JPH03224791A - 情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH03224791A JPH03224791A JP2020806A JP2080690A JPH03224791A JP H03224791 A JPH03224791 A JP H03224791A JP 2020806 A JP2020806 A JP 2020806A JP 2080690 A JP2080690 A JP 2080690A JP H03224791 A JPH03224791 A JP H03224791A
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- recording layer
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/2431—Metals or metalloids group 13 elements (B, Al, Ga, In)
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- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- G—PHYSICS
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、レーザビーム等の光ビームがその照射条件を
変えて交互に照射されることにより結晶相と非晶質相が
所定の幅で交互に可逆的に形成される記録層を有し、こ
の記録層に形成された異なる相をそれぞれ透過する光信
号の強度の違いから記録層に記録された情報を読み取る
ことができる情報記録媒体に関する。
変えて交互に照射されることにより結晶相と非晶質相が
所定の幅で交互に可逆的に形成される記録層を有し、こ
の記録層に形成された異なる相をそれぞれ透過する光信
号の強度の違いから記録層に記録された情報を読み取る
ことができる情報記録媒体に関する。
（従来の技術）
従来から、情報を高密度に記憶でき且つ随時情報の消去
書き込みが可能な光デイスク材料として光の透過率が固
体の相に依存する相変化型のものが知られている。
書き込みが可能な光デイスク材料として光の透過率が固
体の相に依存する相変化型のものが知られている。
この相変化型の材料はレーザビームをその照射条件、例
えば照射エネルギー、照射強度、あるいは照射時間を変
え照射すると、照射された部分が相異なる相の間で可逆
的に変化するものである。
えば照射エネルギー、照射強度、あるいは照射時間を変
え照射すると、照射された部分が相異なる相の間で可逆
的に変化するものである。
上記の相変化型の材料としては、例えばテルル（Ｔｅ）
、ゲルマニウム（Ｇｅ）、これらの化合物であるＴ ｅ
Ｇ ｅ、インジウム（Ｉｎ）とセレン（Ｓｅ）の化合
物であるＩ ｎＳｅ、アンチモン（Ｓｂ）とセレンの化
合物である５ｂＳｅ、あるいはアンチモンとテルルの化
合物であるＳ ｂ Ｔ ｅ等の半導体、半導体化合物、
あるいは金属間化合物が知られている。
、ゲルマニウム（Ｇｅ）、これらの化合物であるＴ ｅ
Ｇ ｅ、インジウム（Ｉｎ）とセレン（Ｓｅ）の化合
物であるＩ ｎＳｅ、アンチモン（Ｓｂ）とセレンの化
合物である５ｂＳｅ、あるいはアンチモンとテルルの化
合物であるＳ ｂ Ｔ ｅ等の半導体、半導体化合物、
あるいは金属間化合物が知られている。
上記材料は、レーザビームの照射を受けると、その照射
条件に応じて結晶相あるいは非晶質相の２つの状態のい
づれかを形成するもので、上記２つの状態は複素屈折率
Ｎ＝ｎ （１−ｉｋ）（ここで、ｎは屈折率、ｋは吸収
指数）が相違する。即ち、相に応じて屈折率ｎのみなら
ず吸収指数には異なる値を示すので、上記材料に入射す
る光は異なる透過率を示す。
条件に応じて結晶相あるいは非晶質相の２つの状態のい
づれかを形成するもので、上記２つの状態は複素屈折率
Ｎ＝ｎ （１−ｉｋ）（ここで、ｎは屈折率、ｋは吸収
指数）が相違する。即ち、相に応じて屈折率ｎのみなら
ず吸収指数には異なる値を示すので、上記材料に入射す
る光は異なる透過率を示す。
それで、上記特質を持つ材料を情報の消去、書き込み可
能な光メモリとして用いる着想は、５Ｒｏｖｓｈｉｎｓ
ｋｙ等によって提案されている（Ｈｅｔａｌｌｕｒｇｉ
ｃａｌ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ２．６４１（１９
７１） ）。
能な光メモリとして用いる着想は、５Ｒｏｖｓｈｉｎｓ
ｋｙ等によって提案されている（Ｈｅｔａｌｌｕｒｇｉ
ｃａｌ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ２．６４１（１９
７１） ）。
この提案によれば、上記材料からなる記録層を挟み込ん
だディスクを回転させながら照射条件を変えたレーザビ
ームを上記ディスクに交互に照射し、結晶相及び非晶質
相が交互に配列してなる所定の相パターンを可逆的に形
成する０次いで照射エネルギーの小さい再生用レーザビ
ームが上記結晶相及び非晶質相に順次照射される。この
照射された再生用レーザビームは上記結晶相あるいは非
晶質相のいずれかを交互に透過後後方に適宜設けられた
反射層で反射され、次いで反射された再生用レーザビー
ムを再生信号として適宜の光電変換器で変換し、相に応
じた透過率の違いから相状態を判別することにより上記
相パターンからなる情報を再生するものである。
だディスクを回転させながら照射条件を変えたレーザビ
ームを上記ディスクに交互に照射し、結晶相及び非晶質
相が交互に配列してなる所定の相パターンを可逆的に形
成する０次いで照射エネルギーの小さい再生用レーザビ
ームが上記結晶相及び非晶質相に順次照射される。この
照射された再生用レーザビームは上記結晶相あるいは非
晶質相のいずれかを交互に透過後後方に適宜設けられた
反射層で反射され、次いで反射された再生用レーザビー
ムを再生信号として適宜の光電変換器で変換し、相に応
じた透過率の違いから相状態を判別することにより上記
相パターンからなる情報を再生するものである。
さらに詳しくは、上記材料からなる記録層に情報を記録
する場合、記録層にその融点を超える温度に加熱可能な
高パワーで且つパルス幅の短いレーザビームが照射され
、次いで照射部分が溶融急冷され、非晶質相からなる記
録マークが形成される。また、記録層に記録された情報
を消去する場合、記録層材料の結晶化温度を超える程度
の温度（融点よりも低い温度）に加熱可能なパワーで且
つ比較的パルス幅の長いレーザビームが照射され、次い
で照射部分が徐冷され、非晶質相は結晶相に変化する。
する場合、記録層にその融点を超える温度に加熱可能な
高パワーで且つパルス幅の短いレーザビームが照射され
、次いで照射部分が溶融急冷され、非晶質相からなる記
録マークが形成される。また、記録層に記録された情報
を消去する場合、記録層材料の結晶化温度を超える程度
の温度（融点よりも低い温度）に加熱可能なパワーで且
つ比較的パルス幅の長いレーザビームが照射され、次い
で照射部分が徐冷され、非晶質相は結晶相に変化する。
即ち、記録マークが消去される。
このような情報の記録、消去においては、照射部分を溶
融急冷し非晶質化するための円形スポットのレーザビー
ムと、照射部分を徐冷結晶化するための長楕円形スポッ
トのレーザビームとを互いに独立に用いる２ビ一ム方式
が採用されている。
融急冷し非晶質化するための円形スポットのレーザビー
ムと、照射部分を徐冷結晶化するための長楕円形スポッ
トのレーザビームとを互いに独立に用いる２ビ一ム方式
が採用されている。
しかしながら、上記の２ビ一ム方式ではレーザビームを
照射するための光学系が複雑となる。特に、記録層が挟
み込まれたディスクの回転に合わせ、非晶質相と結晶相
が交互に並べられてなるディスク内のスパイラル状のト
ラックに長楕円形スポットのレーザビームを追従させる
ことは困難であり、複雑なす〜ボ機構が必要となる。
照射するための光学系が複雑となる。特に、記録層が挟
み込まれたディスクの回転に合わせ、非晶質相と結晶相
が交互に並べられてなるディスク内のスパイラル状のト
ラックに長楕円形スポットのレーザビームを追従させる
ことは困難であり、複雑なす〜ボ機構が必要となる。
そこで、情報の記録、消去とを１つのレーザビムで行う
１ビ一ム方式の研究が行われている。
１ビ一ム方式の研究が行われている。
