JPH01105912A - 液晶電気光学素子 - Google Patents
液晶電気光学素子Info
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- JPH01105912A JPH01105912A JP26317487A JP26317487A JPH01105912A JP H01105912 A JPH01105912 A JP H01105912A JP 26317487 A JP26317487 A JP 26317487A JP 26317487 A JP26317487 A JP 26317487A JP H01105912 A JPH01105912 A JP H01105912A
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶素子に関し、特にカイラルスメクチック液
晶を用いた液晶素子に関する。
晶を用いた液晶素子に関する。
液晶素子は、第２図に示すように少なくとも透明１！極
を有する基体１．ポリイミド等のラビング処理層２．封
入液晶３．スペーサー４で構成されており、特に、ラビ
ング処理層２は封入液晶３の初期配向を制御するうえで
必要不可決な構成要素である。
を有する基体１．ポリイミド等のラビング処理層２．封
入液晶３．スペーサー４で構成されており、特に、ラビ
ング処理層２は封入液晶３の初期配向を制御するうえで
必要不可決な構成要素である。
従来、ネマチック液晶を用いた液晶素子においては、液
晶の初期配向を制御するために、配向処理方法として、
ポリイミド等の有機物を上下基体上に塗布しラビング処
理を行う、もしくは、上下基体上にＳｉＯ等の斜方蒸着
を行う等が一般的に用いられている。
晶の初期配向を制御するために、配向処理方法として、
ポリイミド等の有機物を上下基体上に塗布しラビング処
理を行う、もしくは、上下基体上にＳｉＯ等の斜方蒸着
を行う等が一般的に用いられている。
しかしながら、強誘電性スメクチック液晶においては、
ネマチック液晶とは分子の凝集状態が異なり、現行の配
向処理方法では、均一な、スメクチック液晶の良好なモ
ノドメインが得られにくい一方、たとえモノドメインが
得られたとしてもメモリー性が良好な配向になるとは限
らない。すなわち、強誘電性スメクチック液晶特有の記
憶効果は液晶分子の配向のみでなく液晶と基体表面の相
互作用に帰因するエネルギー準位に大きく影響される。
ネマチック液晶とは分子の凝集状態が異なり、現行の配
向処理方法では、均一な、スメクチック液晶の良好なモ
ノドメインが得られにくい一方、たとえモノドメインが
得られたとしてもメモリー性が良好な配向になるとは限
らない。すなわち、強誘電性スメクチック液晶特有の記
憶効果は液晶分子の配向のみでなく液晶と基体表面の相
互作用に帰因するエネルギー準位に大きく影響される。
又、急峻なしきい値特性も液晶のみでなく、液晶の接す
る基体表面の状態が重要な因子となっている。我々は、
以前、特開昭５９−２１４８２４号で述べたように、−
基体表面にポリイミドを塗布し、さらにラビング処理を
行□い、他の一方は、透明電極を有する基体表面を無処
理のまま使用し、強誘電性スメクチック液晶を封入した
液晶電気光学装置を製造した。しかしながら、配向は非
常に良好であったが、前述の記ｔホ効果及びしきい値の
急峻性は充分なものではなかった。
る基体表面の状態が重要な因子となっている。我々は、
以前、特開昭５９−２１４８２４号で述べたように、−
基体表面にポリイミドを塗布し、さらにラビング処理を
行□い、他の一方は、透明電極を有する基体表面を無処
理のまま使用し、強誘電性スメクチック液晶を封入した
液晶電気光学装置を製造した。しかしながら、配向は非
常に良好であったが、前述の記ｔホ効果及びしきい値の
急峻性は充分なものではなかった。
強誘電性液晶の配向処理方法として簡便なポリイミド膜
のラビング方法には、もう一つ大きな問題点がある。そ
れは、双安定状態における見かけの開き角がラビングす
る事によって小さくなる事である。
のラビング方法には、もう一つ大きな問題点がある。そ
れは、双安定状態における見かけの開き角がラビングす
る事によって小さくなる事である。
ラビング法は、液晶セルに一軸性を付与し、液晶分子は
