JPH01106071A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH01106071A JPH01106071A JP62262714A JP26271487A JPH01106071A JP H01106071 A JPH01106071 A JP H01106071A JP 62262714 A JP62262714 A JP 62262714A JP 26271487 A JP26271487 A JP 26271487A JP H01106071 A JPH01106071 A JP H01106071A
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- JP
- Japan
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- layer
- photoconductive layer
- content
- surface layer
- boron
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子写真感光体に関する。
従来の技術
近年、支持体上に非晶質ケイ素系感光層を有する電子写
真感光体について、種々のものが提案されている。この
様な非晶質ケイ素系光導電層を有する電子写真感光体は
、機械的強度、汎色性、長波長感度に優れた特性を有す
るものであるが、更に電子写真特性の改善のために、光
導電層を電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離した機能
分離型のもの、或いは、表面層を設け、感光層に硼素を
含有させ、表面層を設けたもの等が提案されている（例
えば特開昭６０−１１２０４８号公報参照〉。
真感光体について、種々のものが提案されている。この
様な非晶質ケイ素系光導電層を有する電子写真感光体は
、機械的強度、汎色性、長波長感度に優れた特性を有す
るものであるが、更に電子写真特性の改善のために、光
導電層を電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離した機能
分離型のもの、或いは、表面層を設け、感光層に硼素を
含有させ、表面層を設けたもの等が提案されている（例
えば特開昭６０−１１２０４８号公報参照〉。
発明が解決しようとする問題点
ところで、従来提案されている表面層を設けた非晶質ケ
イ素系感光層を有する電子写真感光体においては、非晶
質ケイ素感光層に硼素を添加した場合、硼素濃度及びそ
の上に設ける表面層の材質によっては、感光体の電子写
真特性が良好でなく、又、画像流れが生じる場合があり
、特に、表面層が窒素化非晶質ケイ素膜により構成され
ている場合には、未だ十分な解明はなされていず、電子
写真感光体として、満足な結果が得られない場合があっ
た。
イ素系感光層を有する電子写真感光体においては、非晶
質ケイ素感光層に硼素を添加した場合、硼素濃度及びそ
の上に設ける表面層の材質によっては、感光体の電子写
真特性が良好でなく、又、画像流れが生じる場合があり
、特に、表面層が窒素化非晶質ケイ素膜により構成され
ている場合には、未だ十分な解明はなされていず、電子
写真感光体として、満足な結果が得られない場合があっ
た。
本発明は、この様な問題点に鑑みてなされたものである
。
。
したがって、本発明の目的は、窒素含有非晶質ケイ素よ
りなる表面層を有する電子写真感光体において、暗減衰
、感度、帯電性の点で優れた電子写真特性を有し、又、
得られるコピー画像に像流れや画像ぼけを生じることが
ないものを提供することにある。
りなる表面層を有する電子写真感光体において、暗減衰
、感度、帯電性の点で優れた電子写真特性を有し、又、
得られるコピー画像に像流れや画像ぼけを生じることが
ないものを提供することにある。
問題点を解決するための手段及び作用
本発明者等は、感光層に含有される硼素含量と表面層の
窒素含量との間に特定の関係がおることを見出だし、本
発明を完成するに至った。
窒素含量との間に特定の関係がおることを見出だし、本
発明を完成するに至った。
本発明の電子写真感光体は、支持体上に、電荷注入阻止
層、非晶質ケイ素を主体とする第１光導電層、硼素を含
