JPS63201980A - 磁気バブル発生器 - Google Patents
磁気バブル発生器Info
- Publication number
- JPS63201980A JPS63201980A JP62033433A JP3343387A JPS63201980A JP S63201980 A JPS63201980 A JP S63201980A JP 62033433 A JP62033433 A JP 62033433A JP 3343387 A JP3343387 A JP 3343387A JP S63201980 A JPS63201980 A JP S63201980A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- conductor pattern
- loop
- generated
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気バブル発生器であって、軟磁性薄膜パターンと組合
わされるヘアピン状コンダクタパターンを、その平行す
る少なくとも２本のパターンの適宜な位置でスルーホー
ル技術を用いて交差させることによりバブル発生時のバ
ブルの伸び過ぎを防止し誤動作を防止可能とする。
わされるヘアピン状コンダクタパターンを、その平行す
る少なくとも２本のパターンの適宜な位置でスルーホー
ル技術を用いて交差させることによりバブル発生時のバ
ブルの伸び過ぎを防止し誤動作を防止可能とする。
本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられる磁気バ
ブルメモリ装置の磁気バブル発生器に関するものである
。
ブルメモリ装置の磁気バブル発生器に関するものである
。
磁気バブルメモリ素子は、例えばガドリニウム・ガリウ
ム・ガーネット単結晶等の非磁性基板の上に液相エピタ
キシャル成長法により磁性ガーネットの薄膜を形成し、
その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を用いたハーフディ
スク型又は非対称シェブロン型等のパターンを行列させ
たバブル転送路を形成したものであり、バブル発生器よ
り情報に従って発生させたバブルを転送路に導き、その
パターンにバブルがある場合を“１”、ない場合を０゛
として情報を記憶するようになっている。
ム・ガーネット単結晶等の非磁性基板の上に液相エピタ
キシャル成長法により磁性ガーネットの薄膜を形成し、
その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を用いたハーフディ
スク型又は非対称シェブロン型等のパターンを行列させ
たバブル転送路を形成したものであり、バブル発生器よ
り情報に従って発生させたバブルを転送路に導き、その
パターンにバブルがある場合を“１”、ない場合を０゛
として情報を記憶するようになっている。
第２図は従来より広（知られている磁気バブル発生器を
示す図である。これは同図に示すようにバブル結晶１の
上にスペーサ２を介してヘアピン状のコンダクタパター
ン３が形成され、その上に絶縁層４を介してパーマロイ
等の軟磁性薄膜パターン５が形成され、ヘアピン状のコ
ンダクタパターン３にジェネレート電流を流した時に生
ずる吸引磁界でバブルを発生させるようになっている。
示す図である。これは同図に示すようにバブル結晶１の
上にスペーサ２を介してヘアピン状のコンダクタパター
ン３が形成され、その上に絶縁層４を介してパーマロイ
等の軟磁性薄膜パターン５が形成され、ヘアピン状のコ
ンダクタパターン３にジェネレート電流を流した時に生
ずる吸引磁界でバブルを発生させるようになっている。
上記従来の磁気バブル発生器では、磁気バブルメモリ素
子の高密度化によりバブル径が小さくなると、第３図に
示すように、発生したバブル６がヘアピンの内側にそっ
て伸び枝分れをおこし、電流が切れたあとちぎれて本来
のバブルと余分なバブルに分れるエラーが発生し易くな
る。特にバイアス磁界の低い側、あるいはジェネレート
電流の大きい側で起り易くなる。
子の高密度化によりバブル径が小さくなると、第３図に
示すように、発生したバブル６がヘアピンの内側にそっ
て伸び枝分れをおこし、電流が切れたあとちぎれて本来
のバブルと余分なバブルに分れるエラーが発生し易くな
る。特にバイアス磁界の低い側、あるいはジェネレート
電流の大きい側で起り易くなる。
本発明はこのような点にかんがみて創作されたもので、
余分なバブルの発生を抑えることができる磁気バブル発
生器を提供することを目的としている。
余分なバブルの発生を抑えることができる磁気バブル発
生器を提供することを目的としている。
このため本発明においては、第１図に例示するヨウに、
軟磁性薄膜パターン５とヘアピン状コンダクタパターン
３が組合わされてバブル結晶１上に形成される磁気バブ
ル発生器において、上記ヘアピン状コンダクタパターン
３の隣接する少な（とも２本のパターン３ａ、３ｂをス
ルーホールを用いて交差させループ状にしたことを特徴
としている。
軟磁性薄膜パターン５とヘアピン状コンダクタパターン
３が組合わされてバブル結晶１上に形成される磁気バブ
ル発生器において、上記ヘアピン状コンダクタパターン
３の隣接する少な（とも２本のパターン３ａ、３ｂをス
ルーホールを用いて交差させループ状にしたことを特徴
としている。
コンダクタパターン３をループ状にすることによりバブ
ルの伸びをループ内にとじこめることができ、伸び過ぎ
による余分なバブルの発生を防止することが可能となる
。
ルの伸びをループ内にとじこめることができ、伸び過ぎ
による余分なバブルの発生を防止することが可能となる
。
第１図は本発明の実施例を示す図であり、ａは平面図、
ｂはａ図のｂ−ｂ線における拡大断面図である。
ｂはａ図のｂ−ｂ線における拡大断面図である。
本実施例は第１図に示すように軟磁性薄膜パターン５と
ヘアピン状のコンダクタパターン３とが組み合わされて
いることは第２図で説明した従来例と同様であり、本実
施例の要点は、ヘアピン状コンダクタパターン３のほぼ
平行に隣接する２本のパターン３ａ、３ｂをスルーホー
ル技術ヲ用いて交差させたことである。すなわち平行す
る２本のパターン３ａ、３ｂのうちの１本３ａを途中で
切断し、その引出し′ＭＡ３Ｃをパターン３ｂを挾んで
反対側に設けておき、絶１ｉ１！１４にスルーホール７
及び８をあけ、導体９によりパターン３ａと引出し線３
Ｃを接続したものである。なおスルーホールで接続する
にはメッキ等による方法がある。
ヘアピン状のコンダクタパターン３とが組み合わされて
いることは第２図で説明した従来例と同様であり、本実
施例の要点は、ヘアピン状コンダクタパターン３のほぼ
平行に隣接する２本のパターン３ａ、３ｂをスルーホー
ル技術ヲ用いて交差させたことである。すなわち平行す