この１ビ一ム方式においては、ディスク内のトラックに
追従させるレーザビーム源は単一であるので、記録層に
既に記録されている情報を消去し。
追従させるレーザビーム源は単一であるので、記録層に
既に記録されている情報を消去し。
次いで新しい情報を書き込むオーバライドを容易に行う
ことができる。
ことができる。
即ち、単一のレーザビーム源から照射される１つのレー
ザビームを２段階のパワーレベル、つまり消去用レーザ
ビームのパワーレベルＰｅあるいは記録用レーザビーム
のパワーレベルＰｗ（Ｐｅ＜ Ｐ ｗ ）にパワー変調
し、既に情報が記録されている記録層に上記の２種のレ
ーザビームを所定の幅で交互に照射し、古い情報を消去
すると同時に新しい情報を重ね書きするものである。
ザビームを２段階のパワーレベル、つまり消去用レーザ
ビームのパワーレベルＰｅあるいは記録用レーザビーム
のパワーレベルＰｗ（Ｐｅ＜ Ｐ ｗ ）にパワー変調
し、既に情報が記録されている記録層に上記の２種のレ
ーザビームを所定の幅で交互に照射し、古い情報を消去
すると同時に新しい情報を重ね書きするものである。
このように１ビームのレーザでオーバライドを行う方式
は１ビ一ムオーバライド方式と称され、上述した２ビ一
ム方式の欠点である複雑なサーボ機構の必要性が無く、
レーザビームの位置設定が容易である。
は１ビ一ムオーバライド方式と称され、上述した２ビ一
ム方式の欠点である複雑なサーボ機構の必要性が無く、
レーザビームの位置設定が容易である。
しかしながら、１ビ一ムオーバライド方式を相変化型記
録層に適用する場合、他の困難性を伴うことになる。
録層に適用する場合、他の困難性を伴うことになる。
即ち、非晶質相及び結晶相からなる相パターンを形成す
べきディスクの回転速度は一定であるので、所定間隔を
おいて非晶質相あるいは結晶相を形成するべく記録層に
照射されたレーザビーム熱が放出される時間はディスク
が上記所定間隔を移動する時間になる。換言すれば、レ
ーザビーム熱の放出時間は形成される相に依存せず、レ
ーザビムが照射される記録層部分が非晶質相になるか結
晶相になるかは照射されるレーザビームのパワーの大き
さのみで決まる。
べきディスクの回転速度は一定であるので、所定間隔を
おいて非晶質相あるいは結晶相を形成するべく記録層に
照射されたレーザビーム熱が放出される時間はディスク
が上記所定間隔を移動する時間になる。換言すれば、レ
ーザビーム熱の放出時間は形成される相に依存せず、レ
ーザビムが照射される記録層部分が非晶質相になるか結
晶相になるかは照射されるレーザビームのパワーの大き
さのみで決まる。
従って、非晶質化と同程度の短い時間で結晶化を行わな
ければならないので、情報の消去において徐冷に充分な
時間をかけて結晶化を行うことができない。
ければならないので、情報の消去において徐冷に充分な
時間をかけて結晶化を行うことができない。
また、情報を記録する場合、非晶質相からなる記録マー
クが形成されるべき部分の端部を非晶質相に変化させる
のは困難である。その理由は、上記非晶質相形成直前に
結晶相を形成すべく照射された消去用レーザビームによ
って記録層に与えられた熱の一部が放熱されること無く
残っており、この余熱により上記記録マークが形成され
るべき部分の端部の急冷が損なわれるからである。
クが形成されるべき部分の端部を非晶質相に変化させる
のは困難である。その理由は、上記非晶質相形成直前に
結晶相を形成すべく照射された消去用レーザビームによ
って記録層に与えられた熱の一部が放熱されること無く
残っており、この余熱により上記記録マークが形成され
るべき部分の端部の急冷が損なわれるからである。
従って、非晶質相と結晶相を所定の幅で交互に形成する
ことができなくなり、誤った情報が読み取られる原因に
なる。
ことができなくなり、誤った情報が読み取られる原因に
なる。
そこで近年、上述の１ビ一ムオーバライド方式を相変化
型記録層に適用することが可能な材料として、インジウ
ム（Ｉｎ）、アンチモン（ｓｂ）、及びテルル（Ｔｅ）
からなる合金が注目されている。この元合金は組成を適
正に選ぶことにより１ビ一ムオーバライド方式の適用が
可能である。
型記録層に適用することが可能な材料として、インジウ
ム（Ｉｎ）、アンチモン（ｓｂ）、及びテルル（Ｔｅ）
からなる合金が注目されている。この元合金は組成を適
正に選ぶことにより１ビ一ムオーバライド方式の適用が
可能である。
即ち、本願発明者の実験によれば化合物ＩｎＳｂにテル
ルを２０乃至４５原千％添加してなる合金、換言すれば
Ｘ原子％のＴｅ及び５０−Ｘ／２原子％のＩｎ並びに５
０−Ｘ／２原子％のｓｂからなるＩ ｎ ５０−ｘｚ２
ｓ ｂ ５Ｇ−Ｘ／２Ｔ ｅ ｘ （ただし、２０≦
Ｘ≦４５の範囲内である。）で表される組成を有する合
金材料を記録層として用いることにより、化合物ＩｎＳ
ｂの速やかに結晶化する特性（以下、高速結晶化特性と
呼称する。）を生かしつつ、テルルの容易に非晶質化す
る特性（以下、非晶質化容易特性と呼称する。）を得る
ことができる。つまり、１ビ一ムオーバライド方式にお
ける問題点である短時間に結晶化する必要性、及び急冷
すること無く非晶質化する必要性を克服することができ
る。
ルを２０乃至４５原千％添加してなる合金、換言すれば
Ｘ原子％のＴｅ及び５０−Ｘ／２原子％のＩｎ並びに５
０−Ｘ／２原子％のｓｂからなるＩ ｎ ５０−ｘｚ２
ｓ ｂ ５Ｇ−Ｘ／２Ｔ ｅ ｘ （ただし、２０≦
Ｘ≦４５の範囲内である。）で表される組成を有する合
金材料を記録層として用いることにより、化合物ＩｎＳ
ｂの速やかに結晶化する特性（以下、高速結晶化特性と
呼称する。）を生かしつつ、テルルの容易に非晶質化す
る特性（以下、非晶質化容易特性と呼称する。）を得る
ことができる。つまり、１ビ一ムオーバライド方式にお
ける問題点である短時間に結晶化する必要性、及び急冷
すること無く非晶質化する必要性を克服することができ
る。
また、上記非晶質化容易特性により容易に非晶質化する
ので、最も高いパワーを必要とする記録用レーザビーム
のパワーを減じても非晶質化が可能である。それで、光
学系を小形化でき、経済的であり、且つ取扱いが容易に
なる。
ので、最も高いパワーを必要とする記録用レーザビーム
のパワーを減じても非晶質化が可能である。それで、光
学系を小形化でき、経済的であり、且つ取扱いが容易に
なる。
しかしながら、上記のＩ ｎ 、０−Ｘ／２Ｓ ｂ ５
０−ｘｙ２ＴｅＸからなる記録層は合金であるがため原
子間の結合力が弱く組成の安定性に問題があり、オーバ
ライド操作において記録層の溶融及び急冷を繰り返した
場合、オーバライドされた部分の合金組成が徐々に変化
、即ち偏析し、ついには上記高速結晶化特性及び非晶質
化容易特性が劣化してしまうという問題点があった。
０−ｘｙ２ＴｅＸからなる記録層は合金であるがため原
子間の結合力が弱く組成の安定性に問題があり、オーバ
ライド操作において記録層の溶融及び急冷を繰り返した
場合、オーバライドされた部分の合金組成が徐々に変化
、即ち偏析し、ついには上記高速結晶化特性及び非晶質
化容易特性が劣化してしまうという問題点があった。
一方、組成が安定した化合物としてＩ ｎＴｅが記録層
の材料として考えられている。
の材料として考えられている。
つまり、Ｉ ｎＴｅを記録層材として用いた場合、記録
用レーザビームの照射により形成される非晶質相は安定
（以下、非晶質安定特性と呼称する。）である、また、
消去用レーザビームの熱の一部が残っていても容易に非
晶質相に変化する特性を有している。
用レーザビームの照射により形成される非晶質相は安定
（以下、非晶質安定特性と呼称する。）である、また、
消去用レーザビームの熱の一部が残っていても容易に非
晶質相に変化する特性を有している。
また、ＩｎＴｅは化合物であるため、オーバライド操作
を繰り返しても組成は変化しないので、上記の非晶質安
定特性及び非晶質化容易特性は劣化しない。
を繰り返しても組成は変化しないので、上記の非晶質安
定特性及び非晶質化容易特性は劣化しない。
しかしながら、ＩｎＴｅのレーザビーム（例えば波長８
３０ｎｍの半導体レーザビーム）に対する吸収率は非常
に小さく、最も大きいパワーを必要とする記録用レーザ
ビームで非晶質相を形成する場合、ディスク面換算で２
０乃至２５ｍＷもの大きなパワーが必要になる。因みに
、合金Ｉｎｓ。
３０ｎｍの半導体レーザビーム）に対する吸収率は非常
に小さく、最も大きいパワーを必要とする記録用レーザ