有する非晶質ケイ素からなる第２光導電層及び窒素化非
晶質ケイ素系表面層を順次積層してなるものであって、
該第２光導電層における非晶質ケイ素が３ｐｐｍ以上の
硼素を含有し、又、該表面層における少なくとも第２光
導電層との接合部からの距離が１００人以内の領域での
窒素原子の含有割合が、ケイ素原子に対して原子比で０
．５以上であり、且つ、第２光導電層の硼素含量と、該
表面層における少なくとも第２光導電層との接合部から
の距離が１００人以内の領域での窒素原子の含有割合と
が、次式（Ｉ）の関係にあることを特徴とする。
層、非晶質ケイ素を主体とする第１光導電層、硼素を含
有する非晶質ケイ素からなる第２光導電層及び窒素化非
晶質ケイ素系表面層を順次積層してなるものであって、
該第２光導電層における非晶質ケイ素が３ｐｐｍ以上の
硼素を含有し、又、該表面層における少なくとも第２光
導電層との接合部からの距離が１００人以内の領域での
窒素原子の含有割合が、ケイ素原子に対して原子比で０
．５以上であり、且つ、第２光導電層の硼素含量と、該
表面層における少なくとも第２光導電層との接合部から
の距離が１００人以内の領域での窒素原子の含有割合と
が、次式（Ｉ）の関係にあることを特徴とする。
Ｂ≧１０ （９Ｎ−５°”） （Ｉ ＞（但し
、式中、Ｂは第２光導電層の硼素含量（ｐｐｍ）であり
、Ｎは表面層のケイ素原子に対する窒素原子の原子比で
ある） 以下、本発明の詳細な説明する。
、式中、Ｂは第２光導電層の硼素含量（ｐｐｍ）であり
、Ｎは表面層のケイ素原子に対する窒素原子の原子比で
ある） 以下、本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明によって製造された電子写真感光体の
模式的断面図である。図中、１は支持体、２は電荷注入
阻止層、３は第１光導電層、４は第２光導電層、５は表
面層である。
模式的断面図である。図中、１は支持体、２は電荷注入
阻止層、３は第１光導電層、４は第２光導電層、５は表
面層である。
本発明を実施するに際して、支持体としては、導電性支
持体及び絶縁性支持体のいずれをも用いることができる
が、絶縁性支持体を用いる場合には、少なくとも他の層
と接触する面が導電ｆｆｉ理されていることが必要でお
る。導電性支持体としては、ステンレススチール、アル
ミニウム等の金属或いは合金等がめげられ、絶縁性支持
体としては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボ
ネート、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂フィル
ム又はシート、ガラス、セラミック、紙等がめげられる
。
持体及び絶縁性支持体のいずれをも用いることができる
が、絶縁性支持体を用いる場合には、少なくとも他の層
と接触する面が導電ｆｆｉ理されていることが必要でお
る。導電性支持体としては、ステンレススチール、アル
ミニウム等の金属或いは合金等がめげられ、絶縁性支持
体としては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボ
ネート、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂フィル
ム又はシート、ガラス、セラミック、紙等がめげられる
。
支持体上には電荷注入阻止層が設けられる。電荷注入層
は５０〜５０００ｐｐｍの硼素が含有する非晶質ケイ素
により構成されるのが好ましく、又、その膜厚は０．５
〜１０／ｆｆｌ程度が望ましい。
は５０〜５０００ｐｐｍの硼素が含有する非晶質ケイ素
により構成されるのが好ましく、又、その膜厚は０．５
〜１０／ｆｆｌ程度が望ましい。
電荷注入阻止層の上には第１光導電層が形成される。第
１光導電層は、非晶質ケイ素を主体とし、必要に応じて
、硼素その他のドーピング元素が含まれる。硼素の場合
には、Ｏ〜３ｐｐｍの範囲が好ましい。又、第１光導電
層の膜厚は、１〜１００Ｊ１７１＋の範囲に設定される
。
１光導電層は、非晶質ケイ素を主体とし、必要に応じて
、硼素その他のドーピング元素が含まれる。硼素の場合
には、Ｏ〜３ｐｐｍの範囲が好ましい。又、第１光導電
層の膜厚は、１〜１００Ｊ１７１＋の範囲に設定される
。
第１光導電層の上には第２光導電層が形成されるが、第
