らフォーカスエラー信号が、(A+8)−(C+D)の
演算出力からトラッキングエラー信号が検出される。こ
の検出されたエラー信号は、サーボ回路35を介して、
対物レンズ19のアクチュエータ36に印加され、フォ
ーカスサーボ及びトラッキングサーボが行われるように
なっている。
ところで、前記波長変換部組立体20は、第1図に示す
ように構成されている。
ように構成されている。
すなわち、この波長変換部組立体20は、入射側より順
に、第1の収束性光伝送体(以下、セルフォックレンズ
と記す。)21と、カップリングレンズとしての第2の
セルフォックレンズ22と、KN bo 、 L i
N bo3等の非線形光学結晶体を用いた波長変換素
子23と、カップリングレンズとしての第3のセルフォ
ックレンズ24と、第4のセルフォックレンズ25とを
配列して構成されている。また、前記セルフォックレン
ズ21゜22.24.25及び波長変換素子23は、外
径が同一に形成され、且つ一体化されている。尚、前記
セルフォックレンズは、ロンド状であるが、屈折率が中
心軸で最も大きく、径方向外側に連続的に減少している
ものであり、光を収束する作用を有する。
に、第1の収束性光伝送体(以下、セルフォックレンズ
と記す。)21と、カップリングレンズとしての第2の
セルフォックレンズ22と、KN bo 、 L i
N bo3等の非線形光学結晶体を用いた波長変換素
子23と、カップリングレンズとしての第3のセルフォ
ックレンズ24と、第4のセルフォックレンズ25とを
配列して構成されている。また、前記セルフォックレン
ズ21゜22.24.25及び波長変換素子23は、外
径が同一に形成され、且つ一体化されている。尚、前記
セルフォックレンズは、ロンド状であるが、屈折率が中
心軸で最も大きく、径方向外側に連続的に減少している
ものであり、光を収束する作用を有する。
前記第1のセルフォックレンズ21は、符号26で示す
コリメータレンズ14からのビーム断面が楕円形の平行
光束を収束するものであり、楕円の長軸、短軸方向によ
って屈折率(分布)を変えてビームの収束傾斜を異なら
せることにより、楕円形のビームを円形のビームに変換
するようにしている。前記第2のセルフォックレンズ2
2は、前記第1のセルフォックレンズ21で収束された
光を平行光とづるものであり、屈折率は、楕円の長軸、
短軸方向を同一にしている。従って、波長変換素子23
を通る光は、符号27で示すように断面が細径の円形の
平行光となる。
コリメータレンズ14からのビーム断面が楕円形の平行
光束を収束するものであり、楕円の長軸、短軸方向によ
って屈折率(分布)を変えてビームの収束傾斜を異なら
せることにより、楕円形のビームを円形のビームに変換
するようにしている。前記第2のセルフォックレンズ2
2は、前記第1のセルフォックレンズ21で収束された
光を平行光とづるものであり、屈折率は、楕円の長軸、
短軸方向を同一にしている。従って、波長変換素子23
を通る光は、符号27で示すように断面が細径の円形の
平行光となる。
前記非線形光学結晶体からなる波長変換素子23は、半
導体レーザ11の発振周波数である周波数ωの光を吸収
し、そのωの整数倍の周波数の光を発光する。本実施例
では、基本波と第2高調波の進行方向の位相整合がとれ
るように、結晶の種類、方位を持つものが選択使用され
、周波数ωの基本波と周波数2ωの第28調波とを用い
ている。
導体レーザ11の発振周波数である周波数ωの光を吸収
し、そのωの整数倍の周波数の光を発光する。本実施例
では、基本波と第2高調波の進行方向の位相整合がとれ
るように、結晶の種類、方位を持つものが選択使用され
、周波数ωの基本波と周波数2ωの第28調波とを用い
ている。
また、前記第3のセルフォックレンズ24は、前記波長
変換素子23からの平行光束を収束するものであり、屈
折率は、楕円の長軸、短軸方向を同一にしている。前記
第4のセルフォックレンズ25は、前記第3のセルフォ
ックレンズ24で収束された光を、符号28で示すよう
なビーム断面が円形の平行光束にするものであり、屈折
率は、楕円の長袖、短軸方向を同一にしている。そして
、前記第4のセルフォックレンズ25から出射される平
行光束が長波長カットフィルタ15に入射されるように
なっている。
変換素子23からの平行光束を収束するものであり、屈
折率は、楕円の長軸、短軸方向を同一にしている。前記
第4のセルフォックレンズ25は、前記第3のセルフォ