ビームで非晶質相を形成する場合、ディスク面換算で２
０乃至２５ｍＷもの大きなパワーが必要になる。因みに
、合金Ｉｎｓ。
−Ｘ／２Ｓ ｂ ５Ｇ−Ｘ／２Ｔ ｅ ｘを非晶質化す
るには１４ｍＷ程度のレーザビームパワーで済む。
るには１４ｍＷ程度のレーザビームパワーで済む。
従って、ＩｎＴｅを記録層材として用いた場合、光字系
は大形化し、非常に不経済であり、且つ取扱いが面倒な
ものになる。
は大形化し、非常に不経済であり、且つ取扱いが面倒な
ものになる。
（発明が解決しようとする課題）
上記の如く、２ビ一ム方式で記録層にレーザビームを照
射し非晶質相及び結晶相を形成する場合、所望の相を得
ることができるが、レーザビムの照射位置を決めるには
複雑なサーボ機構が必要となるという問題点があった。
射し非晶質相及び結晶相を形成する場合、所望の相を得
ることができるが、レーザビムの照射位置を決めるには
複雑なサーボ機構が必要となるという問題点があった。
そこで、１ビ一ムオーバライド方式を適用した場合、上
記サーボ機構が簡略化されるものの非晶質化と同程度の
短い時間で結晶化を行わなければならない、また、非晶
質相からなる記録マークの端部を非晶質相に変化させる
のは難しい。
記サーボ機構が簡略化されるものの非晶質化と同程度の
短い時間で結晶化を行わなければならない、また、非晶
質相からなる記録マークの端部を非晶質相に変化させる
のは難しい。
それで結局、誤った情報が読み取られる原因になるとい
う問題があった。
う問題があった。
この問題を解決すべく、高速結晶化特性及び非晶質化容
易特性が良好なＩｎ、。−ｘ７□ｓｂ、。−Ｘ／２Ｔｅ
Ｘを記録層の材料に適用することが考えられたが、合金
であるためオーバライド操作において記録層の溶融及び
急冷を繰り返した場合、上記材料は偏析し上記特性が劣
化するという問題があった。
易特性が良好なＩｎ、。−ｘ７□ｓｂ、。−Ｘ／２Ｔｅ
Ｘを記録層の材料に適用することが考えられたが、合金
であるためオーバライド操作において記録層の溶融及び
急冷を繰り返した場合、上記材料は偏析し上記特性が劣
化するという問題があった。
一方、化合物であるＩｎＴｅを記録層材に用いた場合、
ＩｎＴｅが有する非晶質安定特性及び非晶質化容易特性
はオーバライド操作を繰り返しても劣化しないが、大き
なレーザビームパワーが必要となり、光学系が大形化す
るという問題があった。
ＩｎＴｅが有する非晶質安定特性及び非晶質化容易特性
はオーバライド操作を繰り返しても劣化しないが、大き
なレーザビームパワーが必要となり、光学系が大形化す
るという問題があった。
そこで、本発明は上記従来技術の問題点を解消するもの
で、その目的とするところは、複雑なサーボ機構を必要
とすることなく、また要求するレーザビームパワーが比
較的小さく、高速結晶化特性及び非晶質化容易特性に代
表されるオーバライド特性が良好であり、且つオーバラ
イド操作の繰り返しを行っても上記オーバライド特性の
劣化が生じない情報記録媒体を提供することである。
で、その目的とするところは、複雑なサーボ機構を必要
とすることなく、また要求するレーザビームパワーが比
較的小さく、高速結晶化特性及び非晶質化容易特性に代
表されるオーバライド特性が良好であり、且つオーバラ
イド操作の繰り返しを行っても上記オーバライド特性の
劣化が生じない情報記録媒体を提供することである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決するための本発明は、基板と、該基板上
に設けられ光ビームの照射を受けたときその照射エネル
ギーの条件に応じて結晶相と非晶質相との間で可逆的に
相変化する記録層から構成される情報記録媒体において
、前記記録層は、ＩｎＴｅとＩ ｎ ５０−Ｘ／２Ｓ
ｂ ５０−Ｘ／２Ｔ ｅ Ｘ （式中Ｘは２０≦Ｘ≦４
５とする）との合金（（ＩｎＳｂ）ｎａｏ−ｙ＋／ｚｏ
ｏ Ｔｅｖｙｔｏｏ ｌ ｔｏｏ −ｚ （Ｉ ｎＴ
ｅ ） ｚ（式中Ｙ、Ｚは２０≦￥≦４５かつ０≦Ｚ≦
６０、及びＹ＝３０かつ６０＜Ｚ≦８０、並びにＹ＝４
０かつ６０〈Ｚ≦８０とする）と同一の組成である３元
合金からなることを特徴とする。
に設けられ光ビームの照射を受けたときその照射エネル
ギーの条件に応じて結晶相と非晶質相との間で可逆的に
相変化する記録層から構成される情報記録媒体において
、前記記録層は、ＩｎＴｅとＩ ｎ ５０−Ｘ／２Ｓ
ｂ ５０−Ｘ／２Ｔ ｅ Ｘ （式中Ｘは２０≦Ｘ≦４
５とする）との合金（（ＩｎＳｂ）ｎａｏ−ｙ＋／ｚｏ
ｏ Ｔｅｖｙｔｏｏ ｌ ｔｏｏ −ｚ （Ｉ ｎＴ
ｅ ） ｚ（式中Ｙ、Ｚは２０≦￥≦４５かつ０≦Ｚ≦
６０、及びＹ＝３０かつ６０＜Ｚ≦８０、並びにＹ＝４
０かつ６０〈Ｚ≦８０とする）と同一の組成である３元
合金からなることを特徴とする。
（作用）
本発明の情報記録媒体では、記録層はインジウム、アン
チモン、及びテルルを上述した組成比、即ち（（Ｔ ｎ
Ｓ ｂ ） １１００−Ｙｌ／２００ Ｔｅｖｙｔｏ
ｏ ）ｔ。
チモン、及びテルルを上述した組成比、即ち（（Ｔ ｎ
Ｓ ｂ ） １１００−Ｙｌ／２００ Ｔｅｖｙｔｏ
ｏ ）ｔ。
ｏ−ｚ （ＩｎＴｅ）Ｚ （式中Ｙ、Ｚは２０≦Ｙ
≦４５かつ０≦Ｚ≦６０、及びＹ；３０かつ６０〈Ｚ≦
８０、並びにＹ＝４０かつ６０〈Ｚ≦８０とする）とし
た３元合金からなるので、比較的低いレーザビームパワ
ーで記録層を照射してもＩｎ５゜−８７□Ｓｂ５゜−Ｘ
／２ＴｅＸが有する速やかに結晶化する特性及び容易に
非晶質化する特性が生かされると−共に、ＩｎＴｅが有
する非晶質の安定な特性も得ることができる。
≦４５かつ０≦Ｚ≦６０、及びＹ；３０かつ６０〈Ｚ≦
８０、並びにＹ＝４０かつ６０〈Ｚ≦８０とする）とし
た３元合金からなるので、比較的低いレーザビームパワ
ーで記録層を照射してもＩｎ５゜−８７□Ｓｂ５゜−Ｘ
／２ＴｅＸが有する速やかに結晶化する特性及び容易に
非晶質化する特性が生かされると−共に、ＩｎＴｅが有
する非晶質の安定な特性も得ることができる。
また、ＩｎＴｅは安定な組成であるので、オーバライド
操作を繰り返しても記録層を構成する３元合金の組成変
化は無い。
操作を繰り返しても記録層を構成する３元合金の組成変
化は無い。
その理由は、組成が安定なＩｎＴｅが合金Ｉｎ５０−Ｘ
／２Ｓ ｂ ５０−Ｘ／２Ｔ ｅ ｘの間に入り込んで
いるため、オーバライド時に記録層が溶融してもこの記
録層を構成する合金Ｉ ｎ ５０−Ｘ／２Ｓ ｂ ５０
−Ｘ／２Ｔ ｅ Ｘは該合金Ｉ ｎ ｑｏ−Ｘ／２Ｓ
ｂ ５０−Ｘ／２Ｔ ｅ ｘの構成原子を他の合金１
ｎ ｑｏ−ｘｙ２ｓ ｂ ５０−Ｘ／２Ｔ ｅ ｘと交
換することを損なわれ、偏析を生ずることがないからで
ある。
／２Ｓ ｂ ５０−Ｘ／２Ｔ ｅ ｘの間に入り込んで
いるため、オーバライド時に記録層が溶融してもこの記
録層を構成する合金Ｉ ｎ ５０−Ｘ／２Ｓ ｂ ５０
−Ｘ／２Ｔ ｅ Ｘは該合金Ｉ ｎ ｑｏ−Ｘ／２Ｓ
ｂ ５０−Ｘ／２Ｔ ｅ ｘの構成原子を他の合金１
ｎ ｑｏ−ｘｙ２ｓ ｂ ５０−Ｘ／２Ｔ ｅ ｘと交
換することを損なわれ、偏析を生ずることがないからで
ある。
従って、随時オーバライドのため条件の異なる光ビーム
を交互に記録層に照射し結晶相及び非晶質相を所定の幅
で交互に可逆的に形成しても、各相の複素屈折率Ｎ＝ｎ
（１−ｉｋ）（ここで、ｎは屈折率、ｋは吸収指数）
は常に安定な一定値を示す。即ち、各相の光に対する吸
収率は一定である。
を交互に記録層に照射し結晶相及び非晶質相を所定の幅
で交互に可逆的に形成しても、各相の複素屈折率Ｎ＝ｎ
（１−ｉｋ）（ここで、ｎは屈折率、ｋは吸収指数）
は常に安定な一定値を示す。即ち、各相の光に対する吸
収率は一定である。
これは、上記各相をそれぞれ通過する光信号の透過率は
常に一定であることを意味する。それで、記録層に入射
した光信号の透過率の違いがら記録層に形成された相パ
ターンを常に正確に読み取ることができる。
常に一定であることを意味する。それで、記録層に入射
した光信号の透過率の違いがら記録層に形成された相パ
ターンを常に正確に読み取ることができる。
（実施例）
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わる情報記録媒体の断面
図である。
図である。
図示するように、本実施例の情報記録媒体は記録用及び
消去用レーザビーム並びに情報再生用レザビームを透過
する基板１と、該基板１上に設けられ熱的に安定な保護
層２と、該保護層２上に設けられ情報を記録する記録層