２光導電層を構成する非晶質ケイ素は、３ｐｐｍ以上の
硼素を含有することが必要でおり、好ましくは、５〜４
００ｐｐｍの範囲の硼素が含有される。
２光導電層を構成する非晶質ケイ素は、３ｐｐｍ以上の
硼素を含有することが必要でおり、好ましくは、５〜４
００ｐｐｍの範囲の硼素が含有される。
硼素含量が３ｐｐｍより低くなると、十分なコピー画像
が得られなくなる。又、第２光導電層の膜厚は、０．１
〜１０１Ｍ１の範囲に設定される。
が得られなくなる。又、第２光導電層の膜厚は、０．１
〜１０１Ｍ１の範囲に設定される。
これら電荷注入阻止層、第１光導電層及び第２光導電層
は、グロー放電分解法によって、形成することができる
。例えば、プラズマＣＶＤ装置内に支持体を配置し、原
料ガスを導入することによって行われるが、原料ガスと
しては、シランまたはシラン誘導体に、必要に応じてジ
ボラン（８２Ｈ６）ガスを加えたものが用いられる。シ
ランまたはシラン誘導体としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ
２ ト１６ 、５ｉＣ１４、５ｉＨＣ１３、ＳｉＨ２
ＣＩ２ 、 Ｓ！ （ＣＨ３）４ 、 Ｓ！３
ト１８ 、Ｓ’４８１０などをあげることができる
。
は、グロー放電分解法によって、形成することができる
。例えば、プラズマＣＶＤ装置内に支持体を配置し、原
料ガスを導入することによって行われるが、原料ガスと
しては、シランまたはシラン誘導体に、必要に応じてジ
ボラン（８２Ｈ６）ガスを加えたものが用いられる。シ
ランまたはシラン誘導体としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ
２ ト１６ 、５ｉＣ１４、５ｉＨＣ１３、ＳｉＨ２
ＣＩ２ 、 Ｓ！ （ＣＨ３）４ 、 Ｓ！３
ト１８ 、Ｓ’４８１０などをあげることができる
。
又、この場合、シランガスと同時に水素ガスを導入して
もよい。
もよい。
成膜条イ１としては、交流放電を例にとると、周波数ｓ
ｏｔ＋ｚ 〜５ＧＨｚ、反応器内圧１０−’ 〜５Ｔｏ
ｒｒ、放電電力１０〜２０００也支持体温度３０〜３０
０℃の範囲で適宜設定される。
ｏｔ＋ｚ 〜５ＧＨｚ、反応器内圧１０−’ 〜５Ｔｏ
ｒｒ、放電電力１０〜２０００也支持体温度３０〜３０
０℃の範囲で適宜設定される。
第２光導電層の上に設けられる表面層は、窒素化非晶質
ケイ素よりなり、そして、窒素原子の含有割合が、ケイ
素原子に対して原子比で０．５以上であることが必要で
ある。窒素原子のケイ素原子に対する割合が０．５より
も低い場合には、電子写真感光体の短波長の光に対する
感度が低くなる。
ケイ素よりなり、そして、窒素原子の含有割合が、ケイ
素原子に対して原子比で０．５以上であることが必要で
ある。窒素原子のケイ素原子に対する割合が０．５より
も低い場合には、電子写真感光体の短波長の光に対する
感度が低くなる。
表面層は、単層構成で、膜全体にわたり均一窒素濃度を
有するものであってもよいし、濃度勾配を設けてもよい
。又、濃度の異なる窒素化非晶質ケイ素層を複数設けて
もよいが、少なくとも第２光導電層との接合部からの距
離が１００人以内の領域での窒素原子の含有割合が、ケ
イ素原子に対して原子比で０．５以上であり、且つ、第
２光導電層の硼素含量と、該表面層における少なくとも
第２光導電層との接合部からの距離が１００人以内の領
域での窒素原子の含有割合とが、前記式（Ｉ＞の関係に
あることが必要でおる。
有するものであってもよいし、濃度勾配を設けてもよい
。又、濃度の異なる窒素化非晶質ケイ素層を複数設けて
もよいが、少なくとも第２光導電層との接合部からの距
離が１００人以内の領域での窒素原子の含有割合が、ケ
イ素原子に対して原子比で０．５以上であり、且つ、第
２光導電層の硼素含量と、該表面層における少なくとも
第２光導電層との接合部からの距離が１００人以内の領
域での窒素原子の含有割合とが、前記式（Ｉ＞の関係に
あることが必要でおる。
表面層は、上記各光導電層におけると同様にプラズマＣ
ＶＤ装置内に原料ガスを導入してグロー放電分解を行う
ことにより形成されるが、その際、原料ガスとしてはシ
ランガスとアンモニアガスとが用いられる。そして、形
成される表面層の、ケイ素原子に対する窒素原子の原子
比が０．５以上になるように、シランガスに対するアン