液晶本来の開き角（分子の傾き角の２倍の値であり以降
２θと略す）の位置からラビング軸の方向へ、液晶分子
が引き寄せられる結果である事が脇田らＫよって報告さ
れている。
液晶本来の開き角（分子の傾き角の２倍の値であり以降
２θと略す）の位置からラビング軸の方向へ、液晶分子
が引き寄せられる結果である事が脇田らＫよって報告さ
れている。
（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐ
ｏｒｔ。
ｏｒｔ。
Ｖｏ１３５．Ｎｏ１ １１’ｅ’ｂ、１９８７ ）さら
に、特開昭６１−４２６１８号において、我々は、強誘
電性液晶の配向方法として液晶性を示す高分子化合物を
配向膜として用いる方法を示したが、製造工程において
、磁界を用いた場合は、高分子化合物の配向にかなりの
時間がかかり、生産性が劣る。又は、量産時の歩留シも
悪いという問題点がある。
に、特開昭６１−４２６１８号において、我々は、強誘
電性液晶の配向方法として液晶性を示す高分子化合物を
配向膜として用いる方法を示したが、製造工程において
、磁界を用いた場合は、高分子化合物の配向にかなりの
時間がかかり、生産性が劣る。又は、量産時の歩留シも
悪いという問題点がある。
本発明は、上記問題点を解決するためのものであり、そ
の目的は、メモリー性が安定かつ良好なしきい値特性を
示す生産性の良い液晶電気光学素子を提供する事である
。
の目的は、メモリー性が安定かつ良好なしきい値特性を
示す生産性の良い液晶電気光学素子を提供する事である
。
本発明は、電極を有する基体表面の液晶の配向処理層と
して高分子化合物を用いる事を特徴としている。さらに
詳細に述べるならば、前記高分子化合物が液晶性を示す
高分子化合物であり、かつ前記液晶性高分子をラビング
を用いて配向させ、その液晶性高分子を配向膜として用
いる事を特徴としている。
して高分子化合物を用いる事を特徴としている。さらに
詳細に述べるならば、前記高分子化合物が液晶性を示す
高分子化合物であり、かつ前記液晶性高分子をラビング
を用いて配向させ、その液晶性高分子を配向膜として用
いる事を特徴としている。
以下に実施例を挙げ本発明を具体的に説明するが、本発
明の効果は本実施例で使用した化合物。
明の効果は本実施例で使用した化合物。
液晶材料に限定されるものではなく、他の高分子化合物
もしくは、他の液晶材料を用いても同様の効果を得るこ
とができる・。
もしくは、他の液晶材料を用いても同様の効果を得るこ
とができる・。
なお、第１図に本発明の液晶″ｄ！、気光学素子の一例
の断面図を示した。１は透明電極を有する基体、２はポ
リイミド等の高分子化合物のラビング処理ｊ−１３は液
晶、４はスペーサー、５は配向した高分子化合物の１−
を表す。
の断面図を示した。１は透明電極を有する基体、２はポ
リイミド等の高分子化合物のラビング処理ｊ−１３は液
晶、４はスペーサー、５は配向した高分子化合物の１−
を表す。
実施例−１
透明電極を有する２枚の基体表面にスピンナーを用いて
ポリイミドを塗布し、２７０℃で３０分焼成した。その
後、一方の基体表面にラビング処理を行った。
ポリイミドを塗布し、２７０℃で３０分焼成した。その
後、一方の基体表面にラビング処理を行った。
次に示す構造式の高分子液晶化合物
（”０−ｏ−０（ＣＨ２）ｓ Ｏ＋０−Ｏ−ｏ−０（Ｏ
Ｈ２）ｔｏ ｏ台ｏ−＋ｎのα７ｗｔ％テトラハイドロ
フラン溶液を調製し、前記ラビング処理を行った１基体
表面にスピンナーを用いて塗布した。１５０℃で１５分
熱処理を行い、テトラハイドロ７ランをとばし本高分子
化合物を液晶状態に保ち、ラビング方向に配向させた。
Ｈ２）ｔｏ ｏ台ｏ−＋ｎのα７ｗｔ％テトラハイドロ
フラン溶液を調製し、前記ラビング処理を行った１基体
表面にスピンナーを用いて塗布した。１５０℃で１５分
熱処理を行い、テトラハイドロ７ランをとばし本高分子
化合物を液晶状態に保ち、ラビング方向に配向させた。
このようにして得られた配向処理済み２枚の基体をスペ
ーサーを介して接着密封し強誘電性液晶を加圧もしくは
減圧注入し液晶′ｔｊＬ気光学素子を作成した。本セル
内において、強誘電性液晶はラビング方向、すなわち、
高分子液晶化合物の分子長軸方向に配向し、均一なモノ
ドメインとなっていた。用いた強誘電性液晶化合物は、
