JPS60145592A - 磁気バブル素子 - Google Patents
磁気バブル素子Info
- Publication number
- JPS60145592A JPS60145592A JP59001648A JP164884A JPS60145592A JP S60145592 A JPS60145592 A JP S60145592A JP 59001648 A JP59001648 A JP 59001648A JP 164884 A JP164884 A JP 164884A JP S60145592 A JPS60145592 A JP S60145592A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- plain
- magnetic field
- becomes
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 helium ions Chemical class 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 241000047703 Nonion Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はコンティキーアスディスクイオン注入バブル素
子、よりくわしくはコンティキーアスディスクパターン
エッジ近傍におけるイオン注入層の異方性磁場の分布形
状に関するものである。
子、よりくわしくはコンティキーアスディスクパターン
エッジ近傍におけるイオン注入層の異方性磁場の分布形
状に関するものである。
イオン注入バブル素子はコンテイギユアスディスク状の
マスクパターンを金などで形成したのち、ヘリウムイオ
ンなどによりイオン注入することにヨリ、パターンエツ
ジ近くのイオン注入層にできるチャージドウオールによ
り磁気バブルを転送するバブル素子である。このような
イオン注入バブル素子においては、バブルの安定な転送
をはかるためには強いチャージドウオールの、なめらか
な移動が必要である。ジャーナル・オブ・アプライド・
フィジックス第５３巻５８１５頁（Ｊａｒｎａｌｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 、 Ｖｏｌ 、 ５
３ ＋ ５８１５ ）に述べられているように、チャー
ジドウオールはパターンエツジ近傍の歪の緩和にもとづ
いて形成されるので、チャージドウオールを強くするた
めには、イオン注入層の注入歪を大きくすればそれにと
もなって強く々る。ところが歪を大きくして、面内異方
性磁界を大きくした場合には、第１図に示すように、チ
ャージドウオール近くのパターンエツジには、チャージ
ドウオールとは逆符号のチャージが発生し、そのチャー
ジもまた強くなる。
マスクパターンを金などで形成したのち、ヘリウムイオ
ンなどによりイオン注入することにヨリ、パターンエツ
ジ近くのイオン注入層にできるチャージドウオールによ
り磁気バブルを転送するバブル素子である。このような
イオン注入バブル素子においては、バブルの安定な転送
をはかるためには強いチャージドウオールの、なめらか
な移動が必要である。ジャーナル・オブ・アプライド・
フィジックス第５３巻５８１５頁（Ｊａｒｎａｌｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ 、 Ｖｏｌ 、 ５
３ ＋ ５８１５ ）に述べられているように、チャー
ジドウオールはパターンエツジ近傍の歪の緩和にもとづ
いて形成されるので、チャージドウオールを強くするた
めには、イオン注入層の注入歪を大きくすればそれにと
もなって強く々る。ところが歪を大きくして、面内異方
性磁界を大きくした場合には、第１図に示すように、チ
ャージドウオール近くのパターンエツジには、チャージ
ドウオールとは逆符号のチャージが発生し、そのチャー
ジもまた強くなる。
このため結果的にはチャージドウオールがかえって弱く
なり、あるいはバブルの転送が不安屋になり、イオン注
入バブル素子の技術上の問題点となっている。
なり、あるいはバブルの転送が不安屋になり、イオン注
入バブル素子の技術上の問題点となっている。
本発明は上述の従来のイオン注入バブル素子のチャージ
ドウオール形成の問題点に解決を与えるものである。
ドウオール形成の問題点に解決を与えるものである。
すなわち、本発明の素子は、イオン注入層の面内磁気異
方性磁界が、パターンエツジ部にて最大であり、該パタ
ーンエツジ部から離れるにしたがって漸次小さくなり、
転送ループ間の中央にて最小であるとともに、面内磁気
異方性磁界の最大値が、最小値より少なくとも１０％以
