JPH0110078Y2 - - Google Patents

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JPH0110078Y2
JPH0110078Y2 JP1191882U JP1191882U JPH0110078Y2 JP H0110078 Y2 JPH0110078 Y2 JP H0110078Y2 JP 1191882 U JP1191882 U JP 1191882U JP 1191882 U JP1191882 U JP 1191882U JP H0110078 Y2 JPH0110078 Y2 JP H0110078Y2
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JP
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plate
plates
piezoelectric ceramic
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thin plate
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JP1191882U
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  • Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
  • Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、圧電セラミツク薄板により、電気エ
ネルギーを空気振動エネルギーに変換するトラン
スデユーサに係り、圧電セラミツク薄板の低音特
性を補償するために、圧電セラミツク薄板の周辺
にアコーステイツクエミツタ板を配設したものに
おいて、使用目的等に応じてアコーステイツクエ
ミツタ板の大きさや形状を変更でき、また運搬や
保管の便のために、アコーステイツクエミツタ板
を小さく折りたたむことを可能とした圧電セラミ
ツクトランスデユーサを提供するものである。
圧電セラミツク薄板を用いたトランスデユーサ
は、小型、小電力である他、殊に超薄型構造にで
きる等の利点がある。しかし、圧電セラミツク薄
板は薄く作らねばならないため機械的強度が小さ
く、大口径状とすることは難しい。このため、こ
の種トランスデユーサは高音特性はきわめて良好
であるが、低中音特性に劣る欠点があり、従つて
上記した種々の利点を有するにもかかわらず、使
用分野はきわめて限定されたものであつた。
かかる課題を解決するために、圧電セラミツク
薄板の周辺に、発泡スチロール等の発泡樹脂など
により形成したアコーステイツクエミツタ板を配
設し、圧電セラミツク薄板の振動をアコーステイ
ツクエミツタ板に伝達してアコーステイツクエミ
ツタ板も同時に振動させ、以つて低中音特性を補
償する装置が提案された。しかし、かかるトラン
スデユーサは大形であつて、その形状も特定され
ており、従つて使用者の多様な要求に対応でき
ず、また運搬や保管に不利なものであつた。
そこで、本考案は叙上の点を鑑みてなされたも
のであつて、圧電セラミツク薄板の周辺に配設す
るアコーステイツクエミツタ板を複数個に分割
し、各アコーステイツクエミツタ板を組立て、分
解自在とすることにより、使用目的等に応じて大
きさや形状の変更を可能とし、更に運搬や保管に
も有利なものとしたものである。
以下、図面に沿つて本考案の実施例の説明を行
う。
第1図は、トランスデユーサの分解斜視図、第
2図は組立て状態での平面図、第3図はA−A断
面図であつて、圧電セラミツク薄板(以下薄板と
いう)1の両主面には、銀電極2,2が焼き付け
られており、ドーム状に湾曲されてリング状枠体
3に装着されている。因みに、この枠体3は真鍮
やポリカーボネート樹脂のような強度と弾性を具
有する振動伝達性の高い材料にて形成される。
1〜49は、アコーステイツクエミツタ板(以
下、AE板という)であつて、平面形状は矩形状
であり、すべて同寸に形成されている。このう
ち、中央のAE板45には、中心に開口5が形成さ
れており、この開口5に薄板1を装着した枠体3
が強制的に密嵌されている。因みに、AE板41
9は、発泡スチローや発泡ポリウレタン等の発
泡樹脂により形成される。
第4図および第5図は、各AE板41〜49の端
部付近の斜視図、および組立て状態での要部断面
図であつて、各AE板41〜49の端部周縁にはカ
ギ部6が形成されており、互いに係合して一体化
した後、周縁に補強枠71,72を装着し、更に各
AE板41〜49の角部をネジ8とワツシヤ9にて
固定することにより、第2図に示すトランスデユ
ーサが形成される。なお、各AE板41〜49にカ
ギ部6を形成せず、弾性接着剤などの接着剤によ
り、各AE板41〜49の端部周面同士を接着結合
するようにしてもよいが、このようにすると一旦
接着結合すれば、再び分解できない不便さがあ
る。
本トランスデユーサは、上記のような構成より
成り、組立て分解自在であるから、使用目的や使
用者の趣向、或いは部屋の大きさなどの使用条件
に応じて大きさや形状を変更することができる。
例えば、部屋の大きさ、つまり音場空間、リスニ
ングルームの空間量や壁面材等により、同一音源
であつても低音域が押えられ、高、中音域が強調
されることになる。また、第6図に示すように、
一旦組立てたAE板41〜49も、分解重畳するこ
とにより小さなものにできるから、運搬や保管に
きわめて有利である。
ここで、銀電極2,2への電気信号の印加によ
り、薄板1は主面方向に伸縮振動し、その振動は
周辺のAE板41〜49へ伝達され、各AE板41
9は垂直方向に振動して空気を励振し、強い音
