JPH01102751A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH01102751A JPH01102751A JP62259658A JP25965887A JPH01102751A JP H01102751 A JPH01102751 A JP H01102751A JP 62259658 A JP62259658 A JP 62259658A JP 25965887 A JP25965887 A JP 25965887A JP H01102751 A JPH01102751 A JP H01102751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording layer
- elements
- recording medium
- composition
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新規な情報記録媒体に関するものであ。
る。さらに詳しくいえば１本発明は、レーザー光線ナト
のエネルギービームの照射により、情報信号の高密度か
つ高速度の記録、再生及び消去が可能な情報記録媒体に
関するものである。
のエネルギービームの照射により、情報信号の高密度か
つ高速度の記録、再生及び消去が可能な情報記録媒体に
関するものである。
従来の技術
従来、レーザー光線などを利用した高密度な情報の記録
や再生の技術は公知であって、現在、例えば文書ファイ
ル、静止画ファイルなどに実用化されつつあり、また、
書き換え可能な記録媒体についても、種々の記録材料が
提案されている。
や再生の技術は公知であって、現在、例えば文書ファイ
ル、静止画ファイルなどに実用化されつつあり、また、
書き換え可能な記録媒体についても、種々の記録材料が
提案されている。
前記記録媒体における情報の記録や消去は、主に合金で
のアモルファス状態と結晶との間の状態変化が利用され
ている。すなわち、照射時間の短い高パワーのレーザー
光照射によって、アモルファス状態を形成し、他方、照
射時間の長い低パワーのレーザー光照射により結晶状態
を形成し、これら２つの状態の光学定数の違いにより、
情報の記録及び消去を行うものである。
のアモルファス状態と結晶との間の状態変化が利用され
ている。すなわち、照射時間の短い高パワーのレーザー
光照射によって、アモルファス状態を形成し、他方、照
射時間の長い低パワーのレーザー光照射により結晶状態
を形成し、これら２つの状態の光学定数の違いにより、
情報の記録及び消去を行うものである。
このような状態変化を利用する記録材料としては、例え
ばＧｅ−Ｔｅ系〔「アプライド・フィジカル・レターズ
（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ） Ｊ第４９
巻、第５０２ページ（１９８６年）〕が知られている。
ばＧｅ−Ｔｅ系〔「アプライド・フィジカル・レターズ
（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ） Ｊ第４９
巻、第５０２ページ（１９８６年）〕が知られている。
しかしながら、この合金においては、結晶化時間が長い
ために、単一ビームで消去しながら記録する、いわゆる
単一ビームオーバーライトが不可能で、円形ビームに加
えて、長円ビームを併用しなげ；ルばならず、その結果
、ドライブ装置が複雑となシ、実用上好ましくないとい
う欠点がある。
ために、単一ビームで消去しながら記録する、いわゆる
単一ビームオーバーライトが不可能で、円形ビームに加
えて、長円ビームを併用しなげ；ルばならず、その結果
、ドライブ装置が複雑となシ、実用上好ましくないとい
う欠点がある。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、このような従来のＧｅ−Ｔｅ系記録材料が有
する欠点を克服し、結晶化時間が短く、かつ感度を向上
させた書き換え可能な情報記録媒体を提供することを目
的としてなされたものである。