上大きい。
方性磁界が、パターンエツジ部にて最大であり、該パタ
ーンエツジ部から離れるにしたがって漸次小さくなり、
転送ループ間の中央にて最小であるとともに、面内磁気
異方性磁界の最大値が、最小値より少なくとも１０％以
上大きい。
以下実施例を示して詳細に説明する。
ＧＧＧ基板上にＹ。、３８ ｍ 。、２ Ｌ ｕ １．
４６ Ｂ １ ’６．３Ｃａ ｏ、７５Ｂ’ ｅ 、２
５Ｇ ｅ ｏ４ｇ Ｏ□２組成のガーネットをＬＰＥ法
にて形成した。金を用いたコンティキーアスディスクパ
ターンマスクを形成後ｓ Ｈｅ ’ｅ （１００ｋｅＶ
。
４６ Ｂ １ ’６．３Ｃａ ｏ、７５Ｂ’ ｅ 、２
５Ｇ ｅ ｏ４ｇ Ｏ□２組成のガーネットをＬＰＥ法
にて形成した。金を用いたコンティキーアスディスクパ
ターンマスクを形成後ｓ Ｈｅ ’ｅ （１００ｋｅＶ
。
３．８Ｘ１０１′／／Ｃｔｌ）Ｔ （４０ｋｅＶ 、
１．８Ｘ１ ｏ１５／Ｃｎ）の条件で二重イオン注入し
た。金マスクパターンを剥離して、第２図に示すように
イオン注入層（２２）上に５ｉ０２３０００人厚のパタ
ーン（２３）を形成した。次に、水素ガス雰囲気中２５
０℃の条件で１０分間アニールした。
１．８Ｘ１ ｏ１５／Ｃｎ）の条件で二重イオン注入し
た。金マスクパターンを剥離して、第２図に示すように
イオン注入層（２２）上に５ｉ０２３０００人厚のパタ
ーン（２３）を形成した。次に、水素ガス雰囲気中２５
０℃の条件で１０分間アニールした。
このようなプロセスを行うことにより、第２図（２４）
に示すように、パターンエツジ部（２５）で面内異方性
磁界が最大となり、５ｉ０２のパターン下の中央で最小
となる。これは特願昭５８−１２６７１６号に示されて
いるように、水素雰囲気アニールを行うことによシ、イ
オン注入ｊ曽に水素が拡散し、その部分の異方性磁場変
化△Ｈｋを大きくするという効果にもとづくものである
。このようなプロセスを行ったバブル素子においては次
にのべるような利点があられれだ。第１に、最小駆動峰
界が約１００ｅ低下した。これはパターンエツジに沿う
異方性が強められたためと思われる。第２に最小バイア
ス磁界が約１００ｅ低下し、バイアスマージンが広がっ
た。これは、バブルがループ間をとびうつるエラーが低
下したためである。面内磁気異方性磁界の最大値と最小
値との差が、最小値０１０％未満の場合には、実験誤差
範囲で改善効果はみとめられなかった。
に示すように、パターンエツジ部（２５）で面内異方性
磁界が最大となり、５ｉ０２のパターン下の中央で最小
となる。これは特願昭５８−１２６７１６号に示されて
いるように、水素雰囲気アニールを行うことによシ、イ
オン注入ｊ曽に水素が拡散し、その部分の異方性磁場変
化△Ｈｋを大きくするという効果にもとづくものである
。このようなプロセスを行ったバブル素子においては次
にのべるような利点があられれだ。第１に、最小駆動峰
界が約１００ｅ低下した。これはパターンエツジに沿う
異方性が強められたためと思われる。第２に最小バイア
ス磁界が約１００ｅ低下し、バイアスマージンが広がっ
た。これは、バブルがループ間をとびうつるエラーが低
下したためである。面内磁気異方性磁界の最大値と最小
値との差が、最小値０１０％未満の場合には、実験誤差
範囲で改善効果はみとめられなかった。
イオン注入層上に形成する水素ガス雰囲気アニールに対
するマスクは、５ｉ０２の他にＡｌ２Ｏ５などの無機材
料でも、また、Ａｕなどの金属材料であっても同様の効
果がある。また、その形状は第３図に示すようにパター
ンエツジより約１μｍ（４μｍ周期パターンの場合）離
して、パターンに沿って形成された場合でも、また、第
４図に示すような単にループ間にストライプ状のマスク
を形成したよシ簡単な形状であっても同様な効果がある
。また、この技術によυ、ループ間飛び移りを抑制する
ことができるので、ループ周期を従来の１μｍバブルに
対する８μｍ周期から７μｍ周期に減小することも可能
である。
するマスクは、５ｉ０２の他にＡｌ２Ｏ５などの無機材
料でも、また、Ａｕなどの金属材料であっても同様の効
果がある。また、その形状は第３図に示すようにパター
ンエツジより約１μｍ（４μｍ周期パターンの場合）離
して、パターンに沿って形成された場合でも、また、第
４図に示すような単にループ間にストライプ状のマスク
を形成したよシ簡単な形状であっても同様な効果がある
。また、この技術によυ、ループ間飛び移りを抑制する
ことができるので、ループ周期を従来の１μｍバブルに
対する８μｍ周期から７μｍ周期に減小することも可能
である。
以上のべたように、本発明により、磁気バブル素子の低
消費電力化、高信頼化、尚密度化を達成できる。
消費電力化、高信頼化、尚密度化を達成できる。