ックレンズ24で収束された光を、符号28で示すよう
なビーム断面が円形の平行光束にするものであり、屈折
率は、楕円の長袖、短軸方向を同一にしている。そして
、前記第4のセルフォックレンズ25から出射される平
行光束が長波長カットフィルタ15に入射されるように
なっている。
このように、本実施例では、コリメータレンズ14で平
行光束にされた半導体レーザ11からの光ビームを、第
1のセルフォックレンズ21でビーム整形すると共に収
束し、カップリングレンズとしての第2のセルフォック
レンズ22で細径の平行光として、波長変換素子23に
入射させている。そして、前記第2のセルフォックレン
ズ22と対のカップリングレンズとしての第3のセルフ
ォックレンズ24で、前記波長変換索子23からの光を
収束し、第4のセルフォックレンズ25で平行光束にし
ている。従って、非線形光学結晶体(波長変換索子23
)を細径の平行光が通過するので、この非線形光学結晶
体から出射される光高調波の変換効率が高い。
行光束にされた半導体レーザ11からの光ビームを、第
1のセルフォックレンズ21でビーム整形すると共に収
束し、カップリングレンズとしての第2のセルフォック
レンズ22で細径の平行光として、波長変換素子23に
入射させている。そして、前記第2のセルフォックレン
ズ22と対のカップリングレンズとしての第3のセルフ
ォックレンズ24で、前記波長変換索子23からの光を
収束し、第4のセルフォックレンズ25で平行光束にし
ている。従って、非線形光学結晶体(波長変換索子23
)を細径の平行光が通過するので、この非線形光学結晶
体から出射される光高調波の変換効率が高い。
また、カップリングレンズ22.24としてセルフォッ
クレンズを用いたので、カップリングレンズ22.24
と非線形光学結晶体を用いた波長変換素子23との組立
てが容易である。特に、本実施例では、セルフォックレ
ンズ21.22.24.25及び波長変換素子23を、
外径を同一に形成し、一体化しているので、軸調整が不
要になり、組立てが非常に容易であると共に、カップリ
ングレンズ22.24等の傾きが防止され、対物レンズ
出射上での非点、コマ収差の発生が防止される。
クレンズを用いたので、カップリングレンズ22.24
と非線形光学結晶体を用いた波長変換素子23との組立
てが容易である。特に、本実施例では、セルフォックレ
ンズ21.22.24.25及び波長変換素子23を、
外径を同一に形成し、一体化しているので、軸調整が不
要になり、組立てが非常に容易であると共に、カップリ
ングレンズ22.24等の傾きが防止され、対物レンズ
出射上での非点、コマ収差の発生が防止される。
尚、本実施例では、第1のセルフォックレンズ21によ
って楕円ビームを円ビームに変換しているが、円ビーム
への変換が不十分な場合には、第2のセルフォックレン
ズ22を、楕円の長軸、短軸方向によって屈折率を変え
てビームの収束傾斜を異ならせ、この第2のセルフォッ
クレンズ22によつ゛て補正するようにしても良い。
って楕円ビームを円ビームに変換しているが、円ビーム
への変換が不十分な場合には、第2のセルフォックレン
ズ22を、楕円の長軸、短軸方向によって屈折率を変え
てビームの収束傾斜を異ならせ、この第2のセルフォッ
クレンズ22によつ゛て補正するようにしても良い。
第4図は本発明の第2実施例における非線形光学結晶体
及びセルフォックレンズを示す説明図である。
及びセルフォックレンズを示す説明図である。
本実施例の波長変換部組立体40では、第1のセルフォ
ックレンズ41の入射端面を光軸方向に対して傾け、こ
の入射端面での屈折を利用して、楕円ビームを円ビーム
に変換するようにしている。
ックレンズ41の入射端面を光軸方向に対して傾け、こ
の入射端面での屈折を利用して、楕円ビームを円ビーム
に変換するようにしている。
また、前記第1のセルフォックレンズ41は、屈折率が
楕円の長軸、短軸方向を同一にし、発散光を収束するよ
うになっている。前記第1のセルフォックレンズ41の
入射端面には、所定の角度の斜め方向から半導体レーザ
11からの発散光がコリメータレンズを介することなく
入射されている。
楕円の長軸、短軸方向を同一にし、発散光を収束するよ
うになっている。前記第1のセルフォックレンズ41の
入射端面には、所定の角度の斜め方向から半導体レーザ
11からの発散光がコリメータレンズを介することなく
入射されている。
そして、この発散光は、符号42でビーム断面形状を示