３と、該記録層３上に設けられ保護層２と共に記録層３
を密封して保護する保護層４と、該保護層４上に積層さ
れ情報再生用レーザビームを反射する反射層５と、該反
射層５上に設けられた樹脂層６から構成される。
消去用レーザビーム並びに情報再生用レザビームを透過
する基板１と、該基板１上に設けられ熱的に安定な保護
層２と、該保護層２上に設けられ情報を記録する記録層
３と、該記録層３上に設けられ保護層２と共に記録層３
を密封して保護する保護層４と、該保護層４上に積層さ
れ情報再生用レーザビームを反射する反射層５と、該反
射層５上に設けられた樹脂層６から構成される。
ここで、基板１は、経時変化が少ない材料であるポリカ
ーボネイト製の直径５インチのディスク状基板である。
ーボネイト製の直径５インチのディスク状基板である。
記録層３は、インジウム（Ｉｎ）及びアンチモン（ｓｂ
＞並びにテルル（Ｔｅ）の３元合金を２００人の厚みに
形成したものであり、かつ化合物ＩｎＴｅと、テルルが
Ｘ原子％及びインジウムが５０−Ｘ／２原子％並びにア
ンチモンが５０−Ｘ／２原子％の合金Ｉ ｎ ５０−ｘ
ｙ２Ｓ ｂ ｑｏ−ｘｉ２Ｔ ｅ ｘ（ただし、２０≦
Ｘ≦４５の範囲内である。）とが後述するような所定の
割合からなる組成と同一の組成を有する。上記３元合金
からなる記録層３は所定のパワーレベルを有する記録用
レーザビームの照射を受けると融点（５００乃至６００
℃）を越える温度に加熱され、次いで保護層２．４にレ
ーザビーム熱が放出され非晶質化し、非晶質相７を形成
するものである。また、記録層３は所定のパワーレベル
を有する消去用レーザビームの照射を受けると結晶化温
度を越える程度の温度に加熱され、次いで保護層２．４
にレーザビーム熱が放出され結晶化し、結晶相８を形成
する。
＞並びにテルル（Ｔｅ）の３元合金を２００人の厚みに
形成したものであり、かつ化合物ＩｎＴｅと、テルルが
Ｘ原子％及びインジウムが５０−Ｘ／２原子％並びにア
ンチモンが５０−Ｘ／２原子％の合金Ｉ ｎ ５０−ｘ
ｙ２Ｓ ｂ ｑｏ−ｘｉ２Ｔ ｅ ｘ（ただし、２０≦
Ｘ≦４５の範囲内である。）とが後述するような所定の
割合からなる組成と同一の組成を有する。上記３元合金
からなる記録層３は所定のパワーレベルを有する記録用
レーザビームの照射を受けると融点（５００乃至６００
℃）を越える温度に加熱され、次いで保護層２．４にレ
ーザビーム熱が放出され非晶質化し、非晶質相７を形成
するものである。また、記録層３は所定のパワーレベル
を有する消去用レーザビームの照射を受けると結晶化温
度を越える程度の温度に加熱され、次いで保護層２．４
にレーザビーム熱が放出され結晶化し、結晶相８を形成
する。
保護層２．４は、酸化アルミニウム（Ａ１２０５）の結
晶からなる１０００人厚みの誘電体であり、熱的に安定
（ｉ１点は１３００°Ｃ程度である。）であると共に、
レーザビームに対し透明であり該保護層２．４に挟まれ
た記録層３を保護するものである。即ち、保護層２．４
は記録層３を熱的に安定した物質で密封することにより
、記録用あるいは消去用レーザビームが記録層３に照射
され、照射された部分が蒸発しなとき空洞部が形成され
るのを防ぐ。また、保護層２．４は上記レーザビムの照
射で熱せられた記録層３が融点あるいは結晶化温度を越
える程度に昇温すると共に、放熱して非晶質相あるいは
結晶相を形成する程度の熱伝導度を有し、昇温した記録
Ｊ！１３から熱を適度に吸収する。さらに、波長８３０
ｎｍの半導体レーザからなる記録再生用レーザビームが
記録層３に照射された後、記録層３及び反射層５でそれ
ぞれ反射されて基板１から出射されたとき、保護層４は
この保護層４を透過する一方のレーザビーム、即ち反射
層５で反射したレーザビームのみに光学的伝播距離を与
え、出射する上記２つのレーザビムに干渉を生じせしめ
てエンハンスし、このレザビームの強度測定を容易なら
しめる。
晶からなる１０００人厚みの誘電体であり、熱的に安定
（ｉ１点は１３００°Ｃ程度である。）であると共に、
レーザビームに対し透明であり該保護層２．４に挟まれ
た記録層３を保護するものである。即ち、保護層２．４
は記録層３を熱的に安定した物質で密封することにより
、記録用あるいは消去用レーザビームが記録層３に照射
され、照射された部分が蒸発しなとき空洞部が形成され
るのを防ぐ。また、保護層２．４は上記レーザビムの照
射で熱せられた記録層３が融点あるいは結晶化温度を越
える程度に昇温すると共に、放熱して非晶質相あるいは
結晶相を形成する程度の熱伝導度を有し、昇温した記録
Ｊ！１３から熱を適度に吸収する。さらに、波長８３０
ｎｍの半導体レーザからなる記録再生用レーザビームが
記録層３に照射された後、記録層３及び反射層５でそれ
ぞれ反射されて基板１から出射されたとき、保護層４は
この保護層４を透過する一方のレーザビーム、即ち反射
層５で反射したレーザビームのみに光学的伝播距離を与
え、出射する上記２つのレーザビムに干渉を生じせしめ
てエンハンスし、このレザビームの強度測定を容易なら
しめる。
反射層５は本実施例では１０００人の厚みを有する金（
Ａｕ）の薄膜からなる。
Ａｕ）の薄膜からなる。
樹脂層６は１０μｍの厚みを有する紫外線硬化樹脂から
形成され、表面に傷などが発生するのを防止している。
形成され、表面に傷などが発生するのを防止している。
次に、上記構成を有する情報記録媒体の製造方法につい
て説明する。
て説明する。
まず、ディスク状の基板１を酸化アルミニウム＜Ａ Ｉ
２０．）なとのターゲットを有するスパッタリング装
置の真空チャンバ内に設置し、次いでチャンバ内を適宜
の真空装置を用いて高真空にする。
２０．）なとのターゲットを有するスパッタリング装
置の真空チャンバ内に設置し、次いでチャンバ内を適宜
の真空装置を用いて高真空にする。
次に、チャンバ内にアルゴンガスを導入し、このアルゴ
ンガスで上記酸化アルミニウムのターゲットをラジオフ
リークエンシーパワー（以下、ＲｌＦ、パワーと称する
。）を投入してスパッタリングし基板１上に保護層２を
形成する。
ンガスで上記酸化アルミニウムのターゲットをラジオフ
リークエンシーパワー（以下、ＲｌＦ、パワーと称する
。）を投入してスパッタリングし基板１上に保護層２を
形成する。
次に、チャンバ内をアルゴンガス雰囲気に維持した状態
で、化合物ＩｎＴｅ及び合金Ｉｎ、。−Ｘ／２Ｓｂ、。
で、化合物ＩｎＴｅ及び合金Ｉｎ、。−Ｘ／２Ｓｂ、。
−ｘ７□ＴｅＸ （ただし、Ｘは原子％で表されており
、２０≦Ｘ≦４５の範囲内である。）の各ターゲットを
同時にアルゴンガスでスバッタリングし記録Ｎ３を成膜
する。
、２０≦Ｘ≦４５の範囲内である。）の各ターゲットを
同時にアルゴンガスでスバッタリングし記録Ｎ３を成膜
する。
ここで、上記操作でスパッタリングされる各タゲットの
スパッタリング量は予め調製されており、後述する所望
の組成からなる記録層３を得ることができる。
スパッタリング量は予め調製されており、後述する所望
の組成からなる記録層３を得ることができる。
なお、上記各ターゲットを交互にスパッタリングしても
良い。
良い。
また、ターゲットとなる化合物あるいは合金はスパッタ
リング時には原子単位で保護層２上に蒸着されるので、
インジウム（Ｉｎ）及びアンチモン（Ｓｂ）並びにテル
ル（Ｔｅ ）を各々別のターゲットとして同時にスパッ
タリングしても同し事である。
リング時には原子単位で保護層２上に蒸着されるので、
インジウム（Ｉｎ）及びアンチモン（Ｓｂ）並びにテル
ル（Ｔｅ ）を各々別のターゲットとして同時にスパッ
タリングしても同し事である。
次に、保護層２と同様に保護層４を形成する。
次いで、金（Ａｕ）のターゲットにＲ，Ｆ、パワを投入
してスパッタリングし反射層５を積層する。
してスパッタリングし反射層５を積層する。
最後に、上記操作で得られたディスクをスパッタリング
装置から取り出し、次いでスピナーにセットし、紫外線
硬化樹脂をスピンコードした後紫外線を照射して硬化さ
せ、樹脂層６を形成する。
装置から取り出し、次いでスピナーにセットし、紫外線
硬化樹脂をスピンコードした後紫外線を照射して硬化さ
せ、樹脂層６を形成する。
以上説明した情報記録媒体の製造方法を用い第２図に示
される本実施例における情報記録媒体の記録層材の組成
範囲９内でサンプルＡ群乃至サンプル２群からなる３１
枚のディスクサンプルを作成した。
される本実施例における情報記録媒体の記録層材の組成
範囲９内でサンプルＡ群乃至サンプル２群からなる３１
枚のディスクサンプルを作成した。