する欠点を克服し、結晶化時間が短く、かつ感度を向上
させた書き換え可能な情報記録媒体を提供することを目
的としてなされたものである。
問題点を解決するための手段
本発明者らは、前記の好ましい性質を有する情報記録媒
体を開発するために鋭意研究を重ねた結果、基板上に設
ける記録層に、少なくともＳｎ、Ｔｅ及びＧｅの３元素
から成り、かつこれらの元素の原子比が特定の範囲にあ
る材料を用いることにより、その目的を達成しうろこと
を見い出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至
った。
体を開発するために鋭意研究を重ねた結果、基板上に設
ける記録層に、少なくともＳｎ、Ｔｅ及びＧｅの３元素
から成り、かつこれらの元素の原子比が特定の範囲にあ
る材料を用いることにより、その目的を達成しうろこと
を見い出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至
った。
すなわち５本発明は、基板上にエネルギービームの照射
により光学定数が変（ｇする材料から成る記録層を設け
、該光学定数の変化によって生じる光の反射率の変化を
用いて情報の記録及び消去を行う情報記録媒体において
、該記録層が少なくともＳｎ、Ｔｅ及びＧｅの３元素か
ら成り、かつ組成を（Ｃ）ｅｌｏｏ ＴｅｏＳｎｏ ）
、（Ｇｅ０７８４０ｇ Ｓｎｏ’ ）及び（ＧｅｏＴｅ
ｏＳｎｌｏｏ）を頂点とする三角座標グラフで表わした
場合に、Ａ （Ｇｅ４３Ｔ１３４３５ｎ１４ ）、Ｂ
（（）’ｌｌ’５０Ｔｅ５０Ｓｎｏ ） 、 Ｃ（Ｇｅ
６５ Ｔｅ５５ ＳｎＯ）及びＤ（Ｇｅ６０Ｔｅ５１５
ｎ９）を順次線分で結んだ範囲内の組成を有することを
特徴とする情報記録媒体を提供するものである。
により光学定数が変（ｇする材料から成る記録層を設け
、該光学定数の変化によって生じる光の反射率の変化を
用いて情報の記録及び消去を行う情報記録媒体において
、該記録層が少なくともＳｎ、Ｔｅ及びＧｅの３元素か
ら成り、かつ組成を（Ｃ）ｅｌｏｏ ＴｅｏＳｎｏ ）
、（Ｇｅ０７８４０ｇ Ｓｎｏ’ ）及び（ＧｅｏＴｅ
ｏＳｎｌｏｏ）を頂点とする三角座標グラフで表わした
場合に、Ａ （Ｇｅ４３Ｔ１３４３５ｎ１４ ）、Ｂ
（（）’ｌｌ’５０Ｔｅ５０Ｓｎｏ ） 、 Ｃ（Ｇｅ
６５ Ｔｅ５５ ＳｎＯ）及びＤ（Ｇｅ６０Ｔｅ５１５
ｎ９）を順次線分で結んだ範囲内の組成を有することを
特徴とする情報記録媒体を提供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
従来、 Ｇｅ−Ｔｅ合金を用いた記録材料に関しては、
主としてＧｅ５０原子係以下の組成範囲が精力的に検討
されてきたが、このＧｅ５０原子係以下の組成では、結
晶化時間が長く、感度が不十分であるという問題があっ
た。
主としてＧｅ５０原子係以下の組成範囲が精力的に検討
されてきたが、このＧｅ５０原子係以下の組成では、結
晶化時間が長く、感度が不十分であるという問題があっ
た。
本発明者らは、Ｇｅ −Ｔｅ合金における組成と、結晶
化時間との関係を詳細に検討したところ、Ｇｅ５０原子
係近傍の組成において、結晶化時間が極めて短いことを
見い出したが、一方、Ｇｏ−Ｔｅ二元系合金では該組成
においてアモルファス化が困難であることも判明した。
化時間との関係を詳細に検討したところ、Ｇｅ５０原子
係近傍の組成において、結晶化時間が極めて短いことを
見い出したが、一方、Ｇｏ−Ｔｅ二元系合金では該組成
においてアモルファス化が困難であることも判明した。
そこで、本発明者らは、さらに研究を進め、少なくとも
Ｓｎ −Ｔｏ −Ｇｅの３元素から成る特定組成の合金
が可逆性を有し、かつ結晶化時間の短い記録材料である
ことを見い出し、本発明に到達した。
Ｓｎ −Ｔｏ −Ｇｅの３元素から成る特定組成の合金
が可逆性を有し、かつ結晶化時間の短い記録材料である
ことを見い出し、本発明に到達した。
本発明の情報記録媒体において、基板上に設けられる記
録層は、Ｇｅ−Ｔｅ系合金に、少なくともＳｎを添加Ｃ
た材料から成っており、かつこれらの３元素の原子比が