モニアガスの流量比を制御して導入する。
ＶＤ装置内に原料ガスを導入してグロー放電分解を行う
ことにより形成されるが、その際、原料ガスとしてはシ
ランガスとアンモニアガスとが用いられる。そして、形
成される表面層の、ケイ素原子に対する窒素原子の原子
比が０．５以上になるように、シランガスに対するアン
モニアガスの流量比を制御して導入する。
その他の成膜条件としては、交流放電を例にとると、周
波数５０Ｈｚ〜５Ｇｔｌｚ、反応器内圧１０−４〜５Ｔ
。
波数５０Ｈｚ〜５Ｇｔｌｚ、反応器内圧１０−４〜５Ｔ
。
ｒｒ、放電電力１０〜２０００Ｗの範囲で適宜設定され
る。
る。
又、表面層の膜厚は、０．１〜１０即の範囲で設定され
る。
る。
本発明においては、更に、第２光導電層の硼素含量と表
面層の窒素含量とが、上記式（Ｉ＞の関係にあることが
必要である。この式は、コピー画像の画質の評価の実験
結果に基づき決定されたものであって、第２光導電層の
硼素含量と表面層の窒素含量との関係が、この式を逸脱
すると、画像流れや画像ぼけが生じる。
面層の窒素含量とが、上記式（Ｉ＞の関係にあることが
必要である。この式は、コピー画像の画質の評価の実験
結果に基づき決定されたものであって、第２光導電層の
硼素含量と表面層の窒素含量との関係が、この式を逸脱
すると、画像流れや画像ぼけが生じる。
実施例
以下、本発明を実施例によって説明する。
実施例１
円筒状支持体上への非晶質ケイ素膜の生成が可能な容量
結合型プラズマＣＶＤ装置を用い、シラン（Ｓ ｉ Ｈ
４）ガス及びジボラン（８２Ｈ６）ガスの混合体をグロ
ー放電分解することにより、円筒状アルミニウム支持体
上に約を４＃ｌの膜厚を有する電荷注入阻止層を形成し
た。このときの成膜条件は次の通りであった。
結合型プラズマＣＶＤ装置を用い、シラン（Ｓ ｉ Ｈ
４）ガス及びジボラン（８２Ｈ６）ガスの混合体をグロ
ー放電分解することにより、円筒状アルミニウム支持体
上に約を４＃ｌの膜厚を有する電荷注入阻止層を形成し
た。このときの成膜条件は次の通りであった。
１００％シランガス流１ ： １５０７／ｍｉｎ２０
０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量： １５０−ｍ／
ｍｉｎ反応器内圧＝０．５Ｔｏｒｒ 放電電力 ： ２００ｗ 放電時間 ：１ｈｒ 放電周波数： １３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃ 電荷注入阻止層を形成した後、反応器内にシランガス及
びジボランガスの混合体を導入してグロー放電分解を行
うことにより、電荷注入阻止層上に約２０μｍの膜厚を
有する第１光導電層を形成した。このときの成膜条件は
次の通りであった。
０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量： １５０−ｍ／
ｍｉｎ反応器内圧＝０．５Ｔｏｒｒ 放電電力 ： ２００ｗ 放電時間 ：１ｈｒ 放電周波数： １３．５６ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃ 電荷注入阻止層を形成した後、反応器内にシランガス及
びジボランガスの混合体を導入してグロー放電分解を行
うことにより、電荷注入阻止層上に約２０μｍの膜厚を
有する第１光導電層を形成した。このときの成膜条件は
次の通りであった。
１００％シランガス流量： ２００ＣＩｉｔ／ｍｉｎ
１００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流ｉｔ： ４ｒｍ
／ｍｉｎ反応器内圧： ０．８Ｔｏｒｒ 放電電力 ： ２００ｗ 放電時間 ：４ｈｒ 放電周波数＝１・３．５６聞ｌ 支持体温度：２５０℃ 形成された第１光導電層の硼素含量は２ｐｐｍであった
。
１００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流ｉｔ： ４ｒｍ
／ｍｉｎ反応器内圧： ０．８Ｔｏｒｒ 放電電力 ： ２００ｗ 放電時間 ：４ｈｒ 放電周波数＝１・３．５６聞ｌ 支持体温度：２５０℃ 形成された第１光導電層の硼素含量は２ｐｐｍであった
。
第１光導電層を形成した後、反応器内を十分排気し、次
いでシランガス及びジボランガスの混合体を導入してグ
ロー放電分解を行うことにより、第１光導電層上に１μ