すように、前記第1のセルフォックレンズ41の入射端
面での屈折によって楕円ビームが円ビームに変換される
と共に、この第1のセルフォックレンズ41によって収
束され、第2のセルフォックレンズ42に入射される。
すように、前記第1のセルフォックレンズ41の入射端
面での屈折によって楕円ビームが円ビームに変換される
と共に、この第1のセルフォックレンズ41によって収
束され、第2のセルフォックレンズ42に入射される。
その他の構成は、第1実施例と同様である。
本実施例によれば、コリメータレンズ14が不要になる
と共に、第1のセルフォックレンズ41の作成が容易に
なる。
と共に、第1のセルフォックレンズ41の作成が容易に
なる。
その他の作用及び効果は、第1実施例と同様である。
第5図は本発明の第3実施例における非線形光学結晶体
及びセルフォックレンズを示す説明図である。
及びセルフォックレンズを示す説明図である。
本実施例の波長変換部組立体50では、第1のセルフォ
ックレンズ51は、屈折率が楕円の長軸。
ックレンズ51は、屈折率が楕円の長軸。
短軸方向を同一にし、発散光を収束するようになってい
る。また、カップリングレンズとしての第2、第3のセ
ルフォックレンズ22.24は、第1実施例と同様に、
屈折率が楕円の長軸、短軸方向を同一にし、それぞれ、
収束された光を平行光とする作用、平行光を収束する作
用を有する。また、第4のセルフォックレンズ52は、
前記第3のセルフォックレンズ24で収束された光を平
行光にすると共に、楕円の長軸、短軸方向によって屈折
率を変えてビームの収束傾斜を異ならせることにより、
楕円形のビームを円形のビームに変換するようにしてい
る。
る。また、カップリングレンズとしての第2、第3のセ
ルフォックレンズ22.24は、第1実施例と同様に、
屈折率が楕円の長軸、短軸方向を同一にし、それぞれ、
収束された光を平行光とする作用、平行光を収束する作
用を有する。また、第4のセルフォックレンズ52は、
前記第3のセルフォックレンズ24で収束された光を平
行光にすると共に、楕円の長軸、短軸方向によって屈折
率を変えてビームの収束傾斜を異ならせることにより、
楕円形のビームを円形のビームに変換するようにしてい
る。
前記第1のセルフォックレンズ51には、符号53でビ
ーム断面を示すように、半導体レーザ11からの楕円形
の発散光がコリメータレンズを介することなく入射され
ている。そして、この発散光は、前記第1のセルフォッ
クレンズ51で収束され、第2のセルフォックレンズ2
2で平行光にされ、波長変換素子23に入射される。従
って、この波長変換素子23を通過する光は、符号54
でビーム断面を示すように、細径の楕円形の平行光とな
る。前記波長変換素子23から出射された光は、第3の
セルフォックレンズ24で収束され、第4セルフオツク
レンズ52によって、平行光にされると共に、符号28
でビーム断面を示すように、円形のビームに変換される
。
ーム断面を示すように、半導体レーザ11からの楕円形
の発散光がコリメータレンズを介することなく入射され
ている。そして、この発散光は、前記第1のセルフォッ
クレンズ51で収束され、第2のセルフォックレンズ2
2で平行光にされ、波長変換素子23に入射される。従
って、この波長変換素子23を通過する光は、符号54
でビーム断面を示すように、細径の楕円形の平行光とな
る。前記波長変換素子23から出射された光は、第3の
セルフォックレンズ24で収束され、第4セルフオツク
レンズ52によって、平行光にされると共に、符号28
でビーム断面を示すように、円形のビームに変換される
。
その他の構成は、第1実施例と同様である。
本実施例によれば、半導体レーザ11の出射光の光軸方
向と波長変換部組立体50の光軸方向が一致するので、
より組立てが容易になる。
向と波長変換部組立体50の光軸方向が一致するので、
より組立てが容易になる。
第6図は本発明の第4実施例における光学式ピックアッ
プを示す説明図である。
プを示す説明図である。
本実施例は、第2実施例に示す波長変換部組立体40を
、光磁気方式に用いられる光学式ピックアップに適用し
た例である。
、光磁気方式に用いられる光学式ピックアップに適用し
た例である。
本実施例では、半導体レーザ11から出射された光は、
第2実施例に示す波長変換部組立体50を通った後、長
波長カットフィルタ15.偏光子61、ハーフプリズム
63を順次透過し、対物レンズ63で集光されて、光磁