る２本のパターン３ａ、３ｂのうちの１本３ａを途中で
切断し、その引出し′ＭＡ３Ｃをパターン３ｂを挾んで
反対側に設けておき、絶１ｉ１！１４にスルーホール７
及び８をあけ、導体９によりパターン３ａと引出し線３
Ｃを接続したものである。なおスルーホールで接続する
にはメッキ等による方法がある。
このように構成された本実施例はヘアピン状コンダクタ
パターン３が導体９によりループ状になっているためジ
ェネレート電流ｉを矢印方向に流したときにできる強い
吸引磁界はこのループ内Ａ部のみに生じ、Ｂ部には反発
磁界が生ずる。このため発生したバブルはループ内にと
じこめられる。
パターン３が導体９によりループ状になっているためジ
ェネレート電流ｉを矢印方向に流したときにできる強い
吸引磁界はこのループ内Ａ部のみに生じ、Ｂ部には反発
磁界が生ずる。このため発生したバブルはループ内にと
じこめられる。
従って従来の如き枝分かれはなく、余分なバブルの発生
は防止される。
は防止される。
以上述べてきたように、本発明によれば、容易に余分な
バブルの発生が抑えられ、ジェネレート電流の電流マー
ジンを上げることができる。またチップ温度が高い場合
（８０℃〜９０℃程度）でも十分な電流マージンが得ら
れ、従来このような場合に必要とした温度補償の手段を
不要とすることができる等、実用的には極めて有用であ
る。
バブルの発生が抑えられ、ジェネレート電流の電流マー
ジンを上げることができる。またチップ温度が高い場合
（８０℃〜９０℃程度）でも十分な電流マージンが得ら
れ、従来このような場合に必要とした温度補償の手段を
不要とすることができる等、実用的には極めて有用であ
る。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は従来の磁気バブル発生器、を示す図、第３図は
従来の磁気バブル発生器の不具合を説明するための図で
ある。 第１図において、 ｌはバブル結晶、 ２はスペーサ、３はヘアピン
状コンダクタパターン、 ４は絶縁層、 ５は軟磁性薄膜パターン、 ７．８はスルーホール、 ９は導体である。
従来の磁気バブル発生器の不具合を説明するための図で
ある。 第１図において、 ｌはバブル結晶、 ２はスペーサ、３はヘアピン
状コンダクタパターン、 ４は絶縁層、 ５は軟磁性薄膜パターン、 ７．８はスルーホール、 ９は導体である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、軟磁性薄膜パターン（５）とヘアピン状コンダクタ
パターン（３）が組合わされてバブル結晶（１）上に形
成される磁気バブル発生器において、 上記ヘアピン状コンダクタパターン（３）の隣接する少
なくとも２本のパターン（３ａ、３ｂ）をスルーホール
を用いて交差させループ状にしたことを特徴とした磁気
バブル発生器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033433A JPS63201980A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 磁気バブル発生器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033433A JPS63201980A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 磁気バブル発生器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63201980A true JPS63201980A (ja) | 1988-08-22 |
Family
ID=12386405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62033433A Pending JPS63201980A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 磁気バブル発生器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63201980A (ja) |
-
1987
- 1987-02-18 JP JP62033433A patent/JPS63201980A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63201980A (ja) | 磁気バブル発生器 | |
| US4561069A (en) | Magnetic bubble memory device gates | |
| JPS592991B2 (ja) | 磁気バブルデバイスのマイナル−プ構成法 | |
| JPS5829192A (ja) | 磁気バブルメモリのレプリケ−トゲ−ト | |
| JPS59909B2 (ja) | バブル磁区分割器 | |
| JPH01105384A (ja) | バブル磁区分割器 | |
| JPS5867006A (ja) | 積層垂直磁化膜 | |
| JPS6216290A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS6338795B2 (ja) | ||
| US4236226A (en) | Magnetic domain device | |
| JPS63157395A (ja) | 磁気バブル拡大器 | |
| JPS6374193A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS60171690A (ja) | 磁気バブル記憶素子 | |
| JPS6145312B2 (ja) | ||
| JPS613387A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS6275994A (ja) | 複合型磁気バブル装置 | |
| JPS62214581A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPH01201893A (ja) | 磁気バブル検出器 | |
| JPS6136316B2 (ja) | ||
| JPS5990289A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPH01192076A (ja) | ブロッホラインメモリ素子 | |
| JPS5928290A (ja) | イオン注入バブルメモリ素子 | |
| JPS5827908B2 (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS5990288A (ja) | 磁気バブル転送回路 | |
| JPH01125790A (ja) | 磁気記憶素子 |