ｍの膜厚を有する第２光導電層を形成した。このときの
成膜条件は次の通りであった。
いでシランガス及びジボランガスの混合体を導入してグ
ロー放電分解を行うことにより、第１光導電層上に１μ
ｍの膜厚を有する第２光導電層を形成した。このときの
成膜条件は次の通りであった。
１００％シランガス流量： ２００７／ｍｉｎＩＱＯ
ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２０ｃＩｉ／１ｌｌ
ｉｎ反応器内圧： ０．８ＴＯｒｒ 放電電力 ： ２００ｗ 放電時間 ： １２ｍ１ｎ 放電周波数： １３．５８ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃ 形成された第２光導電層の硼素含量はｉｏｐｐｍであっ
た。
ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：２０ｃＩｉ／１ｌｌ
ｉｎ反応器内圧： ０．８ＴＯｒｒ 放電電力 ： ２００ｗ 放電時間 ： １２ｍ１ｎ 放電周波数： １３．５８ＭＨｚ 支持体温度：２５０℃ 形成された第２光導電層の硼素含量はｉｏｐｐｍであっ
た。
第２光導電層を形成した後、反応器内を十分排気し、次
いでシランガス、水素ガス及びアンモニアガスの混合体
を導入してグロー放電分解することによって、第２光導
電層上に約０８３ＩＩＭの膜厚を有する表面層を形成し
た。この時の製造条件は次の通りであった。
いでシランガス、水素ガス及びアンモニアガスの混合体
を導入してグロー放電分解することによって、第２光導
電層上に約０８３ＩＩＭの膜厚を有する表面層を形成し
た。この時の製造条件は次の通りであった。
１００％シランガス流ｆｆｉ： ２５ｃｆｆｌ／＋ｎ
１ｎ１００％水素ガス流量： １００Ｃｉ／ｍ１ｎ１
００％アンモニアガス流ｆｆｌ ： ３５ＣＩｉ／ｍｉ
ｎ反応−器内圧： ０．５Ｔｏｒｒ 放電電力 ：５０ｗ 放電時間 ：１ｈｒ 放電周波数： １３．５６８？ｌＺ 支持体温［： ２５０℃ この表面層のケイ素原子に対する窒素原子の原子数比は
、０．６５であった。
１ｎ１００％水素ガス流量： １００Ｃｉ／ｍ１ｎ１
００％アンモニアガス流ｆｆｌ ： ３５ＣＩｉ／ｍｉ
ｎ反応−器内圧： ０．５Ｔｏｒｒ 放電電力 ：５０ｗ 放電時間 ：１ｈｒ 放電周波数： １３．５６８？ｌＺ 支持体温［： ２５０℃ この表面層のケイ素原子に対する窒素原子の原子数比は
、０．６５であった。
１ｑられだ電子写真感光体を、温度２０℃、相対湿度１
５％において表面電位＋５００Ｖに帯電し、像露光して
感度を調べたところ、半減露光ｆｆ１Ｅ５０は、波長６
００ ｎｍにおいて５８「ｇ／Ｃ／ｌであり、残留電位
は＋１０ Ｑであった。又、得られた画像は優れた解像
度を有していた（７ Ｄ ｐ／ｍｍ）。
５％において表面電位＋５００Ｖに帯電し、像露光して
感度を調べたところ、半減露光ｆｆ１Ｅ５０は、波長６
００ ｎｍにおいて５８「ｇ／Ｃ／ｌであり、残留電位
は＋１０ Ｑであった。又、得られた画像は優れた解像
度を有していた（７ Ｄ ｐ／ｍｍ）。
実施例２及び３及び比較例１〜４
上記実施例１におけると同様にして電荷注入阻止層及び
第１光導電層を形成した。次いで、実施例１におけるジ
ボランガスの導入量を第１表に示す通りに変更した以外
は同様にして第２光導電層を形成し、更に、アンモニア
ガスとシランガスとの導入量を第１表に示す通りに変更
した以外は同様にして表面層を形成した。得られた電子
写真感光体を用いて、実施例１におけると同様にしてコ
ピー画像を形成したところ、第１表に示される結果が得
られた。
第１光導電層を形成した。次いで、実施例１におけるジ
ボランガスの導入量を第１表に示す通りに変更した以外
は同様にして第２光導電層を形成し、更に、アンモニア
ガスとシランガスとの導入量を第１表に示す通りに変更
した以外は同様にして表面層を形成した。得られた電子
写真感光体を用いて、実施例１におけると同様にしてコ
ピー画像を形成したところ、第１表に示される結果が得
られた。
なお、比較の為に、第３Ｒである第１光導電層を設けず
に表面層を形成した場合についても比較例３及び４とし
て、第１表に示す。
に表面層を形成した場合についても比較例３及び４とし
て、第１表に示す。
第１表
発明の効果