第１図はチャージドウオールと面内磁化成分が大きくな
ったときにできる逆符号のチャージとを示す図、第２図
はイオン注入層の上に形成された水素雰囲気アニールに
対するマスクおよび面内磁気異方性磁界−ＨｋＩがマス
ク中心で最小となシバターンエツジ部で最大となってい
ることを示す図、第３図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ
水素芥囲気アニールに対するマスクの形状を示す平面図
および断面図ならびに第４図（ａ）および（ｂ）はそれ
ぞれ他のマスクの形状を示す平面図および断面図である
。 図において、３１．４１・゛°°°°非イオン注入部パ
ターン、３２．４２・・・・・・マスク、３３．４３・
・・・・・イオン注入層。 第１図 １４ １ 第２に 第３図 （り） ３ 寿４図 （８）
ったときにできる逆符号のチャージとを示す図、第２図
はイオン注入層の上に形成された水素雰囲気アニールに
対するマスクおよび面内磁気異方性磁界−ＨｋＩがマス
ク中心で最小となシバターンエツジ部で最大となってい
ることを示す図、第３図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ
水素芥囲気アニールに対するマスクの形状を示す平面図
および断面図ならびに第４図（ａ）および（ｂ）はそれ
ぞれ他のマスクの形状を示す平面図および断面図である
。 図において、３１．４１・゛°°°°非イオン注入部パ
ターン、３２．４２・・・・・・マスク、３３．４３・
・・・・・イオン注入層。 第１図 １４ １ 第２に 第３図 （り） ３ 寿４図 （８）
Claims (1)
- コンテイギユアスディスク・イオン注入磁気バブル素子
において、イオン注入層の面内磁気異方性仏界が、コン
テイギユアスディスク・パターンエツジ部にて最大であ
り、該エツジ部から離れるにしたがっ′Ｃ漸次小さくな
り、転送ループ間の中央に°Ｃ最小であるとともに、面
内磁気異方性仏界の最大値が、最小値より少なくとも１
０％以上大きいことを特徴とする磁気バブル素子３、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59001648A JPS60145592A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 磁気バブル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59001648A JPS60145592A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 磁気バブル素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145592A true JPS60145592A (ja) | 1985-08-01 |
Family
ID=11507332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59001648A Pending JPS60145592A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 磁気バブル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145592A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4711694A (en) * | 1984-11-12 | 1987-12-08 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for producing a layer having a high magnetic anisotropy in a ferrimagnetic garnet |
-
1984
- 1984-01-09 JP JP59001648A patent/JPS60145592A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4711694A (en) * | 1984-11-12 | 1987-12-08 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for producing a layer having a high magnetic anisotropy in a ferrimagnetic garnet |
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