気ディスク64にスポット状に照射される。
第2実施例に示す波長変換部組立体50を通った後、長
波長カットフィルタ15.偏光子61、ハーフプリズム
63を順次透過し、対物レンズ63で集光されて、光磁
気ディスク64にスポット状に照射される。
前記光磁気ディスク64に照射される光束は、記録モー
ドまたは再生モード時においては、その光束の発光強度
は、再生モード時よりも大きく設定されており、照射部
分は局所的に略キューリー点以上に上昇される。この場
合、光磁気ディスク64には、反対方向に外部磁界が印
加されているため、常温に戻る際に反転磁区が形成され
、記録または消去が行われる。
ドまたは再生モード時においては、その光束の発光強度
は、再生モード時よりも大きく設定されており、照射部
分は局所的に略キューリー点以上に上昇される。この場
合、光磁気ディスク64には、反対方向に外部磁界が印
加されているため、常温に戻る際に反転磁区が形成され
、記録または消去が行われる。
また、再生モード時には、前記記録または消去モード時
よりも弱い発光強度に制御される。そして、前記光磁気
ディスク64で反射された光束は、入射光束が直線偏光
であるため、磁気記録層の磁化方向に応じて磁気光学効
果(カー効果)によって偏光面が回転する。例えば、上
向き磁化に対して偏光面がθ反回転するものとすると、
下向き磁化に対しては偏光面が一θ度回転する。
よりも弱い発光強度に制御される。そして、前記光磁気
ディスク64で反射された光束は、入射光束が直線偏光
であるため、磁気記録層の磁化方向に応じて磁気光学効
果(カー効果)によって偏光面が回転する。例えば、上
向き磁化に対して偏光面がθ反回転するものとすると、
下向き磁化に対しては偏光面が一θ度回転する。
偏光面が回転した反射光は、対物レンズ63を通り、ハ
ーフプリズム62で反射され、検光子65に入射される
。そして、この検光子65によって、例えば上向きまた
は下向き磁化に反射された場合の光束のみが通され、こ
の検光子65を通った光束が信号検出用の受光素子66
で受光され、この受光素子66の光電変換出力によって
、周波数2ωの光で読出された記録情報の再生が行われ
る。
ーフプリズム62で反射され、検光子65に入射される
。そして、この検光子65によって、例えば上向きまた
は下向き磁化に反射された場合の光束のみが通され、こ
の検光子65を通った光束が信号検出用の受光素子66
で受光され、この受光素子66の光電変換出力によって
、周波数2ωの光で読出された記録情報の再生が行われ
る。
その他の構成9作用及び効果は、第1実施例と同様であ
る。
る。
尚、本発明は、上記各実施例に限定されず、記録形態と
してビットを形成するもの、磁化の向ぎを変化させるも
のに限らず、相転移等によって反射率または透過率を変
化させるもの、バブルを形成するもの等、光ビームを用
いて記録、再生または消去するものに広く適用すること
ができる。
してビットを形成するもの、磁化の向ぎを変化させるも
のに限らず、相転移等によって反射率または透過率を変
化させるもの、バブルを形成するもの等、光ビームを用
いて記録、再生または消去するものに広く適用すること
ができる。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、非線形光学結晶体
によって得られる高調波を用いて高密度記録が可能であ
ると共に、非線形光学結晶体に細径の平行光を入射する
ようにしたので、非線形光学結晶体の変換効率を高くで
き、且つ、カップリングレンズとしてセルフォックレン
ズを用いたので、カップリングレンズと非線形光学結晶
体の組立てが容易であるという効果がある。
によって得られる高調波を用いて高密度記録が可能であ
ると共に、非線形光学結晶体に細径の平行光を入射する
ようにしたので、非線形光学結晶体の変換効率を高くで
き、且つ、カップリングレンズとしてセルフォックレン
ズを用いたので、カップリングレンズと非線形光学結晶
体の組立てが容易であるという効果がある。
第1図ないし第3図は本発明の第1実施例に係り、第1
図は非線形光学結晶体及びセルフォックレンズを示す説
明図、第2図は本実施例における光学式ピックアップを
示す説明図、第3図は受光素子を示す説明図、第4図は
本発明の第2実施例における非線形光学結晶体及びセル
フォックレンズを示す説明図、第5図は本発明の第3実
施例における非線形光学結晶体及びセルフォックレンズ
