JPH01105385A - イオン注入バブルデバイス用バブル発生器 - Google Patents
イオン注入バブルデバイス用バブル発生器Info
- Publication number
- JPH01105385A JPH01105385A JP62261720A JP26172087A JPH01105385A JP H01105385 A JPH01105385 A JP H01105385A JP 62261720 A JP62261720 A JP 62261720A JP 26172087 A JP26172087 A JP 26172087A JP H01105385 A JPH01105385 A JP H01105385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- cusp
- ion implantation
- ion
- generator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
電子計算装置等の記憶装置に用いられるイオン注入バブ
ルデバイス用バブル発生器に関し、バブル発生用電流値
の低減を目的とし、イオン注入転送路のカスプ部にバブ
ル発生用のヘアピン状導体パターンのループ部が重なる
ように配置されたバブル発生器において、前記カスプ部
の後方に存在する非イオン注入領域の太さを発生器以外
の転送路のカスプのそれよりも太くなるように構成する
。
ルデバイス用バブル発生器に関し、バブル発生用電流値
の低減を目的とし、イオン注入転送路のカスプ部にバブ
ル発生用のヘアピン状導体パターンのループ部が重なる
ように配置されたバブル発生器において、前記カスプ部
の後方に存在する非イオン注入領域の太さを発生器以外
の転送路のカスプのそれよりも太くなるように構成する
。
本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられるイオン
注入バブルデバイス用バブル発生器に関する。
注入バブルデバイス用バブル発生器に関する。
イオン注入バブルデバイスは、例えばガドリニウム・ガ
リウム・ガーネット（ＧＧＧ）等の単結晶基板の上に液
相エピタキシャル成長法により磁性ガーネットの薄膜（
磁気バブル結晶）を形成し、この薄膜にイオン注入法に
よりコンテイギユアスデイスク型又はスネーク型等のイ
オン注入バブル転送路を形成したものであり、バブル発
生器により情報に従って発生させたバブルを転送路に導
き、そのパターンの所定の位置にバブルがある場合を“
１”、ない場合を“Ｏ”として情報を記録するようにな
っている。
リウム・ガーネット（ＧＧＧ）等の単結晶基板の上に液
相エピタキシャル成長法により磁性ガーネットの薄膜（
磁気バブル結晶）を形成し、この薄膜にイオン注入法に
よりコンテイギユアスデイスク型又はスネーク型等のイ
オン注入バブル転送路を形成したものであり、バブル発
生器により情報に従って発生させたバブルを転送路に導
き、そのパターンの所定の位置にバブルがある場合を“
１”、ない場合を“Ｏ”として情報を記録するようにな
っている。
第４図は従来のイオン注入バブルデバイスのバブル発生
器を示す図である。同図において、■はイオン注入領域
、２は非イオン注入領域、３は非イオン注入領域のハー
フディスクを連続させた波形のバブル転送路、４はバブ
ル転送路のカスプＡで折返すヘアピン状の導体パターン
であり、駆動磁界ＨＲが位相θ４の時に該導体パターン
４にバイアス磁界ＨＢを弱める方向の磁界を発生させる
方向の電流■、を流すことにより転送路３のカスプＡに
バブルを発生させることができるようになっている。
器を示す図である。同図において、■はイオン注入領域
、２は非イオン注入領域、３は非イオン注入領域のハー
フディスクを連続させた波形のバブル転送路、４はバブ
ル転送路のカスプＡで折返すヘアピン状の導体パターン
であり、駆動磁界ＨＲが位相θ４の時に該導体パターン
４にバイアス磁界ＨＢを弱める方向の磁界を発生させる
方向の電流■、を流すことにより転送路３のカスプＡに
バブルを発生させることができるようになっている。
上記従来のバブル発生器では転送路のカスプがティップ
部に比ベポテンシャルが深く、その分バブル発生電流を
低くできることを特徴としているが、それでもデバイス
の動作温度領域を低温側（−５５°近傍まで）に広げた
場合、その発生電流が１７５ｍＡと高くなり、これを駆
動する周辺回路に負担がかかり実用上好ましくないとい
う問題があった。
部に比ベポテンシャルが深く、その分バブル発生電流を
低くできることを特徴としているが、それでもデバイス
の動作温度領域を低温側（−５５°近傍まで）に広げた
場合、その発生電流が１７５ｍＡと高くなり、これを駆
動する周辺回路に負担がかかり実用上好ましくないとい
う問題があった。
本発明は上記問題点に鑑み、バブル発生用電流値の低減
を可能としたイオン注入バブルデバイス用バブル発生器
を提供することを目的とするものである。
を可能としたイオン注入バブルデバイス用バブル発生器
を提供することを目的とするものである。
上記目的は、イオン注入転送路３のカスプ部Ａにバブル
発生用のヘアピン状導体パターン４のループ部が重なる
ように配置されてなるバブル発生器において、前記カス
プ部Ａの後方に存在する非イオン注入領域Ｂの太さり、
を発生器以外の転送路のカスプのそれＬ２よりも太くな
るように構成したイオン注入バブルデバイス用バブル発
生器により達成される。
発生用のヘアピン状導体パターン４のループ部が重なる
ように配置されてなるバブル発生器において、前記カス
プ部Ａの後方に存在する非イオン注入領域Ｂの太さり、
を発生器以外の転送路のカスプのそれＬ２よりも太くな
るように構成したイオン注入バブルデバイス用バブル発
生器により達成される。
カスプ部Ａの後方の非イオン注入領域Ｂの太さを太くす
ることにより、カスプ部Ａのポテンシャルが深くなり、
それに伴ってバブルの消減磁界が増大し、バブルの発生
が容易となり、発生電流の低減が可能となる。
ることにより、カスプ部Ａのポテンシャルが深くなり、
それに伴ってバブルの消減磁界が増大し、バブルの発生
が容易となり、発生電流の低減が可能となる。
第１図は本発明の実施例を示す図である。同図において
、１はイオン注入領域、２は非イオン注入領域、３は非
イオン注入領域のハーフディスクを連続させて形成され
た波形のバブル転送路、４はバブル転送路のカスプＡで