、第１図で示す三角座標において、Ａ （Ｇｅ４ｓ Ｔ
ｅ４３Ｓｎ１４）、Ｂ （Ｇｅ５０ Ｔｅ５０ＳｎＯ）
、Ｃ（Ｇｅ６５ Ｔｅ３５ ＳｎＯ）及びＤ （Ｇ（３
６（３Ｔｅ３１５ｎ９）を順次線分で結んだ四角形の内
側の領域で表わされる範囲にあることが必要である。Ｓ
ｎの量が第１図のＡ−Ｄ線よシ上になるとアモルファス
化が困難になるし、またＡ−Ｂ線よｐＴｅの多い領域及
びＣ−Ｄ線よりＧｅの多い領域では結晶化時間が遅く、
かつアモルファス化も困難となる。
録層は、Ｇｅ−Ｔｅ系合金に、少なくともＳｎを添加Ｃ
た材料から成っており、かつこれらの３元素の原子比が
、第１図で示す三角座標において、Ａ （Ｇｅ４ｓ Ｔ
ｅ４３Ｓｎ１４）、Ｂ （Ｇｅ５０ Ｔｅ５０ＳｎＯ）
、Ｃ（Ｇｅ６５ Ｔｅ３５ ＳｎＯ）及びＤ （Ｇ（３
６（３Ｔｅ３１５ｎ９）を順次線分で結んだ四角形の内
側の領域で表わされる範囲にあることが必要である。Ｓ
ｎの量が第１図のＡ−Ｄ線よシ上になるとアモルファス
化が困難になるし、またＡ−Ｂ線よｐＴｅの多い領域及
びＣ−Ｄ線よりＧｅの多い領域では結晶化時間が遅く、
かつアモルファス化も困難となる。
これらのことから、Ｓｎの効果としては、Ｃ）ｅ−Ｔｅ
化合物の結合を切断して、アモルファス托を促進させる
と思われる。また、 Ｇｅの多い領域では融点、ガラス
転移点が上昇している念め結晶化しにくくなっていると
考えられる。
化合物の結合を切断して、アモルファス托を促進させる
と思われる。また、 Ｇｅの多い領域では融点、ガラス
転移点が上昇している念め結晶化しにくくなっていると
考えられる。
本発明の情報記録媒体における記録層は、Ｓｎ、Ｔｅ及
びＧｅの３元素のみから成るものでも実用上十分使用で
きるが、必要に応じ他の元素を添加してもよい。
びＧｅの３元素のみから成るものでも実用上十分使用で
きるが、必要に応じ他の元素を添加してもよい。
該記録層は、例えば真空蒸着、スパッタリングなどの方
法で形成することができる。組成のコントロールは、真
空蒸着の場合は三元共蒸着や組成によっては二元共蒸着
法を用いて行うことができる。スパッタ法の場合は、特
定の組成のターゲソトを用いるか、合金ターゲット上に
チップを置いて行うことができる。また、該記録層の膜
厚は、十分なコントラストを得るために２０〜２００
ｎｍの範囲が好ましい。
法で形成することができる。組成のコントロールは、真
空蒸着の場合は三元共蒸着や組成によっては二元共蒸着
法を用いて行うことができる。スパッタ法の場合は、特
定の組成のターゲソトを用いるか、合金ターゲット上に
チップを置いて行うことができる。また、該記録層の膜
厚は、十分なコントラストを得るために２０〜２００
ｎｍの範囲が好ましい。
前記記録層は単層であっても、記録媒体として十分なコ
ントラストを有するが、必要に応じ、反射層を積層して
干渉効果により、コントラストを大きくすることができ
るし、また、酸化などの経時変化を防ぐために、該記録
層の少なくとも一方の側に、酸化物、窒化物、硫化物、
あるいはこれらの混合物から成る保護層を設けることも
できる。
ントラストを有するが、必要に応じ、反射層を積層して
干渉効果により、コントラストを大きくすることができ
るし、また、酸化などの経時変化を防ぐために、該記録
層の少なくとも一方の側に、酸化物、窒化物、硫化物、
あるいはこれらの混合物から成る保護層を設けることも
できる。
これらの反射層や保護層は、該記録層と同様、公知の手
段によって形成することができる。
段によって形成することができる。
本発明の情報記録媒体における基板としては、ガラス板
やガラス板上に光硬化性樹脂層を設けたもの、あるいは
ポリカーボネート、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リスチレンなどのプラスチック基板、アルミニウム合金
などの金属板などが用いられる。
やガラス板上に光硬化性樹脂層を設けたもの、あるいは
ポリカーボネート、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リスチレンなどのプラスチック基板、アルミニウム合金
