JPH01103100U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01103100U JPH01103100U JP19804587U JP19804587U JPH01103100U JP H01103100 U JPH01103100 U JP H01103100U JP 19804587 U JP19804587 U JP 19804587U JP 19804587 U JP19804587 U JP 19804587U JP H01103100 U JPH01103100 U JP H01103100U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- custom
- area
- information
- semiconductor wafer
- storage circuit
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Description
第１図及び第２図はそれぞれカスタム情報記憶
回路の実施例を示す平面図、第３図はウエハを示
す平面図、第４図はウエハの一部分を示す拡大平
面図である。 ２……半導体ウエハ、６……チツプ領域、８…
…ダイシングライン、１０―１〜１０―ｎ……ポ
リシリコンパターン、１４……メタルライン、１
６，１８―１〜１８―ｎ……パツド、２０―１〜
２０―ｎ，２４……メタル層。
回路の実施例を示す平面図、第３図はウエハを示
す平面図、第４図はウエハの一部分を示す拡大平
面図である。 ２……半導体ウエハ、６……チツプ領域、８…
…ダイシングライン、１０―１〜１０―ｎ……ポ
リシリコンパターン、１４……メタルライン、１
６，１８―１〜１８―ｎ……パツド、２０―１〜
２０―ｎ，２４……メタル層。
Claims (1)
- カスタム工程で半導体ウエハのチツプ領域の不
使用領域又はダイシングライン領域に形成され、
カスタムコード等の情報に応じてパツド間の導通
の有無が定められたメモリ素子にてなるカスタム
情報記憶回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19804587U JPH01103100U (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19804587U JPH01103100U (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01103100U true JPH01103100U (ja) | 1989-07-12 |
Family
ID=31488570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19804587U Pending JPH01103100U (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01103100U (ja) |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP19804587U patent/JPH01103100U/ja active Pending