折返すヘアピン状の導体パターンである。
、１はイオン注入領域、２は非イオン注入領域、３は非
イオン注入領域のハーフディスクを連続させて形成され
た波形のバブル転送路、４はバブル転送路のカスプＡで
折返すヘアピン状の導体パターンである。
本実施例は第１図に示すようにバブル転送路３のカスプ
部Ａに重なるようにヘアピン状の導体パターン４が設け
られていることは従来と同様であり、本発明の要点は、
カスプ部Ａの後に非イオン注入領域Ｂを設け、核部の非
イオン注入領域Ｂの太さＬｌを他のカスプにおける太さ
Ｌ２に比して太くしたことである。
部Ａに重なるようにヘアピン状の導体パターン４が設け
られていることは従来と同様であり、本発明の要点は、
カスプ部Ａの後に非イオン注入領域Ｂを設け、核部の非
イオン注入領域Ｂの太さＬｌを他のカスプにおける太さ
Ｌ２に比して太くしたことである。
第２図はカスプの後の非イオン注入領域の太さしとポテ
ンシャルとの関係を示す図であり、横軸にＬをとり、縦
軸にバイアス磁界をとり、曲線Ａで０．９３μｍφのバ
ブルがコラップスするときの境界を示した。なおこの曲
線の高い方がバブルトラップ力が大きいとを表わしてお
り３μｍ程度でほぼ飽和する。
ンシャルとの関係を示す図であり、横軸にＬをとり、縦
軸にバイアス磁界をとり、曲線Ａで０．９３μｍφのバ
ブルがコラップスするときの境界を示した。なおこの曲
線の高い方がバブルトラップ力が大きいとを表わしてお
り３μｍ程度でほぼ飽和する。
従って第１図の非イオン注入領域Ｂの大きさを、第２図
から求めると、バブルの直径をｄとした場μｍとした範
囲を含む矩形とすれば良い。但しバブル発生器以外の転
送路のカスプの後の非イオン注入領域は太くならないよ
うにする必要がある。
から求めると、バブルの直径をｄとした場μｍとした範
囲を含む矩形とすれば良い。但しバブル発生器以外の転
送路のカスプの後の非イオン注入領域は太くならないよ
うにする必要がある。
またＢ部の幅Ｌ３は転送路３の１周期以内が好ましい。
第３図は本実施例のバブル発生電流の温度特性を従来例
と比較して示した図であり、曲線Ａで本実施例を示し、
曲線Ｂで従来例を示した。同図に示すように本実施例に
おけるバブル発生電流は３０℃において、従来例の１０
０−から７０ｍＡと３割低減させることができた。また
−５５℃においても同様に３割の低減が実現できた。
と比較して示した図であり、曲線Ａで本実施例を示し、
曲線Ｂで従来例を示した。同図に示すように本実施例に
おけるバブル発生電流は３０℃において、従来例の１０
０−から７０ｍＡと３割低減させることができた。また
−５５℃においても同様に３割の低減が実現できた。
以上説明したように、本実施によれば、イオン注入バブ
ルデバイスのバブル発生器において、そのカスプ背後の
非イオン注入領域を他のカスプ背後の非イオン注入領域
より太くすることにより、バブル発生電流の低減を実現
したバブル発生器を提供することができる。
ルデバイスのバブル発生器において、そのカスプ背後の
非イオン注入領域を他のカスプ背後の非イオン注入領域
より太くすることにより、バブル発生電流の低減を実現
したバブル発生器を提供することができる。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図はカスプの後の非イオン注入領域の太さとポテン
シャルの関係を示す図、 第３図は本発明の実施例のバブル発生電流の温度特性を
従来例と比較して示した図、 第４図は従来のイオン注入バブルデバイス用バブル発生
器を示す図である。 図において、 １はイオン注入領域、 ２、Ｂは非イオン注入領域、 ３はイオン注入バブル転送路、 ４は導体パターン、 を示す。
シャルの関係を示す図、 第３図は本発明の実施例のバブル発生電流の温度特性を
従来例と比較して示した図、 第４図は従来のイオン注入バブルデバイス用バブル発生
器を示す図である。 図において、 １はイオン注入領域、 ２、Ｂは非イオン注入領域、 ３はイオン注入バブル転送路、 ４は導体パターン、 を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イオン注入転送路（３）のカスプ部（Ａ）にバブル
発生用のヘアピン状導体パターン（４）のループ部が重
なるように配置されてなるバブル発生器において、 前記カスプ部（Ａ）の後方に存在する非イオン注入領域
（Ｂ）の太さ（Ｌ＿１）を発生器以外の転送路のカスプ
のそれ（Ｌ＿２）よりも太くなるように構成したことを 特徴とするイオン注入バブルデバイス用バブル発生器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62261720A JPH01105385A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | イオン注入バブルデバイス用バブル発生器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62261720A JPH01105385A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | イオン注入バブルデバイス用バブル発生器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01105385A true JPH01105385A (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=17365771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62261720A Pending JPH01105385A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | イオン注入バブルデバイス用バブル発生器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01105385A (ja) |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP62261720A patent/JPH01105385A/ja active Pending
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