チッソ社製、Ｏ３−１０１１である。本液晶セルに±１
５■のパルスを印加しメモリー性を評価したところメモ
リー時の開き角は３１度であった。
ーサーを介して接着密封し強誘電性液晶を加圧もしくは
減圧注入し液晶′ｔｊＬ気光学素子を作成した。本セル
内において、強誘電性液晶はラビング方向、すなわち、
高分子液晶化合物の分子長軸方向に配向し、均一なモノ
ドメインとなっていた。用いた強誘電性液晶化合物は、
チッソ社製、Ｏ３−１０１１である。本液晶セルに±１
５■のパルスを印加しメモリー性を評価したところメモ
リー時の開き角は３１度であった。
実施例−２
透明電極を有する２枚の基体表面にスピンナーを用いて
ポリイミドを塗布し、２７０℃で６０分焼成した。その
後、２枚の基体表面にラビング処理を行った。
ポリイミドを塗布し、２７０℃で６０分焼成した。その
後、２枚の基体表面にラビング処理を行った。
次に示す構造式の高分子化合物
の０．７ ｗ ｔ％テトラハイドロフラン溶液を調製し
、前記ラビング処理を行った２枚の基体表面に、スピン
ナーを用いて塗布した。１６０℃で１５分熱処理を行い
テトラハイドロフランをとハシ、本高分子化合物な液晶
状態に保ちラビング方向に配向させた。このようにして
得られた配向処理済み２枚の基体をスペーサーを介して
接着密封し強誘電性液晶を加圧もしくは減圧注入し液晶
電気光学素子を作成した。本セル内において、強誘電性
液晶はラビング方向、すなわち、高分子液晶化合物の分
子長軸方向に配向し、均一なモノドメインとなっていた
。用いた強誘電性液晶化合物は、チッソ社製Ｃ！３−１
０１１である。本液晶セルに±１５Ｖのパルスを印加し
メモリー性を評価したところメモリー状態の開き角は３
０度であった。
、前記ラビング処理を行った２枚の基体表面に、スピン
ナーを用いて塗布した。１６０℃で１５分熱処理を行い
テトラハイドロフランをとハシ、本高分子化合物な液晶
状態に保ちラビング方向に配向させた。このようにして
得られた配向処理済み２枚の基体をスペーサーを介して
接着密封し強誘電性液晶を加圧もしくは減圧注入し液晶
電気光学素子を作成した。本セル内において、強誘電性
液晶はラビング方向、すなわち、高分子液晶化合物の分
子長軸方向に配向し、均一なモノドメインとなっていた
。用いた強誘電性液晶化合物は、チッソ社製Ｃ！３−１
０１１である。本液晶セルに±１５Ｖのパルスを印加し
メモリー性を評価したところメモリー状態の開き角は３
０度であった。
実施例−３
透明電極を有する１枚の基体表面にスピンナーを用いて
ポリイミドを塗布し、２７０’Ｏで３ｏ分焼成した。そ
の後前記基体表面にラビング処理を行った。
ポリイミドを塗布し、２７０’Ｏで３ｏ分焼成した。そ
の後前記基体表面にラビング処理を行った。
次に示す構造式の高分子化合物
＋０−＠−ｃｏｏ−＠−０００（ＯＨ，）ａ ｃｏ−）
、 のα５％りｏ。
、 のα５％りｏ。
ホルム溶液を調製し、前記ラビング処理を行った１基体
弐面にスピンナーを用いて塗布した。
弐面にスピンナーを用いて塗布した。
８０℃で１５分間熱処理を行いクロロホルムを蒸発せし
め、本高分子化合物を液晶状態に保ちラビング方向に配
向させた。このようにして得られた配向処理済み２基体
を実施例１と同様にして液晶電気光学素子を作成した。
め、本高分子化合物を液晶状態に保ちラビング方向に配
向させた。このようにして得られた配向処理済み２基体
を実施例１と同様にして液晶電気光学素子を作成した。
本セル内においても強誘電性液晶はラビング方向、すな
わち、高分子液晶化合物の分子長軸方向に配向し、均一
なモノドメインとなっていた。用いた強誘電性液晶化合
物はチッソ社製Ｏ３−１０１１である。本液晶セルに±
１５Ｖのパルスを印加しメモリー性を評価したところメ
モリー時の開き角は２９度であった冥施例−４ 実施例１及び２における高分子化合物を次に示す構造式 ％式％） の高分子化合物に変え、実施例１及び２と同様にして液
晶電気光学素子を作成したところ、実施例１及び２と同
様の効果が得られた。
わち、高分子液晶化合物の分子長軸方向に配向し、均一
なモノドメインとなっていた。用いた強誘電性液晶化合
物はチッソ社製Ｏ３−１０１１である。本液晶セルに±
１５Ｖのパルスを印加しメモリー性を評価したところメ