などの金属板などが用いられる。
発明の効果
本発明の情報記録媒体は、記録層が少なくともＳｎ、Ｔ
ｅ及びＧｅの３元素を含み、かつこれらの元素の原子比
が特定の範囲にある合金から成るものであって、結晶化
時間が短く、かつ高感度であシ、情報信号の高密度かつ
高速度の記録、再生及び消去が可能である。
ｅ及びＧｅの３元素を含み、かつこれらの元素の原子比
が特定の範囲にある合金から成るものであって、結晶化
時間が短く、かつ高感度であシ、情報信号の高密度かつ
高速度の記録、再生及び消去が可能である。
実施例
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが１本
発明はこれらの例によってなんら限定されるものではな
い。
発明はこれらの例によってなんら限定されるものではな
い。
実施例１
厚さ１．２１１のポリカーボネート基板上に３元共蒸着
法により、真空度８．０ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒで５
ｎ−Ｔｓ−Ｇｅ記録層を膜厚１１００ｎに形成した。す
なわち、抵抗加熱法によりＷボートがらＧｏを飛ばし、
Ｍ。
法により、真空度８．０ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒで５
ｎ−Ｔｓ−Ｇｅ記録層を膜厚１１００ｎに形成した。す
なわち、抵抗加熱法によりＷボートがらＧｏを飛ばし、
Ｍ。
ポートからＳｎを飛ばし、電子ビーム蒸着法にょシＴｏ
を飛ばして組成ＳｎＢ Ｔｅ４３ Ｇｅ４ｃ）のサンプ
ルを作成した。また、同様の作成法でカバーガラス上に
組成Ｓｎ６ Ｔ１３４３０８４ｑの膜を厚さ１００ ｎ
ｍＫ形成した。前記のポリカーボネート上に薄膜を形成
したサンプルに静止状態でレーザ光照射を行ったのちの
反射率の変化を測定した。その結果、パルス幅０．２μ
ｓｅｃにおいて３ｍＷで結晶化し、パルス幅０．５μｓ
ｅｃにおいて６ｍＷでアモルファス化を行うことができ
た。このことがら、結晶化に要する１／−ザー光照射時
間が短いことが分かる。
を飛ばして組成ＳｎＢ Ｔｅ４３ Ｇｅ４ｃ）のサンプ
ルを作成した。また、同様の作成法でカバーガラス上に
組成Ｓｎ６ Ｔ１３４３０８４ｑの膜を厚さ１００ ｎ
ｍＫ形成した。前記のポリカーボネート上に薄膜を形成
したサンプルに静止状態でレーザ光照射を行ったのちの
反射率の変化を測定した。その結果、パルス幅０．２μ
ｓｅｃにおいて３ｍＷで結晶化し、パルス幅０．５μｓ
ｅｃにおいて６ｍＷでアモルファス化を行うことができ
た。このことがら、結晶化に要する１／−ザー光照射時
間が短いことが分かる。
また、カバーガラス上に薄膜を形成したサンプルを加熱
しながら、反射率変化を測定し、反射率が上昇し始める
温度を結晶化温度とした。第２図は、この加熱反射率測
定装置の構成を示す。１は加熱ステージであシこの上に
サンプル２をのせ、一定の昇温速度で加熱する。また、
７オトニツクセンサー３で光を発光し光ファイバー４を
介してサンプルに照射し、その反射光を検出し反射率の
変化を測定する。このような装置を用いて結晶化温度を
測定したところ、２０℃／分の昇温速度で１７５℃であ
った。
しながら、反射率変化を測定し、反射率が上昇し始める
温度を結晶化温度とした。第２図は、この加熱反射率測
定装置の構成を示す。１は加熱ステージであシこの上に
サンプル２をのせ、一定の昇温速度で加熱する。また、
７オトニツクセンサー３で光を発光し光ファイバー４を
介してサンプルに照射し、その反射光を検出し反射率の
変化を測定する。このような装置を用いて結晶化温度を
測定したところ、２０℃／分の昇温速度で１７５℃であ
った。
実施例２
次表に示し之組成のサンプルを、実施例１と同様の方法
でポリカーボネート基板上及びカバーガラス上に厚さ１
００ ｎｍに形成した。これらのサンプルに静止状態で
４ｍＷのレーザー光を照射した際の結晶化時間及び加熱
反射率測定によって求めた結晶化温度と融点を該表に示
す。
でポリカーボネート基板上及びカバーガラス上に厚さ１
００ ｎｍに形成した。これらのサンプルに静止状態で