を示す説明図、第6図は本発明の第4実施例における光
学式ピックアップを示す説明図、第7図は従来例の光学
式ピックアップの光学系の一部を示す説明図である。 10・・・光学式ピックアップ 11・・・半導体レーザ 13・・・光ディスク20
・・・波長変換部組立体 21・・・第1のセルフォックレンズ 22・・・第2のセルフォックレンズ(カップリングレ
ンズ) 23・・・波長変換素子(非線形光学結晶体)24・・
・第3のセルフォックレンズ(カップリングレンズ) 25・・・第4のセルフォックレンズ
図は非線形光学結晶体及びセルフォックレンズを示す説
明図、第2図は本実施例における光学式ピックアップを
示す説明図、第3図は受光素子を示す説明図、第4図は
本発明の第2実施例における非線形光学結晶体及びセル
フォックレンズを示す説明図、第5図は本発明の第3実
施例における非線形光学結晶体及びセルフォックレンズ
を示す説明図、第6図は本発明の第4実施例における光
学式ピックアップを示す説明図、第7図は従来例の光学
式ピックアップの光学系の一部を示す説明図である。 10・・・光学式ピックアップ 11・・・半導体レーザ 13・・・光ディスク20
・・・波長変換部組立体 21・・・第1のセルフォックレンズ 22・・・第2のセルフォックレンズ(カップリングレ
ンズ) 23・・・波長変換素子(非線形光学結晶体)24・・
・第3のセルフォックレンズ(カップリングレンズ) 25・・・第4のセルフォックレンズ
Claims (2)
- (1)半導体レーザの出射光を非線形光学結晶体に入射
し、この非線形光学結晶体から出射される光高調波を用
いて記録媒体に対する情報の記録、再生、消去のうちの
少なくとも一つを行う光学的情報記録再生装置において
、前記非線形光学結晶体の入射側及び出射側に、前記半
導体レーザからの光を細径の平行光として前記非線形光
学結晶体に入射させる収束性光伝送体を用いたカップリ
ングレンズを設けたことを特徴とする光学的情報記録再
生装置。 - (2)前記カップリングレンズと前記非線形光学結晶体
とを、外径を同一とし、一体化したことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の光学的情報記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62258706A JPH01100522A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 光学的情報記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62258706A JPH01100522A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 光学的情報記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01100522A true JPH01100522A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=17323966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62258706A Pending JPH01100522A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 光学的情報記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01100522A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0562275A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録再生装置 |
-
1987
- 1987-10-13 JP JP62258706A patent/JPH01100522A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0562275A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録再生装置 |
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