モリー時の開き角は２９度であった冥施例−４ 実施例１及び２における高分子化合物を次に示す構造式 ％式％） の高分子化合物に変え、実施例１及び２と同様にして液
晶電気光学素子を作成したところ、実施例１及び２と同
様の効果が得られた。
参考例−１
透明電極を有する２枚の基体表面にスピンナーを用いて
ｌリイミドを塗布し、２７０℃で３０分焼成した。その
後２枚の基体表面にラビング処理を行った。このように
して得られた配向処理済み２基体をスペーサーを介して
接着密封し、強誘電性液晶を加圧、もしくは減圧封入し
液晶電気光学素子を作成した。本セル内において、強誘
電性液晶分子はラビング方向に配向し、均一なモノドメ
イン性を示した。用いた液晶はチッソ社製Ｃ５−１０１
１である。本液晶セルに±１５Ｖのパルスを印加しメモ
リー性を評価したところメモリー時の開き角は１３度で
あった。
ｌリイミドを塗布し、２７０℃で３０分焼成した。その
後２枚の基体表面にラビング処理を行った。このように
して得られた配向処理済み２基体をスペーサーを介して
接着密封し、強誘電性液晶を加圧、もしくは減圧封入し
液晶電気光学素子を作成した。本セル内において、強誘
電性液晶分子はラビング方向に配向し、均一なモノドメ
イン性を示した。用いた液晶はチッソ社製Ｃ５−１０１
１である。本液晶セルに±１５Ｖのパルスを印加しメモ
リー性を評価したところメモリー時の開き角は１３度で
あった。
参考例−２
透明電極を有する２枚の基体表面にスピンナーを用いて
ポリイミドを塗布し、２７０℃で３０分焼成した。その
後１基体表面にラビング処理を行った。このようにして
、得られた配向処理済み２基体をスペーサーを介して接
着密封し、強誘電性液晶を加圧、もしくは減圧封入し液
晶！気光学素子を作成した。本セル内において、強誘電
性液晶分子はラビング方向に配向し、均一なモノドメイ
ン性を示した。用いた液晶はチップ社製Ｏ３−１０１１
である。本液晶セルに±１５Ｖのパルスを印加しメモリ
ー性を評価したところメモリー時の開き角は１５度であ
った。
ポリイミドを塗布し、２７０℃で３０分焼成した。その
後１基体表面にラビング処理を行った。このようにして
、得られた配向処理済み２基体をスペーサーを介して接
着密封し、強誘電性液晶を加圧、もしくは減圧封入し液
晶！気光学素子を作成した。本セル内において、強誘電
性液晶分子はラビング方向に配向し、均一なモノドメイ
ン性を示した。用いた液晶はチップ社製Ｏ３−１０１１
である。本液晶セルに±１５Ｖのパルスを印加しメモリ
ー性を評価したところメモリー時の開き角は１５度であ
った。
本発明の効果は、前記実施例及び参考例を参照すれば明
らかである。すなわち、従来高分子化合物をケリイミド
のラビング処理を配向処理方法としたメモリー時の開き
角は１５度前後となるのに対し、本発明では高分子化合
物をラビング処理で配向せしめた配向膜を配向処理層と
して用いた場合はそのメモリー時の開き角は３０度前後
となり明るく、コントラストの高い液晶電気□光学素子
を提供する事ができる。
らかである。すなわち、従来高分子化合物をケリイミド
のラビング処理を配向処理方法としたメモリー時の開き
角は１５度前後となるのに対し、本発明では高分子化合
物をラビング処理で配向せしめた配向膜を配向処理層と
して用いた場合はそのメモリー時の開き角は３０度前後
となり明るく、コントラストの高い液晶電気□光学素子
を提供する事ができる。
第１図は、本発明の液晶電気光学素子の一例の断面図で
ある。第２図は、従来の液晶電気光学素子の断面図の一
例を示す図である。 １・・・・・・透ｕＡ電極を有する基体２・・・・・・
ざリイミド等のラビング処理層３・・・・・・封入液晶 ４・・・・・・スペーサー ５・・・・・・配向した高分子化合物の層板上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最上務（他１名） ｔ：）、 （、＋、’、、９．．。
ある。第２図は、従来の液晶電気光学素子の断面図の一
例を示す図である。 １・・・・・・透ｕＡ電極を有する基体２・・・・・・
ざリイミド等のラビング処理層３・・・・・・封入液晶 ４・・・・・・スペーサー ５・・・・・・配向した高分子化合物の層板上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最上務（他１名） ｔ：）、 （、＋、’、、９．．。