４ｍＷのレーザー光を照射した際の結晶化時間及び加熱
反射率測定によって求めた結晶化温度と融点を該表に示
す。
該表において、４ｍＷのレーザー光を２回同一箇所に照
射し、１回目と２回目の反射率の差が０になつ次ときの
照射時間を結晶化時間とした。
射し、１回目と２回目の反射率の差が０になつ次ときの
照射時間を結晶化時間とした。
実施例３
直径５Ｖ４インチ、厚さ１．２ｘｉ＋の射出成形法によ
って得られた円板状のポリカーボネート基板上に、実施
例１と同様の作成法でＧｅ５２ Ｔｌ３４ｏＳｎＢの組
成の薄膜を厚さ１００ ｎｍに形成した。このサンプル
を線速４ｍ／ｓで回転させ、基板越しに半導体レーザー
（波長８３０ ｎｍ ）の光を４ｍＷの出力で照射し数
トラツク結晶化させた。次に、この結晶化させたトラッ
ク上にＩＭＨｚの信号を記録した。この際記録に要した
レーザーパワーは８．！５ｍＷであった。
って得られた円板状のポリカーボネート基板上に、実施
例１と同様の作成法でＧｅ５２ Ｔｌ３４ｏＳｎＢの組
成の薄膜を厚さ１００ ｎｍに形成した。このサンプル
を線速４ｍ／ｓで回転させ、基板越しに半導体レーザー
（波長８３０ ｎｍ ）の光を４ｍＷの出力で照射し数
トラツク結晶化させた。次に、この結晶化させたトラッ
ク上にＩＭＨｚの信号を記録した。この際記録に要した
レーザーパワーは８．！５ｍＷであった。
また、その信号を消去するのに必要なレーザーパワーは
４ｍＷと実用上十分な感度を有していた。
４ｍＷと実用上十分な感度を有していた。
ｍ１図は本発明の情報記録媒体における記録層の組成範
囲を示す三角座標グラフ、第２図は加熱反射率測定装置
の構成図である。図中符号１は加熱ステージ、２は評価
サンプル、３はフォトニックセンサ−１４は光ファイバ
ーである。 第１図 ｎ 第２図
囲を示す三角座標グラフ、第２図は加熱反射率測定装置
の構成図である。図中符号１は加熱ステージ、２は評価
サンプル、３はフォトニックセンサ−１４は光ファイバ
ーである。 第１図 ｎ 第２図
Claims (1)
- １ 基板上に、エネルギービームの照射により光学定数
が変化する材料から成る記録層を設け、該光学定数の変
化によつて生じる光の反射率の変化を用いて情報の記録
及び消去を行う情報記録媒体において、該記録層が少な
くともＳｎ、Ｔｅ及びＧｅの３元素から成り、かつ組成
を（Ｇｅ＿１＿０＿０Ｔｅ＿０Ｓｎ＿０）、（Ｇｅ＿０
Ｔｅ＿１＿０＿０Ｓｎ＿０）及び（Ｇｅ＿０Ｔｅ＿０Ｓ
ｎ＿１＿０＿０）を頂点とする三角座標グラフで表わし
たときに、Ａ（Ｇｅ＿４＿３Ｔｅ＿４＿３Ｓｎ＿１＿４
）、Ｂ（Ｇｅ＿５＿０Ｔｅ＿５＿０Ｓｎ＿０）、Ｃ（Ｇ
ｅ＿６＿５Ｔｅ＿３＿５Ｓｎ＿０）及びＤ（Ｇｅ＿６＿
０Ｔｅ＿３＿１Ｓｎ＿９）を順次線分で結んだ範囲内の
組成を有することを特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259658A JPH01102751A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259658A JPH01102751A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01102751A true JPH01102751A (ja) | 1989-04-20 |
Family
ID=17337104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62259658A Pending JPH01102751A (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01102751A (ja) |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP62259658A patent/JPH01102751A/ja active Pending
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