本発明の電子写真感光体は、第２光導電層における非晶
質ケイ素が３ｐｐｍ以上の硼素を含有し、又、該表面層
における窒素原子の含有割合が、ケイ素原子に対して原
子比で０．５以上でおり、且つ、第２光導電層の硼素含
量と表面層の窒素含量とが、上記（Ｉ＞式の関係にある
から、暗減衰、感度、帯電性の点で優れた電子写真特性
を有し、又、得られるコピー画像に像流れや画像ぼけを
生じることがない。
質ケイ素が３ｐｐｍ以上の硼素を含有し、又、該表面層
における窒素原子の含有割合が、ケイ素原子に対して原
子比で０．５以上でおり、且つ、第２光導電層の硼素含
量と表面層の窒素含量とが、上記（Ｉ＞式の関係にある
から、暗減衰、感度、帯電性の点で優れた電子写真特性
を有し、又、得られるコピー画像に像流れや画像ぼけを
生じることがない。
第１図は、本発明の電子写真感光体の模式的断面図であ
る。 １・・・支持体、２・・・電荷注入阻止層、３・・・第
１光導電層、４・・・第２光導電層、５・・・表面層。 特許出願人 富士ピロツクス株式会社代理人
弁理士 製部 市
る。 １・・・支持体、２・・・電荷注入阻止層、３・・・第
１光導電層、４・・・第２光導電層、５・・・表面層。 特許出願人 富士ピロツクス株式会社代理人
弁理士 製部 市
Claims (1)
- （１）支持体上に、電荷注入阻止層、非晶質ケイ素を主
体とする第１光導電層、硼素を含有する非晶質ケイ素か
らなる第２光導電層及び窒素化非晶質ケイ素系表面層を
順次積層してなる電子写真感光体において、該第２光導
電層における非晶質ケイ素が３ｐｐｍ以上の硼素を含有
し、又、該表面層における少なくとも第２光導電層との
接合部からの距離が１００Å以内の領域での窒素原子の
含有割合が、ケイ素原子に対して原子比で０．５以上で
あり、且つ、第２光導電層の硼素含量と、該表面層にお
ける少なくとも第２光導電層との接合部からの距離が１
００Å以内の領域での窒素原子の含有割合とが、次式の
関係にあることを特徴とする電子写真感光体。 Ｂ≧１０＾（＾９＾Ｎ＾−＾５＾．＾５＾） （但し、式中、Ｂは第２光導電層の硼素含量（ｐｐｍ）
であり、Ｎは表面層のケイ素原子に対する窒素原子の原
子比である）
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262714A JP2605303B2 (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 電子写真感光体 |
| US04/259,238 US4923773A (en) | 1987-10-20 | 1988-10-18 | Multilayered electrophotographic photoreceptor of amorphous silicon having a surface layer of nitrogenated amorphous silicon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262714A JP2605303B2 (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Patent Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS61243458A (ja) * | 1985-04-20 | 1986-10-29 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006049327A1 (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-11 | Canon Kabushiki Kaisha | 電子写真感光体及びこれを用いた電子写真装置 |
| US7229731B2 (en) | 2004-11-05 | 2007-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus using the electrophotographic photosensitive member |
Also Published As
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