Claims (4)
- （１）電極を有する基体表面の液晶の配向処理層として
、高分子化合物を用いる事を特徴とする液晶電気光学素
子。 - （２）上記高分子化合物が、液晶性を示す高分子化合物
である事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶
電気光学素子。 - （３）上記高分子化合物の分子長軸が一方向に揃った状
態である事を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
項記載の液晶電気光学素子。 - （４）上記高分子化合物の分子長軸を一方向に揃える手
段として、ラビング方法を用いる事を特徴とする特許請
求の範囲第１項、第２項又は第３項のいずれかに記載の
液晶電気光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26317487A JPH01105912A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 液晶電気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26317487A JPH01105912A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 液晶電気光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01105912A true JPH01105912A (ja) | 1989-04-24 |
Family
ID=17385800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26317487A Pending JPH01105912A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 液晶電気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01105912A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002023164A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-23 | Nec Corp | 液晶表示方法、液晶表示装置、及び、それの製造装置 |
| JP2005258429A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-09-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JP2006323214A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JP2006323215A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶表示素子および液晶表示素子の製造方法 |
| JP2006323222A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶表示素子および液晶表示素子の製造方法 |
| JP2009025826A (ja) * | 2008-09-12 | 2009-02-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶表示素子および液晶表示素子の製造方法 |
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| US7892449B2 (en) | 2005-05-19 | 2011-02-22 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Liquid crystal display and manufacturing method of same |
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