サンプルＡ群 ；
（（Ｉ ｎ Ｓ ｂ ） ｏ、、ｓ／２Ｔｅ Ｏ，４５
） ５ａｏ−Ｚ（丁 ｎＴｅ）Ｚ ２＝０．２０．４０．６０．８０．１００原子％サンプ
ルＢ群 ； １ （Ｉ ｎ Ｓ ｂ ） ｏ、６ｏｚｚＴ ｅ ａ、
４ｏ） ｔｏｏ−Ｚ（ＩｎＴｅ）Ｚ ２＝０．２０．４０．６０．８０原子％サンプルＣ群
； （（Ｉ ｎ Ｓ ｂ ＞ ０．６５／２”ｒｅ Ｏ，１
５５＋ １００−Ｚ（ＩｎＴｅ）Ｚ ２＝０．２０．４０．６０．８０原子％サンプルＤ群
： （（Ｉ ｎ Ｓ ｂ ） ｏ、ｔｏｉｚＴ ｅ ｏ、ｖ
ｏ） ＋ｏｏ−ｚ（ＩｎＴｅ）Ｚ ２＝０．２０．４０．６０．８０原子％サンプルＥ群 （（Ｉ ｎ Ｓ ｂ ） ｏ、ｔｑｙ２Ｔｅ ａ、ｚｓ
ｌ ｔｏｏ−ｚ（ＩｎＴｅ）Ｚ ２＝０．２０．４０．６０．８０原子％サンプルＦ群 （（Ｉ ｎ Ｓ ｂ ） ａ、５０ｚ２Ｔｅａ、ｚｏｌ
ｔｏｏ−Ｚ（ＩｎＴｅ）Ｚ ２＝０．２０．４０．６０．８０原子％即ち、サンプル
Ａ群ではＩ ｎ ５０−１：／２Ｓ ｂ ５０−Ｘ／２
ＴｅＸとしてＸ＝４５原子％原子台物を用いた。
） ５ａｏ−Ｚ（丁 ｎＴｅ）Ｚ ２＝０．２０．４０．６０．８０．１００原子％サンプ
ルＢ群 ； １ （Ｉ ｎ Ｓ ｂ ） ｏ、６ｏｚｚＴ ｅ ａ、
４ｏ） ｔｏｏ−Ｚ（ＩｎＴｅ）Ｚ ２＝０．２０．４０．６０．８０原子％サンプルＣ群
； （（Ｉ ｎ Ｓ ｂ ＞ ０．６５／２”ｒｅ Ｏ，１
５５＋ １００−Ｚ（ＩｎＴｅ）Ｚ ２＝０．２０．４０．６０．８０原子％サンプルＤ群
： （（Ｉ ｎ Ｓ ｂ ） ｏ、ｔｏｉｚＴ ｅ ｏ、ｖ
ｏ） ＋ｏｏ−ｚ（ＩｎＴｅ）Ｚ ２＝０．２０．４０．６０．８０原子％サンプルＥ群 （（Ｉ ｎ Ｓ ｂ ） ｏ、ｔｑｙ２Ｔｅ ａ、ｚｓ
ｌ ｔｏｏ−ｚ（ＩｎＴｅ）Ｚ ２＝０．２０．４０．６０．８０原子％サンプルＦ群 （（Ｉ ｎ Ｓ ｂ ） ａ、５０ｚ２Ｔｅａ、ｚｏｌ
ｔｏｏ−Ｚ（ＩｎＴｅ）Ｚ ２＝０．２０．４０．６０．８０原子％即ち、サンプル
Ａ群ではＩ ｎ ５０−１：／２Ｓ ｂ ５０−Ｘ／２
ＴｅＸとしてＸ＝４５原子％原子台物を用いた。
また同様に、サンプル８群ではＸ＝４０原子％、サンプ
ルＣ群ではＸ＝３５原千％、サンプル０群ではＸ＝３０
原子％、サンプルＥ群ではＸ＝２５原子％、サンプル２
群ではＸ−２０原子％の化合物を用いた。 次に、この
ようにして得られた情報記録媒体の初期化、情報のオー
バライド、及び情報の再生について説明する。
ルＣ群ではＸ＝３５原千％、サンプル０群ではＸ＝３０
原子％、サンプルＥ群ではＸ＝２５原子％、サンプル２
群ではＸ−２０原子％の化合物を用いた。 次に、この
ようにして得られた情報記録媒体の初期化、情報のオー
バライド、及び情報の再生について説明する。
記録層３はスパッタリングで成膜され基板１上に堆積す
るとき急冷されるので非晶質相になる。
るとき急冷されるので非晶質相になる。
それで、所定の幅からなる非晶質相の記録マークを形成
するため、記録層３を全て結晶相に相変化しなければな
らない。これが情報記録媒体の初期化である。
するため、記録層３を全て結晶相に相変化しなければな
らない。これが情報記録媒体の初期化である。
本実施例では、前述した製造方法で作成されたディスク
サンプルを１８０ Ｏｒ、ｐ、ｍで回転させ、記録層面
におけるパワーが１４ｍＷでかつ連続発光するレーザ光
を記録層のスパイラル状になった所定のトラックに照射
し、上記初期化を行った。
サンプルを１８０ Ｏｒ、ｐ、ｍで回転させ、記録層面
におけるパワーが１４ｍＷでかつ連続発光するレーザ光
を記録層のスパイラル状になった所定のトラックに照射
し、上記初期化を行った。
ここで、スパッタリングで基板１上に成膜された非晶質
相は熱的に非常に安定であるので、特にパワーが大きい
１４ｍＷの記録用レーザビームを用いた。また、記録層
の結晶化を完全に行うため、同一トラックを３回レーザ
光で照射した。
相は熱的に非常に安定であるので、特にパワーが大きい
１４ｍＷの記録用レーザビームを用いた。また、記録層
の結晶化を完全に行うため、同一トラックを３回レーザ
光で照射した。
初期化が終了した後、上記トラックに沿って非晶質相及
び結晶相が所定の幅で交互に配列されてなる相パターン
を形成し、この相パターンを読み取ることにより情報を
得ることができる。上記相パターンの形成が情報のオー
バライドである。
び結晶相が所定の幅で交互に配列されてなる相パターン
を形成し、この相パターンを読み取ることにより情報を
得ることができる。上記相パターンの形成が情報のオー
バライドである。
本実施例では、第３図に示すようにパワーレベルが最も
高いＰ ｗ ＝ １４ ｍ Ｗである記録用レーザビー
ムと、この記録用レーザビームよりも低いパワーレベル
Ｐｇ＝８ｍＷである消去用レーザビムとを用いた。つま
り、４Ｍ）（Ｚあるいは５Ｍ８２周波数に相当する周期
、即ち周波数の逆数からなる周期で上記２種のレーザビ
ームを等しい時間間隔で切り替え、次いでこれらのレー
ザビームを記録層のトラックに照射し上記オーバライド
を行った。
高いＰ ｗ ＝ １４ ｍ Ｗである記録用レーザビー
ムと、この記録用レーザビームよりも低いパワーレベル
Ｐｇ＝８ｍＷである消去用レーザビムとを用いた。つま
り、４Ｍ）（Ｚあるいは５Ｍ８２周波数に相当する周期
、即ち周波数の逆数からなる周期で上記２種のレーザビ
ームを等しい時間間隔で切り替え、次いでこれらのレー
ザビームを記録層のトラックに照射し上記オーバライド
を行った。
即ち、ディスクは所定速度で回転しているので、例えば
記録用レーザビームの照射を受けた部分は非晶質相にな
り記録マークが形成される。次いで、レーザビームの上
記切り替え周期経過後消去用レザビームの照射に切り替
えられたときには、上記非晶質相部は移動し、新たな被
照射部が消去用レーザビームの照射を受は結晶相となる
。このようにして、非晶質相及び結晶相がレーザビーム
の切り替え周期に対応した所定の幅で交互に配列されて
なる相パターンが形成される。
記録用レーザビームの照射を受けた部分は非晶質相にな
り記録マークが形成される。次いで、レーザビームの上
記切り替え周期経過後消去用レザビームの照射に切り替
えられたときには、上記非晶質相部は移動し、新たな被
照射部が消去用レーザビームの照射を受は結晶相となる
。このようにして、非晶質相及び結晶相がレーザビーム
の切り替え周期に対応した所定の幅で交互に配列されて
なる相パターンが形成される。
なお、最初のオーバライド時は初期化が既になされ、記
録層は結晶相化しているので消去用レザビームを用いる
必要はなく、記録用レーザビムのみを断続的に照射すれ
ば良い。
録層は結晶相化しているので消去用レザビームを用いる
必要はなく、記録用レーザビムのみを断続的に照射すれ
ば良い。
また、パワーレベルの切り替えは等間隔であるので、デ
ユーティ比は５０％である。
ユーティ比は５０％である。
オーバライドの終了後、記録層３を照射しても相変化を
生しせしめない程度に照射エネルギーの小さい再生用レ
ーザビームで記録層３を照射し、次いで非晶質相及び結
晶相をそれぞれ交互に透過する上記レーザビームのエネ
ルギー強度の違いを測定し相パターンを読み取る。この
非晶質相及び結晶相が所定の幅で交互に配列してなる相
パタンは２進符号系列からなるデータとみなすことがで
き、このデータを記録層に書き込まれた情報として得る
。これが情報の再生である。
生しせしめない程度に照射エネルギーの小さい再生用レ
ーザビームで記録層３を照射し、次いで非晶質相及び結
晶相をそれぞれ交互に透過する上記レーザビームのエネ
ルギー強度の違いを測定し相パターンを読み取る。この
非晶質相及び結晶相が所定の幅で交互に配列してなる相
パタンは２進符号系列からなるデータとみなすことがで
き、このデータを記録層に書き込まれた情報として得る
。これが情報の再生である。
本実施例では、再生用レーザビームとして０゜８ｍＷの
パワーレベルを有する半導体レーザビーム（波長８３０
ｎｍ）を用いた。即ち、上記レザビームを基板１から保
護層２．４及び記録層３に入射し、記録層３及び反射層
５で反射したレザビームを再び記録層３及び保護層２．
４を透過さぜ、基板１から出射した反射光を光電変換素
子で検出した。検出された反射光は再生信号としてＡ／
Ｄ変換され、スペクトロアナライザにて上記サンプルＡ
群乃至サンプルＦ群の各ディスクサンプルごとに周波数
分布が測定された。
パワーレベルを有する半導体レーザビーム（波長８３０
ｎｍ）を用いた。即ち、上記レザビームを基板１から保