圧を発する。而して、薄板1から発した振動波
は、第2図波線イ,ロ,ハにて示すように放射状
に伝播されるが、波線イにて示すようなAE板同
士の接合面と垂直に当る振動波は、接合面におい
て殆んど減衰せず、外方のAE板に十分に伝播す
る。しかし、波線ロにて示すように、振動波が傾
斜角度をもつてAE板同士の接合面に当ると、振
動波はかなり減衰し、更に波線ハにて示すように
振動波がAE板の対角線方向に進むと、減衰量は
最大となる。このように、AE板の対角線方向に
伝達される振動波エネルギーの減衰量はもともと
大きい。従つて、本実施例のように対角線上にネ
ジ8やワツシヤ9を取付けても、これらによる
AE板41〜49の振動に対する悪影響は無視でき
るものである。
第7図および第8図は、本考案の他の実施例の
分解斜視図、および平面図であつて薄板1を装着
するAE板101の平面形状は円形状であり、この
AE板81の周辺に配設されるAE板102〜104
の平面形状は、円環状または円環を複数に分割し
た円弧状である。そして、各AE板101〜104
は互いに結合されて第8図に示すような円板を形
成する。
ここで、薄板1の振動はAE板101→AE板1
2→AE板103→AE板104へと放射状に伝達
されるが、各AE板101〜104の接合面は円状
であるから、振動波の伝播方向はAE板同士の接
合面に対し常に垂直方向となる。従つて、各AE
板101〜104の接合面において振動波は殆ど減
衰することはなく、振動波のエネルギーは有効
に、より外方のAE板に伝達され、各AE板101
〜104は十分振動して強い音圧を発することと
なる。
なお、本考案は種々の設計変更が可能であつ
て、AE板の形状や結合方法は限定されるもので
はなく、要はAE板を複数個に分割し、各AE同士
を強固に結合したり、分解したりできるものであ
ればよい。
以上説明したように、本考案においては薄板1
の周辺に配設するAE板41〜49,101〜104
を複数個に分割し、組立て分解自在としているの
で、使用目的や使用条件等に応じて自由に大きさ
や形状を変更することができる。
また、分解することも可能であるから運搬や保
管にきわめて有利である他、各AE板41〜49
101〜104を種々着色することにより、モザイ
クもしくはステンドグラス的な視覚的効果をも併
せて得ることができる。
【図面の簡単な説明】
図は、本考案の実施例を示すものであつて、第
1図はトランスデユーサの分解斜視図、第2図は
組立て状態での平面図、第3図はA−A断面図、
第4図および第5図はそれぞれ部分斜視図および
部分断面図、第6図は重畳状態での斜視図、第7
図および第8図は他の実施例の分解斜視図、およ
び平面図である。 1……圧電セラミツク薄板、41〜49,101
〜104……アコーステイツクエミツタ板。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 圧電セラミツク薄板1の周辺に配設するアコ
    ーステイツクエミツタ板41〜49,101〜1
    4を複数個に分割し、各アコーステイツクエ
    ミツタ板41〜49,101〜104を組立て分解
    自在とした圧電セラミツクトランスデユーサ。 (2) 複数個に分割された前記アコーステイツクエ
    ミツタ板41〜49の平面形状を、矩形状とした
    前記実用新案登録請求の範囲第1項記載の圧電
    セラミツクトランスデユーサ。 (3) 複数個に分割された前記アコーステイツクエ
    ミツタ板101〜104の平面形状を、円環状ま
    たは円弧状とした前記実用新案登録請求の範囲
    第1項記載の圧電セラミツクトランスデユー
    サ。
JP1191882U 1982-01-28 1982-01-28 圧電セラミツクトランスデユ−サ Granted JPS58114697U (ja)

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JP1191882U JPS58114697U (ja) 1982-01-28 1982-01-28 圧電セラミツクトランスデユ−サ

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JP1191882U JPS58114697U (ja) 1982-01-28 1982-01-28 圧電セラミツクトランスデユ−サ

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Publication Number Publication Date
JPS58114697U JPS58114697U (ja) 1983-08-05
JPH0110078Y2 true JPH0110078Y2 (ja) 1989-03-22

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ID=30024506

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JP1191882U Granted JPS58114697U (ja) 1982-01-28 1982-01-28 圧電セラミツクトランスデユ−サ

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WO2009093291A1 (ja) * 2008-01-21 2009-07-30 Fujihiko Kobayashi 圧電振動板

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JPS58114697U (ja) 1983-08-05

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