護層２．４及び記録層３に入射し、記録層３及び反射層
５で反射したレザビームを再び記録層３及び保護層２．
４を透過さぜ、基板１から出射した反射光を光電変換素
子で検出した。検出された反射光は再生信号としてＡ／
Ｄ変換され、スペクトロアナライザにて上記サンプルＡ
群乃至サンプルＦ群の各ディスクサンプルごとに周波数
分布が測定された。
即ち、非晶質相あるいは結晶相を透過した再生信号は、
上記各相が４ＭＨｚあるいは５ＭＨｚ周波数でレーザビ
ームパワーを切り替えて形成されたものであるので、各
相のレーザに対する特有の透過率に基づきエネルギー強
度が変動し、この変動周期はレーザビームパワーの切り
替え周期に一致する。略言すれば、再生信号は４ＭＨｚ
あるいは５ＭＨｚの周波数になる。
上記各相が４ＭＨｚあるいは５ＭＨｚ周波数でレーザビ
ームパワーを切り替えて形成されたものであるので、各
相のレーザに対する特有の透過率に基づきエネルギー強
度が変動し、この変動周期はレーザビームパワーの切り
替え周期に一致する。略言すれば、再生信号は４ＭＨｚ
あるいは５ＭＨｚの周波数になる。
次いで、測定された周波数分布からＣ／Ｎ値を測定し、
各ディスクサンプルの記録層に記録された情報を再生し
た。
各ディスクサンプルの記録層に記録された情報を再生し
た。
ここで、Ｃ／Ｎ値は様々な周波数からなる雑音の大きさ
に対する特定周波数（４ＭＨｚあるいは５ＭＨｚ＞から
なる再生信号の大きさの比であり。
に対する特定周波数（４ＭＨｚあるいは５ＭＨｚ＞から
なる再生信号の大きさの比であり。
対数化したデシベル（ｄＢ）単位で表現される。
第４図（Ａ＞乃至第４図（Ｆ）に測定されたＣ／Ｎ値、
及びこのＣ／Ｎ値から定まる消去度を用いてディスクサ
ンプルの特性評価をした結果をサンプル群ことに示す。
及びこのＣ／Ｎ値から定まる消去度を用いてディスクサ
ンプルの特性評価をした結果をサンプル群ことに示す。
図において、横軸はＩ ｎ ５Ｇ−Ｘ、２ｓ ｂ ５０
−Ｘ／２Ｔ ｅ８とＳｂ、Ｔｅ、との合金組成と同一の
組成を示し、横軸の左端はＩｎＴｅのみの組成に対応し
、横軸の右端はＩ ｎ ５０−Ｘ／２Ｓ ｂ 、０−Ｘ
／２Ｔ ｅ Ｘのみの組成に対応する。また、左側の縦
軸はＣ／Ｎ値を示し各データを実線で結んだ折れ線に対
応し、右側の縦軸は消去度を示し各データを破線で結ん
だ折れ線に対応する。
−Ｘ／２Ｔ ｅ８とＳｂ、Ｔｅ、との合金組成と同一の
組成を示し、横軸の左端はＩｎＴｅのみの組成に対応し
、横軸の右端はＩ ｎ ５０−Ｘ／２Ｓ ｂ 、０−Ｘ
／２Ｔ ｅ Ｘのみの組成に対応する。また、左側の縦
軸はＣ／Ｎ値を示し各データを実線で結んだ折れ線に対
応し、右側の縦軸は消去度を示し各データを破線で結ん
だ折れ線に対応する。
ここで消去度は以下のように定義される。即ち、初期化
ｆ＆４ＭＨｚ周波数の記録用レーザビームで第１回目の
記録を行い、第５図（Ａ＞に示すように得られた再生信
号１０のＣ／Ｎ値が例えばＡであり、次いで５ＭＨｚ周
波数の記録用及び消去用レーザビームを用い相パターン
を変えてオーバライトしたとき、第５図（Ｂ）に示すよ
うに前回の再生信号が完全に消去されずに残った消去残
り信号１１のＣ／Ｎ値が例えばＢであった場合、再生信
号１０の大きさに対する消去残り信号１１の大きさの比
を対数化して得られるＢ−Ａの値が消去環である。
ｆ＆４ＭＨｚ周波数の記録用レーザビームで第１回目の
記録を行い、第５図（Ａ＞に示すように得られた再生信
号１０のＣ／Ｎ値が例えばＡであり、次いで５ＭＨｚ周
波数の記録用及び消去用レーザビームを用い相パターン
を変えてオーバライトしたとき、第５図（Ｂ）に示すよ
うに前回の再生信号が完全に消去されずに残った消去残
り信号１１のＣ／Ｎ値が例えばＢであった場合、再生信
号１０の大きさに対する消去残り信号１１の大きさの比
を対数化して得られるＢ−Ａの値が消去環である。
また、第５図（Ｂ）に上記オーバライドで新しく書き込
まれた情報に対応する再生信号１２のＣ／Ｎ値Ｃが示さ
れ、このＣ／Ｎ値Ｃが第４図に表示されている。
まれた情報に対応する再生信号１２のＣ／Ｎ値Ｃが示さ
れ、このＣ／Ｎ値Ｃが第４図に表示されている。
第４図に戻って、全てのサンプル群において。
ＩｎＴｅの組成に近づくに従ってＣ／Ｎ値が減少し消去
環は零値に近づく傾向が示されている。これは、明瞭な
再生信号が得られなくなると共に、誤信号を拾ってしま
う可能性が大きくなることを意味する。
環は零値に近づく傾向が示されている。これは、明瞭な
再生信号が得られなくなると共に、誤信号を拾ってしま
う可能性が大きくなることを意味する。
このような傾向になる理由は、従来技術で説明したよう
に、ＩｎＴｅの化合物を非晶質化するためには記録用レ
ーザビームとしてディスク面換算で２０乃至２５ｍＷの
パワーが必要であるにもかかわらず、本実施例ではＰＷ
＝１４ｍＷの記録用レーザビームを用いたからである。
に、ＩｎＴｅの化合物を非晶質化するためには記録用レ
ーザビームとしてディスク面換算で２０乃至２５ｍＷの
パワーが必要であるにもかかわらず、本実施例ではＰＷ
＝１４ｍＷの記録用レーザビームを用いたからである。
つまり、記録用レーザビームが記録層に照射されたにも
かかわらず結晶相が形成され、非晶質相と結晶相の相パ
ターンが崩れ、この相パターンを読み取った再生信号の
周波数はレーザビームのパワー切り替え周期と異なるも
のになり、再生信号のＣ／Ｎ値は劣化する。また、Ｃ／
Ｎ値Ａの劣化により消去環ＢＡも劣化する。
かかわらず結晶相が形成され、非晶質相と結晶相の相パ
ターンが崩れ、この相パターンを読み取った再生信号の
周波数はレーザビームのパワー切り替え周期と異なるも
のになり、再生信号のＣ／Ｎ値は劣化する。また、Ｃ／
Ｎ値Ａの劣化により消去環ＢＡも劣化する。
しかしながら、合金Ｉ ｎ ５０−ｘ／２Ｓ ｂ ５０
−ｘ／２Ｔ ｅ８の影響が寄与する領域、即ち上記合金
が６０原子％以上あるいは８０原子％以上を占める組成
領域では、合金Ｉ ｎ ５Ｇ−Ｘ／２Ｓ ｂ ５０−Ｘ
／２Ｔ ｅ ｘが有する高速結晶化特性及び非晶質化容
易特性が生かされ、Ｃ／Ｎ値及び消去環は優れた値を示
す。即ち、Ｃ／Ｎ値は３５ｄＢ以上の値を示し、消去環
は２０ｄＢ以下の値を示し、明瞭な再生信号を得られる
と共に、誤信号を拾う可能性は大幅に減少する。
−ｘ／２Ｔ ｅ８の影響が寄与する領域、即ち上記合金
が６０原子％以上あるいは８０原子％以上を占める組成
領域では、合金Ｉ ｎ ５Ｇ−Ｘ／２Ｓ ｂ ５０−Ｘ
／２Ｔ ｅ ｘが有する高速結晶化特性及び非晶質化容
易特性が生かされ、Ｃ／Ｎ値及び消去環は優れた値を示
す。即ち、Ｃ／Ｎ値は３５ｄＢ以上の値を示し、消去環
は２０ｄＢ以下の値を示し、明瞭な再生信号を得られる
と共に、誤信号を拾う可能性は大幅に減少する。
次に、全てのサンプル群に対し４ＭＨｚ周波数の記録用
及び消去用レーザビーム、及び５ＭＨｚ周波数の記録用
及び消去用レーザビームを交互に用いてオーバライドを
多数回繰り返したときの結果を第６図に示す。
及び消去用レーザビーム、及び５ＭＨｚ周波数の記録用
及び消去用レーザビームを交互に用いてオーバライドを
多数回繰り返したときの結果を第６図に示す。
即ち、第６図に第２図に示す情報記録媒体の記録層材の
組成範囲９を抜き出し拡大して示すように、３１枚のデ
ィスクサンプルが有する組成に対応する位置にＣ／Ｎ値
の特性評価の結果を示した。
組成範囲９を抜き出し拡大して示すように、３１枚のデ
ィスクサンプルが有する組成に対応する位置にＣ／Ｎ値
の特性評価の結果を示した。
例えば、１０万回以上のオーバライドの繰り返しにおい
てもＣ／Ｎ値を４５ｄＢ以上維持したディスクサンプル
には、その組成位置に優良を示す記号◎を、上記と同条
件でＣ／Ｎ値を３５ｄＢ以上維持したディスクサンプル
には良を示す記号Ｏを、１０００回乃至１万回のオーバ
ライドを繰り返すまでＣ／Ｎ値を３５ｄＢ以上維持した
ディスクサンプルには可を示す記号・を、最初のオーバ
ライドでＣ／Ｎ値が３５ｄＢ以下になってしまったディ
スクサンプルには不良を示す記号ムを記しな。
てもＣ／Ｎ値を４５ｄＢ以上維持したディスクサンプル
には、その組成位置に優良を示す記号◎を、上記と同条
件でＣ／Ｎ値を３５ｄＢ以上維持したディスクサンプル
には良を示す記号Ｏを、１０００回乃至１万回のオーバ
ライドを繰り返すまでＣ／Ｎ値を３５ｄＢ以上維持した
ディスクサンプルには可を示す記号・を、最初のオーバ
ライドでＣ／Ｎ値が３５ｄＢ以下になってしまったディ
スクサンプルには不良を示す記号ムを記しな。
第６図に示すようにオーバライドを多数回繰り返した場
合の特性評価、及び第４図に示した最初のオーバライド
後のＣ／Ｎ値並びに消去環を考慮しての特性評価を考え
合わせると、合金Ｉｎ、。−８／２Ｓ ｂ ５Ｇ−Ｘ／
２Ｔ ｅ ｘ （ただし、Ｘは原子％で表されており
、２０≦Ｘ≦４５の範囲内である。）に化合物ＩｎＴｅ
を零乃至６０原子％添加した合金（（Ｉ ｎ Ｓ ｂ
） ＋１００−Ｙｌ／２０゜Ｔ ｅ Ｙ／１００ ）
ｔｏｏ−２（ＩｎＴｅ）Ｚ（ただし、Ｙ−Ｚは原子％で
表されており、２０≦Ｙ≦４５かつ０≦Ｚ≦６０、及び
Ｙ＝３０かつ６０＜Ｚ≦８０、並びにＹ＝４０かつ６０
〈Ｚ≦８０の範囲内である。）の組成と同一の組成を有
するＩｎ−３ｂ−Ｔｅの３元合金の組成範囲では、消去
環及び多数回のオーバライド後のＣ／Ｎ値は優れた値を
示す。
合の特性評価、及び第４図に示した最初のオーバライド
後のＣ／Ｎ値並びに消去環を考慮しての特性評価を考え
合わせると、合金Ｉｎ、。−８／２Ｓ ｂ ５Ｇ−Ｘ／
２Ｔ ｅ ｘ （ただし、Ｘは原子％で表されており
、２０≦Ｘ≦４５の範囲内である。）に化合物ＩｎＴｅ
を零乃至６０原子％添加した合金（（Ｉ ｎ Ｓ ｂ
） ＋１００−Ｙｌ／２０゜Ｔ ｅ Ｙ／１００ ）
ｔｏｏ−２（ＩｎＴｅ）Ｚ（ただし、Ｙ−Ｚは原子％で
表されており、２０≦Ｙ≦４５かつ０≦Ｚ≦６０、及び
Ｙ＝３０かつ６０＜Ｚ≦８０、並びにＹ＝４０かつ６０
〈Ｚ≦８０の範囲内である。）の組成と同一の組成を有
するＩｎ−３ｂ−Ｔｅの３元合金の組成範囲では、消去
環及び多数回のオーバライド後のＣ／Ｎ値は優れた値を
示す。
即ち、Ｃ／Ｎ値は１０００回乃至１万回のオバライトを
繰り返すまで３５ｄＢ以上を維持し、また消去環は一２
０ｄＢ以下の値を示し、明瞭な再生信号が得られると共
に、誤信号を拾う可能性は大幅に減少する。
繰り返すまで３５ｄＢ以上を維持し、また消去環は一２
０ｄＢ以下の値を示し、明瞭な再生信号が得られると共
に、誤信号を拾う可能性は大幅に減少する。
また、サンプル８群及びサンプル０群において化合物Ｉ
ｎＴｅが６０乃至８０原子％を占める組成領域でも同
様にＣ／Ｎ値及び消去度は優れた値を示す。
ｎＴｅが６０乃至８０原子％を占める組成領域でも同
様にＣ／Ｎ値及び消去度は優れた値を示す。
特に、サンプルＣ群及びサンプル０群でＩｎＴｅが４０
原子％占める組成範囲、サンプルＥ群でＩ ｎＴｅが２
０乃至６０原子％占める組成範囲、並びにサンプルＦ群
で丁ｎＴｅが４０乃至６０原子％占める組成範囲では１
０万回以上のオーバライドの繰り返しを行ってもＣ／Ｎ
値は４５ｄＢ以上を維持するので、１ビ一ムオーバライ
ド方式において相変化型の記録層の材料として適用する
に、非常に明瞭な再生信号を得ることができる。
原子％占める組成範囲、サンプルＥ群でＩ ｎＴｅが２
０乃至６０原子％占める組成範囲、並びにサンプルＦ群
で丁ｎＴｅが４０乃至６０原子％占める組成範囲では１
０万回以上のオーバライドの繰り返しを行ってもＣ／Ｎ
値は４５ｄＢ以上を維持するので、１ビ一ムオーバライ
ド方式において相変化型の記録層の材料として適用する
に、非常に明瞭な再生信号を得ることができる。
このようにＣ／Ｎ値及び消去度が優れた値を示す理由は
、組成が安定な化合物ＩｎＴｅが合金Ｉｎ ５Ｇ−Ｘ／
２Ｓ ｂ ５０−Ｘ／２Ｔ ｅ Ｘの間に入り込んでい
るため、オーバライド時に合金Ｉ ｎ ５Ｏ−ｘｙｘＳ
ｂ ５０−ｘ／２ＴｅＸは該合金Ｉ ｎ ５０−Ｘ／
２Ｓ ｂ ５０−ｘｙｚＴ ｅ ｘの構成原子を他の合
金Ｉ ｎ ！＋１−Ｘ／２Ｓ ｂ ５０−Ｘ／２Ｔ ｅ
ｘの原子と交換することを損なわれ、偏析を生ずるこ
とがないからである。
、組成が安定な化合物ＩｎＴｅが合金Ｉｎ ５Ｇ−Ｘ／
２Ｓ ｂ ５０−Ｘ／２Ｔ ｅ Ｘの間に入り込んでい
るため、オーバライド時に合金Ｉ ｎ ５Ｏ−ｘｙｘＳ
ｂ ５０−ｘ／２ＴｅＸは該合金Ｉ ｎ ５０−Ｘ／
２Ｓ ｂ ５０−ｘｙｚＴ ｅ ｘの構成原子を他の合
金Ｉ ｎ ！＋１−Ｘ／２Ｓ ｂ ５０−Ｘ／２Ｔ ｅ
ｘの原子と交換することを損なわれ、偏析を生ずるこ
とがないからである。
従って、化合物Ｉ ｎＴｅのみで、あるいは合金Ｉ ｎ
５０−Ｘ／２Ｓ ｂ ５０−Ｘ／２Ｔ ｅ ｘ （
ただし、Ｘは原子％で表されており、２０≦Ｘ≦４５の
範囲内である。）のみでは得られない優れた特性、即ち
オーバライドを繰り返しても常に安定して得られる高速
結晶化特性及び非晶質化容易特性を、化合物■ｎＴｅと
合金Ｉ ｎ ５０−Ｘ／２Ｓ ｂ ５０−ｘｙｚＴ ｅ
ｘとの合金の組成と同一の組成に適宜調製することに
より得ることができる。
５０−Ｘ／２Ｓ ｂ ５０−Ｘ／２Ｔ ｅ ｘ （
ただし、Ｘは原子％で表されており、２０≦Ｘ≦４５の
範囲内である。）のみでは得られない優れた特性、即ち
オーバライドを繰り返しても常に安定して得られる高速
結晶化特性及び非晶質化容易特性を、化合物■ｎＴｅと
合金Ｉ ｎ ５０−Ｘ／２Ｓ ｂ ５０−ｘｙｚＴ ｅ
ｘとの合金の組成と同一の組成に適宜調製することに
より得ることができる。
以上において、本実施例における情報記録媒体では保護
層２及び樹脂層６を設けたが必ずしも必要はない。
層２及び樹脂層６を設けたが必ずしも必要はない。
また、本実施例では情報記録媒体の特性評価のために、
４ＭＨｚあるいは５ＭＨｚ周波数からなるレーザビーム
のパワーを切り替えることにより第４図に示されるレー
ザビームのパワーパターンを得、デユーティ比５０％で
レーザビームを記録層に照射したが、レーザビームの周
波数及びパワーパターンは上記に限られること無く自在
に変えることができ、デユーティ比も同様に変えても良
い 本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、適宜
の設計的変更により、適宜の態様で実施し得るものであ
る。
４ＭＨｚあるいは５ＭＨｚ周波数からなるレーザビーム
のパワーを切り替えることにより第４図に示されるレー
ザビームのパワーパターンを得、デユーティ比５０％で
レーザビームを記録層に照射したが、レーザビームの周
波数及びパワーパターンは上記に限られること無く自在
に変えることができ、デユーティ比も同様に変えても良
い 本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、適宜
の設計的変更により、適宜の態様で実施し得るものであ
る。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、基板と、該基板上
に設けられ光ビームの照射を受けたときその照射エネル
ギーなどの照射条件に応じて結晶相若しくは非晶質相に
可逆的に相変化する記録層から構成される情報記録媒体
において、前記記録層は、ＩｎＴｅとＩ ｎ ５０−ｘ
ｚ２Ｓ ｂ ５０−Ｘ／２ＴｅＸ （式中Ｘは２０≦
Ｘ≦４５とする）との合金（（Ｉ ｎ Ｓ ｂ ） ｕ
ｏｏ−Ｙｌ／２００ ＴｅＹｙｓｏｏ ｌ ｔｏｏ −
（ＩｎＴｅ）Ｚ（式中Ｙ、Ｚは２０≦Ｙ≦４５かつ０≦
Ｚ≦６０、及びＹ＝３０かつ６０＜Ｚ≦８０、並びにＹ
＝４０かつ６０＜Ｚ≦８０とする）と同一の組成である
３元合金からなり、組成が安定なＩｎＴｅが合金Ｉ ｎ
５０−Ｘ／２Ｓ ｔ） ５０−Ｘ／２Ｔ ｅ ｘの間
に入り込んでいるので、オーバライド時に合金Ｉ ｎ
５０−Ｘ／２Ｓ ｂ ５０−ｘｉ２Ｔｅ ｘは構成原子
を変えることを損なわれ、偏析を生ずることがないので
、１ビ一ムオーバライド方式が適用でき複雑なサホ機槽
を必要とすること無く、また要求するレザビームパワー
も比較的小さく、高速結晶化特性及び非晶質化容易特性
に代表されるオーバライド特性が良好であり、かつオー
バライド操作の繰り返しを行っても上記オーバライド特
性の劣化が生じない。
に設けられ光ビームの照射を受けたときその照射エネル
ギーなどの照射条件に応じて結晶相若しくは非晶質相に
可逆的に相変化する記録層から構成される情報記録媒体
において、前記記録層は、ＩｎＴｅとＩ ｎ ５０−ｘ
ｚ２Ｓ ｂ ５０−Ｘ／２ＴｅＸ （式中Ｘは２０≦
Ｘ≦４５とする）との合金（（Ｉ ｎ Ｓ ｂ ） ｕ
ｏｏ−Ｙｌ／２００ ＴｅＹｙｓｏｏ ｌ ｔｏｏ −
（ＩｎＴｅ）Ｚ（式中Ｙ、Ｚは２０≦Ｙ≦４５かつ０≦
Ｚ≦６０、及びＹ＝３０かつ６０＜Ｚ≦８０、並びにＹ
＝４０かつ６０＜Ｚ≦８０とする）と同一の組成である
３元合金からなり、組成が安定なＩｎＴｅが合金Ｉ ｎ
５０−Ｘ／２Ｓ ｔ） ５０−Ｘ／２Ｔ ｅ ｘの間
に入り込んでいるので、オーバライド時に合金Ｉ ｎ
５０−Ｘ／２Ｓ ｂ ５０−ｘｉ２Ｔｅ ｘは構成原子
を変えることを損なわれ、偏析を生ずることがないので
、１ビ一ムオーバライド方式が適用でき複雑なサホ機槽
を必要とすること無く、また要求するレザビームパワー
も比較的小さく、高速結晶化特性及び非晶質化容易特性
に代表されるオーバライド特性が良好であり、かつオー
バライド操作の繰り返しを行っても上記オーバライド特
性の劣化が生じない。
第１図は本発明の一実施例に係わる情報記録媒体の断面
図を示し、 第２図は第１図に示した情報記録媒体の記録層の組成範
囲を示すＩｎ−５ｂ−Ｔｅ組成図、第３図は消去用レー
ザビーム及び記録用レーザビムを交互に切り替えてなる
ビームパワーのバタンに関する説明図、 第４図（Ａ）乃至第４図（Ｆ）は作成したディスクサン
プルのＣ／Ｎ値及び消去度を示す特性図、第５図（Ａ）
及び第５図（Ｂ）は消去度を説明するための再生信号表
示図、 第６図は第２図に示す組成範囲を拡大しオーバライドを
繰り返した場合のＣ／Ｎ値に関する特性評価の説明図で
ある。 １・・基板 ３・・記録層 ６・・・樹脂層 ８・・・結晶相 ２．４・・・保護層 ５・・反射層 ７・・・非晶質相
図を示し、 第２図は第１図に示した情報記録媒体の記録層の組成範
囲を示すＩｎ−５ｂ−Ｔｅ組成図、第３図は消去用レー
ザビーム及び記録用レーザビムを交互に切り替えてなる
ビームパワーのバタンに関する説明図、 第４図（Ａ）乃至第４図（Ｆ）は作成したディスクサン
プルのＣ／Ｎ値及び消去度を示す特性図、第５図（Ａ）
及び第５図（Ｂ）は消去度を説明するための再生信号表
示図、 第６図は第２図に示す組成範囲を拡大しオーバライドを
繰り返した場合のＣ／Ｎ値に関する特性評価の説明図で
ある。 １・・基板 ３・・記録層 ６・・・樹脂層 ８・・・結晶相 ２．４・・・保護層 ５・・反射層 ７・・・非晶質相
Claims (1)
- 基板と、該基板上に設けられ光ビームの照射を受けたと
きその照射エネルギーの条件に応じて結晶相と非晶質相
との間で可逆的に相変化する記録層から構成される情報
記録媒体において、前記記録層は、ＩｎＴｅとＩｎ＿５
＿０＿−＿Ｘ＿／＿２Ｓｂ＿５＿０＿−＿Ｘ＿／＿２Ｔ
ｅ＿Ｘ（式中Ｘは２０≦Ｘ≦４５とする）との合金｛（
ＩｎＳｂ）＿（＿１＿０＿０＿−＿Ｙ＿）＿／＿２＿０
＿０Ｔｅ＿Ｙ＿／＿１＿０＿０｝＿１＿０＿０＿−＿Ｚ
（ＩｎＴｅ）＿Ｚ（式中Ｙ、Ｚは２０≦Ｙ≦４５かつ０
≦Ｚ≦６０、及びＹ＝３０かつ６０＜Ｚ≦８０、並びに
Ｙ＝４０かつ６０＜Ｚ≦８０とする）と同一の組成であ
る３元合金からなることを特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020806A JPH03224791A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 情報記録媒体 |
| US07/646,830 US5215862A (en) | 1990-01-31 | 1991-01-28 | Recording medium for information |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020806A JPH03224791A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03224791A true JPH03224791A (ja) | 1991-10-03 |
Family
ID=12037283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020806A Pending JPH03224791A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 情報記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5215862A (ja) |
| JP (1) | JPH03224791A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5367514A (en) * | 1991-11-26 | 1994-11-22 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Phase change optical recording device and method employing a laser beam with differently energized pulse portions |
| US6316131B1 (en) * | 1997-09-12 | 2001-11-13 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Large magnetoresistance in non-magnetic silver chalcogenides and new class of magnetoresistive compounds |
| US6900468B2 (en) * | 2001-02-20 | 2005-05-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Indium chalcogenide, gallium chalcogenide, and indium-gallium chalcogenide phase-change media for ultra-high-density data-storage devices |
| US20040218499A1 (en) * | 2003-05-01 | 2004-11-04 | Alison Chaiken | Ultra-high density storage and retrieval device using ordered-defect materials and methods of fabrication thereof |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3530441A (en) * | 1969-01-15 | 1970-09-22 | Energy Conversion Devices Inc | Method and apparatus for storing and retrieving information |
| CN1008845B (zh) * | 1984-12-05 | 1990-07-18 | 富士通株式会社 | 光学信息记录介质及信息的记录与擦抹的方法 |
| NL8503235A (nl) * | 1985-11-25 | 1987-06-16 | Philips Nv | Methode voor de optische registratie van informatie en een in de methode toegepast optisch registratie element. |
| JPS63251290A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Hitachi Ltd | 光記録媒体と記録・再生方法及びその応用 |
| JPS63261552A (ja) * | 1987-04-18 | 1988-10-28 | Fujitsu Ltd | 光学的情報記録媒体の製造法 |
| JPH081707B2 (ja) * | 1987-12-04 | 1996-01-10 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体 |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2020806A patent/JPH03224791A/ja active Pending
-
1991
- 1991-01-28 US US07/646,830 patent/US5215862A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5215862A (en) | 1993-06-01 |
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